TWI428459B - 蒸鍍源，蒸鍍裝置，有機薄膜的成膜方法 - Google Patents

蒸鍍源，蒸鍍裝置，有機薄膜的成膜方法 Download PDF

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Description

蒸鍍源，蒸鍍裝置，有機薄膜的成膜方法
本發明是關於有機薄膜的技術領域，特別是有關製造品質佳的有機薄膜之技術。
有機EL元件是近年來最受注目的顯示元件之一，具有高亮度且應答速度快的良好特性。有機EL元件是在玻璃基板上配置有以紅、綠、藍的三色之相異的顏色來發色的發光區域。發光區域是陽極電極膜、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極電極膜會以此順序積層，可使用添加於發光層中的發色劑來發出紅、綠、或藍色。
電洞輸送層、發光層、電子輸送層等，一般是以有機材料所構成，如此之有機材料的膜之成膜是廣泛使用蒸鍍裝置。
圖5的符號203是以往技術的蒸鍍裝置，在真空槽211的內部配置有蒸鍍容器212。蒸鍍容器212是具有容器本體221，該容器本體221的上部是以形成有一個乃至複數個的放出口224之蓋部222所堵住。
在蒸鍍容器212的內部配置有粉體的有機蒸鍍材料200。
在蒸鍍容器212的側面與底面配置有加熱器223，藉由真空排氣系215來將真空槽211內予以真空排氣，一旦 加熱器223發熱，則蒸鍍容器212會昇温，蒸鍍容器212內的有機蒸鍍材料200會被加熱。
一旦有機蒸鍍材料200被加熱至蒸發温度以上的温度，則在蒸鍍容器212內充滿有機材料蒸氣，從放出口224放出至真空槽211內。
在放出口224的上方配置有基板搬送裝置214，一旦使基板205保持於保持具210且使基板搬送裝置214動作，則基板205會通過放出口224的正上位置，從放出口224放出的有機材料蒸氣會到達基板205表面，形成電洞注入層或電洞輸送層等的有機薄膜。
若一邊使有機材料蒸氣放出，一邊將基板205一片一片地通過放出口224上，則可在複數片的基板205上逐次形成有機薄膜。
[專利文獻1]特開2003-96557號公報
但，如上述般為了使複數片的基板205成膜，必須在蒸鍍容器212內配置多量的有機蒸鍍材料200。在實際的生產現場，是一邊將蒸鍍材料加熱至350℃~450℃，一邊連續120小時以上進行成膜處理，因此蒸鍍容器212內的有機蒸鍍材料200是長時間被暴露於高温，與蒸鍍容器中的水分反應而變質，或加熱造成分解，相較於加熱初期的狀態，有機蒸鍍材料200會劣化。
並且，當有機蒸鍍材料200被加熱時，若發生突然沸騰，則由有機蒸鍍材料200的溶融物所構成的液滴會被放出。突然沸騰是在放出口224的正下方發生，因此該液滴的一部份會通過放出口224，一旦到達基板205，則液滴會被混入所形成的薄膜，會有膜質變差的問題。
為了解決上述課題，本發明之蒸鍍源的特徵係具有：蒸發室，其係於內部使蒸鍍材料的蒸氣蒸發；蒸鍍容器，其係具有放出上述蒸鍍材料的蒸氣之放出口；孔，其係連接上述蒸鍍容器的內部空間與上述蒸發室的內部空間；供給裝置，其係連接至上述蒸發室，對上述蒸發室的內部供給蒸鍍材料；及加熱裝置，其係加熱被供給至上述蒸發室的上述蒸鍍材料，使蒸發，上述供給裝置係設置於上述蒸發室的上部，從上述供給裝置來使上述蒸鍍材料落下至上述蒸發室內。
在本發明的蒸鍍源中，在上述蒸發室設有透過雷射光的窗部，上述加熱裝置可經由上述窗部來對上述蒸發室內部照射上述雷射光。
在本發明的蒸鍍源中，上述供給裝置具有：供給室，其係配置有上述蒸鍍材料； 導管，其係一端被連接至上述供給室，另一端被連接至上述蒸發室；轉軸，其係***通於上述導管；及旋轉手段，其係以上述轉軸為中心軸線來使旋轉，並且，在上述轉軸的側面形成有螺旋狀的溝，上述轉軸係鉛直設置，上述轉軸的旋轉數與往上述蒸發室之上述有機材料的供給量係有所關聯。
在本發明的蒸鍍源中，具有加熱上述蒸鍍容器的加熱手段。
本發明之蒸鍍裝置的特徵係具有：真空槽、及蒸鍍源，上述蒸鍍源係具有：蒸發室，其係於內部使蒸鍍材料的蒸氣蒸發；蒸鍍容器，其係具有放出上述蒸鍍材料的蒸氣之放出口；孔，其係連接上述蒸鍍容器的內部空間與上述蒸發室的內部空間；供給裝置，其係連接至上述蒸發室，對上述蒸發室的內部供給蒸鍍材料；及加熱裝置，其係加熱被供給至上述蒸發室的上述蒸鍍材料，使蒸發，上述供給裝置係設置於上述蒸發室的上部，從上述供給裝置來使上述蒸鍍材料落下至上述蒸發室內， 並且，在上述蒸鍍容器設有將內部空間連接至上述真空槽的內部空間之放出口。
在本發明的蒸鍍裝置中，在上述真空槽內配置有：保持成膜對象物，使通過與上述蒸鍍容器的上述放出口對面的位置之搬送機構。
本發明之有機薄膜的成膜方法，係於真空槽內部使有機材料的蒸氣放出，在配置於上述真空槽內部的基板表面形成有機材料的薄膜之有機薄膜的成膜方法，其特徵為： 使有機材料從上方落下而供給至蒸發室內，在上述蒸發室內加熱上述有機材料來使蒸氣產生，將上述蒸氣導入至蒸鍍容器，從設於上述蒸鍍容器的放出口來使上述蒸氣放出至上述真空槽內部。
在本發明之成膜方法中，對供給至上述蒸發室內部的上述有機材料照射雷射光，使上述蒸氣發生。
本發明係有機薄膜的成膜方法，為使形成有螺旋狀的溝之轉軸旋轉，而令上述有機材料落下至上述蒸發室內之有機薄膜的成膜方法。
本發明係有機薄膜的成膜方法，為預先使上述轉軸的旋轉數與往上述蒸發室之上述有機材料的供給量有所關聯之有機薄膜的成膜方法。
本發明是如上述般構成，蒸發材料是不在設有放出口的蒸鍍容器蒸發，而是在鄰接於該蒸鍍容器的蒸發室內部蒸發。因此，在使蒸鍍材料蒸發時，即使發生突然沸騰， 液滴也不會到達基板，成長於基板表面的薄膜的膜質不會劣化。當蒸發室與蒸鍍容器為以導管等細長的空間來連接的情況時，由於蒸發室與蒸鍍容器之間的距離會變長，因此液滴更難以漏出。
照射雷射光來使蒸鍍材料蒸發的方法，相較於電阻加熱等的其他加熱方法，不易發生蒸鍍材料的化學變性。
因此，利用雷射光的蒸鍍法是特別適於使像有機EL材料(電荷移動材料、發光材料、電子移動材料等)那樣容易因加熱而起化學變性的材料蒸發，可製造有機EL材料的變性少，發光量高的有機EL裝置。
由於雷射光連聚合物也可使無化學變性地蒸發，因此可將以往用噴墨法、網版印刷法、旋轉塗佈法來成膜的聚合物薄膜予以用蒸鍍法成膜。
若在蒸發室連接蒸鍍材料的供給裝置，將所定片數的成膜所必要的量供給於必要時，則即使對多數的基板進行連續成膜，還是會因為大量的蒸鍍材料不會被長時間加熱，所以蒸鍍材料不會變性。
由於蒸鍍材料不會被長時間暴露於高温，因此蒸鍍材料不會分解或變質。可形成蒸鍍材料及化學組成不變的薄膜。可製造發光量高的有機EL裝置。
圖1的立體圖、圖2的概略剖面圖的符號1是表示本發明的實施例，第一例的蒸鍍裝置。
此蒸鍍裝置1是具有真空槽11、及蒸鍍源3(在圖1是省略了真空槽11。
在真空槽11連接有真空排氣系9，一旦使真空排氣系9動作，則真空槽11的內部會被真空排氣。
蒸鍍源3是具有蒸鍍容器21、蒸發室15、及供給裝置30。蒸鍍容器21是被配置於真空槽11內部。在蒸鍍容器21列設有複數的放出口24，如後述，一旦從供給裝置30供給的蒸鍍材料16被蒸發於蒸發室15內，則該蒸氣會被導入蒸鍍容器21內部，蒸鍍材料的蒸氣可從各放出口24放出至真空槽11的內部。
在真空槽11的內部配置有基板搬送機構14。在基板搬送機構14安裝有保持具10。使成膜對象物的基板保持於保持保持具(holder)10，一旦使移動於真空槽11內，則基板可在與放出口24的列設方向正交的方向通過與放出口24對面的位置。
基板的寬度是比放出口24所配置的區域的長度還要短，從放出口24放出至真空槽11的內部之蒸鍍材料蒸氣是均一地到達基板表面，形成蒸鍍材料的薄膜。亦可在基板與放出口24之間配置光罩，只在基板表面的所定區域形成薄膜。
其次，詳細說明有關蒸鍍源3。
供給裝置30是具有供給室31、導管(pipe)32、及 轉軸35。供給室31是配置於蒸發室15的上方。
導管32是氣密地插通於蒸發室15的頂部，其下端會露出於蒸發室15內部，上端會被連接至供給室31的內部。
供給室31是比導管32更大徑，在供給室31的底面露出導管32的上端開口。
轉軸35是以上端能夠比供給室31與導管32的連接部份更突出至上方的方式***至導管32。
在轉軸35的側面中，比導管32的下端更上的部份，至少到比供給室31與導管32的連接部份更上方位置為止形成有螺旋狀的溝，一旦在供給室31的底面上有蒸鍍材料16積存，則蒸鍍材料會接觸於溝。
此蒸鍍裝置1所使用的蒸鍍材料16為粉體。轉軸35的溝與溝之間的凸部是與導管32的內壁面接觸，或凸部與內壁面之間的間隙是蒸鍍材料16的粒子徑以下，使在轉軸35静止的狀態下，蒸鍍材料16不會落下。
在真空槽11的外部配置有旋轉手段37。轉軸35是被連接至旋轉手段37，一旦使旋轉手段37的動力傳達至轉軸35，則轉軸35不會上昇也不會下降，一邊維持***通於導管32內的狀態，一邊以中心軸線C為中心旋轉。
此時的旋轉方向，是假設將轉軸35扭進固體時，轉軸35移動至上方的方向，周圍的蒸鍍材料16會藉由加諸於轉軸35的力的反作用而推入至下方。
溝的下端的開口是被連接至蒸發室15的內部空間， 一旦蒸鍍材料16被推入至下方，則會落下至蒸發室15內部。
使轉軸35旋轉1次時落下的蒸鍍材料16的量是預先知道(例如1旋轉，0.01g)，在以對應於必要量的旋轉數來使轉軸35旋轉之下，可將必要量的蒸鍍材料16供給至蒸發室15。
在蒸發室15設有透明的窗部19。在此，蒸發室15是位於真空槽11內部，在真空槽11的側壁之與窗部19對面的位置也設有窗部4。
在真空槽11的外部配置有加熱手段的雷射照射裝置2，雷射照射裝置2所照射的雷射光是通過窗部4、19，射入至蒸發室15內部的蒸鍍材料16，在蒸發室15內部發生蒸鍍材料16的蒸氣。
蒸發室15與蒸鍍容器21是以隔開構件25來隔開內部空間，藉由設於隔開構件25的小孔(孔)38來連接蒸發室15與蒸鍍容器21的內部，在蒸發室15所發生的蒸氣是通過小孔38來移動至蒸鍍容器21，通過放出口24來放出至真空槽11的內部。
在此，蒸發室15與蒸鍍容器21是一面相向配置，在蒸發室15與蒸鍍容器21之間設有導管26，藉由導管26來連接蒸發室15與蒸鍍容器21的內部空間。
因此，隔開構件25是以蒸發室15與蒸鍍容器21之互相對面的壁面、及導管26的壁面所構成，小孔38是導管26的內部空間中大小最小的部份所構成。在此，導管 26是內徑均一(例如內徑1mm的不鏽鋼管)，導管26內部的任意一部份形成小孔38。
隔開構件25中，至少在小孔的周圍(導管26)設有加熱手段28。在此，加熱手段28是在蒸發室15及蒸鍍容器21也被安裝，若對該加熱手段28通電，將蒸發室15、蒸鍍容器21及導管26加熱至蒸氣不會析出的温度，則蒸氣不會析出地從蒸發室15通過小孔38移動至蒸鍍容器21。
另外，隔開構件25及小孔38並無特別加以限定，如圖3所示的第二例的蒸鍍裝置50那樣，亦可使用一片的壁51來隔開蒸鍍容器21與蒸發室15，以該壁51作為隔開構件，將形成於該壁51的貫通孔55作為小孔。
其次，利用本發明的蒸鍍裝置1來說明有關形成有機薄膜的工程。
在此，於真空槽11、蒸發室15、蒸鍍容器21、及供給室31分別連接真空排氣系9，分別將真空槽11、蒸發室15、蒸鍍容器21、及供給室31予以真空排氣，形成所定壓力的真空環境之後真空槽11的真空排氣是原封不動持續，停止蒸發室15、蒸鍍容器21、供給室31的真空排氣。
在供給室31中，預先收容有例如有機EL元件用的有機材料(電荷移動材料、電荷注入材料、發光材料等)作為蒸鍍材料16。
對一片基板的成膜所必要蒸鍍材料16的量是預知， 持續真空槽11的真空排氣，將一片以上的基板的成膜所必要的量的蒸鍍材料16由供給裝置30來供給至蒸發室15，一邊使用加熱手段來將蒸發室15、導管26及蒸鍍容器21保溫於蒸鍍材料16的蒸氣不會析出的温度(例如150℃~450℃)，一邊將雷射光照射於蒸鍍材料16，使蒸發。
蒸發室15的內部空間是比蒸鍍容器21的內部空間更小。一旦蒸鍍材料16蒸發，則在蒸發室15內部充滿蒸鍍材料16的蒸氣，蒸發室15的壓力會比蒸鍍容器21的壓力更高，藉由壓力差，蒸氣會移動至蒸鍍容器21。
真空槽11的真空排氣會被持續，形成所定壓力的真空環境(例如10-7 Torr)，因此蒸氣會從蒸鍍容器21引出至真空槽11。所以，蒸鍍容器21內部的壓力是經常比蒸發室15更低。
如上述，蒸發室15的內部空間與蒸鍍容器21的內部空間是以比隔開構件25更小的小孔38來連接，因此蒸發室15與蒸鍍容器21的壓力差形成更大。
在蒸鍍容器21內配置有真空計5。真空計5與雷射照射裝置2是分別連接至控制裝置7。在控制裝置7是預先設定有目標壓力，根據自真空計5傳送的信號來求取蒸鍍容器21內的壓力，以該壓力能夠達成目標壓力的方式，改變雷射照射裝置2的照射時間、脈衝數等，使蒸鍍材料16的蒸發量增減。
小孔38的大小是設定成當蒸鍍容器21的內部壓力達 成目標壓力時，蒸發室15的內部壓力會形成所定範圍。例如目標壓力為10-4 Torr時，蒸發室15的內部壓力是10-3 Torr~10-2 Torr。
在將成膜面朝向下側的狀態下使基板6保持於保持具10，蒸鍍容器21的內部壓力為目標壓力安定，在來自放出口24的蒸氣放出量安定時，若以能夠通過與放出口24對面的位置(成膜位置)之方式來使基板6移動，則會在基板6的表面形成有機薄膜。
在所定片數的基板6完成通過成膜位置時，其次的基板6到達成膜位置前，以能夠從供給裝置30供給所定片數的成膜所必要量的蒸鍍材料16之方式，使轉軸35旋轉所被決的次數。此時的供給量可為基板一片的量，或複數片的量。
在所被決定的供給量的蒸鍍材料16供給終了時，使新的基板6移動至成膜位置，形成有機薄膜。只要如此使重複蒸鍍材料16的供給、及所定片數的成膜，便可連續處理多數片的基板6。另外，蒸鍍材料16的供給，可每次供給同量，或改變供給量。
由於在蒸發室15是因應所需供給必要量的蒸鍍材料16，因此不會像以往那樣，大量的蒸鍍材料16被長時間加熱，蒸鍍材料16不會劣化。
以上，雖是說明有關蒸鍍材料16的加熱為使用雷射照射裝置2時，但本發明並非限於此，加熱裝置可使用藉由通電來發熱的電阻發熱體、藉由電磁感應來加熱蒸鍍容 器21的裝置、藉由紅外線放射來加熱蒸鍍容器21的裝置、藉由被昇温的熱媒體的熱傳導來加熱蒸鍍容器21的裝置、藉由倍堤葉(Peltier)效果來加熱的裝置等之加熱蒸鍍容器21的裝置等。
雷射光不只無機材料，還可使單體、低聚物、聚合物等的有機材料蒸發，且蒸發時，蒸鍍材料的化學組成的變化少，因此特佳。
又，由於蒸鍍材料16的變性物或雜質是吸收波長與變性前的蒸鍍材料16之目的化合物不同，因此只要選擇目的化合物容易吸收的波長的雷射光，便可形成即使蒸鍍材料16的一部份變性，或雜質混入，還是可選擇性地只使目的化合物蒸發，變性物或雜質的混入量少之薄膜。
雷射照射裝置2，只要是使用可改變雷射光的波長之可變型者，便可按照蒸鍍材料16的吸收波長來選擇所放出之雷射光的波長，因此可將本發明的蒸鍍裝置1利用於多樣的蒸鍍材料16之成膜。
雷射光的波長雖無特別加以限定，但當蒸鍍材料16為聚合物時，例如為680nm~10.6μm。就雷射照射裝置2之一例而言，例如為口徑10μm~20μm的CO2 雷射。
上述實施例是藉由本發明的蒸鍍裝置來形成有機薄膜，本發明的蒸鍍裝置是適用於使隨著長時間的加熱會劣化的蒸鍍材料蒸發於真空環境內，對複數的成膜對象物逐次形成薄膜的製造方法，在蒸發室15內使發生蒸氣的蒸鍍材料並非限於有機化合物。亦即，本發明的蒸鍍裝置是除 了形成有機化合物的薄膜時以外，亦可使用於形成無機薄膜或複合材料的薄膜。
亦可將蒸發室15及供給裝置30配置於真空槽11的外部。此情況，不必在真空槽11設置窗部4。
又，連接至一個蒸鍍容器21的蒸發室15的數量並無特別加以限定，亦可經由小孔38來連接複數的蒸發室15至一個的蒸鍍容器21，由複數的蒸發室15來對蒸鍍容器21供給蒸氣。此情況，亦可從各蒸發室15供給相同的蒸鍍材料16的蒸氣，或供給相異的蒸鍍材料16的蒸氣。若同時供給相異的蒸鍍材料16的蒸氣，則可形成由2種類以上的蒸鍍材料16所構成的薄膜。
以上是說明在蒸發室15及蒸鍍容器21也連接至真空排氣系9的情況，但本發明並非限於此。亦可將真空排氣系9只連接至真空槽11，將真空槽內部予以真空排氣，藉此經由放出口24來將蒸鍍容器21的內部予以真空排氣，更經由小孔38來將蒸發室15的內部予以真空排氣。另外，亦可將蒸發室15及蒸鍍容器21的其中一方連接至真空排氣系。
以上是說明有關使放出口24朝向鉛直上方，使成膜面朝向下側，來搬送基板的裝置，但本發明並非限於此。
例如，圖4的符號70所示之第三例的蒸鍍裝置，亦可將長度方向朝向鉛直下方來配置細長的蒸鍍容器21。在此蒸鍍裝置70中對於和圖1、2的蒸鍍裝置1相同的構件賦予同樣的符號，而省略說明。
基板搬送機構74可使保持於保持具77的基板6鉛直朝向的狀態下搬送，基板6會通過與放出口24對面的位置，藉由從放出口24放出的蒸氣，在基板6表面形成薄膜。
1、50、70‧‧‧蒸鍍裝置
2‧‧‧加熱裝置(雷射照射裝置)
6‧‧‧成膜對象物(基板)
11‧‧‧真空槽
15‧‧‧蒸發室
21‧‧‧蒸鍍容器
25‧‧‧隔開構件
30‧‧‧供給裝置
圖1是用以說明本發明的第一例的蒸鍍裝置的立體圖。
圖2是用以說明該蒸鍍裝置的內部的模式剖面圖。
圖3是用以說明本發明的第二例的蒸鍍裝置的模式剖面圖。
圖4是用以說明本發明的第三例的蒸鍍裝置的模式剖面圖。
圖5是以往技術的蒸鍍裝置。
1‧‧‧蒸鍍裝置
2‧‧‧加熱裝置(雷射照射裝置)
3‧‧‧蒸鍍源
4‧‧‧窗部
5‧‧‧真空計
6‧‧‧成膜對象物(基板)
7‧‧‧控制裝置
9‧‧‧真空排氣系
10‧‧‧保持具
11‧‧‧真空槽
14‧‧‧基板搬送機構
15‧‧‧蒸發室
16‧‧‧蒸鍍材料
19‧‧‧窗部
21‧‧‧蒸鍍容器
24‧‧‧放出口
25‧‧‧隔開構件
26‧‧‧導管
28‧‧‧加熱手段
30‧‧‧供給裝置
31‧‧‧供給室
32‧‧‧導管
35‧‧‧轉軸
37‧‧‧旋轉手段
38‧‧‧小孔

Claims (10)

  1. 一種蒸鍍源，其特徵係具有：蒸發室，其係於內部使蒸鍍材料的蒸氣蒸發；蒸鍍容器，其係具有放出上述蒸鍍材料的蒸氣之放出口；孔，其係連接上述蒸鍍容器的內部空間與上述蒸發室的內部空間；供給裝置，其係連接至上述蒸發室，對上述蒸發室的內部供給蒸鍍材料；及加熱裝置，其係加熱被供給至上述蒸發室的上述蒸鍍材料，使蒸發，上述供給裝置係設置於上述蒸發室的上部，從上述供給裝置來使上述蒸鍍材料落下至上述蒸發室內。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中，在上述蒸發室設有透過雷射光的窗部，上述加熱裝置可經由上述窗部來對上述蒸發室內部照射上述雷射光。
  3. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中，上述供給裝置具有：供給室，其係配置有上述蒸鍍材料；導管，其係一端被連接至上述供給室，另一端被連接至上述蒸發室；轉軸，其係***通於上述導管；及旋轉手段，其係以上述轉軸為中心軸線來使旋轉， 並且，在上述轉軸的側面形成有螺旋狀的溝，上述轉軸係鉛直設置，上述轉軸的旋轉數與往上述蒸發室之上述有機材料的供給量係有所關聯。
  4. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中，具有加熱上述蒸鍍容器的加熱手段。
  5. 一種蒸鍍裝置，其特徵係具有：真空槽、及蒸鍍源，上述蒸鍍源係具有：蒸發室，其係於內部使蒸鍍材料的蒸氣蒸發；蒸鍍容器，其係具有放出上述蒸鍍材料的蒸氣之放出口；孔，其係連接上述蒸鍍容器的內部空間與上述蒸發室的內部空間；供給裝置，其係連接至上述蒸發室，對上述蒸發室的內部供給蒸鍍材料；及加熱裝置，其係加熱被供給至上述蒸發室的上述蒸鍍材料，使蒸發，上述供給裝置係設置於上述蒸發室的上部，從上述供給裝置來使上述蒸鍍材料落下至上述蒸發室內，並且，在上述蒸鍍容器設有將內部空間連接至上述真空槽的內部空間之放出口。
  6. 如申請專利範圍第5項之蒸鍍裝置，其中，在上述真空槽內配置有：保持成膜對象物，使通過與上述蒸鍍 容器的上述放出口對面的位置之搬送機構。
  7. 一種有機薄膜的成膜方法，係於真空槽內部使有機材料的蒸氣放出，在配置於上述真空槽內部的基板表面形成有機材料的薄膜之有機薄膜的成膜方法，其特徵為：使有機材料從上方落下而供給至蒸發室內，在上述蒸發室內加熱上述有機材料來使蒸氣產生，將上述蒸氣導入至蒸鍍容器，從設於上述蒸鍍容器的放出口來使上述蒸氣放出至上述真空槽內部。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜方法，其中，對供給至上述蒸發室內部的上述有機材料照射雷射光，使上述蒸氣發生。
  9. 如申請專利範圍第7項之有機薄膜的成膜方法，其中，使形成有螺旋狀的溝之轉軸旋轉，而令上述有機材料落下至上述蒸發室內。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機薄膜的成膜方法，其中，預先使上述轉軸的旋轉數與往上述蒸發室之上述有機材料的供給量有所關聯。
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