TWI421273B - 聚合物、包括該聚合物之有機光電裝置與顯示器 - Google Patents

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Description

聚合物、包括該聚合物之有機光電裝置與顯示器 (a)發明領域
本發明係有關於一種由於輕易調整能帶間隙而能提供一具有優異壽命及效率特性之有機光電裝置之聚合物，及包含此聚合物之一有機光電裝置及一顯示器裝置。
 (b)相關技藝之說明
一光電裝置廣意而言係一用於將光能轉換成電能，及相反地，用於將電能轉換成光能之裝置。特別地，於此等光電裝置間，一使用有機發光二極體(OLED)之有機發光裝置由於對於平板顯示器需求增加最近已引起注意。
有機發光二極體具有一其中一功能性有機材料係置於一陽極與一陰極間之結構。有機薄層包含一發射層、一電洞注射層(HIL)、一電洞運送層(HTL)、一電子運送層(ETL)、一電子注射層(EIL)等，及以發射層之發光性質而言進一步包含一電子阻絕層或一電洞阻絕層。
一般，一有機發光二極體(OLED)係藉由真空沈積使用一細微金屬遮罩作為一形成圖案之技術而製造。但是，此真空沈積對於大尺寸之顯示器應用由於高處理成本及技術限制而具限制性。因此，各種形成圖案之技術已被發展以便取代真空沈積。特別地，因為諸如旋轉塗覆、噴墨印刷、鑄造等之濕式方法無需真空技術，其於大尺寸之顯示器產業引起注意，因為成本降低且此裝置係於無損失材料下輕 易製造。
但是，與用於真空沈積之材料相比，用於濕式方法之材料係難以達成優異之裝置性能。此外，當一有機薄層藉由濕式方法形成，預形成之下層之材料可能藉由有機溶劑而稀釋。因此，難以將有機薄層堆疊成一多層物，因此，不可能提供優異之裝置性能。
例如，親水性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)層被廣泛用於一電洞注射層(HIL)，但當與疏水性發射層堆疊在一起時，此親水性電洞注射層(HIL)可能使界面特性惡化。此外，因為於時間消逝後，陰極及發射層可能由於具有固有之酸性材料特性之PEDOT/PSS而受損，裝置之發光效率及壽命特性可能惡化。
為解決此問題，用於濕式方法之材料主要包含聚合物材料。此等聚合物材料具有以一共價鍵連接之長芳香族取代基，諸如，一芳基基團、一芳基胺基團等。一般，共軛長度於分子長度延長時延長，結果係分子能帶間隙減少。即使於使用相同單體之情況，具有不同能帶間隙之各種不同聚合物材料可依聚合化程度而合成，且具有各種不同分子量分佈之聚合物材料可被合成，即使於一反應族群，因此，係極難以提供一具有一預定能帶間隙之有機薄層。
因此，藉由使用具有以處理、成本，及大尺寸顯示器而言之優異之濕式方法，需要發展一種具有優異界面穩定性且能調整能帶間隙以提供一具有優異壽命及效率特性之有機光電裝置之新穎聚合物。
 發明概要
本發明之一實施例提供一種用於一有機薄層之具有優異界面穩定性且能輕易控制能帶間隙之聚合物。
本發明之另一實施例係藉由包含此聚合物而提供一種具有優異壽命及效率特性之有機光電裝置。
本發明之另一實施例提供一種包含此有機光電裝置之顯示器裝置。
本發明之實施例不限於如上之技術目的，且熟習此項技藝者可瞭解其它技術目的。
依據本發明之一實施例，一含有一以下列化學式1表示之重複單元之聚合物被提供。
於如上之化學式1，Ar1 係一選自一C1至C60之經取代或未經取代之烷撐基基團、一含氮之C1至C60之經取代或未經取代之雜烷撐基基團、一C6至C60之經取代或未經取代之芳撐基基團、一含氮之C3至C60之經取代或未經取代之雜芳撐基基團，及一C6至C60之經取代或未經取代之芳基胺基團所組成族群之二價有機基團， R1 及R2 係相同或相異，且獨立地係選自氫、一C1至C30之經取代或未經取代之烷基基團，及一C6至C30之經取代或未經取代之芳基基團所組成之族群，且a及b係相同或相異，且獨立地係0至4之整數。
聚合物之Ar1 可選自以下列化學式2至5表示之取代基所組成之族群。
於如上之化學式2至5，Ar11 至Ar15 係相同或相異，且獨立地係選自氫、一鹵 素、一氰基基團、一羥基基團、一胺基基團、一硝基基團、一羧基基團、一經取代或未經取代之C1至C20烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之烯基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之環烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基基團、一經取代或未經取代之C6至C50芳基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之雜芳基基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基胺基團、一經取代或未經取代之C1至C50烷氧基基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳氧基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之雜芳氧基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之矽氧烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之醯氧基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之醯基胺基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基胺基基團、一經取代或未經取代之C7至C50之芳氧基羰基胺基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之胺磺醯基胺基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之磺醯基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之烷基硫醇基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基硫醇基團、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基硫醇基團、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基尿素基團、一經取代或未經取代之C1至C50之磷酸醯胺基團，及一經取代或未經取代之C3至C50之矽烷基基團，及其等之稠合環所組成之族群，且 e、f、g、h、i、j、k，及l係相同或相異，且獨立地係範圍從0至4之整數。
聚合物進一步於其終端含有一可交聯之官能性基團。此可交聯之官能性基團包含一選自一經取代或未經取代之烯基基團、一經取代或未經取代之(甲基)丙烯基基團、一經取代或未經取代之環氧基團、一經取代或未經取代之苯乙烯基團，及一經取代或未經取代之烷氧基基團所組成族群之取代基。
聚合物具有2.4eV或更大之於最高佔據分子軌道(HOMO)與最低未佔據分子軌道(LUMO)間之差異。
依據本發明之另一實施例，一有機光電裝置被提供，其含有一陽極、一陰極，及至少一置於此陽極與陰極間之有機薄層。此有機薄層包含此用於有機光電裝置之聚合物。
依據此揭露內容之另一方面，一包含此有機光電裝置之顯示器裝置被提供。
其後，本發明之另外實施例將詳細說明。
依據一實施例之聚合物可合成具有一所需能帶間隙之聚合物材料，而無論聚合物之聚合化程度。此外，聚合物被製備而於其終端具有一可交聯之官能性基團，因此，提供之有機薄層經交聯而促進層界面穩定性。
此外，聚合物具有優異之電洞注射及運送特性及用以於有機薄層間提供一級能階之適當能帶間隙，如此，有機光電裝置之性能被進一步改良。再者，可藉由解決由於濕式方法期間之溶劑而洗提或侵蝕其它有機薄層之問題而提 供一具有優異壽命及效率特性之有機光電裝置。
圖式簡單說明
第1至5圖係顯示包含依據本發明之各種不同實施例之聚合物之有機光電裝置之截面圖。
第6圖顯示依據實施例4之聚合物(4)之一1 H-NMR光譜。
第7圖係一顯示依據實施例4之聚合物(4)之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第8圖係一顯示依據實施例5之聚合物(5)之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第9圖係一顯示依據實施例6之聚合物6之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第10圖係一顯示包含依據實施例10及比較例2之聚合物之有機發光二極體之發光強度-電流密度之圖。
第11圖係一顯示包含依據實施例10及比較例2之聚合物之有機發光二極體之發光強度-電流效率之圖。
<指示圖式中之主要元件之參考編號之說明>
100‧‧‧有機光電裝置
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
105‧‧‧有機薄層
130‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞運送層(HTL)
150‧‧‧電子運送層(ETL)
160‧‧‧電子注射層(EIL)
170‧‧‧電洞注射層(HIL)
230‧‧‧發射層+電子運送層(ETL)
 詳細說明
本發明之例示實施例將於後詳細說明。但是，此等實施例僅係例示，且本發明不限於此。
於此使用時，當特別定義未另外提供，“經取代”一辭係指以至少一選自一C至C60之烷基基團、一C1至C60之烯基基團、一C3至C60之環烷基基團、一C1至C60之雜環烷基基團、一C6至C60之芳基基團、一C3至C60之雜芳基基團，及一C6至C60之芳基胺基團所組成族群之取代基取代者。
於此使用時，當特別定義未另外提供，“雜”一辭係指於一環內包含N、O、S、Si，或P且其餘係碳者。
依據本發明之一實施例，一包含一以下列化學式1表示之重複單元之聚合物被提供。
於如上之化學式1，Ar1 係一選自一C1至C60之經取代或未經取代之烷撐基基團、一含氮之C1至C60之經取代或未經取代之雜烷撐 基基團、一C6至C60之經取代或未經取代之芳撐基基團、一含氮之C3至C60之經取代或未經取代之雜芳撐基基團，及一C6至C60之經取代或未經取代之芳基胺基團所組成族群之二價有機基團，R1 及R2 係相同或相異，且獨立地係選自氫、一C1至C30之經取代或未經取代之烷基基團，及一C6至C30之經取代或未經取代之芳基基團所組成之族群，且a及b係相同或相異，且獨立地係0至4之整數。
當a係2或更大之整數，每一R1 可彼此相異，且當b係2或更大之整數，每一R2 可彼此相異。
傳統之聚合物具有一其中重複單元係於R1 及R2 之位置連接之結構。聚合物之共軛長度係依據聚合化程度之增加於重複單元間呈比例地增加。一般，聚合物具有各種不同之分子量及分子量分佈，因此，其可具有各種能階及能帶間隙，即使聚合物依據相同反應合成。因此，當聚合物被應用於有機光電裝置時，裝置性能由於能階分佈及能帶間隙分佈而普遍地惡化。
為解決此問題，包含一以化學式1表示之重複單元之聚合物被提供。此聚合物具有優點，因為共軛長度未增加，即使於藉由增加聚合化程度鏈而增加聚合物之情況，因為共軛長度係藉由Ar1 控制。因此，可合成一具有係於HOMO(最高佔據分子軌道)與LUMO(最低未佔據分子軌道)間之所欲差異之所欲能帶間隙之聚合物。此外，可藉由於其終端處提供可交聯之官能性基團以於有機薄層內形成交 聯帶而促進層界面穩定性。
聚合物之Ar1 係一選自一含氮之C1至C60之經取代或未經取代之雜烷撐基基團、一含氮之C3至C60之經取代或未經取代之雜芳撐基基團，及一C6至C60之經取代或未經取代之芳基胺基團所組成族群之二價有機基團。
此外，聚合物之Ar1 可藉由引入一雜環烷基基團及一芳基基團之稠合環(諸如，苯并咪唑衍生物)作為一取代基內而改良電子運送特性。亦藉由引入一芳基胺稠合環(諸如，一咔唑基團)作為一取代基內而改良電洞運送特性。
聚合物之Ar1 可為一選自下列化學式2至5所組成族群之取代基。
[化學式4]
於如上之化學式2至5，Ar11 至Ar15 係相同或相異，且獨立地係選自氫、一鹵素、一氰基基團、一羥基基團、一胺基基團、一硝基基團、一羧基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之烷基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之烯基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之烯基基團)、一經取代或未經取代之C3至C50之環烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C30之環烷基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基基團(例如，經取代或未經取代之C1至C30之雜環烷基基團)、一經取代或未經取代之C6至C50芳基基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C30芳基基團)、一經取代或未經取代之C3至C50之雜芳基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C30之雜芳基基團)、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基胺基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C30之芳基胺基團)、一經取代或未經取代之C1至C50 烷氧基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C30烷氧基基團)、一經取代或未經取代之C6至C50之芳氧基基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C20之芳氧基基團)、一經取代或未經取代之C2至C50之雜芳氧基基團(例如，一經取代或未經取代之C2至C20之雜芳氧基基團)、一經取代或未經取代之C3至C50之矽氧烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C40之矽氧烷基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之醯基基團)、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基基團(例如，一經取代或未經取代之C2至C20之烷氧基羰基基團)、一經取代或未經取代之C2至C50之醯氧基基團(例如，一經取代或未經取代之C2至C20之醯氧基基團)、一經取代或未經取代之C2至C50之醯基胺基基團(例如，一經取代或未經取代之C2至C50之醯基胺基基團)、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基胺基基團(例如，一經取代或未經取代之C2至C20之烷氧基羰基胺基基團)、一經取代或未經取代之C7至C50之芳氧基羰基胺基基團(例如，一經取代或未經取代之C7至C20之芳氧基羰基胺基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之胺磺醯基胺基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之胺磺醯基胺基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之磺醯基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之磺醯基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之烷基硫醇基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之烷基硫醇基團)、一經取代 或未經取代之C6至C50之芳基硫醇基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C20之芳基硫醇基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基硫醇基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之雜環烷基硫醇基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基尿素基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之醯基尿素基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之磷酸醯胺基團(例如，一經取代或未經取代之C1至C20之磷酸醯胺基團)、一經取代或未經取代之C3至C50之矽烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C40之矽烷基基團)，及其等之稠合環所組成之族群，且e、f、g、h、i、j、k，及l係相同或相異，且獨立地係範圍從0至4之整數。
於如上之化學式2至5，當Ar11 至Ar15 係相同或相異，且獨立地係選自一經取代或未經取代之C3至C50之環烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C30之環烷基基團)、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基基團(例如，一經取代或未經取代之C1至30之雜環烷基基團)、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C30之芳基基團)、一經取代或未經取代之C3至C50之雜芳基基團(例如，一經取代或未經取代之C3至C30之雜芳基基團)、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基胺基團(例如，一經取代或未經取代之C6至C30之芳基胺基團)，及其等之稠合環，電子及電洞之運送性質被更加地改良。
特別地，當於如上之化學式2至5中之芳基係一單環之芳基(諸如，苯基、聯苯、三聯苯、苯乙烯等)，或一多環之芳基(諸如，萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基等)，聚合物可用於一有機光電裝置之一發射層之材料。
以如上之化學式1表示之重複單元可包含以下列化學式6至18表示之重複單元：
[化學式10]
以如上之化學式2表示之取代基可為一以下列化學式19表示之取代基。
[化學式19]
於如上之化學式19，Ar14 係選自氫、一經取代或未經取代之苯基基團、一經取代或未經取代之聯苯基團、一經取代或未經取代之三聯苯基團、一經取代或未經取代之氟基團、一經取代或未經取代之咔唑基團、一經取代或未經取代之苯并咪唑基團，及一經取代或未經取代之芳基胺基團所組成之族群，且i係0或1。
以如上之化學式3表示之取代基可係一以下列化學式20表示之取代基。
於如上之化學式20，Ar15 及Ar16 係相同或相異，且獨立地係選自氫、一經取代或未經取代之苯基基團、一經取代或未經取代之聯苯基 團、一經取代或未經取代之三聯苯基團、一經取代或未經取代之氟基團、一經取代或未經取代之咔唑基團、一經取代或未經取代之苯并咪唑基團，及一經取代或未經取代之芳基胺基團，且j及k係相同或相異，且獨立地係0或1。
依據一實施例，聚合物包含一具有15,000或更多之平均分子量之聚合物。
依據一實施例之聚合物可進一步於其終端包含一可交聯之官能性基團，由於交聯形成而促進一有機薄層之界面穩定性。此外，其它有機薄層於濕式方法期間藉由溶劑洗提或侵蝕之問題係藉由使用此具有改良界面穩定性之聚合物而解決，因此，可提供一具有優異壽命及效率特性之有機光電裝置。
交聯鍵可藉由諸如熱固性、光固性等之各種交聯反應而造成。
可交聯之官能性基團可不受限扡係一般使用之官能性基團，且例如，包含一選自一經取代或未經取代之烯基基團、一經取代或未經取代之(甲基)丙烯基基團、一經取代或未經取代之環氧基團、一經取代或未經取代之苯乙烯基團，及一經取代或未經取代之烷氧基基團所組成族群之取代基。“經取代”一辭係指以一C1至C10之烷基基團或一C6至C30之芳基基團取代者。
依據一實施例之聚合物於一最高佔據分子軌道(HOMO)與一最低未佔據分子軌道(LUMO)間具有2.4eV或 更大之差異，且包含一具有優異之電洞注射及運送性質之重複單元。因此，聚合物可用於電洞注射及一有機發光二極體之一運送層。特別地，因為聚合物具有一足夠大之能帶間隙，當應用於一有機光電裝置時，其可改良壽命及效率特性。
依據本發明之另一實施例，一包含一陽極、一陰極，及一置於此陽極與此陰極間之有機薄層之有機光電裝置被提供。此有機薄層包含依據本發明之聚合物。有機光電裝置包含一有機發光二極體、一有機太陽能電池、一有機電晶體、一有機感光鼓、一有機記憶體裝置等。特別地，一有機太陽能電池可於一電極或一電極緩衝層包含依據一實施例之聚合物，以改良量子效率；一有機電晶體可於一閘、源-汲電極等包含此聚合物作為一電極材料。
依據一實施例之有機光電裝置可為一磷光有機發光二極體。此磷光有機發光二極體指示一包含一含有一磷光發光材料之發射層之裝置。此磷光發光材料可包含一含有一能藉由多於三重態之多重態激發而發射光線之金屬錯合物之材料。此磷光發光材料之代表例可包含一含有一選自Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm，及其等之組合物所組成族群之元素之有機金屬化合物，或一含有此化合物之寡聚物至聚合物之材料。例如，紅色磷光摻雜劑可包含鉑-八乙基卟啉(PtOEP)錯合物、Ir(Piq)2 (acac)、Ir(Piq)3 等；綠色磷光摻雜劑可包含Ir(PPy)2 (acac)、Ir(PPy)3 等；且藍色磷光摻雜劑可包含(4,6-F2 PPy)2 Irpic等。在此，Piq係指1-苯基異 喹啉，acac係指乙醯基丙酮酸酯，F2 Ppy係指2-(二氟苯基)吡啶基，pic係指吡啶甲酸鹽，且Ppy係指2-苯基吡啶。
依據一實施例之聚合物可作為一宿主材料或一電荷運送材料。
此外，含有此聚合物之有機薄層可包含一選自一發射層、一電洞運送層(HTL)、一電洞注射層(HIL)、一電洞阻絕層，及電子運送層(ETL)、一電子注射層(EIL)、一電子阻絕層，及一其等之組合所組成族群之層。其至少一層可含有依據一實施例之聚合物。
其後，一依據一實施例之有機光電裝置被詳細說明。
第1至5圖係一含有依據本發明之一實施例之用於一有機光電裝置之聚合物之有機發光二極體之截面圖。
參考第1至5圖，依據一實施例之有機發光二極體100，200，300，400，及500包含至少一置於一陽極120與一陰極110間之有機薄膜105。
陽極120包含一具有一助於電洞注射於一有機薄層內之大的功函數之陽極材料。陽極材料包含：一諸如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅，及金之金屬，或其等之合金；一諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)，及氧化銦錫(IZO)之金屬氧化物；一諸如ZnO：Al或SnO2 ：Sb之混合之金屬及氧化物，或一諸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙撐基-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯，及聚苯胺之導性聚合物，但不限於此。較佳係包含一作為一陽極之包含氧化銦錫(ITO)之透明電極。
陰極110包含一具有一助於電子注射於一有機薄層內之小的功函數之陰極材料。陰極材料包含：一諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫，及鉛之金屬，或其等之合金；或一諸如LiF/Al、Liq/Al、LiO2 /Al、LiF/Ca、LiF/Al，及BaF2 /Ca之多層材料，但不限於此。較佳係包含一作為陰極之含有鋁之金屬電極。
參考第1圖，一有機光電裝置100包含一有機薄層105，其僅含有一發射層130。
參考第2圖，一雙層之有機光電裝置200包含一有機薄層105，其含有一含有一電子運送層(ETL)之發射層230，及一電洞運送層(HTL)140。發射層230亦作為一電子運送層(ETL)，且電洞運送層(HTL)140具有一優異之與一透明電極(諸如，ITO)之結合性質或一優異之電洞運送性質。
參考第3圖，一三層之有機光電裝置300包含一有機薄層105，其包含一電子運送層(ETL)150、一發射層130，及一電洞運送層(HTL)140。發射層130係獨立地安裝，且具有優異之電子運送性質或優異之電洞運送性質之層被個別堆疊。
如第4圖所示，一四層之有機光電裝置400包含一有機薄層105，其包含一電子注射層(EIL)160、一發射層130、一電洞運送層(HTL)140，及一用於與ITO之陰極結合之電洞注射層(HIL)170。
如第5圖所示，一五層之有機光電裝置500包含一有機薄層105，其含有一電子運送層(ETL)150、一發射層130、 一電洞運送層(HTL)140，及一電洞注射層(HIL)170，且進一步含有一用以達成一低電壓之電子注射層(EIL)160。
於第1圖至第5圖，包含選自一電子運送層(ETL)150、一電子注射層(EIL)160、一發射層130或230、一電洞運送層(HTL)140、一電洞注射層(HIL)170，及其等之組合所組成族群之至少一者之有機薄層105包含一用於一有機光電裝置之化合物。用於此有機光電裝置之材料可用於一包含電子運送層(ETL)150或電子注射層(EIL)160之電子運送層(ETL)150。當用於電子運送層(ETL)，可提供一具有一更簡單結構之有機光電裝置，因為其不需一加外之電洞阻絕層(未示出)。
有機光電裝置可藉由於一基材上形成一陽極；依據一乾式塗覆方法(諸如，蒸發、噴濺、電漿電鍍，及陰離子電鍍)，或一濕式塗覆方法(諸如，旋轉塗覆、浸漬，及流動塗覆)形成一有機薄層；及於其上產生一陰極而製造。
特別地，依據一實施例之聚合物依據濕式塗覆方法形成一有機薄層，以便更有用地應用於一大尺寸之顯示器裝置。此外，依據一實施例之聚合物可藉由提供具交聯鍵之有機薄層而實施層界面穩定性。具有改良之界面穩定性之聚合物可解決於濕式方法期間其它有機薄層藉由溶劑洗提或侵蝕之問題，因此，可提供一具有改良之壽命及效率特性之有機光電裝置。
本發明之另一實施例提供一含有依據如上實施例之有機光電裝置之顯示器裝置。
其後，實施例係參考範例更詳細地例示。但是，下列係例示之實施例且非限制性。
實施例1：聚合物(1)之合成
本發明之聚合物(1)係經由下列二步驟合成。
步驟1：合成單體(1)
2克(13.4毫莫耳)之4-丁基苯胺、15.16克(53.6毫莫耳)之4-溴-1-碘苯、0.3克(1.34毫莫耳)之乙酸鈀、0.542克(2.68毫莫耳)之P(t-Bu)3 ，及3.86克(40.2毫莫耳)之第三丁氧化鈉於150毫升之無水甲苯內混合，且加熱及迴流24小時。完成此反應後，反應物被冷卻至室溫，且以乙酸乙酯及水萃取數次。然後，水份藉由無水硫酸鎂移除及過濾，且溶劑於減壓下移除。
形成物藉由氣相色譜分析術(矽石凝膠管柱，GPC)純化提供2.2克(產率：36%)之單體(1)。合成之單體(1)藉由1 H-NMR使用Bruker 300MHz確認。
1 H-NMR(CDCl3 ,ppm)：δ 0.93(三重態，3H),1.34(多重態，2H),1.59(多重態，2H),2.56(三重態，2H),6.92(多重 態，6H),7.05(單重態，1H),7.09(單重態，1H),7.28-7.32(三重態之雙重態，4H)
步驟2：合成聚合物(1)
0.775克(1毫莫耳)之自步驟1獲得之單體(1)、0.584克(1毫莫耳)之艿硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨、10毫升之甲苯，及10毫升之四氫呋喃(THF)於氮氛圍下混合，且於80℃加熱及攪拌18小時。
0.1毫升之1-溴-4-丁基苯添加至此混合溶液，且攪拌2小時，然後，添加0.1克之4-丁基苯基硼酸，且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲苯內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚 合物溶於10毫升之甲苯且引入200毫升之丙酮：乙醇：水(體積比例4：2：1)之混合溶液內，且再次沈澱。沈澱之聚合物被過濾且溶於甲苯，且藉由氣相色譜分析術(Florisil管柱，GPC)純化。藉此，獲得1克之黃色聚合物(1)。自GPC分析結果確認聚合物(1)具有5800之數平均分子量(Mn)，11,800之重量平均分子量(Mw)，及2.0之分子量分佈(多分散性，PDI=Mw/Mn)。
實施例2：聚合物(2)之合成
本發明之聚合物(2)係經由下列步驟合成。
步驟1：合成單體(2)
2.223克(10毫莫耳)之異丁基咔唑、4.82克(20毫莫耳)之三(4-溴苯基)胺，及0.3克(3毫莫耳)之氯化亞銅懸浮於40毫升之二甲基亞碸(DMSO)且加熱及迴流4小時。完成此反應後，反應物冷卻至室溫，且藉由乙酸乙酯及水萃取數次。然後，水份藉由無水硫酸鎂移除及過濾，且溶劑於減壓下移除。
形成物藉由氣相色譜分析術(矽石凝膠管柱，GPC)純化提供2.4克(產率：32%)之單體(2)。合成之單體(2)藉由1 H-NMR使用Bruker 300MHz確認。
1 H-NMR(CDCl3 ,ppm)：δ 0.92(雙重態，6H),1.93(多重態，1H),2.61(雙重態，2H),7.08(多重態，5H),7.25(多重態，4H),7.40(多重態，8H),8.02(雙重態，1H),8.10(雙重態，1H)
步驟2：合成聚合物(2)
0.624克(1毫莫耳)(MW 624.42)之自步驟1獲得之單體(2)、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氮氛圍下混合，且於80℃加熱及攪拌18小時。
0.1毫升之1-溴-4-丁基苯添加至此混合溶液且攪拌2小 時，然後，添加0.1克之4-丁基苯基硼酸，且攪拌4小時。反應物於100毫升之甲醇內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於50毫升之甲苯且引入300毫升之丙酮：乙醇：水(1：1：1體積比例)之混合溶液內並且再沈澱。沈澱之聚合物被過濾及溶於甲苯內，並且藉由色譜分析術(Florisi管柱，GPC)純化。藉此，獲得1克之黃色聚合物(2)。自GPC分析結構確認聚合物(2)具有10,000之數平均分子量(Mn)，19,500之重量平均分子量(Mw)，2.0之分子量分佈(多分散性，PDI=Mw/Mn)。
實施例3：聚合物(3)之合成
本發明之聚合物(3)係經由下列二步驟合成。
步驟1：合成單體(3)
1克(2毫莫耳)之異丁基芴硼酸-吡啶甲酸鹽、1.93克(4毫莫耳)之三(4-溴苯基)胺、0.058克(0.05毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀，及0.55克(4毫莫耳)之碳酸鉀於60毫升之甲苯、60毫升之THF、30毫升之蒸餾水中混合，且加熱及攪拌2小時。完成反應後，反應物冷卻至室溫，且以乙酸乙酯及水萃取數次。然後，水份藉由無水硫酸鎂移除及過濾，且溶 劑於減壓下移除。
形成物藉由氣相色譜分析術(矽石凝膠管柱，GPC)純化提供3.1克(產率：32%)之單體(3)。合成之單體(3)藉由1 H-NMR使用Bruker 300MHz確認。
1 H-NMR(CDCl3 ,ppm)：δ 0.85(雙重態，6H),1.79(多重態，1H),2.38(雙重態，2H),6.87(多重態，8H),7.10-7.45(多重態，18H),7.72(雙重態，2H)
步驟2：合成聚合物(3)
0.775克(1毫莫耳)(MW 775.61)之自步驟1獲得之單體(3)、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氮氛圍下混合，且於80℃加熱及攪拌18小時。
0.1毫升之1-溴-4-丁基苯添加至此混合溶液且攪拌2小時，然後，添加0.1克之4-丁基苯基硼酸且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲醇沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於10毫升之甲苯，且引入200毫升之丙酮：乙醇：水(4：2：1體積比例)之混合溶液內並且再沈澱。沈澱之聚合物被過濾及溶於甲苯，且藉由氣相色譜分析術(Florisil管柱，GPC)純化。藉此，獲得1克之黃色聚合物(3)。自GPC分析結果確認聚合物(3)具有14,200之數平均分子量(Mn)，24,000之重量平均分子量(Mw)，及1.7之分子量分佈(多分散性，PDI=Mw/Mn)。
實施例4：聚合物(4)之合成
本發明之聚合物(4)經由下列二步驟合成。
步驟1：：合成單體(1)
2.223克(10毫莫耳)之異丁基咔唑、4.82克(20毫莫耳)之三(4-溴苯基)胺、0.3克(3毫莫耳)之氯化亞銅，及4.15克(30毫莫耳)之碳酸鉀懸浮於40毫升之二甲基亞碸(DMSO)，且加熱及迴流4小時。完成此反應後，反應物冷卻至室溫，且以乙酸乙酯及水萃取數次。然後，水份藉由無水硫酸鎂移除並且過濾，然後，溶劑於減壓下移除。
形成物藉由氣相色譜分析術(矽石凝膠管柱，GPC)純化提供2.4克(產率：32%)之單體(2)。合成之單體(1)藉由1 H-NMR使用Bruker 300MHz確認。
1 H-NMR(CDCl3 ,ppm)：δ 0.92(雙重態，6H),1.93(多重態，1H),2.61(雙重態，2H),7.08(多重態，5H),7.25(多重態，4H),7.40(多重態，8H),8.02(雙重態，1H),8.10(雙重態，1H)
步驟2：合成聚合物(4)
[反應流程8]
0.624克(1毫莫耳)之自步驟1獲得之單體(1)、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氮氛圍下混合，且於100℃攪拌8小時。
冷卻至80℃後，添加0.183克之4-溴苯乙烯並且攪拌2小時，然後，添加0.2克之4-苯乙烯硼酸且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲醇內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於50毫升之甲苯且引入300毫升之丙酮：乙醇：水(1：1：1體積比例)之混合溶液內並且再沈澱。沈澱之聚合物被過濾 且溶於甲苯，並且藉由Florisil管柱色譜分析術純化。藉此，獲得1克之黃色聚合物(4)。聚合物(4)具有18,000之數平均分子量(Mn)。
苯乙烯基團(交聯基團)係藉由1 H-NMR(CDCl3 ,ppm)確認且顯示於第6圖。如第6圖所示，質子峰於苯乙烯基團之乙烯基團之傳統位置監測(5.3ppm：5.7ppm：6.7ppm=1：1：1)。
實施例5：聚合物(5)之合成
聚合物(5)係使用二用於實施例4之聚合物(4)之單體且藉由改變終端基轉合成，以增加苯乙烯基團之數量。
[反應流程9]
0.624克(1毫莫耳)之自實施例4之步驟1獲得之單體(1)、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005 毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氮氛圍下混合，且於100℃攪拌8小時。
冷卻至80℃後，添加0.315克之1,3,5-三溴苯且攪拌2小時，然後，添加0.6克之4-苯乙烯硼酸且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲醇內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於50毫升之甲苯且引入300毫升之丙酮：乙醇：水(1：1：1體積比例)之混合溶液內及再沈澱。沈澱之聚合物被過濾且溶於甲苯及藉由Florisil管柱氣相色譜分析術純化。藉此，獲得0.8克之黃色聚合物(5)。聚合物(5)具有20,000之數平均分子量(Mn)。
實施例6：聚合物6之合成
聚合物(6)係依據與實施例4之聚合物(4)之方法相同之程序合成，但3,5-二溴-N,N-二對-甲苯基苯胺被使用以替代實施例4之單體(1)。
[反應流程10]
0.431(1毫莫耳)之3,5-二溴-N,N-二對-甲苯基苯胺、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氮氛圍下混合且於100℃攪拌8小時。
冷卻至80℃後，添加0.183克之4-溴苯乙烯且攪拌2小時，然後，添加0.2克之4-苯乙烯硼酸且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲醇內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於50毫升之甲苯且引入300毫升之丙酮：乙醇：水(1：1：1體積比例)之混合溶液內及再沈澱。沈澱之聚合物被過濾且溶於甲苯，且藉由Florisi管柱氣相色譜分析術純化。藉此，獲得 1克之黃色聚合物(6)。聚合物(6)具有17,000之數平均分子量(Mn)。
實施例7：聚合物(7)之合成
聚合物(7)係依據與實施例5之聚合物(5)之合成方法相同之程序合成，但3,5-二溴-N,N-二對-甲苯基苯胺被使用以替代實施例4之單體(1)。
[反應流程11]
0.431(1毫莫耳)之3,5-二溴-N,N-二對-甲苯基苯胺、0.584克(1毫莫耳)之芴硼酸-吡啶甲酸鹽、6毫克(0.005毫莫耳)之四-(三苯基膦)鈀、10毫升之四乙基氫氧化銨水溶液、10毫升之甲苯，及10毫升之THF於氫氛圍下混合，且於100℃攪拌8小時。
冷卻至80℃後，0.315克之1,3,5-三溴苯添加至此混合溶液且攪拌2小時，然後，添加0.6克之4-苯乙烯硼酸且攪拌4小時。反應物於200毫升之甲醇內沈澱而沈積一聚合物。獲得之聚合物溶於50毫升之甲苯且引入300毫升之丙酮：乙醇：水(1：1：1體積比例)之混合溶液內並再沈澱。沈澱之聚合物被過濾且溶於甲苯及藉由Florisil管柱氣相色譜分析術純化。藉此，獲得0.8克之黃色聚合物(7)。聚合物(7)具有24,000之數平均分子量(Mn)。
實施例1：發光特性分析
0.1克之自實施例2及3合成之每一聚合物與1.14毫升之甲苯溶劑混合，且旋轉塗覆於一玻璃基材上而提供一具有20nm厚度之薄膜。
塗覆於基材上之聚合物係使用一UV光譜儀(Shimadzu,UV-1650 PC)及光譜輻射儀(Minolta,CS-1000A)測量以決定於室溫(約25℃)之UV/可見光吸收及光致發光發射波長及決定於77K之低溫之溶液PL(光致發光)發射波長。
實施例2合成之聚合物具有212nm、245nm，及335nm之吸收波長，於室溫時之409nm最大發光波長，於77K之低溫時之389nm最大發光波長，及484nm之磷光最大發光波 長。以此等光譜特性為基準，自實施例2合成之聚合物(2)之能帶間隙能量被計算。單重態能帶間隙能量係3.24eV，且三重態能帶間隙能量係2.56eV。
自實施例3合成之聚合物具有210nm、265nm，及355nm之吸收波長，於室溫之414nm最大發光波長，於77K之低溫之396nm最大發光波長，及497nm之磷光最大發光波長。以此等光譜特性為基準，自實施例3合成之聚合物(3)之能帶間隙能量被計算。單重態能帶間隙能量係3.19eV，且三重態能帶間隙能量係2.49eV。
能帶間隙能量指示HOMO(最高佔據分子軌道)與LUMO(最低未佔據分子軌道)間之差異。依據本發明之聚合物可有用地應用於有機光電裝置之一有機薄層。
實施例4至7合成之每一聚合物於下列條件下測量光譜特性(UV/可見光吸收及光致發光發射)。
其中10毫克之聚合物溶於1毫升甲苯之溶液藉由一0.45μm PTFE針筒膜過濾。0.2毫升之濾液以2000rpm之速度旋轉塗覆於一石英基材(2cmX2cm)上，且於80℃乾燥10分鐘而提供一具有20nm厚度之薄膜。
塗覆於基材上之聚合物使用一UV光譜儀(Shimadzu,UV-1650 PC)及一光譜輻射儀(Minolta,CS-1000A)測量於室溫(約25℃)之UV/可見光吸收及光致發光發射波長及於77K之低溫之PL(光致發光)發射波長。實施例4至6獲得之聚合物之光譜特性結果係顯示於第7圖至第9圖。
藉此，三重態能帶間隙被測量。確認實施例6獲得之聚 合物具有2.7eV之三重態能帶間隙。
實驗例2：膜特性分析
10毫克之實施例6獲得之聚合物溶於1毫升之二甲苯，且藉由45μm PTFE針筒膜過濾，且以2000rpm之速度旋轉塗覆於一玻璃基材上。形成之層於180℃乾燥60分鐘，且分子量藉由氣相色譜分析術(GPC)監測。形成此層後之數平均分子量(Mn)係47,000，與固化前之17,000相比係以2.7倍增加。
藉此，確認界面穩定性由於實施例6獲得之聚合物作為有機光電裝置之一有機薄層時交聯而促進。
實施例8：有機發光二極體之製造
一15Ω/cm2 (1200Å)ITO玻璃基材(Corning Inc.)被製備具有25mm x 25mm x 0.7mm之尺寸以提供一第一電極。包含此第一電極之基材個別於異丙醇及純水中使用超音波清理5分鐘，其後以UV臭氧清理30分鐘。
PEDOT/PSS旋轉塗覆於第一電極上提供一電洞注射層(HIL)。於電洞注射層(HIL)上，實施例1之聚合物(1)被旋轉塗覆。
其後，用於發射層之宿主材料係1：1重量比例之4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)及3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)之混合物，且摻雜劑係13重量%之三(2-4(4-甲苯基)苯基吡啶)銥(Ir(mppy)3 )，然後，使其接受旋轉塗覆。
雙(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基酚)鋁(BAlq)真空沈積於發射層上提供一50Å-厚之電洞阻絕層。然禝，三(8-羥基-喹 啉)鋁(Alq3 )真空沈積於電洞阻絕層上提供一200Å厚之電子運送層(ETL)。
一LiF之電子注射層係以10Å之厚度提供於電子運送層上，且一Al之第二電極係以1000Å之厚度真空沈積而提供一有機發光二極體。
實施例9：有機發光二極體之製造
一有機發光二極體係依據與實施例8相同之方法但使用聚合物(3)而製造。
比較例1
一有機發光二極體係依據與實施例8相同之方法製造，但發射層係直接形成於電洞注射層(HIL)上。
實驗例3：有機發光二極體之性能
為發現自實施例8及9與比較例1獲得之有機發光二極體之特性，使此裝置開始發光時之早期趨動電壓(啟動電壓)係使用一電流-電壓計(Keithley 2400)測量。
此外，趨動電壓(V)、發光效率(cd/A)，及電力效率(lm/W)係於發光強度係1000cd/m2 時使用一發光強度計(Minolta Cs-1000A)測量，且結果顯示於下列之第1表。
如第1表所示，確認個別自實施例8及9獲得之有機發光二極體於1000cd/m2 具有22cd/A及18.8cd/A之發光效率，其與比較例1者相比係以30%或更多而改良，與10lm/W及8.2lm/W之電力效率，其與比較例1者相比係以1.6倍或更多而增加。
此外，確認自實施例8及9獲得之有機發光二極體具有比比較例1之有機發光二極體更低之趨動電壓及更優異之最大發光效率及最大電力效率。
實施例10：有機發光二極體之製造
含有依據實施例6之聚合物之有機發光二極體係以下列裝置結構製造。
一PEDOT：PSS層係以60nm之厚度旋轉塗覆於一ITO基材上以提供一陰極。PEDOT：PSS層於180℃乾燥20分鐘， 且依據實施例3之聚合物以20nm之厚度旋轉塗覆於PEDOT：PSS層之上表面上且於180℃乾燥60分鐘。
一發射層係以40nm之厚度旋轉塗覆於含有自實施例6獲得之聚合物之層之上表面上。發射層係藉由使用4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯基胺：：2-第三丁基苯基-5-聯苯-1,3,4'-噁二唑(TCTA：PBD=1：1)之混合物之宿主且以5重量%(以發射層之總量為基準)之Ir(PPy)2 (acac)摻雜劑摻雜而製備。形成之發射層於110℃乾燥10分鐘。
Balq真空沈積於發射層上提供5nm-厚之電洞阻絕層。然後，Alq真空沈積於發射層之上表面上提供一具有20nm厚之電子運送層(ETL)。
LiF及Al以1nm及100nm之個別厚度依序真空沈積作為電子運送層(ETL)上之陽極而製造一有機發光二極體。
比較例2
一不含有依據實施例6之聚合物之有機發光二極體係以下列裝置結構製造。
PEDOT：PSS層係以60nm厚旋轉塗覆於ITO基材之上表面上以提供一陰極。PEDOT：PSS層於180℃乾燥20分鐘。
一發射層係以40nm厚旋轉塗覆於PEDOT：PSS層之上表面上。發射層係藉由使用4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯基胺：2-第三丁基苯基-5-聯苯-1,3,4'-噁二唑(TCTA：PBD=1：1)之混合物之宿主及5重量%(以發射層之總量為基準)之Ir(PPy)2 (acac)之摻雜劑而製備。形成之發射層於110℃乾燥10分鐘。
Balq真空沈積於發射層上提供一5nm-厚之電洞阻絕層。其後，Alq真空沈積於發射層之上表面上提供一20nm-厚之電子運送層(ETL)。
LiF及Al係以1nm及100nm之個別厚度依序真空沈積作為電子運送層(ETL)上之一陽極而製造一有機發光二極體。
實驗例4：有機發光二極體之特性
1)趨動電壓、發光強度，及發光效率
自實施例10及比較例2獲得之每一有機發光二極體測量用於2000cd/cm2 亮度所需之起動電壓(V)、電流效率(cd/A)，及用於相同亮度之電力效率(lm/W)，且結果顯示於第2表。此外，啟動電壓係指有機發光二極體開始發光時之電壓，且結果係顯示於下列之第1表。
2)依電流密度而定之發光強度變化
經此單元裝置流動之電流係使用一電流-電壓計(Keithley 2400)測量。電流密度係藉由使測得之電流值除以有機發光二極體之面積而計算。自實施例10及比較例2獲得之每一有機發光二極體被測量依電流密度而定之發光強度變化，且結果係顯示於第10圖。
3)依發光強度而定之電流效率變化
發光強度係使用一發光強度計(Minolta Cs-1000A)測量，且依據實施例5及比較例1之每一有機發光二極體被測量依發光強度而定之電流效率變化，且結果係顯示於第11圖。
確認與不含有聚合物之依據比較例2之有機發光二極體相比，依據實施例10之有機發光二極體減少趨動電壓及以94%改良電流效率，且以112%改良電力效率。
雖然本發明已結合現今被認為係實際例示實施例作說明，但需瞭解本發明不限於揭露之實施例，相反地，係意欲涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範圍內之各種改良及等效安排。因此，前述實施例需瞭解係例示而非以任何方式限制本發明。
100,200,300,400,500‧‧‧有機光電裝置
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
105‧‧‧有機薄層
130‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞運送層(HTL)
150‧‧‧電子運送層(ETL)
160‧‧‧電子注射層(EIL)
170‧‧‧電洞注射層(HIL)
230‧‧‧發射層+電子運送層(ETL)
第1至5圖係顯示包含依據本發明之各種不同實施例之聚合物之有機光電裝置之截面圖。
第6圖顯示依據實施例4之聚合物(4)之一1 H-NMR光譜。
第7圖係一顯示依據實施例4之聚合物(4)之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第8圖係一顯示依據實施例5之聚合物(5)之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第9圖係一顯示依據實施例6之聚合物6之UV/可見光吸收及光致發光(PL)發射波長之圖。
第10圖係一顯示包含依據實施例10及比較例2之聚合物之有機發光二極體之發光強度-電流密度之圖。
第11圖係一顯示包含依據實施例10及比較例2之聚合物之有機發光二極體之發光強度-電流效率之圖。
500‧‧‧有機光電裝置
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
105‧‧‧有機薄層
130‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞運送層(HTL)
150‧‧‧電子運送層(ETL)
160‧‧‧電子注射層(EIL)
170‧‧‧電洞注射層(HIL)

Claims (11)

  1. 一種聚合物，包含一以下列化學式1表示之重複單元： 其中，於如上之化學式1中，Ar1 係一選自於由一C1至C60之經取代或未經取代之烷撐基基團、一含氮之C1至C60之經取代或未經取代之雜烷撐基基團、一C6至C60之經取代或未經取代之芳撐基基團、一含氮之C3至C60之經取代或未經取代之雜芳撐基基團，及一C6至C60之經取代或未經取代之芳基胺基團所組成族群之二價有機基團，R1 及R2 係相同或相異，且獨立地係選自於由氫、一C1至C30之經取代或未經取代之烷基基團，及一C6至C30之經取代或未經取代之芳基基團所組成之族群，且a及b係相同或相異，且獨立地係0或1至4之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該聚合物之Ar1 係選自於由以下列化學式2至5表示之取代基所組成之族群： [化學式3] 其中，於如上之化學式2至5中，Ar11 至Ar15 係相同或相異，且獨立地係選自於由氫、一鹵素、一氰基基團、一羥基基團、一胺基基團、一硝基基團、一羧基基團、一經取代或未經取代之C1至C20烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之烯基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之環烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基基團、一經取代或未經取代之C6至C50芳基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之雜芳基基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基胺基團、一經取代或未經取代之C1至C50烷氧基基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳氧基基 團、一經取代或未經取代之C2至C50之雜芳氧基基團、一經取代或未經取代之C3至C50之矽氧烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之醯氧基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之醯基胺基基團、一經取代或未經取代之C2至C50之烷氧基羰基胺基基團、一經取代或未經取代之C7至C50之芳氧基羰基胺基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之胺磺醯基胺基基團、一經取代或未經取代之C1至C51之磺醯基基團、一經取代或未經取代之C1至C50之烷基硫醇基團、一經取代或未經取代之C6至C50之芳基硫醇基團、一經取代或未經取代之C1至C50之雜環烷基硫醇基團、一經取代或未經取代之C1至C50之醯基尿素基團、一經取代或未經取代之C1至C50之磷酸醯胺基團、一經取代或未經取代之C3至C50之矽烷基基團，及其等之稠合環所組成之族群，且e、f、g、h、i、j、k，及l係相同或相異，且獨立地係範圍從0至4之整數。
  3. 如申請專利範圍第2項之聚合物，其中，於如上之化學式2至5中之Ar11 至Ar15 係相同或相異，且獨立地係選自於由一經取代或未經取代之C3至C30之環烷基基團、一經取代或未經取代之C1至C30之雜環烷基基團、一經取代或未經取代之C6至C30之芳基基團、一經取代或未經取代之C3至C30之雜芳基基團、一經取代或未經取代之 C6至C30之芳基胺基團，及其等之稠合環所組成之族群。
  4. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該聚合物之Ar1 係一以下列化學式19或20表示之取代基： 其中，於如上之化學式19及20中，Ar14 至Ar16 係相同或相異，且獨立地係選自於由氫、一經取代或未經取代之苯基基團、一經取代或未經取代之聯苯基團、一經取代或未經取代之三聯苯基團、一經取代或未經取代之氟基團、一經取代或未經取代之咔唑基團、一經取代或未經取代之苯并咪唑基團，及一經取代或未經取代之芳基胺基團所組成之族群，且i、j及k係相同或相異，且獨立地係0或1。
  5. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該聚合物進一步於其終端包含一可交聯之官能性基團。
  6. 如申請專利範圍第5項之聚合物，其中，該可交聯之官 能性基團包含一選自於由一經取代或未經取代之烯基基團、一經取代或未經取代之(甲基)丙烯基基團、一經取代或未經取代之環氧基團、一經取代或未經取代之苯乙烯基團，及一經取代或未經取代之烷氧基基團所組成族群之取代基。
  7. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該聚合物於一最高佔據分子軌道(HOMO)與一最低未佔據分子軌道(LUMO)間具有2.4eV或更大之差異。
  8. 一種有機光電裝置，包含一陽極、一陰極，及一置於該陽極與陰極間之有機薄層，其中，該有機薄層包含如申請專利範圍第1至7項中任一項之聚合物。
  9. 如申請專利範圍第8項之有機光電裝置，其中，該聚合物係作為一宿主材料或電荷運送材料。
  10. 如申請專利範圍第8項之有機光電裝置，其中，該有機薄層係選自於由一發射層、一電洞運送層(HTL)、一電洞注射層(HIL)、一電洞抑制層、一電子運送層(ETL)、一電子注射層(EIL)、一電子抑制層，及一其等之組合所組成之族群。
  11. 一種顯示器裝置，包含如申請專利範圍第8項之有機光電裝置。
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