TWI442362B - 畫素結構及具有此種畫素結構之顯示面板 - Google Patents

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Description

畫素結構及具有此種畫素結構之顯示面板
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種液晶顯示面板之畫素結構。
一般而言，液晶顯示面板主要是由一主動元件陣列基板、一對向基板以及一夾於主動元件陣列基板與對向基板之間的液晶層所構成，其中主動元件陣列基板可分為顯示區(display region)與非顯示區(non-display region)，其中在顯示區上配置有以陣列排列之多個畫素單元，而每一畫素單元包括薄膜電晶體(TFT)以及與薄膜電晶體連接之畫素電極(pixel electrode)。此外，在顯示區內配置有多條掃描線(scan line)與資料線(data line)，每一個畫素單元之薄膜電晶體是與對應之掃描線與資料線電性連接。在非顯示區內則配置有訊號線、源極驅動器(source driver)以及閘極驅動器(gate driver)。
隨著液晶顯示面板的解析度提昇，液晶顯示器就必須藉由增加閘極驅動器與源極驅動器的使用數目來配合解析度之提昇，且因閘極驅動器與源極驅動器的使用數目增加會讓非顯示區(或稱為邊框)之面積變大。基於上述理由，液晶顯示器之生產成本便隨著閘極驅動器、源極驅動器之始用數量而增加，同時邊框也越來越大。若能將閘極驅動器及/或源極驅動器的使用數目減少，便可輕易地解決成本無法降低的問題以及做出窄邊框，即非顯示區面積較小之產品。
本發明提供一種畫素結構以及具有此種畫素結構的顯示面板，其可以解決因畫素電極與資料線之間的寄生電容過大而對畫素電極的電荷或訊號產生影響的問題。
本發明提出一種畫素結構，此畫素結構包括掃描線、資料線、第一絕緣層、第二絕緣層、電容電極線、第三絕緣層、主動元件、畫素電極。掃描線以及另一掃描線位於基板上。資料線設置於基板上且不平行於掃描線以及另一掃描線，其中一部分的資料線與掃描線以及另一掃描線位於同一膜層。第一絕緣層覆蓋第一掃描線、第二掃描線及所述部分的資料線，其中第一絕緣層具有第一凹陷，其位於所述部分的資料線的兩側。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層。電容電極線位於第二絕緣層上且覆蓋資料線，其中電容電極線更覆蓋第一絕緣層的第一凹陷。第三絕緣層位於電容電極線上。主動元件與資料線電性連接。畫素電極位於第三絕緣層上且與另一畫素之主動元件電性連接。
本發明另提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板以及顯示介質。第一基板具有多個畫素結構，且每一畫素結構如上所述。第二基板位於第一基板的對向。顯示介質位於第一基板與第二基板之間。
基於上述，由於畫素結構的第一絕緣層具有第一凹陷且第一凹陷位於部分的資料線的兩側，且電容電極線覆蓋第一絕緣層的第一凹陷。因此，電容電極線可以遮蔽資料線，以降低資料線與畫素電極之間的寄生電容。如此一來，便可以減少畫素電極與資料線之間的寄生電容過大而對畫素電極的電荷或訊號產生影響的問題。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
目前窄邊框形式之液晶顯示面板，有一種是於畫素上沿閘極線(Tracking Gate-line in Pixel,TGP)的佈線架構，其目的是減少閘極驅動器的使用數目，相關技術可參考中華民國專利申請案申請號第098100467號。但是，此種TGP架構有一個缺點是，當掃描訊號傳輸線在轉線處的掃描線訊號是開啟狀態(turn-on)時，畫素電極與資料線之間的寄生電容會過大，而對畫素電極的電荷或訊號產生影響，進而影響液晶顯示面板的顯示品質。
圖1是根據本發明一實施例之畫素結構的上視圖。圖2是圖1之畫素結構省略電容電極線的上視圖。圖3是圖1沿著剖面線A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意圖。請參照圖1、圖2以及圖3，本實施例之畫素結構包括第一掃描線SL1、第二掃描線SL2、資料線DL、第一絕緣層102、第二絕緣層104、電容電極線CL、第三絕緣層106、第一主動元件T1、第一畫素電極PE1、第二主動元件T2以及第二畫素電極PE2。
第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2位於基板100上。第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2兩者平行設置，且第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2是直接設置在基板100的表面上。基於導電性的考量，第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2一般是使用金屬材料。因此，第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2又可稱為第一金屬層。然，本發明不限於此，根據其他實施例，第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2也可以使用其他導電材料。
資料線DL設置於基板100上，且資料線DL不平行於第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2設置。特別是，資料線DL有一部分與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2位於同一膜層。根據本實施例，資料線DL包括至少一第一資料線段DL-1以及至少一第二資料線段DL-2。上述之第一資料線段DL-1與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2位於同一膜層，因此上述之第一資料線段DL-1亦屬於第一金屬層的一部分。特別是，第一資料線段DL-1不與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2電性接觸。也就是說，第一資料線段DL-1與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2是分離開來的。此外，上述之第二資料線段DL-2跨越第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2。換言之，第二資料線段DL-2與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2之間夾有一絕緣層(例如是第一絕緣層102)，以使第二資料線段DL-2與第一掃描線SL1及第二掃描線SL2電性絕緣。另外，根據本實施例，第一資料線段DL-1與第二資料線段DL-2之間是透過接觸窗C3而電性連接。換言之，接觸窗C3是位於第一資料線段DL-1以及第二資料線段DL-2之間的重疊區域的絕緣層(例如是第一絕緣層102)中，以電性連接第一資料線段DL-1以及第二資料線段DL-2。基於導電性的考量，資料線DL一般是使用金屬材料，且資料線DL的第二資料線段DL-2又可稱為第二金屬層。然，本發明不限於此，根據其他實施例，資料線DL也可以使用其他導電材料。
倘若本發明之畫素結構是應用於窄邊框形式的液晶顯示面板，則此畫素結構可更包括一掃描訊號傳輸線GP。掃描訊號傳輸線GP主要是用來將掃描線的延伸方向轉移成與資料線平行的方向，藉以減少閘極驅動器的使用數目。因此，掃描訊號傳輸線GP不平行於第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2設置，且掃描訊號傳輸線GP與第一掃描線SL1電性連接。根據本實施例，上述之掃描訊號傳輸線GP包括至少一第一掃描訊號傳輸線段GP1以及至少一第二掃描訊號傳輸線段GP2。第一掃描訊號傳輸線GP1與第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2位於同一膜層。因此上述之第一掃描訊號傳輸線GP1亦屬於第一金屬層的一部分。換言之，第一掃描訊號傳輸線GP1可以與第一掃描線SL1直接連接。此外，上述之第二掃描訊號傳輸線段GP2跨越第二掃描線SL2。換言之，上述之第二掃描訊號傳輸線段GP2與第二掃描線SL2之間夾有一絕緣層(例如是第一絕緣層102)，以使第二掃描訊號傳輸線段GP2與第二掃描線SL2電性絕緣。另外，根據本實施例，第一掃描訊號傳輸線GP1與第二掃描訊號傳輸線段GP2之間是透過接觸窗C4而電性連接。換言之，接觸窗C4是位於第一掃描訊號傳輸線GP1與第二掃描訊號傳輸線段GP2之間的重疊區域的絕緣層(例如是第一絕緣層102)中，以電性連接第一掃描訊號傳輸線GP1與第二掃描訊號傳輸線段GP2。基於導電性的考量，掃描訊號傳輸線GP一般是使用金屬材料，且掃描訊號傳輸線GP的第二掃描訊號傳輸線段GP2又可稱為第二金屬層。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描訊號傳輸線GP也可以使用其他導電材料。
第一主動元件T1與第二掃描線SL2以及資料線DL電性連接。在本實施例中，第一主動元件T1包括閘極G1、通道CH1、源極S1以及汲極D1。閘極G1與第二掃描線SL2電性連接。通道CH1位於閘極G1的上方。源極S1以及汲極D1位於通道CH1的上方，且源極S1與資料線DL電性連接。
第二主動元件T2與第一掃描線SL1以及第一主動元件T1電性連接。在本實施例中，第二主動元件T2包括閘極G2、通道CH2、源極S2以及汲極D2。閘極G2與第一掃描線SL1電性連接。通道CH2位於閘極G2的上方。源極S2以及汲極D2位於通道CH2的上方，且源極S2與第一主動元件T1的汲極D1電性連接。
上述之第一主動元件T1與第二主動元件T2是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之第一主動元件T1與第二主動元件T2是以頂部閘極型薄膜電晶體。
第一絕緣層102覆蓋第一掃描線SL1、第二掃描線SL及資料線DL的第一資料線段DL-1。特別是，第一絕緣層102具有第一凹陷R1，其位於資料線DL的第一資料線段DL-1的兩側(如圖3所示)。在本實施例中，第一絕緣層102中的之第一凹陷R1舉例是暴露出基板100的表面。此外，在第一絕緣層102中還包括接觸窗C3以及接觸窗C4。如上所述，接觸窗C3是位於第一資料線段DL-1以及第二資料線段DL-2之間的重疊區域，以電性連接第一資料線段DL-1以及第二資料線段DL-2。接觸窗C4是位於第一掃描訊號傳輸線GP1與第二掃描訊號傳輸線段GP2之間的重疊區域，以電性連接第一掃描訊號傳輸線GP1與第二掃描訊號傳輸線段GP2。由於第一絕緣層102在第一主動元件T1與第二主動元件T2中是覆蓋閘極G1、G2，因此第一絕緣層102又可稱為閘極絕緣層。
第二絕緣層104覆蓋第一絕緣層102。在本實施例中，第二絕緣層104順應地覆蓋在第一絕緣層102的表面上，因此第二絕緣層104在對應第一絕緣層102之第一凹陷R1的上方形成第二凹陷R2。此外，第二絕緣層104更覆蓋第一主動元件T1與第二主動元件T2、資料線DL的第二資料線段DL-2以及掃描訊號傳輸線GP的第二掃描訊號傳輸線段GP2，因此第二絕緣層104又可稱為保護層。
電容電極線CL位於第二絕緣層104上且覆蓋資料線DL。在本實施例中，電容電極線CL是設置在資料線DL上方的第二絕緣層104上以及部分第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2上方的第二絕緣層104上。本實施例之電容電極線CL的佈局方式除了可以作為儲存電容器的電極線之用之外，其還可以遮蔽液晶顯示面板中之掃描線以及資料線附近因液晶分子傾倒所造成的漏光。然，本發明不限電容電極線CL的佈局方式必須是如圖1所示的形式。根據其他實施例，電容電極線CL的佈局方式也可以是其他種形式。基於導電性的考量，電容電極線CL一般是使用金屬材料。因此，電容電極線CL又可稱為第三金屬層。然，本發明不限於此，根據其他實施例，電容電極線CL也可以使用其他導電材料。
特別是，電容電極線CL更覆蓋第一絕緣層102的第一凹陷R1(如圖3所示)。更詳細來說，電容電極線CL覆蓋第二絕緣層104以及其第二凹陷R2的表面，或者是說，部份的電容電極線CL位於第二凹陷R2內。在本實施例中，由於第一絕緣層102具有第一凹陷R1，且第二絕緣層104在對應第一絕緣層102之第一凹陷R1的上方還具有第二凹陷R2，因此位於第二絕緣層104上之電容電極線CL會填入第二凹陷R2，以使資料線DL的第一資料線段DL-1幾乎被電容電極線CL包覆或遮蔽住。
第三絕緣層106位於電容電極線CL上。第三絕緣層106亦覆蓋第一主動元件T1與第二主動元件T2、資料線DL以及掃描訊號傳輸線GP，因此第三絕緣層106又可稱為保護層。
第一畫素電極PE1位於第三絕緣層106上且與第一主動元件T1電性連接。在本實施例中，第一畫素電極PE1與第一主動元件T1之間是透過接觸窗C1而電性連接。更詳細來說，接觸窗C1是形成在第二絕緣層104與第三絕緣層106內，並且與第一主動元件T1之汲極D1以及第一畫素電極PE1電性接觸。由於第一畫素電極PE1位於共用電極線CL的上方，因此第一畫素電極PE1可與共用電極線CL產生電容耦合效應，以構成一儲存電容器。
第二畫素電極PE2位於第三絕緣層106上且與第二主動元件T2電性連接。在本實施例中，第二畫素電極PE2與第二主動元件T2之間是透過接觸窗C2而電性連接。更詳細來說，接觸窗C2是形成在第二絕緣層104與第三絕緣層106內，並且與第二主動元件T2之汲極D2以及第二畫素電極PE2電性接觸。由於第二畫素電極PE2位於共用電極線CL的上方，因此第二畫素電極PE2可與共用電極線CL產生電容耦合效應，以構成一儲存電容器。
值得一提的是，由於本實施例之畫素結構中的第一主動元件T1以及第二主動元件T2是共用一條資料線DL。因此，在第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間則不需設置另一條資料線。因而，在第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間的空隙則可以設置掃描訊號傳輸線GP。
如上所述，由於資料線DL的第一資料線段DL-1幾乎被電容電極線CL包覆住，因此電容電極線CL可以作為資料線DL的第一資料線段DL-1與第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2之間的遮蔽層。一般來說，由於電容電極線CL上會施予共用電壓(Vcom)，因此，電容電極線CL可以有效地減少資料線DL的第一資料線段DL-1與第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2之間所產生的寄生電容，進而降低第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2的電荷或是訊號受到上述寄生電容的影響。
在上述圖3之實施例中，是在第一絕緣層102中形成第一凹陷R1，且因第二絕緣層104是順應地覆蓋在第一絕緣層102上以使第二絕緣層104在對應第一絕緣層102之第一凹陷R1的上方還具有第二凹陷R2。因此位於第二絕緣層104上之電容電極線CL會填入第二凹陷R2，以使資料線DL的第一資料線段DL-1幾乎被電容電極線CL包覆住。然，本發明不限於此，根據其他實施例，亦可以直接在第二絕緣層104中形成第二凹陷R2，如圖4所示。
圖4僅繪示出圖1之畫素結構沿著B-B’剖面線的剖面示意圖。換言之，此實施例之畫素結構與上述實施例相似，不同之處僅在於B-B’剖面線的剖面處。請參照圖4，此實施例之第二絕緣層104具有第二凹陷R2，且第二凹陷R2位於第一凹陷R1上方。更詳細來說，第一絕緣層102之第一凹陷R1暴露出基板100表面，第二絕緣層104之第二凹陷R2也暴露出基板100的表面，也就是說，第二絕緣層104和第一絕緣層102堆疊在一起的一部份會具有凹陷。因此，形成在第二絕緣層104上之電容電極線CL是順應地覆蓋第二絕緣層104、第一凹陷R1以及第二凹陷R2的表面。因而，電容電極線CL會與基板100的表面接觸。
在圖4之實施例中，由於電容電極線CL會在第一凹陷R1與第二凹陷R2處與基板100的表面接觸，因此資料線DL的第一資料線段DL-1可更進一步地被電容電極線CL完整包覆。因此電容電極線CL可以作為資料線DL的第一資料線段DL-1與第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2之間的遮蔽層。類似地，由於電容電極線CL上會施予共用電壓(Vcom)，因此，電容電極線CL可以有效地減少資料線DL的第一資料線段DL-1與第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2之間所產生的寄生電容，進而降低第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2的電荷或是訊號受到上述寄生電容的影響。
雖然在上述的實施例中都是以圖1所示的畫素結構為例，然，本發明不限於此，換言之，在其他實施例中，本發明之畫素結構也可以具有其他的佈局方式。圖5是根據本發明之又一實施例之畫素結構的上視圖。圖6是圖5沿著剖面線A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意圖。特別注意的是，圖5及圖6所示的畫素結構的元件與圖1及圖2所示的畫素結構的元件大致相同，因此使用相同的標號來表示相同的元件，且可參照前文中對應於圖1的說明，以下僅針對兩者之間的主要差異進行說明。請參照圖5，本實施例之畫素結構包括第一掃描線SL1、第二掃描線SL2、資料線DL、第一絕緣層102、第二絕緣層104、電容電極線CL、第三絕緣層106、第一主動元件T1、第一畫素電極PE1、第二主動元件T2以及第二畫素電極PE2。
第一主動元件T1與第二掃描線SL2以及資料線DL電性連接。在本實施例中，第一主動元件T1包括閘極G1、通道CH1、源極S1以及汲極D1。閘極G1與第二掃描線SL2電性連接。通道CH1位於閘極G1的上方。源極S1以及汲極D1位於通道CH1的上方，且源極S1與資料線DL電性連接。
第二主動元件T2與第一掃描線SL1以及第一主動元件T1電性連接。在本實施例中，第二主動元件T2包括閘極G2、通道CH2、源極S2以及汲極D2。閘極G2與第一掃描線SL1電性連接。通道CH2位於閘極G2的上方。源極S2以及汲極D2位於通道CH2的上方。源極S2透過接觸窗C5與第一畫素電極PE1電性連接，第一畫素電極PE1藉由接觸窗C1與第一主動元件T1的汲極D1電性連接，因此第二主動元件T2與第一主動元件T1電性連接。
請同時參照圖5與圖6，在本實施例中，第一畫素電極PE1與第一主動元件T1之間是透過接觸窗C1而電性連接。更詳細來說，接觸窗C1是形成在第二絕緣層104與第三絕緣層106內，並且與第一主動元件T1之汲極D1以及第一畫素電極PE1電性接觸。第二畫素電極PE2與第二主動元件T2之間是透過接觸窗C2而電性連接。更詳細來說，接觸窗C2是形成在第二絕緣層104與第三絕緣層106內，並且與第二主動元件T2之汲極D2以及第二畫素電極PE2電性接觸。
在本實施例中，電容電極線CL例如是具有網狀結構(mesh structure)，且其具有開口OP。電容電極線CL位於第二絕緣層104上且覆蓋部分資料線DL。在本實施例中，電容電極線CL是設置在資料線DL上方的第二絕緣層104上以及第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2上方的第二絕緣層104上。特別是，電容電極線CL更覆蓋第一絕緣層102的第一凹陷R1(如圖6所示)。更詳細來說，電容電極線CL覆蓋第二絕緣層104以及其第二凹陷R2的表面。在本實施例中，由於第一絕緣層102具有第一凹陷R1，且第二絕緣層104在對應第一絕緣層102之第一凹陷R1的上方還具有第二凹陷R2，因此位於第二絕緣層104上之電容電極線CL會填入第二凹陷R2，以使電容電極線CL包覆住部分資料線DL。此外，根據其他實施例，亦可以直接在第二絕緣層104中形成第二凹陷R2，如圖7所示。在圖7所示的實施例中，由於電容電極線CL會在第一凹陷R1與第二凹陷R2處與基板100的表面接觸，因此資料線段DL-1之兩側可更進一步地被電容電極線CL包覆或遮蔽。
如上所述，由於電容電極線CL包覆住部分資料線DL，因此電容電極線CL可以作為資料線DL的第一資料線段DL-1與第一畫素電極PE1/第二畫素電極PE2之間的 遮蔽層。
圖8是根據本發明一實施例之顯示面板的示意圖。請參照圖8，本實施例之顯示面板包括第一基板100、第二基板200以及位於第一基板100與第二基板200之間的顯示介質300。
第一基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。第一基板100上包括設置有畫素陣列層150，所述畫素陣列層150是由多個畫素結構所構成。而畫素陣列層150中之畫素結構可以是如圖1與圖3所示之畫素結構、圖1與圖4所示之畫素結構、圖5與圖6所示之畫素結構，或者是圖5與圖7所示之畫素結構。第二基板200之材質可為玻璃、石英或有機聚合物等等。在一實施例中，第二基板200上可包括設置有電極層(未繪示)。電極層為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或者是銦鋅氧化物。電極層是全面地覆蓋於第二基板200上。此外，根據本發明之另一實施例，第二基板200上可更包括設置有彩色濾光陣列(未繪示)，其包括紅、綠、藍色濾光圖案。另外，第二基板200上更可包括設置遮光圖案層(未繪示)，其又可稱為黑矩陣，其設置於彩色濾光陣列的圖案之間。顯示介質300可包括液晶分子或是電泳顯示介質。
綜上所述，由於本發明之資料線會被電容電極線包覆住，因此電容電極線可以作為資料線與畫素電極之間的遮蔽層。此外，因電容電極線上會施予共用電壓，因此電容電極線可以有效地減少資料線與畫素電極之間所產生的寄生電容，進而降低畫素電極的電荷或是訊號受到上述寄生電容的影響。因此，使用此種畫素結構的顯示面板具有較佳的顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
SL1、SL2．．．掃描線
DL．．．資料線
DL-1、DL-2．．．資料線段
GP．．．掃描訊號傳輸線
GP-1、GP-2．．．掃描訊號傳輸線段
T1、T2．．．主動元件
G1、G2．．．閘極
CH1、CH2．．．通道
S1、S2．．．源極
D1、D2．．．汲極
CL．．．電容電極線
C1、C2、C3、C4、C5．．．接觸窗
OP．．．開口
PE1、PE2．．．畫素電極
R1、R2．．．凹陷
100、200．．．基板
102、104、106．．．絕緣層
300．．．顯示介質
圖1是根據本發明一實施例之畫素結構的上視圖。
圖2是圖1之畫素結構省略電容電極線的上視圖。
圖3是圖1沿著剖面線A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意圖。
圖4是根據本發明之另一實施例之畫素結構的局部剖面示意圖，其是對應圖1沿著剖面線B-B’處的剖面示意圖。
圖5是根據本發明之又一實施例之畫素結構的上視圖。
圖6是圖5沿著剖面線A-A’、B-B’、C-C’以及D-D’的剖面示意圖。
圖7是根據本發明之再一實施例之畫素結構的局部剖面示意圖，其是對應圖5沿著剖面線B-B’處的剖面示意圖。
圖8是根據本發明一實施例之顯示面板的示意圖。
DL-1．．．資料線段
CL．．．電容電極線
PE1．．．畫素電極
R1、R2．．．凹陷
100．．．基板
102、104、106．．．絕緣層

Claims (13)

  1. 一種畫素結構，位於一基板上，該畫素結構包括：一第一掃描線以及一第二掃描線；一掃描訊號傳輸線，其不平行於該第一掃描線以及該第二掃描線設置，且該掃描訊號傳輸線與該第一掃描線電性連接；一資料線，其不平行於該第一掃描線以及該第二掃描線設置，其中一部分的該資料線與該第一掃描線以及該第二掃描線位於同一膜層；一第一絕緣層，覆蓋該第一掃描線、該第二掃描線及該部分的資料線，其中該第一絕緣層具有一第一凹陷，其位於該部分的資料線的兩側；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層；一電容電極線，位於該第二絕緣層上且覆蓋該資料線，其中該電容電極線更覆蓋該第一絕緣層的該第一凹陷；一第三絕緣層，位於該電容電極線上；一第一主動元件，其與該第二掃描線以及該資料線電性連接；一第一畫素電極，位於該第三絕緣層上且與該第一主動元件電性連接；一第二主動元件，其與該第一掃描線以及該第一主動元件電性連接；以及一第二畫素電極，位於該第三絕緣層上且與該第二主動元件電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一絕緣層之該第一凹陷暴露出該基板的表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第二絕緣層順應地覆蓋在第一絕緣層的表面上，以使該第二絕緣層在該第一凹陷上方形成一第二凹陷。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該電容電極線覆蓋該第二絕緣層以及該第二凹陷的表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第二絕緣層具有一第二凹陷，且該第二凹陷位於該第一凹陷上方。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之畫素結構，其中該第一凹陷以及該第二凹陷暴露出該基板的表面。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之畫素結構，其中該電容電極線覆蓋該第二絕緣層、該第一凹陷以及該第二凹陷的表面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該資料線包括至少一第一資料線段以及至少一第二資料線段，該至少一第一資料線段與該第一掃描線以及該第二掃描線屬位於同一膜層且彼此電性不接觸，且該至少一第二資料線段跨越該第一掃描線以及該第二掃描線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之畫素結構，更包括一接觸窗，位於該至少一第一資料線段以及該至少一第二資料線段之間的重疊區域。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該掃 描訊號傳輸線包括至少一第一掃描訊號傳輸線段以及至少一第二掃描訊號傳輸線段，該至少一第一掃描訊號傳輸線與該第一掃描線以及該第二掃描線位於同一膜層，該至少一第一掃描訊號傳輸線與該第一掃描線直接連接，且該至少一第二掃描訊號傳輸線段跨越該第二掃描線。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該掃描訊號傳輸線位於該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間。
  12. 一種顯示面板，包括：一第一基板，其具有多個畫素結構，每一畫素結構如申請專利範圍第1項所述；一第二基板，位於該第一基板的對向；以及一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間。
  13. 一種畫素結構，位於一基板上，該畫素結構包括：一第一掃描線以及一第二掃描線；一資料線，其不平行於該第一掃描線以及該第二掃描線設置，其中一部分的該資料線與該第一掃描線以及該第二掃描線位於同一膜層；一第一絕緣層，覆蓋該第一掃描線、該第二掃描線及該部分的資料線，其中該第一絕緣層具有一第一凹陷，其位於該部分的資料線的兩側；一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，其中該第二絕緣層具有一第二凹陷，該第二凹陷位於該第一凹陷上方，且該第一凹陷以及該第二凹陷暴露出該基板的表面； 一電容電極線，位於該第二絕緣層上且覆蓋該資料線，其中該電容電極線更覆蓋該第一絕緣層的該第一凹陷；一第三絕緣層，位於該電容電極線上；一第一主動元件，其與該第二掃描線以及該資料線電性連接；一第一畫素電極，位於該第三絕緣層上且與該第一主動元件電性連接；一第二主動元件，其與該第一掃描線以及該第一主動元件電性連接；以及一第二畫素電極，位於該第三絕緣層上且與該第二主動元件電性連接。
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