TWI411809B - An optical film, an image display device, diacetylene oxide and a polymer thereof - Google Patents

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Description

光學薄膜、圖像顯示裝置、二乙炔茀及其聚合物 發明領域
本發明係關於一種光學薄膜及圖像顯示裝置，可以作為該光學薄膜之形成材料使用的二乙炔茀及其聚合物。
發明背景
相位差板是為了實現例如，液晶顯示裝置之廣視角化時所利用的光學薄膜。相位差板之相位差值取決於波長，該相位差值之波長色散大致可區分成以下的3個種類。第1種是，相位差值顯示越到短波長側越大的波長色散(以下稱為「正分散」)之相位差板；第2種是，相位差值顯示從短波長測到長波長側的範圍都不會改變的波長色散(以下稱「平坦色散」)之相位差板；第3種是，相位差值顯示越到短波長側越小的波長色散(以下稱「逆色散」)之相位差板。
再者，正色散和逆色散，相位差值之波長依存性大，平坦色散相位差值的波長依存性則小。
過去已知是將降冰片烯系樹脂製膜延伸而成之降冰片烯系薄膜當做顯示平坦色散的相位差板使用(例如，JSR株式会社製，商品名「ARTON FILM」)。然而，降冰片烯系薄膜因為厚度在60~80 μm左右，是比較厚的。因此，具有該光學薄膜的液晶顯示裝置會比較厚而且重。
另一方面，已知含有聚醯亞胺的相位差板可以透過在基板上塗覆含有聚醯亞胺的溶液而形成，並且顯示預定的 相位差值(專利文獻1)。如果利用塗覆方式來形成，就可以獲得比較薄的相位差板。然而，由聚醯亞胺所形成的相位差板通常是顯示正色散(亦即，不會形成平坦色散)。
另外，相位差板厚度方向的相位差值是以「△nxz×厚度」求得，因此，△nxz大的相位差板即使比較薄，依然具有所需要的相位差值。因此，△nxz大的薄膜即成為追求的目標。
【專利文獻1】日本專利申請公表2000-511296號公報
發明概要
本發明之目的在於提供一種顯示適當的相位差值之波長色散，並且，也可以形成得比較薄之光學薄膜，以及應用該薄膜之圖像顯示裝置。
另外，本發明之其他目的係為提供適合於做為前述光學薄膜之形成材料的二乙炔茀。
VA(Vertical Alignment)模式之液晶單元廣泛地普及於液晶顯示裝置之液晶單元。本發明人等詳細調查這種VA模式的液晶單元之相位差值的波長色散。結果，認知到近年來顯示平坦色散之VA模式的液晶單元逐漸增多。因此，補該液晶單元之相位差板以使用顯示平坦色散的相位差板為佳。此外，從企圖達到液晶顯示裝置之輕量化的觀點來看，以比較薄的相位差板為佳。但是，如上所述，習知之相位差板有優點也有缺點。因此，本發明人等乃針對各種材料銳意地進行研究，發現透過使用特定的聚合物將可以達成上述目的。
本發明係提供一種含有具有以下述一般式(I)表示之重複單位的聚合物之光學薄膜。
上述式(I)中，A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數(0到3的整數)，b及b’表示對應於B及B’之取代數(0到3的整數)。A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基。R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基(R3~R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基)、及CR6R7(OH)基(R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基)所組成之群之原子或基團。X表示-CR8 2-(R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟(perfluoro)基、或者取代或無取代之芳基)、-SiR9 2-(R9表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-O-、-NR10-(R10表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-CO-，或-SO2-。
以式(I)表示之重複單位，其主鏈部分的2個苯環係透過價的鍵結基X而結合。因此，導入有該重複單位之聚合物，主鏈的剛直性會提高。將該聚合物予以製膜而得之光學薄膜，△nxz變得比較大。因此，該光學薄膜即使比較薄，依 然可以具有所需的相位差值。
此外，具有以式(I)表示之重複單位的聚合物，其茀骨架的共軛系利用三鍵基(乙炔基)延伸出，而且茀骨架配向於對主鏈的延伸方向略為直交的方向。因此，包含該聚合物的光學薄膜，其相位差值的波長色散接近於平坦色散。
本發明之合適的光學薄膜在波長550 nm中的雙折射率△nxz為0.005~0.070。
而，△nxz=nx-nz。nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)之折射率，nz是在厚度方向的折射率。
本發明之其他適合的光學薄膜顯示Rth(450)/Rth(550)<1.06。
本發明之其他適合的光學薄膜顯示Rth(650)/Rth(550)≧0.95。
上述Rth(450)、Rth(550)及Rth(650)表示在波長450 nm、波長550 nm及波長650 nm中之厚度方向的相位差值。
另外，本發明之其他合適的光學薄膜是上述聚合物為聚酯系聚合物。
另外，本發明提供一種具有上述光學薄膜之圖像顯示裝置。
此外，本發明提供一種以下述一般式(X)表示之二乙炔茀。
上述式(X)中，A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數(0到3的整數)，b及b’表示對應於B及B’之取代數(0到3的整數)。A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基。D及D’各自獨立，表示OH基、NHR基(R表示氫或碳數1~4的烷基)、COOH基，或NCO基。R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基(R3~R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基)、及CR6R7(OH)基(R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基)所組成之群之原子或基團。X表示-CR8 2-(R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟(perfluoro)基、或者取代或無取代之芳基)、-SiR9 2-(R9表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-O-、-NR10-(R10表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-CO-，或-SO2-。
另外，本發明提供具有以上述二乙炔茀作為重複單位之聚合物。
本發明之光學薄膜顯示平坦色散。因此，本發明的光學薄膜合適於作為例如，補償VA模式之液晶單元的相位差 板。此外，本發明之光學薄膜△nxz比較大。因此，本發明之光學薄膜即使厚度比較薄，依然具有所需要的厚度方向之相位差值。
具有該光學薄膜之圖像顯示裝置視角特性優良，並且，既薄型且輕量。
此外，本發明之二乙炔茀因為主鏈部分的2個苯環鍵結在一起(該苯環乃式中以「X」鍵結的2個苯環)，所以主鏈的剛直性及直線性提高。該二乙炔茀係例如，導入適當的聚合物做使用。導入了剛直且直線性高的二乙炔茀之本發明的聚合物，可以透過將其製膜而形成顯示平坦色散，而且比較薄的光學薄膜。
【用以實施發明之最佳態樣】
本說明書主要用語的意義如下。
「nx」表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)的折射率，「ny」表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)的折射率，「nz」表示和X軸及Y軸方向形成直交的方向(厚度方向)的折射率。而，nx≧ny。
「△nxz」表示在25℃下，波長λ(nm)中之薄膜的厚度方向的雙折射率。△nxz可以利用△nxz=nx-nz來求得。
「面內的相位差值(Re(λ))」意指，在25℃下，波長λ(nm)中之薄膜的面內的相位差值。Re(λ)在薄膜的厚度為d(nm)時，可以利用Re(λ)=(nx-ny)×d來求得。
「厚度方向的相位差值(Rth(λ))」意指，在25℃下，波 長λ(nm)中之薄膜厚度方向的相位差值。Rth(λ)在薄膜的厚度為d(nm)時，可以利用Rth(λ)=(nx-nz)×d來求得。
「聚合物」包含聚合度(該聚合物含有複數個重複單位時，各單位之合計的聚合度)在20以上的高聚合物，此外，包含聚合度在2以上不滿20之低聚合物(亦稱為低聚物(oligomer))。
本發明人等發現，將具有以下述一般式(I)表示之重複單位的聚合物予以製膜而得的薄膜，在波長450~750 nm之可見光區域的相位差值之波長色散幾近於平坦色散，而且△nxz比較大。本發明主要是利用該聚合物的性質以提供顯示平坦色散(亦即相位差值的波長依存性小)且薄的光學薄膜。
上述式(I)中，A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數，b及b’表示對應於B及B’之取代數。前述a及a’為0到3的整數，b及b’為0到3的整數。
A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基。R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基、及CR6R7(OH)基所組成之 群之基。前述R3、R4及R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基。前述R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基。
式(I)中之X表示-CR8 2-、-SiR9 2-、-O-、-NR10-、-CO-，或-SO2-。前述R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟基、或者取代或無取代之芳基。前述R9表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基。前述R10表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基。
上述式(I)表示之重複單位當中，以下述式(II)表示的重複單位為佳。
上述式(II)中，A、A’、B、B’、a、a’、b、b’、R1、R2及X和式(I)相同。
式(I)及式(II)的A、A’、B及B’對於光學薄膜的波長色散特性並無特殊影響。因此，具有前述A、A’、B及B’為鹵素或碳數1~4的烷基之重複單位的聚合物，可以形成顯示平坦色散的光學薄膜。
合適者為，上述A及A’之至少一者為碳數1~4的烷基(以甲基為佳)，且其取代數為1或2(a=1~2，及a’=1~2)。具有該重複單位的聚合物不僅透明性優良，而且溶劑溶解性良好。
較佳者為，式(I)及式(II)之A及A’係無取代(a=0，及a’=0)。更適當的是，式(I)及式(II)之B及B’係無取代(b=0，及b’=0)。
此外，式(I)及式(II)之X以-O-、-CO-，或-SO2-為佳，且以前述X為-O-較佳。
具有以上述式(I)或式(II)表示之重複單位的聚合物，主鏈部分的2個苯環係透過二價的鍵結基X而鍵結在一起。因此，該聚合物主鏈的直線性及剛直性提高。所以，將該聚合物製膜而成的薄膜具有較大的△nxz。
式(I)及式(II)之R1及R2各自獨立，以氫、碳數1~6的烷基、三甲基矽烷基，或C(CH3)2(OH)基為佳。尤其，式(I)及式(II)之R1及R2各自獨立，以碳數1~6的烷基、三甲基矽烷基，或C(CH3)2(OH)較佳。
上述具有以式(I)或式(II)表示之重複單位的聚合物，茀骨架之共軛系是透過三鍵基(乙炔基)而延伸出，而且茀骨架配向於對主鏈的延伸方向略呈直交的方向。因此，該聚合物在具有上述重複單位的部位相位差值的波長色散性會變大。因此，以式(I)或式(II)表示之重複單位導入越多，所獲得的薄膜之相位差值的波長色散越有逐漸從平坦色散變成逆色散的傾向。
以上述式(I)或式(II)表示之重複單位的導入量並無特殊限制，含有聚合物全體的1莫耳%以上即可。尤其，如上所述，式(I)或式(II)之重複單位導入越多，所得到光學膜越有形成逆色散的傾向。因此，以式(I)或式(II)表示之重複單 位以含有聚合物全體的5莫耳%以上為佳，此外，含有10莫耳%以上較佳，含有12.5莫耳%以上特別好。
另一方面，以式(I)或式(II)表示之重複單位的導入量如果太多，會有無法獲得耐熱性和透明性等優良的光學薄膜之虞。基於這個理由，式(I)或式(II)之重複單位的導入量上限以聚合物全體的90莫耳%為佳，較佳為60莫耳%，特佳為40莫耳%。
上述式(I)或式(II)的重複單位可以作為適宜適切之聚合物的構成單位而被導入。合適的是，在可以構成於製膜時顯示正色散的薄膜之聚合物(以下有些情形稱該聚合物為「正色散聚合物」)中，導入上述式(I)或式(II)的重複單位。於該正色散聚合物中導入了上述式(I)或式(II)的重複單位之本發明的聚合物，於製膜時可以形成顯示平坦色散的光學薄膜。
再者，式(I)或式(II)的重複單位的配列可以是無規的，也可以是嵌段的。
上述正色散聚合物可以舉例如，聚酯系聚合物、聚醯亞胺系聚合物、聚醯胺系聚合物、聚醯胺醯亞胺系聚合物等。其等當中，本發明之聚合物又以在聚酯系聚合物中導入了以上述式(I)或式(II)表示之重複單位的聚合物為佳。這是因為將該聚合物製膜而獲得的薄膜，不僅耐熱性佳，雙折射率比較高，而且可以利用塗布法來形成。
以下，特別要指涉聚酯系聚合物中導入有以上述式(I)或式(II)表示之重複單位的聚合物時，稱該聚合物為「導入 茀的聚酯聚合物」。
上述聚酯聚合物只要在主鏈上有酯鍵結即可，並無特殊限制。聚酯聚合物從直線性及剛直性良好的觀點來看，以芳香族聚酯系聚合物為佳。
該芳香族聚酯系聚合物可以舉例如，具有以下述一般式(III)表示之重複單位的聚合物。
上述式(III)中，Ar表示芳香環。式(III)中，Ar為例如，從下列式群所表示的芳香環中選出的一種芳香環。
上述式群(IV)中。G各自獨立，表示氫、鹵素、碳數1~4的烷基或苯基，g1~g3表示其取代數。g1表示0~4的整數，g2表示0~3的整數，g3表示0~2的整數。式群(IV)之R 表示氫或取代基(該取代基合適者可舉例如鹵素或碳數1~4的烷基)。
式(III)之Ar較佳者為下述式群(IV’)中所表示之單一芳香環之任一者。式群(IV’)之G及g1與式群(IV)相同。式群(IV’)中所表示之左側的芳香環稱為「p-取代體」，右側的芳香環稱為「m-取代體」。
另外，式(III)之Ar以式群(IV)或式群(IV’)中所表示之G係氫原子(無取代)之芳香環為佳。再者，當G為取代基時，其取代數以1~2為佳。
本發明之一種實施態樣中，上述聚酯系聚合物較佳的是，在分子構造中分別具有式(III)之Ar為p-取代體的重複單位和，式(III)之Ar為m-取代體的重複單位。該聚合物因為導入了p-取代體，所以△nxz提高，而且因為導入了m-取代體，所以溶劑溶解性良好。
另外，本發明之其他實施態樣中，上述聚酯系聚合物較佳的是，具有僅以式(III)之Ar為p-取代體所構成的重複單位。
上述聚酯系聚合物以進一步含有以下述一般式(V)所表示的重複單位者為佳。
式(V)中，Y表示共價鍵，或選自於由CH2基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基(此處，Z為鹵素)、CO基、氧原子、硫原子、SO2基、Si(CH2CH3)2基、及N(CH3)基所組成之群之原子或基團。E及H為取代基，e表示E的取代數(0~4的整數)，h表示H的取代數(0~4的整數)。E及H各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基、及取代的烷酯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異。q1表示0~3的整數，q2表示1~3的整數。鹵素可以舉例如氟、氯、溴及碘。取代烷基可以舉例如，鹵化烷基。而，取代芳基可以舉例如，鹵化芳基。
尤其以式(V)之Y為共價鍵，且q1、q2、e及h為1的重複單位特別合適。
式(VI)中，E及H各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、 烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基、及取代的烷酯基所組成之群之原子或基團。E及H以氫以外的原子或基團為佳，較佳的是，E及H為鹵化烷基(CF3等)等之碳數1~4的取代烷基，或CH3等之碳數1~4的烷基。
本發明之茀導入聚酯聚合物係具有上述式(I)及/或式(II)之重複單位和，上述式(III)之重複單位的聚合物。其中，本發明之茀導入聚酯聚合物以具有以下述一般式(VII)或一般式(VIII)表示之重複單位為佳。
式(VII)及式(VIII)中，A、a、A’、a’、B、b、B’、b’、R1、R2及X和上述式(I)相同。而，Ar1及Sr2各自獨立，是從表示於上述式群(IV)或式群(IV’)的芳香環群所選出之芳香環。式(VII)及式(VIII)中，E、e、H、h、Y、q1及q2和上述式(V)相同。m表示1~90莫耳%，n表示10~90莫耳%。而，以聚合物全體為100時，m+n≦100莫耳%。
式(VII)及式(VIII)之A及A’以無取代(a=0及a’=0)為 佳。前述A及A’之至少任一者為碳數1~4的烷基(以甲基為佳)，其取代數以1或2(a=1~2及a’=1~2)為佳。
另外，式(VII)及式(VIII)之B及B’以無取代(b=0及b’=0)為佳。
此外，式(VII)及式(VIII)之X以-O-、-CO-，或-SO2-為佳，較佳者為前述X是-O-。
而，式(VII)及式(VIII)之R1及R2適合者以，各自獨立，且為氫、碳數1~6的烷基、三甲基矽烷基，或C(CH3)2(OH)基為佳。尤其，R1及R2以碳數1~6的烷基、三甲基矽烷基，或C(CH3)2(OH)基較佳。
此外，式(VII)及式(VIII)之Ar1及Ar2適合者以，各自獨立，且為表示於式(IV’)之p-取代體或m-取代體為佳。尤其以表示於該式群(IV’)中之G為氫(無取代)之p-取代體或m-取代體較佳。
僅有p-取代體之茀導入聚酯聚合物係以下述式(XI)表示。有p-取代體及m-取代體之茀聚酯聚合物係以下述式(XII)表示。
式(XI)及式(XII)中，A、a、A’、a’、B、b、B’、b’、R1、R2及X和上述式(VII)相同。E、e、H、h、Y、q1及q2和上述式(V)相同。G及g1和上述式群(IV’)相同。而，Ar1及Sr2各自獨立，是選自於表示於上述式群(IV)或式群(IV’)的芳香環群之芳香環。式(XI)之m表示1~90莫耳%，n表示10~90莫耳%。而，式(XII)之l，n表示1~30莫耳%，o表示1~30莫耳%。而，當以聚合物全體為100時，l+m+n+o≦100莫耳%。
本發明之聚合物的重量平均分子量(Mw)並無特殊限制，惟以1,000~1,000,000為佳，較佳為2,000~500,000。該分子量之聚合物溶劑溶解性良好，而且可以形成難以產生因伸縮或扭曲等所導致之裂痕的光學薄膜。
另外，本發明之聚合物的玻璃轉移動度可以透過調整式(I)或式(II)中之取代基的種類及取代數，以及主鏈的種類、重複單位的導入量等方式來做適當的設定。該聚合物之玻璃轉移溫度在100℃以上，以130℃以上為佳。將該玻璃轉移溫度的聚合物予以製膜而得的薄膜，在用做為光學薄膜上具有足夠的耐熱性。再者，玻璃轉移溫度是利用準據JIS K 7121(1987)的DSC法來求得。
具有上述式(I)或式(II)之重複單位的聚合物可以利用將以下述一般式(X)表示之二乙炔茀(單體)導入正色散聚合物中的方式而獲得。
上述式(X)中，A、A’、B及B’分別表示取代基，a及a’表示對應於A及A’的取代數，b及b’表示對應於B及B’的取代數。前述a及a’為0~3的整數，b及b’為0~3的整數。
A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基。D及D’各自獨立，表示OH基、NHR基(R表示氫或碳數1~4的烷基)、COOH基，或NCO基。R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基、及CR6R7(OH)基所組成之群之基。前述R3、R4及R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基。前述R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基。
式(X)之X表示-CR8 2-、-SiR9 2-、-O-、-NR10-、-CO-，或-SO2-。前述R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟基，或取代或無取代之芳基。前述R9表示氫、碳數1~4的烷基或取代或無取代之芳基。
上述式(X)之D及D’是構成聚合物之其他的重複單位和鍵結基。本發明之二乙炔茀以上述式(X)之D及D’是OH基或COOH基為佳，較佳為D及D’是OH基。這是因為這樣的二乙炔茀可以和例如，羧酸或羥基反應而容易地形成酯鍵結。
以上述式(X)表示之二乙炔茀係例如，當做重複單位被導入聚合物中。藉由將本發明之二乙炔茀導入正色散聚合物，可以使正色散聚合物的光學性質獲得改質。因此，將該聚合物製膜而獲得之薄膜會變成幾近於平坦色散。本發明之二乙炔茀本身雖然顯示逆色散，但是本發明之二乙炔茀具有使導入了該二乙炔茀之正色散聚合物的波長色散趨向近於平坦色散的作用。
該作用和二乙炔茀的導入量相對應，隨著該導入量增加，所獲得的薄膜越接***坦色散。
因此，本發明係利用在聚酯系聚合物等之正色散聚合物中導入以上述式(X)表示之二乙炔茀的方式，提供調整含有該正色散聚合物之光學薄膜的相位差值之光學薄膜的相位差調整方法。若利用該調整方法，適當調整相對於正色散聚合物之二乙炔茀的導入量，那麼從接***坦色散的光學薄膜到顯示平坦色散的光學薄膜為止，都可以任意地製作。
以上述式(X)表示之二乙炔茀可以利用例如以下的方法來製造(參見反應式(a)~(c))。而，下述反應式(a)~(c)中，A、a、B、b、R1及R2和式(X)相同。
(1).式(X)之D及D’為OH基之二乙炔茀的製法(參見反應式(a))。
使2,7-二溴茀衍生物在酸觸媒下與酚衍生物反應之後，在鈀(0)觸媒下使之與乙炔化合物反應。
(2).式(X)之D及D’為COOH基的二乙炔茀之製法(參見下述反應式(b))。
使2,7-二溴茀衍生物在酸觸媒下與酚衍生物反應之後，以過錳酸鉀使其氧化，再以酯加以保護後，在鈀(0)觸媒下使之與乙炔化合物反應，再進行加水分解。
(3).式(X)之D及D’為NCO基或NH2基之二乙炔茀的製法(參見下述反應式(c))。
使以上述(2)的方法所製得之具有COOH基的二乙炔茀和亞硫醯氯(thionyl chloride)反應後，再使疊氮化鈉(sodium azide)進行反應，藉而可以製得具有NCO基的二乙炔茀。
接著，使之進行加水分解作用，藉而可以製得具有NH2基之二乙炔茀。
本發明之光學薄膜可以透過將含有本發明之聚合物的形成材料予以製膜的方式而獲得。
再者，光學薄膜的形成材料中，除本發明之聚合物以外，也可以含有構造不同之其他聚合物。但是，前述聚合物係在不會造成本發明之聚合物的配向性顯著降低的範圍內配合使用。
前述之其他聚合可以舉例如，泛用樹脂、工程塑料、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等。泛用樹脂可以舉例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂等。工程樹料可以舉例如，聚醋酸酯(polyacetate)、聚碳酸酯、聚醯胺(耐綸)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯等。熱可塑性樹脂可以舉例如，聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚醚碸(Polyethersulfone)、聚酮、聚醯亞胺、聚環己烷二甲醇改性聚對苯二甲酸酯(poly-cyclomethane dimethanol terephthalate)、聚丙烯酸酯、液晶聚合物等。熱硬化性樹脂可以舉例如，環氧樹脂、酚醛(Phenol Novolac)樹脂等。這 些其他聚合物的調配量在形成材料中占有例如，0~50質量%，以，0~30質量%為佳。
另外，亦可依需要而在前述形成材料中調配例如，安定劑、可塑劑、金屬類等之各種添加劑。
本發明之光學薄膜的厚度並無特殊限制，通常是在200 μm以下。從可以使圖像顯示裝置薄型化的觀點來看，光學薄膜的厚度以20 μm以下為佳，15 μm以下較佳，10 μm以下特別合適。另一方面，光學薄膜厚度的下限係適當地設定成可以具有所需的相位差值。通常，光學薄膜的厚度在1 μm以上，以2 μm以上為佳。本發明之聚合物也可以利用塗布方式來製膜。因此，含有本發明之聚合物的光學薄膜可以形成得比較薄。
本發明之光學薄膜的製造方法並無特殊限制，可以舉例如，將含有本發明之聚合物的形成材料予以製膜，再依需要施行延伸(或收縮)的方法等。製膜可以透過將上述形成材料塗布在適當之基材的方式來實施。
上述形成材料的塗布可以舉例如，使上述形成材料受熱熔融，再將其塗布於基材上的方法和，將上述形成材料溶解於溶劑而形成之聚合物溶液塗布在基材上的方法等。從製造效率、分子配向控制及光學異方性控制各點來看，以塗布聚合物溶液的方法為佳。
尤其，將含有本發明之聚合物的聚合物溶液塗布在基材上，可藉而形成顯示負的一軸性(折射率橢圓球為nx≒ny>nz)之塗覆膜。
具體而言，在基材上塗布含有本發明之聚合物的聚合物溶液後，乾燥過程中，收縮力會施加在塗覆膜的面內(X軸方向及Y軸方向)，可以形成顯示負的一軸性之塗覆膜。如此，本發明之聚合物無論基材有沒有配向，都可以藉著塗布在基材上而形成顯示光學一軸性的塗覆膜。
再者，「nx≒ny」不僅是指nx和ny完全相同的情形，也包含實質相同的情形。nx和ny實質相同的情形是指，例如，Re(590)為0 nm~10 nm，以0 nm~5 nm為佳。
上述聚合物溶液可以藉由將本發明之聚合物(依需要也可以調配有其他聚合物及各種添加劑)溶解於適當的溶劑中而調製成。本發明之聚合物因為溶劑溶解性優良，故可容易地調製前述聚合物溶液。
上述溶劑只要可以溶解本發明之聚合物等即可，並無特殊限制，可以適當地做選擇。溶劑可以舉例如，有機溶劑。有機溶劑之例有，三氯甲烷、二氯甲烷、四氯化碳、二氯乙烷、四氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯苯、鄰二氯苯等之鹵化烴類；酚、對氯酚等之酚類；苯、甲苯、二甲苯、甲氧基苯、1,2-二甲氧基苯等之芳香族烴類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環己酮、環戊酮、2-吡咯烷酮(2-pyrrolidone)、N-甲基-2-吡咯烷酮等之酮類；醋酸乙酯、醋酸丁酯等之酯類；t-丁醇、丙三醇、乙二醇、三乙二醇(tri-ethyleneglycol)、乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇、二丙二醇、2-甲基-2,4-戊二醇等之醇類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等之醯胺類；乙腈、丁腈等之腈類； 二***、二丁醚、四氫呋喃等之醚類；二硫化碳；乙二醇***(ethyl cellosolve)、乙二醇丁醚(butyl cellosolve)等。這些溶劑可以單獨使用1種，也可以併用2種類以上。
上述聚合物溶液以相對於溶劑100質量份，調配聚合物等之固形分5~50質量份為佳，較佳為10~40質量份。前述範圍濃度之聚合物溶液以形成適合塗布的粘度為佳。
而，聚合物溶液之塗布方法可以舉例如，旋塗法、滾筒塗布法、流塗法、印刷法、浸塗法、流延成膜法、刮棒塗布法、凹版印刷法等。
將前述聚合物溶液塗布在基材上形成塗覆膜之後，再使該塗覆膜乾燥亦可。乾燥處理可以利用，例如，自然乾燥、風乾、加熱乾燥等來進行。加熱乾燥時，其溫度並無特殊限制，在例如，25℃~250℃，以40℃~200℃為佳。
殘存在最終所獲得之塗覆膜(亦即光學薄膜)的溶劑量以1質量%以下為佳，0.5質量%以下較佳。這是因為殘存溶劑量低的光學薄膜尺寸安定性良好，光學特性不容易發生經時性的變化。
塗布上述形成材料(聚合物溶液等)的基材並無特殊限制。該基材可以是，例如，合成樹脂基材，或者，也可以是玻璃基材和矽晶圓之類的無機化合物製基材。合成樹脂製基材可以舉例如以澆注(Cast)法製膜的薄膜，將熔融的聚合物製膜後再施以延伸處理而成之薄膜等。從可以精密地塗布的觀點而言，其等當中又以施以延伸處理的薄膜為佳。
另外，基材以透明性良好者為佳。通過使用透明性良 好的基材，也可以不將形成在該基材上的光學薄膜從基材剝離而直接使用。
上述合成樹脂製基材的樹脂成分可以舉例如，三醋酸纖維素(TAC)等之酯酸乙酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、聚降冰片烯樹脂(poly-norbornene)、纖維素樹脂、聚芳香酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯(polyvinyli-dene chloride)樹脂、液晶聚合物，及其之混合物等。此外，前述樹脂成分亦可為側鏈上具有取代醯亞胺基或非取代醯亞胺基之熱可塑性樹脂和，側鏈上具有取代苯基或非取代苯基及腈基之熱可塑性樹脂之混合物等(該混合物揭示於日本專利申請公開2001-343529號公報中)。
基材的厚度為，例如，12 μm~200 μm，以20 μm~150 μm為佳，較佳為25 μm~100 μm。基材的厚度如果在12 μm以上，就可以精密地塗布聚合物溶液。另一方面，基材的厚度如果在200 μm以下，就可以更進一步地抑制光學薄膜的變形量。
利用將含有本發明之聚合物的形成材料塗布在基材上的方式，可以形成顯示光學一軸性的塗覆膜。該塗覆膜即本發明之光學薄膜。本發明之光學薄膜既薄，而且顯示光學一軸性(折射率橢圓球nx≒ny>nz)。該光學薄膜可以作為相位差板來使用。
此外，如果使上述塗覆膜延伸或收縮，也可以形成顯 示光學二軸性(折射率橢圓球nx>ny>nz)的光學薄膜。
塗覆膜的延伸方法以，例如，沿其長向一軸延伸之自由端縱向延伸，或者，固定其長向並且沿寬度方向一軸延伸之固定端橫向延伸等為佳。其他的延伸方法可以舉例如，沿長向及寬度方向雙方延伸之，依序或同時的二軸延伸等。而，當塗覆膜被形成的基材是可延伸基材時，以延伸其基材的方法為佳。如果採用該方法，因為基材被均勻地延伸，故可隨著該延伸而間接地使塗覆膜均勻地延伸。另外，該方法可以應用在連續生產程序，從製品的量產性會提高等的點來看也是合適的。再者，前述基材和塗覆膜也可以同時延伸。
而，當塗覆膜被形成的基材是可以收縮的基材時，藉由使基材收縮的方式，可以間接地使塗覆膜收縮。使基材收縮時，以利用延伸機等來控制基材的收縮率為佳。其控制方法可以舉例如，將延伸機的夾具暫時放開，沿基材的移送方向使基材鬆弛，或者，使延伸機夾具的間隔慢慢變窄的方法等。
本發明之光學薄膜的厚度方向之相位差值(Rth(λ))和面內的相位差值(Re(λ))可以適當地調整。該調整可以透過，例如，所使用之聚合物的構造及分子量之選擇、光學薄膜之厚度的設定，以及，製膜時之延伸比率(或收縮比率)的設定等來執行。
含有本發明之聚合物的光學薄膜，其波長色散幾近於平坦色散。具體地說，本發明之光學薄膜滿足0.97≦Rth(450) /Rth(550)<1.06，1.03≧Rth(650)/Rth(550)≧0.95的關係。
特別是，含有增加上述式(I)或式(II)之導入量，或選擇適當的取代基作為式(I)或式(II)之R1及R2的聚合物之光學薄膜，係滿足0.97≦Rth(450)/Rth(550)≦1.03的關係，更進一步，係滿足0.97≦Rth(450)/Rth(550)≦1.02的關係。這樣的光學薄膜，其波長色散會變得更接***坦色散。
另外，含有增加上述式(I)或式(II)之導入量，或選擇適當的取代基作為式(I)或式(II)之R1及R2的聚合物之光學薄膜，係滿足1.03≧Rth(650)/Rth(550)≧0.97的關係，更進一步，係滿足1.03≧Rth(650)/Rth(550)≧0.98的關係。這樣的薄膜和上述相同，會變得更接***坦色散。
另外，當本發明之光學薄膜的折射率橢圓球滿足nx>ny>nz的關係時，有關該光學薄膜之面內相位差件也是滿足Re(450)/Re(550)<1.06，Re(650)/Re(550)≧0.95的關係。此外，含有經過使式(I)之導入量增加等處理的聚合物之光學薄膜，關於其面內的相位差值，其波長色散也是變得更接***坦色散。
再者，Rth(450)、Rth(550)、Rth(650)表示在25℃下，波長450 nm、550 nm、650 nm中之厚度方向的相位差值。Re(450)、Re(550)、Re(650)表示在25℃下，波長450 nm、550 nm、650 nm中之厚度方向的相位差值。
本發明之光學薄膜的雙折射率可以利用上述式(I)或式(II)之導入量、聚酯的構造等做適當設計。本發明之光學薄 膜在波長550 nm的雙折射率(△nxz(550))以0.005以上為佳，較佳為0.01以上。前述△nxz(550)之上限以0.070為佳。
本發明之光學薄膜可以應用在任意的適當用途中。本發明之光學薄膜的代表性用途是相位差板。相位差板可以應用於液晶顯示裝置之λ/4板、λ/2板、視角擴大薄膜等。光學薄膜之其他用途可以舉例如，圖像顯示裝置之反射防止薄膜的用途等。圖像顯示裝置可以舉例如，液晶顯示裝置、有機EL顯示器，及電漿顯示器等。
本發明之光學薄膜亦能以積層其他光學零件之光學積層體的形態來使用。該光學積層體可以舉例如，將具有保護層之偏光片積層於本發明之光學薄膜而成的積層體(該積層體通常稱為偏光板)，將其他的相位差板積層於本發明之光學薄膜而成的積層體等。
構成這些積層體的各層通常是用公知的接著劑(或粘著劑)加以接著。該接著劑可以舉例如，溶劑型接著劑、乳劑型接著劑、感壓性接著劑、再濕性接著劑、聚縮合型接著劑、無溶劑型接著劑、薄膜狀接著劑、熱融型接著劑等。
上述偏光片是會將自然光或偏光變換成直線偏光的光學元件。偏光片並無特殊限制，可以使用適宜、適切的產品。偏光片合適者可以舉例如，以含有碘或二色性染料的乙烯醇系聚合物為主成分之延伸薄膜。偏光片的厚度通常在5 μm~50 μm。上述保護層係為防止偏光片發生收縮或膨脹，同時為防止紫外線所導致之劣化而貼附在偏光片上。保護層合適者可以舉例如，含有纖維素系聚合物或降冰片 烯系聚合物之聚合物薄膜。保護層的厚度通常在10 μm~200 μm。再者，形成本發明之光學薄膜時所用的基材亦可兼做上述保護層。
本發明之圖像顯示裝置具有本發明之光學薄膜。
本發明之圖像顯示裝置除了將本發明之光學薄膜組裝在液晶面板等之內以外，可以採用和習知之圖像顯示裝置同樣的構成。
本發明的圖像顯示裝置可以應用在任意之適切用途。當該圖像顯示裝置為液晶顯示裝置時，其用途為例如，個人電腦、筆記型電腦、影印機等之OA機器；行動電話、鐘錶、數位相機、行動資訊端末(PDA)、手持式電玩(portablegame)等之攜帶式機器；攝影機、電視機、微波爐等之家用電器；倒車圖像輔助系統(Back Monitor)、導航系統用螢幕、汽車音響等之車用機器；商業店舖用資訊用螢幕等之展示機器；監視用監視器等之警備機器；介護用監視器、醫療用監視器等之介護．醫療機器等。
具有本發明之光學薄膜的圖像顯示裝置包含液晶顯示裝置、有機EL顯示器及電漿顯示器等，其合適用途為電視機。電視機畫面的尺寸以寬銀幕17型(373 mm×224 mm)以上為佳，更佳為寬銀幕23型(499 mm×300 mm)以上，特別合適的是寬銀幕32型(687 mm×412 mm)以上。
本發明之聚合物透明性及耐熱性優異，而且，適合於應用做為供顯示預定的相位差值之各種光學薄膜的形成材料。
另外，除了光學薄膜以外的用途，本發明之聚合物可以做為塑膠鏡片(plastic lens)、稜鏡、光碟、光纖、光阻劑、全像元件等之各種光學構件的形成材料來使用。
另外，本發明之聚合物可以使用於例如，燃料電池用電解質膜、半導體用塗覆材料(晶片表面保護材和晶片層間絕緣材料等)、半導體裝置用封裝材料、撓性電路基板用材料、光配向膜用材料、光導波路材料、耐宇宙線材料(可以應用於人造衛星等)、分離膜用材料(氣體分離用途等)、抗蝕劑材料、列印機用材料(彩色列印機用碳粉轉印皮帶等)。
此外，本發明之聚合物因為溶劑溶解性優異，所以也可以做為保護構件表面的塗覆劑使用。
【實施例】
接著將藉實施例及比較例詳細地說明本發明。惟，本發明並不僅限於以下的實施例。
再者，在實施例及比較例中所使用的各分析方法如下。
(1)化學構造的釐清
化學構造是採用核磁共振光譜儀[社製，製品名：AVANCE II 300](測定溶劑：氘化氯仿(Deuterated solvent)或氘化DMSO；頻率：300 MHz；偵測核種：1H、13C；測定溫度：25℃)來釐清。以下將該方法記載為NMR。
(2)重量平均分子量的測定
分子量是將測定用試料調製成0.1%DMF溶液，將之以0.45 μm濾膜過濾後，用內藏有檢測器(RI)的GPC本體(Tosh Corporation製，HLC-8120GPC)進行測定。具體的測定條件 是，管柱溫度40℃、泵流量0.40 mL/分，測定用試料的分子量是利用已預知分子量的標準聚氧化乙烯(Poly-ethylene Oxide)之檢量線(calibration curve)，以聚氧化乙烯的換算分子量來算出。再者，使用的管柱是採用串聯連結super AWM-H(徑6.0 mm×15 cm)、super AW4000(徑6.0 mm×15 cm)及super AW2500(徑6.0 mm×15 cm)的管柱，移動相是將10 mmol之LiBr及10 mmol之磷酸置入定量瓶再加入DMF使全量成為1L的移動相。
(3)厚度的測定
厚度是用SLOAN社製，商品名「Dektak」測定。
(4)△nxz、Rth(λ)的測定
△nxz等是採用王子計測機器(株)製之商品名「KOBRA-WPR」，在25℃，波長λ進行測定。Rth(λ)係將，使波長λ的光從樣本法線以40度的角度傾斜入射所測得之數值(R40λ)，換算成Rth(λ)而求得。
<合成例1> (2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(2-甲基-2-羥基-3-丁炔基)茀基]氧雜蒽(2,7-dihydroxy-9,9-[2,7-bis(2-methyl-2-hydroxy-3-butynyl)fluorenyl]xanthene)之合成)
使30.0g之2,7-二溴茀酮及24.43g之間苯二酚溶解於甲苯100 mL中，於其中加入3.48g的濃硫酸及0.09g的巰基丙酸(mercaptopropionic acid)，在80℃加熱18小時。反應結束後，以氫氧化鈉中和，然後加入三氯甲烷，過濾析出的固體使之分離，獲得溴衍生物。
接著，使0.008g之雙(三苯基膦)二氯化鈀(II)(Bis(tri-phenylphosphine)palladium(II)chloride)及0.003g之碘化銅(I)在氮雰圍氣下，溶解於二噁烷1.0 mL。於其溶液中加入三(叔丁基)膦(TRI-TERT-BUTYLPHOSPHINE)0.005g、二異丙胺0.046g、2-甲基-3-丁炔-2-醇(2-methyl-3-butyn-2-ol)0.037g，及上述所獲得之溴衍生物0.10g，在80℃攪拌24小時。然後，在減壓下除去溶劑，以使用展開溶劑(己烷及乙酸乙酯的混合溶劑)之矽膠充填管柱精製殘渣。進一步，以混合溶劑(己烷：三氯甲烷=2：1)重複進行再結晶，藉以獲得化合物0.057g(收率56.4%)。所獲得之化合物以NMR測定，為表示於下述式(1)之2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(2-甲基-2-羥基-3-丁炔基)茀基氧雜蒽。
<合成例2> (2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(5-己炔基)茀基]氧雜蒽之合成)
使1.010g之鈀炭(palladium carbon)及0.365g之碘化銅(I)，在氮雰圍氣下，溶解於二甲基甲醯胺95 mL及水5 mL中。於該溶液中加入三苯基膦0.800g、二異丙胺0.046g、1-hexine 4.000g，及以上述<合成例1>所製得之溴衍生物10.00g，在80℃攪拌24小時。然後，在減壓下除去溶劑， 以使用展開溶劑(己烷及乙酸乙酯之混合溶劑)的矽膠充填管柱精製殘渣。精製後獲得化合物3.370g(收率33.8%)。所得到的化合物以NMR測定的結果為示於下述式(2)之2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(5-己炔基)茀基]氧雜蒽。
[實施例1]
將吡啶4 mL加入經過冰冷的亞硫醯氯0.05g中。使異苯二甲酸(isophthalic acid)0.17g及對苯二甲酸0.17g溶解於吡啶4 mL，將其以5~10分鐘緩緩地加到含有前述亞硫醯氯的吡啶中。然後，從冷卻浴取出，在室溫攪拌混合20分鐘(稱該混合溶液為溶液A)。另一方面，使雙(4-羥苯基)六氟丙烷0.34g，及在上述<合成例2>所獲得之2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(5-己炔基)茀基]氧雜蒽0.52g，溶解於吡啶溶液4mL(稱該溶液為溶液B)。將溶液B一次加入溶液A中，在80℃加熱4小時，然後攪拌一晚。以三氯甲烷稀釋所得到的溶液後，注入甲醇中。在甲醇中回流所析出的聚合物，過濾分開，使之乾燥，藉而獲得聚合物0.91g(收率88.1%)。該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(3)表示的茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為64,300。
使所得到之茀導入聚酯聚合物溶解於環己酮中，調製成聚合物溶液(固形分濃度16質量%)。利用旋塗法將該聚合物溶液塗布於玻璃板上，在80℃乾燥5分鐘後，進一步在150℃乾燥3分鐘，藉以製作聚酯薄膜。
該聚酯薄之乾燥厚度為9.81 μm。
該聚酯薄膜之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.0066。
而，測定該薄膜厚度方向之相位差值的波長色散時，結果為Rth(450)/Rth(550)=0.98，Rth(650)/Rth(550)=1.02。
[實施例2]
使用0.23g的雙酚A取代實施例1之0.34g的雙(4-羥苯基)六氟丙烷，除此之外和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(4)表示之茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為17,200。
將所得到的茀導入聚酯聚合物和實施例1同樣地製膜，製作聚酯薄膜(乾燥厚度：4.36 μm)。
該實施例2之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.0067。
該薄膜之Rth(450)/Rth(550)=0.98，Rth(650)/ Rth(550)=1.01。
[實施例3]
使用雙(三氟甲基)聯苯0.32g取代實施例1之雙(4-羥苯基)六氟丙烷0.34g，除此之外和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(5)表示之茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為5,290。
將所得到的茀導入聚酯聚合物和實施例1同樣地製膜，製作聚酯薄膜(乾燥厚度：2.40 μm)。
該實施例3之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.011。
而，該薄膜之Rth(450)/Rth(550)=1.00，Rth(650)/Rth(550)=1.02。
[實施例4]
使用雙(4,4-二羥基-2,2’-二甲基)聯苯0.21g取代實施例1之雙(4-羥苯基)六氟丙烷0.34g，除此之外和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(6)表示之茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為13,100。
將所得到的茀導入聚酯聚合物和實施例1同樣地製膜，製作聚酯薄膜(乾燥厚度：4.35 μm)。
該實施例4之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.011。
而，該薄膜之Rth(450)/Rth(550)=1.00，Rth(650)/Rth(550)=1.02。
[實施例5]
使用對苯二甲酸0.33g取代實施例1之異苯二甲酸0.17g及對苯二甲酸0.17g，以及，使用雙(4,4-二羥基-2,2’-二甲基)聯苯0.21g取代實施例1之雙(4-羥苯基)六氟丙烷0.34g，除此之外和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(7)表示之茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為13,000。
將所得到的茀導入聚酯聚合物和實施例1同樣地製膜，製作聚酯薄膜(乾燥厚度：4.27 μm)。
該實施例5之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.015。
而，該薄膜之Rth(450)/Rth(550)=1.00，Rth(650)/Rth(550)=1.02。
[比較例]
使6.77g的甲乙酮及25.88g的間苯二酚溶解於甲苯7 mL。於該溶液中加入濃硫酸3.66g及巰基丙酸0.09g，在90℃加熱21小時。反應結束後以氫氧化鈉中和，然後加入三 氯甲烷，過濾析出的固體以分離之。如此處理得到2,7-二羥基-9-乙基-9-甲基氧雜蒽。
使用雙(三氟甲基)聯苯0.32g取代實施例1之雙(4-羥苯基)六氟丙烷0.34g，以及，使用在上述所製得之2,7-二羥基-9-乙基-9-甲基氧雜蒽0.26g取代實施例1之2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(5-己炔基)茀基]氧雜蒽0.52g，除此之外和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物以NMR測定的結果，是以下述式(8)表示之茀導入聚酯聚合物。該聚合物之重量平均分子量為4,310。
將所得到的茀導入聚酯聚合物和實施例1同樣地製膜，製作聚酯薄膜(乾燥厚度：1.96 μm)。
該比較例之在550 nm的雙折射率(△nxz)為0.0213。
而，該薄膜之Rth(450)/Rth(550)=1.06，Rth(650)/Rth(550)=0.97。
如上所述，實施例1~實施例5的光學薄膜顯示平坦色散。另一方面，比較例之光學薄膜的Rth(450)/Rth(550)=1.06，顯示正色散。

Claims (13)

  1. 一種光學薄膜，含有具有以下述一般式(I)表示之重複單位的聚合物， 而，式(I)中，A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數(0到3的整數)，b及b’表示對應於B及B’之取代數(0到3的整數)；A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基；R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基(R3~R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基)、及CR6R7(OH)基(R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基)所組成之群之原子或基團；X表示-CR8 2-(R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟基、或者取代或無取代之芳基)、-SiR9 2-(R9表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-O-、-NR10-(R10表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-CO-，或-SO2-。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其中前述重複單位係以下述一般式(II)表示者， 而，式(II)中，A、A’、B、B’、a、a’、b、b’、R1、R2及X和式(I)相同。
  3. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其在波長550 nm中的雙折射率△nxz為0.005~0.070，而，△nxz=nx-nz；nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)之折射率，nz表示在厚度方向的折射率。
  4. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其顯示Rth(450)/Rth(550)<1.06，而，Rth(450)及Rth(550)表示在波長450 nm及波長550 nm中之厚度方向的相位差值。
  5. 如申請專利範圍第4項之光學薄膜，其顯示Rth(650)/Rth(550)≧0.95，而，Rth(550)及Rth(650)表示在波長550 nm及波長650 nm中之厚度方向的相位差值。
  6. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其中前述聚合物為聚酯系聚合物。
  7. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其折射率橢圓球滿足nx≒ny>nz，而，nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向) 之折射率，ny表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)之折射率，nz表示薄膜厚度方向的折射率。
  8. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其折射率橢圓球滿足nx>ny>nz，而，nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)之折射率，ny表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)之折射率，nz表示薄膜厚度方向的折射率。
  9. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，係由將前述聚合物塗布於基材上而獲得之塗覆膜所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其厚度在20 μm以下。
  11. 一種圖像顯示裝置，其具有申請專利範圍第1項之光學薄膜。
  12. 一種二乙炔茀，係以下述一般式(X)表示者， 而，式(X)中，A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數(0到3的整數)，b及b’表示對應於B及B’之取代數(0到3的整數)；A、A’、B及B’各自 獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基；D及D’各自獨立，表示OH基、NHR基(R表示氫或碳數1~4的烷基)、COOH基、或NCO基；R1及R2各自獨立，表示選自於由氫、鹵素、碳數1~10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基(R3~R5各自獨立，表示碳數1~6的烷基或芳基)、及CR6R7(OH)基(R6及R7各自獨立，表示碳數1~4的烷基)所組成之群之原子或基團；X表示-CR8 2-(R8表示氫、碳數1~4的烷基、全氟基、或者取代或無取代之芳基)、-SiR9 2-(R9表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-O-、-NR10-(R10表示氫、碳數1~4的烷基、或者取代或無取代之芳基)、-CO-，或-SO2-。
  13. 一種聚合物，具有申請專利範圍第12項之二乙炔茀做為其重複單位。
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