TWI420663B - 有機發光裝置之畫素結構 - Google Patents

Description

有機發光裝置之畫素結構

本發明是有關於一種有機發光裝置之畫素結構。

資訊通訊產業已成為現今的主流產業，特別是可攜帶式的各種通訊顯示產品更是發展的重點。而由於平面顯示器是人與資訊之間的溝通界面，因此其發展顯得特別重要。有機發光顯示器即是一種有機發光裝置，由於其具有自發光、廣視角、省電、程序簡易、低成本、操作溫度廣泛、高應答速度以及全彩化等等的優點，使其具有極大的潛力，因此可望成為下一代平面顯示器之主流。

另外，透明顯示面板的技術也已經在積極發展之中。一般，在透明有機發光顯示器中，大多是利用具有高穿透率的材質作為陽極以及陰極的材料，甚至將顯示器中的所有金屬層都改成高穿透度材料。此種設計雖然可以提高顯示面板的透明度，但是因為有機發光顯示器中無反射層作為共振腔結構，因而反而導致發光亮度降低，進而造成顏色表現不佳。

本發明提供一種有機發光裝置之畫素結構，其不但可以提高有機發光裝置的透明度，還可以增加其發光亮度。

本發明提出一種有機發光裝置之畫素結構，其包括基板、至少一主動元件、第一絕緣層、第一電極層、第二絕緣層、發光層以及第二電極層。基板具有多個子畫素區，且每一個子畫素區具有發光區以及透明區。主動元件位於基板之發光區內。第一絕緣層覆蓋主動元件，其中第一絕緣層位於發光區內且未設置在透明區內。第一電極層位於第一絕緣層上且與主動元件電性連接，其中第一電極層位於發光區內且未設置在透明區內。第二絕緣層位在第一絕緣層以及第一電極層上且暴露出第一電極層，其中第二絕緣層位於發光區內且未設置在透明區內。發光層位於被暴露出的第一電極層上，其中發光層位於發光區內且未設置在透明區內。第二電極層位於發光層上。

本發明提出一種有機發光裝置之畫素結構，其包括基板、至少一主動元件、第一絕緣層、第一電極層、第二絕緣層、發光層以及第二電極層。基板具有多個子畫素區，且每一個子畫素區具有發光區以及透明區。主動元件位於基板之發光區內。第一絕緣層覆蓋主動元件，其中第一絕緣層中具有至少一第一開口以暴露出基板之透明區。第一電極層位於發光區內，其中第一電極層設置於第一絕緣層上且與主動元件電性連接。第二絕緣層位在第一絕緣層以及第一電極層上且暴露出第一電極層，其中第二絕緣層中具有至少一第二開口以暴露出第一開口。發光層位於發光區內，其中發光層設置於被暴露出的第一電極層上。第二電極層設置於發光層上。

基於上述，由於本發明將畫素結構之透明區中的膜層移除，因而可以使畫素結構的透明度提昇。此外，本發明將畫素結構的電極層以及發光層都設置在發光區中，且此發光區中可以設置不透光材料，因而可以使有機發光裝置保有共振腔結構，進而使有機發光裝置的發光亮度提昇。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖2是圖1之畫素結構之局部上視示意圖。為了清楚的說明本實施例，圖2僅繪示出圖1之畫素結構中之主動元件、第一電極層以及與主動元件電性連接的訊號線，並省略繪示發光層以及第二電極層。

請參照圖1及圖2，本實施例之有機發光裝置之畫素結構包括基板100、至少一主動元件T1,T2、第一絕緣層106、第一電極層108、第二絕緣層110、發光層112以及第二電極層114。

基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。根據本實施例，在基板100之表面上可進一步設置緩衝層101，其可防止基板100中的離子或雜質擴散至形成在基板100上之元件之中。緩衝層101之材質例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的無機材料、或上述至少二種材料的堆疊層。在本實施例中，緩衝層101是覆蓋基板100之發光區E以及透明區T。

基板100具有多個子畫素區P，且每一個子畫素區P具有發光區E以及透明區T。在本實施例中，每一子畫素區P內的發光區E以及透明區T是分別設置在子畫素區P的上部以及下部。但是，本發明不限於此。根據其他實施例，每一子畫素區P內的發光區E以及透明區T的排列方式可以是其他種形式，例如發光區E位於子畫素區P的中央且透明區T位於子畫素區的兩側或周圍。類似地，本發明也不限制每一子畫素區P內之發光區E與透明區T的數目。換言之，在每一子畫素區P內可以有一個或一個以上的發光區E以及一個或一個以上的透明區T。

主動元件T1,T2位於基板100之發光區E內。根據本實施例，主動元件T1,T2更進一步與訊號線(掃描線SL、資料線DL及電源線PL)電性連接。此外，在本實施例中，所述畫素結構更包括電容器C。在本實施例中，主動元件T1、T2是以頂部閘極型薄膜電晶體(又可稱為多晶矽薄膜電晶體)為例來說明。

主動元件T1具有閘極G1、源極S1、汲極D1以及通道CH1。主動元件T1之閘極G1與掃描線SL電性連接。主動元件T1之源極S1、汲極D1以及通道CH1是形成在一半導體層(多晶矽層)中。在上述半導體層與閘極G1之間夾有一層閘極絕緣層102，且在閘極G1上另覆蓋有一層絕緣層104。源極S1透過形成在絕緣層102、104中的接觸窗V1而與源極金屬層SM1電性連接，源極金屬層SM1更進一步與資料線DL電性連接。汲極D1透過形成在絕緣層102、104中的接觸窗V2而與汲極金屬層DM1電性連接。

主動元件T2具有閘極G2、源極S2、汲極D2以及通道CH2。主動元件T2之源極S2、汲極D2以及通道CH2是形成在一半導體層(例如：非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、銦鍺鋅氧化物、銦鍺氧化物、銦鋅氧化物、鍺矽化合物、或其它合適的材料、或上述之組合，其中，以多晶矽層為範例)中。類似地，在上述半導體層與閘極G2之間夾有一層閘極絕緣層102，且在閘極G2上覆蓋有一層絕緣層104。源極S2透過形成在絕緣層104、102中的接觸窗V3而與源極金屬層SM2電性連接，汲極D2透過形成在絕緣層104、102中的接觸窗V4而與汲極金屬層DM2電性連接。此外，源極金屬層SM2又與汲極金屬層DM1電性連接。根據本實施例，主動元件T2的閘極G2是與主動元件T1的汲極D2(汲極金屬層DM2)電性連接，主動元件T2的源極S2(源極金屬層SM2)是與電源線PL電性連接。

值得一提的是，上述絕緣層102、104都僅設置在發光區E內而未設置於透明區T內。因此絕緣層102、104在透明區T具有至少一開口(未標示出)，以暴露出緩衝層101。

電容器C的電容電極E1是與主動元件T1的汲極D1電性連接。電容器C的電容電極E2是與電源供應線PL電性連接。

在本實施例中是以兩個主動元件搭配一個電容器(2T1C)為例來說明，但並非用以限定本發明。換言之，本發明不限每一子畫素區域P內的主動元件與電容器的個數。

第一絕緣層106覆蓋主動元件T1,T2，其中第一絕緣層106位於發光區E內且未設置在透明區T內。根據本發明之一實施例，第一絕緣層106是覆蓋主動元件T1,T2以及上述之訊號線，而且第一絕緣層106中具有至少一第一開口O1(如圖1所示)以暴露出基板100之透明區T。更詳細來說，第一開口O1與絕緣層102、104中的開口共同暴露出緩衝層101。

第一電極層108位於第一絕緣層106上且與主動元件T2電性連接。更詳細來說，第一電極層108是透過形成在第一絕緣層106中的接觸窗V5而與主動元件T2之汲極D2(汲極金屬層DM2)電性連接。特別是，上述之第一電極層108是位於發光E區內且未設置在透明區T內。

根據本實施例，第一電極層108較佳的是具有反射性質之電極層。第一電極層108可以單獨由一層反射電極層所構成，或者是由多層導電層108a/108b所構成(如圖1所示)。在圖1之實施例中，第一電極層108之上層電極108a為透明材料層且下層電極108b為反射材料層。當然，在其他實施例中，亦可以是第一電極層108之上層電極108a為反射材料層且下層電極108b是透明材料層。

第二絕緣層110是位在第一絕緣層106以及第一電極層108上且暴露出第一電極層108，其中第二絕緣層110位於發光區E內且未設置在透明區T內。在本實施例中，第二絕緣層110是作為後續欲於第一電極層108上所形成的發光層112之阻隔結構，換言之，所形成之第二絕緣層110可以限制發光層112形成在特定的位置(即被暴露的第一電極層108的表面上)。在本實施例中，第二絕緣層110具有至少一第二開口O2，第二開口O2暴露出第一開口O1。更詳細來說，第二開口O2、第一開口O1與絕緣層102、104中的開口共同暴露出緩衝層101。

發光層112位於被暴露出的第一電極層108上，其中發光層112位於發光區E內且未設置在透明區T內發光層112可為紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案、藍色有機發光圖案或是混合各頻譜的光產生的不同顏色(例如白、橘、紫、...等)發光圖案。此外，發光層112中可更包括電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層以及電洞注入層(未繪示)，以增進發光層112的發光效率。

第二電極層114是位於發光層112上。在本實施例中，第二電極層114是位於發光區E內且未設置在透明區T內。此外，第二電極層112為透明電極層，其材質例如是金屬氧化物或是薄層金屬之疊層。因此，本發明之有機發光裝置，是以頂部發光結構(或稱為向上發光結構)，即第一電極層為反射材料所構成，而第二電極層為透明材料所構成，為主要實施範例。而底部發光結構(或向下發光結構)，即第一電極層為透明材料所構成，而第二電極層為反射材料所構成，並不適用於本發明中。因為，發光區，例如：位於主動元件區中，底部發光結構中發光層所發射的光會被主動元件區中主動元件的不透光電極(例如：閘極、源極、汲極、掃描線、資料線、電容電極等等)所遮蔽，而沒有任何的光線存在。

值得一提的是，在上述畫素結構之訊號線上(例如：掃描線SL、資料線DL、電源線PL其中至少一者)以及/或電容器C上亦可設置第一電極層108、發光層112以及第二電極層114。也就是發光區E可涵蓋設置有訊號線(例如：掃描線SL、資料線DL、電源線PL其中至少一者)以及/或電容器C之處。由於上述設置有訊號線以及電容器的地方原本就不透光，因此將發光區E涵蓋到設置有訊號線以及電容器C之處，可進一步增加畫素結構的發光面積。

在上述圖1之實施例中，第一電極層108、發光層112以及第二電極層114是設置在發光區E內，因此每一子畫素區P是發光區E會發出光線，而透明區T是不會發出光線。然，因透明區T內幾乎沒有設置膜層，因此透明T可以保有高度的透明度。如此，可以使得畫素結構的透明度提昇。此外，因本實施例將第一電極層108、發光層112以及第二電極層114是設置在發光區E。而發光區E可以不需對畫素結構的透明度做出貢獻。因此第一電極層108可以選用具有高反射性質之材料，以使畫素結構保有共振腔結構，進而使有機發光裝置之畫素結構的發光亮度提昇。

在圖1之實施例中，第二電極層114僅設置在發光區E而沒有設置在透明區T中。然，根據其他實施例，第二電極層114可以設置在發光區E以及透明區T中，如圖3所示。圖3之實施例與圖1之實施例相似，因此在此與圖1之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖3之實施例與圖1之實施例不相同之處在於，第二電極層114位於發光區E內以及透明區T內，且位於發光區E內的第二電極層114與位於透明區T的第二電極層114，較佳地，是分離開來。於其它實施例中，第二電極層114位於發光區E內以及透明區T內，且位於發光區E內的第二電極層114與位於透明區T的第二電極層114是可連接在一起的。由於第二電極層114是透明電極層，因此即使透明區T內設置有第二電極層114，仍可使透明區T保有一定程度的透明度。

在此實施例中，由於第二絕緣層110在透明區T具有第二開口O2，第一絕緣層106在透明區T具有第一開口O1，且絕緣層104、102在透明區T具有開口。上述之第二開口O2、第一開口O1以及絕緣層104、102中的開口共同暴露出緩衝層101。因此，第二電極層114覆蓋位於上述開口底部的緩衝層110，且暴露出上述開口的局部側壁。

另外，在上述圖1之實施例中，透明區T內僅設置有緩衝層101，因此可以增加透明區T的透明度。然，增加透明區T之透明度之方法亦可以其他實施例來實現，如下所述。

圖4是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖4之實施例與圖1之實施例相似，因此在此與圖1之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖4之實施例與圖1之實施例不相同之處在於基板100上未設置有緩衝層，而位於發光區E內的閘極絕緣層102延伸至透明區T內。在此實施例中，由於透明區T內僅設置有閘極絕緣層102，因此可以增加透明區T的透明度。

圖5是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖5之實施例與圖1之實施例相似，因此在此與圖1之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖5之實施例與圖1之實施例不相同之處在於發光區E內的閘極絕緣層102延伸至透明區T內。因此，在此實施例中，透明區T內僅設置有緩衝層101以及閘極絕緣層102。類似地，由於本實施例之透明區T內僅設置有緩衝層101以及閘極絕緣層102，因此可以使透明區T保有一定程度的透明度。

在上述數個實施例中，透明區T內僅設置緩衝層101、閘極絕緣層102或是緩衝層101與閘極絕緣層102。然，根據另一實施例，亦可以是透明區T內完全無設置膜層，也就是透明區T單純僅有基板100。

此外，在上述數個實施例中，畫素結構中的主動元件都是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明。然，根據其他實施例，本發明之畫素結構中的主動元件也可以採用底部閘極型薄膜電晶體，如下所述。

圖6是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖6之實施例與圖1之實施例相似，因此在此與圖1之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖6之實施例與圖1之實施例不相同之處在於主動元件T是底部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極G、通道CH、源極S以及汲極D。閘極G位於基板100上，閘極絕緣層102覆蓋閘極G，通道CH位於閘極絕緣層102上，且源極與汲極D位於通道CH上。其中，通道CH是由單層或多層的半導體材料所構成，例如：非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、銦鍺鋅氧化物、銦鍺氧化物、銦鋅氧化物、鍺矽化合物、或其它合適的材料、或上述之組合。

類似地，第一絕緣層106覆蓋主動元件T，第一電極層108位於第一絕緣層106上，且透過接觸窗V與主動元件T之汲極D電性連接。第二絕緣層110位於第一絕緣層106與第一電極層108上，且暴露出第一電極層108。發光層112位於第一電極層108上，且第二電極層114位於發光層112上。

同樣地，第一絕緣層106與第二絕緣層110都僅設置在發光區E中，而沒有設置在透明區T中。在透明區中僅設置有緩衝層101。更詳細來說，第一絕緣層106與第二絕緣層110中具有開口O2、O2，其暴露出透明區T內的緩衝層101。由於透明區T內僅設置有緩衝層101，因此可以增加透明區T的透明度。

此外，本發明之有機發光裝置，是以頂部發光結構(或稱為向上發光結構)，即第一電極層為反射材料所構成，而第二電極層為透明材料所構成，為主要實施範例。而底部發光結構(或向下發光結構)，即第一電極層為透明材料所構成，而第二電極層為反射材料所構成，並不適用於本發明中。因為，發光區，例如：位於主動元件區中，底部發光結構中發光層所發射的光會被主動元件區中主動元件的不透光電極(例如：閘極、源極、汲極、掃描線、資料線、電容電極等等)所遮蔽，而沒有任何的光線存在。

圖7是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖7之實施例與圖6之實施例相似，因此在此與圖6之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖7之實施例與圖6之實施例不相同之處在於基板100上未設置有緩衝層，而位於發光區E內的閘極絕緣層102延伸至透明區T內。在此實施例中，由於透明區T內僅設置有閘極絕緣層102，因此可以增加透明區T的透明度。

圖8是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。圖8之實施例與圖6之實施例相似，因此在此與圖6之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖8之實施例與圖6之實施例不相同之處在於發光區E內的閘極絕緣層102延伸至透明區T內。因此，在此實施例中，透明區T內僅設置有緩衝層101以及閘極絕緣層102。類似地，由於本實施例之透明區T內僅設置有緩衝層101以及閘極絕緣層102，因此可以使透明區T保有一定程度的透明度。

類似地，在上述圖6至圖8之具有底部閘極型薄膜電晶體之畫素結構中，其第二電極層114都僅設置在發光區E中。然，根據其他實施例，第二電極層114都也是可設置在發光區E以及透明區T中(類似圖3之第二電極層114的設置方式)。其中，發光區E以及透明區T中的第二電極層114可選擇性的相互連接或不連接。

同樣地，在上述圖6至圖8之實施例中，透明區T內僅設置緩衝層101、閘極絕緣層102或是緩衝層101與閘極絕緣層102。然，根據另一實施例，亦可以是透明區T內完全無設置膜層，也就是透明區T單純僅有基板100。

綜上所述，由於本發明將有機發光裝置之畫素結構的透明區中的膜層完全移除，或者是僅留下緩衝層、閘極絕緣層、或緩衝層與閘極絕緣層。並且將畫素結構的發光層設置在發光區中。由於畫素結構之發光區主要是發揮發光作用，且透明區主要是提供畫素結構利用基板外的環境光來提昇畫素結構的透明度。因此，在做成顯示裝置或電子裝置時，會使用框架(未繪示)將有機發光裝置容納於其中，此時，相對於透明區的框架中的部件並不會遮蔽外界環境光從基板外面進入有機發光裝置內。因此，當使用者往有機發光裝置的第二電極看時，有機發光裝置會因為透明區的存在而使得透明度或亮度提昇。

此外，本發明將畫素結構的電極層以及發光層都設置在發光區中，且此發光區中可以設置不透光材料當作第一電極。在發光區中設置反射材料/不透光材料可以使有機發光裝置之發光區保有共振腔結構，進而使有機發光裝置的發光亮度提昇。也就是說，有機發光裝置之畫素結構中的有機發光結構較適用頂部發光結構(或稱為向上發光結構)，而較不適用底部發光結構(或稱為向下發光結構)，其中，二者結構的差異可查閱上述實施例。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．基板

101．．．緩衝層

102．．．閘極絕緣層

104,106,110．．．絕緣層

108．．．第一電極層

108a．．．下層電極

108b．．．上層電極

112．．．發光層

114．．．第二電極層

T1、T2、T．．．主動元件

C．．．電容器

G1、G2、G．．．閘極

S1、S2、S．．．源極

D1、D2、D．．．汲極

CH1、CH2、CH．．．通道

E1、E2．．．電容電極

V1～V5、V．．．接觸窗

SM1、SM2．．．源極金屬層

DM1、DM2．．．汲極金屬層

O1、O2．．．開口

E．．．發光區

T．．．透明區

P．．．子畫素區

DL．．．資料線

SL．．．掃描線

PL．．．電源線

圖1是根據本發明一實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。

圖2是圖1之畫素結構之局部上視示意圖。

圖3至圖8是根據本發明之其他實施例之有機發光裝置之畫素結構的剖面示意圖。

100．．．基板

101．．．緩衝層

102．．．閘極絕緣層

104,106,110．．．絕緣層

108．．．第一電極層

108a．．．下層電極

108b．．．上層電極

112．．．發光層

114．．．第二電極層

T1、T2．．．主動元件

C．．．電容器

G1、G2．．．閘極

S1、S2．．．源極

D1、D2．．．汲極

CH1、CH2．．．通道

E1、E2．．．電容電極

V1～V5．．．接觸窗

SM1、SM2．．．源極金屬層

DM1、DM2．．．汲極金屬層

O1、O2．．．開口

E．．．發光區

T．．．透明區

P．．．子畫素區

Claims (19)

1. 一種有機發光裝置之畫素結構，包括：一基板，其定義有多個子畫素區，每一個子畫素區具有一發光區以及一透明區；至少一主動元件，位於該基板之該發光區內；一第一絕緣層，覆蓋該主動元件，其中該第一絕緣層位於該發光區內且未設置在該透明區內；一第一電極層，位於該第一絕緣層上且與該主動元件電性連接，其中該第一電極層位於該發光區內且未設置在該透明區內；一第二絕緣層，位在該第一絕緣層以及該第一電極層上且暴露出該第一電極層，其中該第二絕緣層位於該發光區內且未設置在該透明區內；一發光層，位於被暴露出的該第一電極層上，其中該發光層位於該發光區內且未設置在該透明區內；以及一第二電極層，位於該發光層上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該主動元件包括一閘極、一半導體層、一源極以及一汲極，該閘極與該半導體層之間更包括設置有一閘極絕緣層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該閘極絕緣層延伸至該透明區內。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，更包含一緩衝層(buffer layer)設置於該基板之該發光區以及該透明區上，且位於該主動元件之下。
5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層位於該發光區內且未設置在該透明區內。
6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層位於該發光區內以及該透明區內。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層為一透明電極層。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第一電極層為一反射電極層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第一電極層包括多層導電層，且該些導電層的至少其中之一為一反射層。
10. 一種有機發光裝置之畫素結構，包括：一基板，其定義有多個子畫素區，每一個子畫素區具有一發光區以及一透明區；至少一主動元件，位於該基板之該發光區內；一第一絕緣層，覆蓋該主動元件，其中該第一絕緣層中具有至少一第一開口以暴露出該基板之該透明區；一第一電極層，位於該發光區內，其中該第一電極層設置於該第一絕緣層上且與該主動元件電性連接；一第二絕緣層，位在該第一絕緣層以及該第一電極層上且暴露出該第一電極層，其中該第二絕緣層中具有至少一第二開口以暴露出該第一開口；一發光層，位於該發光區內，其中該發光層設置於被暴露出的該第一電極層上；以及一第二電極層，設置於該發光層上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該主動元件包括一閘極、一半導體層、一源極以及一汲極，該閘極與該半導體層之間更包括設置有一閘極絕緣層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該閘極絕緣層延伸至該透明區內。
13. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，更包含一緩衝層(buffer layer)設置於該基板之該發光區以及該透明區上，且位於該主動元件之下。
14. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層位於該發光區內且未設置在該透明區內。
15. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層位於該發光區內以及該透明區內。
16. 如申請專利範圍第15項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層覆蓋該第一開口的底部，且暴露出該第一開口與該第二開口的局部側壁。
17. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第二電極層為一透明電極層。
18. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第一電極層為一反射電極層。
19. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光裝置之畫素結構，其中該第一電極層包括多層導電層，且該些導電層的至少其中之一為一反射層。