TWI426958B - 用於聚合反應設備之氣體分布柵 - Google Patents

Description

用於聚合反應設備之氣體分布柵

本發明關於一種適合將向上氣體流動分配至含流體化條件之聚合物的容器中之氣體分布柵。

特別地，本發明關於一種適合裝在烯烴聚合用流體化床反應器之氣體分布柵。本發明亦關於一種包括該分布柵之流體化床反應器，及一種在此流體化床反應器中進行之氣相聚合法。

具高活性及選擇性之戚－納型(而且近來為金屬錯合物型)觸媒之發展已導致以工業規模廣為使用其中在固體觸媒存在下於氣態介質中進行烯烴聚合之方法。該氣相聚合法之一個實例涉及使用流體化床反應器，其中藉流體化氣體之向上流動將聚合物顆粒床維持在流體化狀態。

在聚合期間，新鮮聚合物係藉單體之催化聚合產生，而且自反應器抽除所製造聚合物以將聚合物床維持在固定體積。流體化床(包括生長聚合物顆粒與觸媒顆粒之床)係藉流體化氣體(包括再循環氣流與組成單體)之連續向上流動維持在流體化狀態。

粉狀固體之流體化為一種通常易藉由將氣流速度按粉狀固體之大小、形狀與密度調適而達成之操作。其希望使流體化氣體在流體化固體床中均質分布。工業方法使用分布柵將流體化氣體分配於聚合物床，該分布柵在中止供應氣體時亦作為床之撐體。該分布柵常具有孔口且排列於流 體化床設備之下部。

較常用於聚合設施之流體化柵具有圓柱碟之形狀，其以大量穿孔打洞而使流體化氣體通過柵下方之區至流體化聚合物床。該流體化柵亦可與反應器壁整合地建置。

然而已注意到，在流體化床設備超過特定大小時，流體化氣體在床之分布趨於較不均質，使得床中出現稠密及不良流體化區域，特別是在設備之壁附近。烯烴聚合為放熱反應且在聚合物床內部可能發生局部熱點而導致聚合物顆粒軟化及其黏聚。在聚合以所謂之「冷凝模式」操作時，此現象趨於更嚴重，使得流體化氣體亦含少量冷凝單體：此液體分布缺乏均質性可造成固體在流體化床中黏附或黏聚。

關於先行技藝打洞柵之另一個缺點為穿孔易於因聚合物顆粒之沈積阻塞，使得聚合設備無法長時間連續地操作。如果提供較大之孔，則多少克服阻塞問題，但是一些聚合物顆粒可能落下通過柵下方之區的孔而在氣體分布板下之壁上形成沈積。或者孔間距離(即孔節距)增加易於在孔間製造停滯流動區域，結果為在孔間區中之熱點及聚合物塊形成。

為了解決以上問題，其已提議具形狀、大小、數量、及分布不同之孔的流體化柵。

在柵孔上方有蓋子之氣體分布板已敘述於一些專利，以克服在一般聚合運作期間由於停止流體化再循環氣體之進料造成阻塞柵孔之風險，而且特別是在聚合床瓦解時。 文件EP－B－088404號專利及英國專利第2,271,721號均敘述用於流體化床之氣體分布板，其中在板孔上方提供蓋子，如此防止顆粒掉下通過孔。

日本專利公告第42404/1992號揭示一種氣體分布板，其中在氣體通過孔上提供屋簷形上蓋；氣體自蓋子之兩側流出。此外日本專利公告第284509/1989號揭示一種上蓋為以垂直橫切面觀看之外形係以傾斜方式上升之形狀，以覆蓋及保護氣體通過孔之氣體分布板。

上述有蓋子之分布板多少有助於防止孔被固體阻塞，但是無助於均勻地擴散流動氣體通過聚合物床，使得由有效率地操作流體化床聚合法之觀點不令人滿意。

EP 173261號專利之揭示教示對應加入氣體再循環流之管線，在流體化床反應器之底端***擴散板。該擴散板改良通過流體化柵之氣體流動的均勻性，而在流體化柵下方區域中產生渦流。該擴散板之設計係將氣體流動分成二主流，第一為向上引導，第二為側面引導。然而所述具體實施例具有擴散板之簡單表面趨於匯集循環氣體流動搭載之細粒，使得聚合物塊可能在擴散板表面上生長，而具有部分地破壞流體化氣體至聚合反應器之流動的高風險之缺點。

EP 085610號專利敘述一種流體化床反應器用氣體分布器，其包括錐度為50∘至120∘間之倒錐形，而且在其側壁上提供用於加入流體化氣體之孔。該倒錐形之頂點具有用於排放所製造聚合物之裝置。冠形其他槽或孔口橫向地 配置於此錐形氣體分布器上端，該孔口之寬度為使流體化氣體搭載之細粒通過，同時在流體化法中斷期間阻止流體化床因重力落下之大小。流體化氣體向上流動通過位於錐形分布器與反應器壁間之窄間隙。EP 085610號專利提議之流體化柵遭受該加入流體化氣體之窄間隙可易被再循環氣流搭載之細粒阻塞的缺點。

所有這些先行布置受到結構複雜且難以製造及管控之苦。在柵孔上方使用一連串蓋子可造成聚合設備壓力下降之大量增加。此外以蓋子覆蓋之孔可能被流體化氣體搭載之細粒阻塞。其特別是在再循環氣體管線中無旋風集塵器以分離氣體再循環流搭載之細粒的情形。

關於以上先行技藝氣體分布器缺點，其主要需要提供一種簡單地製造且可確保聚合物床內部氣體流動之最適分布，亦降低孔阻塞之風險的流體化柵。

因此本發明之第一目的為一種氣體分布柵，其包括多個排列形成倒錐形側壁之盤，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成槽。

本發明之氣體分布柵特別適合以均質方式將向上氣流分布至含流體化條件之聚合物的容器。因而將其方便地安裝在含流體化條件之聚合物顆粒的容器底部。

柵包括多個重疊盤，其係以流體化柵之結構具有實質上倒錐形之方式配置。為了最佳地了解所請安排之範圍，以下為「氣體分布柵」、「盤」及「重疊區域」之定義。

名詞「氣體分布柵」表示一種功能為分配向上氣體流動以將聚合物床維持在流體化條件，但不排除選用之液體隨氣體流動進料的柵或板。如熟悉烯烴聚合技藝者所已知，在流體化氣體流中存在極少量之液態單體通常稱為以「冷凝模式」操作之聚合方法。

名詞「盤」表示一種平坦組件，如板或片，其可易在其一側面變形而在重疊接續相鄰盤時產生一或多個槽。

名詞「重疊區域」表示其中以兩個盤均可彼此固定而在此重疊區域中形成槽之方式，第一盤延伸至第二盤之區域。

本發明之盤可由任何可抵抗聚合法之溫度及壓力的可用材料製造。較佳為使用鋼盤，因為其可易於製造及彼此安裝而在其重疊區域中形成槽。依照一個具體實施例，接續盤之重疊產生環形盤模組，即將相鄰盤彼此安裝形成環結構。這些環形盤模組可易於並排安裝而產生氣體分布器之完整結構。該環形模組係安裝於合適環形撐體上，使得在反應器之啟動或關閉期間，氣體分布柵亦可載聚合物顆粒床。該環形撐體係藉自含流體化條件之聚合物的容器底壁突起之棒支撐。

盤模組通常排列成形成頂點為100∘至160∘，較佳為120∘至150∘之倒錐形側壁。如果將錐以形成可使聚合物顆粒經該凹口自容器排放之凹口的方式截頂則較佳。

依安裝氣體分布器之容器的直徑而定，其可使用2至6個環形盤模組形成分布柵之錐形結構。如果使用表面積 相同之盤，則外圍模組相對內部中央模組必須包括較高數量之重疊盤：其為含流體化聚合物之容器或反應器的環形橫切面之結果。

通常環形模組包括至少6個盤，較佳為範圍為10至80個之盤數量。明顯地，用於形成環形模組之盤數量越大，則在環形模組上形成之槽數量越大。槽係藉由以產生氣體出口(其對相鄰盤面為正切)之方式重疊相鄰盤而形成，如連續地參考附圖所詳細解釋。

依照本發明之一個較佳具體實施例，在相鄰盤之重疊區域中，第一盤形成該槽之上部，而接續盤形成該槽之下部。其較佳為將兩個盤變形而形成連串之槽。

通常在2個相鄰盤之重疊區域中存在槽數範圍為3至15個槽。較佳為槽具類似之大小及形狀。

流體化氣體經連串槽可因分布柵之入口側與出口側間存在之壓力差強迫向上流動。

現在參照附圖詳細解釋本發明之氣體分布柵，其為本發明範圍之代表而非限制。

第1圖顯示流體化床反應器1，其包括聚合物流體化床2、本發明之氣體分布柵3、及位於聚合物床2上方之速度降低區或解除區4。

速度降低區4相較於反應器之流體化床部分通常直徑增加。除了未反應單體，離開速度降低區4頂部之氣態流亦可包括情性可冷凝氣體(如丙烷)、及情性不可冷凝氣體 (如氮)。該氣態流被壓縮、冷卻及再循環至流體化床反應器底部：氣態流由速度降低區4頂部經再循環管線5轉移至壓縮機6，然後至熱交換器7。如果適合，則再循環管線5裝有用於進料單體、分子量調節劑、視情況地及惰氣之管線8。氣態流通過熱交換器7冷卻且經管線9轉移至流體化床反應器底部。如果適合，則再循環氣體可冷卻至低於一或多種氣體成分之露點而以冷凝材料操作反應器，即冷凝模式。

通常其將各種聚合觸媒成分經管線10進料至流體化床反應器1，其較佳為位於流體化床2之下部。

反應器中管線9之入口點位於分布柵3之正下方，而且該管線9之入口方向係在分布柵3下方區域中造成「離心效應」。

依照一個替代具體實施例，由於氣體分布器3之特殊設計，其亦可省略解除區4，如此降低孔被再循環氣體搭載之細粒阻塞之風險。

本發明之分布柵3係以在分布柵下方之區中多個自反應器底壁突起之棒11支撐。對應分布柵3之中心提供圓形凹口12，經其可將聚合物粒連續地或斷續地自流體化床去除，連續模式較佳。氣體分布器3之凹口12收歛至導管13中以將聚合物顆粒自反應器排放。然後將排放顆粒進料至脫氣及擠壓設施(未示)。

第2a及2b圖顯示依照本發明之氣體分布柵3的更詳細圖示。由第2a圖可見到，氣體分布器具有截頂圓錐之壁 形狀，即在橫切面形成梯形。在此具體實施例中，截頂圓 錐之頂角為。

氣體分布器包括盤15之3個環形模組14a、14b、14c，其彼此連接形成該截頂圓錐之側壁。環形模組14a、14b、14c以各盤連接2個相鄰盤之方式組成安裝在環形撐體上之板形式的盤15。環形模組係藉自氣體分布柵下方之反應器底壁突起之棒11支撐。

如果盤以可分離方式彼此附著，則本發明之氣體分布器非常易於組合及分解，或者為了維護而更換某些盤。

在第2圖之特定具體實施例中，外圍環形模組14a含44個盤，中間環形模組14b含30個盤，及內部環形模組14c含18個盤。

槽16之數量以槽數量在柵上按面積本質上固定之方式，由內部向外圍環形模組增加。然而模組設計可藉由增減各環形模組之盤數量而容易地適應任何需求。在第2圖之特定具體實施例中，各盤15包括相等橫切面為7個槽16。

槽16被形成而得氣體出口，其正切2個相鄰盤15之面。以此方式槽16可在安裝於第1圖流體化床反應器底部之氣體分布柵3上方產生氣流之旋轉、旋風動作。

如所述，流體化氣體經分布柵3正下方之導管9進入且其入口方向係在分布柵3下方之區中造成「離心效應」。此外經導管9進入之氣體流動具有如分布柵3之槽16的相同定向，以利於將氣體導至槽16中。

第3圖顯示單槽16之徑向切面，即垂直氣體流動通過槽16之方向的切面。

槽16係藉由重疊2個相鄰盤15a與15b而形成。各盤在一側形成槽之下部，及在相反側形成槽之上部。此安排對氣體分布器中全部之盤本質上相同。詳言之，槽16之上端由第一盤15a形成，槽16之下端由第二盤15b固定於第一盤15a而形成。第一盤15a以形成具有本質上長方形橫切面之槽16的方式變形。第一盤15a界定槽16之頂部及側面，而第二盤15b界定長方形槽16之底側。在此具體實施例中，槽16之寬度超過其高度之2倍。

第4圖顯示槽16之正切切面，即沿氣體流動通過槽16之方向定向之切面。同樣地可見到，槽16之上部由1個盤形成，下部由接續盤形成。

槽16沿流動方向本質上包括3部分：入口部分、中央部分及出口部分。在中央部分，盤15a與15b為實質上平行，該中央部分之長度高於其高度，而且其相對盤面之傾斜實質上為零。入口部分沿流動方向具有窄高度，而出口部分稍微上升且僅由下盤15b形成。該槽16之頂點係相對該盤15a、15b之面正切。

各槽16之入口係藉來自反應器再循環氣體管線之流體化氣體的入口維持清潔。較佳為排列在相同盤15之相反側上的槽16未對齊而成階梯：以此方式，自上游系列槽連續地吹出之氣體可將下游系列槽之槽間區域維持清潔。

槽可具有任何形狀，如三角形、長方形、半圓形、或 圓形，但不限於特定形狀。其較佳為排列具有實質上長方形之槽。

槽較佳為橫切面及大小相等。然而亦可使接近反應器壁之柵的內部與外部間槽之橫切面及大小不同。槽之長度可藉由增加或減小相鄰盤之重疊區域而調整。如此提供高撓性布置而不必調整氣體分布器本身之厚度或在柵之槽上方提供蓋子。藉由選擇具形狀或橫切面不同之槽的盤，氣體分布器可容易地適應不同之方法條件。本發明之分布柵可連續地用於許多涉及聚合物粉末流體化之設備，而且未必意指單體之聚合反應。例如分布柵亦可安裝在乾燥器底部，其中藉熱乾燥氣體(如氮)之向上連續流動將欲乾燥聚合物顆粒維持在流體化條件。

特別地，使用依照本發明之氣體分布器可得以下之優點：1)來自槽之流體化氣體的正切出口在接近流體化柵之聚合物床中產生旋轉動作，結果使流體化床下部中之熱點最少。該氣流之旋轉及氣旋性動作亦促成流體化聚合物床內部氣體分布之均勻性改良；2)槽相對容器或反應器之垂直軸傾斜而防止聚合物顆粒深入地穿透至槽中，使得阻塞分布柵之風險可忽略；3)與先行技藝安排不同，分布柵之外圍部分連續地被離開槽之氣體的正切流動衝擊：結果在該外圍部分可明顯地減少固體沉積(熱點最少)。

在安裝於烯烴聚合用流體化床反應器之底部時，分布 柵可在流體化聚合物床中達成最適之氣態單體分布，使得確保連續及可靠之聚合方法而克服先行技藝氣體分布器之缺點。

因此本發明之第二目的為一種α－烯烴氣相聚合用流體化床反應器，該流體化床反應器裝有氣體分布柵排列於其基座、用於再循環及冷卻自該反應器頂部至該分布柵之未反應氣體的氣體循環系統、及用於自反應器連續地排放聚合物之導管，其特徵為該分布柵包括多個排列形成倒錐形側壁之盤，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成槽。

參考第1圖之設備，氣體分布柵3具有包圍用於自反應器1排放聚合物顆粒之排放導管13的入口12之錐形。較佳為排放導管13之入口12位於分布柵3之中央。

排放導管13包括適合用於調整自反應器1排放之聚合物的質量流速之調節裝置18，如排放閥。排放閥18之開放係連續地調整，以將反應器內部之流體化聚合物床高度保持固定。

排放導管13可為均勻直徑，但是較佳為包括直徑按向下方向漸增之多段。控制閥18較佳為對應較高直徑段與較低直徑段間之限制而安置，如第1圖所示。

具有本發明氣體分布柵之第1圖流體化床反應器特別適合工業上佈署於一或多種式CH₂ ＝CHR之烯烴單體的連續氣相聚合法，其中R為氫或具有1－12個碳原子之烴基團。視情況地，氣相聚合可在一或多種C₂ －C₈ 烷屬烴、或環烷屬 烴存在下作為可冷凝氣體而進行。

因此本發明之一個進一步目的為一種用於在流體化床反應器中於聚合觸媒存在下聚合一或多種α－烯烴之氣相方法，該流體化床反應器裝有流體化柵排列於其基座、用於冷卻及再循環自該反應器頂部至分布柵之未反應氣體的氣體循環系統，此方法特徵為該未反應氣體連續地流經包括多個排列形成倒錐形側壁之盤的分布柵之槽，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成該槽。

製造之聚烯烴因該多個盤之布置藉自該倒錐形頂點突起之排放導管13自流體化床反應器1連續地排放。

排放導管13將排放之聚烯烴輸送至分離箱(未示)，在此將得到之聚合物與未反應單體及惰性氣態化合物分離，該分離之氣態化合物係連續地再循環至流體化床反應器1。

聚合條件為習知用於烯烴聚合用氣相反應器者，即50至120℃之範圍及5至40巴範圍之壓力。

本發明之氣相聚合法可組合在漿液、團塊、或氣相中操作以進行循序多階聚合法之習知技術。因此本發明設備之上游或下游可提供一或多個在迴圈反應器中、或在習知流體化床反應器中、或在攪拌床反應器中操作之聚合階段。特別地，具有交連聚合區之氣相聚合反應器(如EP 782587及EP 1012195號專利所述)可有利地在本發明設備之上游或下游操作。

氣相聚合法可製備大量具有最適粒度分布及低細粒含 量之烯烴粉未。本發明方法較佳地聚合之α－烯烴具有式CH₂ ＝CHR，其中R為氫或具有1－12個碳原子之烴基團。可得聚合物之實例為：－高密度聚乙烯(相對密度高於0.940之HDPEs)，包括乙烯同元聚合物及乙烯與具有3至12個碳原子之α－烯烴的共聚物；－低密度線形(相對密度低於0.940之LLDPE)及非常低密度與超低密度(相對密度低於0.920至0.880之VLDPE與ULDPE)聚乙烯，包括乙烯與一或多種具有3至12個碳原子之α－烯烴的共聚物；－乙烯與丙烯及低比例二烯之彈性三聚物、或乙烯與丙烯及含量為約30至70重量%間之衍生自乙烯之單元的彈性共聚物；－順聯聚丙烯及丙烯與乙烯及/或具有含量超過85重量%之衍生自丙烯之單元的其他α－烯烴之結晶共聚物；－丙烯與α－烯烴(如1－丁烯)之順聯共聚物，α－烯烴含量為至多30重量%；－藉丙烯及丙烯與乙烯之混合物(含至多30重量%之乙烯)的循序聚合而得之抗衝擊丙烯聚合物；－非規聚丙烯及丙烯與乙烯及/或含超過70重量%之衍生自丙烯之單元的其他α－烯烴之非晶共聚物。

在此敘述之氣相聚合法不限於使用任何特定族之聚合觸媒。本發明可用於任何使用任何觸媒之放熱聚合反應，不論其為自撐或未支撐，而且無關其是否為預聚合形式。

聚合反應可在高活性觸媒系統存在下進行，如戚－納觸媒、單一位置觸媒、鉻為主觸媒、釩為主觸媒。

戚－納觸媒系統包括藉元素週期表第4至10族過渡金屬化合物(新注釋法)與週期表元素第1、2或13族有機金屬化合物之反應而得之觸媒。

特別地，過渡金屬化合物可選自Ti、V、Zr、Cr、與Hf之化合物。較佳化合物為式Ti(OR)_n X_y－n ，其中n為0至y之間；y為鈦之價數；X為鹵素，及R為具有1至10個碳原子之烴基或COR基。其中特佳為具有至少一個Ti－鹵素鍵之鈦化合物，如四鹵化鈦或鹵醇化物。較佳之特定鈦化合物為TiCl₃ 、TiCl₄ 、Ti(OBu)₄ 、Ti(OBu)Cl₃ 、Ti(OBu)₂ Cl₂ 、Ti(OBu)₃ Cl。

較佳之有機金屬化合物為有機－Al化合物，而且特別是Al－烷基化合物。烷基－Al化合物較佳為選自三烷基鋁化合物，例如三乙基鋁、三異丁基鋁、三正丁基鋁、三正己基鋁、三正辛基鋁。亦可使用烷基鋁鹵化物、烷基鋁氫化物或烷基鋁倍半氯化物，如AlEt₂ Cl與Al₂ Et₃ Cl₃ ，視情況地混合該三烷基鋁化合物。

特別合適之高產率ZN觸媒為其中鈦化合物支撐於活性形式鹵化鎂(較佳為活性形式MgCl₂ )上者。特別是對於製備CH₂ CHR烯烴(其中R為C1至C10烴基)之結晶聚合物，內電子予體化合物可支撐於MgCl₂ 上。一般而言，其可選自酯、醚、胺、與酮。特別地，其較佳為使用屬於1,3－二醚、環形醚、酞酸酯、苯甲酸酯、乙酸酯、與琥珀酸 酯之化合物。

在希望得到高順聯結晶聚丙烯時，除了存在於固體觸媒成分中之電子予體，其建議使用外電子予體(ED)加入鋁烷基共觸媒成分或聚合反應器。這些外電子予體可選自醇、二醇、酯、酮、胺、醯胺、腈、烷氧基矽烷、與醚。電子予體化合物(ED)可單獨或彼此混合使用。較佳為ED化合物係選自脂族醚、酯與烷氧基矽烷。較佳之醚為C2至C20脂族醚，而且特別是較佳為具有3至5個碳原子之環形醚，如四氫呋喃(THF)、二噁烷。

其他可用觸媒為釩為主觸媒，其包括釩化合物與鋁化合物視情況地在鹵化有機化合物存在下之反應產物。視情況地，釩化合物可支撐於無機載體上，如矽石、鋁氧、氯化鎂。合適之釩化合物為VCl₄ 、VCl₃ 、VOCl₃ 、乙醯丙酮酸釩。

其他可用之觸媒為鉻化合物為主者，如氧化鉻於矽石上，亦已知為Phillips觸媒。

其他可用之觸媒為單一位置觸媒，例如包括至少一個含至少一個π鍵之過渡金屬與至少一個鋁噁烷、或可形成烷基金屬錯合物陽離子之化合物的金屬錯合物為主觸媒系統。

觸媒可適當地以在預聚合階段期間，藉上述觸媒之助事先製備之預聚合物粉末形式使用。預聚合可藉任何合適之方法進行，例如使用分批方法、半連續方法或連續方法，在液態烴稀釋劑中或在氣相中聚合。

1‧‧‧流體化床反應器

2‧‧‧流體化床

3‧‧‧氣體分布柵

4‧‧‧速度降低區

5‧‧‧再循環管線

6‧‧‧壓縮機

7‧‧‧熱交換器

8‧‧‧管線

9‧‧‧管線

10‧‧‧管線

11‧‧‧棒

12‧‧‧圓形凹口

13‧‧‧導管

14a‧‧‧環形模組

14b‧‧‧環形模組

14c‧‧‧環形模組

15‧‧‧盤

15a‧‧‧盤

15b‧‧‧盤

16‧‧‧槽

18‧‧‧調節裝置

第1圖顯示一種烯烴氣相聚合用流體化床反應器，該流體化床反應器包括本發明之氣體分布柵。

第2a及2b圖顯示第1圖流體化床反應器之下部：第2a圖為分布柵之側視圖，而第2b圖為分布柵之平面圖。

第3圖顯示在第2a及2b圖之分布柵中藉由重疊2個相鄰盤而形成之單槽的徑向切面。

第4圖顯示第3圖之槽的正切切面。

1‧‧‧流體化床反應器

2‧‧‧流體化床

3‧‧‧氣體分布柵

4‧‧‧速度降低區

5‧‧‧再循環管線

6‧‧‧壓縮機

7‧‧‧熱交換器

8‧‧‧管線

9‧‧‧管線

10‧‧‧管線

11‧‧‧棒

12‧‧‧圓形凹口

13‧‧‧導管

18‧‧‧調節裝置

Claims (13)

1. 一種氣體分布柵，其係包括多個排列形成倒錐形側壁之盤，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成槽，其中藉由重疊接續盤而形成包括至少6個盤之環形模組。
2. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中該倒錐形之頂點範圍為100°至160°。
3. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中該環形模組包括10至80個盤。
4. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中在該重疊區域中，第一盤形成該槽之上部，及接續盤形成該槽之下部。
5. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中在2個相鄰盤之重疊區域中存在槽數範圍為3至15個槽。
6. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中該槽係以產生氣體出口而形成，該氣體出口係正切該環形模組之面。
7. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中各盤在一側形成槽之下部，及在相反側形成槽之上部。
8. 如申請專利範圍第1項之氣體分布柵，其中該槽具有實質上長方形。
9. 一種α-烯烴氣相聚合用流體化床反應器，該流體化床反應器裝有氣體分布柵排列於其基座、用於再循環及冷卻自該反應器頂部至該分布柵之未反應氣體的氣體循環系統、及用於自反應器連續地排放聚合物之導管，其特徵 為該分布柵包括多個排列形成倒錐形側壁之盤，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成槽，其中藉由重疊接續盤而形成包括至少6個盤之環形模組。
10. 如申請專利範圍第9項之流體化床反應器，其中該聚合物排放用導管之入口位於該分布柵中央。
11. 如申請專利範圍第9或10項之流體化床反應器，其中該環形盤模組係藉自該含流體化條件之聚合物的容器底壁突起之棒支撐。
12. 一種用於在流體化床反應器中於聚合觸媒存在下聚合一或多種α-烯烴之氣相方法，該流體化床反應器裝有流體化柵排列於其基座、用於冷卻及再循環自該反應器頂部至分布柵之未反應氣體的氣體循環系統，此方法特徵為該未反應氣體連續地流經包括多個排列形成倒錐形側壁之盤的分布柵之槽，該多個盤彼此附著而在相鄰盤之重疊區域中形成該槽，其中藉由重疊接續盤而形成包括至少6個盤之環形模組。
13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中聚合物係藉自該倒錐形頂點突起之排放導管自反應器連續地排放。