TWI450324B - 微影設備之光罩清潔方法及微影設備之光罩清潔系統 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種光罩之清潔方法,特別是有關於一種用在極紫外光微影設備中的光罩清潔系統以及其光罩清潔方法。
近代半導體科技發展迅速,其中光學微影設備(Optical Lithography tool)扮演重要的角色,只要是關於圖形(pattern)定義,皆需仰賴光學微影技術。光學微影設備在半導體的應用上,是將設計好的線路製作成具有特定形狀可透光之光罩(photo mask)。利用曝光原理,則光源通過光罩投影至矽晶圓(silicon wafer)可曝光顯示特定圖案。由於任何附著於光罩上的塵埃顆粒(如微粒、粉塵或有機物)都會造成投影成像的品質劣化,用於產生圖形的光罩必須保持絕對潔淨,因此在一般的晶圓製程中,都提供無塵室(clean room)的環境以避免空氣中的顆粒污染。然而,目前的無塵室也無法達到絕對無塵狀態。現代的半導體製程皆利用抗污染的光罩盒(reticle pod)進行光罩的保存與運輸,以使光罩保持潔淨。
接著,請參考第1圖,係一美國第6471037專利中所揭露之微影設備(Lithography Tool)示意圖。在微影設備6中,係保持在一相對真空狀態,微影設備6可由一控制器來控制整個微影設備6的動作,包括第一檢查裝置52,可用以進行辨識光罩、觀察光罩、測量光罩的厚度以及清潔光罩等動作;一光罩傳遞之機械手臂(Conveyance Robort)4,可依控制器指令將光罩由檢查裝置(Inspection apparatus)52取出,然後放置於光罩儲存庫(Reticle Library)53;然後,再依據製程需要,由機械手臂(Conveyance
Robort)將光罩由光罩儲存庫(Reticle Library)53取出,經過預校正裝置(Prealignment Station)54後,送到光學系統(Projection Optical System)中進行曝光製程。很明顯地,在第1圖的微影設備6中,僅於光罩在檢查裝置52進行一次的清潔後,即進入光罩儲存庫53等待執行曝光製程。
而近年來為了生產更小的晶片,光學微影設備已開始使用波長為157nm的極紫外光(extreme ultraviolet light,EUV),以便使光罩上的圖形(pattern)複製於晶圓表面時能達到更小的解析度。然而,使用極紫外光時,相對地,對於光罩盒的潔淨要求更加提高。以往光罩盒內的微粒(particle)若小於30微米,係可接受的,但用於極紫外光的光罩盒則必須要將塵埃或微粒(particle)大小控制在30~50奈米以內。此外,在光學微影設備中,也對其中所存在的塵埃或微粒非常敏感,例如:氣態分子污染物(Airborne Molecular Contaminations;AMC)、SO2及NO2被臭氧氧化成硫酸鹽或是硝酸鹽類而沉積在透鏡(Lens)表面,因而造成透鏡霧化(Haze)。此外,由於位於EUV光罩上的圖形非常細微,故因靜電放電而造成圖形的損害也是時常發生的,故靜電防護(ESD)也是必須考慮的。
基於上述之考量,本發明提供一種對EUV光罩清潔的裝置及其清潔之方法,以改善微影設備(lithography tool)的曝光品質,其主要技術手段係將EUV光罩在進入光罩儲存庫(Reticle Library)前,就藉由多次真空與吹氣之程序,以去除光罩上的微粒及去除光罩上的電荷之清潔過程;甚或是在光罩儲存庫(Reticle Library)選擇一EUV光罩準備進入光學系統(Projection Optical System)中進行曝光製程前,再選擇性地對EUV光罩進行一次清
潔動作,來確保EUV光罩之潔淨度,使得曝光過程能得到最佳之效果,達到增加產品良率之目的。
依據上述之目的,本發明首先提供一種微影設備之光罩清潔方法,係由配置於微影設備中的檢查裝置來對一個EUV光罩盒中的光罩執行清潔,而檢查裝置係由上艙及下艙所組成,其中光罩清潔方法包括:傳遞EUV光罩盒至檢查裝置的上艙中,EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而光罩係儲存於內盒中;形成上艙於一真空狀態;傳遞EUV光罩盒之內盒至檢查裝置的下艙中;接著,執行光罩之清潔程序,係先對下艙執行抽真空,再對EUV光罩盒執行充氣,其中充氣係提供一惰性氣體對內盒進行充氣,使得惰性氣體在內盒中形一氣體流場,以藉由氣體流場將光罩上的微粒帶走;傳遞該內盒至一光罩儲存庫中。
本發明接著提供一種微影設備之光罩清潔方法,係由配置於微影設備中的檢查裝置來對一個EUV光罩盒中的光罩執行清潔,而檢查裝置係由一上艙及一下艙所組成,其中光罩清潔方法包括:傳遞EUV光罩盒至檢查裝置的上艙中,EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而光罩係儲存於內盒中;形成上艙於一真空狀態;傳遞EUV光罩盒之內盒至檢查裝置的下艙中;執行光罩之清潔程序,係先對下艙執行抽真空,再對EUV光罩盒執行充氣程序,其中充氣程序包括,提供一離子化惰性氣體對內盒進行充氣,於離子化惰性氣體完成充氣後,再提供一惰性氣體對內盒進行充氣,使得離子化惰性氣體在內盒中形成一氣體流場並藉以將該光罩上之電荷消除,同時,使得惰性氣體在內盒中形成另一氣體流場並藉以將光罩上之微粒帶走;傳遞內盒至一光罩儲存庫中。
本發明接著再提供一種微影設備之光罩清潔方法,係由配置於微影設備中的檢查裝置來對一個EUV光罩盒中的光罩執行清潔,而檢查裝置係由上艙及下艙所組成,其中光罩清潔方法包括:
傳遞EUV光罩盒至檢查裝置的上艙中,EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而光罩係儲存於內盒中;形成上艙於一真空狀態;傳遞EUV光罩盒之內盒至檢查裝置的下艙中;接著,執行光罩之清潔程序,係先對下艙執行抽真空,再對EUV光罩盒執行充氣,其中充氣係提供一惰性氣體對內盒進行充氣,使得惰性氣體在內盒中形一氣體流場,以藉由氣體流場將光罩上的微粒帶走;傳遞該內盒至一光罩儲存庫中;傳遞內盒至第二檢查裝置中,以執行至少一次的充氣程序;傳遞內盒至一光學系統中,以進行曝光程序。
本發明進一步提供一種配置於微影設備中的光罩清潔系統,係經由微影設備中的控制器對EUV光罩盒中的光罩執行清潔程序,EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而光罩係儲存於內盒中,其中光罩清潔系統包括:一個由相互隔離的一上艙及一下艙所組成的檢查裝置,下艙中配置一基座而基座上配置一真空抽氣閥以及至少一氣閥;及一機械手臂,係配置於一真空之傳遞艙中,藉由機械手臂執行EUV光罩盒中之內盒的傳遞。
本發明接著再提供一種配置於微影設備中的光罩清潔系統,係經由微影設備中的控制器對EUV光罩盒中的光罩執行清潔程序,EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而光罩係儲存於內盒中,其中光罩清潔系統包括:一個由相互隔離的一上艙及一下艙所組成的檢查裝置,下艙中配置一基座而基座上配置一真空抽氣閥以及至少一氣閥;一機械手臂,係配置於一真空之傳遞艙中,藉由機械手臂執行EUV光罩盒中之內盒的傳遞;以及一配置有一噴嘴的第二檢查裝置。
本發明主要在揭露一種在微影設備上進行光罩清潔之方法以及在微影設備中之相應此光罩清潔方法的光罩清潔系統。故本發
明在後續說明中,對於傳統或習知的微影設備之每一組成結構並未完整敘述,以避免對本發明之光罩清潔及光罩清潔系統產生失焦。故於後續之說明僅限與本發明之光罩清潔方法及光罩清潔系統有關的部份。具體地說,本發明所述之微影設備包括美國第6471037專利中所揭露之微影設備,如第1圖所示。為使本發明所運用之技術內容、發明目的及其達成之功效有更完整且清楚的揭露,茲於下詳細說明之,並請一併參閱所揭之圖示及圖號。
首先,如第2圖所示,係本發明之一種具有光罩清潔系統之微影設備示意圖。在本發明之微影設備6的內部係保持在一相對真空狀態(例如:10-6torr),微影設備6可由一控制器(未顯示於圖中)來控制整個微影設備6的動作,其中微影設備6至少包括第一檢查裝置52、光罩儲存庫53、傳遞艙55與配置於傳遞艙55中的光罩盒傳遞機械手臂4、第二檢查裝置57、光學系統73以及將光罩從第二檢查裝置57傳遞至光學系統73的機械手臂5;其中微影設備6中的清潔系統是由第一檢查裝置52、傳遞艙55以及配置於傳遞艙55中的光罩盒傳遞之機械手臂4所組合而成,且在本發明之的第一檢查裝置52又再分隔成上艙521及下艙523,用以載入EUV光罩盒8至上艙521中,然後再將EUV光罩盒之內盒83取出並傳遞至下艙523中進行清潔程序。此外,要進一步說明的是,屬於微影設備6的內部並保持在一相對真空狀態(例如:10-6torr)的裝置包括光罩儲存庫53、光學系統73以及機械手臂5;而屬於清潔系統的裝置是需要由另外的泵(pump)來形成真空狀態;這些形成真空狀態的詳細操作在後續實施例中說明。
請繼續參考第2圖,在本發明之光罩清潔系統中,其主要是提供EUV光罩盒8之清潔工作。因此,當放置有複數個EUV光罩盒8之載具(未顯示於圖中)放置於微影設備6之後,微影設
備6中的控制器會將EUV光罩盒載具中的EUV光罩盒8載入至微影設備6中,如第2圖之標示為第1箭頭之方向所示。接著,會由控制器逐次將每一個EUV光罩盒8傳遞至第一檢查裝置52中,以便在第一檢查裝置52中執行辨識光罩、觀察光罩以及清潔光罩等動作。
接著,請繼續參考第3圖,係本發明之清潔系統之剖視示意圖。當EUV光罩盒8傳遞至第一檢查裝置52時,控制器會將第一檢查裝置52破真空(即通入大氣),並且會將第一檢查裝置52中的上艙521的第一側門(即外側門)打開,讓EUV光罩8盒進入至上艙521中;接著,控制器將上艙521的外側門關閉並進行抽真空之動作;當上艙521中的真空度到達10-1torr時,則控制器會將上艙521的第二側門(即內側門)打開(此時,在傳遞艙55中的真空度到達10-3torr),以讓位於傳遞艙55中的光罩盒傳遞之機械手臂4(例如一種三軸之機械手臂,故可以執行不同方向及高度的運動)將EUV光罩盒8之內盒83取出;然後,機械手臂4退回到傳遞艙55中,如第3圖之標示為第2箭頭之方向所示。接著,控制器將下艙523的內側門打開,機械手臂4再將內盒83傳遞至下艙523中,並將內盒83放置於下艙523中的基座525上,然後機械手臂4再退回到傳遞艙55中,如第3圖之標示為第3箭頭之方向所示。於此同時,控制器也將為於上艙521中的外盒81移出第一檢查裝置52並載入另一EUV光罩盒8。
再接著,當內盒83放置於下艙523中的基座525之後,控制器將下艙523的內側門關閉並進行抽真空之動作,當下艙523中的真空度到達10-1torr之後,隨即進行複數次的充氣與抽真空之清潔程序。在本發明中的複數次的充氣與抽真空之清潔程序,包括兩種實施方式,其中一種是於複數次的充氣與抽真空之清潔程序中,使用惰性的氣體,以將光罩表面上的微粒藉由循環流場帶
走;而另一種是於複數次的充氣與抽真空之清潔程序中,先使用離子化之惰性氣體來消除光罩上的電荷,以避免產生靜電放電之狀態;然後再切換成充入惰性的氣體,以將光罩表面上的微粒藉由循環流場帶走。接著將詳細說明其操作過程。
在本發明之第一實施例中,當內盒83傳遞至下艙523之後,內盒83會放置於下艙523之基座525上,使得配置於基座525上的氣閥833與氣閥835與內盒83上的兩個氣閥(未顯示於圖中)相應並接觸,如第4圖所示;接著,控制器將下艙523的內側門關閉並經由基座525上的真空抽氣閥5251進行抽真空之動作,當下艙523中的真空度到達10-1torr之後,關閉真空抽氣閥5251,使得下艙523中的真空度保持在10-1torr。再接著,控制器會透過氣閥833向內盒83充入一個有設定流量及設定充氣時間的惰性氣體(inert gas);例如:充入氮氣(N2)或是氦氣(He)等;並由基座525上的另一氣閥835將內盒83中的惰性氣體抽出,使得惰性氣體在內盒83中形成氣體之流場,以將內盒83中的光罩上的微粒被充入之惰性氣體所形成之流場帶走,以確保光罩的潔淨度。
此外,在本發明之第二實施例中,當內盒83傳遞至下艙523之後,內盒83會放置於下艙523之基座525上,使得配置於基座525上的氣閥833與氣閥835與內盒83上的兩個氣閥(未顯示於圖中)相應並接觸後,如第4圖所示;接著,控制器將下艙523的內側門關閉並經由基座525上的真空抽氣閥5251進行抽真空之動作,當下艙523中的真空度到達10-1torr之後,隨即關閉真空抽氣閥5251,使得下艙523中的真空度保持在10-1torr。再接著,控制器會透過氣閥833向內盒83充入一個有設定流量及設定充氣時間的離子化惰性氣體(例如:將氮氣經過離子產生裝置以產生離子化氮氣氣體),並由基座525上的另一氣閥835將內盒83中的離子化惰性氣體抽出,使得離子化惰性氣體在內盒83中形成氣
體之流場,可將內盒83中的光罩上的電荷消除。接著,控制器會將充氣之氣體切換至惰性氣體,使得惰性氣體由下艙523之基座525上的氣閥833將惰性氣體充入至內盒83中,並由基座525上的另一充氣閥835將內盒83中的惰性氣體抽出,使得惰性氣體在內盒83中形成惰性氣體之流場,以將內盒83中的光罩上的微粒能被充氣氣體所形成之流場帶走,以確保光罩的潔淨度。
當完成了前述第一實施例或第二實施例後,控制器會停止充氣動作;然後關閉下艙523之基座525上的氣閥833與氣閥835;接著,控制器會再一次地由下艙523之基座525上的真空抽氣閥5251進行抽真空的動作,再度使得下艙523內的真空度到達10-1torr。再接著,重複前述充氣與抽真空之清潔步驟複數次,以達到清潔光罩之目的;而在本實施例中,係重複執行3至7次的充氣與抽真空之清潔程序;而在一較佳之實施例中,係執行5次的充氣與抽真空之清潔程序。
當內盒83在下艙523中完成清潔之程序後,控制器會將下艙523的內側門打開,機械手臂4再將內盒83取出,然後先回到傳遞艙55中,如第3圖之標示為第4箭頭之方向所示。接著,關閉下艙523的內側門;然後,控制器會將光罩儲存庫53開啟,再由機械手臂4將內盒83傳遞至光罩儲存庫53中儲存備用,如第5圖之標示為第5箭頭之方向所示。在本發明之實施例中,光罩儲存庫53係配置於微影設備6內部的高真空狀態中,其真空度是保持在10-3torr至10-6torr之間。很明顯地,本發明即是藉由此一清潔系統來對一個個的EUV光罩盒8中的內盒83進行清潔,然後依序儲放於高真空度的光罩儲存庫53之中,以確保內盒83及位於其中之光罩能夠完全潔淨。
接著,當微影設備6要進行曝光製程時,微影設備6在控制器的控制下,由位於微影設備6內部的另一個機械手臂5將光罩
自儲存在光罩儲存庫53中的內盒83取出,並將光罩內盒83傳遞至光學系統73中進行曝光製程。於曝光製程完成後,機械手臂5將光罩逐一放回至光罩儲存庫53內盒83中。接著,再由機械手臂4將光罩內盒83由光罩儲存庫53處取出,然後先回到傳遞艙55中,如第5圖之標示為第6箭頭之方向所示。接著,控制器將外盒81放載入至第一檢查裝置52的上艙521中,然後將上艙521中的真空度抽到10-1torr以下;再由控制器將上艙521的內側門打開,以將內盒83放置外盒81中,如第5圖之標示為第7箭頭之方向所示。隨後,控制器將上艙521的內側門關閉。接著,由控制器將上艙521破真空(即通入大氣)後,則第一檢查裝置52中的上艙521的第一側門(即外側門)會打開,讓EUV光罩8盒移出至EUV光罩盒之載具上,如第5圖之標示為第8箭頭之方向所示。然後,控制器再將第一檢查裝置52中的上艙521的第一側門(即外側門)會關閉。然後,機械手臂4再將儲存在光罩儲存庫53中的另一編號的內盒83取出,並將內盒83傳遞至光學系統73中進行曝光製程。然後重複前述步驟,直到曝光製程結束並且每一EUV光罩8盒也都移出至EUV光罩盒之載具,以完成曝光製程。
此外,為了更確保進入光學系統73中進行曝光製程之內盒83能完全潔淨,以提高製造之良率。本發明再揭露另一種清潔系統,此一清潔系統是由第一檢查裝置52、傳遞艙55、配置於傳遞艙55中的光罩傳遞之機械手臂4及第二檢查裝置57所組合而成,如第6圖所示;其中在本發明之的第一檢查裝置52又再分隔成上艙521及下艙523。由於將EUV光罩盒8載入至上艙521中,然後再將EUV光罩盒之內盒83取出並傳遞至下艙523的程序,與先前之實施方式相同;特別是,內盒83在下艙523中的清潔程序也與先前之實施方式相同,故不再重複贅述。本實施例之主要特徵係在微
影設備6要進行曝光製程時,微影設備6在控制器的控制下,由機械手臂4將光罩10自儲存在光罩儲存庫53中的內盒83取出,接著,將光罩先傳遞第二檢查裝置57之基座573上,然後由第二檢查裝置57上的噴嘴571對光罩10進行至少一次的充氣,而此充氣之氣體可以是氮氣或是乾燥空氣,以避免光罩上有微粒存在。在經過第二檢查裝置57中進行至少一次的充氣之後,再由機械手臂5將光罩由第二檢查裝置57取出,然後傳遞至光學系統73中進行曝光製程。在此要強調,本實施例中的第二檢查裝置57以及其相應之清潔程序是可以選擇性地配置的。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
4‧‧‧機械手臂
5‧‧‧機械手臂
10‧‧‧光罩
52‧‧‧第一檢查裝置
521‧‧‧上艙
523‧‧‧下艙
525‧‧‧基座
5251‧‧‧真空抽氣閥
53‧‧‧光罩儲存庫
55‧‧‧傳遞艙
57‧‧‧第二檢查裝置
571‧‧‧噴嘴
573‧‧‧基座
6‧‧‧微影設備
73‧‧‧光學系統
8‧‧‧EUV光罩盒
81‧‧‧外盒
83‧‧‧內盒
833‧‧‧氣閥
835‧‧‧氣閥
第1圖 係一習知的微影設備之示意圖;第2圖 係本發明之光罩清潔系統之微影設備示意圖;第3圖 係本發明之清潔系統之剖視示意圖;第4圖 係本發明之下艙之透視示意圖;第5圖 係本發明之光罩清潔系統之示意圖;第6圖 係本發明之光罩清潔系統之另一實施例之示意圖。
4‧‧‧機械手臂
52‧‧‧第一檢查裝置
521‧‧‧上艙
523‧‧‧下艙
53‧‧‧光罩儲存庫
55‧‧‧傳遞艙
57‧‧‧第二檢查裝置
6‧‧‧微影設備
73‧‧‧光學系統
8‧‧‧EUV光罩盒
81‧‧‧外盒
83‧‧‧內盒
Claims (10)
- 一種微影設備之光罩清潔方法,係由一配置於一微影設備中的檢查裝置來對一EUV光罩盒中的光罩執行清潔,而該檢查裝置係由一上艙及一下艙所組成,其中該光罩清潔方法包括:傳遞該EUV光罩盒至該檢查裝置的上艙中,該EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而該光罩係儲存於該內盒中;形成該上艙於一真空狀態;傳遞該EUV光罩盒之該內盒至該檢查裝置的下艙中;執行該光罩之清潔程序,係先對該下艙執行抽真空,再對該EUV光罩盒執行充氣,其中該充氣係提供一惰性氣體對該內盒進行充氣,使得該惰性氣體在內盒中形一氣體流場,以藉由該氣體流場將該光罩上的微粒帶走;傳遞該內盒至一光罩儲存庫中。
- 一種微影設備之光罩清潔方法,係由一配置於一微影設備中的檢查裝置來對一EUV光罩盒中的光罩執行清潔,而該檢查裝置係由一上艙及一下艙所組成,其中該光罩清潔方法包括:傳遞該EUV光罩盒至該檢查裝置的上艙中,而該EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而該光罩係儲存於該內盒中;形成該上艙於一真空狀態;傳遞該EUV光罩盒之該內盒至該檢查裝置的下艙中;執行該光罩之清潔程序,係先對該下艙執行抽真空,再對該EUV光罩盒執行充氣程序,其中該充氣程序包括,提供一離子化惰性氣體對該內盒進行充氣,於該離子化惰性氣體完成充氣後,再提供一惰性氣體對該內盒進行充氣,使得該離子化惰性氣體在該內盒中形成一氣體流場並藉以將該光罩上之電荷消除,同時,使得該惰性氣體在內盒中形成另一氣體流場並藉以將該光罩上之微粒帶走;傳遞該內盒至一光罩儲存庫中。
- 一種微影設備之光罩清潔方法,係由一配置於一微影設備中的清潔系統來對一EUV光罩中的光罩執行清潔,該清潔系統係由一第一檢查裝置及一第二檢查裝置所組成,而該第一檢查裝置係由一上艙及一下艙所組成,其中該光罩清潔方法包括:傳遞該EUV光罩盒至該第一檢查裝置的上艙中,該EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而該光罩係儲存於該內盒中;形成該上艙於一真空狀態;傳遞該EUV光罩盒之該內盒至該第一檢查裝置的下艙中;執行該光罩之清潔程序,係先對該下艙執行抽真空,再對該EUV光罩盒執行充氣,其中該充氣係提供一惰性氣體對該內盒進行充氣,使得該惰性氣體在內盒中形一氣體流場,以藉由該氣體流場將該光罩上的微粒帶走;傳遞該內盒至一光罩儲存庫中;傳遞該光罩至該第二檢查裝置中,係將該光罩自該光罩儲存庫中取出,並傳遞至該第二檢查裝置中;執行至少一次的充氣程序,係於該第二檢查裝置中對該光罩執行至少一次的充氣;及傳遞該光罩至一光學系統中,以進行曝光程序。
- 如申請專利範圍第1、2或3項所述之光罩清潔方法,其中該內盒之傳遞係由一機械手臂來執行。
- 如申請專利範圍第1、2或3項所述之光罩清潔方法,其中惰性氣體為氮氣或氦氣。
- 如申請專利範圍第1、2或3項所述之光罩清潔方法,其中該光罩之清潔程序係進一步包括重複地執行複數次的該抽真空及該充氣程序。
- 如申請專利範圍第3項所述之光罩清潔方法,其中於該光罩之清潔程序中,進一步提供一離子化惰性氣體對該內盒進行充氣。
- 如申請專利範圍第3項所述之光罩清潔方法,其中於該第二檢查裝置中的充氣氣體為氮氣或乾燥空氣。
- 一種配置於微影設備中的光罩清潔系統,係經由該微影設備中的一控制器對一EUV光罩盒中的光罩執行清潔程序,該EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而該光罩係儲存於該內盒中,其中該光罩清潔系統包括:一檢查裝置,該檢查裝置係由相互隔離的一上艙及一下艙所組成,該下艙中配置一基座而該基座上配置一真空抽氣閥以及至少一氣閥,該氣閥用於對該內盒充氣及抽氣,以清潔該內盒中之該光罩;及一機械手臂,係配置於一真空之傳遞艙中,藉由該機械手臂執行該EUV光罩盒中之該內盒的傳遞。
- 一種配置於微影設備中的光罩清潔系統,係經由該微影設備中的一控制器對一EUV光罩盒中的光罩執行清潔程序,該EUV光罩盒包含一外盒及一內盒,而該光罩係儲存於該內盒中,其中該光罩清潔系統包括:一第一檢查裝置,該第一檢查裝置係由相互隔離的一上艙及一下艙所組成,該下艙中配置一基座而該基座上配置一真空抽氣閥以及至少一氣閥;一機械手臂,係配置於一真空之傳遞艙中,藉由該機械手臂執行該EUV光罩盒中之該內盒的傳遞;一第二檢查裝置,該第二檢查裝置係配置一噴嘴。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099101877A TWI450324B (zh) | 2010-01-25 | 2010-01-25 | 微影設備之光罩清潔方法及微影設備之光罩清潔系統 |
US12/764,197 US20110180108A1 (en) | 2010-01-25 | 2010-04-21 | Reticle cleaning method for a lithography tool and a reticle cleaning system thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099101877A TWI450324B (zh) | 2010-01-25 | 2010-01-25 | 微影設備之光罩清潔方法及微影設備之光罩清潔系統 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201126581A TW201126581A (en) | 2011-08-01 |
TWI450324B true TWI450324B (zh) | 2014-08-21 |
Family
ID=44308030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099101877A TWI450324B (zh) | 2010-01-25 | 2010-01-25 | 微影設備之光罩清潔方法及微影設備之光罩清潔系統 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110180108A1 (zh) |
TW (1) | TWI450324B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105702601B (zh) | 2011-06-23 | 2020-02-07 | 布鲁克斯Ccs有限公司 | 清洁***和方法 |
US9164399B2 (en) * | 2012-01-10 | 2015-10-20 | Hermes-Microvision, Inc. | Reticle operation system |
US9851643B2 (en) * | 2012-03-27 | 2017-12-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for reticle handling in an EUV reticle inspection tool |
US10459353B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography system with an embedded cleaning module |
DE102014020027B3 (de) | 2013-03-15 | 2023-03-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithographiesystem mit eingebettetem reinigungsmodul sowie verfahren |
TWI544973B (zh) * | 2015-03-20 | 2016-08-11 | 家登精密工業股份有限公司 | 半導體容器清洗機的運作方法 |
US10459352B2 (en) * | 2015-08-31 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask cleaning |
US10866504B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography mask with a black border region and method of fabricating the same |
KR20200122665A (ko) * | 2019-04-18 | 2020-10-28 | 삼성전자주식회사 | 진공 챔버용 계측 장치, 및 그 계측 장치를 포함한 계측 시스템 |
KR20210010754A (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 삼성전자주식회사 | Euv 레티클 관리 방법 및 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20210143412A (ko) * | 2020-05-20 | 2021-11-29 | 삼성전자주식회사 | 레티클 포드의 세정 방법 및 세정 시스템 |
US20220299882A1 (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for cleaning an euv mask within a scanner |
US11592754B2 (en) * | 2021-04-22 | 2023-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advanced load port for photolithography mask inspection tool |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200726706A (en) * | 2005-09-27 | 2007-07-16 | Entegris Inc | Reticle pod |
TW200842093A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-01 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Photomask tracking system and method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3513437B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 基板管理方法及び半導体露光装置 |
JP2003174007A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Supurauto:Kk | 基板の真空乾燥方法 |
TWI319123B (en) * | 2002-02-22 | 2010-01-01 | Asml Holding Nv | System and method for using a two part cover for protecting a reticle |
US7384149B2 (en) * | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7402362B2 (en) * | 2004-02-26 | 2008-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Inc. | Method and system for reducing and monitoring precipitated defects on masking reticles |
US7367138B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-05-06 | Nikon Corporation | Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles |
-
2010
- 2010-01-25 TW TW099101877A patent/TWI450324B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-04-21 US US12/764,197 patent/US20110180108A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200726706A (en) * | 2005-09-27 | 2007-07-16 | Entegris Inc | Reticle pod |
TW200842093A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-01 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Photomask tracking system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110180108A1 (en) | 2011-07-28 |
TW201126581A (en) | 2011-08-01 |
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