JPH11145225A - ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 - Google Patents
ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室Info
- Publication number
- JPH11145225A JPH11145225A JP31892097A JP31892097A JPH11145225A JP H11145225 A JPH11145225 A JP H11145225A JP 31892097 A JP31892097 A JP 31892097A JP 31892097 A JP31892097 A JP 31892097A JP H11145225 A JPH11145225 A JP H11145225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- control device
- temperature control
- refrigerant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 信頼性試験時にウエハの温度をより正確に把
握することができると共に検査温度を安定化することが
でき、ひいては検査の信頼性を確保することができるウ
エハ温度制御装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ、ウエハチャック及びコンタクタ
が一体化したシェル4を有し、コンタクタと一括接触し
たウエハを保持したウエハチャックとボトムジャケット
9とが接触してウエハの温度を制御する装置であって、
ウエハチャック内の上面近傍に設けられた面ヒータ91
と、面ヒータ91と間隔を空けて設けられた冷却通路9
2Aと、冷却通路92Aと面ヒータ91の間に介在する
熱抵抗シートと、ウエハチャックの温度を検出する温度
測定装置141とを備え、面ヒータ91に温度測定装置
141の検出信号に基づいて発熱量を制御するヒータ制
御装置14を接続すると共に、冷媒通路92Aにその冷
却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15を接続し
た。
握することができると共に検査温度を安定化することが
でき、ひいては検査の信頼性を確保することができるウ
エハ温度制御装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ、ウエハチャック及びコンタクタ
が一体化したシェル4を有し、コンタクタと一括接触し
たウエハを保持したウエハチャックとボトムジャケット
9とが接触してウエハの温度を制御する装置であって、
ウエハチャック内の上面近傍に設けられた面ヒータ91
と、面ヒータ91と間隔を空けて設けられた冷却通路9
2Aと、冷却通路92Aと面ヒータ91の間に介在する
熱抵抗シートと、ウエハチャックの温度を検出する温度
測定装置141とを備え、面ヒータ91に温度測定装置
141の検出信号に基づいて発熱量を制御するヒータ制
御装置14を接続すると共に、冷媒通路92Aにその冷
却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15を接続し
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ温度制御装
置及びウエハ収納室に関し、更に詳しくは信頼性試験装
置に適用されるウエハ温度制御装置及びウエハ収納室に
関する。
置及びウエハ収納室に関し、更に詳しくは信頼性試験装
置に適用されるウエハ温度制御装置及びウエハ収納室に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体検査工程では半導体ウエハ(以
下、「ウエハ」と称す。)の表面に多数形成された半導
体素子(以下、「チップ」と称す。)についてウエハ状
態のまま個々のチップについて電気的特性検査を行い、
電気的特性に欠陥のないチップをスクリーニングするよ
うにしている。スクリーニングされた良品チップは組立
工程で合成樹脂またはセラミックによってパッケージし
ている。また、信頼性試験ではパッケージ製品に温度
的、電気的ストレスを加えてチップの潜在的欠陥等を顕
在化させ、不良品を除去するようにしている。
下、「ウエハ」と称す。)の表面に多数形成された半導
体素子(以下、「チップ」と称す。)についてウエハ状
態のまま個々のチップについて電気的特性検査を行い、
電気的特性に欠陥のないチップをスクリーニングするよ
うにしている。スクリーニングされた良品チップは組立
工程で合成樹脂またはセラミックによってパッケージし
ている。また、信頼性試験ではパッケージ製品に温度
的、電気的ストレスを加えてチップの潜在的欠陥等を顕
在化させ、不良品を除去するようにしている。
【0003】一方、電気製品の小型化、高機能化に伴っ
てチップが小型化、高集積化している。しかも、最近で
は、半導体製品の更なる小型化のための実装技術が種々
開発され、特に、チップをパッケージ化せず、いわゆる
ベアチップのまま実装する技術が開発されている。ベア
チップを市場に出すためには品質保証されたベアチップ
が要求される。品質保証されたベアチップを市場に出す
には信頼性試験を行わなくてはならない。信頼性試験に
プローブ装置を用いることもできる。しかし、プローブ
装置の場合にはウエハを一枚ずつしか検査できず、しか
も一枚のウエハの信頼性試験に多大な時間を要するた
め、プローブ装置を信頼性試験に用いるにはコスト的に
問題がある。また、従来の信頼性試験装置を用いてベア
チップを検査するには、ベアチップとソケットとの電気
的接続等の種々の難しい点を解決しなくてならず、しか
も小さなベアチップを取り扱うため、取り扱いが極めて
煩雑になり検査コストの上昇を招く虞がある。
てチップが小型化、高集積化している。しかも、最近で
は、半導体製品の更なる小型化のための実装技術が種々
開発され、特に、チップをパッケージ化せず、いわゆる
ベアチップのまま実装する技術が開発されている。ベア
チップを市場に出すためには品質保証されたベアチップ
が要求される。品質保証されたベアチップを市場に出す
には信頼性試験を行わなくてはならない。信頼性試験に
プローブ装置を用いることもできる。しかし、プローブ
装置の場合にはウエハを一枚ずつしか検査できず、しか
も一枚のウエハの信頼性試験に多大な時間を要するた
め、プローブ装置を信頼性試験に用いるにはコスト的に
問題がある。また、従来の信頼性試験装置を用いてベア
チップを検査するには、ベアチップとソケットとの電気
的接続等の種々の難しい点を解決しなくてならず、しか
も小さなベアチップを取り扱うため、取り扱いが極めて
煩雑になり検査コストの上昇を招く虞がある。
【0004】そこで、ウエハ状態のまま検査できる信頼
性試験装置が望まれる。信頼性試験装置の場合には複数
枚のウエハを同時に信頼性試験が行えるため、検査コス
トを格段に低減することができる。そこで、このような
信頼性試験技術が例えば特開平7−231019号公
報、特開平8−5666号公報及び特開平8−3400
30号公報において提案されている。特に、前二者の公
報には信頼性試験時にウエハとプローブシート等のコン
タクタとを熱的影響を受けることなく確実に一括接触さ
せる技術が提案されている。このようにウエハ状態で信
頼性試験を行う場合には、高温下でウエハとコンタクタ
とを精度良く一括接触させることが検査の信頼性を確保
するための基本的で極めて重要である。また、恒温槽内
でウエハを効率良く検査温度まで昇温し、その検査温度
を如何に精度良く保持するかも、ウエハとコンタクタの
一括接触と同様に極めて重要な技術である。
性試験装置が望まれる。信頼性試験装置の場合には複数
枚のウエハを同時に信頼性試験が行えるため、検査コス
トを格段に低減することができる。そこで、このような
信頼性試験技術が例えば特開平7−231019号公
報、特開平8−5666号公報及び特開平8−3400
30号公報において提案されている。特に、前二者の公
報には信頼性試験時にウエハとプローブシート等のコン
タクタとを熱的影響を受けることなく確実に一括接触さ
せる技術が提案されている。このようにウエハ状態で信
頼性試験を行う場合には、高温下でウエハとコンタクタ
とを精度良く一括接触させることが検査の信頼性を確保
するための基本的で極めて重要である。また、恒温槽内
でウエハを効率良く検査温度まで昇温し、その検査温度
を如何に精度良く保持するかも、ウエハとコンタクタの
一括接触と同様に極めて重要な技術である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
信頼性試験の場合には、ウエハとコンタクタとの一括接
触技術については種々提案されているが、検査時の恒温
槽内の温度管理に関する技術開発については未だ不十分
で、検査時のウエハの検査温度を正確に把握することが
難しいため、安定した検査温度を確保することができ
ず、検査の信頼性を確保することが難しいという課題が
あった。
信頼性試験の場合には、ウエハとコンタクタとの一括接
触技術については種々提案されているが、検査時の恒温
槽内の温度管理に関する技術開発については未だ不十分
で、検査時のウエハの検査温度を正確に把握することが
難しいため、安定した検査温度を確保することができ
ず、検査の信頼性を確保することが難しいという課題が
あった。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、信頼性試験時にウエハの温度をより正確に
把握することができると共に検査温度を安定化すること
ができ、ひいては検査の信頼性を確保することができる
ウエハ温度制御装置を提供することを目的としている。
また、本発明は、上記ウエハ温度制御装置を具備したウ
エハ収納室を併せて提供することを目的としている。
れたもので、信頼性試験時にウエハの温度をより正確に
把握することができると共に検査温度を安定化すること
ができ、ひいては検査の信頼性を確保することができる
ウエハ温度制御装置を提供することを目的としている。
また、本発明は、上記ウエハ温度制御装置を具備したウ
エハ収納室を併せて提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のウエハ温度制御装置は、コンタクタと協働してこのコ
ンタクタと一括接触した状態の半導体ウエハを保持した
ウエハ保持体と温度制御体とが接触して上記半導体ウエ
ハの温度を制御する装置であって、上記温度制御体内の
表面近傍に設けられた発熱体と、この発熱体と間隔を空
けて上記温度制御体内に設けられた冷却通路と、この冷
却通路と上記発熱体の間に介在する熱抵抗シートと、上
記ウエハ保持体の温度を検出する温度センサとを備え、
上記発熱体に上記温度センサの検出信号に基づいて発熱
量を制御する発熱体制御装置を接続すると共に、上記冷
媒通路にその冷媒の温度を制御する冷媒温度制御装置を
接続したことを特徴とするものである。
のウエハ温度制御装置は、コンタクタと協働してこのコ
ンタクタと一括接触した状態の半導体ウエハを保持した
ウエハ保持体と温度制御体とが接触して上記半導体ウエ
ハの温度を制御する装置であって、上記温度制御体内の
表面近傍に設けられた発熱体と、この発熱体と間隔を空
けて上記温度制御体内に設けられた冷却通路と、この冷
却通路と上記発熱体の間に介在する熱抵抗シートと、上
記ウエハ保持体の温度を検出する温度センサとを備え、
上記発熱体に上記温度センサの検出信号に基づいて発熱
量を制御する発熱体制御装置を接続すると共に、上記冷
媒通路にその冷媒の温度を制御する冷媒温度制御装置を
接続したことを特徴とするものである。
【0008】また、本発明の請求項2に記載のウエハ温
度制御装置は、請求項1に記載の発明において、上記発
熱体制御装置及び上記冷媒温度制御装置はいずれもPI
D調節計を備えたことを特徴とするものである。
度制御装置は、請求項1に記載の発明において、上記発
熱体制御装置及び上記冷媒温度制御装置はいずれもPI
D調節計を備えたことを特徴とするものである。
【0009】また、本発明の請求項3に記載のウエハ温
度制御装置は、請求項1または請求項2に記載の発明に
おいて、上記温度センサは上記温度制御体を貫通すると
共に上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可能に構
成されていることを特徴とするものである。
度制御装置は、請求項1または請求項2に記載の発明に
おいて、上記温度センサは上記温度制御体を貫通すると
共に上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可能に構
成されていることを特徴とするものである。
【0010】また、本発明の請求項4に記載のウエハ温
度制御装置は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記
載の発明において、上記冷媒が水であることを特徴とす
るものである。
度制御装置は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記
載の発明において、上記冷媒が水であることを特徴とす
るものである。
【0011】また、本発明の請求項5に記載のウエハ収
納室は、コンタクタと協働してこのコンタクタと一括接
触した状態の半導体ウエハを保持したウエハ保持体を接
合状態で所定の検査温度に制御する温度制御体と、この
温度制御体の周囲に設けられ且つ上記コンタクタの外部
端子と接触する複数の中継端子と、上記温度制御体を介
して上記半導体ウエハの温度を制御するウエハ温度制御
装置とを備え、上記ウエハ保持体と上記温度制御体の相
対移動により上記各外部端子と各中継端子とが全て接触
し、上記ウエハ温度制御装置により上記半導体ウエハの
温度を制御しながら上記半導体ウエハに形成された全半
導体素子を半導体ウエハ状態のまま検査するウエハ収納
室であって、上記ウエハ温度制御装置は、上記温度制御
体内の表面近傍に設けられた発熱体と、この発熱体と間
隔を空けて上記温度制御体内に設けられた冷却通路と、
この冷却通路と上記発熱体の間に介在する熱抵抗シート
と、上記ウエハ保持体の温度を検出する温度センサとを
備え、上記発熱体に上記温度センサの検出信号に基づい
て発熱量を制御する発熱体制御装置を接続すると共に、
上記冷媒通路には冷媒の温度を制御する冷媒温度制御装
置を接続したことを特徴とするものである。
納室は、コンタクタと協働してこのコンタクタと一括接
触した状態の半導体ウエハを保持したウエハ保持体を接
合状態で所定の検査温度に制御する温度制御体と、この
温度制御体の周囲に設けられ且つ上記コンタクタの外部
端子と接触する複数の中継端子と、上記温度制御体を介
して上記半導体ウエハの温度を制御するウエハ温度制御
装置とを備え、上記ウエハ保持体と上記温度制御体の相
対移動により上記各外部端子と各中継端子とが全て接触
し、上記ウエハ温度制御装置により上記半導体ウエハの
温度を制御しながら上記半導体ウエハに形成された全半
導体素子を半導体ウエハ状態のまま検査するウエハ収納
室であって、上記ウエハ温度制御装置は、上記温度制御
体内の表面近傍に設けられた発熱体と、この発熱体と間
隔を空けて上記温度制御体内に設けられた冷却通路と、
この冷却通路と上記発熱体の間に介在する熱抵抗シート
と、上記ウエハ保持体の温度を検出する温度センサとを
備え、上記発熱体に上記温度センサの検出信号に基づい
て発熱量を制御する発熱体制御装置を接続すると共に、
上記冷媒通路には冷媒の温度を制御する冷媒温度制御装
置を接続したことを特徴とするものである。
【0012】また、本発明の請求項6に記載のウエハ収
納室は、請求項5に記載の発明において、上記発熱体制
御装置及び上記冷媒温度制御装置はいずれもPID調節
計を備えたことを特徴とするものである。
納室は、請求項5に記載の発明において、上記発熱体制
御装置及び上記冷媒温度制御装置はいずれもPID調節
計を備えたことを特徴とするものである。
【0013】また、本発明の請求項7に記載のウエハ収
納室は、請求項5または請求項6に記載の発明におい
て、上記温度センサは上記温度制御体を貫通すると共に
上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可能に構成さ
れていることを特徴とするものである。
納室は、請求項5または請求項6に記載の発明におい
て、上記温度センサは上記温度制御体を貫通すると共に
上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可能に構成さ
れていることを特徴とするものである。
【0014】また、本発明の請求項8に記載のウエハ収
納室は、請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の発
明において、上記冷媒が水であることを特徴とするもの
である。
納室は、請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の発
明において、上記冷媒が水であることを特徴とするもの
である。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図10に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。本発明のウエハ温度制
御装置の一実施形態を本発明のウエハ収納室の一実施形
態と共に説明する。本実施形態のウエハ収納室1は、図
1に示すように、全体として偏平な矩形状に形成されて
いる。このウエハ収納室1は、例えば図示しないラック
状に形成された信頼性試験用の筐体内に水平状態のまま
多数列多数行に装着して用いられる。そして、信頼性試
験を行う時にはウエハはウエハ保持体(以下、「ウエハ
チャック」と称す。)2を介してコンタクタ3と一体化
した状態で各ウエハ収納室1内に装着するようにしてあ
る。ウエハとコンタクタ3が一体化した状態とは、ウエ
ハ全面に形成された多数のチップそれぞれの検査用電極
(以下、「電極パッド」と称す。)とこれらの電極パッ
ドに対応してコンタクタ3に設けられた突起状の検査用
端子(以下、「電極パッド」と称す。)とがそれぞれ一
括して接触し、導通可能になった状態をいう。尚、ウエ
ハ、ウエハチャック2及びコンタクタ3が一体化したも
のを以下では便宜上シェル4と称して説明する。
態に基づいて本発明を説明する。本発明のウエハ温度制
御装置の一実施形態を本発明のウエハ収納室の一実施形
態と共に説明する。本実施形態のウエハ収納室1は、図
1に示すように、全体として偏平な矩形状に形成されて
いる。このウエハ収納室1は、例えば図示しないラック
状に形成された信頼性試験用の筐体内に水平状態のまま
多数列多数行に装着して用いられる。そして、信頼性試
験を行う時にはウエハはウエハ保持体(以下、「ウエハ
チャック」と称す。)2を介してコンタクタ3と一体化
した状態で各ウエハ収納室1内に装着するようにしてあ
る。ウエハとコンタクタ3が一体化した状態とは、ウエ
ハ全面に形成された多数のチップそれぞれの検査用電極
(以下、「電極パッド」と称す。)とこれらの電極パッ
ドに対応してコンタクタ3に設けられた突起状の検査用
端子(以下、「電極パッド」と称す。)とがそれぞれ一
括して接触し、導通可能になった状態をいう。尚、ウエ
ハ、ウエハチャック2及びコンタクタ3が一体化したも
のを以下では便宜上シェル4と称して説明する。
【0016】上記ウエハ収納室1について説明すると、
このウエハ収納室1は、図1に示すように、温度制御室
1Aと、温度制御室1Aに隣接するコネクタ室1Bとか
らなり、両者1A、1Bは断熱壁(図示せず)によって
遮断され、断熱壁によりコネクタ室1Bが極力昇温しな
いようにしてある。この温度制御室1A内では後述する
ようにウエハWの温度を検査温度に制御すると共に、ウ
エハWの周囲の温度が極力上昇しないようにしてある。
このウエハ収納室1は、図1に示すように、温度制御室
1Aと、温度制御室1Aに隣接するコネクタ室1Bとか
らなり、両者1A、1Bは断熱壁(図示せず)によって
遮断され、断熱壁によりコネクタ室1Bが極力昇温しな
いようにしてある。この温度制御室1A内では後述する
ようにウエハWの温度を検査温度に制御すると共に、ウ
エハWの周囲の温度が極力上昇しないようにしてある。
【0017】さて、上記温度制御室1A内の基台5の四
隅にはシリンダ機構6が配設され、各シリンダ機構6の
シリンダロッド上端はそれぞれ基台5の上方には配設さ
れた押圧板7の四隅に連結されている。この押圧板7の
裏面には図示しないクランプ機構が配設され、このクラ
ンプ機構を介してシェル4を受け取るようにしてある。
また、コネクタ室1B内にはテスタ(図示せず)と接続
するためのコネクタ及び配線基板が配設されている。
隅にはシリンダ機構6が配設され、各シリンダ機構6の
シリンダロッド上端はそれぞれ基台5の上方には配設さ
れた押圧板7の四隅に連結されている。この押圧板7の
裏面には図示しないクランプ機構が配設され、このクラ
ンプ機構を介してシェル4を受け取るようにしてある。
また、コネクタ室1B内にはテスタ(図示せず)と接続
するためのコネクタ及び配線基板が配設されている。
【0018】また、図2に示すように基台5と押圧板7
の間にはベースプレート8が基台5に対して平行に配設
され、このベースプレート8の略中央に円形状の孔8A
が形成されている。この孔8Aの内側にはこの孔8Aよ
りやや小径に形成された温度制御体がボトムジャケット
9として基台5上に配設され、その上面がベースプレー
ト8上面と略同一高さになっている。また、図1、図2
に示すようにベースプレート8にはボトムジャケット9
を囲む多数(例えば、2000〜3000本)の中継端
子であるポゴピン10がリング状に複数列に渡って植設
されている。これらのポゴピン10はコンタクタ3の電
極パッド3Aの周囲にリング状に配置された多数の外部
端子(以下、「接続パッド」と称す。)3Bに対応して
設けられ、接触時に接続パッド3Bと電気的に導通可能
になっている。従って、図示しない搬送機構を介して搬
送されて来たシェル4を温度制御室1A内のクランプ機
構を介して受け取ると、シリンダ機構6が駆動して押圧
板7を介してシェル4が下降しボトムジャケット9に達
すると、ウエハチャック2が裏面でボトムジャケット9
の上面と接触すると共にコンタクタ3の接続パッド3B
がポゴピン10と電気的に接触する。この状態でボトム
ジャケット9によってウエハチャック2の温度を制御
し、ひいてはウエハWの温度を所定の検査温度(例え
ば、110℃)に制御する。
の間にはベースプレート8が基台5に対して平行に配設
され、このベースプレート8の略中央に円形状の孔8A
が形成されている。この孔8Aの内側にはこの孔8Aよ
りやや小径に形成された温度制御体がボトムジャケット
9として基台5上に配設され、その上面がベースプレー
ト8上面と略同一高さになっている。また、図1、図2
に示すようにベースプレート8にはボトムジャケット9
を囲む多数(例えば、2000〜3000本)の中継端
子であるポゴピン10がリング状に複数列に渡って植設
されている。これらのポゴピン10はコンタクタ3の電
極パッド3Aの周囲にリング状に配置された多数の外部
端子(以下、「接続パッド」と称す。)3Bに対応して
設けられ、接触時に接続パッド3Bと電気的に導通可能
になっている。従って、図示しない搬送機構を介して搬
送されて来たシェル4を温度制御室1A内のクランプ機
構を介して受け取ると、シリンダ機構6が駆動して押圧
板7を介してシェル4が下降しボトムジャケット9に達
すると、ウエハチャック2が裏面でボトムジャケット9
の上面と接触すると共にコンタクタ3の接続パッド3B
がポゴピン10と電気的に接触する。この状態でボトム
ジャケット9によってウエハチャック2の温度を制御
し、ひいてはウエハWの温度を所定の検査温度(例え
ば、110℃)に制御する。
【0019】上記ウエハチャック2は、図3(a)、
(b)に示すように、円盤状に形成されたチャック本体
21を主体とし、チャック本体21がウエハWを保持し
た状態でコンタクタ3と一体化するように構成されてい
る。チャック本体21内には同図の(b)に示すように
ガス流路21Aが形成されている。そして、ガス流路2
1Aの入口(本体周面に開口している)にはガス供給管
22が接続されていると共にその出口(本体周面の入口
に隣接して開口している)にはガス排出管23が接続さ
れ、両配管22、23を介して所定のガス(化学的に不
活性なガス、例えば窒素ガス)を給排するようにしてあ
る。
(b)に示すように、円盤状に形成されたチャック本体
21を主体とし、チャック本体21がウエハWを保持し
た状態でコンタクタ3と一体化するように構成されてい
る。チャック本体21内には同図の(b)に示すように
ガス流路21Aが形成されている。そして、ガス流路2
1Aの入口(本体周面に開口している)にはガス供給管
22が接続されていると共にその出口(本体周面の入口
に隣接して開口している)にはガス排出管23が接続さ
れ、両配管22、23を介して所定のガス(化学的に不
活性なガス、例えば窒素ガス)を給排するようにしてあ
る。
【0020】また、図3の(a)、(b)に示すように
上記チャック本体21の上面には複数のリング状溝21
B、21Cが同心円状に形成され(同図では2本のリン
グ状溝のみを示してある)、これらのリング状溝21
B、21Cにはガス流路21Aに連通する開口部21E
が複数箇所に形成されている。また、チャック本体21
上面の外周近傍にはシリコンゴム等の柔軟性に富んだ弾
性部材からなるシールリング24が取り付けられ、ウエ
ハチャック2とコンタクタ3とが一体化した時にシール
リング24で内部の気密を保持するようにしてある。従
って、コンタクタ3とウエハチャック2が重なり、ガス
供給管22及びガス排出管23を介して両者2、3間を
不活性ガスによる減圧状態にすると、両者2、3が一体
化して外れなくなる。また、両配管22、23には同図
に(c)に示す弁機構22A、23Aが内蔵され、窒素
ガスを供給し、真空排気を行ってウエハチャック2とコ
ンタクタ3間を減圧状態にした後、各ガス給排管22、
23からガス配管あるいは真空排気管(共に図示せず)
を外すと、弁機構22A、23Aのバネが作動し、弁が
同図に示す位置から右方へ移動して出入口を遮断して空
気の流入を防止し、内部の減圧状態を保持するようにな
っている
上記チャック本体21の上面には複数のリング状溝21
B、21Cが同心円状に形成され(同図では2本のリン
グ状溝のみを示してある)、これらのリング状溝21
B、21Cにはガス流路21Aに連通する開口部21E
が複数箇所に形成されている。また、チャック本体21
上面の外周近傍にはシリコンゴム等の柔軟性に富んだ弾
性部材からなるシールリング24が取り付けられ、ウエ
ハチャック2とコンタクタ3とが一体化した時にシール
リング24で内部の気密を保持するようにしてある。従
って、コンタクタ3とウエハチャック2が重なり、ガス
供給管22及びガス排出管23を介して両者2、3間を
不活性ガスによる減圧状態にすると、両者2、3が一体
化して外れなくなる。また、両配管22、23には同図
に(c)に示す弁機構22A、23Aが内蔵され、窒素
ガスを供給し、真空排気を行ってウエハチャック2とコ
ンタクタ3間を減圧状態にした後、各ガス給排管22、
23からガス配管あるいは真空排気管(共に図示せず)
を外すと、弁機構22A、23Aのバネが作動し、弁が
同図に示す位置から右方へ移動して出入口を遮断して空
気の流入を防止し、内部の減圧状態を保持するようにな
っている
【0021】上記ウエハチャック2とコンタクタ3は上
述のように一体化した状態では、図4に示すようにウエ
ハチャック2で保持されたウエハWの全ての電極パッド
Pとコンタクタ3の電極パッド3Aとが一括して接触
し、導通可能な状態になっている。ウエハWとコンタク
タ3とを一括接触させる場合には、例えば本出願人が特
願平8−297463号明細書において既に提案したウ
エハと接触子の位置合わせ装置(アライメント装置)を
用いることができる。このアライメント装置を用いてウ
エハWの電極パッドPとコンタクタ3の電極パッド3A
とをアライメントして両者を一括接触させた状態で、ウ
エハ保持体2、ウエハW及びコンタクタ3をシェル4と
して一体化する。シェル4として一体化する前に図3の
(b)で示すようにアライメント装置本体内のメインチ
ャック11のスリーピン11Aを利用してウエハチャッ
ク2上でウエハWを授受する。
述のように一体化した状態では、図4に示すようにウエ
ハチャック2で保持されたウエハWの全ての電極パッド
Pとコンタクタ3の電極パッド3Aとが一括して接触
し、導通可能な状態になっている。ウエハWとコンタク
タ3とを一括接触させる場合には、例えば本出願人が特
願平8−297463号明細書において既に提案したウ
エハと接触子の位置合わせ装置(アライメント装置)を
用いることができる。このアライメント装置を用いてウ
エハWの電極パッドPとコンタクタ3の電極パッド3A
とをアライメントして両者を一括接触させた状態で、ウ
エハ保持体2、ウエハW及びコンタクタ3をシェル4と
して一体化する。シェル4として一体化する前に図3の
(b)で示すようにアライメント装置本体内のメインチ
ャック11のスリーピン11Aを利用してウエハチャッ
ク2上でウエハWを授受する。
【0022】従って、図3の(a)、(b)に示すよう
に上記ウエハチャック2にはスリーピン用の貫通孔21
Dがリング状溝21B、21Cの間の3箇所に設けられ
ている。この貫通孔21Dはスリーピン4の外径よりも
大きく形成され、この貫通孔21Dには同図の(b)、
(d)に示すように先端が閉じた円筒状のシリコンゴム
膜25が配置され、その基端部が例えばアルミニウム製
のパッキング26を介してチャック本体21の裏面側に
形成された凹部に対してネジ止めされている。また、パ
ッキング26の外周にはOリング27が装着され、シリ
コンゴム膜25及びOリング27によりウエハチャック
2とコンタクタ3との間の気密を保持し、両者2、3間
の減圧状態を維持するようにしてある。また、スリーピ
ン11Aの先端はシリコンゴム膜25を傷つけないよう
にやや太くしかも丸く形成されている。従って、メイン
チャック11に載置されたウエハチャック2上でウエハ
Wを授受する時には、メインチャック11のスリーピン
11Aが上昇してウエハチャック2の貫通孔21Dに嵌
入し、その後スリーピン11Aがシリコンゴム膜25を
伸ばしながらチャック本体21の上面から同図の(b)
の一点鎖線で示すように突出してもウエハチャック2と
コンタクタ3間の減圧状態を保持する。
に上記ウエハチャック2にはスリーピン用の貫通孔21
Dがリング状溝21B、21Cの間の3箇所に設けられ
ている。この貫通孔21Dはスリーピン4の外径よりも
大きく形成され、この貫通孔21Dには同図の(b)、
(d)に示すように先端が閉じた円筒状のシリコンゴム
膜25が配置され、その基端部が例えばアルミニウム製
のパッキング26を介してチャック本体21の裏面側に
形成された凹部に対してネジ止めされている。また、パ
ッキング26の外周にはOリング27が装着され、シリ
コンゴム膜25及びOリング27によりウエハチャック
2とコンタクタ3との間の気密を保持し、両者2、3間
の減圧状態を維持するようにしてある。また、スリーピ
ン11Aの先端はシリコンゴム膜25を傷つけないよう
にやや太くしかも丸く形成されている。従って、メイン
チャック11に載置されたウエハチャック2上でウエハ
Wを授受する時には、メインチャック11のスリーピン
11Aが上昇してウエハチャック2の貫通孔21Dに嵌
入し、その後スリーピン11Aがシリコンゴム膜25を
伸ばしながらチャック本体21の上面から同図の(b)
の一点鎖線で示すように突出してもウエハチャック2と
コンタクタ3間の減圧状態を保持する。
【0023】また、上記コンタクタ3は、例えば図2及
び図4(a)、(b)に示すように、シリコンゴムシー
ト31Aに導電体31Bがマトリックス状に配置された
異方性導電シート31と、この異方性導電シート31の
各導電体31Bと確実に接触する電極パッド3A、この
電極パッド3Aに対応して形成された接続パッド3B及
びこれらの両電極パッドを接続する多層構造の配線32
Bを有する配線基板32とからなり、これら両者31、
32は一体物として形成されている。そして、コンタク
タ3とウエハWが一体化した状態で、チップTの各電極
パッドPと配線基板32の電極パッド3Aは異方性導電
シート31の導電体31Bを介して互いに導通するよう
になっている。また、配線基板32はウエハWと熱膨張
率が略等しい材料(例えば石英ガラス等のセラミック)
によって形成され、その内部の配線32Bは例えばアル
ミニウム等の導電性に優れた材料によって形成されてい
る。また、導電体31Bは金属微粒子で、コンタクタ3
がウエハWと圧接した時にシリコンゴムシート31Aの
圧縮により金属粒子が互いに接触して導通可能な状態に
なるようにしてある。チップTの電極パッドPと配線基
板32の電極パッド3Aが異方性導電シート31の各導
電体31Bと確実に接触するためには、導電体31Bは
及びの条件を満たすように配置され、異方性導電シ
ート31がウエハW及び配線基板32とランダムに接触
しても図4の(b)に示すように導電体31Bが確実に
チップTの電極パッドP及びコンタクタ3の電極パッド
3Aと確実に接触する必要がある。 隣合う導電体31Bの間隔Aは、図4の(c)に示す
ように電極パッドP、3Aの直径Dよりも小さいこと。 隣合う電極パッドP、3Aの間隔Bは、図4の(d)
に示すように導電体31Bの直径dより大きいこと。
び図4(a)、(b)に示すように、シリコンゴムシー
ト31Aに導電体31Bがマトリックス状に配置された
異方性導電シート31と、この異方性導電シート31の
各導電体31Bと確実に接触する電極パッド3A、この
電極パッド3Aに対応して形成された接続パッド3B及
びこれらの両電極パッドを接続する多層構造の配線32
Bを有する配線基板32とからなり、これら両者31、
32は一体物として形成されている。そして、コンタク
タ3とウエハWが一体化した状態で、チップTの各電極
パッドPと配線基板32の電極パッド3Aは異方性導電
シート31の導電体31Bを介して互いに導通するよう
になっている。また、配線基板32はウエハWと熱膨張
率が略等しい材料(例えば石英ガラス等のセラミック)
によって形成され、その内部の配線32Bは例えばアル
ミニウム等の導電性に優れた材料によって形成されてい
る。また、導電体31Bは金属微粒子で、コンタクタ3
がウエハWと圧接した時にシリコンゴムシート31Aの
圧縮により金属粒子が互いに接触して導通可能な状態に
なるようにしてある。チップTの電極パッドPと配線基
板32の電極パッド3Aが異方性導電シート31の各導
電体31Bと確実に接触するためには、導電体31Bは
及びの条件を満たすように配置され、異方性導電シ
ート31がウエハW及び配線基板32とランダムに接触
しても図4の(b)に示すように導電体31Bが確実に
チップTの電極パッドP及びコンタクタ3の電極パッド
3Aと確実に接触する必要がある。 隣合う導電体31Bの間隔Aは、図4の(c)に示す
ように電極パッドP、3Aの直径Dよりも小さいこと。 隣合う電極パッドP、3Aの間隔Bは、図4の(d)
に示すように導電体31Bの直径dより大きいこと。
【0024】上記シェル4の温度を制御するボトムジャ
ケット9は、図5に示すように、ウエハチャック2と同
様に表面に同心円状に形成された複数のリング状溝9A
と、その内部に形成された排気通路(図示せず)と、こ
の排気通路とリング状溝9Aとを連結する複数の孔とを
有し、ボトムジャケット9上にシェル4が載置された状
態で排気通路を介して図示しない真空排気装置により真
空排気すると、リング状溝9Aによってシェル4を真空
吸着するようにしてある。また、ボトムジャケット9
は、例えば図6に示すように、面ヒータ91及び第1冷
却ジャケット92を内蔵し、ボトムジャケット9上に載
置されたシェル4を所定の検査温度に制御するようにし
てある。そして、面ヒータ91はボトムジャケット9の
表面側に配置され、第1冷却ジャケット92は面ヒータ
91の下方に配置されている。また、面ヒータ91と第
1冷却ジャケット92の間には例えば四フッ化エチレン
樹脂等の断熱性及び耐熱性に優れた熱抵抗シート93が
介在している。熱抵抗シート93は第1冷却ジャケット
92を面ヒータ91から熱的に遮断することにより第1
冷却ジャケット92の過熱状態を防止すると共に面ヒー
タ91の過度な温度上昇を防止し、シェル4を最適な温
度で検査温度を保持するようにしている。つまり、第1
冷却ジャケット92の内部には図6に示すように全面に
行き渡る冷媒流路92Aが形成され、この冷媒流路92
Aを冷媒(本実施例では冷却水)が流れており、この冷
却水が面ヒータ91による加熱により冷却ジャケット9
2内で沸騰し、冷媒としての機能を果たさなくなる虞が
ある。そのため、熱抵抗シート93により面ヒータ91
からの熱流を遮断し、冷媒流路内の冷却水を例えば70
〜80℃に保持し、常に最適な冷却能力を発揮できるよ
うにしてある。このように面ヒータ91と第1冷却ジャ
ケット92を最適な温度に制御することによりシェル4
を常に110℃に保持することができる。
ケット9は、図5に示すように、ウエハチャック2と同
様に表面に同心円状に形成された複数のリング状溝9A
と、その内部に形成された排気通路(図示せず)と、こ
の排気通路とリング状溝9Aとを連結する複数の孔とを
有し、ボトムジャケット9上にシェル4が載置された状
態で排気通路を介して図示しない真空排気装置により真
空排気すると、リング状溝9Aによってシェル4を真空
吸着するようにしてある。また、ボトムジャケット9
は、例えば図6に示すように、面ヒータ91及び第1冷
却ジャケット92を内蔵し、ボトムジャケット9上に載
置されたシェル4を所定の検査温度に制御するようにし
てある。そして、面ヒータ91はボトムジャケット9の
表面側に配置され、第1冷却ジャケット92は面ヒータ
91の下方に配置されている。また、面ヒータ91と第
1冷却ジャケット92の間には例えば四フッ化エチレン
樹脂等の断熱性及び耐熱性に優れた熱抵抗シート93が
介在している。熱抵抗シート93は第1冷却ジャケット
92を面ヒータ91から熱的に遮断することにより第1
冷却ジャケット92の過熱状態を防止すると共に面ヒー
タ91の過度な温度上昇を防止し、シェル4を最適な温
度で検査温度を保持するようにしている。つまり、第1
冷却ジャケット92の内部には図6に示すように全面に
行き渡る冷媒流路92Aが形成され、この冷媒流路92
Aを冷媒(本実施例では冷却水)が流れており、この冷
却水が面ヒータ91による加熱により冷却ジャケット9
2内で沸騰し、冷媒としての機能を果たさなくなる虞が
ある。そのため、熱抵抗シート93により面ヒータ91
からの熱流を遮断し、冷媒流路内の冷却水を例えば70
〜80℃に保持し、常に最適な冷却能力を発揮できるよ
うにしてある。このように面ヒータ91と第1冷却ジャ
ケット92を最適な温度に制御することによりシェル4
を常に110℃に保持することができる。
【0025】また、第1冷却ジャケット92は単にボト
ムジャケット9の温度制御を良好にするばかりでなく、
第1冷却ジャケット92の周囲の温度上昇を抑制する働
きをも有している。また、図2、図7に示すように上記
押圧板7の裏面には第2冷却ジャケット(以下、「トッ
プジャケット」と称す。)12が配設され、このトップ
ジャケット12は内部の冷媒流路12Aを流れる冷却水
によって押圧板7で保持したコンタクタ3を冷却すると
共にこれらの周囲の温度上昇を抑制する働きを有してい
る。従って、温度制御室1A内ではボトムジャケット9
によってウエハチャック2の温度を制御すると共に、第
1冷却ジャケット92、トップジャケット12によって
その周囲の温度上昇を抑制し、温度制御室1Aからの熱
放射を極力抑制するようにしてある。
ムジャケット9の温度制御を良好にするばかりでなく、
第1冷却ジャケット92の周囲の温度上昇を抑制する働
きをも有している。また、図2、図7に示すように上記
押圧板7の裏面には第2冷却ジャケット(以下、「トッ
プジャケット」と称す。)12が配設され、このトップ
ジャケット12は内部の冷媒流路12Aを流れる冷却水
によって押圧板7で保持したコンタクタ3を冷却すると
共にこれらの周囲の温度上昇を抑制する働きを有してい
る。従って、温度制御室1A内ではボトムジャケット9
によってウエハチャック2の温度を制御すると共に、第
1冷却ジャケット92、トップジャケット12によって
その周囲の温度上昇を抑制し、温度制御室1Aからの熱
放射を極力抑制するようにしてある。
【0026】また、上記面ヒータ91及び第1冷却ジャ
ケット92及びトップジャケット12は本実施形態のウ
エハ温度制御装置13の制御下でそれぞれの役割を果た
している。そこで、次に、本実施形態のウエハ温度制御
装置13について図7を参照しながら説明する。このウ
エハ温度制御装置13は、同図に示すように、面ヒータ
91の温度を制御するヒータ温度制御装置14と、第1
冷却ジャケット92及びトップジャケット12へ供給す
る冷却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15とから
なっている。
ケット92及びトップジャケット12は本実施形態のウ
エハ温度制御装置13の制御下でそれぞれの役割を果た
している。そこで、次に、本実施形態のウエハ温度制御
装置13について図7を参照しながら説明する。このウ
エハ温度制御装置13は、同図に示すように、面ヒータ
91の温度を制御するヒータ温度制御装置14と、第1
冷却ジャケット92及びトップジャケット12へ供給す
る冷却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15とから
なっている。
【0027】上記ヒータ温度制御装置14は、図7に示
すように、ウエハチャック2の温度を測定する温度測定
装置141と、この温度測定装置141による検出信号
と予め設定された目標値(例えば110℃)との偏差に
基づいてPID制御信号を送信する第1PID調節計1
42と、この第1PID調節計142のPID制御信号
に基づいて動作するリレー143、このリレー143の
動作に基づいて面ヒータ92の温度を制御するヒータ電
源144を備え、温度センサ141の検出信号と目標値
との偏差に応じてウエハチャック2の温度を迅速に目標
値まで加熱して安定した検査温度を保持するようにして
ある。そして、ウエハチャック2の測定温度と目標値
(110℃)間の間に偏差があると、その偏差量に応じ
て第1PID調節計142がPID制御信号をリレー1
43へ送信し、リレー143を介してヒータ電源144
をPID制御して面ヒータ92を迅速且つ安定的に目標
値と一致させるようにしてある。
すように、ウエハチャック2の温度を測定する温度測定
装置141と、この温度測定装置141による検出信号
と予め設定された目標値(例えば110℃)との偏差に
基づいてPID制御信号を送信する第1PID調節計1
42と、この第1PID調節計142のPID制御信号
に基づいて動作するリレー143、このリレー143の
動作に基づいて面ヒータ92の温度を制御するヒータ電
源144を備え、温度センサ141の検出信号と目標値
との偏差に応じてウエハチャック2の温度を迅速に目標
値まで加熱して安定した検査温度を保持するようにして
ある。そして、ウエハチャック2の測定温度と目標値
(110℃)間の間に偏差があると、その偏差量に応じ
て第1PID調節計142がPID制御信号をリレー1
43へ送信し、リレー143を介してヒータ電源144
をPID制御して面ヒータ92を迅速且つ安定的に目標
値と一致させるようにしてある。
【0028】また、上記冷媒温度制御装置15は、図7
に示すように、第1冷却ジャケット92及びトップジャ
ケット12用の冷却水を貯留する水槽151と、この水
槽151内の冷却水中に挿入された冷媒配管152Aを
有するを冷却器152と、水槽151内の水温を測定す
る温度センサ153と、この温度センサ153による検
出信号と予め設定された目標値との偏差に即して冷却器
152をPID制御する第2PID調節計154とを備
え、温度センサ153の検出信号と目標値との偏差に応
じて水温を迅速に目標値まで冷却して安定した水温を保
持するようにしてある。また、水槽151と第1冷却ジ
ャケット92及びトップジャケット12の冷媒流路92
A、12Aの出入口はそれぞれ往路配管155A(図5
では実線で示してある。)及び復路配管155B(図5
では破線で示してある。)を介して接続され、これらの
両配管155A、155Bを介して冷却水が水槽151
と第1冷却ジャケット92及びトップジャケット12と
の間を循環するようにしてある。往路配管155Aは途
中で二方向に分岐し、一方が第1冷却ジャケット92の
冷媒流路92Aの入口に接続され、他方がトップジャケ
ット12の冷媒流路12Aの入口に接続されている。そ
して、往路配管155Aの分岐点の水槽151寄りにポ
ンプ156が配設され、このポンプ156によって冷却
水を循環させ、往路及び復路それぞれの冷却水の流量を
流量計157によって測定するようにしてある。そし
て、水槽151内の冷却水の測定温度と目標値(例え
ば、40℃)間の間に偏差があると、その偏差量に応じ
て第2PID調節計154がPID制御信号を冷却器1
52へ送信し、冷却器152をPID制御して冷媒配管
152Aにおける冷媒流量を調節して水槽151の水温
を迅速且つ安定的に目標値と一致させるようにしてあ
る。このように冷媒温度制御装置15によって冷却水の
温度を最適制御することにより、第1冷却ジャケット9
2ではボトムジャケット9を冷却すると共にその周囲を
冷却し、トップジャケット12ではコンタクタ3を冷却
すると共にその周囲を冷却し、温度制御室1A内の温度
上昇を抑制するようにしてある。また、冷却器152の
冷媒としては、例えばエチレングリコール、水等が用い
られる。尚、図5において、155Cは帰還配管、15
8A、158B、158Cはバルブであり、第1冷却ジ
ャケット92及びトップジャケット12へ冷却水を供給
しない時にはバルブ158A、158Bを閉じ、バルブ
158Cを開くことで冷却水が水槽151へ戻るように
してある。
に示すように、第1冷却ジャケット92及びトップジャ
ケット12用の冷却水を貯留する水槽151と、この水
槽151内の冷却水中に挿入された冷媒配管152Aを
有するを冷却器152と、水槽151内の水温を測定す
る温度センサ153と、この温度センサ153による検
出信号と予め設定された目標値との偏差に即して冷却器
152をPID制御する第2PID調節計154とを備
え、温度センサ153の検出信号と目標値との偏差に応
じて水温を迅速に目標値まで冷却して安定した水温を保
持するようにしてある。また、水槽151と第1冷却ジ
ャケット92及びトップジャケット12の冷媒流路92
A、12Aの出入口はそれぞれ往路配管155A(図5
では実線で示してある。)及び復路配管155B(図5
では破線で示してある。)を介して接続され、これらの
両配管155A、155Bを介して冷却水が水槽151
と第1冷却ジャケット92及びトップジャケット12と
の間を循環するようにしてある。往路配管155Aは途
中で二方向に分岐し、一方が第1冷却ジャケット92の
冷媒流路92Aの入口に接続され、他方がトップジャケ
ット12の冷媒流路12Aの入口に接続されている。そ
して、往路配管155Aの分岐点の水槽151寄りにポ
ンプ156が配設され、このポンプ156によって冷却
水を循環させ、往路及び復路それぞれの冷却水の流量を
流量計157によって測定するようにしてある。そし
て、水槽151内の冷却水の測定温度と目標値(例え
ば、40℃)間の間に偏差があると、その偏差量に応じ
て第2PID調節計154がPID制御信号を冷却器1
52へ送信し、冷却器152をPID制御して冷媒配管
152Aにおける冷媒流量を調節して水槽151の水温
を迅速且つ安定的に目標値と一致させるようにしてあ
る。このように冷媒温度制御装置15によって冷却水の
温度を最適制御することにより、第1冷却ジャケット9
2ではボトムジャケット9を冷却すると共にその周囲を
冷却し、トップジャケット12ではコンタクタ3を冷却
すると共にその周囲を冷却し、温度制御室1A内の温度
上昇を抑制するようにしてある。また、冷却器152の
冷媒としては、例えばエチレングリコール、水等が用い
られる。尚、図5において、155Cは帰還配管、15
8A、158B、158Cはバルブであり、第1冷却ジ
ャケット92及びトップジャケット12へ冷却水を供給
しない時にはバルブ158A、158Bを閉じ、バルブ
158Cを開くことで冷却水が水槽151へ戻るように
してある。
【0029】ところで、ウエハチャック2の温度測定装
置141に特別の工夫を施し、ウエハチャック2を介し
てウエハWの温度を精度良く測定することで、ウエハ温
度制御装置13の制御精度を高め、ウエハWの信頼性試
験の信頼性を高めている。そこで、このウエハチャック
の温度測定装置を図8の(a)、(b)に基づいて説明
する。この温度測定装置141は、同図に示すように、
ウエハチャック2の温度を検出する棒状の温度センサ1
41Aと、この温度センサ141Aの基端部に形成され
たフランジ状のピストン部141Bを収納するシリンダ
141Cと、このシリンダ141C内に弾装されて温度
センサ141Aを常に上方へ付勢するバネ141Dとを
備え、基台5上の3箇所に設けられている。そして、3
本の温度センサ141Aは、図5及び図8の(a)、
(b)に示すように、ボトムジャケット9の中心から外
周近傍までの間に径方向に等間隔を空けて設けられた3
箇所の貫通孔9Bに嵌入している。この温度センサ14
1Aは、例えば先端の閉じたステンレス製のパイプ内に
熱電対を挿入して構成されている。尚、図8の(a)、
(b)ではウエハチャック2に中心に配置された温度測
定装置141のみ全体を図示し、他は温度センサ141
Aの先端部のみ図示してある。
置141に特別の工夫を施し、ウエハチャック2を介し
てウエハWの温度を精度良く測定することで、ウエハ温
度制御装置13の制御精度を高め、ウエハWの信頼性試
験の信頼性を高めている。そこで、このウエハチャック
の温度測定装置を図8の(a)、(b)に基づいて説明
する。この温度測定装置141は、同図に示すように、
ウエハチャック2の温度を検出する棒状の温度センサ1
41Aと、この温度センサ141Aの基端部に形成され
たフランジ状のピストン部141Bを収納するシリンダ
141Cと、このシリンダ141C内に弾装されて温度
センサ141Aを常に上方へ付勢するバネ141Dとを
備え、基台5上の3箇所に設けられている。そして、3
本の温度センサ141Aは、図5及び図8の(a)、
(b)に示すように、ボトムジャケット9の中心から外
周近傍までの間に径方向に等間隔を空けて設けられた3
箇所の貫通孔9Bに嵌入している。この温度センサ14
1Aは、例えば先端の閉じたステンレス製のパイプ内に
熱電対を挿入して構成されている。尚、図8の(a)、
(b)ではウエハチャック2に中心に配置された温度測
定装置141のみ全体を図示し、他は温度センサ141
Aの先端部のみ図示してある。
【0030】また、上記ウエハチャック2の裏面には貫
通孔9Bに対応する凹部2Aが径方向に3箇所形成され
ている。この凹部2Aはウエハチャック2の裏面から表
面近傍に達する深さに形成され、検査時に温度センサ1
41Aが凹部2Aの最奥部に弾接し、ウエハWに極力近
い位置でウエハチャック2の温度を測定し、ウエハWの
実際温度に極めて近い温度を把握できるようにしてあ
る。この凹部2Aの最奥部からウエハチャック表面まで
の肉厚tは例えば1mmに設定されている。また、ウエ
ハチャック2には熱伝導率に優れた材料、例えばアルミ
ニウム等の金属が用いられ、ウエハ表面から奥部2Aま
での温度勾配が極力小さくなるようにしてある。従っ
て、シェル4が押圧板7を介してボトムジャケット9上
に押圧されると、後述のようにシェル4がボトムジャケ
ット9と密着し、その状態でボトムジャケット9が下降
すると、3本の温度センサ141Aの先端がそれぞれボ
トムジャケット9の表面から突出してウエハチャック2
の凹部2Aに嵌入し、引き続きボトムジャケット9が下
降すると温度センサ141Aの先端はそれぞれ凹部2A
の最奥部にバネ141Dを介して弾接して密着し、ウエ
ハチャック2のウエハWに最も近い位置でウエハチャッ
ク2の温度を測定し、ひいてはウエハWの実際温度に略
等しい温度を把握することができる。尚、この温度セン
サ141Aはバネ141Dを介して例えば15mmの範
囲で昇降するようにしてある。
通孔9Bに対応する凹部2Aが径方向に3箇所形成され
ている。この凹部2Aはウエハチャック2の裏面から表
面近傍に達する深さに形成され、検査時に温度センサ1
41Aが凹部2Aの最奥部に弾接し、ウエハWに極力近
い位置でウエハチャック2の温度を測定し、ウエハWの
実際温度に極めて近い温度を把握できるようにしてあ
る。この凹部2Aの最奥部からウエハチャック表面まで
の肉厚tは例えば1mmに設定されている。また、ウエ
ハチャック2には熱伝導率に優れた材料、例えばアルミ
ニウム等の金属が用いられ、ウエハ表面から奥部2Aま
での温度勾配が極力小さくなるようにしてある。従っ
て、シェル4が押圧板7を介してボトムジャケット9上
に押圧されると、後述のようにシェル4がボトムジャケ
ット9と密着し、その状態でボトムジャケット9が下降
すると、3本の温度センサ141Aの先端がそれぞれボ
トムジャケット9の表面から突出してウエハチャック2
の凹部2Aに嵌入し、引き続きボトムジャケット9が下
降すると温度センサ141Aの先端はそれぞれ凹部2A
の最奥部にバネ141Dを介して弾接して密着し、ウエ
ハチャック2のウエハWに最も近い位置でウエハチャッ
ク2の温度を測定し、ひいてはウエハWの実際温度に略
等しい温度を把握することができる。尚、この温度セン
サ141Aはバネ141Dを介して例えば15mmの範
囲で昇降するようにしてある。
【0031】また、図8の(c)で拡大して示すように
上記シリンダ141Cの内周面には平面構造がコ字状の
位置検出センサ141Eが配設され、温度センサ141
Aがバネ141Cに抗して矢印方向に下降する際、温度
センサ141Aに取り付けられたシャッター141Fが
位置検出センサ141Eの光線を遮ることにより温度セ
ンサ141Aの高さを検出するようにしてある。つま
り、この位置検出センサ141Eによって温度センサ1
41Aの高さを検出することで、ボトムジャケット9上
にシェル4が載置されているか否かを検出するようにし
てある。
上記シリンダ141Cの内周面には平面構造がコ字状の
位置検出センサ141Eが配設され、温度センサ141
Aがバネ141Cに抗して矢印方向に下降する際、温度
センサ141Aに取り付けられたシャッター141Fが
位置検出センサ141Eの光線を遮ることにより温度セ
ンサ141Aの高さを検出するようにしてある。つま
り、この位置検出センサ141Eによって温度センサ1
41Aの高さを検出することで、ボトムジャケット9上
にシェル4が載置されているか否かを検出するようにし
てある。
【0032】また、図8の(a)、(b)に示すように
ボトムジャケット9にはジャケット接合装置16が設け
られ、このジャケット接合装置16によりシェル4とボ
トムジャケット9とを確実に接合するようにしてある。
このジャケット接合装置16は、同図の(a)に示すよ
うに、基台5とボトムジャケット9を連結、支持する複
数の長ボルト161と、これらの長ボルト161をそれ
ぞれ囲みボトムジャケット9を弾力的に支持するバネ1
62とを備えている。これを更に詳述すると、ボトムジ
ャケット9の裏面外周縁部には複数の長ボルト161が
嵌入する凹部が周方向等間隔に形成され、各凹部の中央
には貫通孔が形成されている。また、長ボルト161の
先端には雌ネジ部161Aが形成されている。そして、
長ボルト161の先端部が凹部に嵌入し、その先端部の
雌ネジ部161Aを介してネジ163によってボトムジ
ャケット9に固定されている。また、基台5には複数の
長ボルト161に対応する複数の貫通孔5Aが周方向等
間隔に形成され、これらの貫通孔5Aを長ボルト161
が貫通すると共に各長ボルト161の頭部161Bが基
台5の裏面側で係止するようにしてある。
ボトムジャケット9にはジャケット接合装置16が設け
られ、このジャケット接合装置16によりシェル4とボ
トムジャケット9とを確実に接合するようにしてある。
このジャケット接合装置16は、同図の(a)に示すよ
うに、基台5とボトムジャケット9を連結、支持する複
数の長ボルト161と、これらの長ボルト161をそれ
ぞれ囲みボトムジャケット9を弾力的に支持するバネ1
62とを備えている。これを更に詳述すると、ボトムジ
ャケット9の裏面外周縁部には複数の長ボルト161が
嵌入する凹部が周方向等間隔に形成され、各凹部の中央
には貫通孔が形成されている。また、長ボルト161の
先端には雌ネジ部161Aが形成されている。そして、
長ボルト161の先端部が凹部に嵌入し、その先端部の
雌ネジ部161Aを介してネジ163によってボトムジ
ャケット9に固定されている。また、基台5には複数の
長ボルト161に対応する複数の貫通孔5Aが周方向等
間隔に形成され、これらの貫通孔5Aを長ボルト161
が貫通すると共に各長ボルト161の頭部161Bが基
台5の裏面側で係止するようにしてある。
【0033】従って、前述したように押圧板7を介して
シェル4が下降してシェル4がボトムジャケット9に達
した時、仮にシェル4がボトムジャケット9の表面に対
して多少傾斜していても、シェル4が下降するに連れて
各バネ162が徐々に圧縮されてシェル4によってボト
ムジャケット9が矯正され、シェル4に対してボトムジ
ャケット9が全面で密着した状態で弾力的に接合し、シ
ェル4が水平になってコンタクタ3の全ての接続パッド
3Bとポゴピン10が一括して均等に接触するようにな
っている。バネ162の伸縮範囲は、接合時にボトムジ
ャケット9が例えば10mmの範囲で昇降できるように
設定してある。また、接合時に、上述の温度測定装置1
4のバネ141Dは15mmの範囲で伸縮するようにし
てあるため、バネ141Dの伸縮範囲はバネ162に対
して5mmの余裕があるため、接合時に仮にボトムジャ
ケット9が10mm下降しても温度センサ141Aは常
にウエハチャック2の凹部2Aに対して弾力的に接触す
ることができる。
シェル4が下降してシェル4がボトムジャケット9に達
した時、仮にシェル4がボトムジャケット9の表面に対
して多少傾斜していても、シェル4が下降するに連れて
各バネ162が徐々に圧縮されてシェル4によってボト
ムジャケット9が矯正され、シェル4に対してボトムジ
ャケット9が全面で密着した状態で弾力的に接合し、シ
ェル4が水平になってコンタクタ3の全ての接続パッド
3Bとポゴピン10が一括して均等に接触するようにな
っている。バネ162の伸縮範囲は、接合時にボトムジ
ャケット9が例えば10mmの範囲で昇降できるように
設定してある。また、接合時に、上述の温度測定装置1
4のバネ141Dは15mmの範囲で伸縮するようにし
てあるため、バネ141Dの伸縮範囲はバネ162に対
して5mmの余裕があるため、接合時に仮にボトムジャ
ケット9が10mm下降しても温度センサ141Aは常
にウエハチャック2の凹部2Aに対して弾力的に接触す
ることができる。
【0034】また、図9の(a)に示すように上記ボト
ムジャケット9を囲むベースプレート8上にはポゴピン
ブロック17が配設され、このポゴピンブロック17に
ポゴピン10が植設されている。そこで、このポゴピン
ブロック17について詳述する。このポゴピンブロック
17は、例えば図9の(a)に示すように、ボトムジャ
ケット9が臨む孔17Aの中心から放射状に4分割され
た構造で、各部位はそれぞれブロックエレメント171
として形成されている。そして、隣合うブロックエレメ
ント171間には例えば1mmの隙間δが形成され、各
隙間δで各ブロックエレメント171の熱膨張を吸収す
るようにしてある。このようにポゴピンブロック17を
4分割することにより、各ブロックエレメント171の
熱膨張による寸法変化を小さくし、図9の(b)に示す
ように信頼性試験時にブロックエレメント171が熱膨
張しても、ポゴピン10は例えば実線位置から一点鎖線
位置まで移動するに過ぎず、コンタクタ3の接続パッド
3Bから外れることなく確実に接触するようにしてあ
る。仮に、ポゴピンブロック17’が図10の(a)に
示すように一体物のブロックから形成されている場合に
は、ポゴピンブロック17’がブロックエレメント17
1の4倍の大きさであるため、ポゴピンブロック17’
の熱膨張による寸法変化が大きく、同図の(b)に示す
ようにポゴピン10は実線位置から一点鎖線位置まで移
動しコンタクタ3の接続パッド3Bから外れ、検査の信
頼性を低下させる虞がある。例えば、図9の(a)に示
すポゴピンブロック17が、縦310mm、横310m
m、厚さ30mmの場合には、外側のポゴピン10で図
9の(b)におけるズレ量は300μmであったが、図
10の(a)に示す一体物のポゴピンブロック17’の
場合には図9の(a)に示すポゴピンブロック17と同
じ大きさであっても図10の(b)におけるズレ量は6
00μmであった。従って、ポゴピンブロック17を4
分割することで、ポゴピン10のズレ量を半減すること
ができ、それだけポゴピン10がコンタクタ3の接続パ
ッド3Bとの確実に接触して接触が安定して検査の信頼
性を高めることができる。このポゴピンブロック17は
例えばガラス繊維入りポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂等の合成樹脂によって矩形状に形成され、熱膨張
率が極力コンタクタ3と近いものが好ましい。
ムジャケット9を囲むベースプレート8上にはポゴピン
ブロック17が配設され、このポゴピンブロック17に
ポゴピン10が植設されている。そこで、このポゴピン
ブロック17について詳述する。このポゴピンブロック
17は、例えば図9の(a)に示すように、ボトムジャ
ケット9が臨む孔17Aの中心から放射状に4分割され
た構造で、各部位はそれぞれブロックエレメント171
として形成されている。そして、隣合うブロックエレメ
ント171間には例えば1mmの隙間δが形成され、各
隙間δで各ブロックエレメント171の熱膨張を吸収す
るようにしてある。このようにポゴピンブロック17を
4分割することにより、各ブロックエレメント171の
熱膨張による寸法変化を小さくし、図9の(b)に示す
ように信頼性試験時にブロックエレメント171が熱膨
張しても、ポゴピン10は例えば実線位置から一点鎖線
位置まで移動するに過ぎず、コンタクタ3の接続パッド
3Bから外れることなく確実に接触するようにしてあ
る。仮に、ポゴピンブロック17’が図10の(a)に
示すように一体物のブロックから形成されている場合に
は、ポゴピンブロック17’がブロックエレメント17
1の4倍の大きさであるため、ポゴピンブロック17’
の熱膨張による寸法変化が大きく、同図の(b)に示す
ようにポゴピン10は実線位置から一点鎖線位置まで移
動しコンタクタ3の接続パッド3Bから外れ、検査の信
頼性を低下させる虞がある。例えば、図9の(a)に示
すポゴピンブロック17が、縦310mm、横310m
m、厚さ30mmの場合には、外側のポゴピン10で図
9の(b)におけるズレ量は300μmであったが、図
10の(a)に示す一体物のポゴピンブロック17’の
場合には図9の(a)に示すポゴピンブロック17と同
じ大きさであっても図10の(b)におけるズレ量は6
00μmであった。従って、ポゴピンブロック17を4
分割することで、ポゴピン10のズレ量を半減すること
ができ、それだけポゴピン10がコンタクタ3の接続パ
ッド3Bとの確実に接触して接触が安定して検査の信頼
性を高めることができる。このポゴピンブロック17は
例えばガラス繊維入りポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂等の合成樹脂によって矩形状に形成され、熱膨張
率が極力コンタクタ3と近いものが好ましい。
【0035】また、上記ブロックエレメント171の隅
角部にはガイド孔171Aが形成され、このガイド孔1
71Aとこのガイド孔171Aに対応して形成された基
台5のガイド孔(図示せず)とを基準にしてブロックエ
レメント171を所定の取付位置へ位置決めするように
してある。更に、ブロックエレメント171には複数の
ネジ等の締結部材用の締結用孔171Bが形成され、こ
れらの締結用孔171Bに対応して形成された基台5の
締結用ネジ孔とを基準にしてブロックエレメント171
を所定の取付位置へ締結固定するようにしてある。従っ
て、ブロックエレメント171及び基台5それぞれのガ
イド孔171Aにガイドピン(図示せず)を通した後、
ブロックエレメント171と基台5を締結部材によって
締結することで、ブロックエレメント171を所定の取
付位置へ正確に固定することができる。ブロックエレメ
ント171の締結用孔はブロックエレメント171の熱
膨張による寸法変化を吸収する余裕代がある。
角部にはガイド孔171Aが形成され、このガイド孔1
71Aとこのガイド孔171Aに対応して形成された基
台5のガイド孔(図示せず)とを基準にしてブロックエ
レメント171を所定の取付位置へ位置決めするように
してある。更に、ブロックエレメント171には複数の
ネジ等の締結部材用の締結用孔171Bが形成され、こ
れらの締結用孔171Bに対応して形成された基台5の
締結用ネジ孔とを基準にしてブロックエレメント171
を所定の取付位置へ締結固定するようにしてある。従っ
て、ブロックエレメント171及び基台5それぞれのガ
イド孔171Aにガイドピン(図示せず)を通した後、
ブロックエレメント171と基台5を締結部材によって
締結することで、ブロックエレメント171を所定の取
付位置へ正確に固定することができる。ブロックエレメ
ント171の締結用孔はブロックエレメント171の熱
膨張による寸法変化を吸収する余裕代がある。
【0036】次いで、動作について説明する。図1で示
すようにウエハ収納室1内へシェル4を装着する前に、
まずアライメント装置を用いてウエハチャック2、ウエ
ハW及びコンタクタ3をシェル4として一体化する。そ
れには図3の(b)に示すようにアライメント装置のメ
インチャック11上にウエハチャック2を載置する。メ
インチャック11上にウエハチャック2を載置した後、
ウエハWをウエハチャック2上へ搬送すると、この時点
でメインチャック11ではスリーピン11Aが上昇し、
ウエハチャック2の貫通孔21D内に嵌入し、図3の
(b)に一点鎖線で示すようにシリコンゴム膜25を伸
ばしながらウエハチャック2表面から突出してウエハW
を待機している。その後、ウエハチャック2においてウ
エハWを受け取るとスリーピン11Aはメインチャック
11内へ後退して元の位置へ戻り、ウエハWをウエハチ
ャック2上へ載置する。この動作と並行してコンタクタ
3をメインチャック11の上方の所定位置に配置する。
次いで、ウエハWの電極パッドPとコンタクタ3のバン
プ端子3Aとをそれぞれ図示しないCCDカメラ等の撮
像素子で読み取り、ウエハWの電極パッドPの中から代
表的な電極パッドPの位置座標を求めると共に、これら
の電極パッドPに対応するコンタクタ3のバンプ端子3
Aの位置座標を求めた後、これらの座標値に基づいてメ
インチャック11がX、Y及びθ方向に移動して両者
P、3Aのアライメント動作を行い、アライメント後、
メインチャック2が上昇して全電極パッドPとこれらに
対応するバンプ端子3Aとを一括接触させる。
すようにウエハ収納室1内へシェル4を装着する前に、
まずアライメント装置を用いてウエハチャック2、ウエ
ハW及びコンタクタ3をシェル4として一体化する。そ
れには図3の(b)に示すようにアライメント装置のメ
インチャック11上にウエハチャック2を載置する。メ
インチャック11上にウエハチャック2を載置した後、
ウエハWをウエハチャック2上へ搬送すると、この時点
でメインチャック11ではスリーピン11Aが上昇し、
ウエハチャック2の貫通孔21D内に嵌入し、図3の
(b)に一点鎖線で示すようにシリコンゴム膜25を伸
ばしながらウエハチャック2表面から突出してウエハW
を待機している。その後、ウエハチャック2においてウ
エハWを受け取るとスリーピン11Aはメインチャック
11内へ後退して元の位置へ戻り、ウエハWをウエハチ
ャック2上へ載置する。この動作と並行してコンタクタ
3をメインチャック11の上方の所定位置に配置する。
次いで、ウエハWの電極パッドPとコンタクタ3のバン
プ端子3Aとをそれぞれ図示しないCCDカメラ等の撮
像素子で読み取り、ウエハWの電極パッドPの中から代
表的な電極パッドPの位置座標を求めると共に、これら
の電極パッドPに対応するコンタクタ3のバンプ端子3
Aの位置座標を求めた後、これらの座標値に基づいてメ
インチャック11がX、Y及びθ方向に移動して両者
P、3Aのアライメント動作を行い、アライメント後、
メインチャック2が上昇して全電極パッドPとこれらに
対応するバンプ端子3Aとを一括接触させる。
【0037】この時点で、例えば既にウエハチャック2
はガス給排管22、23を介して窒素ガス置換及び真空
排気が可能な状態になっている。そこで、ガス供給管2
2から窒素ガスを供給しウエハチャック2とコンタクタ
3間の空気を窒素置換する。次いで、窒素ガス供給源を
ガス供給管22から外すと、ガス供給管22の弁機構2
2A、23Aが作動してガス流路21Aを閉じる。一
方、ガス排気管23から真空引きするとガス流路21
A、ウエハチャック2の表面のリング状溝21B、21
Cを介してウエハチャック2とコンタクタ3との間の窒
素ガスを真空排気し、ウエハWの電極パッドPとコンタ
クタ3の電極パッド3Aとが図4に示すように一括して
接触し、コンタクタ3によって全てのチップをウエハ状
態のまま一括検査できる状態のシェル4になる。電極パ
ッドPの高さにバラツキがあっても異方性導電シート3
1によってバラツキを吸収することができる。このよう
にウエハチャック2とコンタクタ3間を減圧状態にして
も、減圧空間はウエハチャック2の周囲がシールリング
24によって外部から遮断され、また、スリーピン用の
貫通孔21Dはシリコンゴム膜25によって外部から遮
断されているため、減圧状態を確実に保持することがで
きる。
はガス給排管22、23を介して窒素ガス置換及び真空
排気が可能な状態になっている。そこで、ガス供給管2
2から窒素ガスを供給しウエハチャック2とコンタクタ
3間の空気を窒素置換する。次いで、窒素ガス供給源を
ガス供給管22から外すと、ガス供給管22の弁機構2
2A、23Aが作動してガス流路21Aを閉じる。一
方、ガス排気管23から真空引きするとガス流路21
A、ウエハチャック2の表面のリング状溝21B、21
Cを介してウエハチャック2とコンタクタ3との間の窒
素ガスを真空排気し、ウエハWの電極パッドPとコンタ
クタ3の電極パッド3Aとが図4に示すように一括して
接触し、コンタクタ3によって全てのチップをウエハ状
態のまま一括検査できる状態のシェル4になる。電極パ
ッドPの高さにバラツキがあっても異方性導電シート3
1によってバラツキを吸収することができる。このよう
にウエハチャック2とコンタクタ3間を減圧状態にして
も、減圧空間はウエハチャック2の周囲がシールリング
24によって外部から遮断され、また、スリーピン用の
貫通孔21Dはシリコンゴム膜25によって外部から遮
断されているため、減圧状態を確実に保持することがで
きる。
【0038】その後、図示しない搬送機構を介してアラ
イメント装置からシェル4を搬出し、図1に示すように
ウエハ収納室1まで搬送し、ウエハ収納室1内へシェル
4を搬入する。ウエハ収納室1内ではクランプ機構によ
りシェル4をクランプした後、4箇所のシリンダ機構6
が駆動し、押圧板7を介してシェル4をボトムジャケッ
ト9まで押し下げる。押圧板7が下降しボトムジャケッ
ト9に達した時点で、万一各シリンダ機構6によって押
圧板7を水平に下降させることができず、シェル4とボ
トムジャケット9の間に多少の傾斜があっても、シェル
4がボトムジャケット9と接合する際に、ジャケット接
合装置16の複数のバネ162によりその傾斜を吸収し
つつシェル4とボトムジャケット9が密着し、弾力的に
接合する。そして、押圧板7が下降端に達すると、シェ
ル4のウエハチャック2とボトムジャケット9は均一に
密着すると共にシェル4のコンタクタ3の全ての接続パ
ッド3Bは対応するポゴピン10と電気的に一括して均
一に接触し、ウエハWの全てのチップをウエハ状態のま
ま一括して信頼性試験できる導通可能な状態になる。
イメント装置からシェル4を搬出し、図1に示すように
ウエハ収納室1まで搬送し、ウエハ収納室1内へシェル
4を搬入する。ウエハ収納室1内ではクランプ機構によ
りシェル4をクランプした後、4箇所のシリンダ機構6
が駆動し、押圧板7を介してシェル4をボトムジャケッ
ト9まで押し下げる。押圧板7が下降しボトムジャケッ
ト9に達した時点で、万一各シリンダ機構6によって押
圧板7を水平に下降させることができず、シェル4とボ
トムジャケット9の間に多少の傾斜があっても、シェル
4がボトムジャケット9と接合する際に、ジャケット接
合装置16の複数のバネ162によりその傾斜を吸収し
つつシェル4とボトムジャケット9が密着し、弾力的に
接合する。そして、押圧板7が下降端に達すると、シェ
ル4のウエハチャック2とボトムジャケット9は均一に
密着すると共にシェル4のコンタクタ3の全ての接続パ
ッド3Bは対応するポゴピン10と電気的に一括して均
一に接触し、ウエハWの全てのチップをウエハ状態のま
ま一括して信頼性試験できる導通可能な状態になる。
【0039】一方、ジャケット接合装置16を介してウ
エハチャック2に対してボトムジャケット9が接合する
過程で、ウエハチャック2がボトムジャケット9が接合
し、この状態でジャケット接合装置16のバネ162の
弾力に抗してボトムジャケット9が更に下降すると、温
度測定装置141の温度センサ141Aがボトムジャケ
ット9の表面から徐々に突き出てウエハチャック2の裏
面の凹部2A内に嵌入する。そして、ボトムジャケット
9が下降端に達する前に、温度センサ141Aが凹部2
Aの最奥部に接触してバネ141Dが圧縮することで温
度センサ141Dの先端が凹部2Aの最奥部に弾力的に
接触し、ウエハWとは1mmだけ離れた位置でウエハチ
ャック2の温度を測定できる状態になる。しかも、位置
検出センサ141Eによって温度センサ141Aの位置
を検出することで、シェル4がボトムジャケット9上に
存在するか否かを確実に検出することができる。
エハチャック2に対してボトムジャケット9が接合する
過程で、ウエハチャック2がボトムジャケット9が接合
し、この状態でジャケット接合装置16のバネ162の
弾力に抗してボトムジャケット9が更に下降すると、温
度測定装置141の温度センサ141Aがボトムジャケ
ット9の表面から徐々に突き出てウエハチャック2の裏
面の凹部2A内に嵌入する。そして、ボトムジャケット
9が下降端に達する前に、温度センサ141Aが凹部2
Aの最奥部に接触してバネ141Dが圧縮することで温
度センサ141Dの先端が凹部2Aの最奥部に弾力的に
接触し、ウエハWとは1mmだけ離れた位置でウエハチ
ャック2の温度を測定できる状態になる。しかも、位置
検出センサ141Eによって温度センサ141Aの位置
を検出することで、シェル4がボトムジャケット9上に
存在するか否かを確実に検出することができる。
【0040】次いで、信頼性試験を開始すると、ウエハ
温度制御装置13が作動してウエハWを検査温度(11
0℃)まで加熱し、その温度を検査温度に制御する。こ
の際、ヒータ温度制御装置14ではヒータ電源144が
ONになって面ヒータ91を介してウエハチャック2を
裏面から加熱する。すると、温度測定装置141の温度
センサ141Aでウエハチャック2の温度を測定し、そ
の検出信号をPID調節計142へ送信する。PID調
節計142では目標値(検査温度)との偏差に応じて制
御信号をリレー143へ送信すると、リレー143を介
してヒータ電源144をPID制御し、偏差に応じてヒ
ータ電源144から面ヒータ91に電力を印加し、面ヒ
ータ91を介してウエハチャック2の温度を短時間で検
査温度まで高める。一方、冷媒温度制御装置15ではバ
ルブ158A、158Bが開くと共にポンプ156が駆
動し、水槽151内の冷却水を往路配管155Aを介し
てボトムジャケット9の第1冷却ジャケット92及びト
ップジャケット12へ供給する。冷却水はそれぞれの冷
媒流路92A、12Aを通って復路配管155Bを経由
して水槽151へ戻り、冷却水の循環を開始し、ボトム
ジャケット9及びトップジャケット12をそれぞれ冷却
する。
温度制御装置13が作動してウエハWを検査温度(11
0℃)まで加熱し、その温度を検査温度に制御する。こ
の際、ヒータ温度制御装置14ではヒータ電源144が
ONになって面ヒータ91を介してウエハチャック2を
裏面から加熱する。すると、温度測定装置141の温度
センサ141Aでウエハチャック2の温度を測定し、そ
の検出信号をPID調節計142へ送信する。PID調
節計142では目標値(検査温度)との偏差に応じて制
御信号をリレー143へ送信すると、リレー143を介
してヒータ電源144をPID制御し、偏差に応じてヒ
ータ電源144から面ヒータ91に電力を印加し、面ヒ
ータ91を介してウエハチャック2の温度を短時間で検
査温度まで高める。一方、冷媒温度制御装置15ではバ
ルブ158A、158Bが開くと共にポンプ156が駆
動し、水槽151内の冷却水を往路配管155Aを介し
てボトムジャケット9の第1冷却ジャケット92及びト
ップジャケット12へ供給する。冷却水はそれぞれの冷
媒流路92A、12Aを通って復路配管155Bを経由
して水槽151へ戻り、冷却水の循環を開始し、ボトム
ジャケット9及びトップジャケット12をそれぞれ冷却
する。
【0041】ウエハチャック2が検査温度に達すると、
温度センサ141Aの検出信号に基づいてPID調節計
142が作動してヒータ電源144をPID制御し、そ
の供給電力を略一定の状態にしてウエハチャック2を検
査温度に保持する。この間、ボトムジャケット9及びト
ップジャケット12を冷却水により冷却するが、冷却水
の温度は面ヒータ91の熱を吸収して昇温する。しか
し、面ヒータ91と第1冷却ジャケット92間には熱抵
抗シート93が介在しているため、面ヒータ91から第
1冷却ジャケット92への熱流の多くは熱抵抗シート9
3によって遮断され、冷却水の過度な温度上昇を防止
し、冷媒流路92Aでの冷却水の沸騰を防止し、ボトム
ジャケット9を効率良く冷却する。しかし、ウエハチャ
ック2が検査温度に達すると、ボトムジャケット9及び
トップジャケット12から水槽151へ戻る冷却水の温
度は70〜80℃前後に達している。そのため、水槽1
51内の冷却水を冷却器152によって常に冷却効率の
良い温度(例えば、40℃)まで冷却している。冷却水
の温度は常に温度センサ153によって検出され、検出
信号をPID調節計154へ送信することで、冷却器1
52をPID制御して常に冷媒の流量を調節し、水槽1
51内の冷却水が常に一定の温度に保持されている。そ
の結果、第1冷却ジャケット92によってボトムジャケ
ット9の周囲の温度上昇を抑制すると共に、トップジャ
ケット12によってコンタクタ3の温度上昇及びその周
囲の温度上昇を抑制し、ひいては温度制御室1A内の温
度上昇を抑制し、ひいてはウエハ収納室1周囲への熱放
散を抑制している。
温度センサ141Aの検出信号に基づいてPID調節計
142が作動してヒータ電源144をPID制御し、そ
の供給電力を略一定の状態にしてウエハチャック2を検
査温度に保持する。この間、ボトムジャケット9及びト
ップジャケット12を冷却水により冷却するが、冷却水
の温度は面ヒータ91の熱を吸収して昇温する。しか
し、面ヒータ91と第1冷却ジャケット92間には熱抵
抗シート93が介在しているため、面ヒータ91から第
1冷却ジャケット92への熱流の多くは熱抵抗シート9
3によって遮断され、冷却水の過度な温度上昇を防止
し、冷媒流路92Aでの冷却水の沸騰を防止し、ボトム
ジャケット9を効率良く冷却する。しかし、ウエハチャ
ック2が検査温度に達すると、ボトムジャケット9及び
トップジャケット12から水槽151へ戻る冷却水の温
度は70〜80℃前後に達している。そのため、水槽1
51内の冷却水を冷却器152によって常に冷却効率の
良い温度(例えば、40℃)まで冷却している。冷却水
の温度は常に温度センサ153によって検出され、検出
信号をPID調節計154へ送信することで、冷却器1
52をPID制御して常に冷媒の流量を調節し、水槽1
51内の冷却水が常に一定の温度に保持されている。そ
の結果、第1冷却ジャケット92によってボトムジャケ
ット9の周囲の温度上昇を抑制すると共に、トップジャ
ケット12によってコンタクタ3の温度上昇及びその周
囲の温度上昇を抑制し、ひいては温度制御室1A内の温
度上昇を抑制し、ひいてはウエハ収納室1周囲への熱放
散を抑制している。
【0042】また、温度制御室1A内の昇温によりポゴ
ピンブロック17が熱膨張する。ところが、ポゴピンブ
ロック17は4枚のブロックエレメント171に分割さ
れているため、各ブロックエレメント171はポゴピン
ブロック17が分割されていない場合と比較して熱膨張
による寸法変化が格段に小さい。従って、ポゴピンブロ
ック17に植設されたポゴピン10はコンタクタ3の接
続パッド3Bと安定且つ確実に接触している。しかも各
ブロックエレメント171間には1mmの間隔があるた
め、これらの隙間δで各ブロックエレメント171の熱
膨張を吸収することができる。
ピンブロック17が熱膨張する。ところが、ポゴピンブ
ロック17は4枚のブロックエレメント171に分割さ
れているため、各ブロックエレメント171はポゴピン
ブロック17が分割されていない場合と比較して熱膨張
による寸法変化が格段に小さい。従って、ポゴピンブロ
ック17に植設されたポゴピン10はコンタクタ3の接
続パッド3Bと安定且つ確実に接触している。しかも各
ブロックエレメント171間には1mmの間隔があるた
め、これらの隙間δで各ブロックエレメント171の熱
膨張を吸収することができる。
【0043】ウエハ温度制御装置13の制御下でウエハ
Wが検査温度に達したら、図2に示すようにドライバか
らコネクタ、ポゴピン10、コンタクタ3を介してウエ
ハWへテスト信号S1を送信すると、ウエハWから検査
結果信号S2を逆の経路を辿ってテスタへ送信し、ウエ
ハ状態のまま全チップについて信頼性試験を行うことが
できる。
Wが検査温度に達したら、図2に示すようにドライバか
らコネクタ、ポゴピン10、コンタクタ3を介してウエ
ハWへテスト信号S1を送信すると、ウエハWから検査
結果信号S2を逆の経路を辿ってテスタへ送信し、ウエ
ハ状態のまま全チップについて信頼性試験を行うことが
できる。
【0044】以上説明したように本実施形態によれば、
コンタクタ3と協働してこのコンタクタ3と一括接触し
た状態のウエハWを保持したウエハチャック2とボトム
ジャケット9とが接触してウエハWの温度を制御するウ
エハ温度制御装置13として、ボトムジャケット9内の
上面近傍に設けられた面ヒータ91と、この面ヒータ9
1の下方に設けられた冷却通路92Aと、この冷却通路
92Aと面ヒータ91の間に介在する熱抵抗シート93
と、ウエハチャック2の温度を検出する温度センサ14
1Aとを備え、面ヒータ91に温度センサ141Aの検
出信号に基づいて面ヒータ91の発熱量を制御するヒー
タ温度制御装置14を接続すると共に、冷媒通路92A
にその冷却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15を
接続したため、ヒータ温度制御装置14と冷媒温度制御
装置15が協働してウエハWを迅速に昇温すると共にウ
エハ温度を温度センサ141Aにより検出し、温度セン
サ141Aの検出信号と目標値である検査温度との偏差
に応じて両温度制御装置14、15が協働してウエハ温
度を検査温度で安定的に保持することができ、ひいては
検査の信頼性を確保することができる。しかも、面ヒー
タ91と冷却通路92Aの間に熱抵抗シート93が介在
しているため、面ヒータ91によって冷却通路92A内
を流れる冷却水の沸騰を防止し、冷却水の冷却能力を安
定化することができる。
コンタクタ3と協働してこのコンタクタ3と一括接触し
た状態のウエハWを保持したウエハチャック2とボトム
ジャケット9とが接触してウエハWの温度を制御するウ
エハ温度制御装置13として、ボトムジャケット9内の
上面近傍に設けられた面ヒータ91と、この面ヒータ9
1の下方に設けられた冷却通路92Aと、この冷却通路
92Aと面ヒータ91の間に介在する熱抵抗シート93
と、ウエハチャック2の温度を検出する温度センサ14
1Aとを備え、面ヒータ91に温度センサ141Aの検
出信号に基づいて面ヒータ91の発熱量を制御するヒー
タ温度制御装置14を接続すると共に、冷媒通路92A
にその冷却水の温度を制御する冷媒温度制御装置15を
接続したため、ヒータ温度制御装置14と冷媒温度制御
装置15が協働してウエハWを迅速に昇温すると共にウ
エハ温度を温度センサ141Aにより検出し、温度セン
サ141Aの検出信号と目標値である検査温度との偏差
に応じて両温度制御装置14、15が協働してウエハ温
度を検査温度で安定的に保持することができ、ひいては
検査の信頼性を確保することができる。しかも、面ヒー
タ91と冷却通路92Aの間に熱抵抗シート93が介在
しているため、面ヒータ91によって冷却通路92A内
を流れる冷却水の沸騰を防止し、冷却水の冷却能力を安
定化することができる。
【0045】また、ヒータ制御装置14及び冷媒温度制
御装置15はいずれもPID調節計142、154を備
えているため、温度センサ141、154の検出信号に
基づいてウエハチャック2及び水槽151中の冷却水を
迅速に目標温度に設定し、安定化することができる。ま
た、温度センサ141Aはボトムジャケット9を貫通し
てウエハチャック2の凹部2Aに弾接しているため、ウ
エハWの実際温度をより正確に検出し、ウエハ温度を精
度良く測定することができる。しかも、ボトムジャケッ
ト9を冷却水によって冷却しているため、ウエハWの周
囲を低コストで安定した冷却を行うことができる。
御装置15はいずれもPID調節計142、154を備
えているため、温度センサ141、154の検出信号に
基づいてウエハチャック2及び水槽151中の冷却水を
迅速に目標温度に設定し、安定化することができる。ま
た、温度センサ141Aはボトムジャケット9を貫通し
てウエハチャック2の凹部2Aに弾接しているため、ウ
エハWの実際温度をより正確に検出し、ウエハ温度を精
度良く測定することができる。しかも、ボトムジャケッ
ト9を冷却水によって冷却しているため、ウエハWの周
囲を低コストで安定した冷却を行うことができる。
【0046】尚、上記実施形態では、ウエハチャック2
及び水槽151中の冷却水の温度制御手法としてPID
調節計142、154を用いたものについて説明した
が、その他の従来公知の制御手法も用いることができ
る。また、上記実施形態ではボトムジャケット9及びト
ップジャケット12の冷媒として冷却水を用いたものに
ついて説明したが、冷却水以外の従来公知の冷媒を用い
ることもできる。また、上記実施形態ではウエハ収納室
1を水平に配置して使用した場合について説明したが、
ウエハ収納室1を垂直に立てて使用するようにしても良
い。従って、ウエハ収納室1内の温度制御体とウエハ保
持体の位置関係は相対的に変わり、これら両者の相対的
な位置関係によってウエハ保持体と温度制御体の接合方
向が上下方向あるいは横方向にるが、これらの何れの場
合であっても本発明に包含されることになる。
及び水槽151中の冷却水の温度制御手法としてPID
調節計142、154を用いたものについて説明した
が、その他の従来公知の制御手法も用いることができ
る。また、上記実施形態ではボトムジャケット9及びト
ップジャケット12の冷媒として冷却水を用いたものに
ついて説明したが、冷却水以外の従来公知の冷媒を用い
ることもできる。また、上記実施形態ではウエハ収納室
1を水平に配置して使用した場合について説明したが、
ウエハ収納室1を垂直に立てて使用するようにしても良
い。従って、ウエハ収納室1内の温度制御体とウエハ保
持体の位置関係は相対的に変わり、これら両者の相対的
な位置関係によってウエハ保持体と温度制御体の接合方
向が上下方向あるいは横方向にるが、これらの何れの場
合であっても本発明に包含されることになる。
【0047】
【発明の効果】本発明の請求項1及び請求項5に記載の
発明によれば、信頼性試験時にウエハの温度をより正確
に把握することができると共に検査温度を安定化するこ
とができ、ひいては検査の信頼性を確保することができ
るウエハ温度制御装置及びウエハ収納室を提供すること
ができる。
発明によれば、信頼性試験時にウエハの温度をより正確
に把握することができると共に検査温度を安定化するこ
とができ、ひいては検査の信頼性を確保することができ
るウエハ温度制御装置及びウエハ収納室を提供すること
ができる。
【0048】また、本発明の請求項2及び請求項6に記
載の発明によれば、ウエハを検査温度まで迅速に昇温
し、検査温度を安定化することができるウエハ温度制御
装置及びウエハ収納室を提供することができる。
載の発明によれば、ウエハを検査温度まで迅速に昇温
し、検査温度を安定化することができるウエハ温度制御
装置及びウエハ収納室を提供することができる。
【0049】また、本発明の請求項3及び請求項5に記
載の発明によれば、ウエハの実際の温度をより正確に検
出することができるウエハ温度制御装置を提供すること
ができる。
載の発明によれば、ウエハの実際の温度をより正確に検
出することができるウエハ温度制御装置を提供すること
ができる。
【0050】また、本発明の請求項4及び請求項8に記
載の発明によれば、ウエハWの周囲を低コストで安定し
た冷却を行うことができるウエハ温度制御装置及びウエ
ハ収納室を提供することができる。
載の発明によれば、ウエハWの周囲を低コストで安定し
た冷却を行うことができるウエハ温度制御装置及びウエ
ハ収納室を提供することができる。
【図1】本発明のウエハ収納室の一実施形態であるウエ
ハ収納室へシェルを収納する状態を示す斜視図である。
ハ収納室へシェルを収納する状態を示す斜視図である。
【図2】図1に示すウエハ収納室を用いて信頼性試験を
行う時の信号の授受を説明するための説明図である。
行う時の信号の授受を説明するための説明図である。
【図3】図1に示すウエハチャックを示す図で、(a)
はその斜視図、(b)はその要部断面図、(c)はガス
給排管の弁機構を示す断面図、(d)は(b)に示す要
部に用いられるシール部材を示す斜視図である。
はその斜視図、(b)はその要部断面図、(c)はガス
給排管の弁機構を示す断面図、(d)は(b)に示す要
部に用いられるシール部材を示す斜視図である。
【図4】図1に示すウエハとコンタクタとが一括接触し
た状態を示す図で、(a)はチップとコンタクタの異方
性導電シートの関係を示す平面図、(b)は(a)の断
面図、(c)及び(d)はそれぞれ電極パッドと異方性
導電シートの導電体との関係を示す平面図である。
た状態を示す図で、(a)はチップとコンタクタの異方
性導電シートの関係を示す平面図、(b)は(a)の断
面図、(c)及び(d)はそれぞれ電極パッドと異方性
導電シートの導電体との関係を示す平面図である。
【図5】図2に示すボトムジャケットを取り出して示す
斜視図である。
斜視図である。
【図6】図5に示すボトムジャケットの断面図である。
【図7】図1に示す本発明の一実施形態であるウエハ温
度制御装置を示すブロック図である。
度制御装置を示すブロック図である。
【図8】図2に示すボトムジャケットのジャケット接合
装置及びウエハ温度測定装置を模式的に示す断面図で、
(a)はシェルを装着する前の状態を示す図、(b)は
シェルを装着した後の状態を示す図、(c)は温度セン
サと位置検出センサの関係を示す拡大図である。
装置及びウエハ温度測定装置を模式的に示す断面図で、
(a)はシェルを装着する前の状態を示す図、(b)は
シェルを装着した後の状態を示す図、(c)は温度セン
サと位置検出センサの関係を示す拡大図である。
【図9】図1に示すポゴピンブロックを示す図で、
(a)はポゴピンが立設されたポゴピンブロックを示す
斜視図、(b)は(a)のポゴピンとコンタクタが接触
する時の熱的影響を示す模式図である。
(a)はポゴピンが立設されたポゴピンブロックを示す
斜視図、(b)は(a)のポゴピンとコンタクタが接触
する時の熱的影響を示す模式図である。
【図10】図9に示すポゴピンブロックと比較するため
の他のポゴピンブロックを示す図で、(a)はポゴピン
が立設されたポゴピンブロックを示す斜視図、(b)は
(a)のポゴピンとコンタクタが接触する時の熱的影響
を示す模式図である。
の他のポゴピンブロックを示す図で、(a)はポゴピン
が立設されたポゴピンブロックを示す斜視図、(b)は
(a)のポゴピンとコンタクタが接触する時の熱的影響
を示す模式図である。
1 ウエハ収納室 2 ウエハチャック(ウエハ保持体) 2A 凹部 3 コンタクタ 3A 電極パッド(検査用端子) 3B 接続パッド(外部端子) 4 シェル 9 ボトムジャケット(温度制御体) 9B 貫通孔 10 ポゴピン(中継端子) 13 ウエハ温度制御装置 14 ヒータ温度制御装置(発熱体温度制御装置) 15 冷媒温度制御装置 91 面ヒータ(発熱体) 92A 冷媒通路 93 熱抵抗シート 141A 温度センサ 142 第1PID調節計 154 第2PID調節計 W ウエハ T チップ
Claims (8)
- 【請求項1】 コンタクタと協働してこのコンタクタと
一括接触した状態の半導体ウエハを保持したウエハ保持
体と温度制御体とが接触して上記半導体ウエハの温度を
制御する装置であって、上記温度制御体内の表面近傍に
設けられた発熱体と、この発熱体と間隔を空けて上記温
度制御体内に設けられた冷却通路と、この冷却通路と上
記発熱体の間に介在する熱抵抗シートと、上記ウエハ保
持体の温度を検出する温度センサとを備え、上記発熱体
に上記温度センサの検出信号に基づいて発熱量を制御す
る発熱体制御装置を接続すると共に、上記冷媒通路にそ
の冷媒の温度を制御する冷媒温度制御装置を接続したこ
とを特徴とするウエハ温度制御装置。 - 【請求項2】 上記発熱体制御装置及び上記冷媒温度制
御装置はいずれもPID調節計を備えたことを特徴とす
る請求項1に記載のウエハ温度制御装置。 - 【請求項3】 上記温度センサは上記温度制御体を貫通
すると共に上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可
能に構成されていることを特徴とする請求項1または請
求項2に記載のウエハ温度制御装置。 - 【請求項4】 上記冷媒が水であることを特徴とする請
求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のウエハ温度制
御装置。 - 【請求項5】 コンタクタと協働してこのコンタクタと
一括接触した状態の半導体ウエハを保持したウエハ保持
体を接合状態で所定の検査温度に制御する温度制御体
と、この温度制御体の周囲に設けられ且つ上記コンタク
タの外部端子と接触する複数の中継端子と、上記温度制
御体を介して上記半導体ウエハの温度を制御するウエハ
温度制御装置とを備え、上記ウエハ保持体と上記温度制
御体の相対移動により上記各外部端子と各中継端子とが
全て接触し、上記ウエハ温度制御装置により上記半導体
ウエハの温度を制御しながら上記半導体ウエハに形成さ
れた全半導体素子を半導体ウエハ状態のまま検査するウ
エハ収納室であって、上記ウエハ温度制御装置は、上記
温度制御体内の表面近傍に設けられた発熱体と、この発
熱体と間隔を空けて上記温度制御体内に設けられた冷却
通路と、この冷却通路と上記発熱体の間に介在する熱抵
抗シートと、上記ウエハ保持体の温度を検出する温度セ
ンサとを備え、上記発熱体に上記温度センサの検出信号
に基づいて発熱量を制御する発熱体制御装置を接続する
と共に、上記冷媒通路には冷媒の温度を制御する冷媒温
度制御装置を接続したことを特徴とするウエハ収納室。 - 【請求項6】 上記発熱体制御装置及び上記冷媒温度制
御装置はいずれもPID調節計を備えたことを特徴とす
る請求項5に記載のウエハ収納室。 - 【請求項7】 上記温度センサは上記温度制御体を貫通
すると共に上記ウエハ保持体に形成された凹部に弾接可
能に構成されていることを特徴とする請求項5または請
求項6に記載のウエハ収納室。 - 【請求項8】 上記冷媒が水であることを特徴とする請
求項5〜請求項7のいずれか1項に記載のウエハ収納
室。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31892097A JP3400692B2 (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 |
EP98120148A EP0915499B1 (en) | 1997-11-05 | 1998-10-27 | Semiconductor wafer holding apparatus |
DE69842191T DE69842191D1 (de) | 1997-11-05 | 1998-10-27 | Halbleiterscheibenhaltevorrichtung |
US09/179,192 US6084215A (en) | 1997-11-05 | 1998-10-27 | Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein |
TW087118374A TW392274B (en) | 1997-11-05 | 1998-11-04 | Semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer storage chamber |
KR1019980047147A KR100342016B1 (ko) | 1997-11-05 | 1998-11-04 | 반도체 웨이퍼 유지 장치 및 반도체 웨이퍼 수납실 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31892097A JP3400692B2 (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11145225A true JPH11145225A (ja) | 1999-05-28 |
JP3400692B2 JP3400692B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=18104461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31892097A Expired - Fee Related JP3400692B2 (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3400692B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6239602B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature managing apparatus for multi-stage container |
US6268740B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | System for testing semiconductor device formed on semiconductor wafer |
JP2004533718A (ja) * | 2001-04-30 | 2004-11-04 | ラム リサーチ コーポレイション | ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置 |
US8963052B2 (en) | 2001-04-30 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method for controlling spatial temperature distribution across a semiconductor wafer |
US20170028702A1 (en) * | 2014-08-14 | 2017-02-02 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same (as amended) |
KR20190063626A (ko) * | 2017-11-30 | 2019-06-10 | (주)제이디 | 온도보정기능을 가지는 센서 장착 웨이퍼 보관 장치 |
KR20190069678A (ko) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | (주)제이디 | 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템 |
KR20190086641A (ko) * | 2019-07-10 | 2019-07-23 | (주)제이디 | 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP31892097A patent/JP3400692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268740B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | System for testing semiconductor device formed on semiconductor wafer |
US6239602B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature managing apparatus for multi-stage container |
US9824904B2 (en) | 2001-04-30 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
JP2004533718A (ja) * | 2001-04-30 | 2004-11-04 | ラム リサーチ コーポレイション | ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置 |
US8963052B2 (en) | 2001-04-30 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method for controlling spatial temperature distribution across a semiconductor wafer |
US10029450B2 (en) | 2014-08-14 | 2018-07-24 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same |
US20170028702A1 (en) * | 2014-08-14 | 2017-02-02 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same (as amended) |
US10076900B2 (en) * | 2014-08-14 | 2018-09-18 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same |
US10286643B2 (en) | 2014-08-14 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same |
US10870267B2 (en) | 2014-08-14 | 2020-12-22 | Lg Chem, Ltd. | Peeling bar for peeling polarizing film from panel, peeling apparatus and peeling method using the same |
KR20190063626A (ko) * | 2017-11-30 | 2019-06-10 | (주)제이디 | 온도보정기능을 가지는 센서 장착 웨이퍼 보관 장치 |
KR20190069678A (ko) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | (주)제이디 | 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템 |
KR20190086641A (ko) * | 2019-07-10 | 2019-07-23 | (주)제이디 | 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3400692B2 (ja) | 2003-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0915499B1 (en) | Semiconductor wafer holding apparatus | |
US20020014894A1 (en) | Temperature control apparatus | |
US10557868B2 (en) | Wafer inspection device and wafer inspection method | |
US6130543A (en) | Inspection method and apparatus for semiconductor integrated circuit, and vacuum contactor mechanism | |
TWI502204B (zh) | 電連接裝置 | |
US20120242359A1 (en) | Probe card detecting apparatus, wafer position alignment apparatus and wafer position alignment method | |
JP6674103B2 (ja) | プローバ | |
US8248089B2 (en) | Apparatus for testing a semiconductor device | |
TW202138812A (zh) | 載置台及檢查裝置 | |
JP3400692B2 (ja) | ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室 | |
KR20220005507A (ko) | 탑재대, 검사 장치 및 온도 교정 방법 | |
US20200166562A1 (en) | Inspection apparatus, temperature control device and temperature control method | |
JP3294175B2 (ja) | 信頼性試験用ウエハ収納室 | |
JP3294174B2 (ja) | ウエハ保持体の温度測定装置及びウエハ収納室 | |
JP3368461B2 (ja) | シェル | |
US11249132B2 (en) | Prober and method of preheating probe card | |
JP4999775B2 (ja) | プローバ | |
US11313897B2 (en) | Testing wafer and testing method | |
US20120216559A1 (en) | Mounting device | |
JP3467548B2 (ja) | 温度制御体の接合装置及びウエハ収納室 | |
US11269004B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method for inspecting electrical characteristic of electronic device | |
US20230333027A1 (en) | Inspection system and inspection method for semiconductor device | |
JP2012178599A (ja) | プローバおよびプローバの温度制御方法 | |
WO2024062887A1 (ja) | 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板 | |
JP2007129091A (ja) | プローバ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150221 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |