TWI428426B - 螢光體 - Google Patents

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TWI428426B
TWI428426B TW096122605A TW96122605A TWI428426B TW I428426 B TWI428426 B TW I428426B TW 096122605 A TW096122605 A TW 096122605A TW 96122605 A TW96122605 A TW 96122605A TW I428426 B TWI428426 B TW I428426B
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Satoru Kuze
Yoshihiro Nishisu
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Sumitomo Chemical Co
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Description

螢光體
本發明係關於一種螢光體。
螢光體，因激發源激發而發光，被用於發光元件。作為發光元件，例如螢光體的激發源為電子線之電子線激發發光元件(例如陰極射線管、場發射顯示器、表面電場顯示器等)、螢光體的激發源為紫外線之紫外線激發發光元件(例如液晶顯示器用背光源、3波長型螢光燈、高負載螢光燈等)、螢光體的激發源為真空紫外線之真空紫外線激發發光元件(例如電漿顯示面板、稀有氣體燈等)、螢光體的激發源為藍色LED所發出的光或紫外線LED所發出的光之白色LED等。作為傳統的螢光體，專利文獻1具體地記載式CaMgSi2 O6 ：Eu所表示之氧化物構成的真空紫外線激發發光元件用的矽酸鹽螢光體。
[專利文獻1]特開2002－332481號公報(US6,802,990)
但是，CaMgSi2 O6 ：Eu所表示之傳統的矽酸鹽螢光體，其發光亮度不足。本發明的目的，在於提供顯示更高發光亮度之螢光體。
本發明人等為了解決上述課題，對傳統的矽酸鹽螢光體的Ca成分的大部分或全部以Sr成分取代之矽酸鹽螢光體反覆專心研究，發現該矽酸鹽螢光體含有特定量的鹵素時，顯示更高的發光亮度，因而完成本發明。
亦即，本發明係提供下述的發明。
<1>一種螢光體，其特徵係實質上由含有Sr,Ca,Eu,Mg,Si以及鹵素以莫耳比分別為a：b：c：d：e：f(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值，f為0.0008以上0.3以下的範圍的值)的量，又再含有氧所成的氧化物所構成。
<2>如<1>記載之螢光體，其中鹵素為Cl。
<3>如<1>記載之螢光體，其中鹵素為F。
<4>如<1>記載之螢光體，其中鹵素為Cl及F。
<5>如<1>~<4>中任一項記載之螢光體，其中f為0.005以上0.2以下的範圍的值。
<6>如<1>~<5>中任一項記載之螢光體，其中b為0以上0.01以下的範圍的值。
<7>如<1>~<6>中任一項記載之螢光體，其中氧化物具有輝石型結晶構造。
<8>一種如<2>記載之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法，其特徵係：金屬化合物的混合物係以莫耳比分別為a：b：c：d：e(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值)的量含有Sr,Ca,Eu,Mg以及Si，該金屬化合物的混合物含有SrCl2 。
<9>一種如<3>記載之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法，其特徵係：金屬化合物的混合物以莫耳比分別為a：b：c：d：e(但a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值)的量含有Sr,Ca,Eu,Mg以及Si，該金屬化合物的混合物含有EuF3 。
<10>一種如<4>記載之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法，其特徵係：金屬化合物的混合物以莫耳比分別為a：b：c：d：e(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值)的量含有Sr,Ca,Eu,Mg以及Si，該金屬化合物的混合物含有SrCl2 以及EuF3 。
<11>如<8>~<10>中任一項記載之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法，其中金屬化合物的混合物經燒成後，使其與酸接觸。
<12>一種螢光體糊料，其特徵係含有如<1>~<7>中任一項記載之螢光體。
<13>一種螢光體層，其特徵係將如<12>記載之螢光體糊料塗佈於基板後，藉由熱處理而得。
<14>一種發光元件，其特徵係具有如<1>~<7>中任一項記載之螢光體。
本發明所提供之螢光體，顯示更高發光亮度，特別適合使用於液晶顯示器用背光源、3波長型螢光燈、高負載螢光燈等的紫外線激發發光元件用，或可適用於電漿顯示面板、稀有氣體燈等的真空紫外線激發發光元件用、場發射顯示器等的電子線激發發光元件用、白色LED等的發光元件用，工業上非常有用。
以下詳細說明本發明。
本發明的螢光體，其特徵係實質上由含有Sr,Ca,Eu,Mg,Si以及鹵素以莫耳比分別為a：b：c：d：e：f(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值，f為0.0008以上0.3以下的範圍的值)的量，又再含有氧所成的氧化物所構成。藉由本發明的螢光體實質上由該氧化物所構成，而成為顯示高發光亮度之螢光體。上述a,b,c,d,e以及f分別不在上述分別的範圍時，有發光亮度不足的情形，所以不理想。
作為鹵素，例如F、Cl、Br、I，在本發明的螢光體顯示更高發光亮度的意義，鹵素為Cl及/或F較理想，至少含有Cl作為鹵素較理想。於鹵素為Cl及F的情況，其含量的總和滿足f的範圍。
於本發明，上述f為0.005以上0.2以下的範圍之值時，因意指本發明的螢光體顯示更高發光亮度，較理想。而且上述b為0以上0.01以下的範圍之值時，意指本發明的螢光體顯示更高發光亮度，較理想。
而且，於本發明，藉由氧化物具有輝石型結晶構造，成為發光亮度更高、劣化特性佳之螢光體，所以較理想。
而且，在無損本發明的效果的範圍，本發明的螢光體也可更含有選自Al、Sc、Y、La、Gd、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi以及Mn所成群之1種以上的元素。這些元素的含量，通常對螢光體的全部重量而言為100ppm以上50000ppm以下。
然後，說明製造本發明的螢光體的方法。
本發明的螢光體之製造，係藉由燒成，將構成本發明的螢光體之金屬化合物混合物進行燒成。亦即，以既定的組成，秤量含有對應金屬元素之化合物，藉由燒成混合後所得之金屬化合物混合物而製造。亦即，金屬化合物混合物，以莫耳比分別為a：b：c：d：e(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上未達0.5的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值)的量含有Sr、Ca、Eu、Mg以及Si，該金屬化合物混合物含有鹵素。例如較理想的組成之一為含有Sr、Eu、Mg、Si以及鹵素為Cl以莫耳比分別為0.98：0.02：1：2：0.12的量，又再含有氧所成之氧化物所構成的螢光體，係秤量SrCl2 、Eu2 O3 、MgCO3 以及SiO2 使Sr：Eu：Mg：Si的莫耳比為0.98：0.02：1：2，混合後藉由燒成而製造。其中，藉由控制後述之燒成時間、燒成溫度，可控制鹵素為Cl的含有量。
作為上述含有金屬元素的化合物，以鍶、鈣、鎂、矽、銪的化合物，例如可使用氧化物或氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物、草酸鹽等高溫下分解可成為氧化物者。
為了使本發明的螢光體含有鹵素，於鹵素為Cl的情況，作為含有對應金屬元素的化合物之一，可使用如SrCl2 、EuCl3 的氯化物，於不使用氯化物作為含有對應金屬元素之化合物的情況，使用氯化銨。使用氯化物的情況下，也可又使用氯化銨。這些之中，使用SrCl2 ，金屬化合物混合物含有SrCl2 時，成為結晶性高的氧化物，因意指成為發光亮度高的螢光體，所以較理想。而且，於本發明的鹵素為F的情況，作為含有對應金屬元素的化合物之一，可使用如SrF2 、EuF3 的氟化物，於不使用氟化物作為含有對應金屬元素之化合物的情況，使用氟化銨。與上述相同，使用氟化物的情況下，也可又使用氟化銨。而且，於本發明的鹵素為Cl及F的情況，例如金屬化合物混合物只要含有SrCl2 以及EuF3 即可。
上述含有金屬元素的化合物之混合，可使用例如球磨機、V型混合機、攪拌機等一般工業上所使用的裝置。而且，於使用氯化銨、氟化銨的情況，可在上述混合時添加。
將上述金屬化合物混合物，以例如900℃至1500℃的溫度範圍，通常保持0.3小時以上100小時以下的時間範圍，藉由燒成可得本發明的螢光體。此處，藉由控制燒成時間、燒成溫度，可控制所得的螢光體中鹵素的含量。於上述範圍，燒成時間越長，燒成溫度越高，螢光體中鹵素的含量有減少的傾向，適當的燒成時間及燒成溫度，實驗上決定而得。
於金屬化合物混合物，使用氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物、草酸鹽等高溫下會分解及/或氧化之化合物的情況下，保持400℃至900℃的溫度範圍進行煅燒，成為氧化物，除去結晶水後，可進行上述的燒成。進行煅燒的環境，可為不活性氣體環境、氧化性氣體環境或還原性氣體環境。而且，煅燒後可進行粉碎。
作為燒成時的環境，例如氮氣、氬氣等的不活性氣體環境；空氣、氧氣、含氧氣的氮氣、含氧氣的氬氣等氧化性氣體環境；含有0.1~10體積%的氫氣之含氫氣的氮氣、含有0.1~10體積%的氫氣之含氫氣的氬氣等還原性氣體環境較理想。於強還原性的環境下進行燒成的情況，可使金屬化合物混合物含有適量的碳進行燒成。
藉由以上的方法所得的螢光體，可使用球磨機、噴射磨機等進行粉碎，燒成與粉碎可重複2次以上。所得的螢光體，依需要可進行洗淨或分級。藉由洗淨，也有可控制鹵素的含量的情形。於進行洗淨等伴隨鹵素的含量的改變之操作時的情況，改變後的含量滿足上述的莫耳比時，成為本發明的螢光體所含有的物質。根據本發明人的見解，燒成後螢光體的鹵素的量，雖可藉由洗淨等操作而減少，之後其量幾乎不會改變，成為安定的物質。
上述的洗淨，具體地，例如將金屬化合物混合物進行燒成後的燒成品與酸接觸，於該情況，所得的螢光體之發光亮度有更高的情形，所以較理想。而且，藉由使燒成品與酸接觸，於100℃之發光亮度也更高，螢光體的溫度特性有提高的情形。作為燒成品與酸接觸之方法，例如將燒成品浸漬於酸的方法、或前述浸漬時攪拌的方法、燒成品與酸藉由濕式球磨機進行混合的方法，較理想為將燒成品浸漬於酸後攪拌的方法。
作為上述的酸，具體地例如乙酸、草酸等有機酸、或鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸，以鹽酸、硝酸、硫酸較理想，其中鹽酸較理想。酸的氫離子濃度，使用上較理想為0.001莫耳/升以上2莫耳/升以下程度。而且，接觸時酸的溫度，可為室溫(25℃的程度)，依需要可加熱至30℃~80℃的程度。而且，燒成品與酸接觸的時間，通常為1秒~10小時的程度。
而且，燒成品與酸接觸後，通常進行固液分離、乾燥。固液分離可藉由過濾、抽吸過濾、加壓過濾、離心分離、傾析等工業上通常使用的方法進行。乾燥可藉由真空乾燥機、熱風加熱乾燥機、錐形乾燥機、旋轉蒸發器等工業上通常使用的裝置進行。而且，上述固液分離後所得的固體，可使其與水(例如離子交換水)接觸，再進行固液分離。
然後，說明具有本發明的螢光體之螢光體糊料。
本發明的螢光體糊料，係含有本發明的螢光體為主成分，含有有機物作為其他成分。作為該有機物，例如溶劑、黏結劑等。本發明的螢光體糊料，可與製造傳統的發光元件所使用的螢光體糊料同樣地使用，藉由熱處理，螢光體糊料中的有機物因揮發、燃燒、分解等而除去，可得實質上由本發明的螢光體所成的螢光體層之螢光體糊料。
本發明的螢光體糊料，例如可由特開平10－255671號公報所揭露之習知的方法製造。例如將本發明的螢光體糊料、黏結劑與溶劑，使用球磨機、三個滾輪等進行混合而得到，混合比例可適當地設定。
作為上述黏結劑，例如纖維素系樹脂(乙基纖維素、甲基纖維素、硝基纖維素、乙醯纖維素、丙酸纖維素、羥丙基纖維素、丁基纖維素、苯甲基纖維素、改性纖維素等)、丙烯酸系樹脂(丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸第3丁酯、甲基丙烯酸第3丁酯、丙烯酸2－羥基乙酯、甲基丙烯酸2－羥基乙酯、丙烯酸2－羥基丙酯、甲基丙烯酸2－羥基丙酯、丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸苯甲酯、苯氧基丙烯酸酯、苯氧基甲基丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、苯乙烯、α－甲基苯乙烯丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、丙烯腈、甲基丙烯腈等的單體中至少1種的聚合物)、乙烯－乙酸乙烯酯共聚合物樹脂、聚乙烯丁醛、聚乙烯醇、丙二醇、聚氧乙烯、聚胺酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚樹脂等。
而且，作為上述溶劑，例如1價醇中高沸點者；乙二醇、丙三醇為代表之二醇、三醇等多價醇；醇類醚化及/或酯化的化合物(乙二醇單烷醚、乙二醇二烷醚、乙二醇烷醚乙酸酯、二乙二醇單烷醚乙酸酯、二乙二醇二烷醚、丙二醇單烷醚、丙二醇二烷醚、丙二醇烷醚乙酸酯)等。
如上述所得的螢光體糊料，塗佈於基板後，熱處理所得之螢光體層，耐濕性佳。作為基板，其材質例如為玻璃、樹脂等。也可為可撓性者，形狀為板狀、可為容器狀者。而且，作為塗佈的方法，例如網版印刷法、噴墨法等。而且，作為熱處理的溫度，通常為300℃~600℃。而且，塗佈於基板後，進行熱處理前，可在室溫~300℃的溫度下進行乾燥。
此處，作為具有本發明的螢光體之發光元件的例子，舉紫外線激發發光元件之3波長型螢光燈，說明其製造方法。3波長型螢光燈的製造方法，例如可使用特開2004－2569號公報揭露之習知方法。亦即，使發光色要求為白色而適當地混合藍色發光螢光體、綠色發光螢光體及紅色發光螢光體之3波長發光型螢光體，例如使其分散於聚氧乙烯水溶液等，調製螢光體塗佈液。將該塗佈液塗佈於玻璃球內面後，例如在400℃~900℃的溫度範圍下烘烤，形成螢光膜。然後，經過使頸部朝玻璃球的端部密封，球內的排氣、封入水銀及稀有氣體、排氣管的封閉及切斷、安裝金屬蓋等的一般步驟，可製造3波長型螢光燈。
作為上述紅色發光螢光體，例如3價銪活化的氧化釔螢光體(Y2 O3 ：Eu)、3價銪活化的氧硫化釔螢光體(Y2 O2 S：Eu)等，作為上述綠色發光螢光體，例如鈰、鋱活化的磷酸鑭(LaPO4 ：Ce,Tb)、鋱活化的鈰．鋱．鎂．鋁螢光體((CeTb)MgAl11 O19 ：Tb)等。而且，作為上述藍色發光螢光體，可單獨使用本發明的螢光體，也可混合本發明的螢光體與其他藍色發光螢光體使用。於該情況，作為其他藍色發光螢光體，例如銪活化的鍶磷酸鹽螢光體(Sr5 (PO4 )3 Cl：Eu)、銪活化的鍶．鋇．鈣磷酸鹽螢光體((Sr,Ca,Ba)5 (PO4 )3 Cl：Eu)以及銪活化的鋇．鎂．鋁螢光體(BaMg2 Al16 O27 ：Eu,BaMgAl10 O17 ：Eu等)等。
然後，作為具有本發明的螢光體之發光元件的例子，舉真空紫外線激發發光元件之電漿顯示面板，說明其製造方法。作為電漿顯示面板的製造方法，可使用例如特開平10－195428號公報(US6,099,753)揭露的習知方法。亦即於本發明的螢光體為顯示藍色發光的情況，由綠色螢光體、紅色螢光體、本發明的藍色螢光體所構成之各螢光體，例如與纖維素系樹脂、聚乙烯醇所構成的黏結劑及溶劑混合，調製螢光體糊料。於背面基板的內面之以間隔壁隔開之具備位址電極的條狀的基板表面及間隔壁面，藉由網版印刷法塗佈螢光體糊料，於300~600℃的溫度範圍進行熱處理，得到各螢光體層。將其與具備垂直螢光體層方向的透明電極及匯流電極且內面設有介電體層與保護層之表面玻璃基板重疊而接合。藉由使內部排氣，封入低壓的Xe、Ne等稀有氣體，形成放電空間，可製造電漿顯示面板。
然後，作為具有本發明的螢光體之發光元件的例子，舉電子線激發發光元件之場發射顯示器，說明其製造方法。作為場發射顯示器的製造方法，可使用例如特開2002－138279號公報揭露之習知的方法。亦即，於本發明的螢光體為顯示藍色發光的情況，由綠色螢光體、紅色螢光體、本發明的藍色螢光體所構成之各螢光體，分別例如分散於聚乙烯醇水溶液等，調製螢光體糊料。將該螢光體糊料塗佈於玻璃基板後，藉由熱處理得到螢光體層，成為表面板。該表面板與具有許多放出電子的元件之背板，介由支持框組裝，同時經過將這些間隙排氣且氣密封裝等一般的步驟，可製造場發射顯示器。
然後，作為具有本發明的螢光體之發光元件的例子，舉白色LED，說明其製造方法。作為白色LED的製造方法，可使用例如特開平5－152609號公報及特開平7－99345號公報等揭露之習知的方法。亦即，使至少含有本發明的螢光體之螢光體，分散於環氧樹脂、聚碳酸酯、聚矽氧橡膠等透光性樹脂中，將分散有該螢光體的樹脂，使其包住藍色LED或紫外線LED而成形，可製造白色LED。
然後，藉由實施例，更詳細地說明本發明。
發光亮度(A)的測定係於室溫(25℃)，使用分光光度計(日本分光公司製、FP－6500型)進行。而且，發光亮度(B)的測定，係於6.7Pa(5×10－2 Torr)以下的真空槽內，使用準分子146nm燈(Ushio電機公司製、H0012型)，對螢光體照射真空紫外線所得的發光，使用分光放射計(Topcon公司製SR－3)進行。而且，將螢光體以焦磷酸溶解，將水蒸氣蒸餾後，使用離子色層分析裝置(DIONX戴安公司製、DX－120)，測定Cl的含量、F的含量。
比較例1
秤量碳酸鍶(SrCO3 、堺化學工業公司製、製品名SW－K)、氧化銪(Eu2 O3 、信越化學工業公司製)、碳酸鎂(MgO的含量為42.0%、協和化學工業公司製、製品名為高純度碳酸鎂)、二氧化矽(SiO2 、日本AEROSIL公司製、商品名為AEROSIL200)的各原料，使Sr：Eu：Mg：Si的莫耳比為0.98：0.02：1：2，將原料混合後，於大氣中，900℃的溫度下煅燒2小時，於含有2體積%H2 的N2 環境中，1100℃的溫度下保持2小時進行燒成。藉由進行3次的燒成，得到螢光體1。對螢光體1，測定Cl的含量時，得知螢光體1含有50ppm的Cl，得知螢光體1之Sr：Eu：Mg：Si：Cl的莫耳比為0.98：0.02：1：2：4×10－4 。此外，該Cl被認為是以雜質含於上述各原料。
螢光體1藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以此時的發光亮度(A)為100。
螢光體1，於室溫(25℃)，藉由波長146nm的真空紫外線激發時，顯示藍色發光，其發光波長波峰為436nm。以此時的發光亮度(B)為100。
實施例1
秤量氯化鍶(SrCl2 ．6H2 O、堺化學工業公司製)、氯化銪(EuCl3 ．6H2 O、和光純藥工業公司製)、碳酸鎂(MgO的含量為42.0%、協和化學工業公司製、製品名為高純度碳酸鎂)、二氧化矽(SiO2 、日本AEROSIL公司製、商品名為AEROSIL200)的各原料，使Sr：Eu：Mg：Si的莫耳比為0.98：0.02：1：2，將原料混合後，於大氣中，800℃的溫度下煅燒2小時，再於含有2體積%H2 的N2 環境中，1100℃的溫度下保持2小時進行燒成。藉由進行3次的燒成，得到螢光體2。對螢光體2，測定Cl的含量時，得知螢光體2含有1.6×104 ppm的Cl，得知螢光體2之Sr：Eu：Mg：Si：Cl的莫耳比為0.98：0.02：1：2：0.12。
螢光體2藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以螢光體1的發光亮度(A)為100時，螢光體2的發光亮度(A)為214。螢光體2的SEM相片表示於圖1。而且，將螢光體2填充於粉末X射線繞射用基板，使用粉末X射線繞射裝置(Rigaku理學公司製RINT2500TTR型)，使用CuKα線源，繞射角2θ為10°~50°的範圍，進行粉末X射線繞射測定時，所得的粉末X射線繞射圖形表示於圖2。由圖2，得知螢光體2具有輝石型結晶構造。
實施例2
將螢光體2水洗、乾燥，得到螢光體3。對螢光體3，測定Cl的含量時，得知螢光體3含有7×102 ppm的Cl，得知螢光體3之Sr：Eu：Mg：Si：Cl的莫耳比為0.98：0.02：1：2：0.005。螢光體3藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以螢光體1的發光亮度(A)為100時，發光亮度(A)為214。
實施例3
秤量氯化鍶(SrCl2 ．6H2 O、堺化學工業公司製)、氟化銪(EuF3 、和光純藥工業公司製)、碳酸鎂(MgO的含量為42.0%、協和化學工業公司製、製品名為高純度碳酸鎂)、二氧化矽(SiO2 、日本AEROSIL公司製、商品名為AEROSIL200)的各原料，使Sr：Eu：Mg：Si的莫耳比為0.98：0.02：1：2，將原料混合後，於大氣中，800℃的溫度下煅燒2小時，再於含有2體積%H2 的N2 環境中，1100℃的溫度下保持2小時進行燒成。藉由進行3次的燒成，得到螢光體4。對螢光體4，測定Cl及F的含量時，得知螢光體4含有2.3×104 ppm的Cl及1.7×103 ppm的F，得知螢光體4之Sr：Eu：Mg：Si：Cl：F的莫耳比為0.98：0.02：1：2：0.17：0.03。而且，由X射線繞射的測定，得知螢光體4具有輝石型結晶構造。螢光體4藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以螢光體1的發光亮度(A)為100時，螢光體4的發光亮度(A)為224。
實施例4
將螢光體4水洗、乾燥，得到螢光體5。對螢光體5，測定Cl及F的含量時，得知螢光體5含有7×102 ppm的Cl及1×103 ppm的F，得知螢光體5之Sr：Eu：Mg：Si：Cl：F的莫耳比為0.98：0.02：1：2：0.005：0.016。螢光體5藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以螢光體1的發光亮度(A)為100時，螢光體5的發光亮度(A)為224。
實施例5
將螢光體4(1g)浸漬於氫離子濃度為0.1莫耳/升的鹽酸(50毫升)，使其接觸，以磁攪拌器攪拌3分鐘後，藉由抽吸過濾，進行固液分離，使其接觸水，再次進行固液分離。然後於0.1MPa的壓力、100℃，進行減壓乾燥，得到螢光體6。對螢光體6，測定Cl及F的含量時，得知螢光體6含有1.1×103 ppm的Cl及3.2×10ppm的F，得知螢光體6之Sr：Eu：Mg：Si：Cl：F的莫耳比為0.98：0.02：1：2：0.008：0.0004。螢光體6藉由波長254nm的紫外線激發時，顯示藍色發光，以螢光體1的發光亮度(A)為100時，螢光體6的發光亮度(A)為218。
螢光體6，於室溫(25℃)，藉由波長146nm的真空紫外線激發時，顯示藍色發光，其發光波長波峰為436nm。此時的發光亮度(B)，對螢光體1的發光亮度(B)為100時，為128。
螢光體6，於100℃，藉由波長146nm的真空紫外線激發時，顯示藍色發光，其發光波長波峰為436nm。此時的發光亮度(B)，對螢光體1的發光亮度(B)為100時，為116。
比較例2
秤量碳酸鋇(BaCO3 、日本化學工業公司製)、氧化銪(Eu2 O3 、信越化學工業公司製)、碳酸鎂(MgO的含量為42.0%、協和化學工業公司製、製品名為高純度碳酸鎂)、氧化鋁(Al2 O3 、住友化學公司製、商品名為SUMICORANDAM)的各原料，使Ba：Eu：Mg：Al的莫耳比為0.9：0.1：1：10，將原料混合後，於含有2體積%H2 的N2 環境中，1450℃的溫度下保持5小時進行燒成，得到螢光體7(BaMgAl10 O17 ：Eu)。
分別對實施例5的螢光體6及本比較例2的螢光體7，以波長254nm的紫外線激發所得的發光，進行分光測定(分光測定範圍為380nm~750nm)，所得的發光光譜表示於圖3。508nm附近的波峰係來自254nm的紫外線之波峰。
而且，同樣地分別對實施例5的螢光體6及本比較例2的螢光體7，於室溫(25℃)，以波長146nm的紫外線激發所得的發光，進行分光測定(分光測定範圍為380nm~750nm)，所得的發光光譜表示於圖4。
由圖3及圖4得知，本發明的發光體，與廣泛使用的螢光體(BaMgAl10 O17 ：Eu、BAM)比較，顯示良好的發光亮度。
[產業上的利用可能性]
本發明所提供的螢光體，顯示更高發光亮度，特別適合使用於液晶顯示器用背光源、3波長型螢光燈、高負載螢光燈等的紫外線激發發光元件用，或可適用於電漿顯示面板、稀有氣體燈等的真空紫外線激發發光元件用、場發射顯示器等的電子線激發發光元件用、白色LED等的發光元件用，工業上非常有用。
圖1表示螢光體2的SEM相片(倍率為10000倍)。
圖2表示螢光體2藉由粉末X射線繞射測定所得之粉末X射線繞射圖形，繞射角2θ為10°~50°的範圍時所得的圖形。
圖3表示螢光體6及螢光體7的發光光譜圖形。
圖4表示螢光體6及螢光體7的發光光譜圖形。

Claims (9)

  1. 一種螢光體，其特徵係：實質上由含有Sr,Ca,Eu,Mg,Si以及鹵素以莫耳比分別為a：b：c：d：e：f(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上0.01以下的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值，f為0.005以上0.2以下的範圍的值)的量，又再含有氧所成的氧化物所構成，且該鹵素至少包含Cl。
  2. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中鹵素為Cl。
  3. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中鹵素為Cl及F。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之螢光體，其中氧化物具有輝石型結晶構造。
  5. 一種如申請專利範圍第3項之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法，其特徵係：金屬化合物的混合物以莫耳比分別為a：b：c：d：e(惟，a為0.5以上未達1的範圍的值，b為0以上0.01以下的範圍的值，c為超過0未達0.3的範圍的值，d為0.8以上1.2以下的範圍的值，e為1.9以上2.1以下的範圍的值)的量含有Sr,Ca,Eu,Mg以及Si，該金屬化合物的混合物含有SrCl2 及/或EuF3 。
  6. 如申請專利範圍第5項之螢光體的製造方法，其係藉由將金屬化合物的混合物進行燒成之螢光體的製造方法 ，其中金屬化合物的混合物經燒成後，使其與酸接觸。
  7. 一種螢光體糊料，其特徵係：含有如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之螢光體。
  8. 一種螢光體層，其特徵係：將如申請專利範圍第7項之螢光體糊料塗佈於基板後，藉由熱處理而得。
  9. 一種發光元件，其特徵係：具有如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之螢光體。
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