TWI438863B - 探針平台單元及包含該單元之晶圓測試裝置 - Google Patents

Description

探針平台單元及包含該單元之晶圓測試裝置

本發明之所列舉之實施例係有關於用以支承一晶圓之一平台單元、具有用以支承晶圓之平台單元之一檢查裝置，並且更特別的是有關於一平台單元之溫度是根據一檢查程序中之晶圓之一溫度範圍而改變、具有平台單元之溫度是根據檢查程序中之晶圓之溫度範圍而改變之一檢查裝置。

一般而言，積體電路裝置係於一半導體基底(例如：晶圓)之上進行製造，因而可於一製造過程中而於晶圓之上製作出複數晶片，如此以提供一半導體裝置之使用。在藉由一晶粒排序製程之下，於具有複數晶片之整個晶圓上係進行了一電性檢查程序。各晶粒係自晶圓而進行切割且與一導線框架之間進行組裝，藉此便可製造一半導體裝置(例如：一記憶裝置)。

具有一探針裝置與一測試器之一檢查系統係通常用於在晶圓之晶片之上進行檢查程序。在藉由測試器之作用下，經由探針裝置之一接觸端子係可將電力及各種測試信號施加於晶圓之一接觸墊，並且經由晶片之一電極所產生之輸出信號係可藉由測試器而進行偵測與分析。當一特別輸出信號脫離於一允許範圍時，測試器係會對於產生了特別輸出信號之晶片進行測定且將其定義為一有缺陷晶片。

探針裝置係經常於各種檢查條件與各晶片之各種使用要件下進行檢查程序。舉例而言，位於晶圓上之晶片係可於約在40℃至150℃或約在-60℃至-200℃之寬溫度範圍內進行檢查。為了對於上述之寬溫度範圍進行控制，通常是利用於探針裝置中之一加熱器或一冷卻器對於平台單元進行加熱或冷卻。

舉例而言，在一低溫度檢查程序完成之後便可立刻進行一高溫度檢查程序。在進行低溫度檢查程序時，冷卻器係提供一冷卻劑至平台單元，如此以減少一晶圓夾頭之溫度。在晶圓夾頭之溫度被減少之後，藉由加熱器將熱量係被供應至平台單元，如此以進行高溫度檢查程序。然而，由於熱量係被供應至平台單元，用以進行低溫度檢查程序之液化冷卻劑係於平台單元之中而被蒸發，因而使得被蒸發之冷卻劑係自平台單元而被向外排放。此外，冷卻劑之一殘留部分係可維持在一供給路線之中，並且冷卻劑之殘留部分係可不需安排的情況下而供給至平台單元之中，因而使得所加熱之平台單元可具有一非均勻溫度分佈。

所列舉之實施例係提供了一平台單元，不論是在一檢查系統中之一高溫度檢查程序及一低溫度檢查程序之下，此平台單元之一晶圓夾頭可具有一均勻溫度。

所列舉之實施例係提供了具有上述平台單元之一檢查系統。

根據本發明之概念下之部分列舉之實施例中，這些實施例係提供了用於一探針台之一平台單元。平台單元包括一晶圓夾頭、一管路路線、一加熱元件與一加熱塊。一晶圓係用於定位於晶圓夾頭之上，於晶圓夾頭內包括一流動路徑。冷卻劑係流經管路路線而進入晶圓夾頭，藉此將晶圓夾頭冷卻至一第一溫度，管路路線連接於晶圓夾頭之流動路徑，並且管路路線包括一供給路線與一排放路線，供給路線係將冷卻劑供給至晶圓夾頭，排放路線係對於來自於晶圓夾頭之冷卻劑進行排放。加熱元件係設置於晶圓夾頭之中且用以對於晶圓夾頭進行加熱。加熱塊係定位鄰接於晶圓夾頭，當晶圓夾頭係經由第一溫度而改變至一第二溫度時，加熱塊係藉由熱量而對於殘留於供給路線中之剩餘冷卻劑進行蒸發，第二溫度係經加熱元件而高於第一溫度。於一所列舉之實施例之中，加熱塊係可包括一加熱線圈與一遮蔽板。加熱線圈係可被定位鄰接於晶圓夾頭且對於供給路線進行圍繞。熱量係由加熱線圈所產生，並且第二殘留冷卻劑係可於供給路線中被蒸發，藉此以避免由加熱線圈所產生的熱量被向外傳遞。平台單元更包括一控制器，控制器係用以控制加熱塊之加熱線圈，如此可於一第一時間將加熱塊加熱至一第三溫度且於第一時間之一消逝之後可於一第二時間將加熱塊降溫至低於第三溫度之一第四溫度，而晶圓夾頭係被加熱至第二溫度，藉此以減少於第三溫度時之加熱塊所產生之熱量所造成的熱損傷。

根據本發明之概念下之部分列舉之實施例中，這些實施例提供了一種裝置，此裝置係用於檢查一晶圓。此裝置包括一腔室、一平台單元與一探針卡單元。腔室包括一檢查空間，晶圓係於腔室之檢查空間中進行檢查。平台單元包括一晶圓夾頭、一管路路線、一加熱元件與一加熱塊，晶圓夾頭內包括一流動路徑且對於晶圓進行支承，一冷卻劑係流經管路路線而進入晶圓夾頭，藉此將晶圓夾頭冷卻至一第一溫度，管路路線係連接於晶圓夾頭之流動路徑且管路路線包括一供給路線與一排放路線，供給路線係將冷卻劑供給至晶圓夾頭，排放路線係對於來自於晶圓夾頭之冷卻劑進行排放，加熱元件係設置於晶圓夾頭之中且用以對於晶圓夾頭進行加熱，加熱塊係定位鄰接於晶圓夾頭，當晶圓夾頭係經由第一溫度而改變至一第二溫度時，加熱塊係藉由熱量而對於殘留於供給路線中之剩餘冷卻劑進行蒸發，第二溫度係經加熱元件而高於第一溫度。探針卡單元係設置有一探針卡，探針卡係用以對於晶圓進行檢查。於一列舉之實施例中，加熱塊包括一加熱線圈與一遮蔽板。加熱線圈係對於鄰接於晶圓夾頭之供給路線進行圍繞且對於供給路線進行加熱。遮蔽板係對於加熱線圈與供給路線進行包覆，藉此以避免由加熱線圈所產生的熱量被向外傳遞至。平台單元更包括一控制器，控制器係用以控制加熱塊之加熱線圈，如此可於一第一時間將加熱塊加熱至一第三溫度且於第一時間之一消逝之後可於一第二時間將加熱塊降溫至低於第三溫度之一第四溫度，而晶圓夾頭係被加熱至第二溫度，藉此以減少於第三溫度時之加熱塊所產生之熱量所造成的熱損傷。

根據本發明之概念下之部分列舉之實施例中，當一檢查模式經由一低溫度檢查程序改變至一高溫度檢查程序時，位於一供給路線中之一殘留冷卻劑係可於供給路線中進行蒸發。因此，供給路線之內部壓力係會增加，並且可完全地避免液化冷卻劑流入一晶圓夾頭之中，藉此以減少晶圓夾頭之溫度變化且增加晶圓夾頭之溫度均勻性。

以下將配合所附圖式對於所列舉之實施例進行詳盡說明。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。為了達到清楚的說明，於圖式中之層次與區域之尺寸及相對尺寸將會以誇大方式進行呈現。

可以理解的是，當一元件或層與另一元件或層之關係被指示為“on(一元件或層位於另一元件或層之上)”、“connected to(一元件或層連接於另一元件或層)”或“coupled to(一元件或層耦接於另一元件或層)”時，則表示一元件或層是可直接位於另一元件或另或層之上、一元件或層是可直接連接於另一元件或層、或一元件或層是可直接耦接於另一元件或層，或是中間元件或層是可存在的。相反地，當一元件或層與另一元件或層之關係被指示為“directly on(一元件或層直接位於另一元件或層之上)”、“directly connected to(一元件或層直接連接於另一元件或層)”或“directly coupled to(一元件或層直接耦接於另一元件或層)”時，則表示中間元件或層是不存在的。於全文中係以相同的符號表示相同的元件。於此所述之名稱“and/or(及/或)”包括了一或多個相關所列項目之任一與所有組合。

可以理解的是，雖然第一、第二、第三等名稱是可用以描述各種元件、零件、區域、層及/或段部，但這些元件、零件、區域、層及/或段部並不受限於這些名稱，並且這些名稱僅是為了用以將一元件、一零件、一區域、一層或一段部與另一元件、另一零件、另一區域、另一層或另一段部之間進行區隔。在不脫離本發明之教導下，以下所討論之一第一元件、一第一零件、一第一區域、一第一層或一第一段部係可被稱做一第二元件、一第二零件、一第二區域、一第二層或一第二段部。

為便於說明起見，空間相關名稱(例如：“beneath(位於…之下方)”、“below(位於…之下)”、“lower(底部)”、“above(位於…之上方)”、“upper(位於…之上)”及類似名稱)係用於對於圖式中之一元件或一外貌關係與另一元件或另一外貌關係之間進行描述。可以理解的是，這些空間相關名稱除了對於圖式中所述的方向進行說明之外，藉由這些空間相關名稱係可用以包含了於使用中或操作中之裝置之不同方向。舉例而言，如果在圖式中所示之裝置被翻倒時，則原本以“複數元件位於其它元件之下”或“複數元件位於其它元件之下方”或外貌的描述便會改變成為“複數元件位於其它元件之上方”或外貌之樣態。因此，“below(位於…之下)”之示範名稱是可同時包含above(位於…之上方)與below(位於…之下)之方向。裝置係可採用其它方式(以90度或以其它方向進行迴轉)進行轉向，因而於此可利用空間相關描述符號來解釋。

於此所使用之專有名稱僅是用以描述特定實施例，但不因此而造成本發明之限制。單數型式“a(一)”、“an(一)”、“the(該)”係同樣可以包含複數型式，除非是在文字上有清楚的指明。更可以理解的是，當於說明書中使用了“comprises(包括)”及/或“comprising(包括)”等名稱以指明了所述特徵、整體、步驟、操作、元件及/或零件之存在時，但不會因此而排除了一或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、零件及/或其族群之存在或附加。

就所述實施例之所附剖面圖而言，這些剖面圖係為理想實施例(以及中間結構)之示意圖，因而就製造技術及/或公差之圖式形狀所產生之變化例子是可以預期的。因此，所列舉之實施例不應被解釋為受限於圖式中所描繪之特定區域形狀及製造時所產生之形狀上的誤差。舉例而言，以一矩形所繪製之一植入區域通常是可具有圓角化或曲形化外貌且/或於矩形之邊緣上具有植入濃度之梯度，而不是在植入區域至非植入區域產生二進位變化。同樣地，在經由植入方式所形成之一埋入區域的作用下，於埋入區域與進行植入所通過之表面之間的區域將會產生部分的植入。因此，於圖式中所繪製之複數區域均簡單示意，並且這些區域之形狀並非用以描繪一裝置之一區域之真實形狀且非用以造成本發明之領域之限制。

除非另有定義，於此所使用之所有名稱(包括技術名稱及科學名稱)係與任何熟習本發明所屬之技藝者所理解的意義是相同的。更可以理解的是，就與相關技術文字中之名稱的意義是可利用與一般字典中具有一致性名稱之意義而加以定義，並且除非在說明書中有特別的定義，否則這些名稱是不宜採用理想或過度形式觀念的方式而加以定義。

以下將配合所附圖式對於所列舉之實施例進行詳盡說明。第1圖表示根據本發明之一實施例之用於一探針台之一平台單元100之剖面圖。第2圖表示於第1圖中之平台單元100之一加熱塊上之溫度與加熱時間之間的關係圖式。

請參閱第1圖，根據本發明之第一實施例之平台單元100係用於一探針台，此平台單元100包括了一晶圓夾頭110、一供給路線121、一排放路線123與一加熱塊130。晶圓夾頭110係用以支承一晶圓W。供給路線121係將一冷卻劑供給至晶圓夾頭110。排放路線123係對於來自於晶圓夾頭110之冷卻劑進行排放。加熱塊130係對於殘留於供給路線121中之剩餘冷卻劑進行蒸發。

於所列舉的一實施例中，晶圓夾頭110係以晶圓W之形狀而進行成型，並且晶圓W係可穩固地定位於晶圓夾頭110之上。舉例而言，當晶圓W以一盤狀而成型時，則晶圓夾頭110亦具有盤狀的外形。複數晶片係可製作於晶圓W之上。

晶圓夾頭110係可沿著一x方向、一y方向、一z方向等三個不同方向而進行移動，並且晶圓夾頭110係可相對於其一中心軸而進行轉動。因此，晶圓夾頭110係可耦接於一第一驅動單元(未圖示)與一第二驅動單元(未圖示)，晶圓夾頭110係可經由第一驅動單元而沿著x方向、y方向、z方向進行線性移動，並且晶圓夾頭110係可經由第二驅動單元(未圖示)而進行轉動。第一驅動單元可包括一氣壓缸、一液壓缸與一線性馬達，並且第二驅動單元係可包括使用一螺桿與一軸承之一發電機。位於晶圓夾頭110之上之晶圓W之複數晶片係可電性連接於一探針卡(未圖示)之複數頂端(未圖示)。

一流動路徑115係可提供於晶圓夾頭110之內側，並且一冷卻劑係可沿著流動路徑115而流動。舉例而言，流動路徑115係可Z字形狀而進行成型。流動路徑115之長度與形狀係可根據平台單元100與冷卻劑之溫度範圍而改變。

供給路線121係可連接於位在晶圓夾頭110中之流動路徑115，如此可使得用以對於晶圓夾頭110進行冷卻之冷卻劑可經由流動路徑115而被供給至晶圓夾頭110之中。當一濃縮且液化冷卻劑經由供給路線121而被供給至晶圓夾頭110之內側時，則晶圓夾頭110可被充份地冷卻至一較低溫度，如此可於一第一溫度下而對於晶圓夾頭110之上之晶圓W進行檢查，此第一溫度係低於一第二溫度。供給路線121係可連接於一儲存槽120，此儲存槽120係用以對於冷卻劑進行保存。

於所列舉的一實施例中，排放路線123係可連接於位在晶圓夾頭110之中之流動路徑115。來自於晶圓夾頭110之用以對於晶圓夾頭110進行冷卻之冷卻劑可經由排放路線123而進行排放，因而可在晶圓夾頭110中、藉由供給路線121與排放路線123而對於冷卻劑進行循環。因此，經由供給路線121所供給之冷卻劑係可於晶圓夾頭110之內部進行循環，並且隨後可經由排放路線123係對於來自於晶圓夾頭110之冷卻劑進行排放。

加熱塊130係可定位鄰接於晶圓夾頭110，並且加熱塊130係可對於供給路線121之至少一部分進行圍繞。

晶圓W係可於第二溫度下進行檢查，此第二溫度係高於第一溫度。也就是說，當在一低溫度檢查程序之後執行了一高溫度檢查程序時，晶圓W係可在高於第一溫度之第二溫度下進行檢查。於所列舉之實施例中，複數加熱元件150係可設置於晶圓夾頭110之中，如此使得晶圓夾頭110可被加熱至第二溫度。殘留於流動路徑115中之一第一殘留冷卻劑係可被蒸發而離開了晶圓夾頭110。然而，雖然在晶圓夾頭110中設置有加熱元件150，冷卻劑係可殘留於鄰接晶圓夾頭110之供給路線121之中。圍繞於供給路線121之加熱元件150係可對於殘留於供給路線121中之一第二殘留冷卻劑進行加熱，藉此以對於第二殘留冷卻劑進行蒸發。因此，冷卻劑之蒸發將可能造成供給路線121之一內部壓力的增加，因而使得蒸發的冷卻劑可滲入晶圓夾頭110之中。因此，相較於液化冷卻劑被供給至晶圓夾頭110時之晶圓夾頭110的溫度變化程度而言，於被蒸發之冷卻劑被供給至晶圓夾頭110時之晶圓夾頭110的溫度變化更可被降至最低。

於所列舉的一實施例中，加熱塊130係可包括一加熱線圈131與一遮蔽板133。加熱線圈131係可被定位鄰接於晶圓夾頭110且對於供給路線121進行圍繞。熱量係由加熱線圈131所產生，並且第二殘留冷卻劑係可於供給路線121中被蒸發。舉例而言，加熱線圈131可包括一鎢W線圈。

遮蔽板133係可對於加熱線圈131進行包覆且係可避免由加熱線圈131所產生的熱量被傳遞至平台單元100之其它元件。因此，由加熱線圈131所產生的熱量便可被集中地傳送至遮蔽板133。

請參閱第1、2圖，當加熱塊130被過度加熱時，加熱塊130之熱量將會造成平台單元100之其它元件的熱損傷。有鑑於此，於一第一時間t1將加熱塊130加熱至一第三溫度T1，並且於第一時間t1之一消逝之後可於一第二時間將加熱塊130降溫至低於第三溫度T1之一第四溫度。因此，當液化冷卻劑經由供給路線121而被供給至晶圓夾頭110時，冷卻劑係可於第四溫度時而被蒸發。也就是說，鄰接於晶圓夾頭110之供給路線121中之冷卻劑係可在一相對較低溫度下而被蒸發，並且雖然蒸發的冷卻劑係可滲入晶圓夾頭110之中，但晶圓夾頭110之溫度係幾乎不會受到被蒸發的冷卻劑之影響而改變。因此，晶圓夾頭110之溫度係以均勻方式而維持在第二溫度。

舉例而言，當冷卻劑約具有76℃之一沸點時，第三溫度係約介於500℃至約700℃之間，第四溫度係約介於100℃至約200℃之間。

於所列舉的一實施例中，平台單元100更可包括一控制器140，此控制器140係用以控制加熱塊130之一溫度。換言之，加熱塊130係可藉由控制器140而被加熱或被冷卻。舉例而言，可於第一時間t1時係將加熱塊130維持在第三溫度T1，並且隨後可於第二時間t2時係將加熱塊130維持在第四溫度T2。

如上所述，用於探針台之平台單元100更包括了設置於晶圓夾頭110中之加熱元件150。

於所列舉的一實施例中，加熱元件150係可位於晶圓夾頭110之內部，晶圓夾頭110係可經由加熱元件150之加熱而自第一溫度改變至第二溫度。舉例而言，加熱元件150係可以Z字形狀而進行設置，並且加熱元件150係可包括一發電機(例如：一鎢(W)線圈)。

第3圖表示於第1圖中之具有平台單元100之一裝置200之剖面圖，此裝置係用於檢查一晶圓W。

請參閱第3圖，於本發明所列舉的一實施例中之用於檢查晶圓W之裝置200(以下稱之為檢查裝置)係可包括一腔室205、平台單元100與一探針卡單元250。

腔室205可包括一檢查空間220，晶圓W係於腔室205之檢查空間220中進行檢查。腔室205更可包括一裝載段部240與一檢查段部220，裝載段部240與檢查段部220係彼此之間係呈一線型之排列。一分隔壁254係可設置於裝載段部240與檢查段部220之間，並且晶圓W係可經由分隔壁254而於裝載段部240與檢查段部220之間進行移動。

裝載段部240係可將晶圓W裝載與對齊於晶圓夾頭110之上，並且裝載段部240係可對於晶圓夾頭110之上之晶圓W進行卸載。一頂開口222係可提供於腔室205之一頂部，並且一探針卡300(將於下文中詳述)係可設置於頂開口222之內。裝載段部240可包括一支承板242、一對齊器(未圖示)與一傳遞機器人(未圖示)。用以握持晶圓W之一晶圓卡匣係由支承板242所支承。對齊器係用以對於晶圓W進行對齊。傳遞機器人係用以將對齊後之晶圓W傳遞至平台單元100之上。

平台單元100係可定位於檢查空間220之中，並且準備於檢查裝置200之中進行檢查之晶圓W係可放置於平台單元100之上。當平台單元100係可於三方向進行移動時，位於晶圓W之上之複數晶片係可製作成具有探針卡300之電接點。

平台單元100係可於x方向、y方向、z方向上進行線性移動，並且藉由一驅動器170係可使得平台單元100可相對於其一中心軸而進行轉動。此外，平台單元100係可對於晶圓夾頭110之溫度進行控制，而晶圓W係定位於晶圓夾頭110之上。也就是說，平台單元100係可減少晶圓夾頭110之溫度，因而使得位於平台單元100之晶圓W是可於一低溫度檢查程序之一相對較低溫度下而進行檢查。相反地，平台單元100係可增加晶圓夾頭110之溫度，因而使得位於平台單元100之晶圓W是可於一高溫度檢查程序之一相對較高溫度下而進行檢查。

檢查裝置200中之平台單元100之結構於實質上係可相同於第1、2圖中之平台單元，因而以下便不再對於任何相關於平台單元100之詳細說明進行贅述。

探針卡單元250係可被定位於平台單元100之頂部，並且探針卡300係可被握持於探針卡單元250之中。探針卡300係可包括一底面、一盤狀印刷電路板(PCB)與一探針頂端，其中，探針頂端係設置於底面。探針頂端係可凸出於底面且可朝向於晶圓夾頭110。位於晶圓W之上的複數晶片係可藉由探針卡300而製作成具有測試器之電接點。

根據本發明所列舉的一實施例可知，當一檢查模式經由一低溫度檢查程序改變至一高溫度檢查程序時，位於一供給路線中之一殘留冷卻劑係可於供給路線中進行蒸發。因此，供給路線之內部壓力係會增加，並且可完全地避免液化冷卻劑流入一晶圓夾頭之中，藉此以減少晶圓夾頭之溫度變化且增加晶圓夾頭之溫度均勻性。

上述係為所列舉實施例之說明，但這些實施例之說明並不會造成其本身的限制。雖然上述僅列舉出少部分的實施例，但於實質上在不脫離本發明之創新教導與優點下而仍可做更動與潤飾，這是任何熟習此項技藝者均可理解的。因此，針對任何更動與潤飾而言，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。於申請專利範圍中之功能性裝置語句係包含了於此所述之可執行上述功能之結構，並且於此除了提出結構相等物之外，亦提出了對等結構。因此，可以理解的是，雖然於上述說明中提出了各種列舉的實施例，但上述說明不因此而被解釋為限制於這些所揭露之特定實施例、所提出之修正例不受到所揭露實施例之限制，並且其它所列舉的實施例係被包含於後附之申請專利範圍之中。

100．．．平台單元

110．．．晶圓夾頭

115．．．流動路徑

120．．．儲存槽

121．．．供給路線

123．．．排放路線

130．．．加熱塊

131．．．加熱線圈

133．．．遮蔽板

140．．．控制器

150．．．加熱元件

170．．．驅動器

200．．．檢查裝置

205．．．腔室

222．．．頂開口

240．．．裝載段部

242．．．支承板

250．．．探針卡單元

254．．．分隔壁

300．．．探針卡

t1．．．第一時間

T1．．．第三溫度

t2．．．第二時間

T2．．．第四溫度

W．．．晶圓

以下將配合所附圖式對於所列舉之實施例進行詳盡說明。第1至3圖表示非用以造成限制之實施例。

第1圖表示根據本發明之一實施例之用於一探針台之一平台單元之剖面圖；

第2圖表示於第1圖中之平台單元之一加熱塊上之溫度與加熱時間之間的關係圖式；以及

第3圖表示於第1圖中之具有平台單元之一裝置之剖面圖，此裝置係用於檢查一晶圓。

100．．．平台單元

110．．．晶圓夾頭

115．．．流動路徑

120．．．儲存槽

121．．．供給路線

123．．．排放路線

130．．．加熱塊

131．．．加熱線圈

133．．．遮蔽板

140．．．控制器

150．．．加熱元件

W．．．晶圓

Claims (6)

1. 一種平台單元，用於一探針台，該平台單元包括：一晶圓夾頭，一晶圓係用於定位於該晶圓夾頭之上，於該晶圓夾頭內包括一流動路徑；一管路路線，一冷卻劑係流經該管路路線而進入該晶圓夾頭，藉此將該晶圓夾頭冷卻至一第一溫度，該管路路線連接於該晶圓夾頭之該流動路徑，並且該管路路線包括一供給路線與一排放路線，該供給路線係將該冷卻劑供給至該晶圓夾頭，該排放路線係對於來自於該晶圓夾頭之該冷卻劑進行排放；一加熱元件，設置於該晶圓夾頭之中且用以對於該晶圓夾頭進行加熱；以及一加熱塊，定位鄰接於該晶圓夾頭，當該晶圓夾頭係經由該第一溫度而改變至一第二溫度時，該加熱塊係藉由熱量而對於殘留於該供給路線中之剩餘的該冷卻劑進行蒸發，該第二溫度係經該加熱元件而高於該第一溫度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之平台單元，其中，該加熱塊包括：一加熱線圈，對於鄰接於該晶圓夾頭之該供給路線進行圍繞且對於該供給路線進行加熱；以及一遮蔽板，對於該加熱線圈與該供給路線進行包覆，藉此以避免由該加熱線圈所產生的該熱量被向外傳遞至。
3. 如申請專利範圍第2項所述之平台單元，更包括一控制器，該控制器係用以控制該加熱塊之該加熱線圈，如 此可於一第一時間將該加熱塊加熱至一第三溫度且於該第一時間之一消逝之後可於一第二時間將該加熱塊降溫至低於該第三溫度之一第四溫度，而該晶圓夾頭係被加熱至該第二溫度，藉此以減少於該第三溫度時之該加熱塊所產生之該熱量所造成的熱損傷。
4. 一種晶圓檢查裝置，包括：一腔室，包括一檢查空間，該晶圓係於該腔室之該檢查空間中進行檢查；一平台單元，包括一晶圓夾頭、一管路路線、一加熱元件與一加熱塊，該晶圓夾頭內包括一流動路徑且對於該晶圓進行支承，一冷卻劑係流經該管路路線而進入該晶圓夾頭，藉此將該晶圓夾頭冷卻至一第一溫度，該管路路線係連接於該晶圓夾頭之該流動路徑且該管路路線包括一供給路線與一排放路線，該供給路線係將該冷卻劑供給至該晶圓夾頭，該排放路線係對於來自於該晶圓夾頭之該冷卻劑進行排放，該加熱元件係設置於該晶圓夾頭之中且用以對於該晶圓夾頭進行加熱，該加熱塊係定位鄰接於該晶圓夾頭，當該晶圓夾頭係經由該第一溫度而改變至一第二溫度時，該加熱塊係藉由熱量而對於殘留於該供給路線中之剩餘的該冷卻劑進行蒸發，該第二溫度係經該加熱元件而高於該第一溫度；以及一探針卡單元，設置有一探針卡，該探針卡係用以對於該晶圓進行檢查。
5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓檢查裝置，其 中，該加熱塊包括：一加熱線圈，對於鄰接於該晶圓夾頭之該供給路線進行圍繞且對於該供給路線進行加熱；以及一遮蔽板，對於該加熱線圈與該供給路線進行包覆，藉此以避免由該加熱線圈所產生的該熱量被向外傳遞至。
6. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓檢查裝置，其中，該平台單元更包括一控制器，該控制器係用以控制該加熱塊之該加熱線圈，如此可於一第一時間將該加熱塊加熱至一第三溫度且於該第一時間之一消逝之後可於一第二時間將該加熱塊降溫至低於該第三溫度之一第四溫度，而該晶圓夾頭係被加熱至該第二溫度，藉此以減少於該第三溫度時之該加熱塊所產生之該熱量所造成的熱損傷。