TWI434569B - 提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統 - Google Patents

提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI434569B
TWI434569B TW097114914A TW97114914A TWI434569B TW I434569 B TWI434569 B TW I434569B TW 097114914 A TW097114914 A TW 097114914A TW 97114914 A TW97114914 A TW 97114914A TW I434569 B TWI434569 B TW I434569B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pixels
axis
pixel
pixel array
distance
Prior art date
Application number
TW097114914A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200913669A (en
Inventor
Amnon Silverstein
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of TW200913669A publication Critical patent/TW200913669A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI434569B publication Critical patent/TWI434569B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/61—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise the noise originating only from the lens unit, e.g. flare, shading, vignetting or "cos4"
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/702—SSIS architectures characterised by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統
大體而言，本文所揭示之實施例是關於根據成像像素在一像素陣列中的地理位置來調整成像像素之輸出信號以補償各種光學問題。
一種CMOS成像器電路包含一聚焦平面之像素陣列，該等像素之每一者各包含上覆在一基板上用於在該基板之下層部分積累光生電荷的一光感測器，例如，一光閘(photogate)、光導體(photoconductor)或一光電二極體。每一像素具有一讀出電路，該讀出電路包含形成在該基板中的至少一輸出場效應電晶體之及一形成在該基板上連接至一輸出電晶體之閘極的電荷儲存區域。該電荷儲存區域可被構建作為一浮動擴散區域。每一像素可包含至少一電子器件(諸如一用於將電荷從該光感測器轉移至該儲存區域之電晶體)及用於在電荷轉移之前重設該儲存區域至一預先決定電荷位準之一器件(亦典型係一電晶體)。
在一CMOS成像器中，一像素之主動元件執行必要功能：(1)光子轉電荷轉換；(2)影像電荷之積累；(3)在電荷轉移之前重設儲存區域至一已知狀態；(4)電荷轉移至儲存區域伴隨電荷放大；(5)為讀出選擇一像素；及(6)輸出及放大一代表像素電荷之信號。當電荷從初始電荷積累區域移動至儲存區域時，光電荷可被放大。在儲存區域處的電荷係藉由一源極隨耦器輸出電晶體而轉換為一像素輸出電 壓。
圖1繪示一CMOS成像器件之一個別四電晶體(4T)型像素10之一俯視圖。一像素10大體包含一傳送閘50，用於將在一光感測器21(繪示為一PIN型光電二極體)中產生的光電電荷轉移至一浮動擴散區域FD(其作用為一感測節點)，繼而，其被電連接至一輸出源極隨耦器電晶體之閘極60。提供一重設閘40以用於重設該浮動擴散區域FD至一預先決定電壓以感測下一信號，及提供一列選擇閘80以用於回應於一像素列選擇信號而從源極隨耦器電晶體輸出一信號至一輸出終端。各種電晶體經由其等源極/汲極區域22相互耦合及經由接點32耦合至成像器件之其他元件。
上文所討論類型的CMOS成像器通常為已知，如(例如)在讓與給Micron Technology公司的美國專利案第6,140,630號、美國專利案第6,376,868號、美國專利案第6,310,366號、美國專利案第6,326,652號、美國專利案第6,204,524號及美國專利案第6,333,205號中所論述，該等案之全文以引用的方式併入本文中。
圖2繪示一傳統像素陣列100之一柵格佈局，其中所有像素及其等各自光感測器之大小相同。因為像素之大小及間隔相同，所以將該等像素連接至位於該像素陣列100周圍之電路(沒有繪示)之直線亦被相同間隔。已知像素陣列100中不同空間位置的像素對於相同光照明位準具有不同的輸出信號位準。光學影像構形不是空間位移不變；亦即，透射至位於光軸直線上的像素(諸如位於或接近像素陣列100 之中心之像素102)的光多於透射至不在光軸直線上的像素104的光。大體而言，像素在入射光強度其等距光軸之較遠距離可經歷一餘弦滾落(cosine roll off)。因此，位於光軸直線外的像素(諸如角隅像素104)將接收的光少於直接位於光軸直線上的像素(諸如中心像素102)接收的光。此現象在本領域稱為透鏡陰影且可造成由像素陣列100所產生的一影像在愈角落中明顯地比中心處愈暗。
圖3以陰影繪示圖2所繪示像素陣列中每一像素所捕獲且顯示為亮度的光量。愈暗的陰影顯示愈遠離像素陣列中心之像素所捕獲的光少於較接近像素陣列中心之像素所捕獲的光。
傳統的CMOS成像器件已嘗試在對已獲得的影像資料之後處理期間或在影像獲取(亦即，當從成像器件中讀出影像時)期間修正透鏡陰影。在本領域需要及期望附加影像修正方法來補償透鏡陰影，該方法不需要讀出影像之後處理或專門影像獲取技術。
在下文的詳細說明中，參閱形成本文之一部分的附隨圖式，及其中以特定實施例之圖例方式繪示可被實現之本發明。此等實施例被充分詳細的描述以使熟悉此項技術者利用它們，且應瞭解結構、邏輯或程序改變可發生在本文所揭示之特定實施例中。
本文所描述的各種實施例根據其像素光感測器在一像素陣列中的位置來修改像素光感測器之尺寸以補償不同空間 輸出信號位準。因此，所描述之實施例可修正空間光學效應(諸如透鏡陰影)以及其他空間光學效應。
如上所述，一成像器件中位於距一透鏡之光軸較遠之像素可經歷衰減的光強度，例如，由透鏡陰影引起。本文中的一實施例藉由根據像素陣列中像素距光軸的地理距離來增加像素之尺寸及光感測器之尺寸以減緩此衰減。
雖然本發明涉及修改的像素尺寸，應瞭解最重要的是根據陣列中一像素之空間位置的光感測器之尺寸。因此，當本文中的討論涉及像素之尺寸方面的變化時，應瞭解光感測器之尺寸改變與像素尺寸的改變成比例。例如，圖4繪示一可用於修正透鏡陰影之實施例，其中一具有一成比例的較小光感測器221之較小像素210可被置於接近一像素陣列之光軸處。而一具有一成比例較大光感測器321之較大像素310則可被置於遠離該光軸之處。另一選擇係，光感測器之尺寸可根據空間位置改變，同時保持像素之整體尺寸為常數。
在一實施例中，像素可以一直線柵格的方式設置於像素陣列中。該等像素在形狀上大體可是矩形或可包含各種其他形狀。因此，可根據該等像素在x方向及/或y方向上之距光軸距離增加像素之尺寸及光感測器之尺寸。因此可根據其地理位置設置不同尺寸的像素，同時維持一直線像素陣列。而且，將該等像素連接至適當電路之線路可由直線構成，其可平行於x軸或y軸，並簡化該像素陣列之結構。
圖5繪示一實施例，其中平行於x軸之像素之邊302之長度根據該等像素距像素陣列之y軸之距離而增加。圖6繪示一實施例，其中平行於y軸之像素之邊304之長度根據該等像素距像素陣列之x軸之距離而增加。圖7繪示一實施例，其中平行於x軸之像素之邊302之長度根據該等像素距像素陣列之y軸之距離而增加，且平行於y軸之像素之邊304之長度根據該等像素距像素陣列之x軸之距離而增加。在圖7中，可以看見像素之尺寸根據其距像素之中心之距離而增加。在另一實施例中，像素可能是彎曲的且可被設置在一彎曲像素陣列中，如圖10所圖解的。
根據待修正之空間光學問題來確定像素之邊之長度與距像素陣列之x軸及/或y軸之距離之間的關係。如圖8所示實施例，及在下文討論，為修正透鏡陰影，根據一高斯常態分佈曲線，平行於x軸之像素之邊之長度可根據該等像素距像素陣列之y軸之距離而增加；及/或根據一高斯常態分佈曲線，平行於y軸之像素之邊之長度可根據該等像素距像素陣列之x軸之距離而增加。
如圖8所示，高斯常態分佈曲線可能對x軸及y軸是一樣的並且因此形成一放射狀對稱二維曲線。替代地，用於平行於x軸之像素邊之長度的高斯常態分佈及用於平行於y軸之像素邊之長度的高斯常態分佈曲線可係不同的高斯常態分佈曲線。
圖8繪示用於平行於x軸及y軸之像素之邊的一示範性取樣柵格及高斯步進大小。在此實施例中，平行於x方向之 像素之邊對於中心像素602係1.7微米，及平行於x方向之像素之邊對於角隅像素604係2.2微米。圖9繪示作為藉由像素陣列中各像素所捕獲的光之結果的亮度輸出。從柵格可見，因為圖8中所圖解的像素尺寸，所以亮度並不明顯隨距像素陣列中心之距離而變化。
對於直線像素佈局柵格(諸如圖5、6、7、及8所示)，用於將像素陣列中像素之列連接至電路(諸如連接至圖11所示之列驅動器510)的線路306(圖5、6、7、及8)可被設置成實質上彼此平行且根據各種像素尺寸方案彼此相間隔。類似地，用於將像素陣列中像素之行連接至電路(諸如連接至圖11所示之行驅動器520)的線路308(圖5、6、7、及8)可被設置成實質上彼此平行且根據各種像素尺寸方案彼此相間隔。用於將像素陣列中像素之列連接至電路之線路306基本上垂直於用於將像素陣列中像素之行連接至電路之線路308。藉由在一直線柵格中形成各種連接線可簡化像素陣列之製造。
當來自像素之信號被組譯以形成一數位影像時，運用一不均勻像素位置柵格進行取樣可產生空間變形。例如，接近影像中心之影像似乎被延伸，此係因為接近影像中心之像素小於接近影像邊緣之像素。用於修正空間變形之一方法是數位重新取樣。使用一光學解決方案亦可修正空間變形，諸如使用一透鏡修正變形。或者，如果該空間變形足夠小，其可被忽略。
請注意，除了改變像素之尺寸以改變相關光感測器之尺 寸外，一實施例亦可保持整體陣列中像素尺寸相同，但是根據一陣列中像素之一空間位置改變在該等像素內的光感測器之尺寸。
圖11圖解具有根據上文所描述之一實施例設置的一像素陣列505之一CMOS成像器件之方塊圖。藉由一列選擇線使陣列505中各列之像素在同一時間開啟，及各列之像素係藉由各自的行選擇線選擇地輸出至輸出線上。複數個列選擇線及行選擇線被提供以用於整個陣列505。回應於列位址解碼器515，藉由一列驅動器510選擇地順序啟動列選擇線。回應於行位址解碼器525對於每一列啟動藉由一行驅動器520選擇地順序啟動行選擇線。因此，對於每一像素提供一行列位址。
藉由一控制電路530操作CMOS成像器件500，該控制電路控制位址解碼器515、525以用於選擇適當列選擇線及行選擇線以供像素讀出。控制電路530亦控制列驅動電路510及行驅動電路520，以便列驅動電路510及行驅動電路520將驅動電壓施加所選列選擇線及行選擇線之驅動電晶體。該等像素輸出信號典型地包含：一像素重設信號Vrst，在藉由重設電晶體重設該像素重設信號Vrst之後從像素儲存區域讀出像素重設信號Vrst；及一像素影像信號Vsig，在光生電荷被轉移至像素儲存區域之後被從像素儲存區域讀出該像素影像信號Vsig。Vrst及Vsig信號係藉由一取樣保持電路535予以取樣且藉由一差動放大器540予以減法運算，以產生一用於各讀出像素之差動信號Vrst－Vsig。 Vrst－Vsig代表撞擊在像素上之光的量。此差動信號係藉由一類比轉數位轉換器545予以數位化。接著，該等數位化像素信號被饋送給一影像處理器550以形成一數位影像輸出。數位化及影像處理可位於或遠離包含像素陣列505之晶片上。在一些配置中，差動信號Vrst－Vsig可被放大為一差動信號及直接藉由一差動類比轉數位轉換器予以數位化、然後饋送給影像處理器550，影像處理器550組譯一影像以供輸出。亦可藉由影像處理器550執行影像之重新取樣，以修正根據本文所描述之實施例的像素陣列引起的影像變形。
圖12繪示一處理器系統600，例如，一數位攝影機系統，其包含一成像器件500，該成像器件500經結構化以包含根據本文所描述之一實施例設置及操作的一像素陣列。該處理器系統600是一具有數位電路之一系統之一實例，該數位電路可包含影像感測器器件。除一數位攝影機系統外，此一系統亦可包含(但不限於)一電腦系統、掃描器、機器視覺系統、車輛導航系統、視訊電話、監督系統、自動聚焦系統、星相追蹤系統、運動偵測系統、影像穩定化系統、及使用一成像器件500之其它處理系統。
系統600(例如一攝影機系統)大體上包含一中央處理單元(CPU)610，諸如一微處理器，其經由一匯流排660與一輸入/輸出(I/O)器件640通信。影像感測器630亦經由該匯流排660與該CPU 610通信。該系統600亦包含隨機存取記憶體(RAM)620，及可包含可卸除式記憶體650，諸如快閃 記憶體，其亦經由匯流排660與CPU 610通信。在一單一積體電路中，影像感測器630可與一處理器(諸如一CPU 610、數位信號處理器、或微處理器)相組合。在一攝影機中，使用一快門釋放按鈕670以操作一機械或電子快門，以允許光經過一透鏡675至成像器件200之像素陣列505。
雖然已詳細描述本發明之實施例與當時已知實施例結合，應充分瞭解其等不限於所揭示之實施例。而且，其等可被修改以併入迄今未描述的任何數目的變體、變更、替代或均等設置。例如，雖然所描述的實施例與一CMOS像素成像器件結合，其等可與其他類型的像素成像器件(亦即，CCD等等)或影像源結合實現。而且，各種實施例之像素尺寸可被用於需要修改的像素尺寸之其他應用中，諸如一顯示器投影儀，其中位於遠離像素陣列中心之較大像素可用來修正藉由投影透鏡產生的空間變形。
此外，雖然已描述的各種實施例對修正透鏡陰影是有用的，但是可藉由改變像素尺寸修正關於像素距一預先決定區域之距離來修正任一空間變化影像問題，諸如桶形變形或魚眼透鏡。在一實施例中，每一列及每一行可具有一任意縮放因數。而且，如果某一列及/或行像素具有不同特性，例如，由於線路、電晶體、或彩色濾光鏡之佈局，列高度及行寬度可做相應調整。藉由修改行之寬度及列之高度，在像素陣列中可獲得各種尺寸的像素，及該像素陣列各種位置可包含較大或較小的像素以形成一對稱或非對稱圖案。
10‧‧‧像素
21‧‧‧光感測器
22‧‧‧源極/汲極區域
32‧‧‧接點
40‧‧‧重設閘
50‧‧‧傳送閘
60‧‧‧閘極
80‧‧‧列行選擇閘
100‧‧‧像素陣列
102‧‧‧像素
104‧‧‧像素
210‧‧‧較小像素
221‧‧‧較小光感測器
302‧‧‧邊
304‧‧‧邊
306‧‧‧線路
308‧‧‧線路
310‧‧‧較大像素
321‧‧‧較大光感測器
500‧‧‧CMOS成像器件
505‧‧‧像素陣列
510‧‧‧列驅動器
515‧‧‧列位址解碼器
520‧‧‧行驅動器
525‧‧‧行位址解碼器
530‧‧‧控制電路
540‧‧‧差動放大器
545‧‧‧類比轉數位轉換器
550‧‧‧影像處理器
600‧‧‧處理器系統
602‧‧‧中心像素
604‧‧‧角隅像素
610‧‧‧中央處理單元(CPU)
620‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
630‧‧‧影像感測器
640‧‧‧輸入/輸出(I/O)器件
650‧‧‧可卸除式記憶體
660‧‧‧匯流排
670‧‧‧快門釋放按鈕
675‧‧‧透鏡
圖1繪示一CMOS成像器件之一像素之一俯視圖。
圖2繪示一傳統像素陣列之一柵格。
圖3描述藉由圖2之像素陣列之像素所捕獲及所顯示的光量。
圖4繪示根據本文所說明之一實施例的各種尺寸之像素之俯視圖。
圖5繪示根據本文所說明之一實施例的一像素陣列之一柵格。
圖6繪示根據本文所說明之一實施例的一像素陣列之一柵格。
圖7繪示根據本文所說明之一實施例的一像素陣列之一柵格。
圖8繪示根據本文所說明之一實施例的一像素陣列之一柵格。
圖9描述藉由圖8之像素陣列之像素所捕獲及所顯示的光之量。
圖10繪示根據本文所說明之一實施例的一像素陣列之一柵格。
圖11圖解根據本文所說明之一實施例所構建的一CMOS成像器件之一方塊圖。
圖12描述一處理器系統，例如，根據本文所說明之一實施例所構建的一攝影機系統。
210‧‧‧較小像素
221‧‧‧較小光感測器
310‧‧‧較大像素
321‧‧‧較大光感測器

Claims (19)

  1. 一種成像器件，其包含：一包含若干成像像素之像素陣列，其中位於遠離該像素陣列之一光軸之各像素所具有之一光感面積大於位於較接近該像素陣列之該光軸之各像素所具有之一光感面積，其中根據一二維徑向高斯常態分佈曲線，該等像素之該光感面積隨距該光軸之距離而增加。
  2. 如請求項1之成像器件，其中該像素陣列包含一直線柵格。
  3. 如請求項1之成像器件，其中每一像素之整體面積實質上相同。
  4. 如請求項1之成像器件，其中該等像素之整體面積隨距該光軸之距離而增加，且其中該光感面積增加與該等像素之整體面積增加成比例。
  5. 如請求項1之成像器件，其中該陣列具有一x軸及一y軸，且其中平行於該x軸之該等像素之一邊之一長度根據該等像素距該y軸之距離而增加，且平行於該y軸之該等像素之一邊之一長度根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  6. 如請求項5之成像器件，其中根據一高斯常態分佈曲線，平行於該x軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該y軸之距離而增加，且根據一高斯常態分佈曲線，平行於該y軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  7. 一種成像器件，其包含：一包含若干成像像素之像素陣列，其中位於遠離該像素陣列之一光軸之各像素所具有之一光感面積大於位於較接近該像素陣列之該光軸之各像素所具有之一光感面積，其中該像素陣列具有一x軸及一y軸，且其中平行於x軸之該等像素之一邊之一長度根據該等像素距y軸之距離而增加，且平行於y軸之該等像素之一邊之一長度對於該像素陣列之所有像素維持不變。
  8. 如請求項7之成像器件，其中根據一高斯常態分佈曲線，平行於該x軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該y軸之距離而增加。
  9. 一種成像器件，其包含：一包含若干成像像素之像素陣列，其中位於遠離該像素陣列之一光軸之各像素所具有之一光感面積大於位於較接近該像素陣列之該光軸之各像素所具有之一光感面積，其中該陣列具有一x軸及一y軸，且其中平行於y軸之該等像素之一邊之一長度根據該等像素距該x軸之距離而增加，且平行於該y軸之該等像素之一邊之一長度對於該像素陣列之所有像素維持不變。
  10. 如請求項9之成像器件，其中根據一高斯常態分佈曲線，平行於該y軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距x軸之距離而增加。
  11. 一種影像處理系統，其包含：一處理器； 一像素陣列；及一光學系統，其用於將一影像傳遞至該像素陣列，該光學系統提供給接近該陣列之一邊界之像素之各光感測器的光少於提供給接近該陣列之一中心之像素之各光感測器的光；其中接近該陣列之一邊界之該等像素之該等光感測器大於接近該陣列之一中心之該等像素之各光感測器；及其中根據一二維徑向高斯常態分佈曲線，該等像素之該等光感測器隨距該光軸之距離而增加。
  12. 如請求項11之影像處理系統，其中該陣列具有一x軸及一y軸，其中平行於該x軸之該等像素之一邊之一長度根據該等像素距該y軸之距離而增加，且平行於該y軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  13. 如請求項12之影像處理系統，其中根據一高斯常態分佈曲線，平行於該x軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該y軸之距離而增加；且根據一高斯常態分佈曲線，平行於該y軸之該等像素之該邊之該長度根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  14. 如請求項11之影像處理系統，其進一步包含一列驅動器及一行驅動器，其中將各像素之各列連接至該列驅動器之各線路係相互平行，及其中將各像素之各行連接至該行驅動器之各線路係相互平行。
  15. 一種製造一成像器件之方法，其包含： 形成一包含若干成像像素之像素陣列，其中位於距該像素陣列之一光軸較遠之各像素具有的光感面積大於位於距該像素陣列之該光軸較近之各像素具有的光感面積；且其中該等像素之該等光感面積被形成使得該等像素之該等光感面積根據一二維徑向高斯常態分佈曲線隨距該光軸之距離而增加。
  16. 如請求項15之方法，其中該陣列具有一x軸及一y軸，其中平行於該x軸之該等像素之一邊之一長度被形成為根據該等像素距該y軸之距離而增加，且平行於該y軸之該等像素之一邊之長度被形成為根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  17. 如請求項16之方法，其中根據一高斯常態分佈曲線，平行於該x軸之該等像素之該邊之該長度被形成為根據該等像素距該y軸之距離而增加，且根據一高斯常態分佈曲線，平行於該y軸之該等像素之該邊之該長度被形成為根據該等像素距該x軸之距離而增加。
  18. 如請求項15之方法，其中該等像素之該等光感面積被形成為與該等像素之總體面積增加成比例地增加。
  19. 一種成像器件，其包含：一像素陣列，其包含複數個成像像素，其中該像素陣列之每一像素具有一包括該全部像素之整體面積，且其中該像素陣列之每一像素具有一用於轉換光子成為電之光感面積，該光感面積位於該整體面積之內且小於該整體面積，其中位於遠離該像素陣列之一光軸之各像素所 具有之一光感面積大於位於較接近該像素陣列之該光軸之各像素所具有之一光感面積，其中每一像素之該整體面積實質上相同。
TW097114914A 2007-04-23 2008-04-23 提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統 TWI434569B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/739,010 US8502898B2 (en) 2007-04-23 2007-04-23 Method, apparatus, and system providing a rectilinear pixel grid with radially scaled pixels

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200913669A TW200913669A (en) 2009-03-16
TWI434569B true TWI434569B (zh) 2014-04-11

Family

ID=39595776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097114914A TWI434569B (zh) 2007-04-23 2008-04-23 提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8502898B2 (zh)
EP (1) EP2143263A1 (zh)
KR (1) KR101085745B1 (zh)
CN (1) CN101663884A (zh)
TW (1) TWI434569B (zh)
WO (1) WO2008130882A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8502898B2 (en) * 2007-04-23 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system providing a rectilinear pixel grid with radially scaled pixels
US7920171B2 (en) * 2007-05-18 2011-04-05 Aptina Imaging Corporation Methods and apparatuses for vignetting correction in image signals
US8248499B2 (en) * 2009-02-23 2012-08-21 Gary Edwin Sutton Curvilinear sensor system
US8654215B2 (en) 2009-02-23 2014-02-18 Gary Edwin Sutton Mobile communicator with curved sensor camera
US8314865B2 (en) 2009-12-23 2012-11-20 Nokia Corporation Lens shading correction
EP2517451B1 (en) * 2009-12-24 2015-04-22 Imagerlabs Inc. Adjustable cmos sensor array
US8547440B2 (en) 2010-01-29 2013-10-01 Nokia Corporation Image correction for image capturing with an optical image stabilizer
TWI458347B (zh) 2010-12-20 2014-10-21 Ind Tech Res Inst 影像擷取裝置及其方法
CN105791714A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器及提高图像传感器性能的方法
CN105245765A (zh) * 2015-07-20 2016-01-13 联想(北京)有限公司 图像传感阵列及其排布方法、图像采集部件、电子设备
CN106646869B (zh) * 2015-10-30 2019-07-26 上海和辉光电有限公司 一种虚拟实境显示装置
CN106920475B (zh) * 2017-04-25 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的驱动方法
JP7050432B2 (ja) 2017-07-05 2022-04-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
CN109935606B (zh) * 2019-03-29 2021-04-02 汪一飞 一种高解调效率的像素结构
CN110034145B (zh) * 2019-04-23 2021-09-14 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
CN110264489B (zh) * 2019-06-24 2022-07-05 北京奇艺世纪科技有限公司 一种图像边界检测方法、装置及终端
CN110620861B (zh) * 2019-09-24 2021-10-15 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、相机模组和终端
CN111182293B (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 昆山丘钛微电子科技有限公司 一种镜头阴影校正数据的检测方法及***
CN116367003B (zh) * 2021-12-22 2023-10-20 荣耀终端有限公司 多光谱传感器以及电子设备

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4683498A (en) * 1986-04-21 1987-07-28 Rca Corporation Compatible wide-screen television system camera
JPH0194776A (ja) * 1987-10-07 1989-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
US7075501B1 (en) * 1990-12-31 2006-07-11 Kopin Corporation Head mounted display system
US6140980A (en) * 1992-03-13 2000-10-31 Kopin Corporation Head-mounted display system
JP3604781B2 (ja) * 1995-06-19 2004-12-22 キヤノン株式会社 光学機器
US5736732A (en) * 1996-12-23 1998-04-07 General Electric Company Induced charge prevention in semiconductor imaging devices
JP4058789B2 (ja) * 1998-02-24 2008-03-12 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ
US6455831B1 (en) * 1998-09-11 2002-09-24 The Research Foundation Of Suny At Buffalo CMOS foveal image sensor chip
US6140630A (en) * 1998-10-14 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Vcc pump for CMOS imagers
US6738057B1 (en) * 1998-12-22 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Compensation for optical distortion at imaging plane
US7106374B1 (en) * 1999-04-05 2006-09-12 Amherst Systems, Inc. Dynamically reconfigurable vision system
US6376868B1 (en) * 1999-06-15 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Multi-layered gate for a CMOS imager
US6310366B1 (en) * 1999-06-16 2001-10-30 Micron Technology, Inc. Retrograde well structure for a CMOS imager
US6326652B1 (en) * 1999-06-18 2001-12-04 Micron Technology, Inc., CMOS imager with a self-aligned buried contact
US6204524B1 (en) * 1999-07-14 2001-03-20 Micron Technology, Inc. CMOS imager with storage capacitor
US6333205B1 (en) * 1999-08-16 2001-12-25 Micron Technology, Inc. CMOS imager with selectively silicided gates
US6563101B1 (en) * 2000-01-19 2003-05-13 Barclay J. Tullis Non-rectilinear sensor arrays for tracking an image
US7338168B2 (en) * 2001-07-06 2008-03-04 Palantyr Research, Llc Particle analyzing system and methodology
US6895077B2 (en) * 2001-11-21 2005-05-17 University Of Massachusetts Medical Center System and method for x-ray fluoroscopic imaging
US7408572B2 (en) * 2002-07-06 2008-08-05 Nova Research, Inc. Method and apparatus for an on-chip variable acuity imager array incorporating roll, pitch and yaw angle rates measurement
US7227573B2 (en) 2002-07-29 2007-06-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus and method for improved-resolution digital zoom in an electronic imaging device
US7084904B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-01 Microsoft Corporation Foveated wide-angle imaging system and method for capturing and viewing wide-angle images in real time
JP2005115598A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Konica Minolta Holdings Inc 画像処理方法及び画像処理装置
US7609302B2 (en) * 2004-08-11 2009-10-27 Micron Technology, Inc. Correction of non-uniform sensitivity in an image array
JP4107280B2 (ja) 2004-10-08 2008-06-25 株式会社デンソーウェーブ イメージセンサ及び情報コード読取装置
JP2006149634A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Canon Inc 指の生体情報検出装置及び生体情報認証装置
KR100672711B1 (ko) * 2004-12-30 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 시모스 이미지 센서의 컬러 필터 어레이
US8502898B2 (en) * 2007-04-23 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system providing a rectilinear pixel grid with radially scaled pixels

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090126324A (ko) 2009-12-08
WO2008130882A1 (en) 2008-10-30
US8947570B2 (en) 2015-02-03
CN101663884A (zh) 2010-03-03
KR101085745B1 (ko) 2011-11-21
US20080259194A1 (en) 2008-10-23
US20130329099A1 (en) 2013-12-12
US8502898B2 (en) 2013-08-06
TW200913669A (en) 2009-03-16
EP2143263A1 (en) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI434569B (zh) 提供直線像素柵格徑向縮放的像素之方法，裝置以及系統
US9749556B2 (en) Imaging systems having image sensor pixel arrays with phase detection capabilities
US7619670B2 (en) Rolling shutter for prevention of blooming
US7796180B2 (en) Method for calculating circular symmetrical microlens/color filter array shift
US7554071B2 (en) Method and apparatus providing pixel array having automatic light control pixels and image capture pixels
US7830428B2 (en) Method, apparatus and system providing green-green imbalance compensation
US10840277B2 (en) Solid state imaging device having variation in optical black pixel structures relative to image generating pixel structures to provide substantially equivalent dark current
US20080210986A1 (en) Global shutter pixel with charge storage region
WO2007111845A2 (en) Method and apparatus for providing a rolling double reset timing for global storage in image sensors
US20160198141A1 (en) Imaging systems with phase detection pixels
JP6491519B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
US9225919B2 (en) Image sensor systems and methods for multiple exposure imaging
US20090278977A1 (en) Method and apparatus providing pre-distorted solid state image sensors for lens distortion compensation
TWI618414B (zh) 全域快門校正
EP1872572B1 (en) Generation and strorage of column offsets for a column parallel image sensor
CN111225163A (zh) 图像传感器
CN112291490B (zh) 成像***及使用图像像素生成具有降低的暗电流噪声的图像信号的方法
JP2012075050A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、黒レベル決定方法