TWI433138B - 用於硬碟缺損區之檢測及分類之以頻率為基礎的方法與設備 - Google Patents

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TWI433138B TW100105513A TW100105513A TWI433138B TW I433138 B TWI433138 B TW I433138B TW 100105513 A TW100105513 A TW 100105513A TW 100105513 A TW100105513 A TW 100105513A TW I433138 B TWI433138 B TW I433138B
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Description

用於硬碟缺損區之檢測及分類之以頻率為基礎的方法與設備
本發明係關於硬碟驅動機，且特定言之，係關於檢測硬碟驅動機中之缺損區並分類該等缺損區對應於熱微凸或媒體缺損之技術。
此申請案之標的係關於2005年12月28日申請之美國專利申請案第11/319,319號及2008年4月29日申請之美國專利申請案第12/111,255號之標的，該兩個申請案之教示以引用方式全部併入本文。
此章節介紹可有助於更好地理解本發明之態樣。因此，應以此觀點閱讀此章節之陳述，且不應將其視為在認同何者是先前技術或何者不是先前技術。
一硬碟驅動機之一理想硬碟具有完全平坦且其材料成分完全均勻之一資料儲存表面。然而，實際上，硬碟並非完全平坦並具有不同的材料成分。由於此原因以及由於製造原因，硬碟上可出現不同類型的缺損。可能難以恢復自缺損區讀取之資料，且困難強度取決於缺損類型。在漏失(drop-out)類型缺損區中，類比讀取頭輸出信號之振幅顯著低於相對平坦且材料成分相對均勻之正常區域之讀取頭輸出信號振幅。若藉由處理讀取頭輸出信號之電子器件適當地放大並調節讀取頭輸出信號，則可恢復寫入此等缺損區上之資料。在此文件中，將此等漏失類型缺損稱為「媒體缺損」(MD)。期望判定硬碟上之MD區之位置，使得自該等MD區讀取之信號可經適當地處理以精確地恢復資料。
有時候，一硬碟區之拓撲如此變化使得讀取頭在定位於旋轉硬碟之此等區域上時，讀取頭將因硬碟上出現微凸而與某些區域實體接觸。此等區域稱為熱微凸(TA)區，這是因為讀取頭與已變化的硬碟之間的實體接觸所產生之摩擦熱所引起。期望判定硬碟上之TA區之位置，使得可在資料寫入及資料讀取操作期間避開該等區域以防止損壞讀取頭。
當前及比較舊式的硬碟驅動機使用MR(磁阻)讀取頭或GMR(巨磁阻)讀取頭。對於此等讀取頭，對應於MD區之讀取頭輸出信號之振幅顯著小於正常區之信號振幅，而對應於TA區之讀取頭輸出信號之振幅因TA效應所引起的基線位移，顯著大於正常區信號振幅。就此而言，可藉由尋找低於正常之信號振幅區而在使用一MR/GMR讀取頭之一硬碟驅動機之一硬碟上找到MD區，且可藉由尋找與正常信號振幅區相比信號基線之顯著增加而在硬碟上找到TA區。
較新的硬碟驅動機使用TMR(穿隧式MR)讀取頭。對於TMR讀取頭，TA區可被誤認為MD區，這是因為對應於MD區及TA區兩者之讀取頭輸出信號之振幅顯著小於正常區之信號振幅。就此而言，用以檢測及並分類使用MR/GMR讀取頭之硬碟驅動機之MD及TA區之習知信號處理技術無法用以檢測及分類使用TMR讀取頭之硬碟驅動機的MD及TA區。
在一實施例中，本發明係一種用以檢測或分類一硬碟上之一缺損區之機器實行方法。接收對應於以具有一第一資料頻率之一資料型樣儲存於該硬碟上之資料之信號值。產生對應於該第一資料頻率之一第一量測，且產生對應於不同於該第一資料頻率之一第二資料頻率之一第二量測。基於該第一量測及該第二量測檢測或分類該缺損區。
在另一實施例中，本發明係一種用於一硬碟之讀取通道。該讀取通道包括(1)經調適以產生對應於儲存於該硬碟上之資料之一類比信號之類比電路；(2)經調適以將該類比信號轉換為一數位信號之一類比轉數位轉換器(ADC)；及(3)經調適以自該數位信號產生恢復資料之數位電路。該數位電路包括一處理器，該處理器係經調適以(a)接收對應於以具有一第一資料頻率之一資料型樣儲存於該硬碟上之資料之信號值；(b)產生對應於該第一資料頻率之一第一量測；(c)產生對應於不同於該第一資料頻率之一第二資料頻率之一第二量測；及(d)基於該第一量測及該第二量測檢測或分類該硬碟上之一缺損區。
從下列詳細描述、隨附申請專利範圍及隨附圖式將更完全瞭解本發明之其他態樣、特徵及優點，其中相同的參考數字識別類似或相同元件。
圖1根據本發明之一實施例，展示使用一穿隧式磁阻(TMR)讀取頭之一硬碟驅動機之一讀取通道100之一高階方塊圖。讀取通道100之(習知)主信號處理路徑接收來自TMR讀取頭(未展示)之類比讀取頭輸出信號105並輸出二元(硬判決)輸出資料信號145。
如圖1所示，讀取通道100包含前置放大器110、類比前端(AFE)120、類比轉數位轉換器(ADC)130及數位後端(DBE)140。前置放大器110放大並調節讀取頭輸出信號105以確保信號振幅及頻率分量係在藉由AFE 120處理之指定範圍內，AFE 120進一步放大並調節來自前置放大器110之前置放大信號115。ADC 130數位化AFE輸出信號129以產生多位元數位信號X(由ADC輸出樣本x[n]組成)，以由產生二元輸出資料信號145之DBE 140進行數位信號處理。
如圖1所表示，AFE 120包含高通濾波器122、可變增益放大器124、磁阻不對稱(MRA)補償模組126及時間連續低通濾波器128，同時DBE 140包含部分回應(PR)等化器142及軟檢測器(例如，Viterbi檢測器)144。本發明特別關注的是，PR等化器142接收來自ADC 130之數位化ADC輸出信號X並產生多位元等化信號Y(由等化器輸出樣本y[n]組成)，軟檢測器144處理該信號Y以產生二元輸出資料信號145。PR等化器142可(但並非一定)被實行為一數位有限脈衝回應(DFIR)濾波器。
再者，TMR讀取通道100包含媒體缺損(MD)/熱微凸(TA)檢測及分類子系統150，該子系統150接收並處理來自DBE 140之信號147，以檢測硬碟上之缺損區之位置並將每一經檢測的缺損區分類為一MD區或一TA區，此資訊表示於信號155中。在一實施方案中，信號147係藉由ADC 130產生之ADC輸出信號X。在另一實施方案中，信號147係藉由PR等化器142產生之等化信號Y。
圖2展示圖1之根據本發明之一可能實施方案之MD/TA檢測及分類(D&C)子系統150之一高階方塊圖。在此特定實施方案中，D&C子系統150處理圖1之信號X之ADC輸出樣本x[n]，以檢測及分類一硬碟上之缺損區。特定言之，D&C子系統150包含：處理該ADC輸出樣本x[n]以檢測缺損區之位置及持續時間之缺損檢測器202，及處理藉由缺損檢測器202產生之統計資料以將每一經檢測的缺損區分類為一MD區或一TA區之缺損分類器204。
圖3展示圖1及圖2之MD/TA D&C子系統150之一更詳細的方塊圖。如圖3所示，圖2之缺損檢測器202包含離散傅立葉變換(DFT)區塊302、移動平均數(MA)濾波器304、平均數產生器308及310、純量乘法器312及314以及檢測區塊306，同時圖2之缺損分類器204包含平均數產生器316、純量乘法器318以及分類區塊320。
為執行MD/TA檢測及分類，使用具有2MT之一週期之一固定MT資料型樣，將資料寫入硬碟中，其中M係一整數，且T係一位元之持續時間。舉例而言，在一實施方案中，將M=2及具有4T之一週期之對應的2T資料型樣(例如，[11001100...])寫入硬碟中。在其他實施方案中，M可具有除2之外之一值。DFT區塊302對ADC輸出樣本x[n]並行執行兩個不同DFT功能，以產生兩個不同DFT輸出樣本W[n]及Z[n]，其中DFT輸出樣本W[n]對應於MT資料頻率，且DFT輸出樣本Z[n]對應於不同於MT資料頻率之一資料頻率。舉例而言，在硬驅動機資料具有一2T資料型樣之一可能實施方案中，DFT輸出樣本W[n]係基於2T資料頻率，且DFT輸出樣本Z[n]係基於該DC(即，0)資料頻率，如以下方程式(1)及方程式(2)給定：
W [n ]=sqrt{|x [n -4]-x [n -2]+x [n ]-x [n +2]|^2+|x [n -3]-x [n -1]+x [n +1]-x [n +3]|^2}　(1)
Z [n ]=|x [n -4]+x [n -3]+x [n -2]+x [n -1]+x [n ]+x [n +1]+x [n +2]+x [n +3]|　(2)
為簡化硬體實施方案，在一可能實施方案中，可簡化2T頻率DFT樣本W[n]之計算，如以下方程式(3)給定：
W [n ]=|x [n -4]-x [n -2]+x [n ]-x [n +2]|+|x [n 3]-x [n -1]+x[n +1]-x [n +3]|　(3)
熟知此項技術者將瞭解到可使用除方程式(1)及方程式(2)中展示之八個樣本組外之ADC輸出樣本x[n]組，替代地產生DFT輸出樣本W[n]及Z[n]，且可使用少於或多於8個樣本計算此等DFT樣本。再者，DFT輸出樣本Z[n]可基於除該DC資料頻率外之一資料頻率。
圖4展示圖3之DFT區塊302之一可能硬體實施方案。注意，由於方程式(1)及方程式(2)使用樣本x[n]前後之ADC輸出樣本x[i]，因此圖4中展示之對應於輸入樣本x[n]之DFT輸出樣本係W[n-3]及Z[n-3]。
再次參考圖3，移動平均數(MA)濾波器304分別根據方程式(4)及方程式(5)產生DFT輸出樣本W[n]及Z[n]之局部平均數Wm [n]及Zm [n]，如下所示：
其中N1 係一適當的數字(諸如4或8)。注意，對於計算效率，由於總和並不除以N1 ，因此局部平均數Wm [n]及Zm [n]係比例平均數。
平均數產生器308根據以下方程式(6)產生無缺損平均數Wm,d ：
W m,d ←W m,d +γ (W m [n ]-W m,d )　(6)
其中方程式(6)中使用之局部平均數Wm [n]對應於無缺損區。類似地，平均數產生器310根據以下方程式(7)產生無缺損平均數Zm,d ：
Z m,d ←Z m,d +γ (Z m [n ]-Z m , d )　(7)
其中方程式(7)中使用之局部平均數Zm [n]對應於無缺損區。注意，無缺損平均數Wm,d 及Zm,d 係僅針對硬碟之正常(即，無缺損)區在方程式(6)及方程式(7)中更新。將加權因數γ 設定為小於1且通常接近於0之一適當值(例如，小於0.1)。在一實施方案中，加權因數γ 係0.05。在一可能實施方案中，分別使用適當的種子值400及10，初始化無缺損平均數Wm,d 及Zm,d 。可使用來自實際硬驅動機之資料，經由模擬判定此等及其他參數之精確值。為支援高資料速率操作，可一次以4位元更新無缺損平均數Wm,d 及Zm,d ，與方程式(6)及方程式(7)中描述之全速率實施方案(其中以每一位元進行更新)相比，產生一四分之一速率的實施方案。
純量乘法器312及314分別以指定的比例因數α1 及α3 換算無缺損平均數Wm,d 及Zm,d 。
所得經換算、無缺損平均數α1 Wm,d 及α3 Zm,d 以及局部平均數Wm [n]及Zm [n]係應用於檢測區塊306，根據以下方程式(8)產生二元檢測旗標D[n]：
其中0<α1 <1且α3 >1。換言之，若方程式(8)之第一行中指定之兩種條件之任一者為真，則檢測到一缺損區(即，D[n]=1)。否則，若兩種條件皆不滿足，則未檢測到一缺損區(即，D[n]=0)。在一實施方案中，分別將比例因數α1 及α3 設定為0.5及5.0。
對於正常(即，無缺損)區，2T DFT分量之局部平均數Wm [n]實質上等於該分量之無缺損平均數Wm,d ，且類似地，DC DFT分量之局部平均數Zm [n]實質上等於該分量之無缺損平均數Zm,d 。就此而言，對於一正常區，將不滿足方程式(8)中之任一不等式。另一方面，對於缺損區(即，MD區或TMR-TA區)，2T DFT分量之局部平均數Wm [n]將實質上小於該分量之無缺損平均數Wm,d ，而DC DFT分量之局部平均數Zm [n]可實質上大於或不大於該分量之無缺損平均數Zm,d 。在對應於TMR-TA之缺損區中，DC DFT分量之強度將大於無缺損區之強度，這是因為TA之發生導致與無缺損區(其中信號頻譜僅含有2T頻率)相比具有一更寬頻譜之一回讀信號。就此而言，對於一缺損區，將滿足方程式(8)中之至少一不等式。進一步言之，若此MD/TA檢測器用以處理來自其中TA在信號基線中顯示為明顯位移之GMR頭之信號，則在缺損區含有GMR-TA期間將滿足方程式(8)中之第二個不等式，而可滿足或不滿足第一個不等式。
當藉由檢測區塊306檢測到一缺損區時，缺損分類器204之平均數產生器316分別根據方程式(9)及方程式(10)開始產生缺損平均數Wm,c 及Zm,c ，如下所示：
W m , c =W m [n ]+W m [n +1]+…+W m [n +L m -1]　(9)
Z m , c [n ]=Z m [n ]+Z m [n +1]+…+Z m [n +L m -1]　(10)
其中：n 係致使D [n +i ]=1，i =0,1,...,L m -1，L m =min{L d ,L max }，L max =64，及L d 係所檢測缺損之長度，單位為位元數。
取決於實施方案難易，可將數量Lmax 設定為一固定長度(諸如64)或可將其設定等於總缺損長度Ld 。
純量乘法器318以指定的比例因數α2 換算缺損平均數Wm,c 。分類區塊320根據以下方程式(11)產生二元分類旗標C[n]：
其中0<α2 <1。特定言之，C=1暗示缺損區係一MD區，且C=0暗示缺損區係一TA區。在一實施方案中，將比例因數α2 設定為0.2。
對於MD區，2T DFT分量之平均數Wm,c 大於DC DFT分量之平均數Zm,c ，這是因為漏失類型MD之發生主要顯示為信號之衰減。就此而言，對於一MD區，將滿足方程式(11)中之不等式。另一方面，對於TA區，2T DFT分量之平均數Wm,c 將小於DC DFT分量之平均數Zm,c ，這是因為TA造成DC頻率分量出現。就此而言，對於一TA區，將不滿足方程式(11)中之不等式。在TMR-TA區中，2T DFT分量將因漏失效應而衰減，且DC DFT分量將增強，而在GMR-TA區中，則以極大的基線位移顯著增強DC DFT分量。
在MD/TA D&C子系統150之一可能實施方案中，當一缺損區之末端與下一個缺損區之起點之間的間隙小於一指定間距時，則該兩個缺損區及其間的正常區被併入一組合缺損區用於分類處理，其中組合缺損區自第一缺損區之起點跨越至第二缺損區之末端。
雖然已在一TMR(穿隧式磁阻)讀取頭之一讀取通道之背景中描述本發明，但是熟知此項技術者將瞭解可在其他類型的讀取頭之背景中實行本發明。
雖然已在DFT處理之背景中描述本發明，但是可使用其他以頻率為基礎之變換實行本發明。
本發明可被實行為以(類比、數位或類比與數位之一混合)電路為基礎的程序，包含可能實行為一單一積體電路(諸如一專用積體電路(ASIC)或一現場可程式閘陣列(FPGA))、一多晶片模組、一單卡或一多卡電路封裝。熟知此項技術者將瞭解，電路元件之各種不同的功能亦可以一軟體程式實行為處理區塊。舉例而言，此軟體可用於一數位信號處理器、一微控制器或通用電腦中。
本發明可以諸方法及實行該等方法之設備之形式具體實施。本發明亦可以在實體媒體(諸如磁性記錄媒體、光學記錄媒體、固態記憶體、軟碟、唯讀光碟(CD-ROM)、硬碟或任意其他的機器可讀儲存媒體)中具體實施之程式碼之形式具體實施，其中，當藉由一機器(諸如一電腦)載入並實行該程式碼時，該機器成為實行本發明之一設備。舉例而言，本發明亦可以儲存於一儲存媒體中或載入一機器中及/或藉由一機器實行之程式碼之形式具體實施，其中，當藉由一機器(諸如一電腦)載入並實行該程式碼時，該機器成為實行本發明之一設備。當在通用處理器上實行時，程式碼片段與處理器組合以提供類似特定邏輯電路操作之一獨特裝置。
除非明確說明，否則每一數值及範圍將被解釋為近似，如同先於該值或範圍之用詞「大約」或「近似」。
將進一步瞭解的是，熟知此項技術者在不脫離以下申請專利範圍中表達之本發明之範疇下，可對已描述並圖解說明以解釋本發明之性質之部件之細節、材料及配置作出各種不同的改變。
在申請專利範圍中使用圖式編號及/或圖式參考符號意欲識別所主張標的之一或多個可能實施例，以有助於解釋申請專利範圍。此使用並不被解釋為一定將申請專利範圍之範疇限制在對應的圖式中展示之實施例。
應瞭解的是，本文所陳述之例示性方法之步驟不一定要以所描述之順序執行，且應瞭解此等方法之步驟之順序僅係例示性的。同樣地，額外步驟可包含於此等方法中，且可在與本發明之各種不同的實施例一致之方法中省略或組合某些步驟。
雖然以下申請專利範圍中之元件(如果有的話)係以具有對應的符號之一特定序列引用，但是除非該等申請專利範圍引用暗示實行一些或所有該等元件之一特定序列，否則預期該等元件未必限制於以該特定序列實行。
本文提及「一實施例」或「一個實施例」意謂結合該實施例所描述之一特定特徵、結構或特性可包含於本發明之至少一實施例中。出現於說明書中之各種位置之用語「在一實施例中」不一定全部指向相同實施例，獨立或替代性實施例也不一定與其他實施例互斥。同樣道理適用於術語「實施方案」。
100．．．讀取通道
105．．．讀取頭輸出
110．．．前置放大器(AMP)
115．．．前置信號
120．．．類比前端(AFE)
122．．．高通濾波器
124．．．可變增益放大器(AMP)
126．．．磁阻不對稱(MRA)補償模組
128．．．時間連續低通濾波器(CTF)
129．．．類比前端(AFE)輸出信號
130．．．類比轉數位轉換器(ADC)
140．．．數位後端(DBE)
142．．．部分回應等化器
144．．．軟(VITERBI)檢測器
145．．．二元輸出資料信號
147．．．信號
150．．．檢測及分類子系統
155．．．信號
202．．．缺損檢測器
204．．．缺損分類器
302．．．離散傅立葉變換(DFT)區塊
304．．．移動平均數(MA)濾波器
306．．．檢測區塊
308．．．平均數產生器
310．．．平均數產生器
312．．．純量乘法器
314．．．純量乘法器
316．．．平均數產生器
318．．．純量乘法器
320．．．分類區塊
D[n]．．．二元檢測旗標
W[n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本
Wm [n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本之局部平均數
X．．．類比轉數位轉換器(ADC)輸出信號
x[n]．．．類比轉數位轉換器(ADC)輸出樣本
Y．．．多位元等化信號
Z[n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本
Zm [n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本之局部平均數
α1 ．．．比例因數
α2 ．．．比例因數
α3 ．．．比例因數
圖1根據本發明之一實施例，展示使用一穿隧式磁阻(TMR)讀取頭之一硬碟驅動機之一讀取通道之一高階方塊圖；
圖2展示圖1之根據本發明之一可能實施方案之MD/TA檢測及分類(D&C)子系統之一高階方塊圖；
圖3展示圖1及圖2之MD/TA D&C子系統之一更詳細的方塊圖；及
圖4展示圖3之DFT區塊之一可能硬體實施方案。
150．．．檢測及分類子系統
202．．．缺損檢測器
204．．．缺損分類器
302．．．離散傅立葉變換(DFT)區塊
304．．．移動平均數(MA)濾波器
306．．．檢測區塊
308．．．平均數產生器
310．．．平均數產生器
312．．．純量乘法器
314．．．純量乘法器
316．．．平均數產生器
318．．．純量乘法器
320．．．分類區塊
D[n]．．．二元檢測旗標
W[n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本
Wm [n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本之局部平均數
x[n]．．．類比轉數位轉換器(ADC)輸出樣本
Z[n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本
Zm [n]．．．離散傅立葉變換(DFT)輸出樣本之局部平均數
α1 ．．．比例因數
α2 ．．．比例因數
α3 ．．．比例因數

Claims (14)

  1. 一種用於檢測或分類一硬碟上之一缺損區之機器實行方法，該方法包括：(a)接收對應於以具有一第一資料頻率之一資料型樣儲存於該硬碟上之資料之信號值；(b)產生對應於該第一資料頻率之一第一量測；(c)產生對應於不同於該第一資料頻率之一第二資料頻率之一第二量測；(d)基於該第一量測及該第二量測檢測或分類該缺損區。
  2. 如請求項1之機器實行方法，其中該等信號值係(1)藉由與該硬碟相關聯之一讀取通道之一類比轉數位轉換器(ADC)產生之ADC輸出信號值或(2)藉由與該硬碟相關聯之一讀取通道之一等化器產生之等化器輸出信號值。
  3. 如請求項1之機器實行方法，其中：該第一量測係在該第一資料頻率下之一第一離散傳立葉變換(DFT)量測；及該第二量測係在該第二資料頻率下之一第二DFT量測。
  4. 如請求項1之機器實行方法，其中：該第一資料頻率係一2MT資料頻率，其中M為一整數且T為該等信號值中之一位元之持續時間(duration)；及該第二資料頻率係一DC資料頻率。
  5. 如請求項1之機器實行方法，其中： 步驟(b)包括產生(i)對應於該缺損區之該等信號值之一第一資料頻率分量之一第一平均數強度值及(ii)對應於該硬碟上之一或多個無缺損區之該第一資料頻率分量之一第二平均數強度值；步驟(c)包括產生(i)對應於該缺損區之該等信號值之一第二資料頻率分量之一第一平均數強度值及(ii)對應於該硬碟上之一或多個無缺損區之該第二資料頻率分量之一第二平均數強度值；及步驟(d)包括：(d1)比較該第一資料頻率分量之該第一平均數強度值與該第二平均數強度值；(d2)比較該第二資料頻率分量之該第一平均數強度值與該第二平均數強度值；及(d3)基於步驟(d1)及步驟(d2)之該等比較來檢測該硬碟上之該缺損區之位置。
  6. 如請求項5之機器實行方法，其中步驟(d3)包括在步驟(d1)之該比較或步驟(d2)之該比較為真之情況下檢測該硬碟上之該缺損區之該位置。
  7. 如請求項5之機器實行方法，其中：步驟(d1)包括判定該第一資料頻率分量之該第一平均數強度值是否小於該第一資料頻率分量之該第二平均數強度值之一指定的第一分數，其中該指定的第一分數小於1；及步驟(d2)包括判定該第二資料頻率分量之該第一平均 數強度值是否大於該第二資料頻率分量之該第二平均數強度值之一指定的第二分數，其中該指定的第二分數小於1。
  8. 如請求項1之機器實行方法，其中：步驟(b)包括產生對應於該缺損區之該等信號值之一第一資料頻率分量之一平均數強度值；步驟(c)包括產生對應於該缺損區之該等信號值之一第二資料頻率分量之一平均數強度值；及步驟(d)包括：(d1)將該第一資料頻率分量之該平均數強度值與該第二資料頻率分量之該平均數強度值比較；及(d2)基於步驟(d1)之該比較將該硬碟上之該缺損區分類為與熱微凸(TA)或漏失(drop-out)媒體缺損(MD)相關聯。
  9. 如請求項8之機器實行方法，其中：步驟(d1)包括判定該第一資料頻率分量之該平均數強度值是否小於該第二資料頻率分量之該平均數強度值之一指定的分數，其中該指定的分數小於1。
  10. 一種用於檢測或分類一硬碟上之一缺損區之設備，該設備包括：(a)用於接收對應於以具有一第一資料頻率之一資料型樣儲存於該硬碟上之資料之信號值之構件；(b)用於產生對應於該第一資料頻率之一第一量測之構件； (c)用於產生對應於不同於該第一資料頻率之一第二資料頻率之一第二量測之構件；及(d)用於基於該第一量測及該第二量測檢測或分類該缺損區之構件。
  11. 如請求項10之設備，其中：構件(b)包括用於產生(i)對應於該缺損區之該等信號值之一第一資料頻率分量之一第一平均數強度值及(ii)對應於該硬碟上之一或多個無缺損區之該第一資料頻率分量之一第二平均數強度值之構件；構件(c)包括用於產生(i)對應於該缺損區之該等信號值之一第二資料頻率分量之一第一平均數強度值及(ii)對應於該硬碟上之一或多個無缺損區之該第二資料頻率分量之一第二平均數強度值之構件；及構件(d)包括：(d1)用於比較該第一資料頻率分量之該第一平均數強度值與該第二平均數強度值之構件；(d2)用於比較該第二資料頻率分量之該第一平均數強度值與該第二平均數強度值之構件；及(d3)基於構件(d1)及構件(d2)之該等比較而用於檢測該硬碟上之該缺損區之位置之構件。
  12. 如請求項11之設備，其中構件(d3)包括在構件(d1)之該比較或構件(d2)之該比較為真之情況下檢測該硬碟上之該缺損區之該位置。
  13. 如請求項11之設備，其中： 構件(d1)判定該第一資料頻率分量之該第一平均數強度值是否小於該第一資料頻率分量之該第二平均數強度值之一指定的第一分數，其中該指定的第一分數小於1；及構件(d2)判定該第二資料頻率分量之該第一平均數強度值是否大於該第二資料頻率分量之該第二平均數強度值之一指定的第二分數，其中該指定的第二分數小於1。
  14. 如請求項11之設備，其中：該第一資料頻率係一2MT資料頻率，其中M為一整數且T為該等信號值中之一位元之持續時間；及該第二資料頻率係一DC資料頻率。
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