TWI426021B - 顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關使用新穎之硬質透明基板取代以往之玻璃基板而積層顯示裝置用電子材料而成之顯示裝置,且有關在例如電腦、視聽設備、行動電話、資訊和通訊機器、遊戲或模擬機器、車上裝載之導航系統等各種領域所使用之顯示裝置。
隨著電子技術急遽進步,特別是液晶顯示裝置、觸控式面板、光電領域正擴大中。一般而言,光電元件係經由將元件形成在具有透明導電層之玻璃基板上而提供至各種用途。然而,玻璃基板係重量大,且當組合於行動型裝置時,由於玻璃基板之比重大故有機器重量變大之問題。因此,輕量化備受期待,而就取代玻璃基板之硬質基板而言,係逐漸採用由強度、透明性、耐熱性等較優良之聚丙烯酸酯、聚醚碸(polyethersulfone)、聚碳酸酯等塑膠薄片組成之薄片基板。
然而,現狀之此等薄片基板由於厚度為0.1mm左右,故比起以往之玻璃基板較欠缺剛性。雖然為了賦予剛性可考慮將薄膜加厚,但在一般得到薄片基板之際所採用之溶劑澆鑄(casting)法中,由於發泡、平面性降低、殘留溶劑之問題故實際上製造厚度0.2mm左右者為極限。此外,為了應用於液晶元件,薄片基板之雙折射率通常須在20nm以下、較理想係10nm以下,但塑膠成形之際,容易受到分子定向而難以製造低雙折射之成形體。於是,係有提案例如積層2層雙折射率小之薄片之光學塑膠薄片(參照專利文獻1),但在此種薄片中由於為難塑性樹脂,故有剛性小且對耐藥性極差之缺點。此外,對光學用薄片雖提案有在基材薄片之表面層塗布有硬化性樹脂者(參照專利文獻2),但此種薄片在基板清洗時,由於依溶劑不同而薄片側面之硬化性樹脂有膨潤或溶解之虞,故耐藥性差,同時有基板之剛性也不足之問題。
特別是,由於在光電元件領域中,更加要求高度之光學特性、阻氣(gas barrier)性、導電性、機械強度等。故實際上係使用由具有各機能之多層或者膜所組成積層構造之基板。已提案有例如,於塑膠成形體上之雙面設置硬化覆膜,而於單面設置導電膜,且於另一面設置金屬氧化物覆膜之積層體。然而,在此積層體中,因各層之性質不同和密著性之問題等,因此在加熱時,在塑膠成形體上容易產生龜裂等之問題。
另一方面,有用之塑膠薄片基板雖做為玻璃替代基板,但為了提高利用價值,故不只須為輕量,且也須兼具撓性。換言之,即在以某個曲率使基板彎曲(使彎曲)之際,必須在導電膜上不帶有裂痕而確保導電性。然而,在以往之塑膠薄片基板上,有其耐彎曲性不足之問題。
[專利文獻1]日本特開平7-36023號公報[專利文獻2]日本特開平6-116406號公報[專利文獻3]日本特開平2-5308號公報
本發明之目的係在於提供一種顯示裝置,其係利用具備如無機玻璃之強度、透明性、耐熱性及尺寸安定性,同時也具備如塑膠之高韌性及可加工性,且耐彎曲性也優良之硬質透明基板,而積層各種顯示裝置用電子材料而成者。
本發明人等為了得到取代以往之玻璃基板之新穎之基板而專心致力研究後結果發現,使在分子構造中具有自由體積分率不同之緊密構造部位與疏鬆構造部位之硬化性樹脂硬化,而兼具玻璃基板與塑膠薄片基板所具有之優良性能,且能得到耐彎曲性也優良之硬質透明基板,而此硬質透明基板較適合代替至今在各種顯示裝置中所使用之玻璃基板,才完成本發明。
換言之,本發明係將顯示裝置用電子材料積層於硬質透明基板而形成之顯示裝置;硬質透明基板為可使下述一般式(1)所示之硬化性樹脂硬化而得到者,而上述硬化性樹脂為具有由下述計算式(2)所計算之堆砌係數(packing coefficient)Kp在0.68至0.8之金屬氧化物所構成之緊密構造部位(A)、與由上述Kp未達0.68之有機物或有機物與有機金屬氧化物所構成之疏鬆構造部位(B),同時構造部位(A)/(B)之重量比為0.01至5.00,且具有至少一個不飽和鍵而平均分子量在800至60000。
-{(A)-(B)m
}n
- (1)(惟,m及n係表示1以上之整數)Kp=An.Vw.p/Mw (2)(惟,An=亞佛加厥數(Avogadro constant)、Vw=凡得瓦體積(Van der Waals volume)、p=密度、Mw=分子量、Vw=ΣVa、Va=4π/R3
-Σ1/3πhi2
(3Ra-hi)、hi=Ra-(Ra2
+di2
-Ri2
)/2di、Ra=原子半徑、Ri=鍵結原子半徑、及di=原子間距離)
此外,本發明之上述顯示裝置中,緊密構造部位(A)為具有去除下述一般式(I)之有機物部位之三維多面體構造之金屬氧化物部位,疏鬆構造部位(B)為由一般式(I)之有機物部位與下述一般式(Ⅱ)所構成。
(RSiO3/2
)w
(MO2
)x
(RXSiO)y
(XMO3/2
)z
(I) (R3
R4
R5
SiO1/2
)j
(R6
R7
SiO)k
{R6
R7
XSiO1/2
}1
(Ⅱ)(惟,R為以(a)-R1
-OCO-CR2
=CH2
、(b)-R1
-CR2
=CH2
或者(c)-CH=CH2
表示之不飽和基、烷基、環烷基、環烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基矽氧基,而式(1)中之多個R可為互相不同者,但至少1個係包含(a)、(b)、(c)之任一者。此外,R1
表示伸烷基、伸烯基或伸苯基,R2
表示氫原子或烷基,R3
至R7
為以(a)-R1
-OCO-CR2
=CH2
、(b)-R1
-CR2
=CH2
或者(c)-CH=CH2
表示之不飽和基、烷基、環烷基、環烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基矽氧基,M為矽、鍺、鈦、或鋯之金屬原子,X為鹵素原子、或烷氧基,w為4以上之整數,x、y及z為滿足w+x+y+z≧8之整數;此外,j、k、及l分別表示0以上之整數)
在此,如一般式(I)所示之構造單位中之三維多面體構造骨架之金屬氧化物部位為產生自RSiX3
、MX4
或此等之混合物(惟,R、M及X與一般式(I)相同)之水解縮合物之構造單位中之三維多面體構造骨架之金屬氧化物部位、或一般式(II)所示之構造單位為由R3
R4
R5
SiX、R6
R7
SiX2
或此等之混合物(惟,R3
至R7
及X與一般式(Ⅱ)相同)之水解縮合物所製造之金屬氧化物之鏈狀單位、及與金屬原子鍵結之有機基,係本發明之較理想之樣態。
此外,在本發明中,可依在上述硬化性樹脂中調配矽氫(hydrosilyl)化觸媒或自由基起始劑,或者調配矽氫化觸媒與自由基起始劑兩者而形成硬化性樹脂組成物之後,使此硬化性樹脂組成物硬化而得到硬質透明基板。具體而言,可將如上述進行而調配出之硬化性樹脂組成物,在成形成預定形狀後使之熱硬化或光硬化而得到成形體(硬質透明基板)。此外,在此硬化性樹脂組成物中,調配分子中具有至少1個矽氫基之可矽氫化之化合物、或調配分子中具有不飽和基之化合物,或者也可調配此等兩者。
由本發明所得到之硬質透明基板因具備如無機玻璃之強度、透明性、耐熱性及尺寸安定性,同時也具備如塑膠之高韌性及可加工性,且因耐彎曲性也優良,所以可取代在以液晶顯示裝置、觸控式面板顯示裝置、有機EL顯示裝置為首之各種領域之顯示裝置中所使用之玻璃基板而使用,一面發揮以往之玻璃基板和塑膠薄片基板所具備之性能,同時可提供輕量性、及耐衝撞性更加優良之顯示裝置。
以下,進一步具體說明本發明。
本發明之硬化性樹脂係如上述一般式(1)所示,具有由緊密構造部位(A)與疏鬆構造部位(B)組成之分子構造,且具有至少1個不飽和鍵。在此,緊密構造部位(A)係由堆砌係數Kp在0.68至0.8之金屬氧化物部位所構成之構造部位,而疏鬆構造部位(B)係由堆砌係數Kp未達0.68之有機部位或有機部位與有機金屬氧化物部位所構成之構造部位。
緊密構造部位(A)較理想係上述一般式(I)所示之構造單位中三維多面體構造骨架之金屬氧化物部位。在一般式(I)中,R之至少1個宜為具有以上述(a)至(c)表示之不飽合基之有機基。再者,一般式(I)之多個R係無須皆相同。
如一般式(I)所示之構造單位係由三維多面體構造與R所構成,其一例係將一般式(I)中之w為8且x、y及z為0時、w為10且x、y及z為0時、及w為12且x、y及z為0之構造之具體例表示於下述構造式(3)、(4)及(5)。惟,一般式(I)所示之構造單位並不限定於如此構造式(3)、(4)及(5)所示者。再者,此等構造係對於周知之特定官能基者由X射線結晶構造解析所顯示。
上述一般式(I)所示之構造單位中之金屬氧化物部位係能藉由將以RSiX3
或MX4
表示之化合物之1種以上在酸或鹼觸媒存在下進行水解與縮合反應而得到。在此,R、X及M係具有與一般式(I)之R、X及M相同意義。
R之一部分係以上述(a)、(b)或(c)表示之不飽合基較理想,但若以具體例表示較理想之不飽合基,則可舉例如,3-甲基丙烯醯氧丙基、3-丙烯醯氧丙基、芳基、乙烯基、及苯乙烯基。
X係鹵素原子、烷氧基之水解性基,若以具體例表示,則可例示如氯、溴、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。
若呈示以RSiX3
所示之化合物的較佳例,則可舉例如,三氯矽烷、甲基三氯矽烷、乙基三氯矽烷、異丙基三氯矽烷、丁基三氯矽烷、三級丁基三氯矽烷、環己基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、乙烯基三氯矽烷、烯丙基三氯矽烷、苯乙烯基三氯矽烷、環己烯基三氯矽烷、三甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、三級丁基三甲氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、苯乙烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、三級丁基三乙氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、苯乙烯基三乙氧基矽烷、環己烯基三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、丁基三丙氧基矽烷、三級丁基三丙氧基矽烷、環己基三丙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、烯丙基三丙氧基矽烷、苯乙烯基三丙氧基矽烷、環己烯基三丙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧甲基三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧甲基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三氯矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三氯矽烷等。
此外,M係矽、鍺、鈦或鋯。在此,若表示以MX4
所示之化合物之較理想之例,則可舉例如,四氯矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四氯鍺烷(germane)、四甲氧基鍺烷、四乙氧基鍺烷、乙氧化鈦(titanium ethoxide)、丙氧化鈦、異丙氧化鈦、丁氧化鈦、異丁氧化鈦、乙氧化鋯、丙氧化鋯、異丙氧化鋯、丁氧化鋯、異丁氧化鋯等。
另一方面,疏鬆構造部位(B)係由去除上述一般式(I)所示之構造單位中之三維多面體構造骨架之殘基(或取代基),與上述一般式(Ⅱ)所示之構造單位組成。換言之,係由上述一般式(I)所示之構造單位去除緊密構造部位(A)之部位與上述一般式(Ⅱ)所示之構造單位所組成。更具體而言,依照下述說明,以可得自R3
R4
R5
SiX、R6
R7
SiX2
或此等之混合物(惟,R3
至R7
及X係與一般式(Ⅱ)相同)之水解縮合物之一般式(Ⅱ)所示之金屬氧化物之鏈狀構造物、及與一般式(I)中之金屬原子鍵結之有機基[換言之,即去除一般式(I)所示之構造單位中之三維多面體構造骨架之殘基(或取代基)]組成為佳。
上述一般式(Ⅱ)所示之構造單位係,可由將以R3
R4
R5
SiX或R6
R7
SiX2
表示之化合物之1種以上,在酸或鹼觸媒存在下進行水解與縮合反應而得到。在此,R3
至R7
係具有與一般式(Ⅱ)之R3
至R7
相同意義。當R3
至R7
之一部分為不飽合基時,若以較理想之具體例表示,則可舉例如,3-甲基丙烯醯氧丙基、3-丙烯醯氧丙基、芳基、乙烯基、及苯乙烯基。X係鹵素原子或烷氧基,若以具體例表示,則可例示如氯、溴、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。
以R3
R4
R5
SiX表示之化合物之較佳例,可舉例如,三甲基氯矽烷、乙烯基二甲基氯矽烷、二甲基氯矽烷、苯基二甲基氯矽烷、苯基氯矽烷、三乙基氯矽烷、三乙烯基氯矽烷、甲基二乙烯基氯矽烷、烯丙基二甲基氯矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基二甲基氯矽烷、3-丙烯醯氧丙基二甲基氯矽烷、苯乙烯基二甲基氯矽烷、三甲基甲氧基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷、二甲基甲氧基矽烷、苯基二甲基甲氧基矽烷、苯基甲氧基矽烷、三乙基甲氧基矽烷、三乙烯基甲氧基矽烷、甲基二乙烯基甲氧基矽烷、烯丙基二甲基甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基二甲基甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基二甲基甲氧基矽烷、苯乙烯基二甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷、二甲基乙氧基矽烷、苯基二甲基乙氧基矽烷、苯基乙氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三乙烯基乙氧基矽烷、甲基二乙烯基乙氧基矽烷、烯丙基二甲基乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基二甲基乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基二甲基乙氧基矽烷、苯乙烯基二甲基乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、乙烯基二甲基丙氧基矽烷、二甲基丙氧基矽烷、苯基二甲基丙氧基矽烷、苯基丙氧基矽烷、三乙基丙氧基矽烷、三乙烯基丙氧基矽烷、甲基二乙烯基丙氧基矽烷、烯丙基二甲基丙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基二甲基丙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基二甲基丙氧基矽烷、苯乙烯基二甲基丙氧基矽烷、三甲基異丙氧基矽烷、乙烯基二甲基異丙氧基矽烷、二甲基異丙氧基矽烷、苯基二甲基異丙氧基矽烷、苯基異丙氧基矽烷、三乙基異丙氧基矽烷、三乙烯基異丙氧基矽烷、甲基二乙烯基異丙氧基矽烷、烯丙基二甲基異丙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基二甲基異丙氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基二甲基異丙氧基矽烷、苯乙烯基二甲基異丙氧基矽烷等。
以R6
R7
SiX2
表示之化合物之較佳例,可舉例如,二甲基二氯矽烷、乙烯基甲基二氯矽烷、二乙烯基二氯矽烷、烯丙基甲基二氯矽烷、甲基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、甲基乙基二氯矽烷、乙基乙烯基二氯矽烷、乙基烯丙基二氯矽烷、苯乙烯基甲基二氯矽烷、苯乙烯基乙基二氯矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二氯矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、烯丙基甲基二甲氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、乙基乙烯基二甲氧基矽烷、乙基烯丙基二甲氧基矽烷、苯乙烯基甲基二甲氧基矽烷、苯乙烯基乙基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、烯丙基甲基二乙氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、乙基乙烯基二乙氧基矽烷、乙基烯丙基二乙氧基矽烷、苯乙烯基甲基二乙氧基矽烷、苯乙烯基乙基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、乙烯基甲基二丙氧基矽烷、二乙烯基二丙氧基矽烷、烯丙基甲基二丙氧基矽烷、甲基二丙氧基矽烷、甲基苯基二丙氧基矽烷、甲基乙基二丙氧基矽烷、乙基乙烯基二丙氧基矽烷、乙基烯丙基二丙氧基矽烷、苯乙烯基甲基二丙氧基矽烷、苯乙烯基乙基二丙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、乙烯基甲基二異丙氧基矽烷、二乙烯基二異丙氧基矽烷、烯丙基甲基二異丙氧基矽烷、甲基二異丙氧基矽烷、甲基苯基二異丙氧基矽烷、甲基乙基二異丙氧基矽烷、乙基乙烯基二異丙氧基矽烷、乙基烯丙基二異丙氧基矽烷、苯乙烯基甲基二異丙氧基矽烷、苯乙烯基乙基二異丙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二異丙氧基矽烷等。
本發明之硬化性樹脂係能使上述一般式(I)所示之籠型矽氧烷樹脂、與上述一般式(Ⅱ)所示之矽氧化合物反應而得到,而所得到之硬化性樹脂係具有藉由將上述一般式(I)及上述一般式(Ⅱ)所示之構造單位之不飽和鍵予以交聯或水解縮合而縮合之分子構造。而且,此硬化性樹脂係具有從自由體積分率所計算之堆砌係數在0.68至0.8之緊密構造部位(A)、與堆砌係數未達0.68之疏鬆構造部位(B),且具有至少一個不飽和鍵。
計算在本發明中所使用之堆砌係數Kp係從以下之計算式(2)所計算。
Kp=An.Vw.p/Mw (2)(惟,An=亞佛加厥數、Vw=凡得瓦體積、p=密度、Mw=分子量)在此之中,Vw=ΣVa Va=4π/R3
-Σ1/3πhi2
(3R-hi) hi=R-(R2
+di2
-Ri2
)/2di(惟,R=原子半徑、Ri=鍵結原子半徑、及di=原子間距離)
在計算上述堆砌係數時,原子半徑及原子間距離係使用記載於日本化學學會著化學便覽基礎編修訂第3版之數值。換言之,即原子半徑則使用H=1.2、O=1.52、C=1.7、Si=2.14,原子間距離係使用H-C=1.08、C-C=1.541、Si-C=1.863、Si-O=1.609。例如,以一般式(1)之M=矽原子、v=0、w=2、y=0、及z=0表示之玻璃密度係2.23g/cm3
而其堆砌係數係成為0.747。取一般式(1)之R為甲基且v=8、w=0、y=0、及z=0之立方體構造之八甲基倍半矽氧烷(silsesquioxane)之密度係1.49g/cm3
而堆砌係數係成為0.697。此外取一般式(2)之R6
及R7
為甲基且j=0、k=4、及1=0之環狀構造之八甲基環四矽氧烷之密度係0.956g/cm3
,而其堆砌係數係成為0.576。同樣地取R3
及R4
、R5
、R6
及R7
為甲基且j=2、k=1、及1=0之鏈狀構造之八甲基三矽氧烷之密度係0.820g/cm3
,而其堆砌係數係成為0.521。換言之,具有矽原子與3個以上氧原子鍵結之三維多面體構造之金屬氧化物之堆砌係數為0.69以上,而成為本發明之緊密構造部位。此外取環狀及鏈狀構造之化合物之堆砌係數係0.576及0.521,而成為本發明之疏鬆部位。
本發明之硬化性樹脂係,緊密構造部位(A)與疏鬆構造部位(B)之構成重量比(A)/(B)為0.01至5.00、較理想係0.5至3.0。當(A)/(B)小於0.01時,緊密構造過少,而將硬化性樹脂成形且使樹脂硬化而得到之成形體之機械物性及耐熱性顯著地惡化。此外,當重量比在5.00以上時,賦予成形體柔軟性之疏鬆構造部位過少,而韌性顯著地惡化且成為脆弱之成形體。
此外,本發明之硬化性樹脂係平均分子量在800至60000。若平均分子量未達800則在成形後容易變得脆弱,相反地若超過60000則硬化成型加工變得困難且在使用上有時會造成不自由。再者,平均分子量可經由周知之GPC測定裝置進行測定。
以RSiX3
或MX4
表示之化合物、及以R3
R4
R5
SiX或R6
R7
SiX2
表示之化合物之水解及縮合所使用之酸觸媒而言,可舉例如鹽酸及硫酸。此外,亦能將此等混合使用,且當水解基為鹵素原子時也可利用在水解時所生成之鹵化氫。
以使用於水解及縮合之鹼性觸媒而言,可例示如,氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銫等鹼金屬氫氧化物、或者氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化苯甲基三甲基銨、氫氧化苯甲基三乙基銨等氫氧化銨鹽。此等之中,從觸媒活性高之點來看尤以使用氫氧化四甲銨較理想。鹼性觸媒通常係使用水溶液。
水解反應係必須有水的存在,但此等可由觸媒之水溶液供給,也可另外加入水。水量係足以將水解性基水解之量以上,較理想係理論量之1.0至1.5倍量。
在將硬化性樹脂做為硬化性樹脂組成物之情形中,在硬化性樹脂所調配成之分子中具有至少1個矽氫基之化合物係,分子中至少1個以上之可矽氫化之矽原子上具有氫原子之寡聚物及單體。以矽原子上具有氫原子之寡聚物而言,可舉例如,聚氫矽氧烷(polyhydrogensiloxane)類、聚二甲基氫矽氧基矽氧烷類及其共聚物、末端為由二甲基氫矽氧基所修飾之矽氧烷。此外,以在矽原子上具有氫原子之單體而言,可例示如,四甲基環四矽氧烷、五甲基環五矽氧烷等環狀矽氧烷類,二氫二矽氧烷類、三氫單矽烷類、二氫單矽烷類、單氫單矽烷類、二甲矽氧基矽氧烷類等,也可混合此等2種以上。
此外,具有硬化性樹脂所調配成之不飽合基之化合物係大致區分成,構造單位之重複數2至20左右之聚合物之反應性單體、與低分子量之低黏度之反應性單體。此外,大致區分成,具有1個不飽和基之單官能不飽和化合物與具有2個以上不飽和基之多官能不飽和化合物。
以反應性寡聚物而言,可例示如,聚乙烯矽氧烷類、聚二甲基乙烯基矽氧基矽氧烷類及其共聚物、末端為由二甲基乙烯基矽氧基所修飾之矽氧烷類、環氧丙烯酸酯、環氧化油丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、不飽和聚酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、丙烯酸乙烯酯、多烯/硫醇、矽氧丙烯酸酯、聚丁二烯、聚甲基丙烯酸苯乙烯基乙酯等。在此等中係有單官能不飽和化合物與多官能不飽和化合物。
以反應性單官能單體而言,可例示如,三乙基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷等乙烯取代矽化合物類、環己烯等環狀烯烴類、苯乙烯、醋酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯酮、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸正癸酯、丙烯酸異冰片酯(isobornyl)、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、丙烯酸苯氧乙酯、甲基丙烯酸三氟乙酯等。
以反應性多官能單體而言,可例示如,四乙烯基矽烷、二乙烯基四甲基二矽氧烷等乙烯取代矽化合物,四甲基四乙烯基環四矽氧烷、五甲基五乙烯基環五矽氧烷等乙烯取代環狀矽化合物,雙(三甲矽烷基)乙炔、二苯基乙炔等乙炔衍生物,降冰片二烯(norbornadiene)、二環戊二烯、環辛二烯等環狀多烯類,乙烯基環己烯等乙烯基取代環狀烯烴,二乙烯基苯類、二乙炔基苯類、三羥甲丙烷二烯丙基醚、季戊四醇(pentaerythritol)三烯丙基醚、三丙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、雙酚A二環氧丙基(glycidyl)醚二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、羥基特戊酸(pivalic acid)新戊二醇二丙烯酸酯、三羥甲丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。
以分子中具有不飽和基之化合物而言,除以上所例示者以外,能使用各種反應性寡聚物、單體。此外,此等反應性寡聚物和單體可分別單獨使用、或混合2種以上使用。
本發明所使用之分子中具有至少1個矽氫基之化合物、及分子中具有不飽和基之化合物可分別單獨使用、或混合使用2種以上皆可。
本發明中,可在硬化性樹脂中調配矽氫化觸媒或自由基起始劑,或者調配兩者而得到硬化性樹脂組成物。然後,能使此硬化性樹脂組成物熱硬化或光硬化,以矽氫化和自由基聚合,而得到硬質透明基板。此外,可加入矽氫化觸媒和自由基起始劑,將分子中具有至少1個矽氫基之化合物和具有不飽和基之化合物進一步調配而得到硬化性樹脂組成物。換言之,即從使硬化性樹脂硬化而得到硬質透明基板之目的、和改良所得到之硬化透明基板之物性之目的,促進反應之添加劑係調配矽氫化觸媒、熱聚合起始劑、光聚合起始劑、光起始助劑、增敏劑等而得到硬化性樹脂組成物。
當調配矽氫化觸媒時,其添加量相對於硬化性樹脂之重量以金屬原子添加在1至1000ppm、較理想係在20至500ppm之範圍內較理想。當調配光聚合起始劑或熱聚合起始劑做為自由基起始劑時,其添加量在相對於硬化性樹脂,以使其在0.1至5重量份之範圍為佳,且以使其在0.1至3重量份之範圍更加理想。若此添加量不滿0.1重量份則硬化不足,而所得到之成形體之強度和剛性降低。另一方面,若超過5重量份則有產生成形體之著色等問題之虞。此外可單獨使用矽氫化觸媒與自由基起始劑,也能併用2種以上使用。
以矽氫化觸媒而言,可舉例如,氯化鉑、氯鉑酸(chloroplatinic acid)、氯鉑酸與醇、醛、酮之錯合物、氯鉑酸與烯烴類之錯合物、鉑與乙烯基矽氧烷之錯合物、二羰基二氯化鉑及鈀系觸媒、銠系觸媒等鉑族金屬系觸媒。在此等之中,從觸媒活性之點來看,以氯鉑酸、氯鉑酸與烯烴類之錯合物、鉑與乙烯基矽氧烷之錯合物較理想。此外,可單獨使用此等,也可併用2種以上。
以硬化性樹脂組成物做為光硬化性組成物之情形中所使用之光聚合起始劑而言,能較適合使用乙醯苯系、安息香(benzoin)系、二苯基酮系、噻噸酮(thioxanthone)系、醯基膦氧化物系等化合物。具體而言可例示如,三氯乙醯苯、二乙氧基乙醯苯、1-苯基-2-羥基-2-甲基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-(4-甲基噻吩基(thiophenyl))-2-嗎啉基丙-1-酮、安息香甲基醚、苯甲基二甲基縮酮(ketal)、二苯基酮、噻噸酮、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦、乙醛酸(glyoxylate)甲基苯酯、樟腦醌(camphorquinone)、苯偶醯、蒽醌、米其勒酮(Michler's ketone)等。此外,也能併用與光聚合起始劑組合而發揮效果之光起始助劑和增敏劑。
以上述目的所使用之熱聚合起始劑而言,能較適合使用過氧化酮系、過氧化縮酮系、過氧化氫系、過氧化二烷基系、過氧化二醯基系、過氧二碳酸酯系、過氧化酯系等各種有機過氧化物。具體而言可例示如,過氧化環己酮、1,1-雙(第三-己基過氧化)環己酮、氫過氧化異丙苯(cumene hydroperoxide)、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲醯、過氧化二異丙烷、己酸三級丁基過氧-2-乙酯等,但並非被此等所限制。此外,此等熱聚合起始劑可單獨使用、或將2種以上混合使用。
在本發明之硬化性樹脂組成物中,係能在不悖離本發明之目的之範圍內添加各種添加劑。各種添加劑係可例示如有機/無機填料、塑化劑、阻燃劑、熱安定劑、抗氧化劑、光安定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑、脫模劑、發泡劑、晶核劑、著色劑、交聯劑、分散助劑、樹脂成分等。
如上述,本發明之硬質透明基板係,能將包含矽氫化觸媒或自由基聚合起始劑之任一種、或者包含兩者之硬化性樹脂組成物成形為預定形狀,再經由加熱或光照射使其硬化而製造。當經由加熱製造共聚物(硬質透明基板)時,其溫度係因選擇熱聚合起始劑與促進劑,而能選自室溫至200℃左右之寬廣範圍。此情形,在模具內和鋼帶上使其聚合硬化而能得到所需形狀之硬質透明基板。更具體而言,射出成形、擠壓成形、壓縮成形、轉移成形、壓延成形(calendaring molding)、澆鑄(注模)成形之一般成形加工方法皆可應用。
此外,當經由光照射產生之光聚合製造硬質透明基板時,照射波長1.0至400nm之紫外線和波長400至700nm之可見光,而能得到硬質透明基板。所使用之光之波長並不特別限制,但較適合使用波長200至400nm之近紫外線。以使用做為紫外線產生源之燈而言,可例示如,低壓水銀燈(輸出:0.4至4W/cm)、高壓水銀燈(40至160W/cm)、超高壓水銀燈(173至435W/cm)、金屬鹵素燈(80至160W/cm)、脈衝氙燈(80至120W/cm)、無電極放電燈(80至120W/cm)等。此等之紫外線燈係由於在其分光分布上有各自之特徵,故依所使用之光起始劑之種類而選定。
以經由光照射得到硬質透明基板之方法而言,可例示如:在具有任何穴(cavity)形且由石英玻璃等透明材料所構成之模具內注入硬化性樹脂組成物,再以上述紫外線燈照射紫外線進行聚合硬化後,使其從模具脫模而製造所需形狀之硬質透明基板之方法;和在不使用模具之情形中,例如在移動之鋼帶上使用刮刀片(doctor blade)或輥狀之塗布機塗布本發明之硬化性樹脂組成物,使其以上述紫外線燈聚合硬化,而製造薄片狀之硬質透明基板之方法等。並且在本發明中也可組合使用經由加熱與光照射得到硬質透明基板之方法。
使本發明中之硬化性樹脂硬化而得到之硬質透明基板係透明性優良,具體而言波長在550nm之光之光線穿透率在80%以上,此外,因雙折射率在20nm以下,所以可藉由使各種顯示裝置用電子材料積層而得到各種顯示裝置。換言之,若光線穿透率未達80%,則當顯示彩色等時,由於畫面變暗而難以使用,故有只能使用於單色顯示元件等用途之傾向,若雙折射率大於20nm,則做為顯示面板時,有顯示畫面產生色斑之傾向,但本發明之硬質透明基板係由於具備如上述之特性,故在得到各種顯示裝置之上較適合。
關於硬質透明基板之厚度係因顯示裝置之種類而異,例如液晶顯示裝置之情形係以0.10至2.00mm較理想。若未達0.10mm則因基板本身之重量而容易彎曲,且有使用以往之玻璃製基板之液晶顯示裝置之製造過程無法使用之虞。另一方面,若超過2.00mm則重量變成與以往之1.5至0.7mm之玻璃基板相同,而悖離輕量化之目的。
以下,使用所附圖式說明本發明之較理想之實施樣態。
第1圖係使用各種顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之液晶顯示裝置之剖面解說圖,且為使用本發明之硬質透明基板之較適合之例。此情形,顯示裝置用電子材料係例如,透明電極、定向膜、液晶層、濾色器、薄膜電晶體、偏光板、及背光源,而在硬質透明基板上積層有濾色器、透明電極、及定向膜之液晶第1構件、與在硬質透明基板上積層有薄膜電晶體及定向膜之第2構件係以使定向膜彼此面對面之方式夾住液晶層,且在液晶第1構件之硬質透明基板外側配置偏光板,同時在液晶第2構件之硬質透明基板外側配置偏光板及背光源。在此,可在上述硬質透明基板之雙面設置阻氣膜。
液晶顯示裝置之情形,以透明電極而言,可舉例如,氧化銦、氧化錫、金、銀、銅、鎳等導電物質。此等可單獨或2種以上混合使用,從透明性與導電性之平衡面來看,通常以由氧化銦99至90%與氧化錫1至10%之混合物組成之氧化銦錫(以下稱為「ITO」)特別理想。形成透明電極之方法係,能使用以往習知之真空蒸鍍法、噴鍍(sputtering)法、離子電鍍(ion plating)法、化學蒸鍍法進行。在此之中,從黏著性之點來看以濺鍍法較理想。以上之透明電極之厚度從透明性及導電性之平衡面來看,通常以在500至2000之範圍較理想。
第2圖係使用各種顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之觸控式面板顯示裝置之剖面解說圖。換言之,顯示裝置用電子材料至少包括透明電極、點隔件(dot spacer)、偏光板、及液晶顯示裝置,而在硬質透明基板上形成透明電極之一對觸控式面板構件係以使透明電極彼此面對面之方式夾住點隔件。然後,在各觸控式面板構件之外側配置偏光板,同時在任一側之觸控式面板構件之外側除偏光板以外配置以液晶顯示裝置為首之顯示裝置。在此,也可在上述硬質透明基板之雙面上設置阻氣膜。
第3圖係使用各種顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之有機EL顯示裝置之剖面解說圖。換言之,顯示裝置用電子材料至少包括透明電極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、金屬電極、及阻氣膜,而在硬質透明基板上積層透明電極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、及金屬電極而成。在此,也可經由圖式外之阻氣膜將整體密封。此外,也可在上述硬質透明基板之雙面設置阻氣膜。此有機EL顯示裝置之情形,例如,發光體層則使用硫化鋅、硫化鎘、硒化鋅等,金屬電極則使用鋁等。
在硬質透明基板上積層顯示裝置用電子材料之際,關於依需要而設置於硬質透明基板與顯示裝置用電子材料之間之阻氣膜,可舉例如,無機氧化物膜、或者、乙烯-乙烯醇共聚物(例如,EVAL商品名EVAL、Soarnol)、二氯乙烯等阻氣性樹脂層,但較理想係無機氧化物膜。所謂無機氧化物,係指金屬、非金屬、亞金屬之氧化物,以具體例而言,可舉例如,氧化鋁、氧化鋅、氧化銻、氧化銦、氧化鈣、氧化鎘、氧化銀、氧化金、氧化鉻、氧化矽、氧化鈷、氧化鋯、氧化錫、氧化鈦、氧化鐵、氧化銅、氧化鎳、氧化鉑、氧化鈀、氧化鉍、氧化鎂、氧化錳、氧化鉬、氧化釩、氧化鋇等,以氧化矽特別理想。再者,在無機氧化物中可含有微量金屬、非金屬、亞金屬單體或此等之氫氧化物,此外,為了使撓性提高也可適當含有碳或氟。以形成阻氣膜之方法而言,可舉例如,塗布樹脂等之方法、和形成由無機氧化物組成之蒸鍍膜之方法。以形成蒸鍍膜之方法而言,能使用真空蒸鍍法、真空濺鍍法、離子電鍍法、CVD法等以往周知之方法。
關於此阻氣膜之厚度並無特別限制,雖因構成阻氣膜之成分之種類而異,但除氧氣阻氣性和阻水蒸氣性以外,若考慮經濟性,則膜厚係以5至50nm較理想。若膜厚未達5nm則由於可能有膜呈島狀而產生不形成膜之處而有無法得到均勻膜之傾向故不甚理想。為了進一步得到高度氧氣阻氣性和阻水蒸氣性只要使膜厚變厚即可,但若超過50nm則由於生產性差且成本增加,且透明性也連帶惡化故較不理想。
以下,表示本發明之實施例。再者,在下述實施例中使用之硬化性樹脂係,以如下述合成例所示之方法得到者。
在備有攪拌機、滴液漏斗之2L之4口燒瓶中裝入異丙醇300mL、甲苯600mL及20w%氫氧化四甲銨水溶液22.37g(氫氧化四甲銨4.55g/0.05mol、水17.82g/0.99mol)。在滴液漏斗中裝入乙烯基三甲氧基矽烷44.4g/0.30mol與異丙醇50mL之混合溶液,一面攪拌反應容器,同時在室溫下費時3小時滴入。滴入結束後不加熱即攪拌3小時。攪拌3小時後,停止攪拌且使反應溶液在室溫下18小時熟成。將該反應溶液加入至0.1M檸檬酸水溶液1L中且進行中和,並且以水進行水洗至中性後,加入無水硫酸鎂進行脫水。濾除無水硫酸鎂後,在減壓下進行濃縮。將濃縮物以經脫水之四氫呋喃200mL溶解後,裝入至備有攪拌機、滴液漏斗之1L之4口燒瓶中。在反應容器中加入經脫水之吡啶1.00mL及在滴液漏斗中加入二甲基二氯矽烷3.2g/0.025mol、三甲基氯矽烷2.7g/0.025mol與四氫呋喃30mL,在氮氣流下一面攪拌反應容器,同時在室溫下費時3小時滴入。滴入結束後不加熱即攪拌3小時。攪拌3小時後,加入甲苯300mL後,將反應溶液以水進行水洗至中性,再加入無水硫酸鎂進行脫水。濾除無水硫酸鎂後,在減壓下進行濃縮而得到無色透明液體之硬化性樹脂[一般式(1)]27.1g。
在此硬化性樹脂之1H-NMR中,因觀測到乙烯基之尖銳信號所以確認出水解自乙烯基三甲氧基矽烷之水解縮合物為籠型構造。因此關於由金屬氧化物,即矽氧化物所構成之三維多面體構造之緊密構造部位(A),係能假設成由8個矽原子與12個氧原子所構成之(SiO3/2
)8
表示之立方體構造,而所導出之Kp係0.73。此外,上述硬化性樹脂之(A)以外之部位係,(H2
C=CH-SiO3/2
)8
之殘基之乙烯基與(Me3
SiO1/2
)與(Me2
SiO)之疏鬆構造部位(B),從此等所求之重量比[(A)/(B)]係1.302。此外,來自GPC之數平均分子量Mn係5200。再者,計算緊密構造部位(A)之Kp之際,(SiO3/2
)8
由於為(A)之一部分且作為存在於一般式(I)樹脂中之一部分故不可能取出而無法直接求得Kp值。因此使用(HSiO3/2
)8
做為對Kp之影響最少且能最近似之化合物來計算。
將在合成例中所得到之硬化性樹脂100重量份與過氧化二異丙苯(日本油脂股份有限公司PERCUMYL D)2重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組成物。將此流入至以玻璃板組合成之模使厚度成為0.2mm,在100℃中加熱1小時、在120℃中1小時、在140℃中1小時、在160℃中1小時、及在180℃中2小時而得到成形體(硬質透明基板)。
將在合成例中所得到之硬化性樹脂58重量份、末端三甲矽烷基修飾聚甲基氫矽氧烷(Azmax股份有限公司製HMS-992)42重量份、及鉑-乙烯基矽氧烷錯合物(Azmax股份有限公司製SIP6830.3)0.5重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組成物。將此流入至以玻璃板組合成之模使厚度成為0.2mm,在100℃中加熱1小時、在120℃中1小時、在140℃中1小時、在160℃中1小時、及在180℃中2小時而得到成形體(硬質透明基板)。
將在合成例中所得到之硬化性樹脂58重量份、末端三甲矽烷基修飾聚甲基氫矽氧烷(Azmax股份有限公司製HMS-992)21重量份、過氧化二異丙苯(日本油脂股份有限公司PERCUMYL D)2重量份、及鉑-乙烯基矽氧烷錯合物(Azmax股份有限公司製SIP6830.3)0.5重量份混合至均勻而得到硬化性樹脂組成物。將此流入至以玻璃板組合成之模使厚度成為0.2mm,在100℃中加熱1小時、在120℃中1小時、在140℃中1小時、在160℃中1小時、及在180℃中2小時而得到成形體(硬質透明基板)。
在實施例1至3中所得到之硬質透明基板上,分別預先依濺鍍法設置由厚度10nm之矽氧化物組成之阻氣膜,接著依濺鍍法在阻氣膜上形成厚度150nm之ITO膜(透明電極),而得到在硬質透明基板上備有透明電極之測試用積層體。將所得到之測試用積層體以以下方法進行評估。
<耐熱性>在維卡軟化(Vicat Softening)測試中,在壓頭(indenter)剖面積1.0mm、負重5Kg、升溫速度50℃/hr之測定條件下,在120℃以下壓頭進入0.4mm以上者標示為×、進入0.2至0.4mm者標示為△、在0.1mm以下幾乎未進入者標示為○。
<雙折射率>使用相位差測定裝置(Nikon製,NPDM-1000),以波長400至800nm測定面內之雙折射率。
<光線穿透率>使用(股)日立製作所之分光光度計,測定波長550nm之穿透率。
<ITO膜表面之粗糙度(Ra)>依AFM進行表面粗糙度測定。測定範圍為10 μm,在輕敲模式(tapping mode)之條件下進行測定。
<彎曲性>以直徑25mm之芯棒纏繞測試用積層體,在彎折90度時,不產生龜裂者標示為○、產生龜裂者標示為×。
在實施例1至3所得到之測試用積層體之耐熱性、雙折射率、光線穿透率、ITO膜表面粗糙度、及彎曲性之評估結果如表1所示。
此外,將在實施例1至3所得到之測試用積層體使用於觸控式面板構件之一側,另一側之觸控式面板構件係使用在玻璃基板上以與前述同樣之方法形成150nm之透明導電性薄膜者。以使透明導電薄膜互相面對面之方式,隔著直徑30 μm之環氧樹脂珠而配置此2片觸控式面板構件從而製作觸控式面板測試體。關於此所得到之觸控式面板測試體以以下方法進行評估。
除使用厚度0.188mm之聚對酞酸乙二酯代替硬質透明基板以外係與實施例1至3同樣進行而製作觸控式面板測試體。
1)耐熱變色:將組合好之觸控式面板測試體以120℃之熱風循環烘箱處理120小時後確認基板之變色。若無變化則標示為○、有變黃等著色情形係標示為×。
2)筆滑動測試:在聚縮醛製筆(尖端形狀:0.8mmR)上掛250g之砝碼進行20萬次之滑動測試。在滑動部分未觀察到白化而在導通電阻(ON resistance)無異常則標示為○、有白化及在導通電阻觀察到異常則標示為×。
3)按鍵測試:在聚縮醛製筆(尖端形狀:0.8mmR)上掛250g之砝碼進行100萬次之按鍵測試。在ON抵抗無異常則標示為○、觀察到異常則標示為×。
使用在上述實施例1至3及比較例1中所得到之測試用積層體製作出之觸控式面板測試體之薄膜成形性、耐熱變色、筆滑動測試、及按鍵測試之評估結果如表2所示。
第1圖係使用顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之液晶顯示裝置之剖面解說圖。
第2圖係使用顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之觸控式面板顯示裝置之剖面解說圖。
第3圖係使用顯示裝置用電子材料與本發明之硬質透明基板形成之有機EL顯示裝置之剖面解說圖。
無元件符號
Claims (12)
- 一種顯示裝置,其係將顯示裝置用電子材料積層於硬質透明基板而形成;硬質透明基板為使下述一般式(1)所示之硬化性樹脂硬化而得到者,而上述硬化性樹脂為具有由以下述計算式(2)所計算之堆砌係數Kp在0.68至0.8之金屬氧化物所構成之緊密構造部位(A)、與由上述Kp未達0.68之有機物或有機物與有機金屬氧化物所構成之疏鬆構造部位(B),同時,構造部位(A)/(B)之重量比為0.01至5.00,且具有至少一個不飽和鍵而平均分子量在800至60000,-{(A)-(B)m }n - (1)(惟,m及n係1以上之整數)Kp=An.Vw.p/Mw (2)(惟,An=亞佛加厥數、Vw=凡得瓦體積、p=密度、Mw=分子量、Vw=ΣVa、Va=4π/R3 -Σ1/3πhi2 (3Ra-hi)、hi=Ra-(Ra2 +di2 -Ri2 )/2di、Ra=原子半徑、Ri=鍵結原子半徑、及di=原子間距離)。
- 如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中,緊密構造部位(A)係具有去除下述一般式(I)之有機物部位之三維多面體構造之金屬氧化物部位,疏鬆構造部位(B)係由一般式(I)之有機物部位與下述一般式(Ⅱ)構成,(RSiO3/2 )w (MO2 )x (RXSiO)y (XMO3/2 )z (I) (R3 R4 R5 SiO1/2 )j (R6 R7 SiO)k {R6 R7 XSiO1/2 }l (Ⅱ)(惟,R為以(a)-R1 -OCO-CR2 =CH2 、(b)-R1 - CR2 =CH2 或者(c)-CH=CH2 表示之不飽和基、烷基、環烷基、環烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基矽氧基,而式(I)中之多個R可為互相不同者,但至少1個係包含(a)、(b)、(c)之任一者;此外,R1 表示伸烷基、伸烯基或伸苯基,R2 表示氫或烷基,R3 至R7 為以(a)-R1 -OCO-CR2 =CH2 、(b)-R1 -CR2 =CH2 或者(c)-CH=CH2 表示之不飽和基、烷基、環烷基、環烯基、苯基、氫原子、烷氧基、或烷基矽氧基,M為矽、鍺、鈦、或鋯之金屬原子,X為鹵素原子、或烷氧基,w為4以上之整數,x、y及z為滿足w+x+y+z≧8之整數;此外,j、k、及l分別表示0以上之整數)。
- 如申請專利範圍第2項之顯示裝置,其中,一般式(1)中之(A)所示之構造單位係由得自RSiX3 、MX4 或此等之混合物(惟,R、M及X與一般式(I)相同)之水解縮合物之一般式(I)所示之構造單位中之三維多面體構造骨架之金屬氧化物部位所構成。
- 如申請專利範圍第2項之顯示裝置,其中,一般式(1)中之(B)所示之構造單位係由R3 R4 R5 SiX、R6 R7 SiX2 或此等之混合物(惟,R3 至R7 及X與一般式(Ⅱ)相同)之水解縮合物所製造之一般式(Ⅱ)所示之金屬氧化物之鏈狀單位、及與一般式(I)所示之構造中所含有之金屬原子鍵結之有機基所構成。
- 如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中,在硬化性樹脂中調配矽氫化觸媒及/或自由基起始劑而得到硬化 性樹脂組成物後,使此硬化性樹脂組成物成形,且使其熱硬化或光硬化而得到硬質透明基板。
- 如申請專利範圍第5項之顯示裝置,其中,進一步調配分子中具有至少1個矽氫基之化合物及/或具有不飽和基之化合物而得到硬化性樹脂組成物。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之顯示裝置,該顯示裝置係為液晶顯示裝置,其中,顯示裝置用電子材料至少有透明電極、定向膜、液晶層、濾色器、薄膜電晶體、偏光板、及背光源,該液晶顯示裝置係令在硬質透明基板上積層有濾色器、透明電極、及定向膜之液晶第1構件、與在硬質透明基板上積層有薄膜電晶體及定向膜之液晶第2構件以使定向膜彼此面對面之方式夾住液晶層,且在液晶第1構件之硬質透明基板外側配置偏光板,同時在液晶第2構件之硬質透明基板外側配置偏光板及背光源而成者。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之顯示裝置,該顯示裝置係為有機EL顯示裝置,其中,顯示裝置用電子材料至少有透明電極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、金屬電極、及阻氣膜,而有機EL顯示裝置係在硬質透明基板上積層有透明電極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、及金屬電極,並經阻氣膜而密封而成者。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之顯示裝置,該顯示裝置係為觸控式面板顯示裝置,其中,顯示裝置 用電子材料至少有透明電極、點隔件、偏光板、及液晶顯示裝置,而觸控式面板顯示裝置係令在硬質透明基板上形成有透明電極之一對觸控式面板構件,以使透明電極彼此面對面之方式夾住點隔件,且在各觸控式面板構件之外側配置偏光板,同時在任一側之觸控式面板構件之外側進一步配置液晶顯示裝置而成者。
- 如申請專利範圍第7項之顯示裝置,其中,在硬質透明基板與透明電極之間進一步配置阻氣膜。
- 如申請專利範圍第8項之顯示裝置,其中,在硬質透明基板與透明電極之間進一步配置阻氣膜。
- 如申請專利範圍第9項之顯示裝置,其中,在硬質透明基板與透明電極之間進一步配置阻氣膜。
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