TWI423284B - 具有聚合物外層之電解電容器及製造其之方法 - Google Patents

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Description

具有聚合物外層之電解電容器及製造其之方法 相關申請
本申請要求2005年7月20日提交的德國申請號10 2005 033 839的權益，對於全部有用目的引入其全文作為參考。
本發明涉及具有低等效串聯電阻和低殘留電流的電解電容器的製備方法，所述電容器由導電聚合物製成的固體電解質和含有導電聚合物的外層組成，還涉及由該方法製成的電解電容器，並涉及該電解電容器的用途。
常規商業固體電解電容器通常由多孔金屬電極、位於所述金屬表面的氧化層、引入到所述多孔結構中的導電固體、例如銀層的外部電極(接觸)以及其他電接點和封裝組成。
固體電解電容器的實例為具有電荷轉移絡合物、二氧化錳或聚合固體電解質的鉭、鋁、鈮和氧化鈮電容器。使用多孔體具有非常高的容量密度的優點，即由於大表面積可在小空間內得到的高電容。
由於其具有高導電性，π－共軛聚合物特別適於用作固體電解質。π－共軛聚合物還被稱為導電聚合物或合成金屬。由於與金屬相比聚合物在可加工性、重量和化學改性特性的目標調節方面具有優勢，π－共軛聚合物在經濟上面的重要性逐漸增加。已知π－共軛聚合物的例子是聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚亞苯基和聚(對苯乙炔)，聚－3,4－(亞乙基－1,2－二氧)噻吩，通常還稱為聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)為非常重要的工業使用的聚噻吩，因為其氧化形式具有非常高的導電性。
電子技術的發展增加了對具有非常低的等效串連電阻(ESR)的固體電解電容器的需求。例如，這是由於在積體電路中需要降低邏輯電壓、更高集成密度和提高的時鐘頻率。低ESR還降低了能量消耗，並且這對於移動電池操作應用特別有利。因此希望盡可能地降低固體電解電容器的ESR。
歐洲專利說明書EP－A 340 512描述了由3,4－亞乙基－1,2－二氧噻吩製備固體電解質的方法，以及通過氧化聚合製備的其陽離子聚合物在電解電容器中作為固體電解質的應用。由於更高的電導率，在固體電解電容器中用聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)代替二氧化錳或電荷轉移絡合物降低了電容器的等效串聯電阻，並提高了頻率行為。
除了低ESR外，現代固體電解電容器需要低殘留電流和相對於外部應力的良好穩定性。可以大大增加電容器陽極殘留電流的高機械應力特別發生於封裝電容器陽極時的製造過程中。
對於這種應力的穩定性以及由此產生的低剩餘電流可主要通過在電容器陽極上的由導電聚合物製成的約5－50 μm厚的外層實現。這種層用作電容器陽極和陰極側電極之間的機械緩衝層。例如當機械加壓時，這防止了銀層(接觸)直接與電介質接觸，或防止破壞電介質而由此增加電容器的殘留電流。導電聚合物外層本身應當顯示出已知的自恢復行為：在外部陽極表面上的電介質中相對小的缺陷，儘管存在緩衝作用其仍然發生，通過電流在缺陷點破壞外層的導電性而電絕緣。
通過原位聚合而形成厚的聚合物外層非常困難。在此方法中層的形成需要非常多次的塗布迴圈。作為所述多次塗布迴圈的結果，外層的塗布非常不均勻，特別是電容器陽極的邊緣通常被不適當地覆蓋。日本專利申請JP－A 2003－188052中指出，均勻邊緣覆蓋需要處理參數的昂貴匹配。然而，這使得生產過程非常易於中斷。由於黏合材料阻礙了原位聚合中的氧化，用於更快速形成層的黏合劑材料的加入也是困難的。另外，原位聚合的層必須通過洗滌而不含有殘留鹽，由此在所述聚合物層中形成小孔。
具有良好邊緣覆蓋的緻密導電外層可通過電化學聚合形成。然而，電化學聚合需要首先在電容器陽極的絕緣氧化層上沉積導電薄片，並且該層然後與各個單獨的電容器電接觸。這種接觸在大量生產中非常昂貴並可能破壞氧化層。
電容器上的導電外層還可通過將導電聚合物的粉末與黏合劑混合，並將該混合物施加到電容器主體上進行製備。然而在單個粉末顆粒之間的高接觸電阻產生了額外電阻，阻止了具有低ESR的固體電解電容器的製備。
在EP－A－637043中，導電粉末的加入顯著增加了通過化學原位聚合製備的外層的不均勻性，提高了外部石墨層和聚合物膜之間的黏合，並由此實現了較低ESR值和損耗係數。然而這種方法的缺陷在於，聚合物外層變得非常不均勻(不均勻度：10－50 μm)。由於為達到低ESR，聚合物外層的總厚度應當不超過5－50 μm，這種高度不均勻性導致外層局部非常薄並由此產生高殘留電流。在聚合物外層的不均勻點還可能出現電壓峰值和電擊穿。
在日本專利申請JP－A 2001－102255和JP－A 2001－060535中，將聚亞乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)(還稱為聚亞乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸絡合物或PEDT/PSS絡合物)層直接施加到氧化膜上以保護氧化膜，並提高固體電解質與氧化膜之間的黏合。然後通過原位聚合或通過將電容器陽極浸漬在四氰基喹啉並二甲烷鹽溶液中而將外層施加到該層之上。然而該方法具有如下缺陷：PEDT/PSS絡合物不會穿過具有小孔的多孔陽極體。因而不能使用現代的高度多孔陽極材料。
US－P 6,001,281在實施例中描述了固體電容器，其具有由聚亞乙基二氧噻吩(PEDT)原位製備的固體電解質和由PEDT/PSS絡合物製備的外層。然而這些電容器的缺陷在於具有130 mΩ或更高的ESR。
在EP－A－1524678中，通過施加含有至少一種聚合陰離子和至少一種任選取代的聚苯胺和/或至少一種具有通式(I)、(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩的分散體與黏合劑而製得了聚合物外層。雖然該方法改善了邊緣覆蓋，但其不能用來製備具有可靠重複密度的聚合物外層。
因此仍然需要製備具有低等效串聯電阻(ESR)的固體電解電容器的改進方法，能夠以簡單和可靠重複方式生產具有良好邊緣覆蓋的緻密的聚合物外層。因此該目標提供了此類方法和由此改進的電容器。
現已驚奇地發現，含有直徑小於700納米的聚苯胺和/或聚噻吩顆粒、黏合劑和具有0.7－20 μm直徑的固體顆粒的分散體滿足這些要求。
令人驚奇的是，分散體中直徑為0.7－20 μm的粗糙固體顆粒對在電解電容器上形成外層具有顯著的影響。通過這些顆粒顯著改善了角和邊覆蓋。直徑小於700 nm的聚苯胺和/或聚噻吩顆粒不僅僅有助於層的良好導電性並由此使電容器具有低ESR，其還平滑了這些固體顆粒產生的不均勻性。由此得到具有均勻厚度即低不均勻性的緻密且緊湊的層，並由此得到具有低殘留電流的電容器。
本發明因此涉及製備電解電容器的方法，其包括向電容器主體施加分散體a)，所述電容器主體至少包括：電極材料的多孔電極體，覆蓋該電極材料表面的電介質，至少包括導電材料的固體電解質，其全部或部分覆蓋所述電介質表面，導電材料優選導電聚合物，所述分散體(a)包括至少：導電聚合物顆粒b)，其含有至少一種任選取代的聚苯胺和/或至少一種具有通式(I)或(II)的重複單元或者通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩
其中A表示任選取代的C1 －C5 亞烷基，R表示直鏈或支鏈任選取代的C1 －C1 8 烷基、任選取代的C5 －C1 2 環烷基、任選取代的C6 －C1 4 芳基、任選取代的C7 －C1 8 芳烷基、任選取代的C1 －C4 羥烷基或羥基，x表示0－8的整數，並且如果多個基團R連接到A，其可相同或不同，並含有黏合劑c)和分散劑d)，並且，為了形成導電聚合物外層，至少部分除去分散劑d)和/或固化黏合劑c)，其特徵在於，在分散體a)中直徑小於700納米的導電聚合物顆粒b)的比例構成分散體固體含量的至少5重量%的固體含量，並且除了組分b)－d)之外，在分散體中也包含直徑為0.7－20 μm的固體顆粒e)。
本發明因此涉及製備電解電容器的方法，其包括向電容器主體施加分散體a)，其中所述電容器主體包括：電極材料的多孔電極體，覆蓋該電極材料表面的電介質，至少包括導電材料的固體電解質，其全部或部分覆蓋電介質表面，導電材料優選導電聚合物，並且所述分散體a)包括至少：導電聚合物顆粒b)，其含有至少一種任選取代的聚苯胺和/或至少一種具有通式(I)或(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩
其中A表示任選取代的C1 －C5 亞烷基，R表示直鏈或支鏈任選取代的C1 －C1 8 烷基、任選取代的C5 －C1 2 環烷基、任選取代的C6 －C1 4 芳基、任選取代的C7 －C1 8 芳烷基、任選取代的C1 －C4 羥烷基或羥基，x表示0－8的整數，並且如果多個基團R連接到A，其可相同或不同，並含有黏合劑c)和分散劑d)，並且，為了形成導電聚合物外層，至少部分地除去分散劑d)和/或固化黏合劑c)，其中在分散體a)中直徑小於700 nm的導電聚合物顆粒b)的比例構成分散體固體含量的至少5重量%的固體含量，並且除了組分b)－d)之外，在分散體中也包含直徑為0.7－20 μm的固體顆粒e)。
分散體中顆粒e)的比例優選為分散體固體含量的至少5重量%。
通式(I)和(II)將被理解為x個取代基R可連接到亞烷基A上。
例如通過超速離心機設備測量顆粒b)的直徑。顆粒b)的直徑分佈涉及作為粒徑函數的在分散體中的質量分佈。
例如通過鐳射衍射測量在分散體中固體顆粒e)的直徑。這些固體顆粒的直徑分佈涉及作為粒徑函數的在分散體中的固體顆粒e)的體積分佈。
在分散體a)中，基於其固體含量，直徑小於700 nm的顆粒b)的比例優選至少為分散體固體含量的10重量%，特別優選至少為15重量%。
基於其固體含量，直徑小於500 nm的顆粒b)的比例特別優選至少為分散體a)固體含量的5重量%，更優選至少為10重量%，更特別優選至少為15重量%。
基於其固體含量，直徑少於400 nm的顆粒b)的比例特別優選至少為分散體a)固體含量的5重量%，更優選至少為10重量%，更特別優選至少為15重量%。
在所述方法中，在分散體a)中的導電聚合物顆粒b)優選具有5－500 nm，特別優選10－300 nm的平均直徑。
直徑為0.7－20 μm的固體顆粒e)的比例優選至少為分散體a)固體含量的10重量%，特別優選至少為15重量%。
直徑為1－10 μm的固體顆粒e)的比例特別優選至少為分散體a)固體含量的5重量%，更優選至少10重量%，更特別優選至少15重量%。
直徑為1－5 μm的固體顆粒e)的比例特別優選至少為分散體a)固體含量的5重量%，更優選至少為10重量%，更特別優選至少15重量%。
在分散體a)中，固體顆粒e)優選具有1－10 μm的平均直徑，特別優選具有1－5 μm的平均直徑。
在分散體a)中，固體顆粒e)優選具有大於0.9 μm的直徑分佈d10值和小於15 μm的d90值，特別優選具有大於1 μm的d10值和小於10 μm的d90值，更特別優選具有大於1.2 μm的d10值和小於8 μm的d90值。
直徑分佈d10值指的是直徑小於或等於d10值的顆粒佔分散體a)中所有固體顆粒e)總體積的10%。直徑分佈d90指的是直徑小於或等於d90值的顆粒佔分散體a)中所有固體顆粒e)總體積的90%。
導電聚合物顆粒b)、黏合劑c)和固體顆粒e)優選形成穩定的分散體。然而也可使用不穩定的分散體，條件是其在使用前通過例如攪拌、滾動或振盪方式以確保所述組分的均勻分佈。
固體顆粒e)可為無機顆粒、有機顆粒或有機和無機顆粒的混合物，並特別具有不同於組分b)和c)的組成。
使用的固體顆粒e)可為常規填料，例如諸如碳酸鈣的碳酸鹽、矽酸鹽、二氧化矽、硫酸鈣或硫酸鋇、氫氧化鋁、玻璃纖維或玻璃球、木屑、纖維素粉末或碳黑。
特別合適的無機固體顆粒e)由例如碳、石墨、碳黑、金屬、金屬氧化物、陶瓷、矽酸鹽、矽、氧化矽，優選二氧化矽，例如沉澱的二氧化矽、煆製二氧化矽、矽膠、石英或玻璃組成。特別優選沉澱的二氧化矽、煆製二氧化矽和矽膠。
有機固體顆粒e)由例如聚合物，特別是導電聚合物或纖維素組成。
優選將固體顆粒e)以粉末形式引入到分散體a)中，然而還可以其他形式存在，例如以纖維或球的形式。
作為固體顆粒基礎的導電聚合物包括例如聚塞吩、聚比咯和聚苯胺，其可被取代或未取代。
用於固體顆粒e)的優選導電聚合物包括具有通式(I)、(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩，其中A、R和x具有以上對於通式(I)和(II)所規定的含義。
在固體顆粒e)中特別優選的導電聚合物為聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)。
電極材料優選例如以多孔煆燒壓片或蝕刻薄片的形式在通過本發明方法製成的電解電容器中形成具有大表面積的多孔主體。以下也將該多孔主體縮短為電極體。
以下也將覆蓋有電介質的電極體縮短為氧化電極體。術語“氧化電極體”也包括被電介質覆蓋的電極體，其並非通過電極體的氧化製備。
以下也將覆蓋有電介質並且全部或部分覆蓋有固體電解質的電極體縮短為電容器主體。
以下也將導電層稱為聚合物外層，該層通過本發明方法從分散體a)製成並且包括至少一種任選取代的聚苯胺和/或至少一種具有通式(I)或(II)的重複單元或者通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩，和至少一種黏合劑c)和固體顆粒s)。
分散體a)優選包括至少一種聚合有機黏合劑c)。特別優選的聚合有機黏合劑c)的實例包括聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚丁酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸醯胺、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸醯胺、聚丙烯腈、苯乙烯/丙烯酸酯、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯和乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚苯乙烯、聚醚、聚酯、聚碳酸酯、聚胺酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、三聚氰胺甲醛樹脂、環氧樹脂、矽氧烷樹脂或纖維素。其他優選的聚合有機黏合劑c)還包括可通過加入交聯劑並隨後交聯生產的那些，交聯劑為例如三聚氰胺化合物，封端的異氰酸酯或功能矽烷，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、四乙氧基矽烷和四乙氧基矽烷水解產物或可交聯的聚合物，例如聚胺酯、聚丙烯酸酯或聚烯烴。例如，這類適於作為聚合黏合劑c)的交聯產物還可通過使加入的交聯劑與分散體a)中含有的任何聚合陰離子反應而形成。優選足夠熱穩定以耐得住成品電容器隨後所暴露的溫度(例如220－260℃的焊接溫度)的黏合劑。
在分散體a)中的優選聚合黏合劑c)的固體含量為0.1－90重量%，優選為0.5－30重量%，特別優選為0.5－10重量%。
優選地，將足夠的黏合劑c)加入到分散體a)中，以將聚合物外層有效黏合到電容器主體上，並且在聚合物外層內獲得高度穩定性。黏合劑c)的固體含量(重量%)與固體顆粒e)的固體含量的比因此優選大於1：2，特別優選大於1：1。由此進一步增大了所述層的機械穩定性和所述層與電容器主體的黏結。
分散體a)可含有一種或多種分散劑d)。分散劑d)的實例包括以下溶劑。脂族醇，例如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇；脂族酮，例如丙酮和甲乙酮；脂族羧酸酯，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯；芳族烴，例如甲苯和二甲苯；脂族烴，例如己烷、庚烷和環己烷；氯代烴，例如二氯甲烷和二氯乙烷；脂族腈，例如乙腈；脂族亞碸和碸，例如二甲基亞碸和環丁碸；脂族羧酸醯胺，例如甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺和二甲基甲醯胺；脂族醚和芳脂族醚，例如二***和苯甲醚。使用的分散劑d)還可為水或水與上述有機溶劑的混合物。
優選的分散劑d)包括水或其他質子溶劑，例如醇，如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇，以及水與這些醇的混合物；特別優選的溶劑為水。
黏合劑c)還可任選作為分散劑d)。
根據本發明，術語“聚合物”包括所有具有一個以上相同或不同重複單元的化合物。
導電聚合物特別用來表示一類π－共軛聚合物，所述聚合物在氧化或還原後具有導電性。導電聚合物優選用來表示氧化後具有至少約1 μS cm－ 1 電導率的π－共軛聚合物。
在本發明範圍內，首碼“聚”用來表示在聚合物或聚噻吩中含有一個以上相同或不同的重複單元。聚噻吩含有總共n個通式(I)或通式(II)或者通式(I)和(II)的重複單元，n為2－2,000的整數，優選為2－100。在聚噻吩中通式(I)和/或(II)的重複單元各自可相同或不同。在每種情況下優選具有相同通式(I)、(II)或(I)和(II)的重複單元的聚噻吩。
聚噻吩的每個端基優選帶有H。
固體電解質可含有作為導電聚合物的任選取代的聚噻吩、任選取代的聚吡咯或任選取代的聚苯胺。
用於固體電解質的優選導電聚合物為具有通式(I)、(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩，其中A、R和x具有以上對於通式(I)和(II)給出的定義。
特別優選其中A表示任選取代的C2 －C3 亞烷基並且x表示0或1的具有通式(I)、(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩。
最優選聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)用作固體電解質的導電聚合物。
C1 －C5 亞烷基A優選為亞甲基、亞乙基、亞正丙基、亞正丁基或亞正戊基。C1 －C1 8 烷基優選表示直鏈或支鏈C1 －C1 8 烷基，例如甲基、乙基、正或異丙基、正、異、仲或叔丁基、正戊基、1－甲基丁基、2－甲基丁基、3－甲基丁基、1－乙基丙基、1,1－二甲基丙基、1,2－二甲基丙基、2,2－二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2－乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C5 －C1 2 環烷基R表示例如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基或環癸基，C5 －C1 4 芳基R表示例如苯基或萘基，並且C7 －C1 8 芳烷基表示例如苄基、鄰、間、對甲苯基、2,3－、2,4－、2,5－、2,6－、3,4－、3,5－二甲苯基或2,4,6－三甲苯基。通過舉例的方式使用以上所列用於舉例說明本發明並且不應被理解為是窮盡性的。
多種有機基團可考慮作為基團A和/或基團R的任選其他取代基，例如烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、鹵素、醚、硫醚、二硫化物、亞碸、碸、磺酸鹽、胺基、醛、酮、羧酸酯、羧酸、碳酸酯、羧化物、氰基、烷基矽烷和烷氧基矽烷基團和羧基醯胺基團。
例如，上述基團A和R和/或用於基團A和R的其他取代基可被例如考慮作為聚苯胺的取代基。優選未取代的聚苯胺。
在優選方法中用作固體電解質的聚噻吩可為中性或陽離子的。在優選實施方案中它們是陽離子的，“陽離子的”僅僅指的是位於聚噻吩主鏈上的電荷。根據基團R上的取代基，聚噻吩可在主單元上帶有正和負電荷，正電荷位於聚噻吩主鏈上而負電荷任選位於被磺酸酯或羧酸酯基團取代的基團R上。在這種情況下，聚噻吩主鏈上的正電荷可部分或全部被基團R上任選存在的陰離子基團所飽和。綜上所述，在這些情況下，聚噻吩可為陽離子的、中性的或甚至陰離子的。然而，在本發明範圍內它們均被視為是陽離子聚噻吩，因為聚噻吩主鏈上的正電荷至關重要。由於沒有精確確定其確切數目和位置，正電荷不以化學式說明。然而正電荷的數目至少為1並且至多為n，n為聚噻吩內重複單元(相同或不同)的總數。
為了均衡正電荷，如果這未曾由於任選的磺酸酯或羧酸酯取代並由此使R帶有負電荷而發生，則陽離子聚噻吩需要陰離子作為抗衡離子。
抗衡離子可為單體或聚合陰離子，後者此後還稱為聚陰離子。
用於固體電解質的聚合陰離子例如可以為下列物質的陰離子：聚合羧酸，例如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚馬來酸或聚磺酸，例如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯基磺酸。這些聚羧酸和磺酸還可以為乙烯基羧酸和乙烯磺酸與其他可聚合單體(例如丙烯酸酯和苯乙烯)的共聚物。
優選地，使用單體離子用於固體電解質，因為其能更好地穿過氧化的電極體。
合適的單體陰離子包括例如：C1 －C2 0 烷磺酸，例如甲烷、乙烷、丙烷、丁烷或更高級磺酸，例如十二烷磺酸；脂族全氟磺酸，例如三氟甲磺酸、全氟丁磺酸或全氟辛磺酸；脂族C1 －C2 0 羧酸，例如2－乙基己基羧酸；脂族全氟羧酸，例如三氟乙酸或全氟辛酸；任選被C1 －C2 0 烷基取代的芳族磺酸，例如苯磺酸、鄰甲苯磺酸、對甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸；以及環烷磺酸，例如樟腦磺酸或四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、高氯酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸鹽或六氯銻酸鹽的陰離子。
優選對甲苯磺酸、甲磺酸或樟腦磺酸的陰離子。
含有作為用於電荷補償的抗衡離子的陰離子的陽離子聚噻吩通常已知為聚噻吩/(聚)陰離子絡合物。
除導電聚合物和任選的抗衡離子外，固體電解質可含有黏合劑、交聯劑、表面活性物質，例如離子或非離子表面活性劑或黏合劑和/或其他添加劑。
黏合劑例如為有機官能矽烷及其水解產物，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷或辛基三乙氧基矽烷。
固體電解質優選包括導電聚合物和作為所述抗衡離子的單體陰離子。
固體電解質優選在電介質表面形成厚度小於200 nm，特別優選小於100 nm，更優選小於50 nm的層。
用固體電解質覆蓋電介質可如下確定：在乾燥和潮濕狀態下在120 Hz測定電容器的電容。覆蓋程度為乾燥狀態下電容與潮濕狀態下電容的比值，以百分數表示。乾燥狀態表示電容器在測量之前已經在高溫下(80－120℃)乾燥幾個小時。潮濕狀態表示電容器已經在高壓下在飽和環境濕度下暴露幾個小時，例如在蒸汽壓容器中。水分穿入沒有被固體電解質覆蓋的孔中並作為其中的液態電介質。
固體電解質對電介質的覆蓋率優選大於50%，特別優選大於70%，更優選大於80%。
如圖所示並且通過圖1和圖2中的實例所示，聚合物外層優選位於電容器主體的所有外部表面或其部分表面上。外部表面指的是電容器主體的外面。
圖1是顯示在鉭電容器的實施例中固體電解電容器結構的示意圖，包括：1 電容器主體5 聚合物外層6 石墨/銀層7 與電極體2接觸的導線8 外部接頭9 封裝10 詳圖
圖2顯示圖1的放大詳圖10，其再現了鉭電容器的示意層結構，包括：10 詳圖2 多孔電極體(陽極)3 電介質4 固體電解質(陰極)5 聚合物外層6 石墨/銀層7 固體顆粒
幾何表面積此後指的是電容器主體1的外表面，其由幾何尺寸得到。對於正平行六面體燒結壓製品，幾何表面積相應為：幾何表面積＝2(L*B＋L*H＋B*H)，其中L為主體的長，B為主體的寬，並且H為主體的高，而*表示相乘。僅僅測試了其上放置有聚合物外層的電容器主體1的一部分。
如果在電容器中使用多個電容器主體1，則將各個幾個表面積加合得到總幾何表面積。
對於含有例如纏繞線圈作為多孔電極體的固體電解電容器，展開線圈的尺寸(長、寬)用於測量。
代替含有導電聚合物的固體電解質，固體電解電容器中還可含有包含非聚合導電材料的固體電解質，例如電荷傳輸絡合物，例如TCNQ(7,7,8,8－四氰基－1,4－喹啉並二甲烷)、氧化錳或鹽，例如可以形成離子液體的那些。聚合物外層在該類型的固體電解電容器中還產生更低的殘留電流。
與用於固體電解質中的聚噻吩相同的優選結構特徵適用於位於分散體a)中的具有通式(I)、(II)重複單元或通式(I)和(II)重複單元的導電聚合物顆粒b)的聚噻吩。
聚合或單體陰離子可作為用於聚苯胺和/或具有通式(I)、(II)重複單元或通式(I)和(II)重複單元的上述顆粒b)的聚噻吩的抗衡離子。然而在該層中還可提供另外的抗衡離子。然而聚合陰離子優選用作分散體a)中的抗衡離子。
聚合陰離子例如可為聚合羧酸如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚馬來酸，或聚磺酸如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯基磺酸的陰離子。這些聚羧酸和磺酸還可為乙烯基羧酸和乙烯基磺酸與其他可聚合單體(例如丙烯酸酯和苯乙烯)的共聚物。
聚合羧酸或磺酸的陰離子優選作為上述顆粒b)中的聚合陰離子。
聚苯乙烯磺酸(PSS)的陰離子特別優選作為聚合陰離子。
提供聚合陰離子的聚酸的分子量優選為1,000－2,000,000，特別優選為2,000－500,000。聚酸或其鹼金屬鹽可商業得到，例如聚苯乙烯磺酸或聚丙烯酸等可通過已知方法製備(例如參見Houben Weyl，Prozessen der organischen Chemie，vol.E 20 Markromolekulare Stoffe,第二部分(1987)，p.1141 ff)。
聚合陰離子和導電聚合物可以以0.5：1－50：1，優選1：1－30：1，特別優選2：1－20：1的重量比存在於分散體a)中。假定在聚合期間存在完全轉化，則導電聚合物的重量在此對應於使用的單體的重量部分。
分散體a)還可含有單體陰離子。如以上對於固體電解質所列的同樣優選的陰離子適用於單體陰離子。
分散體a)還可含有其他組分，例如表面活性物質，例如離子和非離子表面活性劑或黏合劑，例如有機官能矽烷或其水解產物，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷或辛基三乙氧基矽烷。
聚合物外層的厚度優選為1－1,000 μm，特別優選為1－100 μm，更特別優選為2－50 μm，甚至更優選為4－20 μm。層厚可在外部表面上進行變化。特別地，在電容器主體邊緣的層厚可以比電容器主體的側部表面上的更厚或更薄。然而優選基本上均勻的層厚。
相對於與黏合劑c)和導電聚合物有關的組成，聚合物外層可具有均勻或不均勻分佈。優選均勻分佈。
聚合物外層可為多層體系組分，其形成所述電容器主體的外層。因此，雖然不應當限制聚合物外層的電學功能，但一個或多個其他功能層(例如黏合層)可位於固體電解質和聚合物外層之間。其他功能層還可位於聚合物外層之上。多個聚合物外層還可位於電容器主體上。
聚合物外層優選直接位於固體電解質上。聚合物外層優選穿過電容器主體的邊緣區域以實現與固體電解質良好的電接觸，並增大與電容器主體的黏合，而不會穿入所有孔隙的整個深度(例如參見圖2)。
在特別優選的實施方式中，通過本發明方法生產的電解電容器含有包含聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)(PEDT)的固體電解質和包含聚苯乙烯磺酸(PSS)和聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)的聚合物外層，後者在文獻中通常還稱為PEDT/PSS或PEDT/PSS。
在特別優選的實施方案中，通過本發明方法生產的電解電容器包括由聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)和單體抗衡離子製成的固體電解質及由PEDT/PSS製成的聚合物外層，黏合劑c)和固體顆粒e)。
還優選的是製備電解電容器的方法，其特徵在於電極材料是電子管金屬(valve metal)或具有與電子管金屬可比的電學性能的化合物。
在本發明範圍內，電子管金屬用來表示其氧化層不會使電流沿著兩個方向同樣流動的金屬。對於陽極施加的電壓，電子管金屬的氧化層阻斷了電流的流動，然而對於陰極施加的電壓，存在可能損壞氧化層的過量電流。電子管金屬包括Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和W，及至少一種這些金屬與其他元素的合金或化合物。已知最典型的電子管金屬為Al、Ta和Nb。具有與電子管金屬可比的電學性能的化合物為具有金屬導電性的那些，其可以被氧化並且其氧化層具有上述性質。例如，NbO具有金屬導電性卻通常不被認為是電子管金屬。然而氧化的NbO層具有典型的電子管金屬氧化性特性，因而NbO或NbO與其他元素的合金或化合物為具有與電子管金屬可比的電學性能的化合物的典型實例。
因此，術語“可氧化金屬”不僅僅用來表示金屬，還用來表示金屬與其他元素的合金或化合物，條件是其具有金屬導電性並可被氧化。
因此，本發明特別優選地涉及製備電解電容器的方法，其特徵在於電子管金屬或具有與電子管金屬可比的電學性能的化合物為鉭、鈮、鋁、鈦、鋯、鉿、釩、至少一種這些金屬與其他元素的合金或化合物、NbO或NbO與其他元素的合金或化合物。
電介質優選由電極材料的氧化物組成。其任選含有其他元素和/或化合物。
除了電介質的種類外，氧化電極體的電容還取決於電介質的表面積和厚度。荷質比為單位重量的氧化電極體可吸收的電荷量的量度。荷質比如下計算：荷質比＝(電容*電壓)/氧化電極體的重量
電容由成品電容器在120 Hz下測量的電容得到，並且電壓為電容器的操作電壓(額定電壓)。氧化電極體的重量僅基於塗有電介質的多孔電極體的重量，而不包括聚合物、觸點和封裝。
通過所述新方法生產的電解電容器優選具有高於10,000μC/g，特別優選高於20,000μC/g，更優選高於30,000μC/g，最優選高於40,000μC/g的荷質比。
通過根據本發明方法生產的固體電解電容器的特徵在於低殘留電流和低等效串聯電阻。由於聚合物外層形成了環繞電容器主體的緻密層並且很好地覆蓋了其邊緣，電容器主體對於機械應力更加堅固。此外，聚合物外層對電容器主體顯示出良好的黏合和高導電性，由此可得到低等效串聯電阻。對於層厚，聚合物外層僅顯示出低程度的不均勻性。因此所述外層不包含可能發生高剩餘電流的任何薄區域。
本發明優選涉及通過所述新方法製備的在100 kHz測量的低於50 mΩ的ESR的電解電容器。通過所述新方法製備的電解電容器的ESR在100 kHz頻率測量時特別優選低於31 mΩ，更優選低於21 mΩ，最優選低於16 mΩ。在電解電容器特別優選的實施方案中，ESR低於11 mΩ。
固體電解電容器的等效串聯電阻與電容器的幾何表面積成反比。因而等效串聯電阻與幾何表面積的乘積提供了與總尺寸無關的變數。
因此，本發明還優選涉及通過所述新方法製備的電解電容器，其中在100 kHz測量時等效串聯電阻與電容器主體的幾何表面積的乘積低於4,000 mΩmm2 。等效串聯電阻與幾何表面積的乘積特別優選低於3,000 mΩmm2 ，更優選低於2,000 mΩmm2 ，最優選低於1,000 mΩmm2 。在電解電容器特別優選的實施方案中，等效串聯電阻與幾何表面積的乘積低於600 mΩmm2 。
根據本發明這種類型的電解電容器可基本如下製備：首先，例如將具有大表面積的電子管金屬粉末壓製和燒結形成多孔電極體。由與粉末相同的金屬(例如鉭)製成的導電接線通常被壓製成電極體。還可蝕刻金屬薄片以得到多孔薄片。
然後通過例如電化學氧化用電介質即氧化層覆蓋電極體。例如通過氧化聚合使形成固體電解質的導電聚合物化學或電化學沉積在電介質上。然後將用於製備導電聚合物的前體、一種或多種氧化劑和任選的抗衡離子同時或連續施加到多孔電極體的電介質上並通過在一定溫度下化學氧化而聚合，或者將用於製備導電聚合物的前體和抗衡離子通過電化學聚合在多孔電極體的電介質上聚合。根據本發明，然後由分散體對電容器主體施加含有至少一種任選取代的聚苯胺和/或具有通式(I)、(II)的重複單元或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩和至少一種黏合劑c)和固體顆粒e)的層。將其他層任選施加到聚合物外層上。具有易於導電的層的塗層，例如石墨和銀，或金屬陰極體用作釋放電流的電極。最後連接電容器並封裝。
用於製備導電聚合物的前體，以下也稱為前體，用於表示相應的單體或其衍生物。還可使用不同前體的混合物。合適單體前體包括例如任選取代的噻吩、吡咯或苯胺，優選任選取代的噻吩，特別優選任選取代的3,4－亞烷基二氧噻吩。
取代的3,4－亞烷基二氧噻吩的實例包括通式(III)、(IV)的化合物或通式(III)和(IV)的噻吩的混合物
其中A表示任選取代的C1 －C5 亞烷基，優選任選取代的C2 －C3 亞烷基，R表示直鏈或支鏈的任選取代的C1 －C1 8 烷基，優選直鏈或支鏈的任選取代的C1 －C1 4 烷基，任選取代的C5 －C1 2 環烷基，任選取代的C6 －C1 4 芳基，任選取代的C7 －C1 8 芳烷基，任選取代的C1 －C4 羥烷基，優選任選取代的C1 －C2 羥烷基，或羥基，x表示0－8的整數，優選0－6的整數，特別優選0或1，和如果多個基團R連接到A上，則其可相同或不同。
更特別優選的單體前體為任選取代的3,4－亞乙基二氧噻吩。
取代的3,4－亞乙基二氧噻吩的實例包括通式(V)化合物
其中R和x具有對於通式(III)和(IV)所給出的含義。
根據本發明，這些單體前體的衍生物應理解為包括例如這些單體前體的二聚體或三聚體。更高分子量的衍生物，例如單體前體的四聚體、五聚體等也可能作為衍生物。
通式(VI)的化合物
為取代3,4－亞烷基二氧噻吩衍生物的實例，其中n表示2－20，優選2－6的整數，特別優選2或3，並且A、R和x具有對於通式(III)和(IV)所給出的含義。
所述衍生物可由相同或不同的單體單元組成，並可以純體形式和以彼此的混合物和/或與單體前體的混合物的形式使用。如果在其聚合反應期間產生與上述前體相同的導電聚合物，則這些前體的氧化或還原形式也由在本發明範圍內的術語“前體”覆蓋。
在本發明範圍內的C1 －C5 亞烷基A為亞甲基、亞乙基、亞正丙基、亞正丁基或亞正戊基。在本發明範圍內的C1 －C1 8 烷基表示直鏈或支鏈C1 －C1 8 烷基，例如甲基、乙基、正或異丙基、正、異、仲或叔丁基、正戊基、1－甲基丁基、2－甲基丁基、3－甲基丁基、1－乙基丙基、1,1－二甲基丙基、1,2－二甲基丙基、2,2－二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2－乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C5 －C1 2 環烷基R表示例如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基或環癸基，C5 －C1 4 芳基R表示例如苯基或萘基，並且C7 －C1 8 芳烷基表示例如苄基、鄰、間、對甲苯基、2,3－、2,4－、2,5－、2,6－、3,4－、3,5－二甲苯基或2,4,6－三甲苯基。通過舉例的方式使用以上所列用於舉例說明本發明並且不應被理解為是窮盡性的。
可用多種有機基團取代基團R和A，所述有機基團為例如烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、鹵素、醚、硫醚、二硫化物、亞碸、碸、磺酸鹽、胺基、醛、酮、羧酸酯、羧酸、碳酸酯、羧化物、氰基、烷基矽烷和烷氧基矽烷基團和羧基醯胺基團。
通式(III)和(IV)中所述取代基R可以考慮作為用於上述前體的取代基，特別是用於噻吩，優選用於3,4－亞烷基二氧噻吩。
例如，上述基團A和R和/或用於基團A和R的其他取代基可考慮作為用於吡咯和苯胺的取代基。
用於製備生產導電聚合物及其衍生物的單體前體的方法為本領域技術人員所公知，並例如描述在L.Groenendaal,F.Jonas,D.Freitag,H.Pielartzik & J.R.Reynolds,Adv.Mater.12(2000)481－494及其引用文獻中。
製備待使用的聚噻吩所要求的式(III)的3,4－亞烷基氧噻吩對本領域技術人員是已知的，或可通過已知方法進行製備(如根據P.Blanchard，A.Cappon，E.Levillain，Y.Nicolas，P.Frre和J.Roncali，Org.Lett.4(4)，2002，pp.607－609)。
導電聚合物優選通過用於生產導電聚合物的前體的氧化聚合在覆蓋有電介質的電極體上製備，為此將所述前體、氧化劑和任選的抗衡離子優選以溶液形式分別或連續或同時施加到電極體的電介質上，並且根據所用氧化劑的活性，任選通過加熱塗層完成氧化聚合。
對電極體電介質進行的施加可直接進行或使用黏合劑，例如矽烷，如有機官能矽烷或其水解產物，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷或辛基三乙氧基矽烷，和/或一種或多種不同的官能層。
根據所用的氧化劑和希望的反應時間，式(III)或(IV)的噻吩的化學氧化聚合通常在－10℃至250℃進行，優選在0℃至200℃的溫度下進行。
作為用於製備導電聚合物的前體和/或氧化劑和/或抗衡離子的溶劑，可以主要提及的是在反應條件下呈惰性的以下有機溶劑：脂族醇，例如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇；脂族酮，例如丙酮和甲乙酮；脂族羧酸酯，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯；芳族烴，例如甲苯和二甲苯；脂族烴，例如己烷、庚烷和環己烷；氯代烴，例如二氯甲烷和二氯乙烷；脂族腈，例如乙腈；脂族亞碸和碸，例如二甲基亞碸和環丁碸；脂族羧酸醯胺，例如甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺和二甲基甲醯胺；脂族醚和芳脂族醚，例如二***和苯甲醚。水或水與上述有機溶劑的混合物還可用作溶劑。
適於噻吩、苯胺或吡咯氧化聚合並且為本領域技術人員所熟知的任何金屬鹽都可用作氧化劑。
合適的金屬鹽包括元素週期表中的主族金屬和副族金屬鹽，副族金屬鹽此後還稱為過渡金屬鹽。合適的過渡金屬鹽特別包括無機或有機酸的鹽，或包括有機基團的過渡金屬，例如鐵(III)、銅(II)、鉻(VI)、鈰(IV)、錳(IV)、錳(VII)和釕(III)的無機酸。
優選的過渡金屬鹽包括鐵(III)鹽。常規的鐵(III)鹽價格便宜、易於得到並且易於處理，例如無機酸的鐵(III)鹽，如鹵化鐵(III)(如FeCl3 )，或其他無機酸的鐵(III)鹽，如Fe(ClO4 )3 或Fe2 (SO4 )3 ，以及有機酸和包括有機基團的無機酸的鐵(III)鹽。
作為包括有機基團的無機酸的鐵(III)鹽的實例可提及硫酸單C1 －C2 0 烷醇酯的鐵(III)鹽，例如硫酸月桂基酯的鐵(III)鹽。
特別優選的過渡金屬鹽包括有機酸鹽，特別是有機酸的鐵(III)鹽。
有機酸的鐵(III)鹽的實例包括C1 －C2 0 烷磺酸的鐵(III)鹽，例如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸或高級磺酸例如十二烷磺酸的鐵(III)鹽；脂族全氟磺酸的鐵(III)鹽，例如三氟甲磺酸、全氟丁磺酸或全氟辛磺酸的鐵(III)鹽；脂族C1 －C2 0 羧酸的鐵(III)鹽，例如2－乙基己基羧酸的鐵(III)鹽；脂族全氟羧酸的鐵(III)鹽，例如三氟乙酸或全氟辛酸的鐵(III)鹽；及任選被C1 －C2 0 烷基取代的芳磺酸的鐵(III)鹽，例如苯磺酸、鄰甲苯磺酸、對甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸的鐵(III)鹽；以及環烷磺酸的鐵(III)鹽，例如樟腦磺酸的鐵(III)鹽。還可使用上述有機酸的鐵(III)鹽的任何混合物。
有機酸的鐵(III)鹽和包括有機基團的無機酸的鐵(III)鹽的使用具有其不被腐蝕的優點。
更特別優選對甲苯磺酸鐵(III)、鄰甲苯磺酸鐵(III)或對甲苯磺酸鐵(III)和鄰甲苯磺酸鐵(III)的混合物作為所述金屬鹽。
過氧化合物，例如過氧硫酸氫鹽(過硫酸鹽)，特別是過氧硫酸氫銨和過氧硫酸氫鹼金屬，例如過氧硫酸氫鈉和過氧硫酸氫鉀，或鹼金屬過硼酸鹽－－任選在催化量的金屬離子的存在下，金屬離子例如鐵、鈷、鎳、鉬或釩離子－－和過渡金屬氧化物，例如二氧化錳(氧化錳(IV))或氧化鈰(IV)也是合適的氧化劑。
理論上，為了通式(III)或(IV)的噻吩的氧化聚合，每摩爾噻吩需要2.25當量的氧化劑(例如參見J.Polym.Sc.Part.A Polymer Chemistry vol.26,p.1287(1988))。然而，還可使用更低或更高當量的氧化劑。根據本發明，對於每摩爾噻吩使用1當量或更多，特別優選2當量或更多的氧化劑。
對於分別施加前體、氧化劑和任選的抗衡離子，電極體的電介質優選初始用氧化劑和任選的抗衡離子的溶液進行塗布，然後用前體溶液進行塗布。對於優選的聯合施加前體、氧化劑和任選的抗衡離子，電極體的電介質僅僅用一種溶液進行塗布，即含有前體、氧化劑和任選的抗衡離子的溶液。
也可將其他組分加入到溶液中，例如溶於有機溶劑中的一種或多種有機黏合劑，例如聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚醚、聚酯、矽氧烷、苯乙烯/丙烯酸酯、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯和乙烯/乙酸乙烯酯共聚物，或水溶性黏合劑，例如聚乙烯醇；交聯劑例如三聚氰胺化合物、封端異氰酸酯、官能矽烷－－例如四乙氧基矽烷、烷氧基矽烷水解產物，例如基於四乙氧基矽烷，環氧矽烷，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷－－聚胺酯、聚丙烯酸酯或聚烯烴分散體，和/或添加劑，例如表面活性物質，例如離子或非離子表面活性劑，或黏合劑，例如有機官能矽烷或其水解產物，例如3－環氧丙氧基丙基三烷氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷。
施加到電極體的電介質上的溶液優選含有1－30重量%通式(III)的噻吩或通式(III)和(IV)的噻吩混合物，和0－50重量%黏合劑、交聯劑和/或添加劑，所有重量百分數均基於混合物的總重量。
可通過已知方法將溶液施加到電極體的電介質上，例如通過浸漬、澆注、滴加施塗、注入、噴塗、刮塗、刷塗、旋塗，或印刷，例如噴墨、絲網印刷、接觸印刷或壓印。
施加溶液後可通過在環境溫度下簡單蒸發而除去溶劑。然而，為了達到更高的處理速度，更有利的是在高溫下除去溶劑，例如在20－300℃的溫度，優選40－250℃的溫度下除去溶劑。加熱後處理可在除去溶劑後直接進行，或者還可在塗布完成一段時間後進行。
根據塗布時使用的聚合物的種類，熱處理的持續時間為5秒鐘至幾個小時。熱處理時還可使用具有不同溫度和駐留時間的溫度曲線。
例如，熱處理可以以這樣的方式進行使得塗布的氧化電極體以一定速度通過處於所需溫度的加熱室，以在選定溫度達到所需駐留時間，或者使之與處於所需溫度的加熱板接觸所需駐留時間。例如，加熱處理還可以在加熱爐或分別具有不同溫度的多個加熱爐中進行。
在除去溶劑(乾燥)並任選進行加熱後處理後，可以有利地使用合適的溶劑從所述塗層中洗去過量的氧化劑和殘留的鹽，溶劑優選水或醇。此處殘留的鹽指的是所述還原劑的還原形式的鹽和任選存在的其他鹽。
對於金屬氧化物電介質，例如電子管金屬的氧化物，在聚合之後並優選在洗滌期間或洗滌之後，可以有利地電化學模擬氧化物膜以修飾氧化物膜中可能存在的缺陷，並隨後降低成品電容器的剩餘電流。在該重整期間，將電容器主體浸入到電介質中並向電極主體施加正電壓。流動電流模擬氧化物膜中缺陷點的氧化，並且破壞流過高電流的缺陷之處的導電聚合物。
取決於氧化電極體的種類，優選在洗滌過程之後，用混合物浸漬氧化電極體更多次以產生更厚的聚合物層是有利的。
固體電解質的聚噻吩同樣可通過電化學氧化聚合由前體製備。
在電化學聚合期間，塗有電介質的電極體可首先塗布有導電聚合物的薄層。向該層施加電壓後，含有所述導電聚合物的層在其上生長。其他導電層也可用作沉積層。因此，Y.Kudoh等人在Journal of Power Sources 60(1996)157－163中描述了氧化錳沉積層的使用。
前體的電化學氧化聚合可在－78℃至所用溶劑沸點的溫度進行。電化學聚合優選在－78℃至250℃，特別優選在－20℃至60℃的溫度進行。
取決於使用的前體、使用的電介質、選定的溫度和施加的電流密度，反應時間為1分鐘－24小時。
如果前體為液體，則電聚合可在電聚合條件下呈惰性的溶劑的存在或不存在下進行。固體前體的電聚合在電化學聚合條件下呈惰性的溶劑的存在下進行。在某些情況下，使用溶劑混合物和/或向溶劑中加入增溶劑(洗滌劑)是有利的。
在電聚合條件下呈惰性的溶劑的實例包括：水；醇，例如甲醇和乙醇；酮，例如丙酮；鹵代烴，例如二氯甲烷、氯仿、四氯化碳和氟代烴；酯，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯；碳酸酯，例如碳酸丙烯酯；芳族烴，例如苯、甲苯、二甲苯；脂族烴，例如戊烷、己烷、庚烷和環己烷；腈，例如乙腈和苄腈；亞碸，例如二甲基亞碸；碸，例如二甲基碸、苯基甲基碸和環丁碸；液態脂族醯胺，例如甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、吡咯烷酮、N－甲基吡咯烷酮、N－甲基己內醯胺；脂族和混合脂族－芳族醚，例如二***和苯甲醚；液態脲，例如四甲基脲或N,N－二甲基咪唑啉酮。
為了進行電聚合，將電介質添加劑加入到前體或其溶液中。在所用溶劑中具有一定溶解性的游離酸或常規載體電介質優選用作電介質添加劑。已經證明以下為電介質添加劑：游離酸，例如對甲苯磺酸、甲磺酸和與烷磺酸鹽、芳族磺酸鹽、四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、高氯酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸鹽及六氟銻酸鹽陰離子的鹽和鹼金屬、鹼土金屬或任選烷基化的銨、鏻、鋶和氧鎓陽離子。
前體的濃度可為0.01－100重量%(100重量%指的是僅僅含有前體)，所述濃度優選為0.1－20重量%。
電聚合可間斷或連續進行。
用於電聚合的電流密度可在較寬範圍內變化；通常使用0.0001－100 mA/cm3 的電流密度，優選為0.01－40 mA/cm3 。由這些電流密度得到約0.1－50 V的電壓。
對於金屬氧化物電介質來說，在電化學聚合之後，電化學模擬氧化物膜以修飾氧化物膜中可能存在的缺陷，並隨後降低成品電容器的剩餘電流(重整)是有利的。
在此之前已經提到的單體或聚合陰離子適於作為抗衡離子，優選單體或聚合烷磺酸或環烷磺酸或芳族磺酸的陰離子。單體烷磺酸或環烷磺酸或芳族磺酸的陰離子特別優選用於根據本發明的電解電容器中，這是因為含有它們的溶液更能夠滲透進入塗有電介質的多孔電極材料中，由此可在電介質和固體電解質之間形成更大的接觸面積。將抗衡離子例如以其鹼金屬鹽或其游離酸的形式加入到所述溶液中。在電化學聚合期間，將這些抗衡離子任選作為電解質添加劑或載體電解質加入到所述溶液或所述噻吩中。
此外，所用氧化劑的任選存在的陰離子可用作抗衡離子，因此在化學氧化聚合的情況中不再必須加入其他的抗衡離子。
製備了固體電解質之後，如上述施加聚合物外層。
黏合劑的加入具有很大的優點，其可以增加聚合物外層與電容器主體之間的黏合。黏合劑還可黏結在聚合物外膜中的固體顆粒。0.7－20 μm的固體顆粒能夠使分散體以適當的外層完全覆蓋甚至邊緣和角落。
分散體a)還可含有交聯劑、表面活性物質，例如離子或非離子表面活性劑或黏合劑和/或添加劑。可使用上述對於固體電解質的交聯劑、表面添加劑物質和/或黏合劑。
分散體a)優選含有增加導電性的其他添加劑，例如含醚基團的化合物，例如四氫呋喃，含內酯基團的化合物，例如γ－丁內酯、γ－戊內酯，含醯胺或內醯胺基團的化合物，例如己內醯胺、N－甲基己內醯胺、N,N－二甲基乙醯胺、N－甲基乙醯胺、N,N－二甲基甲醯胺(DMF)、N－甲基甲醯胺、N－甲基甲醯苯胺、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、N－辛基吡咯烷酮、吡咯烷酮，碸和亞碸，例如環丁碸(四亞甲基碸)、二甲基亞碸(DMSO)，糖或糖衍生物，例如蔗糖、葡萄糖、果糖、乳糖，糖醇，例如山梨糖醇、甘露糖醇，呋喃衍生物，例如2－呋喃羧酸、3－呋喃羧酸，和/或二或多元醇，例如乙二醇、甘油、二或三乙二醇。特別優選使用四氫呋喃、N－甲基甲醯胺、N－甲基吡咯烷酮、乙二醇、二甲基亞碸或山梨糖醇作為增大導電性的添加劑。
分散體a)可具有1－14的pH，優選1－8的pH。對於腐蝕敏感的電介質，例如氧化鋁，優選pH為4－8的分散體，從而不會損壞電介質。
分散體優選是觸變的，以促進電容器主體良好的邊緣和角落覆蓋。
分散體由任選取代的苯胺、通式(III)、(IV)的噻吩或通式(III)和(IV)的噻吩的混合物所製備，例如與EP－A 440 957中描述的條件類似。可以使用以上列出的氧化劑和溶劑。例如可通過高壓勻化調節顆粒b)的直徑分佈。
製備聚苯胺/聚陰離子或聚噻吩/聚陰離子絡合物並隨後分散或再分散在一種或多種溶劑中也是可能的。
將分散體通過已知方法施加到電容器主體上，例如通過旋塗、浸漬、澆注、滴加施塗、注入、噴塗、刮塗、刷塗或印刷，例如噴墨印刷、絲網印刷或壓印。
取決於施塗的類型，分散體a)的黏度可為0.1－100,000 mPa．s(在100 s－ 1 的剪切速率下測量)。該黏度優選為1－10,000 mPa．s，特別優選10－1,500 mPa．s，更特別優選100－1,000 mPa．s。
當通過浸漬將分散體a)施加到電容器主體時，在浸漬之前使具有更高黏度的薄膜形成在分散體a)的表面上是有利的。如果將電容器主體隨後在一個或多個浸漬和乾燥迴圈中連續更深地浸漬到這種分散體a)中，則更加改善了對電容器主體邊緣和角落的覆蓋並防止了在乾燥聚合物膜中的起泡。因此，電容器主體可例如在第一步中僅以一半深度浸漬在分散體a)中並然後乾燥。在第二浸漬步驟中，電容器主體則可完全浸漬在分散體a)中並隨後乾燥。例如通過使其簡單地放置在開放空氣中，可以在分散體a)表面形成具有更高黏度的薄膜。可以通過例如加熱分散體a)或用熱空氣或熱輻射加熱分散體表面來加速膜的形成。
優選使用在乾燥狀態下具有高於1 S/cm，特別優選高於10 S/cm，更優選高於20 S/cm，和最優選高於50 S/cm的比電導率的分散體a)。
如以上對於生產固體電解質已經描述過的，通過洗滌、重整和重複施塗進行的層的乾燥、清潔也可用於施塗聚合物外層。在乾燥過程的情形中，優選除去分散劑d)。然而，還可能有至少一部分分散劑d)殘留在聚合物外層中。取決於使用的所述分散劑c)或交聯劑，還可使用其他處理步驟，例如通過加熱或光照的固化或交聯。也可將其他層施加到聚合物外層上。
對於金屬氧化物電介質，已驚奇地發現，為了製備具有低ESR和低殘留電流的固體電解電容器，在施塗和乾燥分散體a)後不需要對所屬層進行另外的處理步驟。在製備聚合物外層的其他方法中，施加導電聚合物外層後通常必須重整氧化層以獲得低殘留電流。由於在電解質中的該重整的結果，聚合物外層可能在某些點從電容器主體分離，由此增大了ESR。當使用根據本發明的方法時，可以不使用重整步驟，從而不會增加殘留電流。
優選地，一旦製得了聚合物外層，可將任何其他已存在的導電層，例如石墨和/或銀層施加到電容器上，將電容器連接並封裝。
以上對於電解電容器所列的電子管金屬或具有可比的電學性質的化合物優選用於製備電極體。因此優選範圍也適用。
例如，將可氧化金屬以粉末形式燒結以形成多孔電極體，或將多孔結構壓緊在金屬主體上。例如，這可通過蝕刻薄片來進行。
例如，多孔電極體通過施加電壓在合適的電解質如磷酸中進行氧化。該形成電壓的水平取決於所得的氧化層的厚度或電容器的隨後施加電壓。優選電壓為1－300 V，特別優選為1－80 V。
優選地，將荷質比高於35,000 μC/g，特別優選荷質比高於45,000 μC/g，更優選荷質比高於65,000 μC/g，最優選荷質比高於95,000μC/g的金屬粉末用於製備電極體。在根據本發明的優選實施方案中，使用荷質比高於140,000 μC/g的金屬粉末。
荷質比如下計算：荷質比＝(電容*電壓)/氧化電極體的重量
此處的電容由氧化電極體的電容在120 Hz在含水電解質中測量得到。這裏電解質的導電性足夠大，以使得在120 Hz時沒有因為電解質的電阻而出現電容下降。例如使用18%硫酸水溶液電解質進行測量。上式中的電壓對應於最大形成電壓(氧化電壓)。
特別地可簡單地使用根據本發明的方法製備具有緻密聚合物外層並具有良好邊緣覆蓋和黏合的固體電解電容器。所述電容器的特徵還在於低殘留電流和低ESR。
由於其低殘留電流和低ESR，根據本發明製備的電解電容器顯著地適用於作電路中的元件。本發明還涉及這種電容器的用途。優選例如用於電腦(臺式電腦、膝式電腦、伺服器)，攜帶型電子設備，例如移動電話和數碼相機，電子娛樂設備，例如CD/DVD播放機和電腦遊戲控制臺，導航系統和通訊設備中的該類型數位電路。
實施例 實施例1：本發明分散體的製備 1.1導電顆粒b)的製備
將868 g去離子水、330 g平均分子量為70,000並且固體含量為3.8重量%的聚苯乙烯磺酸水溶液放置於帶有攪拌器和內部溫度計的21三頸燒瓶中。維持反應溫度為20－25℃。
在攪拌的同時加入5.1 g 3,4－亞乙基二氧噻吩。將溶液攪拌30分鐘。然後加入0.03 g硫酸鐵(III)和9.5 g過硫酸鈉，並將所得溶液另外攪拌24小時。
一旦所述反應結束後，加入100 ml強酸陽離子交換劑和250 ml弱鹼陰離子交換劑以除去無機鹽，並將溶液另外攪拌2小時。濾出離子交換劑。
所得聚(3,4－亞乙基二氧噻吩)苯乙烯磺酸鹽分散體具有1.2重量%的固體含量和下列粒徑分佈：d10 100 nm d50 141 nm d90 210 nm
導電聚合物顆粒b)的直徑分佈與分散體中顆粒b)的質量分佈有關並為顆粒直徑的函數。使用超速離心機測量確定所述直徑。
1.2固體顆粒e)的製備(PEDT－甲苯磺酸鹽粉末)
將2.5 l軟化水置於帶有攪拌器和溫度計的5 l玻璃反應器中。在攪拌的同時加入214.2 g對甲苯磺酸單水合物和2.25 g硫酸鐵(III)七水合物。一旦全部混合物已經溶解，加入85.8 g 3,4－亞乙基二氧噻吩並繼續攪拌30分鐘。然後在攪拌的同時加入192.9 g過氧硫酸鈉，並將混合物在環境溫度下另外攪拌24小時。反應結束後，在瓷吸濾器上濾出PEDT/甲苯磺酸鹽粉末，用3升軟化水洗滌並在100℃最終乾燥6小時。得到89克藍黑色PEDT甲苯磺酸鹽粉末。
1.3本發明分散體a)的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將170 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、15 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後將6 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1 mm)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有7.0%的固體含量。
實施例2：電容器的製備 2.1氧化電容器的製備
將比電容為50,000 μFV/g的鉭粉壓成顆粒，包括鉭絲7，並燒結形成尺寸為4.2 mm×3 mm×1.6 mm的多孔電極體2。將電極體2在磷酸電解質中陽極氧化到30 V。
2.2電極體的化學原位塗布
製備由1重量份3,4－亞乙基二氧塞吩(BAYTRONM,H.C.Starck GmBH)和20重量份對甲苯磺酸鐵(III)(BAYTRONC－E,H.C.Starck GmBH)的40重量%乙醇溶液組成的溶液。
使用所述溶液浸漬9個陽極氧化的電極體2。將電極體2浸漬在該溶液中並隨後在環境溫度(20℃)下乾燥30分鐘。然後在乾燥烘箱中在50℃加熱處理30分鐘。然後將所述電極體用2重量%的對甲苯酸水溶液洗滌30分鐘。將所述電極體在0.25重量%的對甲苯磺酸水溶液中重整30分鐘，然後在去離子水中漂洗並乾燥。所述浸漬、乾燥、加熱處理和重整使用相同電極體重複另外兩次。
2.3聚合物外層的製備
然後將9個已經原位塗布的電極體一次浸漬在根據本發明實施例1.3的分散體中並隨後在120℃下乾燥10分鐘。
在施加聚合物外層5後，在光學顯微鏡下觀察下電極體：電極體的全部外表面覆蓋有緻密的聚合物膜。角落和邊緣也顯示出連續的聚合物膜塗層。聚合物外膜的厚度為約40 μm。
然後用石墨和銀層塗布所述電極體。
對比例1 非本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將170 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、15 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。
電容器的製備
類似於實施例2.1和2.2製備氧化電極體並原位塗布。將9個電極體一次浸漬在得自對比例1的分散體中並隨後在120℃下乾燥10分鐘。
在施加聚合物外層5後，在光學顯微鏡下觀察電極體：包括聚合物外層5的電極體特別在陽極的角落和邊緣沒有顯示出聚合物膜。
然後用石墨和銀層塗布所述電極體。
得自實施例2和對比例1的9個電容器每個具有平均的以下殘留電流：
施加10 V電壓後，使用Keithley 199萬用表測量殘留電流3分鐘。
由於用聚合物外層5改善了塗布，使用含有固體顆粒e)的分散體，由本發明方法製備的電容器顯示出明顯更低的殘留電流。在使用不含固體顆粒e)的分散體的非本發明方法中，石墨和銀層與所述電介質直接接觸，由此產生高殘留電流。
實施例3：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後將2 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後，用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有4.7%的固體含量。
通過鐳射衍射(MS 2000 Hydro S)確定在分散體中的固體顆粒的分佈。得到以下的直徑分佈值：d1 0 ：1.5 μm d5 0 ：3.0 μm(平均直徑)d9 0 ：6.6 μm
實施例4：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後加入2 g沉澱二氧化矽(Acematt OK 607，Degussa，平均粒徑4.5 μm)，並在冷卻下使用溶解器(圓盤直徑6 cm，5000 rpm)將所得混合物攪拌1小時。所得分散體具有4.2%的固體含量。
實施例5：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後加入2 g焦化二氧化矽(Acematt TS 100，Degussa，平均粒徑10 μm)，然後在冷卻下使用溶解器(圓盤直徑6 cm，5000 rpm)將所得混合物攪拌1小時。所得分散體具有4.3%的固體含量。
封比例2：
在帶有攪拌器的燒林中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(SilqueSt A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後加入2 g焦化二氧化矽(Acematt TS 100，Degussa，平均粒徑4.012 μm)，並在冷卻下使用溶解器(圓盤直徑6cm，5000 rpm)將所得混合物攪拌1小時。所得分散體具有4.2%的固體含量。
類似於實施例2.1和2.2製備氧化電極體並原位塗布。將全部9個電極體一次浸漬在得自實施例3、4和5及封比例2的分散體中並隨後在120℃下乾燥10分鐘。
在施加聚合物外層5後，使用光學顯微鏡下觀察電極體，並視覺評價具有聚合物外層5的塗層。
然後用石墨和銀層塗布所述電極體。
施加10 V電壓後使用Keithley 199萬用表測量殘留電流3分鐘。使用LCR計(Agilent 4284A)在100 kHz下測量等效串聯電阻(ESR)。
通過本發明方法(實施3、4和5)製備的電容器顯示出100%的外部聚合物膜覆蓋率和低殘留電流。由其製備聚合物外膜的分散體中非常細的固體顆粒不會產生良好的覆蓋率(對比例2)。特別地，在此情況下，電極體的角落和邊緣露出，產生高殘留電流。
實施例6：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將182.2 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、1.1 g二甲基乙醇胺(水中50%溶液)、6.4 g Novolak環氧樹脂(EPI－REZ 6006 W－70，Resolution)、10 g乙二醇、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Surfynol E－104,Air Products)強烈混合1小時。然後將4 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有4.8%的固體含量。
對比例3：非本發明分散體的製備
類似於實施例6製備分散體，但是不加入和分散PEDT/甲苯磺酸鹽粉末。
實施例7：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將161.1 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、30 g全氟磺酸/四氟乙烯共聚物(Liquion 1115，Ion Power)、8 g二甲基亞碸和0.4 g潤濕劑(Zonyl FS－300，DuPont)強烈混合1小時。然後將5 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有5.8%的固體含量。
對比例4：非本發明分散體的製備
類似於實施例7製備分散體，但是不加入和分散PEDT/甲苯磺酸酯粉末。
實施例8：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將186.6 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、1.1 g二甲基乙醇胺(水中50%溶液)、5.0 g酚醛樹脂水分散體(Phenodur VPW 1942,Cytec Industries)、8 g二甲基亞碸和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後將5 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.1製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有5.5%的固體含量和pH為6.8。
對比例5：非本發明分散體的製備
類似於實施例8製備分散體，但是不加入和分散PEDT/甲苯磺酸鹽粉末。
實施例9：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將183 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、8.6 g丙烯酸酯共聚物水分散體(Carbopol Aqua 30,Noveon)、8 g乙二醇和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後將5 gPEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。所述分散體具有5.0%的固體含量。
對比例6：非本發明分散體的製備
類似於實施例9製備分散體，但是不加入和分散PEDT/甲苯磺酸鹽粉末。
類似於實施例2.1和2.2製備氧化電極體並原位塗布。隨後在每種情況下，將電極體一次浸漬在得自實施例6－9或得自對比例3－6的分散體中並隨後在120℃下乾燥10分鐘。
在施加聚合物外層5後，在光學顯微鏡下觀察電極體，並視覺評價被聚合物外層覆蓋的覆蓋率。
施加到電極體後，根據本發明實施例6－9的製劑全部形成覆蓋100%電極體的聚合物外層。用非本發明對比例3－6製備的製劑(其中不含有任何固體顆粒e)塗布後，電極體露出邊緣和角落。
實施例10：本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後將2 g PEDT/甲苯磺酸鹽粉末(根據實施例1.2製備)用球磨溶解單元分散。為此目的，加入300 g氧化鋯珠粒(Φ1毫米)並將混合物在7000 rpm下攪拌1小時，同時用水冷卻。最後用0.8 μm篩網分離研磨的珠粒。然後通過真空蒸發水分調節黏度為390 mPas，該黏度是使用Haake Rotovisco 1在100 Hz下測量的。
對比例7：非本發明分散體的製備
在帶有攪拌器的燒杯中，將180 g根據實施例1.1製備的PEDT/PSS分散體、10 g磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8 g二甲基亞碸、1 g 3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A－187，OSi Specialities)和0.4 g潤濕劑(Dynol 604，Air Products)強烈混合1小時。然後通過真空蒸發水分調節黏度為360 mPas，該黏度是使用Haake Rotovisco 1在100 Hz下測量的。
隨後將由尺寸為4毫米×4毫米×1毫米的糙面和氧化鋁箔組成的鋁製氧化電極體浸漬在根據本發明實施例10的分散體中，或者浸漬在非本發明的對比例7的分散體中，隨後在120℃下乾燥10分鐘，然後再次浸漬和乾燥。在施加聚合物外層5後，在光學顯微鏡下觀察電極體，並視覺評價被聚合物外層5覆蓋的覆蓋率：塗有得自實施例10分散體的電極體顯示出對所有邊緣的完全覆蓋。用對比例7分散體塗布的電極體在邊緣沒有任何聚合物膜。因此根據本發明的分散體允許甚至更加尖銳的邊緣，例如由薄片製成的電極體，被高度有效地覆蓋。
類似於實施例2.1和2.2製備氧化電極體並原位塗布。隨後在每種情況下，將電極體一次浸漬在得自實施例10或得自對比例7的分散體中並隨後在120℃下乾燥10分鐘。在施加聚合物外層5後，在光學顯微鏡下觀察電極體，並視覺評價被聚合物外層5覆蓋的覆蓋率：塗有得自實施例10分散體的電極體的特徵在於均勻的聚合物外層。塗有得自對比例7分散體的電極體在聚合物外膜中顯示出凹坑和裂縫。根據本發明的分散體容許高黏度用於塗布目的，而不會由此形成裂縫或凹坑。
實施例11：鋁電容器的製備
製備由1重量份3,4－亞乙基二氧噻吩(BAYTRONM,H.C.Starck GmBH)和20重量份對甲苯磺酸鐵(III)(BAYTRONC－E,H.C.Starck GmBH)的40重量%乙醇溶液組成的溶液。使用所述溶液浸漬12個由尺寸為4毫米*4毫米*1毫米的蝕刻和陽極氧化鋁箔製成的氧化電極體。氧化電極體浸漬在該溶液中並在環境溫度(20℃)下乾燥30分鐘。然後在乾燥烘箱中在50℃下加熱處理30分鐘。隨後將所述電極體在水中清洗30分鐘並然後乾燥。
製備根據實施例10的分散體。通過加入三甲基乙醇胺將所述分散體的pH調解到6.7。將所述電極體浸漬在所述分散體中，然後在120℃下乾燥10分鐘，然後再次浸漬和再次乾燥。然後用石墨和銀層塗布所述電極體。
12個鋁電容器具有以下的平均電學值：電容：3.5μF ESR：73 mΩ 殘留電流：7μA
施加6 V電壓後使用Keithley 199萬用表測量殘留電流3分鐘。在120 Hz下確定電容，並使用LCR計(Agilent 4284 A)在100 kHz下確定等效串聯電阻(ESR)。
實施例12：聚合物外層平均不均勻性的測量
類似於實施例2.1和2.2製備氧化電極體並原位塗布。隨後將部分電極體一次浸漬在得自實施例10的分散體中並隨後在120℃乾燥10分鐘。
使用Tencor Alpha Step 500 Surface Profiler確定塗布電極體的平均不均勻性。對於僅僅原位塗布的那些電極體，其為0.4 μm。對於另外使用本發明分散體塗布的那些電極體，平均不均勻性為0.5 μm。雖然根據本發明的分散體含有固體顆粒e)，但並沒有顯著增大電極體的不均勻性。導電聚合物顆粒b)填充固體顆粒之間的縫隙並因此使得聚合物外膜更加平滑。
實施例13：導電層的製備
由得自實施例1.3和實施例10的分散體製備導電層。為此目的，使用旋塗機(Chemat Technology KW－4A)以1000 rpm旋轉5秒鐘將部分分散體旋塗在玻璃載物台(26毫米×26毫米×1毫米)上。樣品在120℃下乾燥10分鐘。然後，將載物台兩個相對的邊用導電銀塗布。導電銀乾燥後，連接兩條銀帶並使用Keithley 199萬用表確定表面電阻。使用Tencor Alpha Step 500 Surface Profiler確定層厚。由表面電阻和層厚確定特定比電導率。
得到以下的層厚和比電導率值：
對於全部有用目的引入上述所有文獻的全文作為參考。
雖然顯示和描述了體現本發明的某些具體結構，但顯然的是在不背離本發明構思的精神和範圍的前提下，本領域技術人員可以作出各種改變和重新組合，並且並不限於在此顯示和描述的特定形式。
1．．．電容器主體
2．．．多孔電極體(陽極)
3．．．電介質
4．．．固體電解質(陰極)
5．．．聚合物外層
6．．．石墨/銀層
7．．．與電極體2接觸的導線(圖1)；固體顆粒(圖2)
8．．．外部接頭
9．．．封裝
10．．．詳圖
圖1為表示在鉭電容器實例中固體電解電容器結構的示意圖。
圖2表示圖1的放大詳圖10，其再現了鉭電容器的示意層結構。
1．．．電容器主體
5．．．聚合物外層
6．．．石墨/銀層
7．．．與電極體2接觸的導線
8．．．外部接頭
9．．．封裝
10．．．詳圖

Claims (31)

  1. 一種用於製備電解電容器的方法，其包括向電容器主體施加分散體a)，其中所述電容器主體包括：．電極材料的多孔電極體，．覆蓋該電極材料表面的電介質，．至少包括導電材料的固體電解質，其部分或全部覆蓋電介質表面，並且所述分散體a)包括至少．導電聚合物顆粒b)，其含有至少一種無取代或經取代的聚苯胺或至少一種聚噻吩或至少一種無取代或經取代的聚苯胺與至少一種無取代或經取代的聚噻吩，該聚噻吩具有通式(I)或(II)的重複單元或者通式(I)和(II)的重複單元 其中A 表示無取代或經取代的C1 -C5 亞烷基，R 表示直鏈或支鏈之無取代或經取代的C1 -C18 烷基、無取代或經取代的C5 -C12 環烷基、無取代或經取 代的C6 -C14 芳基、無取代或經取代的C7 -C18 芳烷基、無取代或經取代的C1 -C4 羥烷基或羥基，x 表示0-8的整數，並且如果多個基團R連接到A上，則其可相同或不同，並含有黏合劑c)和分散劑d)，並且，為了形成導電聚合物外層，至少部分除去分散劑d)或固化黏合劑c)或至少部分除去分散劑d)並固化黏合劑c)，其中直徑小於700nm的導電聚合物顆粒b)在分散體a)中的比例構成分散體固體含量的至少5重量%的固體含量，並且除了組分b)-d)之外，在所述分散體中也包含直徑為0.7-20μm的固體顆粒e)，其中該顆粒e)在分散體a)中的比例為分散體a)之固體含量的至少5重量%。
  2. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中的導電聚合物顆粒b)具有5-500nm的平均直徑。
  3. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中固體顆粒e)基於導電聚合物，特別是基於聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)。
  4. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中固體顆粒e)基於填料。
  5. 根據申請專利範圍第4項的方法，其中所述填料為碳酸鹽、矽酸鹽、二氧化矽、硫酸鈣、硫酸鋇、氫氧化 鋁、玻璃纖維、玻璃球、木屑、纖維素粉末、碳黑、氧化矽類或二氧化矽類。
  6. 根據申請專利範圍第4項的方法，其中所述填料為碳酸鈣、碳、石墨、碳黑、金屬、金屬氧化物、陶瓷、矽酸鹽、矽、石英、玻璃、沉澱二氧化矽、焦化二氧化矽或矽膠。
  7. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中的顆粒b)的聚噻吩為聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)。
  8. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中分散體a)另外含有至少一種聚合陰離子。
  9. 根據申請專利範圍第8項的方法，其中所述聚合陰離子為聚合羧酸或磺酸的陰離子。
  10. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中含有的黏合劑c)為聚合有機黏合劑。
  11. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中黏合劑c)的重量%固體含量與固體顆粒e)的固體含量的比大於1：2。
  12. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在施加之前調節分散體a)的pH為1-8。
  13. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在100s-1 的剪切速率下測量的分散體a)的黏度為10-1500mPas。
  14. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中含有的分散劑d)為有機溶劑、水或有機溶劑與水的混合物。
  15. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中分散體a)另外含有交聯劑和/或表面活性物質和/或其他添加劑。
  16. 根據申請專利範圍第15項的方法，其中在分散體a)中含有的其他添加劑為醚、內酯、醯胺或含有內醯胺基團的化合物、碸、亞碸、糖、糖衍生物、糖醇、呋喃衍生物或二或多元醇。
  17. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中分散體a)的pH係被調節至4-8，且其中該電介質為pH敏感電介質。
  18. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中，直徑小於700nm的顆粒b)的比例基於其固體含量為分散體固體含量的至少10重量%。
  19. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中，直徑小於500nm，優選小於400nm的顆粒b)的比例基於其固體含量為分散體固體含量的至少5重量%，優選至少10重量%，特別優選至少15重量%。
  20. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中的固體顆粒e)具有1-10μm的平均直徑。
  21. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在分散體a)中的固體顆粒e)具有大於0.9μm的直徑分佈d10值，和小於15μm的d90值，以及小於10μm的d90值。
  22. 根據申請專利範圍第8項的方法，其中所述聚合陰離子為聚苯乙烯磺酸，其中黏合劑c)的重量%固體含量與固體顆粒e)的固體含量的比大於1：1，在分散體a)中顆粒e)的比例為分散體a)固體含量的至 少15重量%並具有1-5μm的平均直徑，並且在分散體a)中的固體顆粒e)具有d10值大於1.2μm並且d90值小於8μm的直徑分佈，在分散體a)中，直徑小於700nm的顆粒b)的比例基於其固體含量為所述分散體固體含量的至少15重量%，並且直徑小於400nm的顆粒b)的比例基於其固體含量為所述分散體固體含量的至少15重量%。
  23. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中所述固體電解質的導電材料為導電聚合物。
  24. 根據申請專利範圍第23項的方法，其中在所述固體電解質中含有的導電聚合物為聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺，這些聚合物為非取代或經取代。
  25. 根據申請專利範圍第24項的方法，其中在所述固體電解質中含有的導電聚合物為具有通式(I)或通式(II)的重複單元，或通式(I)和(II)的重複單元的聚噻吩： 其中A表示非取代或經取代的C1 -C5 亞烷基，R 表示直鏈或支鏈非取代或經取代的C1 -C18 烷基、非取代或經取代的C5 -C12 環烷基、非取代或經取代的C6 -C14 芳基、非取代或經取代的C7 -C18 芳烷 基、非取代或經取代的C1 -C4 羥基烷基或羥基，x 表示0-8的整數，和如果多個基團R連接到A上，則其可相同或不同。
  26. 根據申請專利範圍第25項的方法，其中在所述固體電解質中含有的導電聚合物為聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)。
  27. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中所述固體電解質含有單體陰離子。
  28. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中所述電極體的電極材料為電子管金屬(valve metal)或具有可與電子管金屬的性質相比的電學性質的化合物。
  29. 根據申請專利範圍第28項的方法，其中電子管金屬或具有可與電子管金屬的性質相比的電學性質的化合物為鉭、鈮、鋁、鈦、鋯、鉿、釩、至少一種這些金屬與其他元素的合金或化合物、NbO或NbO與其他元素的合金或化合物。
  30. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中所述電介質為電子管金屬的氧化物，或具有可與電子管金屬的性質相比的電學性質的化合物的氧化物。
  31. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中在施加分散體a)並且形成導電聚合物外層之後，電容器提供有其他導電外部觸頭，並被連接和封裝。
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