TWI443191B - Lead-free solder flux removal detergent composition and lead-free solder flux removal method - Google Patents
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Description
本發明係關於一種無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物及無鉛焊料助熔劑之除去方法。
一般而言，欲將電子零件進行表面安裝在印刷電路板時將會進行焊接。然而，焊接後將會產生腐蝕性之助熔劑殘渣，這將使印刷電路基板之品質降低。因此，必須將該殘渣洗淨去除。
助熔劑殘渣用之洗淨劑有許多種類，就引火危險性及對環境影響等較小且助熔劑殘渣溶解力優異者而言，已知有下述洗淨劑，即，於聚氧伸烷基二醇醚系化合物所構成之非鹵素系有機溶劑中添加聚氧伸烷基磷酸酯系界面活性劑而成者(如專利文獻1及2)。
然而，該洗淨劑在被洗淨物為具有複雜、微細結構之安裝基板等時，無法獲得充分之洗淨效果。例如，即使欲洗淨係以多數微細之焊料塊將晶片接合於電路之類型(如FC安裝或BGA安裝等)的印刷電路基板，亦無法充分去除已附著在微米等級之狹小部分及間隙的助熔劑殘渣。
至於可解決該問題之洗淨劑，舉例來說，已有一種洗淨劑被揭示，其含有聚氧伸烷基烷基醚系之非鹵素系有機溶劑與特定分子量之胺系化合物，且被調製成25℃之黏度
在特定範圍內(專利文獻3)。
但是，該洗淨劑在被洗淨物為使用無鉛焊料實施表面安裝者時，無法充分去除已附著在狹小部分及間隙之助熔劑殘渣。此外，也有於洗淨步驟中被暫時去除之污垢將會於水清洗步驟時再次污染被洗淨物，而容易變成白色殘渣的問題。
另外，舉例來說，被洗淨物為如安裝基板般之片狀物品時，從洗淨步驟及水清洗步驟之效率觀點來看，一般來說，無論是洗淨劑或清洗液(通常為水)均多採噴霧態樣。
但，舉例來說，若以專利文獻1及2之洗淨劑洗淨後再吹噴水，被洗淨物之表面會產生多量泡沫，而有水清洗步驟之管理變得繁雜的問題。此點雖說可考慮使用消泡劑，但有時會因此發生洗淨不良。
【專利文獻1】日本特開平4－57899號公報【專利文獻2】日本特開平8－73893號公報【專利文獻3】日本特開平10－168488號公報
發明之揭示
本發明之課題在於提供一種新穎之洗淨劑組成物，其不僅引火危險性及對環境之影響較小(以下稱為安全性等)，對附著在業經無鉛焊料焊接之被洗淨物的狹小部分及間隙之助熔劑殘渣具有優異溶解力(以下有時稱為間隙洗淨性)，且不易於水清洗步驟中發生被洗淨物之再度污染(以
下有時稱為防污染性)。
此外，本發明以更提供一種新穎之洗淨劑組成物為課題，其不僅安全性等、間隙洗淨性及防污染性優異，於噴霧態樣之水清洗步驟時較少發生泡沫(以下有時稱為低發泡性)。
本案發明人認為，該助熔劑殘渣中存有多量源自無鉛焊料之錫、錫離子及該等之化合物等，因而產生前述問題。經精心研討之結果，發現由下述特定組成構成之洗淨劑可解決前述課題。意即，本發明係關於下述之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物及無鉛焊料助熔劑之去除方法。
1.一種無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，含有：由下述通式(1－1)所示化合物及/或通式(1－2)所示化合物構成之非鹵素系有機溶劑(A)；下述通式(2)所示胺系化合物(B)；不含胺基之螯合劑(C)；及，視需要而定之水；
式(1－1)中，R1
為碳數1~6之烷基，R2
為甲基或氫原子，X1
為碳數1~5之烷基或氫原子，a為2~4之整數；
式(1－2)中，R3
為碳數1~6之烷基，R4
為甲基或氫原子，X2
為碳數1~5之烷基或氫原子，b為2~4之整數；
式(2)中，R5
為碳數1~7之烷基，Y為碳數1~5之烷基或氫原子，c為1~15之整數，d為0~15之整數。
2.如1.之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該非鹵素系有機溶劑(A)係以5/1~1/5之重量比含有通式(1－1)之化合物與通式(1－2)之化合物。
3.如1.或2.之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該胺系化合物(B)為N－烷基二烷醇胺類。
4.如3.之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該N－烷基二烷醇胺類係選自於由N－甲基二乙醇胺、N－乙基二乙醇胺、N－丁基二乙醇胺及N－丙基二乙醇胺所構成群組中之至少1種。
5.如1.至4.中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該不含胺基之螯合劑(C)係脂肪族羥基羧酸系螯合劑及/或(聚)磷酸系螯合劑。
6.如5.之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該脂肪族羥基羧酸系螯合劑係選自檸檬酸、異檸檬酸及蘋果酸所構成群組中之至少1種。
7.如5.之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中前記(聚)磷酸系螯合劑係選自原磷酸、焦磷酸及三磷酸所構成
群組中之至少1種。
8.如1.~7.中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中相對於該非鹵素系有機溶劑(A)100重量份，含有該胺系化合物(B)0.01~30重量份、該不含胺基之螯合劑(C)0.01~10重量份及水0~10重量份。
9.如1.~8.中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其含有水5重量%時，B型黏度計之測定值為1~10mPa．s/(20℃，60rpm，輥子No.1)。
10.如1.~9.中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其未含有聚氧伸烷基磷酸酯系界面活性劑。
11.一種無鉛焊料助熔劑之去除方法，係使如1~10.中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物與無鉛焊料助熔劑接觸者。
12.一種無鉛焊料助熔劑之去除方法，係將如1~10中任一之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物吹噴噴霧至無鉛焊料助熔劑以獲得洗淨物後，再將水吹噴噴霧至該洗淨物者。
本發明之洗淨劑組成物不僅安全性等優異，對於附著在業經無鉛焊料焊接之被洗淨物的狹小部分及間隙之助熔劑殘渣亦具有優異溶解力。
因此，舉例來說，該洗淨劑組成物特別適合洗淨具有複雜、微細結構之印刷電路基板，如利用無鉛焊料之FC安裝及BGA安裝等。
此外，依據本發明之洗淨劑組成物，不易於水清洗步驟時因洗淨步驟所暫時除去之污垢而發生被洗淨物之再次污染。
此外，本發明之洗淨劑組成物在不含聚氧伸烷基磷酸酯系界面活性劑時，不僅具有優異之間隙洗淨性及防污染性，於採噴霧態樣進行水清洗步驟時亦少發生泡沫，因此具有水清洗步驟之管理變得容易等之優點。
具體而言，本發明洗淨劑組成物之洗淨對象「無鉛焊料助熔劑」係指含有源自無鉛焊料之錫的助熔劑殘渣，舉例來說，包含：(一)以由粉狀無鉛焊料與助熔劑組成物構成之糊進行焊接後產生的助熔劑殘渣；及(二)經由助熔劑組成物焊接無鉛焊料所形成之電極後產生之助熔劑殘渣。
此外，舉例來說，「無鉛焊料」可列舉如：Sn－Ag系焊料、Sn－Cu系焊料、Sn－Ag－Cu系焊料、Sn－Zn系焊料、Sn－Sb系焊料等。
此外，具體來說，「助熔劑組成物」可列舉如以樹脂酸類(天然松香、聚合松香、α，β不飽和羧酸改質松香等)及合成樹脂類(丙烯酸樹脂、聚醯胺樹脂等)等之基底樹脂、活性劑(己二酸等之有機酸、二乙胺溴化氫銀等之鹵素系化合物等)、搖變減黏劑(硬化蓖麻油、羥基硬脂酸伸乙基雙醯胺等)、溶劑(二乙二醇單己醚、二乙二醇單丁醚等)作為主成分之組成物。
<無鉛焊料助熔劑除去用洗淨劑組成物>
本發明之洗淨劑組成物特徵在於含有：下述通式(1－1)所示化合物及/或通式(1－2)所示化合物所構成之非鹵素系有機溶劑(A)(以下稱為(A)成分)、下述通式(2)所示胺系化合物(B)(以下稱為(B)成分)、不含胺基之螯合劑(C)(以下稱為(C)成分)以及視需要而定之水。
該(A)成分之中，所謂通式(1－1)所示化合物係指下述者。
式(1－1)中，R1
為碳數1~6之烷基，R2
為甲基或氫原子，X1
為碳數1~5之烷基或氫原子，a為2~4之整數。
該化合物可不受限地使用各種習知物。具體來說，可列舉如：二乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇二***、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇甲基丙基醚、二乙二醇乙基丙基醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二丁醚、二乙二醇甲基丁基醚、二乙二醇乙基丁基醚、二乙二醇丙基丁基醚、二乙二醇單戊醚、二乙二醇二戊醚、二乙二醇甲基戊基醚、二乙二醇乙基戊基醚、二乙二醇丙基戊基醚、二乙二醇丁基戊基醚、二乙二醇單己醚等之二乙二醇醚類；與該等對應之三－或四乙二醇醚類；及該等伸烷基二醇醚類
中令R2
為甲基之二醇醚類等。該等可單獨使用1種或組合2種以上來使用。於該等之中，從安全性等及間隙洗淨性之觀點來看，以二乙二醇單丁醚、二乙二醇二丁醚及二乙二醇單己醚尤佳。
此外，該(A)成分之中，通式(1－2)所示化合物係指下述者。
式(1－2)中，R3
為碳數1~6之烷基，R4
為甲基或氫原子，X2
為碳數1~5之烷基或氫原子，b為2~4之整數。
該化合物可不特別受限地使用各種習知物。具體舉例來說，該通式(1－1)之化合物可例示如通式(1－1)中相當於「R1
－O－」之部位取代為「R3
－COO－」者，且該等可單獨使用1種或組合2種以上來使用。於該等之中，以安全性等及間隙洗淨性之觀點來看，尤宜為二乙二醇單***乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯等。
此外，本發明之洗淨劑組成物中，若以5/1~1/5程度(宜2/1~1/5)之重量比使用該通式(1－1)之化合物與通式(1－2)之化合物做為(A)成分，則可於維持無鉛焊料助熔劑溶解力的同時使洗淨劑低黏度化，因而可提高間隙洗淨性。
此外，可依需要使本發明之洗淨劑組成物含有該(A)成分以外之非鹵素系有機溶劑。具體來說，可列舉如含氮化
合物系溶劑(1，3－二甲基－2－咪唑啶酮、1，3－二乙基－2－咪唑啶酮、1，3－二丙基－2－咪唑啶酮、N－甲基－2－吡咯酮等)、烴系溶劑(己烷、庚烷、辛烷等)、醇系溶劑(甲醇、乙醇、苄基醇等)、酮系溶劑(丙酮、甲基乙基酮等)、醚系溶劑(二乙基醚、四氫呋喃、二醇醚類等)、酯系溶劑(乙酸乙酯、乙酸甲酯等)等，該等可單獨使用1種，或是組合2種以上來使用。
前述(B)成分係以下述通式(2)表示。
式(2)中，R5
為碳數1~7之烷基，Y為碳數1~5之烷基或氫原子，c為1~15之整數，d為0~15之整數。
該(B)成分可無特殊限制地使用各種習知物。具體舉例來說，可列舉如N－烷基二烷醇胺類(N－甲基二乙醇胺、N－乙基二乙醇胺、N－丁基二乙醇胺、N－丙基二乙醇胺等)；式(2)中之R5
為烷基之第1級脂肪族胺(辛基胺、癸基胺、十二基胺、十四基胺、十六基胺、2－乙基己基胺等)及以前述c做為反覆單位且與環氧乙烷之反應物等，該等可單獨使用1種或是組合2種以上來使用。該等之中，以安全性等(特別是防污染性)及低發泡性之觀點來看，宜為前述N－烷基二烷醇胺類，尤宜選自於由N－甲基二乙醇胺、N－乙基二乙醇胺、N－丁基二乙醇胺及N－丙基二乙醇胺所構成群組中之至少1種。
前述(C)成分僅需為分子內不具有胺基之螯合劑即可，可不受限地使用各種習知物。特別是從間隙洗淨性及防污染性之觀點來看，以脂肪族羥基羧酸系螯合劑及/或(聚)磷酸系螯合劑。
具體來說，該脂肪族羥基羧酸系螯合劑可列舉如：以碳原子數2~5程度之直鏈狀烷基作為基本骨架，且其上結合有2~3個程度之羧基及1~3個程度之羥基的羥基羧酸類。可具體例示如：檸檬酸、異檸檬酸、蘋果酸、酒石酸及該等之鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽及烷醇胺鹽等，以下同理。)等。該等之中，從間隙洗淨性及(特別是)防污染性之觀點來看，宜選自於由檸檬酸、異檸檬酸及蘋果酸所構成群組中之至少1種，且尤宜為檸檬酸。
此外，從間隙洗淨性及(特別是)防污染性之觀點來看，(聚)磷酸系螯合劑宜選自於由原磷酸、焦磷酸及三磷酸所構成群組中之至少1種，且尤宜為焦磷酸。
此外，若使用分子內具有胺基之螯合劑來取代(C)成分，則於水清洗步驟時容易發生被洗淨物之再污染。而此種螯合劑可列舉如伸乙基二胺四乙酸及2－羥乙基亞胺基二乙酸等。
水可列舉如純水、離子交換水及純化水等。
此外，在不損及本發明所期望之效果的程度下，可使本發明之洗淨劑組成物含有各種習知添加劑，如非離子性界面活性劑(相當於前述(A)成分及(B)成分者除外)、陰離子性界面活性劑及陽離子性界面活性劑等之各種界面活性劑
或消泡劑、防鏽劑、抗氧化劑等。
舉例來說，該非離子性界面活性劑可列舉如：通式(3)：R6
－O－(CH2
－CH2
－O)e
－H(式中，R6
為碳數8~20之烷基，e為0~20之整數)所示化合物、脂肪酸醯胺之環氧乙烷附加物、山梨糖醇脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、脂肪酸烷醇醯胺以及該等所對應之聚環氧丙烯系界面活性劑等，且該等可單獨使用1種或組合2種以上來使用。
此外，該陰離子性界面活性劑可具體列舉如硫酸酯系陰離子性界面活性劑(高級醇之硫酸酯鹽、烷基硫酸酯鹽、聚環氧乙烯烷基硫酸酯鹽等)、磺酸鹽系陰離子性界面活性劑(烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽等)等，且該等可單獨使用1種或組合2種以上來使用。
此外，該陽離子性界面活性劑可具體列舉如烷基化銨鹽及4級銨鹽等，該等可單獨使用1種或是組合2種以上來使用。
此外，兩性界面活性劑可列舉如胺基酸型、甜菜鹼型兩性界面活性劑，該等可單獨使用1種，或是組合2種以上來使用。
本發明之洗淨劑組成物中，各成分之含量並未特別受限，但慮及本發明所期望之效果，通常相對於(A)成分100重量份，(B)成分為0.01~30重量份程度(宜0.1~5重量份)，(C)成分為0.01~10重量份程度(宜0.02~1重量份)，水為0~10重量份程度(宜1~8重量份)。此外，前述添加劑之含量通常不足5重量份程度。
再者，本發明洗淨劑組成物之黏度並未特別受限，但慮及間隙洗淨性，含水5重量%時之B型黏度計測定值宜為1~10mPa．s(20℃，60rpm，輥子No.1)程度。於此，mPa．s(20℃，60rpm，輥子No.1)係指，於輥子使用輥子No.1、洗淨劑組成物之液溫為20℃、且輥子轉數為60rpm等條件下，使用B型黏度計測得之黏度。另，測定該黏度時之該洗淨劑組成物之pH通常為2~10程度。
<無鉛焊料助熔劑之去除方法>
使本發明之洗淨劑組成物接觸無鉛焊料助熔劑，藉此可去除附著在被洗淨物之無鉛焊料助熔劑。
本發明之洗淨劑組成物的利用態樣並未特別受限，可採用各種習知方法。具體來說，可列舉如：使用噴霧裝置使該洗淨劑吹噴噴霧至附著有無鉛焊料助熔劑之被洗淨物上的方法(參照日本特開2007－096127號公報)、將該被洗淨物浸漬於該洗淨劑組成物並進行超音波洗淨之方法、使用直通式洗淨裝置(登錄商標「Direct－pass」，荒川化學工業(株)製，日本特許第2621800號等)之方法等。
使用本發明之洗淨劑組成物去除無鉛焊料助熔劑後，宜以水清洗所得之洗淨物。本發明之去除方法尤宜為：使前述洗淨劑組成物噴霧吹噴至無鉛焊料助熔劑以獲得洗淨物後，再將水噴霧吹噴至該洗淨物之方法。
此外，該清洗處理亦可反覆進行多次。舉例來說，先對該洗淨物進行預清洗處理後，再進行最終清洗處理，藉此可有效去除附著於洗淨物表面之洗淨劑組成物。
就預清洗處理而言，僅需以利用純水等之習知預清洗處理方法為準來進行即可。
最終清洗處理僅需依習知方法進行即可。舉例來說，可列舉如：對預清洗處理物使用純水等進行處理之方法。
亦可於預清洗處理後及/或最終清洗處理後，依需要進行乾燥處理。
此外，清洗步驟係以將水噴霧吹噴至該被洗淨物之態樣進行時，從低發泡性之觀點來看，本發明之洗淨劑宜不含前述之各種界面活性劑。
特別是，陰離子性界面活性劑以不含聚氧烷烯磷酸酯系界面活性劑者為佳。該聚氧烷烯磷酸酯系界面活性劑可列舉如：通式(4)：R7
－O－(CH2
－CH2
－O)f
－P(＝O)(－Z)－OH(式中，R7
為碳數5~20之烷基，f為0~20之整數，Z為聚氧烷烯醚基或羥基)所示化合物及其鹽。
茲列舉實施例及比較例如下，俾更詳盡地說明本發明，但本發明並不侷限於該等例示。
(洗淨劑組成物之調製)
混合下述表1所示各成分(重量%基準)，調製出實施例1~16及比較例1~5之洗淨劑組成物。
表1中，各記號如下述。
BDG：二乙二醇單丁醚HeDG：二乙二醇單己醚EDGA：二乙二醇單***乙酸酯MBD：N－丁基二乙醇胺CA：檸檬酸MA：蘋果酸PA：焦磷酸EDTA：伸乙基二胺四乙酸212C：聚環氧乙烯烷基醚磷酸單酯(商品名「普萊瑟夫A212C」，第一工業製藥(株)製)
208B：聚環氧乙烯烷基醚磷酸單酯(商品名「普萊瑟夫A208B」，第一工業製藥(株)製)Vis：以B型黏度計(商品名「B8M」，(株)德齊美克製；輥子No.1)於20℃及60rpm下之測定值
[無鉛焊料助熔劑之調製]
市售之無鉛焊料糊(商品名「TASLF－219」，荒川化學工業(株)製；無鉛焊料粉之組成：Sn佔96.5%，Ag佔3.0%，Cu佔0.5%)裝入玻璃瓶，於270℃之熱板上加熱，使無鉛焊料粉熔融。之後，結果物分離為熔融合體並沉澱之焊料合金與助熔劑成分。該助熔劑成分為無鉛焊料焊接後產生之助熔劑殘渣的樣本(model)，以下將其作為無鉛焊料助熔劑使用。
取該無鉛焊料助熔劑成分之一部分，使用波長分散型螢光X射線分析裝置(商品名「ZSX100e」，理學電機工業(株)製)測定錫濃度。結果，測出5重量%之錫。
[製作洗淨實驗用樣本室(model cell)]
於基台之玻璃板(長0.6cm×寬3cm×厚1mm)上，以0.3cm之間隔，一併放置2片作為間隔件之小玻璃板(長0.6cm×寬1cm×厚350μm)，將該無鉛焊料助熔劑供給該等小玻璃板間之凹部。
接著，覆蓋相同大小之玻璃板，並去除被擠出之助熔劑，製作於狹小空間(開口面積：0.3cm×350μm，深度：0.6cm)充填有前述無鉛焊料助熔劑之洗淨實驗用樣本室。
對製出之洗淨實驗用樣本室實施下述試驗1~3。
[試驗1：評估間隙洗淨性]
將前述樣本室浸漬於實施例1所得洗淨劑組成物(液溫70℃)中，攪拌10分後取出，再算出兩開口部位中助熔劑已溶解之部分的合計面積(以下稱為溶解面積)(mm2
)。此外，亦就實施例2~16及比較例1~5之洗淨劑組成物實施同樣之試驗。
該溶解面積越大，意味著被洗淨物狹小部分之助熔劑殘渣溶解力越佳。
[試驗2：評估防污染性]
使前述無鉛焊料助熔劑分散於實施例1之洗淨劑組成物(相對於洗淨劑為1重量%)，製成試驗液(污染液)。接著，將其攪拌分散於離子交換水(清洗液)中，使其濃度依序為1重量%、3重量%、5重量%，再以下述基準目視評估各階段中分散液有無混濁。此外，亦就實施例2~16及比較例1~5之洗淨劑組成物實施同樣之試驗。
混濁之發生將成為清洗步驟中被洗淨物之再污染指標。茲將結果示於表2。
A：分散液為透明。
B：分散液呈若干白濁。
C：分散液相當白濁。
[試驗3：評估低發泡性]
於實施例1之洗淨劑組成物中加入離子交換水，稀釋至洗淨劑含量呈1重量%，將5cc所得稀釋液裝入玻璃製試管(φ15mm×150mm)中並密栓。接著，將該試管振盪10次，測
定放置10秒後之起泡高度(cm)。此外，亦就實施例2~16及比較例1~5之洗淨劑組成物實施相同之試驗。
起泡高度之值越大，表示於水清洗步驟(噴霧態樣)中越容易發生泡沫。茲將結果示於表2。
[已焊接基板(被洗淨物)之製作]
準備具有3×3個電極區且呈邊長10cm正方形之玻璃環氧基板。前述電極區係直徑100μm之平面電極以25個×25個配列成正方形狀而成者。
接著，使用金屬刮刀將前述市售無鉛焊料糊以網版印刷(刮刀速度：20mm/秒，離版速度：0.1mm/秒)於位在各電極區四邊上之平面電極上。接著，於各電極區上搭載邊長5mm正方形之IC晶片(電極數25×25)(共9個)。其次，將搭載有IC晶片之焊接用基板以氮回流爐(預熱：150~160℃)加熱90秒，進行焊接而獲得已焊接基板。該已焊接基板中，IC晶片與玻璃環氧基板之間隙為50μm。
茲將所得已焊接基板之模式圖示於第1圖中。
使用設有噴霧式洗淨裝置及儲液槽之洗淨台(登錄商標「Tornado－jet」，荒川化學工業(株)製，第2圖)進行已焊接基板之洗淨。
首先，將前述已焊接基板安裝於洗淨裝置1內相當於W之部分，而使所搭載之IC晶片位在上側。接著，使實施例1之洗淨劑組成物(液溫70℃)從朝該已焊接基板之面方向旋轉的噴射嘴(吹噴裝置3)作扇狀噴射(3kg/cm2
，2分鐘)至搭載有該已焊接基板之IC晶片的面上而進行洗淨。
[預清洗處理]
將洗淨後之已焊接基板安裝在鄰接該洗淨台之預清洗台(與第2圖同結構)中相當於預清洗裝置1內之W的位置，而使所搭載之IC晶片位於上側。接著，使清洗液(液溫25℃)從朝該已焊接基板之面方向旋轉的噴射噴嘴(吹噴裝置3)作扇狀噴射(1kg/cm2
，2分鐘)於搭載有該已焊接基板之IC晶片的面上，以進行預清洗處理。另，該清洗液係使用令前述洗淨劑組成物溶解於純水而成之水溶液(該水溶液中之該
組成物含量：3重量%)。因清洗裝置呈封閉回路(參照第2圖)時將會循環使用液體，為了再現其狀況(污染狀況)而使前述洗淨劑組成物溶解於純水中。
[試驗4：評估低發泡性]
從預清洗處理後儲液槽R(儲液槽口面積2205cm2
)之液面(使用完畢之清洗液液面)所發生的泡沫高度，依下述基準以目視評估清洗性。此外，從該液面至儲液槽口之高度為10cm。
A：液面幾乎不發生泡沫。
B：液面至槽口間發生一半高度左右的泡沫。
C：泡沫從槽口溢出。
[最終清洗處理]
將預清洗處理後之已焊接基板安裝於鄰接該預清洗台之最終清洗台(與第2圖同結構)中相當於最終清洗裝置1內之W的部分。接著，對於預清洗處理後之已焊接基板，使純水(液溫25℃)從朝向該已焊接基板之面方向旋轉的噴射嘴(吹噴裝置3)作扇狀噴射(3kg/cm2
)於已搭載有該已焊接基板之IC晶片的面上，以進行最終清洗處理。
亦針對使用實施例2~16及比較例1~5之洗淨劑組成物的情況，藉由與前述相同之方法實施已焊接基板之洗淨、預清洗處理及最終清洗處理。
[試驗5：評估基板洗淨性]
從最終清洗處理後業經乾燥之已焊接基板上剝除所有的IC晶片，計數可目視確認助熔劑殘渣之電極區個數。數
量越多意味著洗淨性越差。
A：任一電極區均觀察不到助熔劑殘渣。
B：可確認助熔劑殘渣之電極區有1~2處。
C：可確認助熔劑殘渣之電極區有3~4處。
D：可確認助熔劑殘渣之電極區達5處以上。
1‧‧‧洗淨裝置、預清洗裝置或最終清洗裝置
2‧‧‧支持部
3‧‧‧吹噴裝置
4‧‧‧給液裝置
6‧‧‧承液部
7‧‧‧蓋部
C2、C4‧‧‧調節閥
D2、D4‧‧‧自動閥
E2、E4‧‧‧壓力計
F2、F4‧‧‧流量計
G4‧‧‧逆止閥
H5‧‧‧粗濾器
K1、K2、K3、K4、K5‧‧‧管
P‧‧‧泵
R‧‧‧儲液槽
S‧‧‧洗淨台
W‧‧‧基板
第1圖顯示於[實施例]所製作之已焊接基板的模式圖。
第2圖顯示[實施例]所利用之洗淨台、預清洗台及最終清洗台之概略圖。
Claims (12)
- 一種無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，含有：由下述通式(1-1)所示化合物及/或通式(1-2)所示化合物構成之非鹵素系有機溶劑(A)；下述通式(2)所示胺系化合物(B)；不含胺基之螯合劑(C)；及，視需要而定之水；
- 如申請專利範圍第1項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該非鹵素系有機溶劑(A)係以5/1~1/5之重量比含有通式(1-1)之化合物與通式(1-2)之化合物。
- 如申請專利範圍第1或2項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該胺系化合物(B)為N-烷基二烷醇胺類。
- 如申請專利範圍第3項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該N-烷基二烷醇胺類係選自於由N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-丁基二乙醇胺及N-丙基二乙醇胺所構成群組中之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該不含胺基之螯合劑(C)係脂肪族羥基羧酸系螯合劑及/或(聚)磷酸系螯合劑。
- 如申請專利範圍第5項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中該脂肪族羥基羧酸系螯合劑係選自檸檬酸、異檸檬酸及蘋果酸所構成群組中之至少1種。
- 如申請專利範圍第5項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中前記(聚)磷酸系螯合劑係選自原磷酸、焦磷酸及三磷酸所構成群組中之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其中相對於該非鹵素系有機溶劑(A)100重量份，含有該胺系化合物(B)0.01~30重量份、該不含胺基之螯合劑(C)0.01~10重量份及水0~10重量份。
- 如申請專利範圍第1項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物，其含有水5重量%時，B型黏度計之測定值為1~10mPa‧s/(20℃，60rpm，輥子No.1)。
- 如申請專利範圍第1項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑 組成物，其未含有聚氧伸烷基磷酸酯系界面活性劑。
- 一種無鉛焊料助熔劑之去除方法，係使如申請專利範圍第1~10項中任一項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物與無鉛焊料助熔劑接觸者。
- 一種無鉛焊料助熔劑之去除方法，係將如申請專利範圍第1~10項中任一項之無鉛焊料助熔劑去除用洗淨劑組成物吹噴噴霧至無鉛焊料助熔劑以獲得洗淨物後，再將水吹噴噴霧至該洗淨物者。
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Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8372792B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-02-12 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Cleaner composition for removing lead-free soldering flux, and method for removing lead-free soldering flux |
| JP5556658B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2014-07-23 | 荒川化学工業株式会社 | 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム |
| US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
| KR101729612B1 (ko) * | 2009-09-03 | 2017-05-11 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 수용성 플럭스 제거용 세정제, 제거 방법 및 세정 방법 |
| JP5514657B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-06-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| CN102051286B (zh) * | 2011-01-18 | 2012-09-12 | 广州瀚源电子科技有限公司 | 一种松香型焊锡膏用水基清洗剂 |
| US8940099B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-01-27 | Illinois Tool Works Inc. | Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven |
| US9170051B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-10-27 | Illinois Tool Works Inc. | Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| JP6158060B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-07-05 | 花王株式会社 | 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| JP6202678B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2017-09-27 | 花王株式会社 | 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| JP6226144B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-11-08 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物原液、洗浄剤組成物および洗浄方法 |
| JP6928026B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2021-09-01 | エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド | 錠剤コーティングを除去するために有用な組成物及び方法 |
| EP3132015B1 (en) * | 2014-04-16 | 2019-11-06 | Ecolab USA Inc. | Compositions and methods useful for removing tablet coatings |
| JP6345512B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-06-20 | 花王株式会社 | 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| US9902006B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-02-27 | Raytheon Company | Apparatus for cleaning an electronic circuit board |
| JP6951059B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2021-10-20 | 花王株式会社 | スクリーン版用洗浄剤組成物 |
| CN108929808B (zh) * | 2017-05-26 | 2020-11-27 | 荒川化学工业株式会社 | 无铅软钎料焊剂用清洗剂组合物、无铅软钎料焊剂的清洗方法 |
| KR20210099006A (ko) * | 2018-12-05 | 2021-08-11 | 카오카부시키가이샤 | 플럭스 잔사의 세정 |
| WO2020116524A1 (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 花王株式会社 | フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| CN111073765A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-28 | 长沙凯泽工程设计有限公司 | 一种电子线路板清洁清洗剂的制备方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290982A (ja) | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nippon Hyomen Kagaku Kk | 錫基本金属被膜の剥離液 |
| JPH0457900A (ja) | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ロジン系ハンダフラックスの先浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法 |
| JPH0457899A (ja) | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法 |
| JP3200876B2 (ja) | 1991-07-12 | 2001-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP3006177B2 (ja) | 1991-07-12 | 2000-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | ワーク洗浄装置 |
| JP3298294B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2002-07-02 | 荒川化学工業株式会社 | 微細孔構造を有する電子材料の洗浄処理方法 |
| JP2813862B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1998-10-22 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP2949425B2 (ja) | 1996-10-11 | 1999-09-13 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US7579308B2 (en) * | 1998-07-06 | 2009-08-25 | Ekc/Dupont Electronics Technologies | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| JP4025953B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2007-12-26 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US7543592B2 (en) * | 2001-12-04 | 2009-06-09 | Ekc Technology, Inc. | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| DE10160993A1 (de) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Basf Ag | Stickstoffhaltige Polymere umfassende Reinigungsmittelzusammensetzungen |
| JP4443864B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| JP4161850B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2008-10-08 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 感光性組成物、感光性平版印刷版、及びその画像形成方法 |
| JP4737361B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-07-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 絶縁膜およびその形成方法 |
| US20060089281A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-04-27 | Gibson Gregory L | Methods and compositions for paint removal |
| JP4855667B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2012-01-18 | ハリマ化成株式会社 | 樹脂マスク層の除去方法およびはんだバンプ付き基板の製造方法 |
| US20060094613A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Lee Wai M | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| CN101233456B (zh) * | 2005-06-07 | 2013-01-02 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
| KR101362301B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2014-02-12 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물, 무연 땜납 플럭스제거용 세척제 및 무연 땜납 플럭스의 제거방법 |
| US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
| US8372792B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-02-12 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Cleaner composition for removing lead-free soldering flux, and method for removing lead-free soldering flux |
| WO2009058274A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use |
| TW200940706A (en) * | 2007-10-29 | 2009-10-01 | Ekc Technology Inc | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions |
| US20090133716A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-28 | Wai Mun Lee | Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions |
| US20090137191A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-28 | Wai Mun Lee | Copper cmp polishing pad cleaning composition comprising of amidoxime compounds |
| JP2011503899A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-01-27 | イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド | 半導体基板から金属ハードマスクエッチング残留物を除去するための組成物 |
| JP5496463B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 記録液、インクセット、画像記録方法、画像記録装置および記録物 |
| JP5556658B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2014-07-23 | 荒川化学工業株式会社 | 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム |
| US20100105595A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Wai Mun Lee | Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds |
| US8361237B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics |
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