TWI421492B - 金屬離子感測器、金屬離子感測器系統以及攜帶式金屬離子感測器系統 - Google Patents

Description

金屬離子感測器、金屬離子感測器系統以及攜帶式金屬離子感測器系統

本發明是關於一種用於分析金屬離子的金屬離子感測器、感測器系統、攜帶式感測器系統、金屬離子分析方法，特別是關於金屬離子感測器結構、感測器系統、以及化學種分析方法，進而關於封裝用基板。

近年來，我們周圍的地球環境受到了製造、消費社會、商業活動的很大影響。其所產生的影響不可估量。大氣污染、水質污染、廢棄物所造成的土壤污染等，經由食物鏈會引起生態系統損害，此外亦有會引起全球暖化(Global Warming)的擔憂。因此，已經變得與商業活動密不可分的CSR(Corporate Social Responsibility，企業社會責任)、環境、商業、法規制度的對策在今後日益重要。在此背景下，儘可能有助於改善、維持環境的技術開正逐漸變得重要。例如，在製造領域以及環境領域中重要的銅、鎘(cadmium)、鉛、鉻(chromium)、汞離子等金屬離子的分析日益變得重要。在此背景下，最近的分析技術可列舉「表面電位測定型感測裝置」(例如，參照日本專利特開2006-058020號公報。)。此技術有效利用了自組膜(self-assembled film)的分析功能。分析原理為如下：利用吸附在附著於電極前端的自組膜上的離子原子，使功函數在吸附前後自低費米能級(Fermi level)所對應的位置發生變化，將參照電極作為基準測定其電位變化，並對超微量濃度進行分析。根據此技術，一般認為具有以下效果：

1)其電位變化達到吸附離子所對應的特定電位(可選擇性地對分子膜結構進行分析。)。

2)特定電位不依賴於電極面積(由於並非進行電流測定，故而測定系統簡便，製成小型系統的可能性大。)。

3)達到特定電位的時間與電極面積成比例(可對應寬量程(wide-range)分析)。

4)藉由EDTA清洗最大可重複進行20次分析。

另一方面，根據分析對象的不同，發明者等亦追求利用可不將上述自組膜設置於電極上的電化學分析方法進行分析。但是，發明者等發現此方法亦存在與上述自組感測器同樣的下述問題。

另一方面，若將此技術應用於被分析物所含的物質未知、或者雖然物質為已知物質但其濃度未知的複雜系統的試料(以下，簡稱為「複雜系統」。)，則用於進一步選擇性地進行分析的技術變得不可或缺。因此，增加用於多元系統分析的電極數變得不可或缺，即使增加測定用電極數亦可實現小型化的多層化-配線技術比形成一層配線的基板的技術更加有利。即，就測定用基板而言，可製造一層配線的基板，並且可對應多層化-配線技術的有效的製造技術變為重要。至今為止的電化學測定用基板是使用玻璃(glass)、或陶瓷(ceramic)、雲母(mica)等的無機基板，而形成配線是應用濺鍍(sputter)或蒸鍍等真空製程(process)。雖上述情況雖然對配線的微細化有利，但存在難以同時實現低成本化及多層化的狀況。

另一方面，至今為止仍無有效利用在印刷(print)板業界中所使用的有機基板來作為測定用基板的例子。

印刷板業界廣泛知曉的主要的多層化-配線技術有將打孔(drill)與鍍敷製程組合的通孔(through hole)連接，此技術雖廣為人知，但由於其是對全部層進行打孔，故而配線收容量有限。因此，為了減少連接部的孔體積，成為主流的是重複進行絕緣樹脂組成物層的形成-打孔-電路形成的增層(build up)技術。此增層技術大致有雷射(laser)法以及光微影(photolithography)法，雷射法是進行雷射照射，以於絕緣樹脂組成物層上進行打孔，另一方面，光微影法是在絕緣樹脂組成物層中使用感光性硬化劑(光起始劑)，疊加光罩(photomask)，並進行曝光、顯影而形成孔。另外，目前已提出有數種以進一步的低成本化‧高密度化為目的層間連接方法。其中，受到關注的是可省略打孔以及鍍導電層步驟的方法。此方法如下：首先，藉由在基板的配線上印刷導電性漿料(paste)的印刷而形成凸塊(bump)後，配置處於B階(B-stage)狀態的層間連接絕緣材料及金屬層，通過壓製(press)使凸塊貫穿成形樹脂內部，而使其與金屬層導通連接。此貫穿***凸塊的方法已在學會或報紙上發表，在印刷板業界已廣為人知(例如，參照大平洋及另外2人：利用新製法(B2it)製造的印刷配線板的提案，第9次電路封裝學術講演大會講演論文集，ISSN 0916-0043，15A-10，PP.55-56(平成7年3月)，森崇浩及另外5人：使用凸塊的層間連接技術的基板的應用與微細化，第10次電路封裝學術講演大會講演論文集，ISSN 0916-0043，15A-09，PP.79-80(平成8年3月)。)。

更高效地形成的方法有批次積層法(Batch Lamination)。在歷史上，有在燒結前稱為生片(green sheet)的陶瓷體上印刷打孔-連接導體、配線，將此等對準位置並加熱、加壓而進行一體成型的配線板，但由於其收縮了2成左右，故而在尺寸穩定性方面存在問題。另外，由於是無機材料，故而成本高。利用可與其相媲美的有機材料且無需打孔的批次積層法，有中村等發明者所揭示的批次積層基板(例如，參照日本專利再表2003/056889號公報。)。此方法是將熱塑性液晶聚合物用於絕緣基材的方法。

在以上的多層化方法中，配線方法是將鍍敷、蝕刻、印刷配線、配線轉印法等有效地用於形成微細配線。

另外，在複雜系統的分析中，極其困難的是使感測器直接與採集分析液接觸，以選擇性地分析目標金屬離子。即使成分體系已知，在選擇性地分析目標金屬離子的濃度時，亦會由於含有阻礙分析的其他金屬離子或分析妨礙物質，而導致分析的可能性明顯降低。其一例可列舉一價銅化學種的分析。此處的一價銅化學種，是單純一價銅離子、一價銅離子錯合物、或者含有一價銅的複合化學種。

一價銅化學種的分析例如可用於蛋白、糖類的鑑定等。

另外，在用銅填充有底孔的結構部分並形成平滑的配線層的鍍銅填孔液中的電化學測定方法中，將測定陰極(cathode)的恆定電流的電位用來評價填孔性。但是，由於存在大量種類的金屬離子或分析妨礙物質，並且就此測定方法的原理進行考慮，認為此方法難以對例如一價銅化學種進行定性及/或定量。

並且，對於鍍銅填孔液，一價銅離子對填孔性有較大妨礙，故而期望對其進行定性、定量。但是，妨礙填孔性的鍍金妨礙化學種未必明確為一價銅離子本身、一價銅離子錯合物、含有一價銅的複合化學種、或鍍金液在使用過程中所生成的化合物。在大量的2價銅或分析妨礙物質的存在下，難以選擇性地對目標鍍金妨礙化學種、生成化合物進行定性、定量。

在本發明中，此電化學分析方法，是指在分析對象液中浸漬多個電極並在這些電極間施加電壓或者電流，從而觀察電流或者電壓的變化的方法。用於此種目的之電極，是使用黏接於玻璃基板上並且大致平行地向一個方向延伸的多層的帶狀金薄膜。

由於此電極是連接在測定器上，故而必須使電極的一部分露出至此分析對象液之外，電極與此分析對象液接觸的面積會根據浸漬的深度、浸漬時的基板的斜度等而變化，從而無法保證分析結果的再現性。特別是在定量分析的再現性方面存在問題。因此，重要的是使配線與此分析對象液、霧、氣體等絕緣而區分成電極與配線，並確定特定電極面積。此處，在配線上設置絕緣部分雖較為重要，但難以廉價且高效地在玻璃基板上製造此種層。

另一方面，此電極由於在分析過程中的污染、變質、鍍金現象而無法長期重複使用，而必須將其視為消耗品。因此，形成有電極的基板採用玻璃基板等無機基板時，由於頻繁地用於在工廠生產線(line)上用以藥液管理、環境管理的現場水質分析等，故而無法忽視其價格，期待且更低價格的基板。

本發明等人對將有機基板應用於電化學測定及表面電位進行了潛心研究，結果所獲得的有機基板的課題大致分為2種。一個為耐化學化學試劑性。其原因在於：在採集分析液為強酸、強鹼等時，在分析過程中，自有機基板會產生可妨礙或提高分析功能的離子或分子。不僅構成此有機基板的有機材料自身的分解，殘餘溶劑以外的各種添加劑、配線加工中所吸附的離子物質、其他來自空氣中的吸附物亦成為其主要原因。

另一個為耐熱性。其原因在於：在電化學分析中，必須在電極上形成金、鉑等，或作為惰性層的碳層。(此外，碳層較理想的是由碳為100%的成分所形成。但是，若存在將黏合劑(binder)或分散劑等添加物用於成分中的情況，則為除去雜質而接近100%的成分。因此，包括含有碳作為成分且發揮惰性層的作用的層在內，以下記為含碳層，並將材料記為含碳材料或含碳元素材料。另外，將利用此含碳層進行被覆記為碳被覆。另外，碳的形狀可為粒狀，亦可為碳纖維線。)例如，特別是在形成含碳接近100%的含碳層時，根據其特性通常已知有DLC(diamond-like carbon，類金剛石)的方法，但基材是暴露在攝氏200度以上的高溫下。其原因在於：在高精度分析中，在此蒸鍍及/或濺鍍形成步驟等中，分解產生的雜質析出成為主要妨礙原因。因此，至於感測器用基板，在已述的配線基板的多層化-配線方法中，將耐化學化學試劑性以及耐熱性優異的聚醯亞胺(polyimide)、液晶聚合物之的有機樹脂視為絕緣基材。業界並非是要回避此選擇，而是因其在低成本化、或業界的認知度或普及上有困難。特別是在有機物的分解上成為問題的最壞實例，是發生在經絕緣被覆的絕緣材料與所埋入的電極的黏接界面或者接合界面上。此時會引起如下結果：採集分析液侵入至此界面，實質的電極面積在測定中或重複使用中發生變化。

另一方面，在複雜系統的分析中，即在高精度的分析中，需要進行預處理，多數情況下需要進行煩雜的預處理作業。其一例可列舉：利用有機配位基以及過濾法、使用吸光測定的比色法來分析一價銅(例如，參照「工研TechnoReport平成14年度(2002)研究成果介紹」，大阪市立工業研究所、平成15年度7月發行，p.14(URL：http://www.omtri.city.osaka.jp/)。)。此方法是比較簡便且選擇性亦優異的分析方法，但在實用化普及中期待進一步縮短預處理作業或分析所需的時間。

本發明是鑒於上述先前的問題研究而成的，其以實現以下目的為課題。即，

本發明之目的在於提供一種具有預先規定感測器的電極與含有被分析物質的液體、霧或氣體相接觸的面積的結構的感測器。

本發明提供一種感測器，其具有為了規定電極面積而設置與感測器的電極導電連接的配線，且可避免配線材料自此配線中溶出至含有被分析物質的液體或霧中，可避免電流自此配線向含有被分析物質的液體、霧或氣體洩漏或放電，並可避免多個此配線之間的電氣干擾的構成。

本發明之目的在於提供一種具有構成感測器用的絕緣基板的素材無須如玻璃或陶瓷等無機系絕緣材料般具備高度的耐化學化學試劑性以及耐熱性的電極結構的感測器。並且，提供一種具有無須對準位置並進行遮蔽的步驟的電極部結構的感測器，此對準位置並進行遮蔽的步驟是用於使構成本發明所提供的電極結構的含碳層以隔開的狀態形成在電極之間，並且視需要而確保電極之間的絕緣性的步驟。

本發明的另一目的在於提供一種分析方法，其尤其用於在一價銅化學種、或使用中鍍銅液所含的鍍金妨礙化學種或生成化合物的分析中，藉由電化學方法、表面電位測定法、比色法或將此等加以組合的方法來進行定性、定量。

本發明的又一目的在於提供一種分析方法，其是使用本發明的感測器或其他形態的感測器，藉由電化學方法、表面電位測定法，選擇性地自存在多種金屬離子或分析妨礙物質的複雜系統的液體中定性、定量一價銅化學種，或者自存在大量2價銅或分析妨礙物質的鍍金液中定性、定量所含的鍍金妨礙化學種或生成化合物的化學種。

本發明的又一目的在於提供一種感測器系統，其具備上述感測器，可高效且一體聯動地操作預處理步驟。

本發明的又一目的在於提供一種攜帶式感測器系統，其具備上述感測器，可攜帶至所需的場所，在此場所，即使少量的分析液亦可在較短時間內簡便地進行分析操作。

在本發明中，避免配線材料自與感測器的電極導電連接的連接配線溶出至含有被分析物質的液體或霧之中、電流自此連接配線向含有被分析物質的液體、霧或氣體洩漏或放電、多個此連接配線之間的電氣干擾的方法，是用有機材料的絕緣部分進行覆蓋，此有機材料的絕緣部分可使與多個電極分別導電連接的連接配線互相絕緣以及使此連接配線與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣。

在本發明中，預先規定感測器的電極與含有此被分析物質的液體、霧或氣體相接觸的面積的方法，是設置具有使設置於有機絕緣基板上的上述多個電極的各電極露出至外部的開口，並覆蓋上述連接配線的覆蓋層。

所謂覆蓋層是指保護層，所保護的對象亦可包括伸出至露出部以外的配線、或未露出的電極。利用此保護層可保護其不受機械性損傷，此外也是為了確保電極部之間、連接配線之間的絕緣性。除可抑制由濕氣所引起的配線之間的電流洩漏(leak)外，亦可防止在電子零件封裝時由焊膏印刷的殘渣所引起的短路。此覆蓋層可使用附有黏接劑層的絕緣材料膜或抗蝕刻油墨(resist ink)、抗蝕刻膜(resist film)。

本發明的感測器所使用的絕緣基板，並不限定於可滿足真空製程的具有耐熱性的有機材料，另外，為了可自包括至今為止無法滿足真空製程的多數有機材料的多層化製程中選定此製造製程，本發明者等採用了如下方法：針對絕緣基板的有機材料，使用並不特別需要耐熱性、耐化學化學試劑性的含碳層的形成方法，在有機材料的絕緣基板上設置含碳層。

因此，需要使用低溫蒸鍍法。低溫度的碳蒸鍍方法已知有使用離子團束(ion cluster beam)的稱為Tough Carbon的碳蒸鍍法(例如，參照日本專利第3660866號公報。)。由於是在攝氏100度的低溫度下進行蒸鍍，故而可大幅度減少來自基材的雜質混入或污染(以下，簡稱為「污染」。)。因此，可列舉玻璃環氧樹脂來作為候補有機基材。

另外，使用印刷漿料的方法亦有效。印刷漿料可應用日本專利特開2006-147202號公報、日本專利特開2007-165708號公報、或者日本專利特開2007-165709號公報所揭示的技術及漿料。具體而言，可較好地使用日立化成工業股份有限公司製造的碳漿料。其印刷方法較有效的是利用使用注射器(syringe)的塗佈方法、或噴墨法進行塗佈。硬化溫度為160℃～210℃，可根據基材的耐熱性進行適當地設定。

即，為了改善機械、熱特性等而在有機材料中添加無機材料所獲得的材料，亦包括在本發明的適用範圍內。

並且，除耐化學化學試劑性、耐熱性外，確保絕緣性在電化學測定及電位測定中當然很重要。特別是在測定資料的高分解或測定資料的再現性方面，此絕緣性的穩定性極為重要。

但是，在任一方法中，在選定基材並藉由各種蒸鍍方法、印刷方法在整個面上形成含碳層時，為了確保電極間的絕緣性，必需另外準備遮罩，並加進對準位置步驟等，從而阻礙實現可滿足微細電極的高效的製造方法。本發明提供了解決此問題的方法。

作為自多種金屬離子或分析妨礙物質存在的複雜系統液體中選擇性地鑑定、定量出一價銅化學種，或者自大量2價銅或分析妨礙物質存在的使用中的鍍金液中選擇性地鑑定、定量出所含的鍍金妨礙化學種或生成化合物的化學種的分析方法，本發明提供如下方法：至少使第一電極、第二電極與複雜系統液體或在鍍銅中的使用中鍍銅液相接觸，在此第一、第二電極間施加隨時間變化的電壓，在可觀測到於此第一、第二電極之間流動的電流的最大值的電壓範圍內，鑑定一價銅化學種、或鍍金妨礙化學種或生成化合物的化學種，並利用此電壓範圍的此電流的最大值或與此電壓相關的此電流的積分值，來對一價銅化學種、或鍍金妨礙化學種或生成化合物的化學種的濃度進行分析。

即，本發明以如下為特徵。

(1)一種感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線以及使此第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，此絕緣部分是由有機材料所構成，此第一、第二電極的至少與含有此被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有此被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成。

(2)如(1)所述之感測器，其進而設置有以相同符號或者不同符號向上述第一電極或第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極、及與此第三電極相連接的第三配線，此第三電極的至少與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有上述被分析物質的液體或霧或氣體的物質、或不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成。

不溶於含有此被分析物質的液體或霧且不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質的例子，可列舉金、鉑、碳。

(3)如(2)所述之感測器，其進而由絕緣部分所構成，此絕緣部分包括使上述第三配線與上述第一、第二配線絕緣的有機物質，以及使上述第三配線與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的有機物質。

(4)如(1)所述之感測器，其中上述第一、第二配線與連接端子相連接。

(5)如(2)所述之感測器，其中上述第三配線與連接端子相連接。

(6)如(1)所述之感測器，其設置有多組上述第一電極以及第一配線、第二電極以及第二配線。

(7)如(2)所述之感測器，其設置有多組上述第一電極以及第一配線、第二電極以及第二配線、第三電極以及第三配線。

(8)如(4)所述之感測器，其具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在此絕緣基板上的包括上述第一、第二電極的一組以上的電極群，以包括與此電極群導通連接的上述第一、第二配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與此連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群。

(9)如(5)所述之感測器，其具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在此絕緣基板上的包括上述第一、第二電極以及第三電極的一組以上的電極群，以包括分別與此電極群導通連接的上述第一、第二、第三配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與此連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群。

(10)如(8)或(9)所述之感測器，其進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少此覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣。

(11)如(10)所述之感測器，其中上述覆蓋層的各開口設定在比上述電極群的各電極更靠內側。

(12)如(10)所述之感測器，其中上述覆蓋層的各開口設定在比開口內所露出的上述電極群的各電極更靠外側。

(13)如(11)或(12)所述之感測器，其在上述絕緣基板上至少具有含碳層，此含碳層是形成在上述覆蓋層表面、以及位於上述開口內的至少電極表面的一部分上。

(14)如(10)至(13)中任一項所述之感測器，其中上述覆蓋層的開口是以自上表面側向下表面側增大的方式形成的。

(15)如(10)至(13)中任一項所述之感測器，其中上述覆蓋層是以上表面側的開口面積小於下表面側的開口面積的方式形成的。

(16)如(10)至(13)中任一項所述之感測器，其中上述覆蓋層至少包括覆蓋膜以及黏接劑層之2層，上述黏接劑層的開口緣部與上述覆蓋膜的開口緣部位置相同，或者位於比此開口緣部更靠外側的位置。

(17)如(1)至(16)中任一項所述之感測器，其中上述第一電極、第二電極或第三電極中的至少1個電極的最表面的至少一部分被金所被覆。

(18)如(17)所述之感測器，其具有含碳層、鎳層、以及鈀層中的任一層來作為位於上述最表面之層的底層。

(19)如(1)至(18)中任一項所述之感測器，其中在上述第一電極、第二電極或第三電極中的一個電極的最表面的至少一部分上形成有單分子膜。

(20)如(19)所述之感測器，其中上述單分子膜是在其表面上具有含有選自由氯、溴、硫、氮、以及氧所組成的群中的至少1種的取代基的單分子膜。

(21)一種感測器系統，其特徵在於：其具備如(4)或(5)、或者如(8)至(20)中任一項所述之感測器，以及測定此感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器。

(22)如(21)所述之感測器系統，其進而具備：電性連接上述感測器與上述測定器的連接器以及配線用部件。

(23)如(21)或(22)所述之感測器系統，其進而具備被分析液體容器。

(24)如(21)至(23)中任一項所述之感測器系統，其中在與含有上述被分析物質的液體或霧相接觸的電極或電極群以及上述連接器之間具有遮斷板，此遮斷板是用來遮斷來自含有上述被分析物質的液體的液面上部的蒸氣。

(25)如(21)至(23)項中任一項所述之感測器系統，其中上述連接器至上述電極或電極群之間的距離是設定為3mm以上。

(26)一種攜帶型感測器系統，其特徵在於：其至少具備如(4)或(5)、或者如(8)至(20)中任一項所述之感測器，測定此感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器，以及至少收容上述感測器及上述測定器的攜帶容器。

(27)如(26)所述之攜帶型感測器系統，其進而具備：收容在上述攜帶容器之中且電性連接上述感測器與上述測定器的連接器以及配線。

(28)如(1)或(2)所述之感測器，其中上述第一電極與第一配線、上述第二電極與第二配線、上述第三電極與第三配線中的至少一組，是由一體的導電性線與作為覆蓋其一部分的上述絕緣部分的有機材料所構成，並將自此有機材料露出的導電性線的一部分用作電極。

(29)如(28)所述之感測器，其中上述露出部分是由上述有機材料覆蓋的導電性線的切割面。

(30)如(28)所述之感測器，其中上述導電性線具有與上述有機材料露出的部分隔開而自上述有機材料露出的其他部分，並將上述導電性線的此其他部分用作連接端子。

(31)一種感測器，其特徵在於具有：絕緣基板，包括配置在此絕緣基板的同一面上的參照電極、對極電極、以及作用電極的電極群，與此電極群導通連接的一層以上的連接配線群，利用此連接配線群導通連接的測定用端子群。

(32)如(31)所述之感測器，其中上述參照電極是配置在上述對極電極與上述作用電極之間。

(33)如(31)或(32)所述之感測器，其中上述參照電極的最表面是由含碳層進行被覆。

(34)如(31)至(33)中任一項所述之感測器，其進而在上述絕緣基板上具有覆蓋層以及含碳層，此覆蓋層具有使上述電極群的各電極露出至外部的開口，此含碳層是形成在此覆蓋層表面、以及位於上述開口內的至少電極表面。

(35)如(34)所述之感測器，其中上述覆蓋層的各開口面積是設定為大於開口內所露出的各電極的面積。

(36)如(34)或(35)所述之感測器，其中上述覆蓋層的開口是以自上表面側向下表面側增大的方式形成的。

(37)如(34)至(36)中任一項所述之感測器，其中上述覆蓋層由單一材料所構成，且是以上表面側的開口面積小於下表面側的開口面積的方式形成的。

(38)如(34)或(35)所述之感測器，其中上述覆蓋層至少包括覆蓋膜以及黏接劑層之2層，上述黏接劑層的開口緣部與上述覆蓋膜的開口緣部位置相同，或者位於比此開口緣部更靠外側的位置。

(39)如(31)至(35)中任一項所述之感測器，其中上述作用電極及/或對極電極的最表面的至少一部分被金所被覆。

(40)如(39)所述之感測器，其具有含碳層、鎳層、以及鈀層中的任一層來作為位於上述最表面之層的底層。

(41)如(34)至(40)中任一項所述之感測器，其中在上述作用電極及/或對極電極的最表面的至少一部分上形成有單分子膜。

(42)如(41)所述之感測器，其中上述單分子膜是在其表面上具有含有選自由氯、溴、硫、氮、以及氧所組成的群中的至少1種的取代基的單分子膜。

(43)如(34)至(42)中任一項所述之感測器，其中上述絕緣基板是由有機材料所構成。

(44)一種感測器系統，其特徵在於：其具備如(34)至(43)中任一項所述之感測器，測定上述感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器。

(45)如(44)所述之感測器系統，其進而具備：電性連接上述感測器與上述測定器的連接器以及配線用部件。

(46)如(45)所述之感測器系統，其進而具備被分析液體容器，並且具有對上述被分析液體實施中和、難溶化、或者過濾處理的預處理機構。

(47)一種攜帶式感測器系統，其特徵在於：其至少具備如(35)至(44)中任一項所述之感測器，測定此感測器的電極中的2個電極之間的電壓、電流特性的測定器，以及至少收容上述感測器及上述測定器的攜帶容器。

(48)如(47)所述之攜帶型感測器系統，其進而具備：收容在上述攜帶容器之中且電性連接上述感測器與上述測定器的連接器以及配線。

(49)一種金屬離子分析方法，其特徵在於：使用如(44)至(46)中任一項所述之感測器系統，不進行預處理而直接對被分析液體進行分析。

(50)一種金屬離子分析方法，其特徵在於：使用如(46)所述之感測器系統，進行預處理並對被分析液體進行分析。

(51)如(50)所述之金屬離子分析方法，其是在中和、過濾後藉由比色法對被分析液體進行分析。

(52)一種金屬離子分析方法，其使用如(46)所述之感測器系統，其特徵在於：在中和、過濾後藉由電化學方法對被分析液體進行分析。

(53)一種金屬離子分析方法，其使用如(46)所述之感測器系統，其特徵在於：在中和、難溶化、過濾後藉由電化學方法對被分析液體進行分析。

(54)一種封裝用基板，其特徵在於具有：絕緣基板、設置在此絕緣基板上的電極群、具有使上述電極群的各電極露出至外部的開口的覆蓋層、以及含碳層，此含碳層位於此覆蓋層表面以及此開口內，此覆蓋層表面的含碳層與此電極群的至少1個電極是處於利用此開口端部而隔開的狀態。

(55)如申請專利範圍第54項所述之封裝用基板，其中上述覆蓋層的開口是以自上表面側向下表面側增大的方式形成的。

(56)如(54)所述之封裝用基板，其中上述覆蓋層由單一材料構成，且是以上表面側的開口面積小於下表面側的開口面積的方式形成的。

(57)如(54)所述之封裝用基板，其中上述覆蓋層至少包括覆蓋膜以及黏接劑層之2層，且上述黏接劑層的開口緣部與上述覆蓋膜的開口緣部位置相同，或者位於比此開口緣部更靠外側的位置。

(58)一種鍍金妨礙化學種分析方法，其特徵在於：至少使第一電極以及第二電極與鍍銅中的使用中鍍銅液接觸，在此第一、第二電極間施加隨時間變化的電壓，在可觀測到於此第一、第二電極之間流動的電流發生變化的電壓範圍內鑑定鍍金妨礙化學種，利用此電流的最大值或與此電壓相關的此電流的積分值來分析鍍金妨礙化學種的濃度。

(59)一種生成化合物的分析方法，其特徵在於：至少使第一電極以及第二電極與在用於鍍銅中的使用中鍍銅液相接觸，在此第一、第二電極間施加隨時間變化的電壓，在可觀測到於此第一、第二電極之間流動的電流發生變化的電壓範圍內，對鍍銅液中的該鍍銅使用時所生成的生成化合物進行鑑定，並利用此電流的最大值或與此電壓相關的此電流的積分值，來分析鍍銅液中的該鍍銅使用時所生成化合物的濃度。

(60)如(58)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其進而設置有以同極性或者不同極性對上述第一電極或者第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極，並使第三電極與上述鍍銅液相接觸。

(61)如(59)所述之生成化合物的分析方法，其進而設置有以同極性或者不同極性對上述第一電極或者第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極，並使第三電極與上述鍍銅液相接觸。

(62)如(58)或(60)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其中上述電壓範圍是+0.2V～+2.0V。

(63)如(59)或(61)所述之生成化合物分析方法，其中上述電壓範圍是+0.2V～+2.0V。

(64)如(58)或(60)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是將由上述鍍銅中的使用中鍍銅液所獲得的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值，減去由使用前的新建浴鍍銅液代替上述使用中鍍銅液而獲得的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值，並根據所得值對上述鍍金妨礙化學種的濃度進行分析。

(65)如(59)或(61)所述之生成化合物的分析方法，其是將由上述鍍銅中的使用中鍍銅液而獲得的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值，減去由使用前的新建浴鍍銅液代替上述使用中鍍銅液而獲得的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值，並根據所得值對上述生成化合物的濃度進行分析。

(66)如(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其中上述使用中鍍銅液與上述新建浴鍍銅液的各自溫度差保持在攝氏10度以內。

(67)如(65)所述之生成化合物的分析方法，其中上述使用中鍍銅液與上述新建浴鍍銅液的各自溫度差保持在攝氏10度以內。

(68)如(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是測定上述新建浴鍍銅液的溫度以及上述使用中鍍銅液的溫度，使用經另外途徑分析的上述新建浴鍍銅液的上述電流的最大值或電流與此電壓相關的此電流的積分值的溫度變化率，將此經分析的上述新建浴鍍銅液的上述電流的最大值或電流與此電壓相關的此電流的積分值，換算成與上述使用中鍍銅液的此溫度相對應的值，由上述鍍銅中的使用中鍍銅液的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值減去上述換算值，並根據所得值對上述鍍金妨礙化學種的濃度進行分析。

(69)如(65)所述之生成化合物的分析方法，其是測定上述新建浴鍍銅液的溫度以及上述使用中鍍銅液的溫度，使用經另外途徑分析的上述新建浴鍍銅液的上述電流的最大值或電流與此電壓相關的此電流的積分值的溫度變化率，將此經分析的上述新建浴鍍銅液的上述電流的最大值或電流與此電壓相關的此電流的積分值，換算成與上述使用中鍍銅液的此溫度相對應的值，由上述鍍銅中的使用中鍍銅液的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值減去上述換算值，並根據所得值對上述鍍金生成化合物的濃度進行分析。

(70)如(58)或(60)或(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是使用使上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(71)如(59)或(61)或(65)所述之生成化合物的分析方法，其是使用使上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(72)如(58)或(60)或(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是使用利用與上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質形成難溶性化合物的化學種，而使分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(73)如(59)或(61)或(65)所述之生成化合物的分析方法，其是使用利用與上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質形成難溶性化合物的化學種，而使此分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(74)如(58)或(60)或(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是使用利用與上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質形成難溶性鹽的陽離子，而使此分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(75)如(59)或(61)或(65)所述之生成化合物的分析方法，其是使用利用與上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質形成難溶性鹽的陽離子，而使此分析妨礙物質難溶化的鍍銅液。

(76)如(70)或(72)或(74)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其中上述難溶化是將銀離子、一價汞離子、或鉈離子添加到此液中而引起的。

(77)如(71)或(73)或(75)所述之生成化合物的分析方法，其中上述難溶化是將銀離子、一價汞離子、或鉈離子添加到此液中而引起的。

(78)如(58)或(60)或(64)所述之鍍金妨礙化學種分析方法，其是使上述使用中鍍銅液或者上述新建浴鍍銅液所含的多種分析妨礙物質階段性難溶化，並使用各階段中所獲得的鍍金液。

(79)如(70)至(77)中任一項所述之鍍金妨礙化學種或生成化合物的分析方法，其是在預處理後進行分析，上述預處理是選自使上述使用中鍍銅液以及上述新建浴鍍銅液所含的分析妨礙物質難溶化的沈澱及/或過濾的處理。

(80)一種混合液中的一價銅化學種的分析方法，其特徵在於：使第一電極、第二電極與含有作為分析對象的一價銅化學種以及分析對象外的其他2種以上的化學種的混合液及/或其霧接觸，在此第一、第二電極之間施加隨時間變化的0.2V～2.0V的電壓範圍，在可觀測到於此第一、第二電極之間流動的電流的最大值的電壓範圍內鑑定此混合液中的一價銅化學種，並利用此電流的最大值或與此電壓相關的此電流的積分值來對此混合液中的一價銅化學種的濃度進行分析。

(81)如(80)所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是使混合液所含的分析妨礙物質難溶化，在此第一、第二電極之間施加隨時間變化的0.2V～2.0V的電壓範圍，在可觀測到於此第一、第二電極之間流動的電流的最大值的電壓範圍內鑑定此混合液中的一價銅化學種，利用此電流的最大值或與此電壓相關的此電流的積分值來對此混合液中的一價銅化學種的濃度進行分析。

(82)如(80)或(81)所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其除上述第一電極以及第二電極以外，進而設置有以同極性或者不同極性供給上述第一電極或者第二電極的電位的至少一部分的第三電極，並使上述第三電極與上述混合液相接觸。

(83)如(80)至(82)中任一項所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是將由上述混合液所獲得的上述電流的最大值或者與此電壓相關的此電流的積分值，減去使用參考液代替上述混合液而獲得的上述電流的最大值或者積分值，並根據所得值對上述混合液中的一價銅化學種的濃度進行分析。

(84)如(83)所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其中上述參考液與上述混合液的各自溫度差保持在攝氏10度以內。

(85)如(83)所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是測定上述參考液的溫度以及上述混合液的溫度，使用經另外途徑分析的參考液的上述電流的最大值或電流與此電壓相關的此電流的積分值的溫度變化率，將此經分析的上述參考液的上述電流的最大值或電流的積分值換算成與上述混合液的此溫度相對應的值，由上述混合液的上述電流的最大值或者積分值減去上述換算值，並根據所得值對上述一價銅化學種的濃度進行分析。

(86)如(80)至(83)中任一項所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是使用利用與上述參考液或者上述混合液所含的分析妨礙物質形成難溶性化合物的化學種，而使此分析妨礙物質難溶化的上述混合液。

(87)如(80)至(83)中任一項所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是使用利用與上述參考液或者上述混合液所含的分析妨礙物質形成難溶性鹽的陽離子，而使此分析妨礙物質難溶化的上述混合液。

(88)如(86)或(87)所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其中此難溶化是將銀離子、一價汞離子、或鉈離子添加到此液中而引起的。

(89)如(80)至(83)中任一項所述之混合液中的一價銅化學種的分析方法，其是在預處理後進行分析，上述預處理是選自使上述參考液或上述混合液所含的分析妨礙物質難溶化的沈澱及/或此沈澱所產生的沈澱物的過濾的處理。

此外，本發明的說明中所使用的「分析」，意指定性地判定有無欲知的化學種，及/或定量地判定欲知的化學種的濃度的增減。

[發明效果]

根據本發明的感測器，藉由使配線絕緣而使電極與配線的作用分開，結果電極面積不受在感測器的分析對象液、霧、氣體中的浸漬深度、角度等影響而為固定面積。因此，可提高定量分析的再現性。

另外，藉由設置有機絕緣部分可提供廉價的感測器。

在使用有機基板時，藉由利用有機覆蓋層使配線部分絕緣以及規定開口面積的有效電極面積的設計性，可利用稱為有機覆蓋層的一層有機部件來同時實現電極面積的設計性再現性、以及配線之間的絕緣。

根據本發明的感測器系統，其具備上述感測器，並且可高效且一體聯動地操作預處理步驟。

根據本發明的另一形態的感測器，藉由製成利用有機材料進行絕緣被覆的線結構，可獲得富有柔軟性、彎曲性的感測器。可沿配線均勻保持配線之間的絕緣，亦可確保電流的耐洩漏對策。至於電極的形成，可在導電性線的截面上，亦可將導電性線裝載於平面上，利用雷射除去有機材料的被覆，而使電極露出等，其在少量生產至大量生產中均可靈活地應對。亦可有效利用現有的線零件、電纜(cable)等，並可滿足靈活的系統設計。

根據本發明的又一形態的感測器，可提供一種在感測器用的絕緣基板上具有電極部結構的感測器，此電極部結構並不特別需要耐化學化學試劑性以及耐熱性，並且並不特別需要在含碳層的形成時為了確保電極間的絕緣性而對準位置並進行遮蔽的步驟。更具體而言，感測器用基板可選定如下製成：以可滿足真空製程的具有耐熱性及/或具有耐化學化學試劑性的有機材料為首，且包括無法滿足這些特性的全部有機材料在內的多層化製程。另外，不需要在形成含碳層時為了確保電極之間的絕緣性而對準位置並進行遮蔽的步驟。因此，可製造高效率及高精度的基板。利用此含碳層，可獲得可抵禦來自基板的污染，並且可承擔在複雜系統的分析中需要真空製膜時的微細電極形成的有機基板。

另外，被覆參照電極表面的含碳層可發揮穩定基極電流(base current)及穩定參照電極電位的作用。並且，被覆作用電極的含碳層，可藉由蒸鍍或濺鍍、或者印刷或噴墨法等的方法，以固定且偏差小的面積形成單獨成分或複合成分的金屬層。另外，此種固定且偏差小的面積是藉由防止分析液侵入至電極與絕緣材料的界面而使電極面積發生變化而實現的。由此，可製造可在同一基板上進行重複測定的具有耐久性的電極。

另外，在複雜系統的分析中，若改變面積而形成多個形成有單分子膜的作用電極，並進行多點分析，則藉由對達到所得電位或特定電位的時間變化進行分析，可在更大範圍的濃度下進行分析。特別是在必須形成微細電極，而可分析更微量的物質的情況下，必須製成可應對金的蒸鍍或濺鍍等真空製膜的基板。此有機基板由於形成有具有耐熱性的含碳層，故而可進行金的蒸鍍或濺鍍，並提供了有機基板所無法實現的導入真空製膜的解決方法。在進行此真空製膜時，藉由在底層被覆含碳層，可使有機基板的配線以及電極的表面粗糙度平坦化，亦可使單分子膜的表面電位激發活性化。

根據本發明的感測器系統，可提供具備上述感測器，並可一體聯動且高效地操作預處理步驟的感測器系統。

根據本發明的攜帶式感測器系統，可提供具備上述感測器，可攜帶至所需場所，並且在此場所，即使少量的分析液亦可在較短時間內簡便地進行分析操作的攜帶式感測器系統。

根據本發明的金屬離子分析方法，可提供可較簡單且再現性良好地自存在多種金屬離子或分析妨礙物質的複雜系統中分析一價銅化學種的分析方法。另外，本發明具有在複雜系統的分析中，即高精度的分析中，簡化煩雜的預處理作業的效果。即，可省略在複雜系統的分析中，即高精度的分析中不可或缺的煩雜的預處理作業。並且可提供特別是在一價銅的分析中，將電化學方法、比色法加以組合來進行定性、定量的金屬離子分析方法。

本發明的封裝用基板，可藉由覆蓋層的後縮結構，而形成在同一步驟中的電極上形成含碳層時，使欲確保絕緣性的電極與覆蓋層表面的含碳層之間完全斷開的結構，並且具有覆蓋層表面獲得被覆的結構。其中，可形成用於改善連接電極與連接器的套筒部、打金線(Gold-Wire Bonding)等先前半導體晶片封裝的特性的電極。即，可大幅減輕被鍍敷液污染的金電極對清洗管理的負擔。被覆在覆蓋層表面的黑色含碳層，藉由光反應可抑制引導配線所激發的微小電流的產生，並在施加有高速切換(switching)訊號的封裝基板中，可利用含碳層來減弱切換雜音，因此，可確保雜訊範圍(noise margin)。

根據本發明的鍍金妨礙物質的分析方法或者生成化合物的分析方法，可較簡單且再現性良好地自存在大量2價銅或分析妨礙物質的鍍金液中分析出所含的鍍金妨礙化學種、鍍金液在使用過程中所產生的生成化合物。

根據本發明的一價銅化學種的分析方法，亦可廣泛且有效地分析其他金屬離子，不僅如鍍敷液的工業性化學試劑類可成為分析對象，環境中的土壤分析或醫療健康領域的與離子相關的成分亦可成為分析對象。

本發明的感測器之特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使此第一、第二配線互相絕緣及使此第一、第二配線與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，此絕緣部分由有機材料構成，此第一、第二電極的至少與含有此被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有此被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成。

應用本發明的感測器的金屬離子感測器(有時僅簡稱為離子感測器)的最簡單的結構，是至少包含第一、第二電極，以及與第一、第二電極導電連接且被由有機材料構成的絕緣部分覆蓋的第一、第二連接配線。在本實施形態中，更加詳細地說明具有用相同符號或者不同符號供給的第三電極，以及與第三電極導電連接且被有機絕緣部覆蓋的第三連接配線的構成的離子感測器。第三電極的至少與含有此被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面。是由不溶於含有此被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成。雖然對數個感測器的例子及本發明的分析方法的實施例一同進行了揭示，但分析方法及這裏所揭示的感測器未必為固定組合，多數情況是實施例的分析方法使用其他感測器亦可實施。

以下進一步詳細地說明的離子感測器具有：絕緣基板，配置在此絕緣基板的同一面上的包括第一、第二、第三電極的電極群，與此電極群導通連接的一層以上的連接配線群，利用此連接配線群導通連接的連接端子或測定用端子群。另外，實際上多數情況是將第一、第二電極稱為作用電極、對向電極，並將第三電極稱為參照電極。

更詳細而言，進而在上述絕緣基板上具備具有使上述電極群的各電極露出至外部的開口的覆蓋層，此覆蓋層表面與位於上述開口內的至少電極表面形成有含碳層。形成含碳層之前的結構已是本發明的實施形態，由有機覆蓋層以及有機絕緣基板包圍此連接配線而成的部分，成為連接配線的由有機材料構成的絕緣部分。

以下對此形態進行說明。

本發明的感測器所用的有機絕緣材料，如上所述並無特別限定，特別是可使用聚醯亞胺、環氧、液晶聚合物等的有機材料。特別適合使用的有機絕緣材料中，較好的是液晶聚合物或鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)。

用於本發明的感測器的配線材料可使用：電解銅箔，壓延銅箔，銅薄膜，在上述箔或膜上鍍金、濺鍍或蒸鍍金等而成的材料，銅線，金線，銀線，鉑線，鉑與銥(iridium)的合金線。對於配線基板可應用減成法(subtractive)、加成法(additive)、配線轉印法等製程。另外，絕緣材料可使用半硬化及/或硬化的熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱塑性樹脂等。

熱硬化性樹脂可使用：選自環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪(bismaleimide triazine)樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰基丙烯酸酯(cyanoacrylate)樹脂、酚(phenol)樹脂、不飽和聚酯(polyester)樹脂、三聚氰胺(melamine)樹脂、脲樹脂、聚異氰酸酯(polyisocyanate)樹脂、呋喃(furan)樹脂、間苯二酚(resorcinol)樹脂、二甲苯(xylene)樹脂、苯代三聚氰胺(benzoguanamine)樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯(diallyl phthalate)樹脂、矽氧改質環氧樹脂、矽氧改質聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene)樹脂等中的1種以上；以及將上述熱硬化性樹脂與視需要的其硬化劑、硬化促進劑等進行混合，再對所得混合物進行加熱而成的半硬化狀態的組成物、或者硬化狀態組成物。

光硬化性樹脂可使用：選自不飽和聚酯樹脂、聚酯丙烯酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、矽丙烯酸酯樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂等中的1種以上；以及將上述光硬化性樹脂與視需要的其光起始劑、硬化劑、硬化促進劑等進行混合，再對所得混合物進行曝光或加熱而成的半硬化狀態的組成物、或硬化狀態組成物。

熱塑性樹脂可使用：選自聚碳酸酯(polycarbonate)樹脂、聚碸(polysulfone)樹脂、聚醚醯亞胺(polyetherimide)樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、四氟聚乙烯(polyethylene)樹脂、六氟聚丙烯樹脂、聚醚醚酮(polyetheretherketone)樹脂、氯乙烯(vinyl chloride)樹脂、聚乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)樹脂、聚氧苯甲酸酯(polyoxybenzoate)樹脂、液晶聚合物等中的1種以上；以及將上述若塑性樹脂與視需要的其硬化劑、硬化促進劑等進行混合，再對所得混合物進行加熱而成的半硬化狀態的組成物、或硬化狀態組成物。

以上的絕緣樹脂可為包含不同種類樹脂的混合物的絕緣樹脂組成物，並且絕緣樹脂組成物可包含矽土或金屬氧化物等無機填料(filler)作為填充劑。無機填料可為鎳、金、銀等的導電粒子，或者鍍敷有此等金屬的樹脂粒子。另外，亦可為含浸在玻璃纖維的織布、不織布等中而成的填料。

其次，根據圖式對本發明的感測器的電極結構進行說明。但本發明不受這些形態的任何限定。在本發明的技術思想範圍內的變更及其他形態均包括在本發明中。

圖1是表示應用本發明的金屬離子感測器10，基本上是一次性使用的基板的配線圖案圖。圖中所示的符號C、R、W分別表示對極電極、參照電極、作用電極(相當於第二電極、第三電極、第一電極的實施例)。此符號的所附帶的數字1～5是CRW的組號，是電流電壓特性、或電壓測定中所使用的電極的構成例，此等組成1組電極群。在圖1中，電極群配置有5組，各電極可為圓形狀，可為矩形，亦可為任意形狀。引導配線(配線用部件)14自各電極引導至與基板的端部的連接器嵌合而連接的測定用端子(連接端子)16，在其與電極相連接時，通常形成楔(taper)形來緩和應力，而防止斷線。另外，由於此引導配線14穿過電極之間，故而在固定大小的基板上，若電極數變多、或電極間距(pitch)變窄，則由於必須增加穿過電極間的配線數，因此必須使配線寬度以及配線的間隙變窄。因此，確保引導配線間的絕緣性變得極為重要。例如可在銅蝕刻後，形成直接(direct)鍍金層來進行配線形成。

對於參照電極、作用電極、對極電極的配置，較好的是將作用電極與對極電極分離並在其間放置參照電極。若以此方式進行配置，則可增大電流值，並有助於提昇靈敏度。例如在圖36中，分別使用R3、C3、C2來作為參照電極、對極電極、作用電極的情況相當於此配置。

圖2是用以對嵌入感測器部所使用的基板的連接器進行表面封裝的圖案。20為連接器封裝端子部(連接端子)，22為對連接於測定器的配線-部件進行封裝的端子部，24為自連接器封裝端子部20引導至端子部22的配線。在圖2中，不使用的連接器封裝端子部20以中空表示，另外引導配線24雖僅指出1條作代表，但自連接器封裝部20連接至端子部22的線為引導配線24。如此可容易地理解：增加電極時，若不將採用此種連接器的基板多層化，則實際上難以進行多點分析。

在沿圖1所示的A-A線的方向進行切割時，將可觀測到的截面示於圖4。雖於下文對配線進行說明，但配線較好的是在銅蝕刻後，在表面上形成直接鍍金層。在形成直接鍍金層後，用圖3所示的覆蓋層30被覆電極部及其周圍部、以及僅嵌合連接在連接器上的端子部露出的配線的表面。覆蓋層30具有使電極群的各電極露出至外部、並與各電極相對應的開口32。在圖3中，關於覆蓋層30，其各開口32比露出的電極的面積大而設定在外側，且各開口稍大於電極(沿面為200μm，直徑較大為400μm)。有時將此種沿面稱為沿面距離或間隙(clearance)。其相互關係因利用下述的含碳層覆蓋電極整體，故而較好。

但是，此時由於配線與電極連接的部分的一部分未被上述覆蓋層被覆，故而有此部分亦發揮電極作用的擔憂，因此為了嚴格規定電極面積，上述開口32的端部是以位於上述電極的內側的方式而形成的。

在本發明中，覆蓋層由絕緣性有機材料所構成，可列舉由單一材料構成的形態，以及由覆蓋膜、黏接劑層構成的形態，由單一材料構成的形態的材料，可較好地使用液晶聚合物。

在由覆蓋膜、黏接劑層構成的形態中，覆蓋膜可使用聚醯亞胺膜、液晶聚合物單體等，更具體而言，可使用：NIKKAN工業製造的CISV1215、Japan Goretex公司製造的STABIAX或BAIC-C等。

黏接劑層所用的樹脂可列舉：丙烯酸系樹脂系黏接劑或環氧樹脂系黏接劑、液晶聚合物單體等，可較好地使用液晶聚合物單體。

覆蓋層的厚度較好的是與連接器的厚度進行整合，例如嵌合於連接器中的基材厚度為200μm±30μm時，則覆蓋層的厚度較好的是100μm～200μm。而且，此基材厚度為300μm±30μm時，覆蓋層的厚度較理想的是150μm～300μm。

如此，利用覆蓋層被覆的原因不僅在於保護引導配線，由於在分析時是浸漬在液體中，因此當然亦是為了防止配線之間的電流洩漏。圖5表示將形成有絕緣基板40的電極等的面用覆蓋層30被覆的截面。此時，不用如熨斗(iron)般的重物施加相對較重的負重即可進行黏接。但是，引導配線14自表面露出為凸形狀，故而必須用覆蓋層30填充配線間隙，因此較理想的是以規定的時間施加規定的溫度、壓力。然而，在如上所述的製造步驟中，覆蓋層的黏接劑層會滲出。將圖5的開口的左側放大，並將其狀態示於圖6。此種滲出可能會污染電極表面，有時會導致良率降低。

另外，如圖4所示，貼附有黏接劑44以及增強基材42，此時，在此等的界面上殘留有微小空氣(air)時，在貼附覆蓋層30時此空氣會發生膨脹，增強基材42有時會剝離，其亦會導致良率降低。為了防止黏接劑滲出而污染電極表面，較好的是增大間隙。較理想的是如圖7所示，若在配線轉印至絕緣基板40內時，則與貼附於平坦表面的條件相比，無須增加埋入配線間隙所必需的壓力或溫度即可大幅減少滲出量。或者，預先將附有黏接劑30B的覆蓋膜30A乾燥後進行黏接，藉此亦可應用流量更少的被覆條件。

另外，為了防止增強基材42剝離，較好的是將配線轉印至絕緣基板40內。若如此，則無須達到利用覆蓋層30來埋入配線間隙所必需的壓力或溫度，故而可防止會導致剝離的空氣膨脹。

另外，此外為了防止黏接劑的滲出，較好的是使覆蓋層30的黏接劑層30B選擇性地自開口緣部進行規定量的後縮(回蝕)。換言之，較好的是黏接劑層30B的開口緣部位於比覆蓋膜30A的開口緣部更靠外側。將此時的狀態示於圖8。或者，可以自上表面側向下表面側增寬的方式形成覆蓋層的開口。另外，在由單一材料構成覆蓋層時，較好的是在上表面側形成的開口面積小於在下表面側形成的開口面積。

回蝕的處理可根據以下順序來實施。

例如，在黏接劑層的層厚為15μm時，為了充分地確保絕緣性，必須自黏接劑層的開口緣部回蝕至少15μm的寬度。將此結構所對應的最佳處理方法的一例示於如下。

(1)基板的水洗，(2)後續的處理前根據滲出量而將其浸漬於DMF中(處理5分鐘)，(3)在30g/L～60g/L高錳酸鉀、20g/L～40g/L氫氧化鈉的溶液中，在室溫～90℃、較理想的是60℃下，浸漬5分鐘～60分鐘、較理想的是20分鐘，(4)水洗，(5)由於(3)的處理為鹼性，故而在0.3N(8ml/L)硫酸中浸漬5分鐘而進行中和，(6)拉出(dragged out)(水洗)，(7)流水清洗，(8)在100℃下乾燥5分鐘。

如以上所述，可用化學試劑使黏接劑層後縮，亦可在打槽加工中預先鑿去黏接部面。而且，不利用化學試劑進行後縮的較好的機械方法中，極為有效的是如下方法：準備2片覆蓋層，相對於配置在外側的覆蓋層的開口徑而增寬下側的覆蓋層的開口。

另外，由覆蓋膜及黏接劑層構成覆蓋層時，覆蓋膜極為有效的是Japan Goretex公司製造的液晶聚合物膜BIAC-C，黏接劑層極為有效的是流動性小的日立化成工業製造的KS-7003、KS-6600-7F。

另一方面，本發明者等進行潛心研究，結果發現：在以上的結構中，若在形成有覆蓋層的基板表面形成含碳層，則可確保多個開口電極部之間的絕緣性。即，其原因在於：利用經回蝕的部分，可使形成於覆蓋層表面的含碳層、與形成於電極表面的電極表面層絕緣。

形成含碳層的方法較好的是蒸鍍。對於蒸鍍，特別好的是在100℃以下可製膜的使用此離子團束的稱為Tough Carbon的碳蒸鍍法(參照專利第3660866號)。含碳層的層厚越厚越好，兼顧到成本等，較好的是0.1μm～1μm，更好的是0.3μm以上。若含碳層的層厚為0.1μm以上，則即使電化學方法對形成配線的底層(銅、金等)的影響亦極少，且作為參照電極較穩定，最適合參照電極的小型化。

而且，為了有效的生產，較好的是利用噴墨法來進行印刷漿料的塗佈。印刷漿料可應用日本專利特開2006-147202號公報、日本專利特開2007-165708號公報、日本專利特開2007-165709號公報所揭示的技術及漿料。具體而言，可較好地使用日立化成工業製造的碳漿料。另外，其印刷方法亦可應用使用注射器的塗佈方法。硬化溫度為160℃～210℃，可根據基材的耐熱性進行適當地設定。

另一方面，在利用交互積層法進行浸漬的方法、或利用碳漿料進行印刷的方法中，含碳層會形成於回蝕結構部。因此，若使用積水化學工業股份有限公司等製造的大氣電漿(atmospheric plasma)裝置，或者使用電漿處理裝置，並利用氧氣及/或氬氣(argon)、及氧氣-氬氣混合的電漿處理，將表面剝蝕(ablation)，藉此進行親水化，再形成含碳層，則在回蝕部不會形成含碳層，從而可確保形成於覆蓋層表面的含碳層與形成於電極表面的電極表面層的絕緣性。此時，在將表面剝蝕前，較好的是進行疏水處理。疏水處理例如可使用HMDS(六甲基二矽胺烷(hexamethyl disilazane))或含氟塗佈劑。

如以上所述，將被覆有含碳層50的狀態示於圖9。在圖9中，含碳層50形成在覆蓋層30的整個表面上，在開口內，形成在電極C5的表面及絕緣基板40的表面上。此外，如圖9所示，含碳層50在覆蓋層30的開口與電極C5的邊緣部之間存在間隙時，可形成在絕緣基板40的表面上；無間隙時可不形成在絕緣基板40的表面。即，含碳層50在覆蓋層30的開口內，至少形成在電極表面上。

另一方面，較好的是上述第一電極、第二電極或第三電極的至少1種電極、具體而言上述作用電極及/或對極電極的最表面的至少一部分被覆有金。其是基於以下原因。即，進行回蝕時，可形成連接於電極部的引導配線的楔形部或引導配線露出的部分。若如此，則將覆蓋層被覆後，進行鍍金而製作基板時，銅配線會露出。其不僅有可能成為在分析中引起銅離子變動的主要妨礙因素，而且在分析中亦可能發生斷線，故而較好的是在將覆蓋層被覆前進行鍍金。鍍金較好的是直接鍍金。更好的是鍍鎳/金，特別是鍍鎳/鈀/金。其理由在於：可抑制因金與銅的相互擴散而造成的合金化、在表面電極上形成氧化膜，並可將金電極的表面維持為更穩定的純金。根據本發明，可在形成銅配線後，被覆覆蓋層前的銅圖案上，或被覆覆蓋層後所露出的電極部的銅圖案上直接進行碳被覆。在本發明中，考慮到引導配線與電極面在同一面的情況，可在鍍敷於銅配線上的金表面設置含碳層，並在含碳層上藉由金蒸鍍設置純金電極。但是，在此情況下，未被含碳層被覆的鍍金部分的露出，亦可能成為妨礙分析的主要因素。因此，如圖10所示，較好的是，僅電極18露出至表面，並且至少引導配線14形成在絕緣基板40的內部。另外，暫時自表面向內部層形成引導配線14，並在中途將此引導配線14引導至表面層時，此表面配線與電極一同轉印至絕緣基板40內的結構可有效地抑制黏接劑層30B滲出至間隙部，並且亦可有效地抑制引導配線之間的電流洩漏，較好的是如圖11所示的截面結構。更好的是如圖12所示，埋入連接用導體15的表面直接成為電極，這對電極的微小化、或節省步驟亦有利，故而更好。此外，埋入連接用導體的表面除了為直接測定用電極(作用電極、參照電極、或者對極電極)以外，亦可為連接器連接部。測定用電極群與連接器連接部不必在同一平面內，位於表面背面的情況在蒸鍍時可減輕遮罩設計的負擔，故而較好。此種結構中，特別是在以埋入有配線或電極的結構將配線層形成為多層時，可根據以日本專利再表2003/056889號公報所揭示的發明為代表的相關發明來製造。另外，亦可應用廣為人知的使用雷射打孔或填充鍍銅的增層法。

以上揭示了最表面被覆有金，並具有含碳層作為其底層的構成，但位於最表面的層的底層亦可為鎳層、鈀層，此與上述情況相同。

將多層配線的例子示於圖13及圖14。在至少位於最表面的測定用電極以及連接器連接部上配置有埋入連接用導體15的表面的構成，如圖13所示，是配置連接用基板藉由研磨而露出的埋入連接用導體15的表面而成的。此外，在圖13中，埋入連接用導體15與電極18的界面(埋入連接用導體15為上側、電極18為下側時)為銅/鎳/銅，埋入連接用導體15的最表面為直接鍍金，電極18與埋入連接用導體15的界面(電極18為上側、埋入連接用導體15為下側時)為直接鍍金/直接鍍金接合。

另一方面，在將轉印配線配置在測定用電極以及連接器連接部上的情況下，如圖14所示，可形成使連接用基板的連接用導體15的表面相對的構成。另外，在圖13及圖14中，對與圖4～圖12中所示的構成要素實質上相同的構成要素是賦予相同的符號。

被覆圖13及圖14中的覆蓋層30，可使用圖中所示的附有黏接劑層30B的覆蓋膜30A(聚醯亞胺)，但較好的是，全部用液晶聚合物製作絕緣基板，同樣地用液晶聚合物製作覆蓋層，使用打槽裝置將其鑿去，而預先製作後縮部分後，在批次積層後，例如在250℃～300℃間的條件下，用真空壓製貼附5分鐘。即，可製作全部使用液晶聚合物的基板來作為絕緣基板。或者較有效的是，準備2片覆蓋層，相對於配置在外側的覆蓋層的開口徑而增寬下側的覆蓋層的開口。以此種方式製作的後縮結構、或應用含碳層形成的結構，與圖8、圖9所示的結構本質上相同。在準備覆蓋層後，可以多片成批打孔的方式分別對外側的覆蓋層、下側的覆蓋層進行開口，因此與化學試劑處理相比，其生產性可獲得飛躍性地提昇。如此，覆蓋層上具有後縮結構且含碳層至少形成在電極上的基板，亦可用至今為止的封裝基板。

(單分子膜)

就感測器的靈敏度或提高選擇性、以及提高與電極剝出時相比表面塗佈性或耐久性的改善效果的觀點而言，較好的是在上述作用電極的最表面的至少一部分上形成有單分子膜。

上述單分子膜較好的是，在其表面上具有含有選自由氯、溴、硫、氮、以及氧所組成的群中的至少1種取代基的有機分子膜。具體可列舉：形成於金上的具有烯烴(olefin)、羧酸(carboxylic acid)、胺(amine)、醯胺、吡咯(pyrrole)類取代基的單分子膜，或者在碳上共價鍵結具有上述取代基的有機分子的單分子膜，其中較好的是具有烯烴、吡咯類取代基的單分子膜。

形成單分子膜有如下方法：使用利用金與硫醇(thiol)或二硫化物(disulfide)的金-硫共價鍵形成反應的方法；以及使在碳上導入有溴、氯之鹵素(halogen)的表面，與硫、氧等硫族元素(chalcogen)、或者氮或碳進行共價鍵結的方法。此等單分子膜是在藉由浸漬的溶液反應中，特別是與金的自組化反應中形成的。

<感測器系統>

接著，對本發明的感測器系統進行說明。本發明的感測器系統之特徵在於：其具備已述的本發明的感測器，測定上述感測器的電極中至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器、換言之是對來自上述感測器的分析資訊進行定量(分析)的測定器，視需要將上述感測器與上述測定器進行電性連接的連接器及配線用部件，對被分析液體實施中和、難溶化、或過濾的處理的預處理機構，以及用於進行此預處理的被分析液體容器。

本發明的感測器系統中的測定器可使用循環伏安法用測定器。另外，連接器、配線用部件、以及被分析液體容器並無特別限定，可使用此領域中通常使用的連接器、配線用部件、以及被分析液體容器。對於預處理機構於下文進行說明。

<攜帶式感測器系統>

另一方面，本發明的攜帶式感測器系統，其特徵在於：至少具備已述的本發明的感測器，測定此感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器，至少收容上述感測器以及上述測定器的攜帶容器。

此外，本發明的攜帶式感測器系統可藉由將電性連接上述感測器與上述測定器的連接器以及配線收容在上述攜帶容器內而用於攜帶，藉此進一步提昇其便利性。

圖41是表示本發明的攜帶式感測器系統的一例的立體圖。圖41所示的攜帶式感測器系統100是使用可攜帶的手提箱(trunk case)102作為攜帶容器的例子，手提箱102由本體、以及經由鉸鏈(hinge)而與此本體結合並可開閉的蓋部所構成，圖41表示手提箱102打開的狀態。手提箱102的本體中收容有：進行測定器的指令訊號、資料處理的筆記型電腦104，滑鼠(mouse)106，AC適配器(adapter)108，以及其他電纜類等。另外，在此筆記型電腦的下部收容有測定器。另外，在蓋部的內側設置有附件收容用袋(pocket)110，附件收容用袋110中收容有：感測器基板、上述測定器的電化學測定用控制器(controller)(為軟體備份(software backup)，可安裝(install)在筆記型電腦中)、連接器以及配線、其他測定所必需的機材(附件：例如手套、保護眼鏡)、分析時所使用的添加劑(例如硝酸銀溶液)等。此外，將手提箱102是設計成：在關閉蓋部時，收容附件類的附件收容用袋110不會與筆記型電腦104相接觸。另外，在筆記型電腦的下部設置有收容測定器的空間，經由隔熱材料及/或衝擊吸收材料，可吸收搬運中的振動。另外，亦考慮到吸收測定時的放熱。

將攜帶式感測器系統100攜帶至測定現場，在測定時打開手提箱102，取出收容在內側的附件收容用袋110中的感測器基板、測定器、此測定器的電化學測定用控制器、以及連接器及配線等，經由連接器及配線將筆記型電腦104、測定器、以及感測器基板相連接。筆記型電腦104可自本體取出而進行使用，亦可在收容在本體中的狀態下直接使用。另外，在無法確保家用電源的場所中，由於無法使用AC適配器108，故而筆記型電腦104可利用內藏電池(battery)來運轉，另外，可使用上述內藏電池向測定器等供電。此時，在測定器與筆記型電腦104之間，是經由USB接口(USB interface)來接收發送來自軟體的指示或資料，可由此USB接口進行供電。

即，攜帶式感測器系統100是將測定所必需的物件全部收容在手提箱102中，另外，若使此手提箱102的蓋部處於關閉狀態，則可自由轉移，由於可攜帶至所期望的場所，因此可在此場所自由地進行測定。另外，在圖41中，雖揭示了使用手提箱作為收容容器的例子，但本發明並不限定於此，只要為可收容上述各機材，並可攜帶的容器即可。已述的本發明的感測器系統為標準的系統構成，總重量為8Kg左右，在本發明的攜帶式感測器系統中，由於可進一步大幅度縮小手提箱、筆記型電腦、測定器，故而可容易地實現相當輕的重量(例如2Kg或2Kg以下)。

本發明的攜帶式感測器系統，在使已述的本發明的感測器系統變得可攜帶的方面有所不同，對本發明的感測器系統中所說明的測定器等的說明、或對使用本發明的感測器系統可進行的分析方法的說明，可直接視為本發明的攜帶式感測器系統的說明。因此，本發明的攜帶型感測器系統，在可使用本發明的感測器系統來進行的測定、分析中，在現場觀察便可取得欲獲得的資料。

(預處理機構)

以下，以一例來說明用以定量一價銅化學種的預處理機構，但本發明不受其任何限定。在本發明的技術思想的範圍內的變更以及其他形態亦全部包括本發明中。

在對一價銅化學種進行定量時，較為重要的技術是利用各種方法對其混合液進行預處理。

化學性預處理提出有圖15及圖16所示的2種使硫酸銅(CuSO₄ )難溶化的方法。即，1種方法如圖15所示，是在利用氫氧化鈉進行中和處理後，藉由利用硫化鈉使硫化銅難溶化而提取一價銅離子的方法；另一方法如圖16所示，是利用過量氫氧化鈉使氫氧化銅難溶化的方法。所得固體可藉由棉或適當的多孔徑過濾器進行過濾，並根據如下所述的各步驟對此過濾液進行分析，藉此可在減輕過量或微量存在於混合液中的分析妨礙物質的影響的情況下檢測一價銅離子的存在量。

過濾的形態可使用圖17所示的雙峰型套組。材質是對具有耐熱性的聚丙烯樹脂進行加工。

圖17所示的雙峰型套組為如下構成。被分析液體容器即料缸62是在裝入被分析液體後，用以裝入中和劑、難溶化劑的容器，或者用以裝載預先將中和劑、難溶化劑膠囊(capsule)化而獲得的膠囊的容器。活塞(piston)68是在進入此被分析液體容器即料缸62的液體的反應結束後，進行下壓而將液體送至過濾器66的部件，亦可為視需要賦予破壞製成的膠囊的功能的部件。通過過濾器66而獲得過濾的液體，進入被分析液體容器即料缸64後，將附有感測器10的活塞70下壓。氣孔65是用以防止此時液體逆流的空氣排出孔。

另外，在圖17所示的雙峰型套組中，亦可使用省略過濾器部而簡化為獨立的2個料缸。圖18(A)是表示此形態的立體圖。圖18(A)所示的套組是在作為溫度控制槽的托盤(tray)94的內底面設置有用以裝載2個料缸的穴(凹部)，在圖18(A)中，料缸90、92是以嵌入此穴中的狀態進行裝載。如圖18(B)所示，在料缸90的內壁面上設置有2條延伸至底面的缺口90A，感測器基板10的兩邊緣部嵌入2條缺口90A中而獲得導向固定。另外，料缸92雖未作圖示，但亦可以同樣方式設置缺口。

由於托盤18為槽狀，故而可裝滿液體等，例如藉由裝滿冷水可冷卻所裝載的料缸。因此，例如即使在將溫度相對較高的鍍敷液倒入至料缸時，利用裝滿托盤18的冷水亦可在早期將鍍敷液冷卻至溫度隨時間變化較小的溫度區域。圖42是用圖表來表示使用圖18(A)至圖18(B)所示的套組，利用冷水將進入料缸的分析液冷卻的情況以及不進行冷卻的情況下的分析液的溫度隨時間變化的圖。根據圖42，將對分析液進行冷卻的情況與不進行冷卻的情況進行比較可知：前者達到溫度隨時間變化較小的25℃的時間是後者的一半，即5分鐘。因此，可縮短到達分析時的等待時間。另外，在圖18(A)至圖18(B)中，雖設置有2個料缸，其個數並無限定，可設定為任意個。另外，用於冷卻的媒體並不限定於冷水，亦可使用其他冷卻媒體。

此外，在下述實施例中，適當使用此套組。

<金屬離子分析方法>

接著，對本發明的金屬離子分析方法進行說明。本發明的金屬離子分析方法有：使用已述的感測器系統，不進行預處理而直接分析被分析液體的形態；以及進行預處理後再分析被分析液體的形態。

後者的進行預處理後再分析被分析液體的形態中，較好的是以下述任一種方式進行分析：(1)在中和、過濾後藉由比色法分析被分析液體，(2)在中和、過濾後藉由電化學方法或表面電位測定法分析被分析液體，(3)在中和、難溶化、過濾後藉由電化學方法或表面電位測定法分析被分祈液體，(4)在難溶化、過濾後藉由電化學方法或表面電位測定法分析被分析液體，以及(5)在難溶化後藉由電化學方法或表面電位測定法分析被分析液體。

關於中和、難溶化，與參照已述的圖15及圖16所說明的內容相同。

(比色法)

以下，以一例來說明用以分析一價銅化學種的比色法，但本發明不受這些任何限定。在本發明的技術思想範圍內的變更及其他形態亦全部包括本發明中。

在對一價銅化學種進行定量時，較為重要的技術是根據液體的顏色變化來定性地辨明在分析對象混合液中有無一價銅化學種的存在。

根據圖16所示的難溶化的方法，如圖19所示，對含有0.1mM～2.0mM的一價銅離子的硫酸銅(CuSO₄ )的酸性溶液進行處理，觀察顯色差異。即，若在酸性溶液中添加過量的4當量氫氧化鈉，則硫酸銅(CuSO₄ )以氫氧化銅(Cu(OH)₂ )的形式自溶液中難溶化。將其用棉或孔徑約為1μm的過濾器進行過濾，在所得溶液中添加硫化鈉。根據本發明者等的研究，藉由本比色法，可確認約1mM以上的一價銅離子的存在。

<循環伏安法以及表面電位法(電化學方法)>

以下，以一例來說明用以定量一價銅化學種的電化學方法，但本發明不受這些任何限定。在本發明的技術思想範圍內的變更及其他形態亦全部包括本發明中。

實施例

[實施例1]

根據圖15及圖20，對約含有0.1mM～10mM的一價銅離子的硫酸銅(CuSO₄ )的酸性溶液進行處理，觀察到循環伏安差異。即，首先利用等當量的氫氧化鈉，將溶液中和，向其中添加硫化鈉後，產生黑褐色的難溶化沈澱。將沈澱過濾，將由壬二硫醇(nonanedithiol)構成的在金(111)面上的自組膜在所得濾液中浸漬約2分鐘。將其取出，用0.1M的過氧化鉀溶液沖洗(rinse)1次，接著在20mM的過氧化鉀溶液中測定循環伏安。使用包括作為此時的參照電極的銀/氯化銀電極，作為對極電極的厚度為1mm、寬度約5mm×長度約10mm的鉑(platina)基板，作為作用電極的實施已述處理的自組膜面(面積約0.25m² )的3個電極，著眼於使電壓自+300mV變化至-200mV時的電流對電壓的依賴性而進行分析。結果可知，如圖21所示，在對僅有硫酸銅(CuSO₄ )的溶液進行分析時，未獲得有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，相對於此，在存在一價銅離子時，可獲得與濃度相對應的約-120mV及約+200mV左右的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值。圖21是縱軸為用橫軸的作用電極電位對電化學電流值進行微分的圖表。根據本方法，可間接地定量硫酸銅(CuSO₄ )溶液中的一價銅離子濃度。

[實施例2]

接著，將電化學中用作參照電極的銀/氯化銀電極浸漬於被分析液體中。將作為對極電極的寬度約10mm×長度約10mm的Pt浸漬於被分析液體中。將作為作用電極的在雲母上蒸鍍有厚度為500nm的金的邊長約為5mm的正方形面浸漬於被分析液體中。將這些電極與循環伏安測定用的AutoLab製造的電位自調器(potentiostat)PGSTAT12相連接。被分析液體是添加經氮氣發泡的酸性溶液狀態的一價銅離子的溶液，並準備存在過量硫酸的0.2mM～3.3mM的一價銅離子的混合酸性溶液。分別在一價銅離子濃度的溶液中浸漬上述3個電極，自初始狀態+0.2V至+2.0V掃描(sweep)作用電極，並觀察其氧化波。結果此時，在+1.15V附近觀測到與一價銅離子相對應的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值。圖22是將作為一例的電流的最大值的強度對應各濃度進行繪圖(plot)而獲得的圖。此外，觀測到電流的最大值的位置會根據參照電極或作用電極的表面狀態而發生變化，故而並不因此等組合或使用狀態而限定在上述的+1.15V。另外，亦可使用與此電壓相關的此電流的積分值來代替最大值。在以下的實施例中亦相同，在本發明的技術思想範圍內觀測到用於分析方法的電流的最大值或積分值的位置或範圍的變更、以及其他分析型態的變更，亦全部包括本發明中。

根據此結果，可利用此方法對一價銅離子的濃度進行定量。

[實施例3]

接著，將作為參照電極的在GLAIPO(玻璃環氧)樹脂基板上蒸鍍有厚度為100nm的Tough Carbon的邊長約為5mm的正方形面浸漬於被分析液體中。將作為對極電極的在GLAIPO樹脂基板上蒸鍍有厚度為100nm的Tough Carbon的寬度約10mm×長度約5mm的長方形面浸漬於被分析液體中。將作為作用電極的在雲母上蒸鍍有厚度為500nm的金的邊長約為5mm的正方形面浸漬於被分析液體中。將這些電極與循環伏安測定用的AutoLab製造的電位自調器PGSTAT12相連接。被分析液體是在經氮氣發泡的在約0.5M硫酸的存在下的約200mM硫酸銅(CuSO₄ )的水溶液中，添加溶液狀態的酸性一價銅離子的溶液，而準備存在過量硫酸銅(CuSO₄ )的0.2mM～1.7mM的一價銅的混合酸性溶液。在一價銅離子濃度的溶液中，分別浸漬上述3個電極，自初始狀態+0.2V至+2.0V掃描作用電極，觀察電流對電極之間電壓的依賴性。結果此時，在+0.7V～0.8V附近觀測到與一價銅離子相對應的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值。此時，用利用含有一價銅離子的被分析液體而獲得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，減去利用僅有硫酸銅(CuSO₄ )的參考液體而獲得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，並使用所得的值。作為其一例，如圖23的實線所示，若此時改變作用電極的電壓，則作為CV訊號的電流的此電流值亦發生改變，在某個電壓下其絕對值達到最大值。此圖23所示的一例中，其最大值與作為分析對象的一價銅化學種為一種的此一價銅離子的濃度大致成比例。在此電極之間流動的電流相對於電壓的變化並不大時，藉由與此電壓相關的此電流的積分值可知分析對象化學種濃度的大小。在本實施例3中，作為一例如圖23所示，用如圖23的實線所示的在此0.91mM的一價銅離子的混合酸性溶液的0.77V附近觀測到的作為CV訊號的電流的最大值，減去如圖23的虛線所示的使用僅有硫酸銅(CuSO₄ )的參考液體來代替存在過量硫酸銅(CuSO₄ )的一價銅離子的混合酸性溶液而在0.78V附近觀測到的作為CV訊號的電流的最大值，將所得值作為CV訊號強度而進行分析。此外，亦可使用與此電壓相關的此電流的積分值來代替最大值。藉由自作為分析對象的使用中鍍銅液中的鍍金妨礙化學種或鍍銅使用時所生成的生成化合物或一價銅化學種等之中選擇的多種化學種的相互作用，而使在此電極之間流動的電流相對於電壓的變化變得複雜時，在與此電壓相關的特定電壓範圍內利用此電流的積分值可知分析對象化學種的濃度的大小。另外，觀測到電流的最大值的位置會根據電極的表面狀態而發生變化，故而並不受這些的組合或使用狀態限定。另外，在本實施例3中，雖然使用虛線的0.705V的電流值作為基準值(亦稱為基線)，但分析方法並不限定於此，亦可使用其他部分的基準值，而且亦可將圖23的虛線所示的使用前的僅有硫酸銅(CuSO₄ )的參考液體的CV訊號曲線整體平移，而用作用於分析最大值或積分值的基準。本實施例3以外的其他實施例亦相同，在本發明的技術思想範圍內可觀測到用於分析方法的電流的最大值或積分值的位置或範圍的變更以及其他分析型態的變更，亦全部包括本發明中。圖24是根據此一價銅離子的各濃度對所得的電流的最大值進行繪圖而獲得的圖。

此結果表示，不使用先前的Ag/AgCl參照電極、Pt對極電極，而是使用碳材料的表面，藉此可不受大量過量共存的硫酸以及硫酸銅(CuSO₄ )影響而分析一價銅離子濃度。關於本實施例3以外的其他實施例中的化學種，亦可以相同方式進行分析。

[實施例4]

接著，對分析表面電位(以下簡稱為OCP(Open Circuit Potential))的變化的另一方法進行說明。使用Ag/AgCl電極作為參照電極，於蒸鍍在雲母上的厚度為200nm的1cm×2cm的金(111)面上形成分子膜，將此分子膜作為感測器。使用硫酸鉀作為支持鹽。

採用在金上吸附有羧酸衍生物而成的部件作為感測器。使用相對惰性的金屬即金的電極作為參照電極。在此所使用的電極的形狀為球體，其直徑約為1mm～3mm。在0.1M的硫酸鉀的水溶液中，使上述感測器與和羧酸具有較佳親和性的銅離子發生作用，結果發生作用後的OCP發生變化(圖25)。此變化相對較大，約為200mV左右。此實施例中，主體分子型並不限定為特定分子型，基本上用於感測器的分子膜若可與特定的客體分子相互作用，則表示其可用作表面電位型分子感測器。

[實施例5]

以下，藉由實施例，使用本發明的感測器基板，對與鍍敷液中的化學種相關的分析進行說明，但本發明不受這些實施例任何限定。在本發明的技術思想範圍內的變更以及其他型態或者實施例，亦全部包括本發明中。

在實際現場的鍍銅液(含有0.28mol/L硫酸銅、2mol/L硫酸、pH＜＜1、其他添加劑)中，使用本發明的感測器基板以及方法可分析此新建浴鍍銅液以及使用中鍍銅液的成分的差異。即，首先在10mL的作為分析對象的鍍敷液中加入1mL濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。2分鐘後，用孔徑為0.45μm的注射過濾器對渾濁的液體進行過濾，將此濾液轉移至直徑約2.5cm、高度約3cm的被分析液體容器中。注射過濾器的孔徑亦可適當使用0.45μm以外的孔徑。接著，經由連接器，將配置在圖1所示的形態的絕緣有機基板(Polyimide)上的電極群最表面全部被覆有金或部分被覆有碳的本發明的寬度為17mm、長度為34mm的感測器基板，與電位自調器相連接，並將此感測器基板的電極群浸漬於所得的液體中。此時，必須使液面不與連接端子群相接觸。考慮到彎液面(meniscus)效果，若使液面至電極或電極群的距離1mM以上，則可避免液面與連接端子群相接觸。並且，利用由來自液體的蒸氣或振動所產生的效果，可能使液面與連接端子群相接觸，並有時會產生測定雜訊(noise)，因此較理想的是將此距離設定為3mm以上。並且較理想的是，在液面與連接端子群之間，設置可將來自含有上述被分析物質的液體的液面上部的蒸氣遮斷的遮斷板。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V掃描施加在作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。

在此，所謂電化學上較有效的初始狀態，是指藉由在測定開始前施加至少氧化波或還原波或其組合、或者浸漬於酸鹼或溶劑等藥液的操作，而除去附著在表面的殘留有機物或氧化物等，即便重複測定亦可在穩定的狀態下進行測定的狀態。

觀察結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的循環伏安(CV)相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，明顯存於約+0.7V～+1.0V的範圍內。此有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，與現場的僅在使用中鍍銅液中含有的生成化合物相對應。根據CV測定以及X射線光電子分光測定可知，本實施例中所用的現場的使用中鍍銅液中約含有36mM的生成化合物。在此，改變實施上述處理的液體中的生成化合物的濃度，並對相對應的CV訊號強度進行分析。實際的資料如實施例3所述，用由使用中的鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，減去由新建浴鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，根據所得值將此時輸出電流的最大值作為CV訊號強度。結果可如圖26所示可明確，2個參數(parameter)具有比例關係。根據以上的結果，藉由本發明可對現場的生成化合物的濃度進行分析。

此外，不對新建浴鍍銅液的CV訊號進行增減來作為參考，僅根據含有生成化合物的使用中的鍍銅液的CV訊號亦可對此生成化合物的濃度進行大致地分析。另外，施加在作用電極上的電壓的掃描速度無須限定在20mV/秒，根據電極面積可大到5位數程度，或相反小到2位數程度，亦可對生成化合物進行分析。

[實施例6]

接著，除了上述實施例5外，本發明將不進行過濾的操作亦可對分析對象進行分析的情況示於本實施例中。首先，在直徑約2.5cm、高度約3cm的被分析液體容器中，向10mL分析對象的鍍敷液中添加1mL濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。經過2分鐘的時刻，經由連接器，使配置在圖1所示的形態的絕緣有機基板(Polyimide)上的電極群最表面全部被覆有金或部分被覆有碳的本發明的寬度為17mm、長度為34mm的感測器基板與電位自調器相連接，在上述感測器基板與電位自調器相連接的狀態下，將此感測器基板的電極群直接浸漬於所得的液體中。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V，掃描施加到作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。形成電化學上較有效的初始狀態的方法在本實施例中是採用以下方法。即，首先將施加到作用電極上的電壓的掃描速度設定為200mV/秒，往返進行10次自經設定的電壓範圍的最小值掃描至最大值並自最大值掃描至最小值的掃描循環(sweep cycle)，接著在5秒內以相同方式往返進行5次掃描循環，並在5秒後例如達到電壓範圍的最小值為+0.2V的初始狀態。

觀察結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，明顯存於約+0.7V～+1.0V的範圍內。此有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，與現場的僅在使用中鍍銅液含有的生成化合物相對應。根據CV測定以及X射線光電子分光測定可知，本實施例中所用的現場的使用中鍍銅液中36mM的生成化合物。在此，改變實施上述處理的液體中的生成化合物的濃度，並對相對應的CV訊號強度進行分析。實際的資料如實施例3所述，用由使用中的鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，減去由新建浴鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，根據所得值將此時輸出電流的最大值作為CV訊號強度。結果可知，如圖27所示，2個參數具有比例關係。其中可知，與圖26相比，直線的斜度有某種程度的偏差。通常認為其原因有：銀鹽的影響、溫度變化的影響、感測器基板的偏差、至分析時所經過的時間、空氣氧化的影響等。

另外，在本發明的範圍內可進行：分析對象的鍍敷液以及硝酸銀水溶液的體積的變更、感測器基板的大小的變更、用於分析方法的電化學上較有效的初始狀態的變更、觀測到電流的最大值或積分值的位置或範圍的變更以及其他分析型態的變更，此等亦全部包括本發明中。另外，施加到作用電極上的電壓的掃描速度無須限定在20mV/秒，根據電極面積可大到5位數程度，或相反小到2位數程度，亦可對生成化合物進行分析。

根據以上的結果，考慮到偏差等誤差的平均化或分析條件的統一化等，根據本發明可對現場的鍍銅液中所含的生成化合物進行分析。

此外，在上述實施例5、6中，使用硝酸銀來作為用以使分析妨礙物質難溶化的難溶化劑(與分析妨礙物質形成難溶性化合物的化學種)，但並不限定於此，可為一價汞離子，亦可為鉈離子，若為可形成適當的難溶性鹽的陽離子種、或具有相同功能的化學種、或聚合物類似物材料、或活性炭類似物材料、或沸石(zeolite)類似物材料，則可進行難溶化。

[實施例7]

接著，除上述實施例5以外，本發明將即使不進行過濾的操作，並且使用形態不同的感測器，亦可對分析對象進行分析的情況示於本實施例中。首先，在直徑約2.5cm、高度約3cm的被分析液體容器中，向10mL分析對象的鍍敷液中添加1mL濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。在經過2分鐘的時刻，除去5mm由絕緣有機聚合物所被覆的直徑1mm的金線(導電性線)的上述絕緣有機聚合物，將所得的3根金線浸漬於上述液體中，使此除去上述絕緣有機聚合物而露出的金線的部分分別與作用電極、對極電極、參照電極相對應，並且將與自此除去上述絕緣有機聚合物而露出的金線的部分相隔的各金線的絕緣有機聚合物的其他部分除去，將各金線所露出的其他部分製成連接端子，分別與作用、對極、參照部相對應而與電位自調器連接。此外，亦可切割金線(導電性線)，並使其切割面與作用電極、對極電極、參照電極相對應。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V，掃描施加到作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中明顯存在約+0.7V～+1.0V的有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值。此有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，與現場的僅在使用中鍍銅液含有的生成化合物相對應。根據CV測定以及X射線光電子分光測定可知，在本實施例中所用的現場的使用中鍍銅液中約含有36mM的生成化合物。在此，改變實施上述處理的液體中的生成化合物的濃度，並對相對應的CV訊號強度進行分析。實際的資料如實施例3所述，用由使用中的鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，減去由新建浴鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，根據所得值將此時輸出電流的最大值作為CV訊號強度。結果可知，2個參數具有比例關係(圖28)。根據此結果，藉由本發明可對現場的鍍銅液中所含的生成化合物進行分析。

另外，在本實施例中，雖揭示了除去由絕緣有機聚合物被覆的金線的上述絕緣有機聚合物的情況，但亦可切割金線使線的金截面(切割面)露出，或將此等加以組合而將金部分剝出。

另外，本發明中所用的導電性線不僅為上述金線，若為鉑線、下述所述的鉑銥線、鍍金或鍍鉑的銅線、含碳材料等表面由不溶於含有被分析物質的液體或霧的物質或不會被含有此被分析物質的氣體侵蝕的物質所被覆的線，則均可使用。

[實施例8]

接著，除上述實施例5以外，本發明將即使不進行過濾的操作，並且使用形態不同的感測器，亦可對分析對象進行分析的情況示於本實施例中。首先，用絕緣體覆蓋由絕緣體被覆的直徑0.25mm的金線的露出端而使其絕緣。然後，以自其前端至約7mm的部分為中心，用適當的方法除去約2mm的絕緣體，而準備1根中段剝出金的線。接著，用絕緣體覆蓋由絕緣體被覆的直徑0.25mm的鉑/銥(合金比率9/1)的線的露出端，而使其絕緣。然後，以自其前端至約7mm的部分為中心，用適當的方法除去約2mm的絕緣體，而準備2根中段剝出鉑/銥的線。以此種方式準備的各線的中段露出的部分中，金線與作用電極相對應，鉑/銥的線與對極電極、參照電極相對應，並且除去與自各金線的此中段露出的部分隔開的絕緣有機聚合物的其他部分(本實施例中為與上述露出端相對的一側)，將各金線所露出的其他部分製成連接端子，金的線與作用部相對應，鉑/銥的線與對極部、參照部相對應，而與電位自調器相連接。接著，在直徑約2.5cm、高度約3cm的被分析液體容器中，向10mL分析對象的鍍敷液中添加1mL濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。在經過2分鐘的時刻，將所準備的3根線的金屬露出部分浸漬於液體中，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V掃描施加到作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。形成電化學上較有效的初始狀態的方法在本實施例中採用以下方法。即，首先將施加到作用電極上的電壓的掃描速度設定為200mV/秒，往返進行10次自經設定的電壓範圍的最小值掃描至最大值並自最大值掃描至最小值的掃描循環，接著在5秒內同樣地往返進行5次掃描循環，在5秒後達到例如電壓範圍的最小值為+0.2V的初始狀態。

觀察結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，明顯存於約+0.7V～+1.0V的範圍內。此有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，與現場的僅在使用中鍍銅液含有的生成化合物相對應。根據CV測定以及X射線光電子分光測定可知，在本實施例中所用的現場的使用中鍍銅液中約含有36mM的生成化合物。因此，改變實施上述處理的液體中的生成化合物的濃度，並對相對應的CV訊號強度進行分析。實際的資料如實施例3所述，用由使用中的鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，減去由新建浴鍍銅液所得的電流的最大值或者與電壓相關的電流的積分值，根據所得值將此時輸出電流的最大值作為CV訊號強度。結果可知，2個參數具有比例關係(圖29)。根據此結果，藉由本發明可對現場的鍍銅液中所含的生成化合物進行分析。

另外，在本發明的範圍內可進行：分析對象的鍍敷液以及硝酸銀水溶液的體積的變更、用於分析方法的電化學上較有效的初始狀態的變更、觀測到電流的最大值或積分值的位置或範圍的變更以及其他感測器型態的變更，但這些亦全部包括本發明中。另外，施加到作用電極上的電壓的掃描速度無須限定在20mV/秒，根據電極面積大到5位數程度，或相反小到2位數程度，亦可對生成化合物進行分析。

[實施例9]

除上述的實施例6以外，本發明可一邊階段性地使分析妨礙物質難溶化，一邊對分析對象進行分析。即，在直徑約2.5cm、高度約3cm的被分析液體容器中，向10mL分析對象的鍍敷液中添加1mL濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。在經過2分鐘的時刻，經由連接器，使配置在圖1所示的形態的絕緣有機基板(Polyimide)上的電極群最表面全部被覆有金或部分被覆有碳的寬度為17mm、長度為34mm的感測器基板，與電位自調器相連接，在此狀態下，將此感測器基板的電極群直接浸漬於所得的液體中。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V，掃描施加到作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，明顯存於約+0.7V～+1.0V的範圍。此有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值，與現場的僅在使用中鍍銅液含有的生成化合物相對應。接著，向第一階段分析的此鍍敷液中添加20mL濃度為2mol/L的氫氧化鈉水溶液。此外，亦可省略利用氫氧化鈉進行此中和的步驟。接著，添加約5.5mL濃度為0.6mol/L的硫化鈉水溶液或多硫化鈉水溶液。在經過2分鐘的時刻，對黑色的固體進行過濾，並將過濾所得液體的一部分轉移至直徑約2.5cm、高度約4cm的被分析液體容器中。經由連接器，使配置在絕緣有機基板(Polyimide)上的電極群最表面全部被覆有金或部分被覆有碳的本發明的寬度為17mm、長度為34mm的感測器基板，與電位自調器相連接，在此狀態下將此感測器基板的電極群浸漬於上述濾液中。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2..0V，掃描施加到作用電極上的電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的最大值或電流的積分值在作為第二階段分析中，明顯存在於約+0.9V～+1.6V的範圍內。以上述方式使用本發明，可對使用中的鍍銅液的多種生成化合物進行階段性分析。另外，第二階段的分析可將黑色的固體過濾，亦可不進行過濾而進行本分析。另外，本分析中所用的施加到作用電極上的電壓的掃描速度無須限定在20mV/秒，根據電極面積大到5位數程度，或者相反小到2位數程度，亦可對生成化合物進行分析。

[實施例10]

根據本發明，藉由自作為被分析液體的使用中鍍銅液中所存在的鍍金妨礙化學種或使用鍍銅時生成的生成化合物或一價銅化學種等中選擇的多種化學種的相互作用，而使在此電極間流動的電流相對於電壓的變化變得複雜時，在與此電壓相關的特定電壓範圍內根據此電流的積分值可知分析對象化學種的濃度的大小。用由使用中的鍍銅液所得的此電壓範圍的電流的積分值，減去由新建浴鍍銅液所得的此電壓範圍的電流的積分值，使用所得值可對現場的鍍銅液中所含的鍍金妨礙化學種或者生成化合物進行分析。首先，分別向加入至直徑約2.5cm、高度約3cm的2個被分析液體容器中的10mL的分析對象新建浴鍍銅液以及使用中鍍銅液中，依序以每次1mL的方式添加等量的濃度為14mmol/L的硝酸銀水溶液。在經過2分鐘的時刻，除去5mm由絕緣有機聚合物被覆的直徑1mm的金線(導電性線)的上述絕緣有機聚合物，將所得的3根金線首先浸漬於新建浴鍍銅液中，此除去上述絕緣有機聚合物而露出的金線的部分分別與作用電極、對極電極、參照電極相對應，並且除去與自此除去上述絕緣有機聚合物而露出的金線的部分隔開的各金線的絕緣有機聚合物的其他部分，將各金線所露出的其他部分製成連接端子，分別與作用、對極、參照部相對應，而與電位自調器相連接。此外，亦可切割金線(導電性線)，使其切割面與作用電極、對極電極、參照電極相對應。接著，以20mV/秒的速度，自電化學上較有效的初始狀態+0.2V至+2.0V，掃描施加到作用電極上電壓，並在室溫下觀察電流對電極間電壓的依賴性。對使用中的鍍銅液亦進行相同的測定。結果可知，與分析新建浴鍍銅液時的CV相比，在使用中鍍銅液中，有意義的作為CV訊號的電流的積分值在約+0.7V～+0.76V的範圍內存在約1.5×10^-6 VA的值。此有意義的作為CV訊號的電流的積分值，與僅在使用中鍍銅液含有的鍍金妨礙化學種或者生成化合物相對應。根據此結果，藉由本發明，可對與現場的鍍銅液中所含的鍍金妨礙化學種或者生成化合物相對應的成分進行分析。此外，所施加的電壓的掃描速度無須限定在20mV/秒，根據電極面積大到5位數程度，或者小到2位數程度，亦可進行分析。另外，在本發明的技術思想範圍內觀測到用於分析方法的積分值的位置或範圍的變更以及其他分析型態的變更，亦全部包括本發明中。

[實施例11]

本發明方法受到溫度的影響，首先，根據以下分析確認此事實。即，使用某使用中的鍍銅液，藉由本發明的同一感測器基板，一邊改變液體的溫度，一邊對一價銅化學種的CV進行分析。首先，在本實施例中在約+0.82V處觀察到的一價銅化學種的CV訊號強度是電流的最大值，在室溫攝氏25度下約為10μA，相對於此，在攝氏40度下約為17.5μA，在攝氏80度下約為55μA，可知此電流的最大值隨著溫度的上升而增加。另外，作用電極的電壓+0.5V的電化學電流的基線在室溫攝氏25度下約為12μA，相對於此，在攝氏40度下約為19μA，在攝氏80度下約為110μA，可知電化學電流的基線位準隨著溫度上升而上升。根據以上所述可知，本發明方法受到分析對象的鍍敷液溫度的影響，重要的是以下方法：藉由溫度控制槽使被分析液體充分地恢復至室溫；利用位於一個水浴槽中的溫度控制槽，而使被分析液體與參考液達到相同的溫度；藉由預處理用套組或一體型套組來達到固定溫度；考慮修正溫度等。作為一例，如圖18(A)至圖18(B)所示，在將用於分析的2個被分析液體容器90、92，浸漬於裝有用以使溫度固定的常溫水的溫度控制槽94中的狀態下，使2個被分析液體容器90、92內的例如新建浴鍍銅液與使用中的鍍銅液的溫度差達到攝氏10度以內。被分析液體容器的深度可視情況而自由改變。另外，由於考慮溫度的修正，故而亦可使用溫度變化率。本發明的溫度變化率可根據理論上眾所周知的阿瑞尼斯方程式(Arrhenius' equation)，用自某個溫度T₁ 至另一溫度T₂ 的反應速度的指數函數的變化率來定義(exp(-E/RT₂ )/exp(-E/RT₁ )，R為常數，E為反應的活化能並根據反應狀況而變化)，可使用其對分析的溫度差進行修正。然而，在實際的表面反應中，亦有無法僅用一次反應速度論來記述的部分，可藉由賦予反應次元不同或反應形態不同的其他形態的方程式或修正項，或實際測算實驗的溫度變化率，可獲得本發明的溫度變化率，藉此可進行本發明的分析。使用實計測算的具體的溫度變化率來修正溫度是按以下順序來進行。首先，預先測定電極之間的電流最大值或電流的積分值相對於參考液的電極之間的電壓變化的溫度變化，而求得此電流最大值或電流的積分值相對於單位溫度的變化(溫度變化率)。此測定若為一次性進行，則無須於分析對象的混合液發生改變時重複進行測定。接著，將分析對象的混合液(此時為分析對象的鍍敷液)的溫度與參考液(此時為新建浴鍍銅液)的溫度之差乘以其溫度變化率，將所得值加上隨著在參考液的溫度下所測定的參考液的電極間電壓變化的而出現的電極之間的電流最大值或電流的積分值。用隨著被分析液體的電極間電壓變化而出現的電極間電流最大值或電流的積分值減去上述相加後所得值，將相減所得值用作隨著分析對象的電極之間的電壓變化而出現的電極之間的最大電流值或電流的積分值。

[實施例12]

本發明可發揮無論基板的浸漬的狀態(深度)如何均可進行穩定的分析的效果，此效果可藉由以下的分析來確認。使用含有一價銅化學種的同一的使用中的鍍銅液，作為分析對象。感測器如圖30示意性所示，是使用在聚醯亞胺(PI)基板上的配線上設有覆蓋層的本發明的感測器(圖30(A))，以及藉由蒸鍍在玻璃上形成寬度為3mm金薄膜的先前的感測器(圖30之(B))，將各感測器浸漬於鍍銅液中，並改變浸漬的深度(D)而進行分析。圖31所示的圖表是表示使用本發明的感測器時的分析結果(圖表○)，以及使用先前的感測器時的分析結果(圖表□)。根據圖31的圖表可知，本發明的感測器無論其浸漬的深度如何均可進行穩定的分析，但另一方面，先前的感測器的分析結果根據其浸漬的深度產生較大的變化。此外，在本實施例中，使用覆蓋層作為由使配線絕緣的有機材料所構成的絕緣部分，若在配線上設有絕緣部分的構成的絕緣部分為普通的絕緣部分，則本發明可使用覆蓋層，並且絕緣部分並不限定於覆蓋層。另外，圖30中的PI表示聚醯亞胺，glass表示玻璃，W表示作用電極，R表示參照電極，C表示對極電極。

[實施例13]

本發明可發揮無論基板的浸漬的狀態(斜度)如何均可進行穩定的分析的效果，此效果可藉由以下分析來確認。使用含有一價銅化學種的相一使用中的鍍銅液，來作為分析對象。感測器如圖32示意性所示，是使用在聚醯亞胺(PI)基板上的配線上設有覆蓋層的本發明的感測器(圖32之(A))，以及藉由蒸鍍在玻璃上配線有寬度為3mm的金線的先前的感測器(圖32之(B))，將各感測器浸漬於鍍銅液中，並如圖32所示改變浸漬的角度(θ)而進行分析。圖33所示的圖表是表示使用本發明的感測器時的分析結果(圖表○)，以及使用先前的感測器時的分析結果(圖表□)。根據圖33的圖表可知，本發明的感測器無論浸漬的角度如何均可進行穩定的分析，但是另一方面，藉由蒸鍍在玻璃上配線有寬度為3mm的金線的感測器的分析結果根據浸漬的角度而產生較大變化。另外，圖32中的PI表示聚醯亞胺，glass表示玻璃，W表示作用電極，R表示參照電極，C表示對極電極。

[實施例14]

如上所述，未被含碳層被覆的鍍金部分的露出，可能成為妨礙分析的主要要因。其例子如實施例13所揭示，與根據浸漬的角度而改變電極面積的情況相同，在感測器基板之間未經被覆的鍍金部分可導致電極面積偏差。較理想的是採用以下結構：藉由覆蓋層的後縮結構，將來自電極的引導線引導至基板厚度方向即垂直方向，而不是基板的平面方向，但在本發明中，亦可使用引導至平面方向的方法，由於被覆有含碳層，因此可確保基板間的再現性，並可實現可在同一基板上進行重複測定的耐久性，本實施例藉由以下方式來確認此效果。

圖34是設計有9個電極的感測器基板的平面圖。此感測器基板是將對極電極(C)、參照電極(R)、作用電極(W)作為一組，並配置3組而成。具體而言，感測器基板90是在邊緣部配設有9根測定用端子92，在此測定用端子92上經由各配線連接有測定用電極94A、94B、94C、96A、96B、96C、98A、98B、98C，將任意3組進行組合而用作對極電極(C)、參照電極(R)、作用電極(W)。連接器是使用間距為1mm的連接器、Hirose的FH12-9S-1SH(產品號)，並設計與其合併的基板外形寬度、以及端子配置。基板是使用附有銅箔的聚醯亞胺膜。此時，與連接器嵌合的端子部的基板厚度亦包括端子厚度，為0.3±0.05mm。根據以上的連接器的尺寸，而設計製作圖35所示的截面結構的感測器基板。即，所製作的感測器基板是如下結構：如圖35所示，經由熱硬化黏接層122黏接有聚醯亞胺增強板120的聚醯亞胺基板124上，配置有銅箔126，藉由黏接層128在其上貼附有覆蓋層膜(聚醯亞胺膜)130。另外，聚醯亞胺增強板120的厚度為180μm，熱硬化黏接層122的厚度為50μm，聚醯亞胺基板124的厚度為25μm，銅箔126的厚度為35μm，黏接層128的厚度為25μm，覆蓋層膜(聚醯亞胺膜)130的厚度為25μm。

覆蓋層是使用將聚醯亞胺膜與黏接劑一體化而成的覆蓋層；黏接劑是預先進行加熱而進行預先硬化，從而控制其極強的流動性，或者擴大間隙，從而防止黏接劑對電極造成的污染，並且考慮到不會因黏接劑的流動而引起面積變化。另外，覆蓋層是貼附在圖36的影線(hatching)所示的區域。

另外，電極與開口的錯位在面內的偏差大，故而有在開口部的引導配線部的偏差會變大的擔憂。因此，在本實施例中，在貼附覆蓋層後，碳漿料塗佈的預處理是藉由氧氣電漿(300W、60秒)照射、或此外的UV(ultraviolet，紫外線)以及臭氧(ozone)照射(氧氣導入量為0.1mL/分鐘)50分鐘、或甲醇(methanol)浸漬3分鐘(施加US)以及超純水浸漬3分鐘(施加US)來進行預處理。藉由適當選擇實施這些預處理，可確保藉由噴墨法將碳漿料進行塗佈、成膜時的密著穩定性。

接著，藉由噴墨法對作用電極以及參照電極塗佈日立化成工業製造的碳漿料而製成膜，並且分別以2.9mm見方的大小被覆各電極(電極的開口部為Φ2.5)。另外，同樣地以3.9mm見方的大小在對極(電極的開口部為Φ3.5)上被覆碳漿料。碳漿料的乾燥是在具有溫度調節功能的加熱器(heater)上，在160℃、1小時的條件下進行乾燥。然後，遮蔽與連接器嵌合的端子部以及參照電極，僅使作用電極部以及對極露出，並進行2000的金蒸鍍。另外，蒸鍍速度較好的是1.8/秒，在無法控制時，較好的是設為0.1/秒～10/秒的範圍。藉由以上述方式製作的基板，可確保同一基板的耐久性以及基板之間的再現性。

接著，為了對基板之間的再現性的確保進行驗證，而進行以下操作。藉由上述方法製作6片基板，利用各基板測定填充鍍銅的使用液，結果可知，電極與一價銅的反應如圖37所示，基礎電流穩定，另外，可消除一價銅峰(peak)的電位位置的偏差。因此，圖37中的6根曲線的圖表是表示對分別製作的6片基板進行測定的結果。

然而，基板之間的電流值的偏差，距平均值有±20%左右的偏差。此傾向在新建浴中亦可見到。即，通常認為其原因為：一價銅化學種的峰與金的氧化反應相重疊。此外，此時參照電極、對極電極、作用電極分別使用圖36的R3、C3、W3。

接著，對上述6片基板的各作用電極以及對極亦塗佈碳漿料，並蒸鍍金。此時，參照電極、對極電極、作用電極分別使用圖36的R3、C3、C2。即，將參照電極配置在對極電極與作用電極之間。並且，對新建浴液進行測定的結果可確認，電流值偏差可消除成如圖38的圖表所示的結果。在此，圖38中的6根曲線的圖表與圖37同樣地是表示對分別製作的6片基板進行測定的結果。可知，藉由增大作用電極、並將參照電極配置在作用電極與對極間，具有提高檢測電流的效果。另外可知，偏差可抑制在小於等於±7%。

在不採用以上的本發明的結構，而對全部電極在銅上直接鍍金時，測定填充鍍銅的使用液，結果電極與一價銅的反應如圖39所示。可知基礎電流、或一價銅峰的電位位置或電流值存在偏差。

關於如上所述的基礎電流的不穩定性、或一價銅峰值的電位位置、電流值的偏差，若藉由FIB(Focused ion beam，聚焦離子束)對電極部進行截面觀察，利用電子顯微鏡或EDX(energy dispersive X-ray，能量色散X射線)進行分析，則認為其原因為表層上的金銅合金化以及表面形成氧化物。更詳細的研究結果是，在含碳層上不僅可將金作為底層，亦可將鉻或鎳作為底層而形成，並且亦可將金銅合金化而形成。另外，亦可密著性佳地蒸鍍鈦、或氧化鈦。此時的金銅合金的重量比率是金：銅=9.25：1。

並且可知，藉由對由蝕刻所形成的電極被覆含碳層，亦可改善原來蝕刻時所形成的電極的表面粗糙度。並且可知，藉由重複3次以上的塗佈乾燥，可將1500～2000的平均中心粗糙度減少至小於等於50，並可將平均中心粗糙度控制在與雲母的壁界面相匹敵的原子級平坦水平。藉此，在金蒸鍍後，亦可提昇單分子的自組膜形成性。

以上是使用聚醯亞胺膜的例子，其他例子是將在圖34所示的圖案中使用液晶聚合物作為基材的例子示於如下。

準備液晶聚合物(Japan Goretex公司製造)BIAC-C作為基材，在300μm厚度的基材上直接貼附12μm的銅箔，然後進行圖案蝕刻。預先在110℃下對125μm厚的覆蓋層壓製黏接作為黏接劑層的日立化成工業製造的KS-7003(25μm)，並以相對於電極徑為+1.0mm以及+0.5mm(單側分別為500μm、250μm)的間隙進行打孔，並以前者為下側、以後者為上側，將上述所準備的部件藉由銷釘定位層壓(pin lamination)進行位置對準並進行暫時黏接，再於160℃、2MPa下進行真空壓製。

根據以上步驟，在覆蓋層上形成後縮結構，並以相同的方式進行研究，但在噴墨法中，由於後縮結構所存在的引導配線未經被覆，故而可確定金銅合金會發生不穩定的氧化反應。即，可明確重要的是將引導配線引導至電極正下方。但是此時，藉由以功率300W進行氧氣電漿1分鐘的處理、或者進行50分鐘的上述UV以及臭氧處理，可改善潤濕性，並且利用微量吸管(micropipet)進行規定量(對於Φ1.5電極為0.004μL)的塗佈，雖然生產效率降低，但可被覆後縮結構下的引導配線。另外可明確，由此種氧氣電漿處理、或UV以及臭氧處理所引起的基材的潤濕性改善，亦會改善與被檢測液的潤濕性。最初，使用液晶聚合物時，產生了即使掃描電壓，亦未見電流信號輸出的不可思議的現象。若在浸漬於被檢測液前，用純水潤濕表面，則出現信號，由此認為其原因為表面能低且斥水性高。在上述處理後，即使直接浸漬於被檢測液中，亦可測定電流信號的輸出。如上所述，可在被覆後縮結構下的引導配線後，藉由噴墨使其與覆蓋層表面絕緣，並在電極上、以及覆蓋層上形成含碳層。

根據本發明，可構建如圖40所示的分析順序。本發明不僅應用於一價銅，亦可部分有效應用於以鎘為代表的金屬離子或相關的化學種，分析對象不僅應用於鍍敷液，亦可有效用於蝕刻液，自來水，或土壤分析、防止土壤對稻或蔬菜等食物、植物造成污染的污染對策分析等。

10．．．金屬離子感測器

12、40．．．絕緣基板

14、24．．．引導配線

15．．．埋入連接用導體

16．．．測定用端子(群)

18．．．電極

20．．．連接器封裝端子部

22．．．端子部

30．．．覆蓋層

30A．．．覆蓋膜

30B．．．黏接劑層

32．．．開口

40．．．絕緣基板

42．．．增強基材(聚醯亞胺)

44．．．黏接劑

46．．．基礎基材

50．．．含碳層

60．．．雙峰型套組

62、64．．．被分析液體容器(料缸)

65．．．排氣孔

66．．．過濾器

68、70．．．活塞

80、R1、R2、R3、R4、R5．．．參照電極

82、C1、C2、C3、C4、C5．．．對極電極

84、W1、W2、W3、W4、W5．．．作用電極

90、92．．．被分析液體容器

90A．．．缺口

94．．．溫度控制層

94A、94B、94C、96A、96B、96C、98A、98B、98C．．．測定用電極

100．．．攜帶式感測器系統

102．．．手提箱

104．．．筆記型電腦

106．．．滑鼠

108．．．AC適配器

110．．．附件收容用袋

120．．．聚醯亞胺增強板

122．．．熱硬化黏接層

124．．．聚醯亞胺基板

126．．．銅箔

128．．．黏接層

130．．．覆蓋層膜(聚醯亞胺膜)

圖1是表示應用本發明的金屬離子感測器的基板的配線圖案的圖。

圖2是表示對與應用本發明的金屬離子感測器的基板相嵌合的連接器進行表面封裝的圖案的圖。

圖3是表示覆蓋層的開孔圖案(開口圖案)的圖。

圖4是表示沿圖1的A-A線切割時的觀測截面(覆蓋層被覆前)的圖。

圖5是表示將圖3所示的覆蓋層被覆在基板上的截面的圖。

圖6是表示將圖5中左側的開口附近放大，而使黏接劑自覆蓋層滲出的狀態的圖。

圖7是表示將配線轉印至基板內時的截面的圖。

圖8是表示對所被覆的覆蓋層實施回蝕(etch back)處理的狀態的截面圖。

圖9是表示在回蝕處理後形成含碳層的狀態的截面圖。

圖10是表示僅電極露出至表面，而引導配線形成在基板內部的狀態的截面圖。

圖11是表示將電極以及引導配線轉印(埋入)至基板內的狀態的截面圖。

圖12是埋入連接用導體的表面直接成為電極時的截面圖。

圖13是表示至少在位於最表面的直接測定用電極以及連接器連接部配置有埋入連接用導體的表面時的構成的圖。

圖14是表示用於將轉印配線配置在測定用電極以及連接器連接部的，使連接用基板的連接用導體的表面相對的構成的圖。

圖15是示意性表示在利用氫氧化鈉進行中和處理後，藉由利用硫化鈉使硫化銅難溶化而提取一價銅離子的方法的圖。

圖16是示意性表示利用過量的氫氧化鈉使氫氧化銅難溶化的方法的圖。

圖17是表示用於高效進行預處理的雙峰型套組的立體圖。

圖18(A)是表示具有溫度控制槽的雙峰型套組的立體圖，如圖18(B)是表示在料缸的內壁面上設置有2條延伸至底面的缺口的示意圖。

圖19是用以說明用來分析一價銅離子的比色技術的圖。

圖20是用以說明藉由循環伏安法(cyclic voltammetry)的方法的圖。

圖21是用圖表(graph)來表示藉由圖20所示的方法來分析有無一價銅的資料的圖。

圖22是用圖表來表示使用電化學中所用的銀/氯化銀電極作為參照電極、使用Pt作為對極電極、使用金作為作用電極時的分析結果的圖。

圖23是用圖表來表示使用Tough Carbon作為參照電極、同樣使用Tough Carbon作為對極電極、且使用金作為作用電極時的分析結果的圖。

圖24是用與圖23不同的圖表來表示使用Tough Carbon作為參照電極、同樣使用Tough Carbon作為對極電極、且使用金作為作用電極時的分析結果的圖。

圖25是用圖表來表示分析前後的表面電位的變化的圖。

圖26是用圖表來表示使用應用本發明的金屬離子感測器時的鍍銅液的分析結果的圖。

圖27是用圖表來表示使用應用本發明的金屬離子感測器，不進行過濾的操作而進行分析時的鍍銅液的分析結果的圖。

圖28是用圖表來表示使用本發明的方法，不進行過濾的操作而使用不同形態的感測器進行分析時的鍍銅液的分析結果的圖。

圖29是用圖表來表示使用本發明的方法，不進行過濾的操作而使用不同形態的感測器進行分析時的鍍銅液的分析結果的圖。

圖30是示意性表示將本發明的感測器及先前的感測器浸漬於鍍銅液中，並改變浸漬的深度D而進行分析的狀態的圖。

圖31是用圖表來表示使用圖30所示的各感測器，並改變浸漬的深度而進行分析時，作為CV訊號的電流的最大值相對於浸漬的深度D的測定結果的圖。

圖32是示意性表示將本發明的感測器及先前的感測器浸漬於鍍銅液中，並改變浸漬的角度θ而進行分析的狀態的圖。

圖33是用圖表來表示使用圖30所示的各感測器，並改變浸漬的角度而進行分析時，作為CV訊號的電流的最大值相對於浸漬的角度θ的測定結果的圖。

圖34是實施例14中所使用的感測器基板的上表面圖。

圖35是用以說明實施例14中所使用的感測器基板的截面的示意圖。

圖36是表示在圖34所示的感測器基板上黏接覆蓋層的狀態的上表面圖。

圖37是用圖表來表示使用實施例14中所製作的6片感測器對填充(filled)鍍銅的使用液進行分析而獲得的結果的圖。

圖38是用圖表來表示使用實施例14中所製作的6片感測器對新建浴液進行分析而得的結果的圖。

圖39是用圖表來表示使用不採用本發明的結構而製作的10片感測器對填充鍍銅的使用液進行分析而獲得的結果的圖。

圖40是用以說明可根據本發明而進行分析順序(sequence)的圖。

圖41是表示本發明的攜帶式感測器系統的一例的立體圖。

圖42是用圖表來表示使用圖18(A)至圖18(B)所示的雙峰型套組，利用冷水對放入於料缸(cylinder)的分析液進行冷卻時及不進行冷卻時的分析液的溫度隨時間變化的圖。

10．．．金屬離子感測器

12．．．絕緣基板

14．．．引導配線

16．．．測定用端子(群)

R1、R2、R3、R4、R5．．．參照電極

C1、C2、C3、C4、C5．．．對極電極

W1、W2、W3、W4、W5．．．作用電極

Claims (15)

1. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第一、第二配線分別與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極的一組以上的電極群，以包括與該電極群導通連接的上述第一、第二配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，且該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層的各開口設定在比上述電極群的各電極更靠內側， 該金屬離子感測器在上述絕緣基板上至少具有含碳層，該含碳層是形成在上述覆蓋層表面、以及位於上述開口內的至少電極表面的一部分上。
2. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，該金屬離子感測器進而設置有以相同符號或者不同符號向上述第一電極或第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極、及與該第三電極相連接的第三配線，該第三電極的至少與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有上述被分析物質的液體或霧或氣體的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第三配線與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極以及第三電極的一組以上的電極群，以包括分別與該電極群導通連接的上述第一、第二、第三配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導 通連接的一組以上的連接端子群，該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層的各開口設定在比上述電極群的各電極更靠內側，該金屬離子感測器在上述絕緣基板上至少具有含碳層，該含碳層是形成在上述覆蓋層表面、以及位於上述開口內的至少電極表面的一部分上。
3. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第一、第二配線分別與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極的一組以上的電極群，以包括與該電極群導通連接的上述第 一、第二配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，且該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層的開口是以自上表面側向下表面側增大的方式形成的。
4. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，該金屬離子感測器進而設置有以相同符號或者不同符號向上述第一電極或第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極、及與該第三電極相連接的第三配線，該第三電極的至少與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有上述被分析物質的液體或霧或氣體 的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第三配線與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極以及第三電極的一組以上的電極群，以包括分別與該電極群導通連接的上述第一、第二、第三配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，且上述覆蓋層的開口是以自上表面側向下表面側增大的方式形成的。
5. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或 不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第一、第二配線分別與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極的一組以上的電極群，以包括與該電極群導通連接的上述第一、第二配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，且該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層是以上表面側的開口面積小於下表面側的開口面積的方式形成的。
6. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成， 該金屬離子感測器進而設置有以相同符號或者不同符號向上述第一電極或第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極、及與該第三電極相連接的第三配線，該第三電極的至少與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有上述被分析物質的液體或霧或氣體的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第三配線與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極以及第三電極的一組以上的電極群，以包括分別與該電極群導通連接的上述第一、第二、第三配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層是以上表面側的開口面積小於下表面側的開口面積的方式形成的。
7. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性 第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第一、第二配線分別與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極的一組以上的電極群，以包括與該電極群導通連接的上述第一、第二配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，且該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層至少包括覆蓋膜以及黏接劑層之2層，上述黏接劑層的開口緣部與上述覆蓋膜的開口緣部位置相同，或者位於比該開口緣部更靠外側的位置。
8. 一種金屬離子感測器，其特徵在於：其至少由導電性第一電極、導電性第二電極，與各電極相連接的導電性 第一、第二配線，以及使該第一配線、第二配線互相絕緣、且與含有被分析物質的液體、霧或氣體絕緣的絕緣部分所構成，該絕緣部分是由有機材料所構成，該第一、第二電極的至少與含有該被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有該被分析物質的液體或霧的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，該金屬離子感測器進而設置有以相同符號或者不同符號向上述第一電極或第二電極供給其電位的至少一部分的第三電極、及與該第三電極相連接的第三配線，該第三電極的至少與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體接觸的表面，是由不溶於含有上述被分析物質的液體或霧或氣體的物質、或不會被含有該被分析物質的氣體侵蝕的物質所構成，其中上述第三配線與連接端子相連接，該金屬離子感測器具有：由有機材料所構成的絕緣基板，配置在該絕緣基板上的包括上述第一、第二電極以及第三電極的一組以上的電極群，以包括分別與該電極群導通連接的上述第一、第二、第三配線的1層以上的結構進行配置的一組以上的連接配線群，以及與該連接配線群導通連接的一組以上的連接端子群，該金屬離子感測器進而在上述絕緣基板上，至少具有具備使上述各電極群露出至外部的開口且覆蓋上述連接配線群的覆蓋層，並且至少該覆蓋層與上述絕緣基板構成上述絕緣部分，上述絕緣部分是使上述連接配線群彼此絕 緣、以及使上述連接配線與含有上述被分析物質的液體、霧或氣體絕緣，其中上述覆蓋層至少包括覆蓋膜以及黏接劑層之2層，上述黏接劑層的開口緣部與上述覆蓋膜的開口緣部位置相同，或者位於比該開口緣部更靠外側的位置。
9. 一種金屬離子感測器系統，其特徵在於：其具備如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之金屬離子感測器，以及測定該金屬離子感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器。
10. 如申請專利範圍第9項所述之金屬離子感測器系統，其進而具備：電性連接上述金屬離子感測器與上述測定器的連接器以及配線用部件。
11. 如申請專利範圍第9項所述之金屬離子感測器系統，其進而具備被分析液體容器。
12. 如申請專利範圍第9項所述之金屬離子感測器系統，其中在與含有上述被分析物質的液體或霧相接觸的電極或電極群以及上述連接器之間具有遮斷板，該遮斷板是用來遮斷來自含有上述被分析物質的液體的液面上部的蒸氣。
13. 如申請專利範圍第9項所述之金屬離子感測器系統，其中上述連接器至上述電極或電極群之間的距離是設定為3mm以上。
14. 一種攜帶式金屬離子感測器系統，其特徵在於：其至少具備如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之 金屬離子感測器，測定該金屬離子感測器的電極中的至少2個電極之間的電壓、電流特性的測定器，以及至少收容上述金屬離子感測器及上述測定器的攜帶容器。
15. 如申請專利範圍第14項所述之攜帶式金屬離子感測器系統，其進而具備：收容在上述攜帶容器之中且電性連接上述金屬離子感測器與上述測定器的連接器以及配線。