TWI422996B - 含粒子之光阻剝離液及使用它之剝離方法 - Google Patents

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Description

含粒子之光阻剝離液及使用它之剝離方法
本發明係關於一種含粒子之光阻剝離液及使用它之剝離方法。
於半導體裝置之製造中，將圖案轉印至矽晶圓等半導體基板之一般方法有光刻法。例如，藉由實施離子注入以在既定之位置形成源極領域或汲極領域等，其後，藉由依照乾蝕刻等以選擇性去除該光阻，欲製造既定半導體元件之方式來進行。
藉由離子注入或加熱等，該光阻係具有其表面變質而硬化之性質。例如，已實施離子注入之光阻係成為由其表面已硬化之光阻硬化層、與內部未變質之較為柔軟的光阻層所構成的雙重構造。一般而言，雖然光阻能夠簡單利用有機溶劑加以去除，已實施離子注入之光阻，由於其表面已硬化，無法容易去除。因而，此情形下，雖然欲藉由施行灰化步驟而加以去除之方式來進行，但是僅利用灰化步驟之去除的話，將有殘留對基板損傷之問題。另外，其他之方法，已揭示一邊將氧化矽等糊漿供應至表面已硬化之光阻，一邊藉由使研磨墊磨擦表面硬化層的機械加工而加以去除之方法(專利文獻1)。
另外，已揭示藉由組合該機械加工步驟，與硫酸洗淨、硫酸加水洗淨、有機溶劑洗淨、臭氧洗淨、臭氧蒸氣洗淨、蒸氣洗淨或紫外線照射洗淨，以去除表面硬化層之方法(專 利文獻1)。
再者，已揭示如下之方法：利用含有上述機械加工，與洗滌洗淨、兆頻超聲波洗淨、超音波洗淨、二流體洗淨、蒸氣洗淨、超臨界洗淨之中的至少任一種洗淨方法，並無供應糊漿之必要而去除表面硬化層(專利文獻1)。
但是，依照上述機械加工所進行之去除方法中，尤其將有損傷微細配線情形之半導體基板電路構造的問題，於組合該機械加工步驟與洗淨步驟之方法中，由於必須要有二個步驟，將有需要時間、生產上不利之問題。另外，於該洗淨方法中，從半導體基板之表面硬化層的剝離性為不足的，一旦強力洗淨時，將有損傷半導體基板電路構造的問題。
於液晶顯示裝置之製造中，例如，主動矩陣型液晶顯示元件的薄膜電晶體面板製法之情形，大多藉由氮化矽以形成閘極絕緣膜或保護膜。然後，作為被加工薄膜之氮化矽薄膜係將於其上所形成之光阻圖案作為遮罩，而進行使用含有CF4 或SF6 等氣體之乾蝕刻時，光阻圖案之表面將變質，表面變質層將形成。因而，此情形下，已揭示一種光阻之去除方法，其係含有使用以單乙醇胺作為主要成分之光阻剝離液以進行處理之步驟，與於臭氧水中進行兆頻超聲波洗淨或超音波洗淨之步驟(專利文獻2)。
另外，已揭示一種光阻之去除方法，其係含有使用以單乙醇胺作為主要成分之光阻剝離液以進行處理之步驟，與於氫水中進行兆頻超聲波洗淨或超音波洗淨之步驟(專 利文獻3)。
但是，於含有使用以單乙醇胺作為主要成分之光阻剝離液以進行處理之步驟，與進行兆頻超聲波洗淨或超音波洗淨之步驟的光阻去除方法中，由於必須具有二個步驟，將有需要時間、生產上不利之類的問題。
專利文獻1：日本專利特開2006-186100號公報
專利文獻2：日本專利特開2006-24822號公報
專利文獻3：日本專利特開2006-24823號公報
本發明所欲解決之課題係提供一種剝離性優越之光阻剝離液。另外，本發明所欲解決之另一課題係提供一種光阻剝離性優越、不損傷電路構造之光阻剝離液方法。
上述之目的係依照下列揭示之技術手段而予以達成：<1>一種光阻剝離液，其特徵在於：含有粒子、及由胺化合物與伸烷二醇類所構成族群中所選出之至少一種化合物。
<2>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中含有胺化合物與伸烷二醇類。
<3>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中該粒子之一次粒徑為5~1,000 nm。
<4>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中該粒子係由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰與氮化鈦所構成族群中所選出 之無機粒子，及/或由環氧樹脂、苯乙烯樹脂與丙烯酸樹脂所構成族群中所選出之有機樹脂。
<5>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中相對於光阻剝離液，該粒子之濃度為0.1~20重量%。
<6>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中胺化合物係由單乙醇胺、二乙胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、四甲基銨氫氧化物所構成族群中所選出之至少一種。
<7>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中伸烷二醇類係由乙二醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、乙二醇單乙基醚醋酸酯、乙二醇二醋酸酯、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇單丁基醚、二乙二醇二酯酸酯、與三乙二醇二醋酸酯所構成族群中所選出。
<8>於<1>中揭示之光阻剝離液，其中相對於光阻剝離液，胺化合物與伸烷二醇之總量為10~90重量%。
<9>一種光阻剝離方法，其特徵在於包含：調製於<1>中揭示之光阻剝離液的步驟；及使用該光阻剝離液以剝離光阻的步驟。
<10>於<9>中揭示之光阻剝離方法，其中剝離該光阻之步驟係將超音波應用於該光阻剝離液以剝離光阻的步驟。
<11>於<9>中揭示之光阻剝離方法，其中該光阻係經離子注入的光阻。
<12>於<9>中揭示之光阻剝離方法，其不含灰化處理之步驟。
若根據本發明，能夠提供剝離性優異的光阻剝離液。另外，若根據本發明，能夠提供一種剝離性優異、不損傷電路構造之光阻剝離方法。
 發明之實施形態
本發明之光阻剝離液，其特徵在於：含有粒子、及由胺化合物與伸烷二醇類所構成族群中所選出之至少一種化合物。以下詳細說明。
(粒子)
本發明之光阻剝離液係含有粒子。粒子中包含無機粒子及有機粒子。例如，無機粒子可列舉：矽、鋁、鈰、鈦、鋯、錳、鉻、鐵、錫、鉭等之氧化物及氮化物，能夠使用此等之複合粒子等。另外根據用途，也有使用鑽石等硬質粒子之情形。較宜所使用之無機粒子為二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰及氮化鈦。有機粒子能夠使用苯乙烯樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、胺甲酸酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氟乙烯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、矽氧樹脂等之有機粒子及此等之複合粒子。較宜所使用之有機粒子為環氧樹 脂、聚乙烯樹脂及丙烯酸酯樹脂。
金屬氧化物之無機粒子能夠利用所習知之製法而得到。金屬氧化物粒子之濕式製法，其係以金屬烷氧化物作為起始物質，可列舉：依照水解此起始物質之方法而得到膠體粒子之方法。具體而言，能夠以某設定之速度，將正矽酸甲酯滴入已混合醇之鹼性水溶液中而引起水解，經歷粒成長之時期與根據急冷而停止粒成長之時期後而製作膠體二氧化矽。除此以外，使用鋁或鈦等之烷醇鹽以製得膠體粒子。
另外，金屬氧化物粒子之乾式製法，可列舉：將金屬氯化物導入氫氧火焰中，藉由使此已脫氯化之金屬予以氧化之反應後而得到煙塵粒子之方法。再者，使目的物質中所欲含有之金屬或合金予以粉碎後而作成粉體，再將此粉體投入含有助燃性氣體之氧火焰中，根據金屬之氧化熱而引起連續性反應，得到微細氧化物粒子之方法也已被實用化。依照此等燃燒法所製作之粒子，其特徵在於：由於其係於製程中經歷高熱，粒子將被非晶質化，另外，若相較於濕式粒子的話，由於不純物為少的，一般而言，固體之密度為高的，另外表面之羥基密度也為低的。
能夠藉由在氮氣環境中，使上述之氮化物與例如碳等之還原劑予以同時升溫後而得到。此情形下，雖然引起還原反應，但也不會引起粒子間之熔融黏著的方式來如何使反應器內之溫度分布得以均勻係非常重要的。一般而言，含有引起熔融黏著的粒子之情形，採行藉由將速度能量賦 與此等粉體，使其碰撞遮蔽板而予以分散的方法；或是，強硬凝聚物之情形，採行使用高壓均化器等裝置，賦與物理能量以將分散於溶劑中而予以糊漿化之物得以分散的方法。
再者，也能夠使用組合該氧化物或氮化物與該有機粒子的複合粒子。藉由利用粒徑較該有機粒子為小之該氧化物覆蓋其表面，例如，歷經長期也不會使該有機粒子周圍凝聚，能夠作成安定存在之複合粒子。
本發明之光阻剝離液中含有之一次粒徑較宜為5~1,000 nm之範圍。更佳為10~500 nm，最好為20~500 nm。若為上述之數值範圍內時，具優越之剝離性。
還有，一次粒徑係表示重量平均粒徑，能夠依照動態光散射法加以測定。若列舉測定機的話，可列舉：日本日機裝社製之「Microtrack UPA150」。
相對於光阻剝離液，粒子之濃度能夠設為約0.1~20重量%。粒子之濃度低於0.1重量%之情形下，得到實用性研磨速度將成為困難的。另一方面，若超過20重量%時，擔憂分散性將惡化。
另外，本發明之光阻剝離液係含有由胺化合物與伸烷二醇類所構成族群中所選出之至少一種化合物。
(胺化合物)
於本發明中，在光阻剝離液中所含之胺化合物，可列舉：羥基胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、伸乙二胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、 異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、丁醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲胺基乙醇、N-乙基乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、二正丁基乙醇胺、四甲基銨氫氧化物、四乙基銨氫氧化物、四丙基銨氫氧化物、四丁基銨氫氧化物及其鹽等。
胺化合物特別理想之例子，可列舉：單乙醇胺、二乙胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、四甲基銨氫氧化物。
於本發明之光阻剝離液中含有胺化合物之情形，也能夠併用二種以上之胺化合物。
(伸烷二醇類)
於本發明之光阻剝離液中所含之伸烷二醇類，可列舉：乙二醇、丙二醇、己二醇、新戊二醇等之二醇化合物及此等之單醚或二醚化合物及此等之鹽。進一步可列舉：二伸烷二醇、三伸烷二醇、四伸烷二醇等之伸烷二醇數為2~4之化合物及此等之單醚或二醚化合物及其鹽。於本發明中，較佳之伸烷基為伸乙基。亦即，於本發明中，伸烷二醇類較宜使用伸烷二醇類。
具體而言，可列舉：乙二醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、乙二醇單乙基醚醋酸酯、乙二醇二醋酸酯及此等之乙二醇數為2~4之化合物(二乙二醇類、三乙二醇類及四乙二醇類)；較宜可列舉：二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基 醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇單丁基醚、二乙二醇二醋酸酯、與三乙二醇二醋酸酯。
於本發明中，在光阻剝離液中含有伸烷二醇類之情形，也能夠併用二種以上之伸烷二醇類。
(胺化合物之濃度)
相對於光阻剝離液，胺化合物之濃度較宜為10~90重量%，更佳為20~70重量%，最好為20~50重量%。若胺化合物之濃度為10重量%以上、90重量%以下時，由於剝離性能為高的而較佳。
(伸烷二醇類之濃度)
相對於光阻剝離液，伸烷二醇類之濃度較宜為10~90重量%，更佳為15~70重量%，最好為20~50重量%。若伸烷二醇類之添加量為10重量%以上時，由於剝離性能為高的而較佳。另外，若伸烷二醇類之添加量為90重量%以下時，由於光阻剝離液之黏性不會變得過高而較佳。
本發明之光阻剝離液係含有粒子、及由胺化合物與伸烷二醇類所構成族群中所選出之至少一種化合物，較宜含有粒子、及胺化合物與伸烷二醇類。於此情形下，胺化合物與伸烷二醇類之總量較宜為剝離液之10~90重量%，更佳為20~90重量%，最好為40~85重量%。若胺化合物與伸烷二醇類之總量為上述數值之範圍內時，由於剝離性能為高的，對基板之損傷為少的而較佳。
還有，於本發明之光阻剝離液中，較宜添加溶劑、pH 調整劑等。
(pH調整劑)
於本發明中，為了使光阻剝離液作成所期望之pH，pH調整劑較宜添加酸或緩衝劑。
酸或緩衝劑可列舉：硝酸、硫酸、磷酸等之無機酸；甲酸、醋酸、羥基醋酸、丙酸、丁酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、托品酸、二苯基乙醇酸、水楊酸、檸檬酸等之有機酸；甘胺酸、丙胺酸、牛磺酸等之胺基酸、碳酸鈉等之碳酸鹽；磷酸三鈉等之磷酸鹽、硼酸鹽、四硼酸鹽、羥基安息香酸鹽等之緩衝劑。特別理想之酸，可列舉：乳酸、羥基醋酸。
另外，於本發明中，也能夠將其他之成分添加於光阻剝離液中。
可能使用於本發明光阻剝離液之溶劑，可列舉：水、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等之醇類；四氫呋喃等之醚；丁氧基丙醇、丁氧基乙醇、丙氧基丙醇等之醚醇；碳酸二乙酯、碳酸二甲酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等之碳酸酯；醋酸甲酯、醋酸乙酯等之酯；二甲亞碸等之亞碸類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等之醯胺類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮等之內酯類；1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,3-二乙基-2-咪唑啶酮、1,3-二異丙基-2-咪唑啶酮等之咪唑啶酮類之極性有 機溶劑。此等溶劑可以單獨使用，也可以混合二種以上後而使用。此等溶劑之中，較宜能夠使用水、異丙醇。
針對一種光阻剝離方法加以說明，其特徵在於：含有調製該光阻剝離液之步驟、及使用該光阻剝離液以剝離光阻之步驟。
於本發明中，光阻剝離能夠利用習知任一種方法進行。具體而言，可列舉：光阻剝離液與剝離之光阻可進行接觸之方法。
剝離方法可列舉：浸漬法、噴霧法、及使用葉片式之方法等，以適當之溫度、適當之時間處理。剝離溫度係根據使用之溶劑、方法而有所不同，一般而言，較宜為20~80℃，更佳為40~60℃。若剝離溫度為上述範圍內時，由於濃度變化為少的，能夠維持剝離性能而較佳。
本發明之光阻剝離方法較宜重複進行二次以上而後剝離光阻。藉由重複進行二次以上剝離方法，因為光阻之去除能力提高而較佳。剝離方法能夠重複進行任意次，直到光阻完全予以去除為止，較宜重複進行1~3次，更佳為重複進行1~2次。
於本發明之光阻剝離方法中，針對將超音波應用於光阻剝離液的剝離方法加以說明。利用該方法，根據超音波之振動壓而生成微小的渦流，能夠加速光阻周邊之光阻剝離液的攪拌，加速光阻及光阻殘渣之剝離。另外，由於根據本發明之光阻剝離液中所含粒子的作用，能夠加速剝離，故能夠確實剝離光阻。
例如，浸漬法之情形，於塗布光阻後進行預烘烤，透過光罩圖案進行曝光，將顯像後的基板(被處理物)浸漬於利用光阻剝離液所充滿的處理槽中，從該基板之背面施加超音波以進行該基板表面之洗淨。傳播於基板下面之超音波振動，其係於剝離液中幾乎未減衰地予以傳播，能夠剝離附著於上面之光阻及光阻殘渣。傳播於基板下面之處理槽中，保持超音波振盪器及該基板，較宜具備一保持工具，以使來自該超音波振盪器之超音波得以照射之方式來進行。還有，針對處理層，含有日本專利特開2002-222787號所揭示之洗淨裝置。
超音波之頻率係於0.1~10 MHz範圍之頻率帶，確認為高的剝離能力。另外，較宜為0.8~1 MHz範圍內，不用擔憂溶解附著於基板之光阻而破壞基板。
於剝離光阻之步驟前，較宜使用依照氧化劑所進行之改性步驟。尤其，經離子注入之光阻係利用該方法以改性光阻表面，剝離能力得以提高。改性步驟也能夠使用習知中任一種方法。具體而言，能夠使用浸漬法、噴霧法、塗布法等之中任一種方法。於此等方法之中，較宜為浸漬法、噴霧法，更佳為浸漬法。
另外，改性步驟較宜於100~160℃進行，更佳於120~150℃進行。
於改性步驟中，較宜為使氧化劑與光阻接觸5~30分鐘，更佳為接觸10~20分鐘。若接觸時間為5分鐘以上時，能夠改性經離子注入後的光阻，因為其後之剝離步驟的光 阻剝離能力將提高而較佳。另外，若接觸時間為30分鐘以下時，因為剝離方法所需要之時間為短時間而較佳。另外，上述之改性步驟較宜於使用本發明之光阻剝離液以剝離光阻之前進行。
(氧化劑)
具體而言，氧化劑可列舉：過氧化氫、過氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、過碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽、過硫酸鹽、重鉻酸鹽、過錳酸鹽、臭氧水及銀(II)鹽、鐵(III)鹽及過氧化氫與硫酸之混合物，較宜使用過氧化氫與硫酸之混合物。
氧化劑較宜為溶液狀，溶劑可列舉：超純水離子交換水、蒸餾水等之各種水；甲醇、乙醇、丁醇等之醇類；二甲亞碸等亞碸類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺等之醯胺類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮等之內醯胺類；1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二乙基-2-咪唑啉酮、1,3-二異丙基-2-咪唑啉酮等之咪唑啉酮類之極性有機溶劑。溶劑較宜為水、醇類、亞碸類、咪唑啉酮類，更佳為水。
另外，於本發明中，氧化劑較宜為含有過氧化氫之溶液，更佳為過氧化氫與硫酸之混合溶液。
相對於光阻剝離液，氧化劑較宜為5~30重量%溶液，更佳為10~20重量%溶液。
本發明之光阻剝離方法係適用於經離子注入(離子注 入)後之光阻剝離方法。‘相對於依照離子注入而剝離成為困難的光阻，有效剝離含粒子之光阻剝離液將成為可能的。另外，藉由將剝離液浸漬於處理層中，從基板之背面照射超音波後而進行該基板表面之洗淨，能夠確實剝離光阻。
本發明係可適用於已使用於半導體工業之習知的光阻，雖然特別適用於KrF及ArF之正型光阻，但是本發明並不受此等光阻所限定。
若根據本發明之光阻剝離方法，能夠省略灰化處理。於半導體裝置中，最近已開發出一種使用介電常數低的low-k膜(低介電常數膜)以取代SiO2 膜的技術，伴隨於此，於半導體裝置之製程中，將有形成蝕刻low-k膜之必要。習知係於乾蝕刻膜後，藉由氧-臭氧等電漿以進行灰化，雖然已去除光阻，如此之處理發生了損傷賦與low-k膜之問題。使用氧-臭氧等之活性電漿而加以灰化之方法，除了基板損傷之問題以外，由於步驟數為多的，也將有處理上費時之問題。
另外，由於灰化裝置具備腔(chamber)，使得整個裝置將大型化。若能夠利用本發明之光阻剝離方法以省略灰化處理的話，因為不需要大的腔而能夠使整個裝置得以省空間化。另外，由於也無真空化之必要，故無進行腔真空處理之必要。因此，能夠於短時間內進行光阻剝離。
【實施例】
以下，雖然針對本發明之實施例詳加說明，但是本發 明並不受此等實施例所限定。
光阻剝離試驗係依照如下所示之方式來進行：
(試料之製作)
於矽晶圓上，使光阻之厚度成為約1,000Å之方式來塗布泛用光阻(市售之KrF光阻)。接著，將已塗布此光阻之試料加以烘烤，透過光罩圖案以進行曝光、顯像。
其後，進行離子注入操作。離子係使用As離子，摻雜量係設為1E16 atoms/cm2 後而製作試料。
<實施例1> (光阻剝離液之調製)
(光阻之剝離性試驗)
將所得的試料浸漬於含有光阻剝離液之處理槽中，從基板之下面施加頻率0.8~1 MHz之超音波。將剝離液之溫度設為50℃、浸漬時間設為5分鐘，利用超純水以進行洗淨。
其後，利用光學顯微鏡以確認光阻有無殘存，評估光阻之剝離性。
光阻之剝離性係依照如下之方式來評估：◎：剝離性非常優異
○：剝離性良好
△：一部分殘存
×：大部分殘存
<實施例2~20>
除了將光阻剝離液中所含之化合物、pH調整劑及水作成表1揭示之物質及添加量以外，進行相同於實施例1之方式以評估光阻之剝離性。將結果顯示於表1。
<比較例1～6>
除了將光阻剝離液中所含之化合物、pH調整劑及水作成表2揭示之物質及添加量以外，進行相同於實施例1之方式以評估光阻之剝離性。將結果顯示於表2。
<比較例7>
除了將光阻剝離液中所含之化合物、pH調整劑及水作成表2揭示之物質及添加量，不施加超音波以外，進行相同於實施例1之方式以評估光阻之剝離性。將結果顯示於表2。
<比較例8>
一面供應氧化鋁之糊漿，並一面利用化學機械研磨法以去除所得的試料在光阻層上面部所形成的硬化層。去除硬化層之後，將試料浸漬於硫酸中以剝離光阻層，使用掃描電子顯微鏡加以觀察。其結果，於藉由機械加工以剝離光阻後之矽晶圓表面上觀察到無數的傷痕。
表中之記號係如下所示：P1：二氧化矽粒子(一次粒徑30 nm)
P2：氮化鈦粒子(一次粒徑100 nm)
P3：環氧樹脂粒子(一次粒徑500 nm)
A1：單乙醇胺
A2：N-正丁基乙醇胺
B1：二乙二醇單丁基醚
B2；三乙二醇單丁基醚
表中之記號係與表1相同。如表1及表2所示，本發明之光阻剝離液係一種具優越剝離性之光阻剝離液。
<實施例21> (光阻剝離液之調製)
(光阻之剝離性試驗)
將所得的試料浸漬於含有光阻剝離液之處理槽中，從基板之下面施加頻率0.8~1 MHz之超音波。將剝離液之溫度設為50℃、浸漬時間設為5分鐘，利用超純水以進行洗淨。
其後，利用掃描電子顯微鏡以確認有無光阻之殘存，評估光阻之剝離性。
光阻之剝離性係依照如下之方式來評估：◎：剝離性非常優異
○：剝離性良好
△：一部分殘存
×：大部分殘存
<實施例22與23及比較例9與10>
除了將光阻剝離液中所含粒子之一次粒徑設為揭示於表3之一次粒徑以外，進行相同於實施例21之方式以評估光阻之剝離性。將結果顯示於表3。
如表3所示，本發明之光阻剝離液係藉由含有一次粒徑5~1,000 nm之粒子，可謂是一種具優越剝離性之光阻剝離液。

Claims (10)

  1. 一種光阻剝離液，其特徵在於：含有粒子、及由胺化合物與伸烷二醇類所構成族群中所選出之至少一種化合物，其中相對於光阻剝離液，該粒子之濃度為0.1~20重量%，其中相對於光阻剝離液，該胺化合物與伸烷二醇類之總量為10~90重量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液，其中含有胺化合物與伸烷二醇類。
  3. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液，其中該粒子之一次粒徑為5~1,000nm。
  4. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液，其中該粒子係由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰與氮化鈦所構成族群中所選出之無機粒子，及/或由環氧樹脂、苯乙烯樹脂與丙烯酸樹脂所構成族群中所選出之有機樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液，其中胺化合物係由單乙醇胺、二乙胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、四甲基銨氫氧化物所構成族群中所選出之至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液，其中伸烷二醇類係由乙二醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、乙二醇單乙基醚 醋酸酯、乙二醇二醋酸酯、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇單丁基醚、二乙二醇二醋酸酯、與三乙二醇二醋酸酯所構成族群中所選出。
  7. 一種光阻剝離方法，其特徵在於包含：調製如申請專利範圍第1項之光阻剝離液的步驟；及使用該光阻剝離液以剝離光阻的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之光阻剝離方法，其中剝離該光阻之步驟係將超音波應用於該光阻剝離液以剝離光阻的步驟。
  9. 如申請專利範圍第7項之光阻剝離方法，其中該光阻係經離子注入的光阻。
  10. 如申請專利範圍第7項之光阻剝離方法，其不含灰化處理之步驟。
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