TWI427672B - Light source device - Google Patents
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Description
本發明係關於被組裝於在半導體或液晶基板、甚至彩色濾光片等之製造工程中所被利用的曝光裝置的光源裝置。
在半導體或液晶基板或彩色濾光片等之製造工程中,係要求處理時間的短縮化、或對於大面積的被處理物的總括曝光。針對此要求,已提出一種可投入紫外線放射強度更大之輸入電力之較大的高壓放電燈。
但是,若加大對於高壓放電燈的輸入電力,則對於電極的負荷會增大,來自電極的蒸發物會成為肇因,使高壓放電燈黑化,而發生短壽命的問題。
第13圖係顯示習知技術之專利文獻1所記載之光源裝置的示意圖。
如該圖所示,該光源裝置100係為了解決上述問題,將無電極的電漿發生容器104配置在橢圓反射鏡101內,通過設在橢圓反射鏡101之側面的孔部102,使雷射光入射至電漿發生容器104,激發被封入在電漿發生容器104內的電漿發生氣體而使其發光的裝置。藉由該光源裝置100,由於在電漿發生容器104中不具有電極,因此可解決上述問題。
但是,專利文獻1所記載的光源裝置100係在橢圓反
射鏡101的側面具有雷射光的光取入孔102與光取出孔103,當以橢圓反射鏡101聚集由無電極電漿發生容器104所發生的紫外線時,由於在反射面具有孔102、103,因此會有無法有效利用紫外線的問題。此外,雷射光由相對於橢圓反射鏡101的光軸X呈交叉的方向入射至無電極電漿發生容器104,電漿朝橫向(相對於光軸X呈交叉的方向)延伸,而在偏離橢圓反射鏡101焦點的領域發生電漿,紫外線未正確被反射,而會有無法有效利用紫外線的問題。
第14圖係顯示其他習知技術之專利文獻2所記載之光源裝置的示意圖。
如該圖所示,該光源裝置200係為了解決上述問題,將無電極的電漿發生容器配置在反射鏡201內,通過反射鏡201頂部的開口202,使雷射光入射至電漿發生容器203內,激發被封入在電漿發生容器203內的電漿發生氣體而使其發光的裝置。藉由該光源裝置200,由於在電漿發生容器中不具有電極,因此可解決上述問題。
但是,專利文獻2所記載的光源裝置200係雷射光由反射鏡201的頂部開口202入射至反射鏡201內,照射在電漿發生容器203而發生電漿204,但是雷射光的一部分會通過電漿204,甚至亦透過電漿發生容器203,連同因電漿所發生的放射光,雷射光被照射在照射面。結果,因該所不希望的雷射光的影響,會有照射面的被處理物發生損傷的問題。
第15圖及第16圖係顯示用以解決專利文獻2所記載之光源裝置200之上述問題點的構成圖。
藉由第15圖所示之構成,從由反射鏡205進行光出射的開口側,使所被入射的雷射光在反射鏡206反射,照射至反射鏡205內,激發被填充在反射鏡205內的電漿發生氣體而使電漿發生,使因電漿所生成的放射光透過反射鏡206而放射者。此外,藉由第16圖所示之構成,從由反射鏡205進行光出射的開口側,使所被入射的雷射光透過反射鏡208而照射至反射鏡205內,激發被填充在反射鏡205內的電漿發生氣體而使電漿發生,使因電漿所生成的放射光在反射鏡208反射而放射者。
藉由第15圖及第16圖所示之構成,可解決第14圖之光源裝置的問題點。但是,在第15圖及第16圖所示之構成中,反射鏡206、208係必須具有波長選擇性,而會有難以製造,而且無法確實將波長切分的情形。甚至,在反射鏡206中,放射光的一部分被反射鏡206吸收,在反射鏡208亦有放射光的一部分被反射鏡208吸收,而會有無法有效利用放射光的問題。
(專利文獻1)日本特開昭61-193358號公報
(專利文獻2)美國專利2007/0228300號公報
本發明之目的係有鑑於上述問題點,提供一種光源裝
置係對電漿發生容器照射雷射光而由電漿發生容器放射出放射光的光源裝置,利用藉由電漿發生容器來遮蔽來自橢圓反射鏡的反射光而未被照射反射光的反射光非照射領域,來導入雷射光,藉此在橢圓反射面反射由電漿發生容器所放射的光,可有效利用該反射光。
本發明係為了解決上述課題,而採用如下所示之手段。
第1手段係一種光源裝置,其特徵為具備有:在內部被封入有發光物質,雷射光由橢圓反射鏡的開口側予以聚光且被照射,激發前述發光物質而放射有放射光的電漿發生容器;在其中一方焦點配置有前述電漿發生容器的前述橢圓反射鏡;及前述放射光被前述橢圓反射鏡反射而成為反射光,改變該反射光之方向的平面鏡,在前述平面鏡,係在藉由前述電漿發生容器遮蔽來自前述橢圓反射鏡的反射光而未被照射反射光的反射光非照射領域設有用以導入前述雷射光的窗部。
第2手段係在第1手段之光源裝置中,在前述平面鏡與前述電漿發生容器之間配置有將前述雷射光聚光的聚光透鏡。
第3手段係在第1手段之光源裝置中,在前述窗部之前述電漿發生容器的相反側配置有將前述雷射光聚光的聚光透鏡。
第4手段係在第1手段之光源裝置中,在前述窗部之前述電漿發生容器的相反側配置有將前述雷射光聚光而反射的聚光反射鏡。
第5手段係在第1手段之光源裝置中,在前述電漿發生容器的一部分形成有將前述雷射光聚光的聚光透鏡部分。
第6手段係在第1手段之光源裝置中,前述電漿發生容器係在電漿發生容器的內部不具有電極的無電極電漿發生容器。
第7手段係在第1手段之光源裝置中,前述電漿發生容器係在電漿發生容器的內部具有一對電極的有電極電漿發生容器。
第8手段係在第6手段之光源裝置中,被導入至前述電漿發生容器的雷射光係由脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光、與由脈衝雷射或CW雷射所構成的電漿維持用雷射光。
第9手段係在第7手段之光源裝置中,被導入至前述電漿發生容器的雷射光係由脈衝雷射或CW雷射所構成的電漿維持用雷射光。
第10手段係在第1手段至第7手段中任一手段之光源裝置中,前述電漿發生容器係具有加熱手段。
第11手段係在第10手段之光源裝置中,前述加熱手段係吸收被埋設在電漿發生容器內的雷射光而發熱的發熱體。
藉由本發明,被導入至電漿發生容器的雷射光係由改變來自橢圓反射鏡之反射光之方向的平面鏡之藉由電漿發生容器遮蔽來自橢圓反射鏡的反射光而未照射反射光的反射光非照射領域所設置的窗部予以導入,因此由電漿發生容器所放射的放射光會在橢圓反射鏡反射,而可有效利用該反射光。此外,由於將雷射光由橢圓反射鏡的開口側朝向電漿發生容器照射,因此對於照射面的被處理物並不會有直接照射雷射光的情形,而且不會有被處理物因雷射光而受到損傷的情形。
使用第1圖,說明本發明之第1實施形態。
第1圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,電漿發生容器1為石英玻璃製,由發光部11與密封部12所構成,在發光部11係例如2氣壓封入有4.5mg/cm3
的水銀與氙作為發光物質。電漿發生容器1係在內部未存在有電極的無電極電漿發生容器。橢圓反射鏡2係具有頂部開口21,在頂部開口21被***電漿發生容器1的密封部12,密封部12在橢圓反射鏡2的背後被保持,在橢圓反射鏡2的其中一方焦點F1配置有電漿發生容器1。在橢圓反射鏡2的外部設有雷射光發生器3,由雷射光發生器3,將例如20kHz的脈衝雷射或由CW
(Continuous Wave)雷射所構成的雷射光導入至電漿發生容器1。
由橢圓反射鏡2所反射的反射光中,由電漿發生容器1朝向橢圓反射鏡2之另一方焦點F2而在與平面鏡4之間所形成的領域L1-L2係遮蔽反射光的反射光阻礙領域L1-L2。L1及L2係將成為電漿發生容器1之最大徑的外面部分、與在平面鏡4折返而連結焦點F2的線。反射光阻礙領域L1-L2與平面鏡4相抵碰的面係藉由電漿發生容器1來遮蔽來自橢圓反射鏡2的反射光而未被照射反射光的反射光非照射領域L3-L4,在反射光非照射領域L3-L4形成有平面鏡4的窗部41。由雷射光發生器3所出射的雷射光係透過窗部41而被導入,藉由被配置在窗部41與電漿發生容器1之間的聚光透鏡5予以聚光且照射在電漿發生容器1。藉由將雷射光聚光,可在聚光點提高能量密度,且可使發光物質激發而發生放射光。放射光係在橢圓反射鏡2反射,反射光在除了窗部41以外的平面鏡4的反射面改變方向而反射在被照射物側。其中,窗部41係形成在平面鏡4的貫穿孔,但是在貫穿孔以外,亦可為平面鏡4由透過雷射光的基板所構成,在窗部41以外的基板部分形成有反射放射光的反射膜者。
藉由本實施形態之發明,平面鏡4的窗部41與聚光透鏡5被設在反射光阻礙領域L1-L2,因此為利用原本即不存在有來自橢圓反射鏡2之反射光的領域者,可有效利用來自橢圓反射鏡2的反射光。此外,將雷射光透過窗部
41而由橢圓反射鏡2的開口側導入至電漿發生容器1,因此在照射面的被處理物,並不會直接照射雷射光,且不會有被處理物因雷射光而損傷的情形。此外,雷射光係構成為沿著橢圓反射鏡2的光軸X行進,因此在電漿發生容器1內所發生的電漿會朝光軸X方向延伸,藉由橢圓反射鏡2,使捕捉放射光的比例變高,可有效利用放射光。
使用第2圖,說明本發明之第2實施形態。
第2圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,由雷射光發生器3所出射的雷射光係藉由被配置在雷射光發生器3與平面鏡4之窗部41之間的聚光透鏡5予以聚光,透過窗部41而被導入,而照射在電漿發生容器1。藉由將雷射光聚光,可在聚光點提高能量密度,可使發光物質激發而發生放射光。放射光係在橢圓反射鏡2被反射,反射光在除了窗部41以外的平面鏡4的反射面改變方向而反射在被照射物側。其中,其他構成係與第1圖所示之相同元件符號的構成相對應。
藉由本實施形態之發明,平面鏡4的窗部41被設在反射光阻礙領域L1-L2,因此為利用原本即不存在有來自橢圓反射鏡2的反射光的領域者,可有效利用來自橢圓反射鏡2的反射光。此外,將雷射光透過窗部41由橢圓反射鏡2的開口側被導入至電漿發生容器1,因此在照射面的被處理物,並不會直接照射雷射光,且不會有被處理物因雷射光而損傷的情形。此外,雷射光係構成為沿著橢圓
反射鏡2的光軸X行進,因此在電漿發生容器1內所發生的電漿會朝光軸X方向延伸,藉由橢圓反射鏡2,使捕捉放射光的比例變高,可有效利用放射光。
使用第3圖,說明本發明之第3實施形態。
第3圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,由雷射光發生器3所出射的雷射光係藉由被配置在雷射光發生器3與平面鏡4之窗部41之間的聚光反射鏡透鏡6予以聚光且被反射,透過窗部41而被導入且照射在電漿發生容器1。藉由將雷射光聚光,可在聚光點提高能量密度,可使發光物質激發而發生放射光。放射光係在橢圓反射鏡2反射,反射光在除了窗部41以外的平面鏡4的反射面改變方向而反射至被照射物側。其他構成係與第1圖所示之相同元件符號的構成相對應。
藉由本實施形態之發明,平面鏡4的窗部41被設在反射光阻礙領域L1-L2,因此為利用原本即不存在有來自橢圓反射鏡2之反射光的領域者,可有效利用來自橢圓反射鏡2的反射光。此外,將雷射光透過窗部41而由橢圓反射鏡2的開口側被導入至電漿發生容器1,因此在照射面的被處理物,並不會直接照射雷射光,且不會有被處理物因雷射光而損傷的情形。此外,雷射光係構成為沿著橢圓反射鏡2的光軸X行進,因此在電漿發生容器1內所發生的電漿會朝光軸X方向延伸,藉由橢圓反射鏡2,使捕捉放射光的比例變高,可有效利用放射光。
使用第4圖,說明本發明之第4實施形態。
第4圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,由雷射光發生器3所出射的雷射光係透過平面鏡4的窗部41而被導入,藉由形成在電漿發生容器1之一部分的聚光透鏡部分19予以聚光且照射在電漿發生容器1內。藉由將雷射光聚光,可在聚光點提高能量密度,可使發光物質激發而發生放射光。放射光係在橢圓反射鏡2反射,反射光在除了窗部41以外的平面鏡4的反射面改變方向而反射在被照射物側。其中,其他構成係與第1圖所示之相同元件符號的構成相對應。
藉由本實施形態之發明,平面鏡4的窗部41被設在反射光阻礙領域L1-L2,因此為利用原本即不存在有來自橢圓反射鏡2之反射光的領域者,可有效利用來自橢圓反射鏡2的反射光。此外,將雷射光透過窗部41而由橢圓反射鏡2的開口側導入至電漿發生容器1,因此在照射面的被處理物,並不會直接照射雷射光,且不會有被處理物因雷射光而受到損傷的情形。此外,雷射光係構成為沿著橢圓反射鏡2的光軸X行進,因此在電漿發生容器1內所發生的電漿會朝光軸X方向延伸,藉由橢圓反射鏡2,使捕捉放射光的比例變高,可有效利用放射光。
使用第5圖,說明本發明之第5實施形態。
第5圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,將由雷射光發生器3A透過反射鏡7的雷射光A、及由雷射光發生器3B在反射鏡7作反射的雷射光B,利用被配置在平面鏡4的窗部41與電漿發生容器1之間的聚光透鏡5予以聚光,且放射至電漿發生容器1。雷射光A係由CW雷射所構成的電漿維持用雷射光,雷射光B係由例如20kHz的脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光。藉由將雷射光B與雷射光A相重疊,助長電漿發生容器1內之發光物質的激發,與僅照射雷射光A的情形相比,可確實地使電漿發生。其中,在電漿發生安定化後,即停止雷射光B。此外,雷射光A與雷射光B的施加時期可為同時,亦可兩者為前後。此外,雷射光A與雷射光B係除了上述組合以外,亦可將雷射光A及雷射光B均形成為脈衝雷射。其中,本實施形態之其他構成及效果與第1實施形態的情形相同,因此省略說明。
使用第6圖,說明本發明之第6實施形態。
第6圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,將由雷射光發生器3A透過反射鏡7的雷射光A、及由雷射光發生器3B在反射鏡7作反射的雷射光B,利用被配置在反射鏡7與平面鏡4的窗部41之間的聚光透鏡5予以聚光,且通過窗部41而放射至電漿發生容器1。雷射光A係由CW雷射所構成的電漿維持用雷射光,雷射光B係由脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光。藉由將雷射光B與雷射光A相重疊,助長電漿發生
容器1內之發光物質的激發,與僅照射雷射光A的情形相比,可確實地使電漿發生。其中,在電漿發生安定化後,即停止雷射光B。此外,雷射光A與雷射光B的施加時期可為同時,亦可兩者為前後。此外,雷射光A與雷射光B係除了上述組合以外,亦可將雷射光A及雷射光B均形成為脈衝雷射。其中,本實施形態之其他構成及效果與第1實施形態的情形相同,因此省略說明。
使用第7圖,說明本發明之第7實施形態。
第7圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,將由雷射光發生器3A透過反射鏡7的雷射光A、及由雷射光發生器3B在反射鏡7作反射的雷射光B,利用將光聚光且反射的聚光反射鏡6予以聚光,且通過平面鏡4的窗部41而放射至電漿發生容器1。雷射光A係由CW雷射所構成的電漿維持用雷射光,雷射光B係由脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光。藉由將雷射光B與雷射光A相重疊,助長電漿發生容器1內之發光物質的激發,與僅照射雷射光A的情形相比,可確實地使電漿發生。其中,在電漿發生安定化後,即停止雷射光B。此外,雷射光A與雷射光B的施加時期可為同時,亦可兩者為前後。此外,雷射光A與雷射光B係除了上述組合以外,亦可將雷射光A及雷射光B均形成為脈衝雷射。其中,本實施形態之其他構成及效果與第1實施形態的情形相同,因此省略說明。
使用第8圖,說明本發明之第8實施形態。
第8圖係顯示本實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
如該圖所示,將由雷射光發生器3A透過反射鏡7的雷射光A、及由雷射光發生器3B在反射鏡7作反射的雷射光B通過平面鏡4的窗部41而予以導入,且利用形成在電漿發生容器1的一部分的聚光透鏡部19予以聚光,且放射至電漿發生容器1內。雷射光A係由CW雷射所構成的電漿維持用雷射光,雷射光B係由脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光。藉由將雷射光B與雷射光A相重疊,助長電漿發生容器1內之發光物質的激發,與僅照射雷射光A的情形相比,可確實地使電漿發生。其中,在電漿發生安定化後,即停止雷射光B。此外,雷射光A與雷射光B的施加時期可為同時,亦可兩者為前後。此外,雷射光A與雷射光B係除了上述組合以外,亦可將雷射光A及雷射光B均形成為脈衝雷射。其中,本實施形態之其他構成及效果與第1實施形態的情形相同,因此省略說明。
第9圖係顯示第1至第3各實施形態及第5至第7各實施形態所示之電漿發生容器1的詳細構成圖。
如該圖所示,電漿發生容器1係在電漿發生容器1內部未具有電極的無電極電漿發生容器,電漿發生容器1的密封部12係配置有作為加熱手段的加熱器13、及吸收雷射光而發熱的發熱體14。發熱體14係純碳或碳混合體、
鋁、金屬或在陶瓷上被覆有氧化三鐵者。此外,亦可為加熱器13與發熱體14的其中任一者。藉由在電漿發生容器1設置加熱手段,可提高電漿發生容器1的溫度,以助長發光物質的激發。
第10圖係顯示第4及第8各實施形態所示之電漿發生容器1的詳細構成圖。
如該圖所示,電漿發生容器1係在電漿發生容器1內部未具有電極的無電極電漿發生容器,在電漿發生容器1係形成有將雷射光聚光之形成在電漿發生容器1的一部分的聚光透鏡部分19。其他構成及效果與在第9圖中所說明的電漿發生容器1相同,因此省略說明。
第11圖係顯示使用有電極電漿發生容器取代第9圖所示之無電極電漿發生容器來作為第1至第3各實施形態及第5至第7各實施形態所示之電漿發生容器1時之電漿發生容器1之構成圖。
如該圖所示,電漿發生容器1係在電漿發生容器1的內部具有一對電極15、16的有電極電漿發生容器,電極15、16係與埋設在密封部12的金屬箔17相連接,與金屬箔17相連的外部引線18係由密封部12突出至外部。
若為第1至第3各實施形態的情形,係對外部引線18由未圖示的電源供給有放電開始用的電壓,當在電極15、16間施加電壓時,即助長電漿發生容器1內之發光物質的激發,與僅照射雷射光的情形相比,可使電漿確實發生。其中,在電漿發生安定後,係停止對電極15、16
間供電。
若為第5至第7各實施形態的情形,係照射由電漿始動用的脈衝雷射所構成的雷射光B,並且對電極15、16施加放電始動用的電壓,之後停止而照射由電漿維持用的脈衝雷射或CW雷射所構成的雷射光A。或者亦可照射由電漿始動用的脈衝雷射所構成的雷射光B,對電極15、16施加電漿維持用的電壓,並且照射由電漿維持用的脈衝雷射或CW雷射所構成的雷射光A。
第12圖係顯示使用有電極電漿發生容器取代第10圖所示之無電極電漿發生容器來作為第5及第11各實施形態所示之電漿發生容器1時之電漿發生容器1之構成圖。
如該圖所示,在電漿發生容器1係在將雷射光聚光的電漿發生容器1的一部分形成有聚光透鏡部分19。其他構成及效果與在第11圖中所說明的電漿發生容器1相同,因此省略說明。
1‧‧‧電漿發生容器
2‧‧‧橢圓反射鏡
3‧‧‧雷射光發生器
3A‧‧‧雷射光發生器
3B‧‧‧雷射光發生器
4‧‧‧平面鏡
5‧‧‧聚光透鏡
6‧‧‧聚光反射鏡
7‧‧‧反射鏡
11‧‧‧發光部
12‧‧‧密封部
13‧‧‧加熱器
14‧‧‧發熱體
15、16‧‧‧一對電極
17‧‧‧金屬箔
18‧‧‧外部引線
19‧‧‧聚光透鏡部分
21‧‧‧頂部開口
41‧‧‧窗部
F1、F2‧‧‧焦點
F1-F2‧‧‧反射光非照射領域
L1-L2‧‧‧反射光阻礙領域
L3-L4‧‧‧反射光非照射領域
X‧‧‧光軸
第1圖係顯示第1實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第2圖係顯示第2實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第3圖係顯示第3實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第4圖係顯示第4實施形態之發明之光源裝置之構成
圖。
第5圖係顯示第5實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第6圖係顯示第6實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第7圖係顯示第7實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第8圖係顯示第8實施形態之發明之光源裝置之構成圖。
第9圖係顯示第1至第3各實施形態及第5至第7各實施形態所示之電漿發生容器1的詳細構成圖。
第10圖係顯示第4及第8各實施形態所示之電漿發生容器1的詳細構成圖。
第11圖係顯示使用有電極電漿發生容器取代第9圖所示之無電極電漿發生容器來作為第1至第3各實施形態及第5至第7各實施形態所示之電漿發生容器1時之電漿發生容器1之構成圖。
第12圖係顯示使用有電極電漿發生容器取代第10圖所示之無電極電漿發生容器來作為第5及第11各實施形態所示之電漿發生容器1時之電漿發生容器1之構成圖。
第13圖係顯示習知技術之專利文獻1所記載之光源裝置的示意圖。
第14圖係顯示其他習知技術之專利文獻2所記載之光源裝置的示意圖。
第15圖係顯示用以解決專利文獻2所記載之光源裝置200的問題點的構成圖。
第16圖係顯示用以解決專利文獻2所記載之光源裝置200的問題點的構成圖。
1‧‧‧電漿發生容器
2‧‧‧橢圓反射鏡
3‧‧‧雷射光發生器
4‧‧‧平面鏡
5‧‧‧聚光透鏡
11‧‧‧發光部
12‧‧‧密封部
21‧‧‧頂部開口
41‧‧‧窗部
F1、F2‧‧‧焦點
F1-F2‧‧‧反射光非照射領域
L1-L2‧‧‧反射光阻礙領域
L3-L4‧‧‧反射光非照射領域
X‧‧‧光軸
Claims (11)
- 一種光源裝置,其特徵為具備有:在內部被封入有發光物質,雷射光由橢圓反射鏡的開口側予以聚光且被照射,激發前述發光物質而放射有放射光的電漿發生容器;在其中一方焦點配置有前述電漿發生容器的前述橢圓反射鏡;及前述放射光被前述橢圓反射鏡反射而成為反射光,改變該反射光之方向的平面鏡,在前述平面鏡,係在藉由前述電漿發生容器遮蔽來自前述橢圓反射鏡的反射光而未被照射反射光的反射光非照射領域設有用以導入前述雷射光的窗部。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,在前述平面鏡與前述電漿發生容器之間配置有將前述雷射光聚光的聚光透鏡。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,在前述窗部之前述電漿發生容器的相反側配置有將前述雷射光聚光的聚光透鏡。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,在前述窗部之前述電漿發生容器的相反側配置有將前述雷射光聚光而反射的聚光反射鏡。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,在前述電漿發生容器的一部分形成有將前述雷射光聚光的聚光透鏡部分。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,前述電漿發生容器係在電漿發生容器的內部不具有電極的無電極 電漿發生容器。
- 如申請專利範圍第1項之光源裝置,其中,前述電漿發生容器係在電漿發生容器的內部具有一對電極的有電極電漿發生容器。
- 如申請專利範圍第6項之光源裝置,其中,被導入至前述電漿發生容器的雷射光係由脈衝雷射所構成的電漿始動用雷射光、與由脈衝雷射或CW雷射所構成的電漿維持用雷射光。
- 如申請專利範圍第7項之光源裝置,其中,被導入至前述電漿發生容器的雷射光係由脈衝雷射或CW雷射所構成的電漿維持用雷射光。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項之光源裝置,其中,前述電漿發生容器係具有加熱手段。
- 如申請專利範圍第10項之光源裝置,其中,前述加熱手段係吸收被埋設在電漿發生容器內的雷射光而發熱的發熱體。
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