TWI420678B - 光感測元件陣列基板 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種光感測元件陣列基板，且特別是有關於一種可撓性的光感測元件陣列基板。
半導體工業是近年來發展速度最快之高科技工業之一，隨著電子技術的日新月異，高科技電子產業的相繼問世，使得更人性化、功能更佳的電子產品不斷地推陳出新。另外，新型材料的應用與製程技術的提升都是使得各項電子產品可逐漸地符合市場需求的重要因素。
在眾多電子產品中，軟性電子產品因為具有重量輕、攜帶容易、可捲曲等特點而具有高度的發展潛能。舉例而言，光感測元件若可製作成軟性電子產品，將可以發展為人造視網膜、機器人的人造皮膚、可撓性掃描器或可撓性拷貝器等等產品。然而，多數電子元件無法承受撓曲而可能無法正常工作甚至失去效能，所以軟性電子產品的應用層面仍被侷限。
以常見的薄膜電晶體而言，薄膜電晶體中的半導體通道層多為非晶矽或是多晶矽。此類薄膜電晶體在受到撓曲狀態下，薄膜電晶體的電性特性將會受到影響，例如其開啟之後的導通電流在撓曲與未撓曲的狀態下將會有所不同。所以，這樣的薄膜電晶體製作於軟性電子產品中將會發生產品運作模式不穩定的情形。也因此，如果要廣泛的應用軟性電子產品的技術，則必須克服電子元件受撓曲而展現不同特性的問題。
本發明提供一種光感測元件陣列基板，其具有可撓性，且在撓曲之後，各光感測元件仍可正常的運作。
本發明另提供一種光感測元件陣列基板，具有較高的信賴性。
本發明提出一種光感測元件陣列基板，包括一可撓性基板、多個光感測元件。光感測元件陣列配置於可撓性基板上。各光感測元件包括一光感測薄膜電晶體、一氧化物半導體薄膜電晶體以及一電容。光感測薄膜電晶體配置於可撓性基板上。氧化物半導體薄膜電晶體也是配置於可撓性基板上，並電性連接光感測薄膜電晶體。電容則配置於可撓性基板上，並電性連接於光感測薄膜電晶體與氧化物半導體薄膜電晶體之間。
本發明另提出一種光感測元件陣列基板，包括一可撓性基板、多個光感測元件。光感測元件陣列配置於可撓性基板上。各光感測元件包括一光感測薄膜電晶體、一氧化物半導體薄膜電晶體以及一電容。光感測薄膜電晶體配置於可撓性基板上。氧化物半導體薄膜電晶體也是配置於可撓性基板上，並電性連接光感測薄膜電晶體。電容則配置於可撓性基板上，並電性連接於光感測薄膜電晶體與氧化物半導體薄膜電晶體之間。其中，光感測薄膜電晶體包括一第一閘極、一感光性半導體層、一第一絕緣層、一第一源極與一第一汲極。第一絕緣層配置於第一閘極以及感光性半導體層之間。第一源極連接至感光性半導體層，而第一汲極也連接至感光性半導體層，其中第一源極與第一汲極位於第一閘極的相對兩側。另外，氧化物半導體薄膜電晶體包括一第二閘極、一氧化物半導體層、一第二絕緣層、一第二源極與一第二汲極。氧化物半導體層配置於第一絕緣層上。第二源極連接至氧化物半導體層，而第二汲極也連接至氧化物半導體層，其中第二源極與第二汲極位於第二閘極的相對兩側。第二閘極配置於第二絕緣層上並位於氧化物半導體層上方。
基於上述，本發明將氧化物半導體薄膜電晶體作為光感測元件的開關電晶體。光感測元件陣列基板受到撓曲時，氧化物半導體薄膜電晶體在開啟狀態下仍可以維持正常的運作模式。所以，本發明之光感測元件陣列基板可應用於各種軟性電子產品中，不會有電子元件因撓曲而無法執行正常的功能之情形。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1繪示為本發明之一實施例的光感測元件陣列基板之示意圖。圖2A與圖2B分別繪示為本發明之一實施例的光感測元件的上視示意圖與電路圖。請同時參照圖1、圖2A與圖2B，光感測元件陣列基板100包括一可撓性基板110以及多個光感測元件120。各光感測元件120包括一光感測薄膜電晶體122、一氧化物半導體薄膜電晶體124以及一電容126。光感測薄膜電晶體122配置於可撓性基板110上。氧化物半導體薄膜電晶體124也是配置於可撓性基板110上，並電性連接光感測薄膜電晶體122。電容126則配置於可撓性基板110上，並電性連接於光感測薄膜電晶體122與氧化物半導體薄膜電晶體124之間。
具體而言，光感測元件120為一由兩個薄膜電晶體(122與124)與一個電容126所組成的元件。在此，氧化物半導體薄膜電晶體124實質上為控制光感測元件120之開啟與關閉的開關元件。光感測薄膜電晶體122則是實際執行光線感測動作的感測元件。詳言之，光感測薄膜電晶體122吸收光線而產生之電荷將先儲存於電容126中。此外，光感測元件120中之掃描線128可以傳送一電壓訊號使得氧化物半導體薄膜電晶體124導通。當氧化物半導體薄膜電晶體124將光感測元件120開啟時，儲存於電容126之電荷將透過氧化物半導體薄膜電晶體124傳送至光感測元件120之資料線130。如此一來，光感測元件120便可感測光線的變化並產生對應的訊號而達到光線感測的動作。
詳言之，圖2B所繪示的電路圖中，氧化物半導體薄膜電晶體124的閘極是連接到掃描線128，源極則連接至資料線130，而汲極則連接至光感測薄膜電晶體122以及電容126。另外，光感測元件120的電路設計中實質上還包括有一電源127以及一共用電極129，其中共用電極129實質上為光感測元件120之接地線。電容126的一端連接至氧化物半導體薄膜電晶體124的汲極，而另一端則連接至共用電極129。光感測薄膜電晶體122的閘極連接至電源127，且電源127所提供的電壓可以視光感測薄膜電晶體122的類型而決定。
舉例而言，光感測薄膜電晶體122為P型薄膜電晶體時，電源127所提供的電壓實質上為正電壓，而光感測薄膜電晶體122為N型薄膜電晶體時，電源127所提供的電壓則例如為負電壓。除此之外，光感測薄膜電晶體122為P型薄膜電晶體時，光感測薄膜電晶體122的源極連接至氧化物半導體薄膜電晶體124的汲極，而光感測薄膜電晶體122的汲極則連接至共用電極219。光感測薄膜電晶體122為N型薄膜電晶體時，光感測薄膜電晶體122的汲極連接至氧化物半導體薄膜電晶體124的汲極，而光感測薄膜電晶體122的源極則連接至共用電極219。
在本實施例中，氧化物半導體薄膜電晶體124是以氧化物半導體材料做為半導體通道層。相較於傳統以非晶矽或是多晶矽作為半導體通道層的薄膜電晶體而言，氧化物半導體薄膜電晶體124對於可撓性基板110的撓曲程度較不敏感。也就是說，無論可撓性基板110是否處於一種被撓曲的狀態，氧化物半導體薄膜電晶體124都可以維持穩定的開啟狀態以使光感測元件120正常進行感測動作。因此，本實施例的設計可以解決可撓性基板110被撓曲時，光感測元件120無法正常運作的問題。
值得一提的是，光感測元件120進行光線感測時，光感測薄膜電晶體122是處於關閉的狀態(off-state)。實際上，光感測元件120的感測動作是利用光感測薄膜電晶體122之閘極輸入一適當之反電壓使其操作在關閉狀態下的漏電流而進行的。因此，光感測薄膜電晶體122無論選用何種半導體材質作為半導體通道層都可以不受可撓性基板110之撓曲的影響而可正常的進行感測。換言之，本實施例感測元件120用的薄膜電晶體必須克服可撓性基板110的撓曲現象，就可以正確地進行光線感測的功能。
另外，光感測元件120中，兩個薄膜電晶體可以採用不同的結構設計，以下將舉出數種光感測元件120的結構設計。當然，以下的舉例僅是為了進一步描述本發明之精神，並非用以限定本發明。首先，圖3繪示為本發明之第一實施例的光感測元件的剖面結構示意圖。請參照圖3，光感測元件300配置於可撓性基板110上。光感測元件300包括一光感測薄膜電晶體310、一氧化物半導體薄膜電晶體320以及一電容330。
具體來說，光感測薄膜電晶體310包括一透明之閘極312、一感光性半導體層314、一絕緣層316、一源極318S與一汲極318D。絕緣層316配置於閘極312以及氧化物半導體層314之間。源極318S連接至感光性半導體層314，而汲極318D也連接至感光性半導體層314，其中源極318S與汲極318D位於閘極312的相對兩側。在本實施例中，閘極312的材質為一透明導電材料，其包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銀等。
另外，氧化物半導體薄膜電晶體320包括一閘極322、一氧化物半導體層324、一絕緣層326、一源極328S與一汲極328D。絕緣層326配置於閘極322以及氧化物半導體層324之間。源極328S連接至氧化物半導體層324，而汲極328D也連接至氧化物半導體層324，其中源極328S與汲極328D位於閘極322的相對兩側。
在本實施例中，光感測薄膜電晶體310例如是一種底閘型結構的薄膜電晶體，而氧化物半導體薄膜電晶體320則例如是一種頂閘型結構的薄膜電晶體。不過，本發明不限於此，在其他的實施方式中，光感測薄膜電晶體310與氧化物半導體薄膜電晶體320兩者可以同時是底閘型結構設計或者同時是頂閘型結構設計，也可以一者為頂閘型結構設計而另一者為底閘型結構設計。這些薄膜電晶體的結構設計更可以隨著不同製程條件的要求而有所改變。此外，在本實施例中，絕緣層316與絕緣層326為不同膜層，但在其他實施例中隨著薄膜電晶體(310與320)的結構設計變化，此兩絕緣層316與326也可以是同一膜層。圖3所繪示的結構僅是舉例說明之用，並非限定本發明。
值得一提的是，光感測元件300配置於可撓性基板110上。所以，為了使光感測元件300在不同的狀態下都可以進行光線感測的動作，本實施例採用氧化物半導體薄膜電晶體320做為控制光感測元件300開啟與否的開關元件。如此一來，可撓性基板110在撓曲的狀態下，光感測元件300仍可以正常的運作。
氧化物半導體薄膜電晶體320的氧化物半導體層324是由氧化物半導體材質所製成的。舉例而言，氧化物半導體材質可以選自氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)或銦鋅錫氧化物(InZnSnO)等材料。這些氧化物半導體材料除了可以提供半導體的性質之外，在可撓性基板110受到撓曲時，更可提供相當穩定的特性。也就是說，氧化物半導體材料對於可撓性基板110的撓曲現象較不敏感，既使可撓性基板110處於撓曲狀態，氧化物半導體材料仍維持原有的半導體的性質。因此，光感測元件300配置於可撓性基板110上具有相當好的信賴性而可以被廣泛的應用於各種軟性電子產品當中，例如軟性掃瞄器、軟性文件拷貝器、可供機器人使用的人造皮膚或是人造視網膜等。
另外，光感測薄膜電晶體310是用以感測光線之用，所以感光性半導體層314的材質是選擇感光性的半導體材料，例如非晶矽材料或是有機半導體材料等。其中有機半導體材料可以為聚3-己基噻吩與(6,6)苯基C61丁酸甲脂混摻薄膜(P3HT:PCBM)、酞菁銅(CuPC)與碳60混摻薄膜(CuPC:C60)、酞菁鋅(ZnPC)與碳60混摻薄膜(ZnPC:C60)等。光感測薄膜電晶體310的閘極312在本實施例中例如由一透明導電材料所構成。同時，可撓性基板110的材質可以為透明的聚亞醯胺、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)或聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。換言之，光感測元件300是感測從可撓性基板110之一側朝向光感測元件300照射的光線，即如箭頭A所繪示的方向。也就是，光感測元件300可以感測自樣本S反射出來的光線。
在本實施例的光感測元件300設計下，一反射圖案層340可以更配置於可撓性基板110上。詳言之，閘極312與感光性半導體層314例如是夾於可撓性基板110與反射圖案層340之間。當外界光線沿箭頭A的方向入射光感測元件300後，光線可以被反射圖案層340反射而再度照射於感光性半導體層314中，使得光感測元件300產生更顯著的感測訊號。如此一來，光感測元件300的光感測靈敏性可以更加提升。
圖4繪示為本發明之第一實施例的光感測元件應用於圖1所繪示之光感測元件陣列基板時的另一剖面結構示意圖。請參照圖4，光感測元件300配置於可撓性基板110上，其中光感測元件300的各個構件已經在圖3中說明，在此不另贅述。圖4與圖3的差異之處在於：圖4所繪示的可撓性基板110上更配置有一彩色濾光層410，且閘極312與感光性半導體層314夾於彩色濾光層410與反射圖案層340之間。因為彩色濾光層410的配置，光感測元件300進行光線感測時可以感測到不同波長的色光。如此一來，圖1的光感測元件陣列基板100便可以進行彩色影像的感測，而可應用於彩色文件的拷貝、彩色樣本的感測等領域中。換言之，圖4所繪示的結構設計可使得光感測元件陣列基板100應用於多彩化之樣本S的感測，而更進一步地增加光感測元件陣列基板100可應用的領域。
實務上，為了使光線透過彩色濾光層410之後仍維持足夠的強度以提高光感測元件300的感測靈敏度。可撓性基板110上可以更配置一發光光源420，其配置於彩色濾光層410與可撓性基板110之間。此外，發光光源420例如具有一開口422以暴露出閘極312所在位置。發光光源420所提供的光線例如為一白光。發光光源420所提供的光線沿箭頭B的方向照射於樣本S後，可以被樣本S反射而沿箭頭C的方向經過開口422以及彩色濾光層410而入射光感測元件300。換言之，在本實施例中是以反射式的樣本S(不透明的樣本)作為光感測的樣本S。彩色濾光層410的濾光效果將使得光線僅有一部份可以被光感測元件300接收，所以發光光源420的配置有助於提高光線進入光感測元件300的強度而使光感測元件300的感測動作更為靈敏。
值得一提的是，在其他的實施方式中，可撓性基板110上可以不需配置有彩色濾光層410。此時，為了可以進行彩色樣本S的感測，發光光源420所提供的光線可以為一紅光、一綠光或一藍光。或是，發光光源420可依序地發出不同顏色的光線。發光光源420提供紅光時，樣本S中僅由紅色的部份可以被光感測元件300感測，同樣的發光光源420提供藍光或綠光時，樣本S中藍色與綠色的部份可以分別地被感測以達到多彩化感測的功能。
另外，本實施例並不侷限於此，若光感測元件300中，感光性半導體層314的材質為有機半導體時，可以藉由材料的選用而使得光感測元件300選擇性地感測不同顏色的光線。舉例而言，聚3-己基噻吩與(6,6)苯基C61丁酸甲脂混摻薄膜(P3HT:PCBM)傾向於吸收500nm附近波長之光線，酞菁銅(CuPC)與碳60混摻薄膜(CuPC:C60)傾向於吸收600nm附近波長之光線，而酞菁鋅(ZnPC)與碳60混摻薄膜(ZnPC:C60)則傾向於吸收700nm附近波長之光線等。實務上，不同種類的有機半導體材料可以對不同波長的光線有不同的反應。也就是說，不同種類的有機半導體材料可以感測不同顏色的光線。所以，在圖1所繪示的光感測元件陣列基板100中，不同的光感測元件300可以選用不同的有機半導體材料來製作感光性半導體層314以達到全彩化感測的功能。
圖5繪示為本發明之第二實施例的光感測元件的剖面結構示意圖。請參照圖5，光感測元件500配置於可撓性基板110上。在此，光感測元件500的結構設計實質上與光感測元件300的結構設計相似，兩者的差異僅在於：圖5的光感測薄膜電晶體510中，閘極512的材質為金屬。也就是說，閘極512為不透明的。另外，在本實施例中，可撓性基板110的材質為聚亞醯胺、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)或金屬箔。
由於，閘極512為不透明的設計，光感測元件500僅能感測從光感測元件500遠離可撓性基板110之一側入射的光線，例如沿箭頭D的方向入射的光線。也就是說，從可撓性基板110之一側入射的光線會被閘極512遮蔽而無法入射於光感測元件500中。也因此，可撓性基板110不一定是透明的，而也可以由不透明的材質，例如金屬箔製作而成。在此，樣本S例如是透明或是半透明的稿件，以使光線沿箭頭D方向穿透樣本S後可被光感測元件500測得。
在本實施例中，光感測元件500的兩個薄膜電晶體510與320可以是一者為頂閘型結構設計，而另一者為底閘型結構設計，或是兩者同時為頂閘型結構設計，或是兩者同時為底閘型結構設計。另外，為了達到全彩化的光線感測，可以在光感測元件500遠離可撓性基板110之一側配置一彩色濾光層(未繪示)。此時，在光線沿著箭頭D的方向入射於光感測元件500之前，可以先經過彩色濾光層(未繪示)並藉由其濾光作用而達到全彩化感測的功能。
綜上所述，本發明採用氧化物半導體薄膜電晶體作為光感測元件的開關元件。因此，本發明的光感測元件配置於可撓性基板上時可以維持相當穩定的功能。換言之，本發明的光感測元件陣列基板在撓曲狀態下也可以維持正常的運作。此外，本發明的光感測元件陣列基板中，光感測元件可以搭配彩色濾光層或是發光光源的設計以達到全彩化感測的功能。因此，本發明的光感測元件陣列基板可以廣泛的應用在各種軟性電子裝置的領域中。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．光感測元件陣列基板
110．．．可撓性基板
120、300、500．．．光感測元件
122、310、510．．．光感測薄膜電晶體
124、320．．．氧化物半導體薄膜電晶體
126、330．．．電容
127．．．電源
129．．．共用電極
128．．．掃描線
130．．．資料線
312、322、512．．．閘極
314．．．感光性半導體層
316、326．．．絕緣層
318D、328D．．．汲極
318S、328S．．．源極
324．．．氧化物半導體層
340．．．反射圖案層
410．．．彩色濾光層
420．．．發光光源
422．．．開口
A、B、C、D．．．箭頭
S．．．樣本
圖1繪示為本發明之一實施例的光感測元件陣列基板之示意圖。
圖2A與圖2B分別繪示為本發明之一實施例的光感測元件的上視示意圖與電路圖。
圖3繪示為本發明之第一實施例的光感測元件的剖面結構示意圖。
圖4繪示為本發明之第一實施例的光感測元件應用於圖1所繪示之光感測元件陣列基板時的另一剖面結構示意圖。
圖5繪示為本發明之第二實施例的光感測元件的剖面結構示意圖。
110．．．可撓性基板
300．．．光感測元件
310．．．光感測薄膜電晶體
312、322．．．閘極
314．．．感光性半導體層
316、326．．．絕緣層
318D、328D．．．汲極
318S、328S．．．源極
320．．．氧化物半導體薄膜電晶體
324．．．氧化物半導體層
330．．．電容
340．．．反射圖案層
A．．．箭頭
S．．．樣本
Claims (28)
- 一種光感測元件陣列基板，至少包括：一可撓性基板；多個光感測元件，陣列配置於該可撓性基板上，各該光感測元件包括：一光感測薄膜電晶體，配置於該可撓性基板上；一氧化物半導體薄膜電晶體，配置於該可撓性基板上並電性連接該光感測薄膜電晶體，其中該光感測薄膜電晶體與該氧化物半導體薄膜電晶體的其中一者為一頂閘型薄膜電晶體，另一者為一底閘型薄膜電晶體；以及一電容，配置於該可撓性基板上，並電性連接於該光感測薄膜電晶體與該氧化物半導體薄膜電晶體之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，其中該氧化物半導體薄膜電晶體包括：一閘極；一氧化物半導體層；一絕緣層，配置於該閘極以及該氧化物半導體層之間；一源極，連接至該氧化物半導體層；以及一汲極，連接至該氧化物半導體層，且該源極與該汲極位於該閘極的相對兩側。
- 如申請專利範圍第2項所述之光感測元件陣列基板，其中該氧化物半導體層的材質包括氧化鋅、銦鎵鋅氧化物或銦鋅錫氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之光感測元件陣列基板，其中該光感測薄膜電晶體包括：一閘極； 一感光性半導體層；一絕緣層，配置於該閘極以及該氧化物半導體層之間；一源極，連接至該感光性半導體層；以及一汲極，連接至該感光性半導體層，且該源極與該汲極位於該閘極的相對兩側。
- 如申請專利範圍第4項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質為非晶矽材料。
- 如申請專利範圍第4項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質為有機半導體材料。
- 如申請專利範圍第6項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質包括聚3-己基噻吩與(6,6)苯基C61丁酸甲脂混摻薄膜(P3HT：PCBM)、酞菁銅(CuPC)與碳60混摻薄膜(CuPC：C60)以及酞菁鋅(ZnPC)與碳60混摻薄膜(ZnPC：C60)。
- 如申請專利範圍第4項所述之光感測元件陣列基板，其中該閘極的材質為金屬。
- 如申請專利範圍第8項所述之光感測元件陣列基板，其中該可撓性基板的材質為聚亞醯胺、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)或金屬箔。
- 如申請專利範圍第4項所述之光感測元件陣列基板，其中該閘極的材質為一透明導電材料。
- 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板，其中該透明導電材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銀。
- 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板，其中該可撓性基板的材質為聚亞醯胺、聚間苯二甲酸乙二 酯(polyethylene naphthalate，PEN)或聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。
- 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板，更包括一反射圖案層，配置於該可撓性基板上，且該閘極與該感光性半導體層夾於該可撓性基板與該反射圖案層之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板，更包括一彩色濾光層，配置於該可撓性基板上，且該閘極與該感光性半導體層夾於該彩色濾光層與該反射圖案層之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之光感測元件陣列基板，更包括一發光光源，配置於該彩色濾光層與該可撓性基板之間，且該發光光源具有一開口以暴露出該閘極所在區域。
- 如申請專利範圍第15項所述之光感測元件陣列基板，其中該發光光源所提供的光線為一白光、一紅光、一綠光或一藍光。
- 一種光感測元件陣列基板，至少包括：一可撓性基板；多個光感測元件，陣列配置於該可撓性基板上，各該光感測元件包括：一光感測薄膜電晶體，包括：一第一閘極，配置於該可撓性基板上；一第一絕緣層，配置於該可撓性基板上並覆蓋該閘極；一感光性半導體層，配置於該第一絕緣層上，並位於該閘極上方；一第一源極，連接至該感光性半導體層；一第一汲極，連接至該感光性半導體層，且該第 一源極與該第一汲極位於該第一閘極的相對兩側；一氧化物半導體薄膜電晶體，配置於該可撓性基板上並電性連接該光感測薄膜電晶體，該氧化物半導體薄膜電晶體包括：一氧化物半導體層，配置於該第一絕緣層上；一第二源極，連接至該氧化物半導體層；一第二汲極，連接至該氧化物半導體層，且該第二源極與該第二汲極位於該氧化物半導體層的相對兩側；一第二絕緣層，配置於該可撓性基板上並覆蓋該氧化物半導體層；一第二閘極，配置於該第二絕緣層上，位於該氧化物半導體層上方；以及一電容，配置於該可撓性基板上，並電性連接於該光感測薄膜電晶體與該氧化物半導體薄膜電晶體之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該氧化物半導體層的材質包括氧化鋅、銦鎵鋅氧化物或銦鋅錫氧化物。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質為非晶矽材料。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質為有機半導體材料。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該感光性半導體層的材質包括聚3-己基噻吩與(6,6)苯基C61丁酸甲脂混摻薄膜(P3HT：PCBM)、酞菁銅(CuPC)與碳60混摻薄膜(CuPC：C60)以及酞菁鋅(ZnPC)與碳60混摻薄膜(ZnPC：C60)。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該第一閘極的材質為一透明導電材料。
- 如申請專利範圍第22項所述之光感測元件陣列基板，其中該透明導電材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銀。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，其中該可撓性基板的材質為聚亞醯胺、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)或聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，更包括一反射圖案層，配置於該可撓性基板上，且該第一閘極與該感光性半導體層夾於該可撓性基板與該反射圖案層之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，更包括一彩色濾光層，配置於該可撓性基板上，且該第一閘極與該感光性半導體層夾於該彩色濾光層與該反射圖案層之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之光感測元件陣列基板，更包括一發光光源，配置於該彩色濾光層與該可撓性基板之間，且該發光光源具有一開口以暴露出該第一閘極所在區域。
- 如申請專利範圍第27項所述之光感測元件陣列基板，其中該發光光源所提供的光線為一白光、一紅光、一綠光或一藍光。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |