CN108321161B - 一种光探测器、阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供一种光探测器、阵列基板及显示面板，涉及指纹识别技术领域，可减小无效面积，提高PPI。一种光探测器，包括层叠设置于基板上的电阻和第二光电二极管；所述第二光电二极管包括层叠设置的第三电极和第四电极；所述电阻的一端与第一电源端电连接，另一端与所述第三电极电连接；所述第四电极与第二电源端电连接；所述第二光电二极管用于在所述第一电源端和所述第二电源端加载的反向偏压作用下，检测指纹反射光的强度。
Description
技术领域
本发明涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种光探测器、阵列基板及显示面板。
背景技术
触控显示面板中一般采用光学指纹识别技术进行指纹识别。其检测原理为：在像素单元发光时，检测用户指纹纹路反射的光信号，并根据该光信号产生电流信号，以便触控显示面板中的识别模块可以根据该电流信号识别指纹纹路。
发明内容
本发明的实施例提供一种光探测器、阵列基板及显示面板，可减小无效面积，提高PPI。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种光探测器，包括层叠设置于基板上的电阻和第二光电二极管；所述第二光电二极管包括层叠设置的第三电极和第四电极；所述电阻的一端与第一电源端电连接，另一端与所述第三电极电连接；所述第四电极与第二电源端电连接；所述第二光电二极管用于在所述第一电源端和所述第二电源端加载的反向偏压作用下，检测指纹反射光的强度。
可选的，所述电阻由第一光电二极管代替，且所述第一光电二极管设置于所述第二光电二极管靠近所述基板一侧；所述第一光电二极管包括层叠设置的第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一电源端电连接，所述第二电极与所述第三电极电连接；其中，所述第二电极不透明；或者，在所述第一光电二极管被所述第三电极覆盖的情况下，所述第三电极不透明。
可选的，所述光探测器还包括：探测TFT；所述探测TFT包括第一栅极、第一极和第二极；所述探测TFT的第一栅极与所述第三电极电连接，第一极与第三电源端电连接，第二极与读取信号线电连接；所述探测TFT用于在所述第三电极的控制下，向所述读取信号线输出电流。
进一步可选的，所述光探测器还包括：所述第二开关TFT；所述第二开关TFT包括第二栅极、第三极和第四极；所述第二开关TFT的第三极与所述第三电源端电连接，第四极与所述探测TFT的第一极电连接；所述第三电源端输出恒定电压。
进一步的，所述光探测器还包括：第三开关TFT；所述第三开关TFT包括第三栅极、第五极和第六极；所述第三开关TFT的第五极与所述第一电源端电连接，第六极与所述电阻的一端电连接；所述第一电源端和所述第二电源端均输出恒定电压。
可选的，所述第二开关TFT的第二栅极与所述探测TFT的第一栅极同层设置；所述第二开关TFT的第三极和第四极、所述探测TFT的第一极和第二极同层设置；所述读取信号线与所述第一栅极和/或所述第一极和所述第二极同层设置。
可选的，所述第三开关TFT的第三栅极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置；所述第三开关TFT的第五极和第六极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置。
可选的，所述电阻由第一光电二极管代替；所述光探测器还包括第一辅助电极和/或第二辅助电极，第四电极通过所述第一辅助电极和/或所述第二辅助电极与所述第二电源端电连接；在所述光探测器包括第一辅助电极的情况下，所述第一辅助电极与第一电极同层设置；在所述光探测器包括第二辅助电极的情况下，所述第二辅助电极与第二电极或所述第三电极同层设置。
第二方面，提供一种阵列基板，包括第一方面所述的光探测器。
第三方面，提供一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。
本发明的实施例提供一种光探测器、阵列基板及显示面板，在能进行指纹识别的基础上，相对将电阻和第二光电二极管平铺串联，通过将电阻和第二光电二极管层叠且串联设置，可减小无效面积，而且当该光探测器应用于显示面板时，可提高PPI。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明提供的一种光探测器的结构示意图一；
图1b为本发明提供的一种光探测器的结构示意图二；
图2为本发明提供的一种光探测器的等效电路一；
图3a为本发明提供的一种光探测器的结构示意图三；
图3b为本发明提供的一种光探测器的结构示意图四；
图4为本发明提供的一种光电二极管分别处于暗态和亮态时，电阻随电压变化的示意图；
图5为本发明提供的一种光探测器的等效电路二；
图6为本发明提供的一种光探测器的等效电路三；
图7为本发明提供的一种探测TFT的伏安特性曲线；
图8为本发明提供的一种光探测器的等效电路四；
图9为本发明提供的一种光探测器的等效电路五；
图10为本发明提供的一种光探测器中第一光电二极管、第二光电二极管和第三开关TFT的结构示意图一；
图11本发明提供的一种光探测器中第一光电二极管、第二光电二极管和第三开关TFT的结构示意图二；
图12为本发明提供的一种光探测器中第二开关TFT和探测TFT的结构示意图；
图13为本发明提供的一种制备光探测器中第一光电二极管、第二光电二极管和第三开关TFT的流程示意图；
图14a～图14g为本发明提供的一种形成光探测器中第一光电二极管、第二光电二极管和第三开关TFT的过程示意图。
附图标记：
10-电阻；20-第二光电二极管；21-第三电极；22-第四电极；23-P型层；24-I型层；25-N型层；31-第一电源的端；32-第二电源端；33-第三电源端；34-读取信号线；40-第一光电二极管；41-第一电极；42-第二电极；50-探测TFT；60-第二开关TFT；70-第三开关TFT；71-第三栅极；72-栅绝缘层；73-有源层；74-第三源极；75-第三漏极；80-遮光层；91-第一辅助电极；92-第二辅助电极；100-第一钝化层；101-第二钝化层；102-第三钝化层；103-树脂层；321-下层金属层；322-上层金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种光探测器，如图1a、图1b和图2所示，包括层叠设置于基板上的电阻10和第二光电二极管20；第二光电二极管20包括层叠设置的第三电极21和第四电极22；电阻10的一端与第一电源端31电连接，另一端与第三电极21电连接；第四电极22与第二电源端32电连接；所述第二光电二极管20用于在第一电源端31和第二电源端32加载的反向偏压作用下，检测指纹反射光的强度。
如图2所示，当在第一电源端31和第二电源端32加载反向偏压时，即第一电源端31加载负电压，第二电源端32加载正电压时，若第二光电二极管20处于暗态，则其电阻值较大，此时图2中A点的电压(即第三电极21的电压)较小；若第二光电二极管20处于亮态，则其电阻值减小，相应的，A点的电压升高。
基于此，由于A点的电压大小由第二光电二极管20检测到的指纹反射光强大小决定，因此，根据A点的电压，可使该光探测器实现对光强的识别，从而实现指纹识别功能。
需要说明的是，第一，由于第二光电二极管20需能检测指纹反射光的强度，因此，当第二光电二极管20中的半导体层应能接收到指纹反射光。即，第二光电二极管20在没有受到光照时处于暗态(截止状态)，而在受到光照时处于亮态。
第二，根据电阻10的材料，当其透明时，电阻10可设置于第二光电二极管20靠近基板一侧，即设置于第二光电二极管20的下方(如图1a所示)；也可设置于第二光电二极管20远离基板一侧(如图1b所示)，即设置于第二光电二极管20的上方。当电阻10的材料不透明时，则电阻10必须设置于第二光电二极管20的下方。
其中，电阻10由电阻材料制成，由于电阻材料具有导电性质，因此，电阻10与第二光电二极管20的第三电极21可直接接触。
本发明实施例提供一种光探测器，在能进行指纹识别的基础上，相对将电阻10和第二光电二极管20平铺串联，通过将电阻10和第二光电二极管20层叠且串联设置，可减小无效面积，而且当该光探测器应用于显示面板时，可提高PPI。
可选的，如图3a和图3b所示，所述电阻10由第一光电二极管40代替，且第一光电二极管40设置于第二光电二极管20靠近基板一侧；第一光电二极管40包括层叠设置的第一电极41和第二电极42；第一电极41与第一电源端31电连接，第二电极42与第三电极21电连接；其中，所述第二电极42不透明；或者，在第一光电二极管40被第三电极21覆盖的情况下，所述第三电极21不透明。
可以理解的是，为使第二光电二极管20在没有受到光照时处于暗态，而在受到光照时处于亮态，第二光电二极管20的第四电极22透明。为使第一光电二极管40始终处于暗态(截止状态)，第一光电二极管40的第二电极42不透明，或者，在第一光电二极管40被第三电极21覆盖的情况下，第三电极21不透明。
从如图4所示的光电二极管的电阻随电压变化的示意图(虚线为光电二极管处于暗态时其电阻随电压变化的情况，实线为光电二极管处于亮态时其电阻随电压变化的情况)可以看出，在加载在光电二极管的电压一定的情况下，光电二极管在暗态时的电阻较大，而亮态时的电阻明显减小。
由于第一光电二极管40始终处于暗态(即截止状态)，因此，第一光电二极管40可等效于固定电阻，可记为R0，第一光电二极管40和第二光电二极管20的等效电路如图5所示。当在第一光电二极管40和第二光电二极管20的等效电路两端加载反向偏置电压时，若第二光电二极管20处于暗态，则其电阻值较大，等于R0，此时图5中A点的电压较小；若第二光电二极管20处于亮态，则其电阻值减小，相应的，A点的电压升高。
基于此，由于A点的电压大小由第二光电二极管20检测到的光强大小决定，因此，根据A点的电压，可使该光探测器实现对光强的识别，从而实现例如指纹识别等功能。
可选的，如图3b所示，第一光电二极管40和第二光电二极管20均为PIN光电二极管。
即，第一光电二极管40包括第一电极41、第二电极42、位于二者之间的P型层23、I型层24和N型层25，P型层23靠近第一电极41，N型层25靠近第二电极42。
第二光电二极管20包括第三电极21、第四电极22、位于二者之间的P型层23、I型层24和N型层25，P型层23靠近第三电极21，N型层25靠近第四电极22。
需要说明的是，由于第一光电二极管40和第二光电二极管20层叠设置，且第三电极21与第二电极42电连接，因此，第三电极21与第二电极42可共用。
即，如图3a和图3b所示，可仅设置第二电极42，该第二电极42还充当第三电极21。
本发明实施例通过采用截止状态的第一光电二极管40代替电阻10，可使第一光电二极管40和第二光电二极管20采用同样的方法制备，工艺更简单。
可选的，所述光探测器还包括：探测TFT；如图6所示的光探测器的等效电路，探测TFT50可包括第一栅极、第一极和第二极；探测TFT50的第一栅极与第三电极21电连接，第一极与第三电源端33电连接，第二极与读取信号线34电连接；所述探测TFT50用于在所述第三电极24(即A点电压)的控制下，向读取信号线34输出电流。
该光探测器的工作原理为：第二光电二极管20在没有受到光照时处于截止状态，其电阻较高，在受到光照时其电阻减小，使得第三电极24的电压，即A点电压抬升，从而驱动探测TFT50开启。若探测TFT50开启，则该探测TFT50可以在第三电源端33提供的电源信号的驱动下，向读取信号线34输出电流。该电流大小由A点的电压大小决定，而该A点的电压大小即可反映第二光电二极管20检测到的指纹反射光强大小。
基于此，由于指纹由手指皮肤表面上一系列的脊线和谷线组成，指纹的脊线的光折射率与谷线的光折射率不同，所以在显示面板的像素单元发光时，由脊线反射的光的强度和由谷线反射的光的强度不同，最终光探测器产生的电流大小也不同，从而可根据电流大小确定指纹脊线和谷线，实现指纹识别功能。
其中，探测TFT50可以为氧化物TFT，例如IGZO(铟镓锌氧化物)TFT。
在该探测TFT50的第一栅极的电压在-30～30V变化时，其伏安(IV)特性曲线可以如图7所示。从图7中可以看出，探测TFT50的输出电流Id随着其第一栅极的电压Vgate，即A点的电压增大而增大。
假设在该光探测器中第一光电二极管40和第二光电二极管20的两端加载±15V的反向偏置电压，即，在第一电压端31加载-15V的电压，第二电压端32加载+15V的电压。第二光电二极管20在暗态时处于截止状态，其电阻值与R0的值相同，则，此时A点的电压为0V，探测TFT50关断。假设第二光电二极管20在光照状态下电阻减小后，可以控制A点的电压抬升至12V，探测TFT50开启。从图7中可以看出，探测TFT50的第一栅极的电压从0V变化至12V时，其输出电流Id增大了近5个数量级，即该探测TFT50的开关比增大了接近5个数量级。其中，TFT的开关比是TFT开启状态下电流和关断状态下的电流比值，反映了TFT的工作特性。开关比越大，说明工作电流越大，漏电流越小，信噪比越高，越有利于信号的收集。
本发明实施例中，探测TFT50在第三电源端33提供的电源信号的驱动下，输出的电流较大，探测TFT50自身漏电流对该探测TFT50输出的电流影响可以忽略，从而有效提高了根据该输出电流进行指纹识别时的准确性。
进一步的，所述光探测器还包括：第二开关TFT；如图8所示的光探测器的等效电路，第二开关TFT60可包括第二栅极、第三极和第四极；第二开关TFT60的第三极与第三电源端33电连接，第四极与探测TFT50的第一极电连接；所述第三电源端33输出恒定电压。
其中，第二栅极可与第一控制线CL1电连接。
需要说明的是，对于第二开关TFT60，将除第二栅极外的其他两极称为第三极和第四极，即，第三极可以为源极，第四极可以为漏极，或者，第三极为漏极，第四极为源极。
同理，对于探测TFT50，将除第一栅极外的其他两极称为第一极和第二极，即，第一极可以为源极，第二极可以为漏极，或者，第一极为漏极，第二极为源极。
第二开关TFT60和探测TFT50可以为N型TFT，也可以为P型TFT。
通过在探测TFT50和第三电源端33之间设置第二开关TFT60，可在第一控制线CL1的控制下使第三电源端33与探测TFT50的第一极电连接，从而可使第三电源端33只需提供恒定电压即可。而如果不设置第二开关TFT60，则需使第三电源端33提供时序电压信号，以便在当前光探测器扫描时，才向探测TFT50的第一极提供电源信号。
进一步可选的，所述光探测器还包括：第三开关TFT；如图9所示的光探测器的等效电路图，第三开关TFT70包括第三栅极、第五极和第六极；第三开关TFT70的第五极与第一电源端31电连接，第六极与所述电阻10的一端电连接；所述第一电源端31和第二电源端32均输出恒定电压。
其中，第三栅极可与第二控制线CL2电连接。当电阻10由第一光电二极管40代替时，第六极与第一光电二极管40的第一电极电连接。
对于第三开关TFT70，将除第三栅极外的其他两极称为第五极和第六极，即，第五极可以为源极，第六极可以为漏极，或者，第五极为漏极，第六极为源极。第三开关TFT70可以为N型TFT，也可以为P型TFT。
通过设置第三开关TFT70，可在第二控制线CL2的控制下使第一电源端31与电阻10的一端(第一光电二极管40的第一电极)电连接，从而可使第一电源端31和第二电源端32只需提供恒定电压即可。而如果不设置第三开关TFT70，则需使第一电源端31和第二电源端32提供时序电压信号，以便在当前光探测器扫描时，才向光探测器加载反向偏压。
优选的，如图10和图11所示，第一光电二极管40的第一电极41与用于遮挡TFT沟道的遮光层80同层设置。
可以理解的是，遮光层80用于防止光照射到TFT的沟道上，以防止TFT失效。其中，本领域技术人员明白，遮光层80只需设置在底栅结构的TFT上方。即，在所述光探测器包括第二开关TFT60、探测TFT50和第三开关TFT70的情况下，只要任一个TFT为底栅结构的TFT，就可在该底栅结构的TFT上方设置遮光层80。
需要说明的是，图10和图11中仅示意出第三开关TFT70，并未示意第二开关TFT60和探测TFT50，但是，如果第二开关TFT60和探测TFT50也都为底栅结构，那么，遮光层80也分别设置于第二开关TFT60和探测TFT50远离基板的一侧，用于遮挡相应TFT的沟道。
本发明实施例，通过使第一电极41与遮光层80同层设置，可减少构图工艺次数。
可选的，如图12所示，在所述光探测器包括第二开关TFT60和探测TFT50的情况下，第二开关TFT60的第二栅极与探测TFT50的第一栅极同层设置；第二开关TFT60的第三极和第四极、探测TFT50的第一极和第二极同层设置；读取信号线34与所述第一栅极和/或第一极和第二极同层设置。这样，可减少构图工艺次数。
需要说明的是，图12中以第二开关TFT60和探测TFT50为底栅型结构进行示意，但本发明中，第二开关TFT60和探测TFT50可以为底栅型结构，也可以为顶栅型结构。
可选的，在所述光探测器包括第三开关TFT70的情况下，第三开关TFT70的第三栅极与第二开关TFT60的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置；第三开关TFT70的第五极和第六极与第二开关TFT60的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置。这样，可减少构图工艺次数。
可以理解的是，当第三开关TFT70的第三栅极与第二开关TFT60的第二栅极同层设置时，第三开关TFT70的第五极和第六极与第二开关TFT60的第三极和第四极同层设置；当第三开关TFT70的第三栅极与第二开关TFT60的第三极和第四极同层设置时，第三开关TFT70的第五极和第六极与第二开关TFT60的第二栅极同层设置。
在所述电阻10由第一光电二极管40代替的情况下，可选的，图10和图11所示，所述光探测器还可以包括第一辅助电极91和/或第二辅助电极92，第四电极22通过第一辅助电极91和/或第二辅助电极92与第二电源端32电连接；其中，在所述光探测器包括第一辅助电极91的情况下，第一辅助电极91与第一电极41同层设置；在所述光探测器包括第二辅助电极92的情况下，第二辅助电极92与第二电极42或第三电极21同层设置。
其中，第四电极22通过第一辅助电极91和/或第二辅助电极92与第二电源端32电连接，可分为如下三种情况：
第一种情况：光探测器仅包括第一辅助电极91，第四电极22通过第一辅助电极91与第二电源端32电连接。
第二种情况：光探测器仅包括第二辅助电极92，第四电极22通过第二辅助电极92与第二电源端32电连接。
第三种情况：光探测器包括第一辅助电极91和第二辅助电极92，第四电极22通过第一辅助电极91和第二辅助电极92与第二电源端32电连接。图10和图11以第三种情况进行示意。
需要说明的是，本领域技术人员应该明白，对于任一个TFT而言，除栅极外的其他两极是同层设置的。
本发明实施例还提供一种阵列基板，包括上述的光探测器。
其中，光探测器在阵列基板的像素中的分布方式不做限定，可以是每个像素中均设置一个光探测器，也可以是仅在部分像素中各设置一个光探测器。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括所述阵列基板。
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板，具有与上述光探测器相同的技术效果，在此不再赘述。
下面结合附图具体说明第三开关TFT70、第一光电二极管40、第二光电二极管20具体形成过程。如图13所示，具体包括如下步骤：
S10、在基板上形成第一金属薄膜，通过一次构图工艺形成如图14a所示的第三开关TFT70的第三栅极71以及第二电源端32的下层金属层321。
其中，第一金属薄膜的材料可以选自Mo(钼)、Al(铝)、Cu(铜)等材料。第一金属薄膜可以是一层结构或多层结构。
S11、如图14a所示，形成栅绝缘层72，栅绝缘层72包括露出下层金属层321的过孔。
其中，栅绝缘层72的材料可以选自SiNx(氮化硅)，SiOx(氧化硅)，SiON(氮氧化硅)等材料。栅绝缘层72可以是一层结构或多层结构。
S12、形成有源层薄膜，通过一次构图工艺形成如图14b所示的第三开关TFT70的有源层73。
其中，有源层薄膜的材料可以选自IGZO，Si(硅)，P-Si(多晶硅)等半导体材料。
S13、形成第二金属薄膜，通过一次构图工艺形成如图14b所示的第三开关TFT70的第三源极74和第三漏极75、以及第二电源端32的上层金属层322。
其中，在此步骤中，还可同步形成第一电源端31，第一电源端31与第三漏极75电连接。
第二金属薄膜的材料可以选自Mo、Al、Cu等材料。第二金属薄膜可以是一层结构或多层结构。
至此，第三开关TFT70形成，其包括第三栅极71、栅绝缘层72、有源层73、第三源极74和第三漏极75。
需要说明的是，如果第二开关TFT60和探测TFT50结构与第三开关TFT70相同，在形成第三开关TFT70的过程中，则可同步形成第二开关TFT60和探测TFT50。
S14、如图14c所示，形成第一钝化层100，第一钝化层100包括露出待形成第一光电二极管40的镂空区域，以及露出第二电源端32的过孔。
其中，第一钝化层100的材料可以选自SiNx，SiOx，SiON等材料。第一钝化层100可以是一层结构或多层结构。
S15、如图14d所示，形成遮光层80、与遮光层80同层的第一电极41和第一辅助电极91、位于第一电极41上方的P型层23、I型层24和N型层25。
其中，第一电极41与第三源极74通过第一钝化层100上的镂空区域接触。
具体的可通过如下两种方式形成遮光层80、第一电极41、第一辅助电极91、P型层23、I型层24和N型层25。
方式一：先形成第三金属薄膜，通过一次构图工艺形成遮光层80、第一电极41和第一辅助电极91。之后，依次形成P型薄膜、I型薄膜和N型薄膜，通过一次构图工艺形成P型层23、I型层24和N型层25。
方式二，依次形成第三金属薄膜、P型薄膜、I型薄膜和N型薄膜，先通过一次构图工艺对P型薄膜、I型薄膜和N型薄膜进行刻蚀，形成P型层23、I型层24和N型层25，之后，再通过一次构图工艺对第三金属薄膜进行刻蚀，形成遮光层80、第一电极41和第一辅助电极91。
其中，第三金属薄膜的材料可以选自Mo、Al、Cu等材料。第三金属薄膜可以是一层结构或多层结构。
S16、如图14e所示，形成第二钝化层101，第二钝化层101包括露出N型层25的镂空区域，以及露出第一辅助电极91的过孔。
其中，第二钝化层101的材料可以选自SiNx，SiOx，SiON等材料。第二钝化层101可以是一层结构或多层结构。
S17、形成第四金属薄膜，通过一次构图工艺形成如图14f所示的第二电极42和第二辅助电极92。
其中，第四金属薄膜的材料可以选自Mo、Al、Cu等材料。第四金属薄膜可以是一层结构或多层结构。
至此，第一光电二极管40形成，其包括第一电极41、第二电极42、以及位于二者之间的P型层23、I型层24、N型层25。
S18、如图14f所示，形成位于第二电极42上方的P型层23、I型层24和N型层25。
S19、如图14g所示，形成第三钝化层102，第三钝化层102包括露出N型层25的镂空区域，以及露出第二辅助电极92的过孔。
其中，第三钝化层102的材料可以选自SiNx，SiOx，SiON等材料。第三钝化层102可以是一层结构或多层结构。
S20、如图14g所示，形成树脂层103，树脂层103包括露出N型层25的镂空区域，以及露出第二辅助电极92的过孔。
S21、参考图10所示，形成第四电极22，第四电极22与N型层25和第二辅助电极92接触。
至此，第二光电二极管20形成，其包括与第二电极42共用的第三电极21、第四电极22以及位于二者之间的P型层23、I型层24、N型层25。
需要说明的是，当第二开关TFT60和探测TFT50与第三开关TFT70的结构不相同时，可在形成第三开关TFT70、第一光电二极管40和第二光电二极管20的过程中，同步形成第二开关TFT60和探测TFT50，并形成第三电源端33和读取信号线34。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种光探测器，其特征在于，包括层叠设置于基板上的电阻和第二光电二极管；所述第二光电二极管包括层叠设置的第三电极和第四电极；
所述电阻的一端与第一电源端电连接，另一端与所述第三电极电连接；所述第四电极与第二电源端电连接；
所述第二光电二极管用于在所述第一电源端和所述第二电源端加载的反向偏压作用下，检测指纹反射光的强度；
所述电阻由第一光电二极管代替，且所述第一光电二极管设置于所述第二光电二极管靠近所述基板一侧；
所述第一光电二极管包括层叠设置的第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一电源端电连接，所述第二电极与所述第三电极电连接；
其中，所述第二电极不透明；或者，在所述第一光电二极管被所述第三电极覆盖的情况下，所述第三电极不透明。
2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，还包括：探测TFT；
所述探测TFT包括第一栅极、第一极和第二极；所述探测TFT的第一栅极与所述第三电极电连接，第一极与第三电源端电连接，第二极与读取信号线电连接；
所述探测TFT用于在所述第三电极的控制下，向所述读取信号线输出电流。
3.根据权利要求2所述的光探测器，还包括：第二开关TFT；
所述第二开关TFT包括第二栅极、第三极和第四极；所述第二开关TFT的第三极与所述第三电源端电连接，第四极与所述探测TFT的第一极电连接；
所述第三电源端输出恒定电压。
4.根据权利要求3所述的光探测器，其特征在于，还包括：第三开关TFT；所述第三开关TFT包括第三栅极、第五极和第六极；
所述第三开关TFT的第五极与所述第一电源端电连接，第六极与所述电阻的一端电连接；
所述第一电源端和所述第二电源端均输出恒定电压。
5.根据权利要求3所述的光探测器，其特征在于，所述第二开关TFT的第二栅极与所述探测TFT的第一栅极同层设置；
所述第二开关TFT的第三极和第四极、所述探测TFT的第一极和第二极同层设置；
所述读取信号线与所述第一栅极和/或所述第一极和所述第二极同层设置。
6.根据权利要求4所述的光探测器，其特征在于，所述第三开关TFT的第三栅极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置；
所述第三开关TFT的第五极和第六极与所述第二开关TFT的第二栅极和/或第三极和第四极同层设置。
7.根据权利要求4所述的光探测器，其特征在于，所述电阻由第一光电二极管代替；
所述光探测器还包括第一辅助电极和/或第二辅助电极，第四电极通过所述第一辅助电极和/或所述第二辅助电极与所述第二电源端电连接；
在所述光探测器包括所述第一辅助电极的情况下，所述第一辅助电极与第一电极同层设置；
在所述光探测器包括所述第二辅助电极的情况下，所述第二辅助电极与第二电极或所述第三电极同层设置。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的光探测器。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。
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