TWI446474B - 具有流體分離特性之封閉腔室 - Google Patents

具有流體分離特性之封閉腔室 Download PDF

Info

Publication number
TWI446474B
TWI446474B TW100118167A TW100118167A TWI446474B TW I446474 B TWI446474 B TW I446474B TW 100118167 A TW100118167 A TW 100118167A TW 100118167 A TW100118167 A TW 100118167A TW I446474 B TWI446474 B TW I446474B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
splash
processing
closed
processing device
Prior art date
Application number
TW100118167A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201203428A (en
Inventor
Rainer Obweger
Anderas Gleissner
Original Assignee
Lam Res Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Ag filed Critical Lam Res Ag
Publication of TW201203428A publication Critical patent/TW201203428A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI446474B publication Critical patent/TWI446474B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Centrifugal Separators (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

具有流體分離特性之封閉腔室
本發明大致關於一種用以處理晶圓狀物件如半導體晶圓等之表面的設備，其中，一或多種處理流體可自一封閉處理腔室中被回收。
半導體晶圓接受各種表面處理製程，如蝕刻、清洗、拋光和物質沉積等。例如於美國專利第4,903,717號和5,513,668號所述，為方便接受上述製程，可利用與一旋轉承載座相結合的夾具將單一晶圓相對於一或多個處理流體噴嘴而支撐著。
另一方面，例如PCT國際專利公開公報第WO 2007/101764號以及美國專利第6,485,531號所述，一種適用以支撐一晶圓且為環形轉子形式的夾具可設於一封閉處理腔室中，並且須介由一主動磁性軸承無實體接觸而被驅動。因離心力作用而從一轉動晶圓外緣朝外側被驅動散放之處理流體，被傳送至一共用排洩口以供處理。
本案發明人發現，前述樣式夾具中，各種處理液可從一封閉處理腔室中有利地被分別回收，俾使回收之該流體可被循環處理或再利用。
根據本發明，一種在一封閉處理腔室中用以固持晶圓狀物件如半導體晶圓等之裝置，配備了兩個或多個分離的流體匯集部，其中，透過由封閉處理腔室外側引動一磁偶合，可使晶圓支撐物和流體匯集部相對移動，使從晶圓表面散放出之處理流體可選擇性地導引至一選定的液體出口。
如圖1a和1b所示，一封閉處理腔室係由一底部開放的上腔室所界定，此上腔室位於一較大而頂端開放的下腔室之上方，進一步的細節描述如下。
上腔室之周邊以一圓筒形腔壁(105)所界定。此圓筒形腔壁(105)包含一具有上端與下端之垂直圓筒形狀壁面，並於其下端具有向外延伸之徑向凸緣。
一內蓋板(131)位於圓筒形腔壁(105)之上端，為上腔室(105)提供一延伸於圓筒形腔壁(105)內部之封閉頂面。此內蓋板(131)亦從圓筒形腔壁(105)之上端徑向朝外延伸。因此，封閉處理腔室之上腔室包含形成於內蓋板(131)之下方且在圓筒形腔壁(105)內部的一內部空間。
大於前述上腔室的封閉處理腔室之下腔室之係自下方以一底板(136)構成。一框架(138)包含垂直壁面，此等垂直壁面沿著底板(136)邊緣與其接合以構成下腔室之垂直延伸側壁。於框架(138)的一壁內設有一晶圓裝卸門(134)，而在框架(138)的另一壁內，則設有一檢修門。
對向於底板(136)，框架(138)與一內向延伸之環形蓋板(132)接合，以構成下腔室的環形頂面。因此，封閉處理腔室之下腔室包含形成於底板(136)之上方、框架(138)之內與環形蓋板(132)之下方的一內部區域。
環形蓋板(132)的內側邊緣與圓筒形腔壁(105)下端之水平延伸的凸緣相抵接，俾接連上腔室與下腔室以構成封閉處理腔室。
一環形夾具(102)位於上腔室中。環形夾具(102)適於可旋轉地支撐一晶圓(W)。較理想的情況下，環形夾具(102)包含一可旋轉之驅動環，此驅動環具有複數之可徧心移動的夾持構件，用以選擇地接觸與釋放晶圓之外側邊緣。
於圖1a和圖1b所示之實施例中，該環形夾具(102)包含與圓筒形腔壁(105)內表面鄰接的一環形轉子(103)。另有相對於該環形轉子之一定子(104)位於與圓筒形腔壁(105)外表面鄰接處。此轉子(103)與定子(104)作為馬達所使用，藉由此馬達，可透過一主動磁性軸承而使環形轉子(與其支撐之晶圓)轉動。舉例而言，此定子(104)可包含複數之電磁線圈或繞組，透過設在轉子(103)上的對應之永久性磁鐵，可主動地控制該等電磁線圈或繞組以旋轉驅動環形夾具(102)。環形夾具(102)之軸向與徑向軸承也能以主動控制定子或以永久性磁鐵來實現。因此，在無機械接觸點之情形下，環形夾具(102)可被懸浮及旋轉驅動。另一方面，上述轉子可被一被動軸承所固持，其中轉子之磁鐵被位於腔室外側之外轉子上沿周向排列的對應之高溫超導磁鐵(HTS-magnets)所固持。依此一替代實施例，環形轉子的每個磁鐵被鎖定於外轉子上與其相應之高溫超導磁鐵。因此，內轉子與外轉子在無實體連結的狀態下進行相同之移動。
內蓋板(131)被一介質入口(110)穿過。而底板(136)類似地被一介質入口(109)穿過。在晶圓處理中，處理流體可經由介質入口(109)及/或(110)引導至旋轉中之晶圓，以執行各種處理，如蝕刻、清洗、漂洗以及其他期望的晶圓經歷之處理的表面處理。
環形夾具(102)包含一個方位朝下且從環形夾具(102)之旋轉軸徑向朝外之後緣(122)。因此，因旋轉晶圓而造成的離心力作用導致經由介質入口(109)或(110)輸入之處理流體的多餘部分，被驅往環形夾具(102)的一傾斜面並從其後緣(122)朝下方並朝外方被導引。
在封閉處理腔室之下腔室中設有一或多個可垂直移動的防濺板(111、115)。雖然圖1b中只顯示了二個環狀防濺板(111,115)，但吾人瞭解任何所需數量之防濺板皆可設置，並屬於本揭露內容預想之範圍，防濺板之實際數量係部分取決於擬分開收集的不同處理流體的數目。
外防濺板(111)係環繞內防濺板(115)同心配置。因此，內防濺板(115)界定一內流體匯集部於其內部，而另有一外流體匯集部界定於內防濺板(115)外表面與外防濺板(111)內表面之間的環狀區域中。
上述各個流體匯集部各與一排洩閥相連，此排洩閥之功用為將各個流體匯集部所匯集之處理流體導引出封閉處理腔室外。如圖1b所示，排洩閥(117)延伸穿過底板(136)延伸並開口於內流體匯集部，且另有一排洩閥(108)延伸穿過底板(136)延伸並開口於外流體匯集部。較佳情況為底板(136)相對於一水平面朝向各排洩閥(108)和(117)傾斜，因而使內或外流體匯集部中液體沿底板(136)匯流至排洩閥(117)及(108)。
如圖1a所示，一個導向封閉處理腔室之排放口(106)亦被設置以促進空氣及/或其他氣體及煙霧的流動。
各個防濺板都可於垂直方向獨立移動。因此，各防濺板皆可相對於環形夾具(102)及任何其他防濺板，選擇性的上昇及/或下降，俾使由環形夾具(102)的後緣(122)散放出之多餘處理流體被引流至選定之流體匯集部。
圖1c中，描述外防濺板(111)相對於內防濺板(115)處於較升高之狀態，如此一來從由環形夾具(102)的後緣(122)散放出之多餘處理流體，被外防濺板(111)內面阻擋而導引至外流體匯集部。因此，由製程中晶圓表面散放出之多餘處理流體可以選擇性地經由排洩閥(108)回收，並加以選擇性地循環處理或重複使用。
較理想的情況且如圖1c所示，外防濺板可被升高至使其朝內的上端緣抵住環形頂面(132)的距離。於此位置時，封閉處理腔室在流體匯集部外側之區域較少曝露於任何因所收集的處理流體而衍生之侵蝕性或腐蝕性煙霧。
圖1e描敍內防濺板(115)處於被提升高的狀態，由環形夾具(102)的後緣(122)散放出之多餘處理流體，被內防濺板(115)之內面阻擋而導引至內流體匯集部。因此，由製程中晶圓表面散放出之多餘處理流體可以選擇性地經由排洩閥(117)回收，並加以選擇性地再生處理或重複使用。
較理想的情況為如圖1e所示，內防濺板可被升高至使其內向上端緣與環形夾具(102)之後緣(122)緊密相接的距離。於此位置時，封閉處理腔室在流體匯集部外之區域較少曝露於任何因所收集的處理流體而衍生之侵蝕性或腐蝕性煙霧。吾人更進一步注意到，當內防濺板被升高以便收集於內流體匯集部之多餘處理流體時，外防濺板亦可升高，俾加強對封閉處理腔室在流體匯集部外之區域的保護，使其免於遭受任何因收集處理流體而衍生之侵蝕性或腐蝕性煙霧或液體，如前面圖1d之敍述。
因此，選擇性地垂直移動一或多個防濺板，可使不同之處理流體在不同時間分別獨立從封閉處理腔室分次回收。因此，舉例而言，處理化學物如酸、鹼或氧化液可個別回收，而無需被其他處理流體如蝕刻液、清洗液和漂洗液，或者是被氣體所稀釋。
依舊參照圖1a至圖1e，封閉處理腔室外設有一或多個引動器，以便於獨立選擇性地移動各個防濺板。例如圖1a中，一引動器(113)操作性地連結於外防濺板(111)，而另一引動器(116)操作性地連結於內防濺板(115)。較理想的情況為：每個防濺板各具有三個引動器，但引動器之數量會部份取決於與其接連之防濺板的幾何形狀。
引動器(113,116)具有與防濺板(111,116)上載置之永久性磁鐵相對應的永久性磁鐵。因此，引動器可經由相對應磁鐵組所形成之磁力偶，來控制各防濺板之選擇性垂直移動。
圖1f與圖1g顯示改良之防濺板(115a和111a)。於此實施例中，外防濺板(111a)包含一朝內延伸之頂面，當內防濺板(115a)被升高時，此頂面覆蓋內防濺板(115a)之上緣並與其接合。因此，當內流體匯集部在使用中時，外流體匯集部可以實質上被內防濺板(115a)所封閉。
圖1f和圖1g也呈現於封閉處理腔室中各個防濺板的引動器之實施例的更多細節。於此實施例中，相對於內防濺板(115a)而言，一活塞(1160)以一個可為滾珠心軸或氣動升降缸的升降機構(116a)選擇性地驅動。該活塞(1160)延伸穿過封閉處理腔室底部板之一孔洞延伸。於封閉處理腔室中，活塞(1160)以一圓筒形罩套(1162)覆蓋，此圓筒形罩套(1162)於遠離底板之上端處以一圓筒形蓋封閉，而在靠近底板之下端與封閉處理腔室的內表面處密封。
一個內部磁鐵(1164)附著於活塞(1160)上，此內部磁鐵(1164)與一附著於防濺板(115a)之外部環形磁鐵(1166)操作性相連。內部磁鐵(1164)與外部環形磁鐵(1166)互相對應，如此一來當活塞(1160)被升降機構(116a)升起或降下時，防濺板(115a)亦相應地被升起或降下。
圖2a至2d描述本發明之另一實施例，其中，可垂直移動的防濺板之功能特性被另一個用於環形夾具之選擇性垂直移動的機構所取代。
在此實施例中，一封閉處理腔室係以一上部平板(231)、一下部平板(234)與一圓筒形腔壁(215)三者所包圍之內部空間所界定，其中圓筒形腔壁(215)於上部平板(231)與下部平板(234)的相對向表面之間垂直延伸。
一磁性偶合並驅動之環形夾具(202)位於圓筒形腔壁(215)之內部之內，此夾具用來以複數之可偏心移動的插銷(223)來支撐一晶圓(W)。一個與環形夾具(202)相結合的轉子(203)與圓筒形腔壁(215)內表面鄰接，並與一相對應定子(204)操作性地相連結。此定子(204)與圓筒形腔壁(215)外表面相鄰接並載置於一載置板(237)上。
一腔室底部(207)位於封閉處理腔室中的下部平板(234)之內面上方。此腔室底部(207)容納複數之設成同心環形管道(208-209)形式的處理流體匯集部，各環形管道皆導向與其對應之出口(218-219)，其中該等出口從環形管道延伸至封閉處理腔室之外。於較理想的情況為：各環形管道相對於水平面傾斜，俾於其中收集到的任何處理流體被引流至對應的出口。腔室底部(207)也容納了一環形排放管道(210)與相對應之排放出口(220)。
上部平板(231)及腔室底部(207)各具有輸入口(205和211)，俾使處理流體可選擇性地輸入至處理中的旋轉之晶圓的其中一面或兩者。
在此實施例中，定子(204)和載置板(237)係安裝成可相對於圓筒形腔壁垂直地移動。因此，定子(204)之垂直移動經由其與轉子(203)之磁力偶，造成環形夾具及被其固持之晶圓的相應之垂直移動。定子(204)之選擇性垂直移動係由引動器(206)所提供。
環形夾具(202)包含一後緣(222)，此後緣(222)定向成從環形夾具之旋轉軸心沿徑向朝外延伸的一朝下角度。因此，旋轉晶圓所形成之離心作用致使經由介質輸入口(205)或(211)導入之過剩處理流體被甩出至環形夾具(202)的斜面，並沿著後緣(222)朝外流下。
在使用中，定子(204)位在相對於圓筒形腔壁(215)的一選定的高度，俾使環形夾具(202)位在相應的高度，該高度係選擇成從後緣(222)散放出之過剩液體被導引至期望的環形管道。
當要使用不同的處理流體時，藉由定子(204)的相對應之垂直移動，使該環形夾具(202)垂直移動至一位置，於該一位置，由後緣(222)散放出之過剩液體將被導引至不同的期望之環形管道。
以上述方法，該環形夾具(202)可選擇性地定位於垂直方向，而使任何特定的處理流體從晶圓引流至選定之環形管道及出口，俾各處理流體之過剩部分可獨立收集以回收或再利用。
雖然本發明已就各種例釋性實施例加以說明，但吾人應理解該等實施例不應被援引作為限制保護範圍的理由。本發明應由隨附之申請專利範圍的真正精神加以限定。
102．．．環形夾具
103．．．環形轉子
104．．．定子
105．．．圓筒形腔壁
106．．．排放口
108．．．排洩閥
109．．．介質入口
110．．．介質入口
111．．．外防濺板
111a．．．防濺板
113．．．引動器
115．．．內防濺板
115a．．．防濺板
116a．．．提升機構
117．．．排洩閥
122．．．後緣
131．．．內蓋板
132．．．環形頂面
134．．．裝載出入閘門
136．．．底板
138‧‧‧機架
202‧‧‧環形夾具
203‧‧‧轉子
204‧‧‧定子
205‧‧‧介質輸入口
206‧‧‧引動器
207‧‧‧腔室底部
208‧‧‧環形管道
209‧‧‧環形管道
210‧‧‧環形排放管道
211‧‧‧介質輸入口
215‧‧‧圓筒形腔壁
218‧‧‧出口
219‧‧‧出口
220‧‧‧排放出口
222‧‧‧後緣
223‧‧‧插銷
231‧‧‧上部平板
234‧‧‧下部平板
237‧‧‧載置板
1160‧‧‧活塞
1162‧‧‧圓筒形罩套
1164‧‧‧內部磁鐵
1166‧‧‧外部環形磁鐵
本發明之其他目的、特徵及優點由上述發明實施例之詳細說明及伴隨之圖例當可更加明白。
圖1a為根據本發明中一實施例之處理腔室的橫剖面側視圖，顯示一晶圓裝載/卸載之狀態。
圖1b為圖1a之處理腔室的橫剖面立體圖。
圖1c為圖1a之處理腔室的橫剖面立體圖，顯示收集第一處理流體之狀態。
圖1d為圖1a之處理腔室的橫剖面立體圖，顯示收集第二處理流體之狀態。
圖1e為圖1a之處理腔室的橫剖面立體圖，顯示另一種收集第二處理流體之狀態。
圖1f為本發明的另一實施例之處理腔室的橫剖面立體圖。
圖1g為一較佳流體匯集部之側面與驅動組件的放大剖視圖。
圖2a為根據本發明另一實施例中一處理腔室的橫剖面立體圖。
圖2b為圖2a之處理腔室的橫剖面圖。
圖2c為圖2a之處理腔室的橫剖面立體圖，顯示收集第一處理流體狀態。
圖2d為圖2a之處理腔室的橫剖面立體圖，顯示收集第一處理流體狀態。
W．．．晶圓
102．．．環形夾具
103．．．環形轉子
104．．．定子
105．．．圓筒形腔壁
106．．．排放口
108．．．排洩閥
109．．．介質入口
110．．．介質入口
111．．．外防濺板
113．．．引動器
115．．．內防濺板
116．．．引動器
117．．．排洩閥
131．．．內蓋板
132．．．環形頂面
134．．．裝載出入閘門
136．．．底板
138．．．機架

Claims (13)

  1. 一種晶圓狀物件之處理裝置，包含：一封閉處理腔室；一環形夾具，位於該封閉處理腔室中；及至少一處理流體匯集部，該流體匯集部可經由該封閉處理腔室之底壁流體連通至該封閉處理腔室外側，於其中，該環形夾具透過一磁性軸承而在無須實體接觸的情況下受到驅動，於其中，該環形夾具及該至少一處理流體匯集部可相對彼此沿垂直方向移動，且其中該至少一處理流體匯集部包含一可垂直方向移動的防濺板。
  2. 如申請專利範圍第1項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該環形夾具係固定在垂直方向上。
  3. 如申請專利範圍第2項的晶圓狀物件之處理裝置，包含複數之處理流體匯集部，各處理流體匯集部包含一可垂直方向移動的防濺板。
  4. 如申請專利範圍第3項的晶圓狀物件之處理裝置，更包含升降機構，該升降機構係安裝在該封閉處理腔室外側、並且係配置成將可垂直方向移動的各防濺板選擇性地驅動至一預定的垂直位置。
  5. 如申請專利範圍第4項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，可垂直移動的各防濺板可選擇性的定位，以使從由該環形夾具所支撐之一轉動晶圓散放出之預選定的處理流體轉向。
  6. 如申請專利範圍第5項的晶圓狀物件之處理裝置，更包含一垂直移動之引動器，此引動器操作性地相連於可垂直移動之各防濺板。
  7. 如申請專利範圍第6項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該引動器藉由一磁力偶操作性地相連於該可垂直移動之防濺板。
  8. 如申請專利範圍第1項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該磁性軸承為一主動磁性軸承。
  9. 如申請專利範圍第1項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該封 閉處理腔室包含晶圓裝卸進出門，該晶圓裝卸進出門係設置在該封閉處理腔室之側壁中的一垂直位置處，該垂直位置低於該環形夾具的垂直位置。
  10. 如申請專利範圍第3項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該複數之處理流體匯集部包含環形內防濺板和徑向外環形防濺板，該徑向外環形防濺板與該環形內防濺板同心。
  11. 如申請專利範圍第3項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該複數之處理流體匯集部包含具有內防濺板之內處理流體匯集部、以及具有外防濺板之外處理流體匯集部，且其中該外防濺板包含一向內延伸的上表面，當該內防濺板升高時，該上表面覆蓋該內防濺板的上緣並與該內防濺板的上緣接合，因此當該內處理流體匯集部在使用中時，藉由該內防濺板實質封閉該外處理流體匯集部。
  12. 如申請專利範圍第1項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該可垂直方向移動的防濺板包含朝內的上端緣，該朝內的上端緣係設置在該可垂直方向移動的防濺板之最上方位置，而抵住該封閉處理腔室的內表面。
  13. 如申請專利範圍第1項的晶圓狀物件之處理裝置，其中，該可垂直方向移動的防濺板包含朝內的上端緣，該朝內的上端緣係設置在該可垂直方向移動的防濺板之最上方位置，而抵住該環形夾具的後緣。
TW100118167A 2010-05-25 2011-05-24 具有流體分離特性之封閉腔室 TWI446474B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/787,196 US8485204B2 (en) 2010-05-25 2010-05-25 Closed chamber with fluid separation feature

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201203428A TW201203428A (en) 2012-01-16
TWI446474B true TWI446474B (zh) 2014-07-21

Family

ID=45004483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100118167A TWI446474B (zh) 2010-05-25 2011-05-24 具有流體分離特性之封閉腔室

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8485204B2 (zh)
JP (1) JP5683691B2 (zh)
KR (1) KR101797258B1 (zh)
CN (1) CN102893372B (zh)
SG (1) SG185363A1 (zh)
TW (1) TWI446474B (zh)
WO (1) WO2011148281A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP6001896B2 (ja) * 2012-03-27 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP6101023B2 (ja) * 2012-08-30 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101501362B1 (ko) * 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6016514B2 (ja) * 2012-08-09 2016-10-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6016533B2 (ja) * 2012-08-30 2016-10-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
KR102091291B1 (ko) 2013-02-14 2020-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20140283994A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
WO2014210257A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 Beijing Sevenstar Electronics Co. Ltd. Vertical no-spin process chamber
US9768041B2 (en) * 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10037869B2 (en) * 2013-08-13 2018-07-31 Lam Research Corporation Plasma processing devices having multi-port valve assemblies
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
KR102677530B1 (ko) * 2015-10-09 2024-06-20 램 리써치 코포레이션 멀티-포트 밸브 어셈블리들을 가진 플라즈마 프로세싱 디바이스들
US9911630B2 (en) * 2015-10-30 2018-03-06 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9887122B2 (en) * 2016-05-06 2018-02-06 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US9964863B1 (en) * 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
CN108573908B (zh) * 2017-03-10 2020-09-08 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体基片处理微腔室机械支撑装置
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
TWI808967B (zh) * 2017-04-25 2023-07-21 美商維克儀器公司 於半導體晶圓處理循環中分離多種液體之收集室設備
CN109119366B (zh) * 2018-09-07 2023-10-13 无锡华瑛微电子技术有限公司 一种半导体处理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
DE59407361D1 (de) 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
US6485531B1 (en) 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
US6261635B1 (en) 1999-08-27 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4054248B2 (ja) * 2002-11-18 2008-02-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20070169792A1 (en) 2005-12-16 2007-07-26 Herman Itzkowitz Apparatus and method of chemical separation
WO2007101764A1 (en) 2006-03-08 2007-09-13 Sez Ag Device for fluid treating plate-like articles
KR100816740B1 (ko) 2006-08-30 2008-03-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100912701B1 (ko) 2007-10-22 2009-08-19 세메스 주식회사 웨이퍼 스핀 척과 스핀 척을 구비한 에칭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011148281A2 (en) 2011-12-01
JP2013529388A (ja) 2013-07-18
CN102893372B (zh) 2016-05-11
SG185363A1 (en) 2012-12-28
KR20130069644A (ko) 2013-06-26
CN102893372A (zh) 2013-01-23
KR101797258B1 (ko) 2017-11-13
US8485204B2 (en) 2013-07-16
US20110290283A1 (en) 2011-12-01
JP5683691B2 (ja) 2015-03-11
TW201203428A (en) 2012-01-16
WO2011148281A3 (en) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI446474B (zh) 具有流體分離特性之封閉腔室
KR101986395B1 (ko) 웨이퍼―형상 물체의 표면을 처리하기 위한 장치
TWI590320B (zh) 用以處理晶圓狀物體之裝置及方法
JP6067002B2 (ja) ウェハ状物品の表面を処理するための装置
CN104538345A (zh) 一种盘状物夹持旋转装置
KR20140110970A (ko) 웨이퍼-형상 물체의 표면을 처리하는 장치
KR101989204B1 (ko) 웨이퍼 형상 물체를 프로세싱하는 디바이스 및 방법
CN104752281B (zh) 用于处理晶片状物品的表面的装置
US8541309B2 (en) Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
JP2010226043A (ja) 基板処理装置
KR20090000808U (ko) 진공척
TWI654033B (zh) 晶圓狀物件之表面的處理設備及使用於其中的液體收集器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees