TWI410822B - 先進製程控制方法和系統 - Google Patents

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ming yu Fan
Jo Fei Wang
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Description

先進製程控制方法和系統
本發明係有關於半導體製造，特別是有關於半導體製程控制。
隨著生產效率和產能的需求日增，半導體製程控制也愈顯重要。然而，隨著元件之圖案尺寸的減少，例如由65nm減少至45nm(或以下)，將製程變化維持在可接受的範圍就顯得十分困難。舉例而言，製程可能面對的困難有：生產工具的生產率下降、技術員彼此間影響的增加(increased operator interaction)、良率下降，以及重工率(rework rates)增加，上述困難都可能造成成本增加。先進製程控制已被廣泛使用以減少製程變化，先進製程控制包括(控制)模型和介於其他控制技術間的回饋系統。然而，大部分的先進製程控制無法控制和調整被多重製程步驟影響的參數。在一些應用中，來自半導體製造的雜訊會影響和干擾先進製程控制的設計和安置。雜訊可能來自於製程之前的步驟、目前的操作條件，以及先進製程控制的本身運作。因此，雖然目前已有用於不同目的之先進製程控制技術，但是其仍無法滿足各種需求。
本發明之一實施例提供一種先進製程控制方法，適用於半導體製造，包括：提供即將被半導體機台處理之目前晶圓；提供半導體製造機台所處理過之多個先前晶圓之第一資料；將雜訊自第一資料去耦合，用以產生第二資料；根據第二資料與目標資料的鄰近程度，評估先進製程控制執行效能；根據上述先進製程控制執行效能，決定控制參數；以及根據控制參數，控制半導體製造機台，用以處理目前晶圓。
本發明另一實施例提供一種先進製程控制方法，適用於蝕刻製程，包括：提供經蝕刻製程處理之複數先前晶圓的一資料；藉由上述資料之第一修正，去除先進製程控制效應，第一修正用以去除上述資料之蝕刻反應室效應，蝕刻反應室效應包括影響蝕刻製程之蝕刻機台的一條件；藉由上述資料之第二修正，去除先前製程效應，先前製程效應包括顯影後檢查製程；根據已修正資料與目標資料的鄰近程度，決定先進製程控制執行效能，已修正之上述資料包括上述資料之第一和第二修正；根據先進製程控制執行效能，決定蝕刻製程之控制參數；以及根據控制參數，控制蝕刻製程，用以處理目前晶圓。
本發明另一實施例提供一種先進製程控制系統，用以控制半導體製造機台，包括：記憶體以及控制器。記憶體，用以儲存半導體製造機台處理過之複數先前晶圓的第一資料。控制器根據複數指令以控制半導體製造機台，上述指令用以進行下列步驟：將雜訊自第一資料去耦合，用以產生第二資料；根據第二資料與目標資料的鄰近程度，評估先進製程控制執行效能；根據先進製程控制執行效能，決定控制參數；以及根據控制參數，控制半導體製造機台，用以處理目前晶圓。
本發明係有關於半導體元件製造，特別是有關於半導體元件製造的製程控制。要注意的是，本發明提供之數種實施例僅用以作為教示本發明廣義概念的例子，習知技藝者當能輕易地利用本發明揭露的概念於其他方法或裝置。並且，本發明的方法和裝置包括數種常見的結構和製程。因為上述常見的結構和製程已為本領域習知技藝者所熟悉，故僅概括性地討論上述常見的結構和製程。此外，數種元件符號會在本發明中重複使用，重覆使用該等元件符號係用以簡化說明本發明，並非代表本發明不同特徵和/或步驟間的關係。
第1圖為本發明實施例之半導體製造系統100的方塊圖。半導體製造系統100包括由網路102連接的複數實體。網路102可為單一網路或多種不同網路，例如內部網路或網際網路，並包括有線和無線網路。每個實體與其他實體進行互動，並提供服務至其他實體或接受其他實體的服務。在本實施例中，上述實體包括先進製程控制系統104、微影機台106、顯影後檢查(after-development-inspection，ADI)機台108、蝕刻機台110、蝕刻後檢查(after-etch-inspection，AEI)量測機台112，以及資料庫114。半導體製造系統110亦可能進一步包括其他的製造機台(例如沉積機台、化學機械研磨機台、高溫爐等)、量測設備，以及控制器，用以執行半導體的其他製程，為了簡化說明，於此不再贅述。
微影機台106是半導體製造領域習知的裝置。微影機台用以對具有多個特徵元件的光阻層進行圖案化，而這些特徵元件係用以構成一積體電路。在本實施例中，微影機台106包括浸潤式(immersion)微影機台。在其他實施例中，微影機台106能夠以其他合適的技術取代，例如無光罩微影技術、電子束微影技術、離子束微影技術，以及分子轉印(molecular imprint)技術。顯影後檢查量測機台108是半導體製造領域習知的裝置。顯影後檢查量測機台108用以測量關鍵尺寸(critical dimensions，CD)並描繪光阻層上已圖案化之特徵元件的輪廓。關鍵尺寸的資訊被儲存於資料庫114及/或被提供至先進製程控制系統104。
蝕刻機台110是半導體製造領域習知的裝置，其包括一或多個蝕刻反應室(未圖示)。半導體晶圓被設置於蝕刻反應室，然後進行蝕刻製程。蝕刻後檢查量測機台112是半導體製造領域習知的裝置，其用以在前述蝕刻製程之後，進行缺陷、污染物與關鍵尺寸的測量和確認。在本實施例中，蝕刻後檢查量測機台112包括光譜(光學臨界尺寸(optical critical dimension，OCD))量測機台，用以測量關鍵尺寸及/或描繪已蝕刻之特微元件的輪廓。關鍵尺寸的資訊被儲存於資料庫114及/或被提供至先進製程控制系統104。
本發明能夠被設置於先進製程控制系統104內，用以分析來自半導體製造系統100之顯影後檢查量測機台108、蝕刻後檢查量側機台112、資料庫114或是其他合適設備的資訊。先進製程控制系統104包括常見、商用或是其他合適之計算機硬體的計算機。先進製程控制系統104的計算機硬體包括處理器和記憶體。記憶體儲存備處理器執行的計算機程式，計算機程式使得計算機能夠控制微影機台106和蝕刻機台110。計算機用以執行下述操作：處理資訊(包括使用模型來處理資訊)、接收資訊、儲存資訊，以及傳送資訊。舉例而言，該資訊包括指令、製程資料(例如被特定機台或特定工具段使用之製程歷史)，以及/或機台狀態。在一實施例中，計算機包括複數計算機。在另一實施例中，計算機包括嵌入於製造機台的設備或程式碼，例如微影機台106或蝕刻機台110。計算機更包括一個或多重使用者介面。
關於蝕刻機台110的控制，先進製程控制系統104取得表示蝕刻機台110執行之蝕刻製程特徵的資訊。這些製程特徵將於稍後詳述。對蝕刻機台110執行的蝕刻製程而言，製程特徵通常包括溫度、壓力、化學品、理論上的微削率(trim rate)、微削時間(trim time)等。製程特徵被提供至用以控制蝕刻機台110的先進製程控制系統104之單輸入單輸出(single-input single output，SISO)或多輸入多輸出(multi-input multi-output，MIMO)的製程自動控制模組(automatic process module)。
第2圖為半導體製造流程200的方塊圖。半導體製造流程200包括材料處理流程(以實線表示)和資訊流程(以虛線表示)。材料的處理流程包括用以製造半導體基板(例如晶圓)的製程。要注意的是，第2圖的圖示並非用以限定其為單一晶圓，如所示之第一晶圓202a和第二晶圓202b。就第2圖而言，雖然一個晶圓(例如第一晶圓202a或第二晶圓202b)僅有一個元件符號(202a或202b)，但事實上，複數晶圓能夠被聚集為一個晶圓批次而被處理，故其係亦可表示包括複數晶圓的一個晶圓批次、複數晶圓批次或是材料的任意群組。半導體製造流程200描述四種製程：微影製程210、顯影後檢查關鍵尺寸量測製程220、蝕刻製程230，以及蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程240。第1圖的先進製程控制系統104用以控制微影機台106、顯影後檢查機台108、蝕刻機台110和蝕刻後檢查機台112，分別執行微影製程210、顯影後檢查關鍵尺寸量測製程220、蝕刻製程230和蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程240。
在本實施例中，晶圓202a、202b包括形成於其上的多種材料層(例如多晶矽層、介電質層等)，並且已經備妥以微影製程210進行圖案化製程。先進製程控制系統104藉由來自數個先前製程(如沉積製程、化學機械研磨製程、表面型態分析)或會影響微影製程之操作條件的前饋資訊(feed-forward information)252，以及由顯影後檢查關鍵尺寸量測製程220決定之微影結果的回饋資訊(feed-back information)254來控制微影製程210。藉此，晶圓202a、202b上的光阻層被圖案化而具有多種特徵元件。接著，在顯影後檢查關鍵尺寸量測製程220中檢查晶圓202a、202b，以便量測關鍵尺寸並描繪已圖案化之光阻層的輪廓。在顯影後檢查關鍵尺寸量測製程220所取得的關鍵尺寸和輪廓資訊係作為前饋資訊256而被前饋以控制蝕刻製程230。此外，先進製程控制系統104亦藉由會影響蝕刻製程230之來自數個先前製程或會影響微影製程之操作條件的前饋資訊258，以及由蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程240決定之回饋資訊260來控制蝕刻製程230。
在一實施例中，蝕刻製程230包括複數蝕刻反應室，並用以執行蝕刻製程。接著，在蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程240中檢查晶圓202a、202b以確認缺陷/汙染物並量測位於已圖案化的光阻層下方之已蝕刻層(etched layer)的關鍵尺寸。在一實施例中，關鍵尺寸的量測係由蝕刻機台所執行。在另一實施例中，關鍵尺寸的量測係由另一分立的機台所執行。晶圓202a、202b被傳送至其他機台以進行後續處理。此外，已蝕刻層的關鍵尺寸資訊係作為前饋資訊262而被前饋以控制後續製程，例如離子佈值製程(第2圖未圖示)。先進製程控制系統104用以監控半導體製造製程200的條件，並執行符合後述方法之記憶體指令。
如前述，來自先前不同製程的雜訊以及目前製程的反應室條件會干擾先進製程控制系統的設計和設置。舉例而言，先進製程控制系統104有時會因為缺少關於控制器執行效能的精確資訊而無法自動調整製程參數，例如蝕刻製程的微削率(參數)。在過去，通常使用實驗設計法(design of experiments)來設計先進製程控制控制的控制器，並且憑工程師經驗調整的製程參數。實驗設計法係以多種製程條件進行實驗，用以決定和估計半導體製程參數和特徵。舉例而言，實驗設計法的結果顯示多晶矽蝕刻(poly-etching process)之先進製程控制的控制器的微削率為0.35。然而，隨著時間過去，微削率會因為多種因素而改變，故微削率需要考慮這些因素而加以調整或重置。工程師通常會藉由調節微削率(參數)以減少輸出誤差，並使得輸入輸出間(顯影後檢查的關鍵尺寸和蝕刻後檢查的關鍵尺寸之間)的分佈變的沒有關聯，但這是十分艱鉅的事。在某些關鍵製程中，來自先前製程和先進製程控制操作(如微削時間的變化)的雜訊可能會產生50%以上的誤差，該誤差使得反應室效應(反應室目前的條件)與實驗設計法設計的條件大不相同，先進製程控制的控制器因而提供不正確的控制。因此，下述方法提供一種量化半導體製程中先進製程控制之執行效能的技術，用以達成理想的先進製程控制設計和設置。因此，下述討論的方法藉由自動地調整先進製程控制的製程參數，以便在即時控制(real-time control)時，減少任何可能造成工程師在調整先進製程控制的製程參數的誤差判斷。
第3圖為本發明用於半導體製程之先進製程控制方法300的一實施例。為了簡化說明，假設本發明目的是在蝕刻機台內進行一蝕刻製程，用以在晶圓上方的多晶矽層蝕刻出一個閘極結構，並且其會自動調整的製程參數中關於蝕刻製程的微削率(trim rate，TR)之一者。為了要達到目標微削線寬(target trimmed line width)，製程參數和製程特徵係經過選擇的。蝕刻製程的雜訊被分成三個部份。第一個部份，蝕刻反應室的條件(或狀況)會影響蝕刻製程(稱為蝕刻反應室效應)。舉例而言，污染物會隨著時間累積於蝕刻反應室內，並逐漸改變在原本控制條件控制下會達成之閘極寬度的關鍵尺寸。第二個部份，先前製程也會影響蝕刻製程(稱為先前製程效應)。舉例而言，圖案化微影製程的執行效能會隨著時間改變。第三個部份，先進製程控制的操作也會影響蝕刻製程(稱為先進製程控制效應)，例如用以達成目標微削線寬之微削時間即有關於微削率和蝕刻反應室的條件。一般而言，微削時間的變化會隨時間變化。
先進製程控制方法300始於步驟310，用以在半導體製造製程200之最佳的時間間距內，選擇晶圓資料輸入。一個或多個晶圓批次已經執行過蝕刻製程並且其晶圓資料已經被儲存於資料庫。晶圓資料包括製程參數和製程結果，例如微削率、微削時間、蝕刻反應室條件、顯影後檢查的關鍵尺寸(以ADI表示)、蝕刻後檢查的關鍵尺寸(以AEI表示)、實際微削線寬(ADI-AEI)、目標微削線寬(ADI-target AEI)，以及其他合適的資訊。在半導體製造製程200之最佳的時間間距內，選擇晶圓資料輸入用以評估蝕刻製程並調整先進製程控制的製程參數。要注意的是，在該最佳的時間間距內，被選擇之晶圓的數量可以是任意的，並且可以移動該最佳的時間間距以計算目前的製程參數和結果。
在一實施例中，蝕刻製程之先進製程控制所使用的演算法是指數加權移動平均(exponentially weighted moving average，EWMA)控制器。舉例而言，蝕刻製程可以(式1)表示。(式1)為蝕刻製程的模型方程式，其可表示如下：
y=a‧x+b=Rtrim ‧Ttrim +model_b　(式1)
其中y表示微削後線寬，x表示微削時間(Ttrim )，a表示微削率(Rtrim ，亦可以TR表示)，並且b表示參數(以model_b表示)。微削後線寬y等於顯影後檢查的關鍵尺寸(ADI)和蝕刻後檢查的關鍵尺寸(AEI)的差值(又稱關鍵尺寸偏差)。顯影後檢查的關鍵尺寸(ADI)表示在蝕刻製程前量測到的線寬(關鍵尺寸)，而蝕刻後檢查的關鍵尺寸(AEI)表示蝕刻製程後量測到的線寬(關鍵尺寸)。參數b(model_b)則會隨著時間而更新，用以提供關於蝕刻製程之執行效能(例如微削率)的正確資訊，如下詳述。
(式2)為蝕刻製程的控制方程式，其可表示如下：
其中u表示微削時間，先進製程控制系統使用該微削時間以控制晶圓的蝕刻製程，T表示蝕刻製程欲達成之目標微削線寬，意即欲被微削的線寬大小。T表示蝕刻製程須被微削之線寬的目標量，其等於顯影後檢查的關鍵尺寸(ADI)減去目標微削線寬(ADI-target AEI)。欲微削的線寬大小等於蝕刻前量測到的線寬(即ADI)和蝕刻後即將形成之所需/目標的線寬(即目標的蝕刻後檢查關鍵尺寸，以Target AEI CD表示)之間的差值。
(式3)為指數加權移動平均方程式，其可表示如下：
bn+1 =ω ‧(yn -a‧xn )+(1-ω )‧bn 　(式3)
其中(式3)用以更新蝕刻製程的參數b。因為線寬隨著時間減少，(式3)以逐漸減少資料之權重係數的方式將製程資料作平均。在(式3)中，bn+1 表示下一個製程參數，bn 表示前一個製程參數，且ω介於0和1之間。因此，藉由更新參數b(model_b)、調整製程參數(例如微削率a)和決定達成目標微削線寬T之所需的微削時間u，先進製程控制系統能夠即時控制由(式1)-(式3)描述的蝕刻製程。藉由量化蝕刻製程之先進製程控制系統的執行效能，製程參數能被自動地調整以正確地反映目前蝕刻製程的狀態。
先進製程控制方法300接著進行步驟320，清除來自某一個階段的雜訊。為了要量化先進製程控制的執行效能，將蝕刻反應室的條件(蝕刻反應室效應)和先前製程的測量結果(先前製程效應)摒除於目前製程(例如蝕刻製程)之外。將蝕刻反應室效應和先前製程效應摒除在外並移除的技術稱為目前製程雜訊的去耦合(decoupling)。蝕刻反應室效應與先進製程操作結合後會得到不同的製程結果。因此，可將具有所有先進製程操作之資訊的製程結果去耦合。換言之，可將這些製程結果的先進製程控制效應移除，以得知蝕刻製程的反應室效應。(式4)決定n個先前處理過之晶圓的平均微削時間Tr0 ，其可表示如下：
(式4)係藉由將微削時間的常數設定對製程結果進行去耦合。下述將說明將原始的微削率和修正後的微削率作比較的處理過程。
舉例而言，藉由一個不同的微削時間，可得出不具有雜訊之『乾淨的』(clean)微削率Rtrim ’，其可表示(式5)：
調整後的關鍵尺寸偏差y’(亦可表示為(CD bias)’=(ADI-AEI’))可由(式6)計算如下：
y'=y+(Tr0 -Ttrim )‧Rtrim '=ADI-AEI'　(式6)
調整後的關鍵尺寸偏差y’係在移除先進製程控制對製程結果的影響之後才被計算，其中y為(式1)中原始的關鍵尺寸偏差。
接著，藉由下列(式7)移除先前製程效應(如顯影後檢查關鍵尺寸的量測結果)：
其中ε表示關鍵尺寸偏差和先前製程量測結果之校正模型的斜率。先前製程(顯影後檢查)關鍵尺寸量測偏差的效應係被斜率ε所消除。
參考第4圖，圖表400用來說明(式4)-(式6)討論之先進製程控制效應和蝕刻反應室效應的去耦合方法。圖表400顯示微削時間402(單位：sec)和關鍵尺寸偏差404(單位：nm)的關係。微削時間402表示晶圓在蝕刻製程中的蝕刻時間。關鍵尺寸偏差404表示蝕刻製程的結果。關鍵尺寸偏差404為微削後線寬(=ADI-AEI)。圖表400描繪測量自蝕刻製程的數筆晶圓資料406。先進製程控制的關鍵尺寸偏差(ADI-AEI)如點410所示。水平虛線所示之參考微削時間415係作為一固定的微削時間設定值。參考微削時間415和斜率為(1/微削率)的線段420用以決定出一預估的關鍵尺寸偏差418。因此，先進製程控制效應(例如指數加權移動平均效應)425可被消除，以便決定出去耦合後的先進製程控制關鍵尺寸偏差428。去耦合後的先進製程控制關鍵尺寸偏差428表示(式6)之調整後的關鍵尺寸偏差(=ADI-AEI’)。在指數加權移動平均的控制下，相較於線段420的斜率，線段430的斜率已被修正。
參考第5a圖和第5b圖，圖表510用來說明(式7)討論之多晶矽蝕刻製程之先前製程效應的去耦合方法。圖表510顯示多晶矽蝕刻製程的先前製程雜訊貢獻(noise contribution)。多晶矽蝕刻製程之先前製程雜訊包括在(如第1圖和第2圖所示之)圖案化微影製程後之顯影後檢查關鍵尺寸的製程資料。圖表510顯示去耦合後的先進製程控制關鍵尺寸偏差512(單位：nm)和顯影後檢查關鍵尺寸514(單位：nm)的關係。在第4圖的圖表400中可決定出該等晶圓之去耦合後的先進製程控制關鍵尺寸偏差512。接著，將該等晶圓之顯影後檢查關鍵尺寸514對該去耦合後的先進製程控制關鍵尺寸偏差512作圖，用以評估多晶矽蝕刻製程之先前製程的雜訊貢獻。由此晶圓資料，可決定出線段516。因此，線段516的斜率表示顯影後檢查關鍵尺寸對多晶矽蝕刻製程之雜訊貢獻的程度。
圖表520用來說明多晶矽蝕刻製程中先前製程之雜訊貢獻的去耦合。圖表520顯示關鍵尺寸偏差522(單位：nm)和顯影後檢查關鍵尺寸524(單位：nm)的關係。由(式7)，可決定出已將多晶矽蝕刻製程之先前製程效應(如顯影後檢查關鍵尺寸的量測結果)消除後的關鍵尺寸偏差522。接著，將該等晶圓之顯影後檢查關鍵尺寸524對關鍵尺寸偏差522作圖。由此晶圓資料，可決定出線段526。因為線段526大致上是水平的，故表示多晶矽蝕刻製程之製程資料(如微削後線寬或關鍵尺寸偏差)的先前製程效應(如顯影後檢查關鍵尺寸的量測結果)已經大致上被消除了。
再一次參考第3圖，先進製程控制方法300接著進行步驟330，用以評估先進製程控制的控制資料分佈(control profile distribution)。先進製程控制的輸出(如微削後線寬或關鍵尺寸偏差)能夠以具有絕對差值的系統化分佈來加以說明，其中該絕對差值係為真實的輸出和將雜訊去耦合後的輸出間的差值。第6圖顯示蝕刻製程之先進製程控制之控制資料分佈。參考第6a圖，圖表610用來說明關鍵尺寸偏差(量測後的關鍵尺寸偏差)之真實的輸出和關鍵尺寸偏差(去耦合後的關鍵尺寸偏差)之將雜訊去耦合後的輸出間的關係。去耦合後之關鍵尺寸偏差的資料係根據第3圖的步驟320和第4圖~第5圖進行決定並評估而得。參考第6b圖，圖表620為一直方圖，其用以說明多晶矽蝕刻製程之先進製程控制的控制資料分佈，並且其係藉由計算關鍵尺寸偏差之真實的輸出(量測後的關鍵尺寸偏差)和關鍵尺寸偏差(去耦合後的關鍵尺寸偏差)之將雜訊去耦合後的輸出間的絕對差值的方式而繪製。
先進製程控制方法300接著進行步驟340，用以計算先進製程控制的執行效能。先進製程控制之執行效能的計算方式為：對多晶矽蝕刻製程評估(已將蝕刻製程之蝕刻反應室效應和先前製程效應去耦合之)先進製程控制的控制資料分佈和目標之先進製程控制之控制資料分佈間的差距。參考第7a圖和第7b圖，圖表710顯示由第6圖之圖表620所決定的控制資料分佈712和多晶矽蝕刻製程的目標控制資料分佈714的關係。目標控制資料分佈714的計算方式為：求出已將關鍵尺寸偏差之雜訊去耦合的輸出和關鍵尺寸偏差之目標/所需的輸出間的絕對差值。圖表720顯示控制資料分佈712和目標控制資料分佈714之變異數和平均數間的關係。換言之，控制資料分佈712和目標控制資料分佈714能夠分別被量化為兩組平均數和標準差722和724。平均數和標準差722和724間的距離730(例如歐幾里德距離(Euclidean distance))表示多晶矽蝕刻製程之先進製程控制的效能指標。在本實施例中，距離730為0.12352。因此，先進製程控制的執行效能已經消除蝕刻反應室效應和先前製程效應，並且技術人員能夠藉由更新和調整數種製程參數來最大化先進製程控制的執行效能，用以達到目標微削線寬(如減少距離730)。
先進製程控制方法300接著進行步驟350，用以決定微削時間參數。在本實施例中，先進製程控制系統使用(式1)以決定即將被應用於蝕刻製程之微削時間u。根據已知的目標微削線寬、預估的微削率a和參數b，計算出微削時間u。先進製程控制的參數係根據先進製程控制的執行效能與先前之晶圓資料所達到目標微削線寬兩者之間的差距而加以更新或調整。
先進製程控制方法300接著進行步驟360，其中先進製程控制系統使用所決定的微削時間控制蝕刻製程。先進製程控制系統使用在步驟350所決定的微削時間以控制蝕刻製程，使得真實的關鍵尺寸偏差(ADI-AEI)能夠接近目標微削線寬。接著，先進製程控制方法300重回步驟310而重複參數的調整步驟，以提供關於蝕刻製程之製程控制之執行效能的最新資訊。
參考第8圖，第8圖係用以調整蝕刻製程之另一種先進製程控制方法800的流程圖。先進製程控制方法800類似於第3圖的先進製程控制方法300，但是除了微削時間外，第二種控制器參數-『側壁夾角(sidewall angle，AWA)』亦與微削時間參數搭配以控制先進製程控制的執行效能。側壁夾角是一種接續於蝕刻製程後之蝕刻特徵的測量。步驟810至步驟840類似於第3圖的步驟310至步驟340，用以將蝕刻製程的蝕刻反應室效應和先前製程效應去耦合。步驟850類似於第3圖的步驟350，用以決定第一控制參數(例如微削時間參數)。要注意的是，在第3圖的先進製程控制方法300中，可將關鍵尺寸先進製程控制的側壁夾角參數視為設定為零。先進製程控制方法800用以確認側壁夾角效應並將其由蝕刻製程中移除。為了要量化有關於側壁夾角參數之蝕刻製程的執行效能，亦可使用類似於前述討論的技術。多輸入多輸出(MIMO)的模型被引入以描述該蝕刻製程。(式8)為蝕刻製程的多輸入多輸出模型方程式，其可表示如下：
y =a ‧x 1 +b +c ‧x 2
=R trim ‧T trim +model _b +c ‧SWA 　(式8)
其中y表示微削後的線寬，x1 表示微削時間參數(Ttrim )，a表示微削率(Rtrim ，亦可以TR表示)，b表示第一常數(以model_b表示)，c表示第二常數，且x2 表示側壁夾角(SWA)。
藉由一個不同的微削時間可決定出不具有雜訊之『乾淨的』(clean)微削率Rtrim ’，其可表示如(式9)：
其中要注意(式9)係類似於(式5)。
調整後的關鍵尺寸偏差y’可由(式10)計算如下：
y'=y+(Tr0 -Ttrim )‧Rtrim '=ADI-AEI'　(式10)
其中要注意(式10)係類似於(式6)。
接著移除側壁夾角效應，其可表示如下：
y "=y '+(SWA-SWA mean )‧κ　(式11)
其中κ為關鍵尺寸偏差和側壁夾角之修正模型的斜率。
先進製程控制方法800接著進行步驟860，用以決定第二種控制參數(例如側壁夾角參數)。將側壁夾角參數求出以得到最佳化的第二參數c，其中第二參數c表示(y# -y” )的斜率。y# 表示(式7)，其中先前製程效應已被移除；y” 表示(式11)，其中側壁夾角效應已被移除。參考第9圖，圖表910說明求得最佳化的第二參數c的方法。在圖表910中，執行關於蝕刻製程之蝕刻反應室效應和側壁夾角效應的變異數分析。參考第9a圖，圖表910包括一直方圖，其用以說明量測後之關鍵尺寸偏差(ADI-AEI)、去除雜訊後之關鍵尺寸偏差(如y# )，以及去除側壁夾角效應後之關鍵尺寸偏差(如y”)的分佈。此外，圖表910顯示去除雜訊後的關鍵尺寸偏差912和去除側壁夾角效應後之關鍵尺寸偏差914之先進製程控制之控制資料分佈。參考第9b圖，圖表920說明側壁夾角(單位：度)和其造成之關鍵尺寸偏差(單位：nm)的關係。在圖表920中，因為線(y# -y” )的斜率為0.33，所以第二參數c被設定為0.33。因此，該數值被設定於(式8)之多輸入多輸出模型中，以描述蝕刻製程之先進製程控制的執行效能。
先進製程控制方法800接著進行步驟870，其中先進製程控制系統使用已決定的微削時間參數和已決定的側壁夾角參數以控制蝕刻製程。先進製程控制系統使用在步驟850決定的微削時間和在步驟860決定的側壁夾角參數以控制蝕刻製程，使得先進製程控制能達到最佳化的執行效能。接著，先進製程控制方法800重回步驟810而重複參數的調整步驟，以提供關於蝕刻製程之製程控制之執行效能的最新資訊。
雖然有關於半導體製程之蝕刻機台的先進製程控制已由較佳實施例揭露如上，但是使用本發明揭露的技術於半導體製程之其他機台的控制，或是除了半導體製程之外其他用途的控制係有可能的。在本發明實施例中，雖然在將先進製程控制之執行效能量化以評估其與微削時間參數和側壁夾角參數之關係的過程中，並沒有考慮蝕刻製程效應和先前製程效應的變動，但是習知技藝者應能知悉在不脫離本發明的精神和範疇的前提下，當作些許更動和置換。舉例而言，除了微削時間參數和側壁夾角參數外，為了其他多種目的，將控制器之執行效能的其他參數加以量化也是可能的。
雖然本發明已由較佳實施例揭露如上，但並非用以限制本發明。在不脫離本發明精神和範疇的前提下，習知技藝者當能作些許更動。要注意的是，上述步驟的組合能夠以多種組合依序或同時地完成，並且沒有任何特定步驟係關鍵和/或必須的。並且，關於實施例所描述的特徵和說明能夠其他實施例所描述的特徵和說明互相結合。因此，本發明的範疇涵括上述變型。
100．．．半導體製造系統
102．．．網路
104．．．先進製程控制系統
106．．．微影機台
108．．．顯影後檢查量測機台
110．．．蝕刻機台
112．．．蝕刻後檢查量測機台
114．．．資料庫
200．．．半導體製造製程
202a．．．第一晶圓
202b．．．第二晶圓
210．．．微影製程
220．．．顯影後檢查關鍵尺寸量測製程
230．．．蝕刻製程
240．．．蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程
252、256、258、262．．．前饋資訊
254、260．．．回饋資訊
300．．．先進製程控制方法
400、510、520、610、710、720．．．圖表
402．．．微削時間
404、418、522．．．關鍵尺寸偏差
406．．．晶圓資料
410．．．點
415．．．參考微削時間
420、430、516、526．．．線段
425．．．先進製程控制效應
428．．．先進製程關鍵尺寸偏差
512．．．去耦合的先進製程控制關鍵尺寸偏差
514、524．．．顯影後檢查關鍵尺寸
620．．．直方圖
712、714．．．控制資料分佈
722、724．．．平均數、標準差
730．．．距離
本發明可藉由閱讀實施方式並撘配所附圖示而被較佳地理解。要注意的是，圖示中多種特徵並未依照半導體製造設備的實際尺寸而繪製。事實上，該等特徵的尺寸可任意增減以簡化說明。
第1圖為本發明實施例之半導體製造系統的方塊圖；
第2圖為本發明實施例之部份半導體製造製程的方塊圖；
第3圖為本發明用於半導體製程之先進製程控制方法的一實施例；
第4圖為說明本發明實施例之先進製程控制效應和蝕刻反應室效應之去耦合方法的圖示；
第5a圖和第5b圖本發明實施例之多晶矽蝕刻製程之先前製程效應之去耦合方法的示意圖；
第6a圖和第6b圖為本發明實施例之蝕刻製程之先進製程控制之控制效能圖；
第7a圖和第7b圖為本發明實施例的示意圖，用以量化第3圖之先進製程控方法的技術
第8圖為本發明實施例用以調整蝕刻製程之另一種先進製程控制方法的流程圖；
第9a圖和第9b圖為本發明實施例的示意圖，用以決定第8圖之先進製程控方法的技術。
200．．．半導體製造流程
202a．．．第一晶圓
202b．．．第二晶圓
210．．．微影製程
220．．．顯影後檢查關鍵尺寸量測製程
230．．．蝕刻製程
240．．．蝕刻後檢查關鍵尺寸量測製程
252、256、258、262．．．前饋資訊
254、260．．．回饋資訊

Claims (20)

  1. 一種先進製程控制方法，適用於半導體製造，包括：提供即將被一半導體機台處理之一目前晶圓；提供上述半導體製造機台所處理過之多個先前晶圓之一第一資料；將一雜訊自上述第一資料去耦合，用以產生一第二資料；根據上述第二資料與一目標資料的鄰近程度，評估一先進製程控制執行效能；根據上述先進製程控制執行效能，決定一控制參數；以及根據上述控制參數，控制上述半導體製造機台，用以處理上述目前晶圓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的先進製程控制方法，其中上述半導體製造機台包括一蝕刻機台，並且上述控制參數包括一蝕刻製程的一微削時間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的先進製程控制方法，其中上述將上述雜訊自上述第一資料去耦合的步驟更包括：確認上述第一資料之一先進製程控制效應，用以提取上述蝕刻製程之一蝕刻反應室效應，其中上述蝕刻反應室效應包括影響上述蝕刻製程之上述蝕刻機台的一條件；以及去除上述蝕刻製程之一先前製程效應，其中上述先前製程效應包括一圖案化製程之一顯影後檢查。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的先進製程控制方法，其中上述蝕刻製程之一先進製程控制演算法係以一模型方程式、一控制方程式和一指數加權移動平均方程式表示，上述模型方程式表示如下：y=a‧x+b=Rtrim ‧Ttrim +model_b其中y係為一微削後線寬，a係為以Rtrim 表示之一微削率，x係為以Ttrim 表示之一微削時間，並且b係為以model_b表示之一參數；上述控制方程式表示如下： 其中u係為一即將應用於上述蝕刻製程之微削時間，且T係為一目標微削線寬；以及上述指數加權移動平均方程式表示如下：bn+1 =ω ‧(yn -a‧xn )+(1-ω )‧bn 其中ω介於0和1之間，且上述指數加權移動平均方程式用以更新上述參數b。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的先進製程控制方法，其中上述確認上述第一資料之上述先進製程控制效應的步驟更包括：藉由設定一常數微削時間，將上述第一資料之上述先進製程控制效應去耦合，上述常數微削時間係用以處理上述目前晶圓之一平均微削時間；根據不同於上述平均微削時間之一微削時間，決定一乾淨微削率；以及根據上述平均微削時間和上述不同於上述平均微削時間之微削時間之間的差值和上述乾淨微削率，決定一調整後的微削線寬。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的先進製程控制方法，其中上述評估上述先進製程控制執行效能的步驟更包括：決定上述第一資料之一所量測到的微削後線寬和上述第二資料之一去耦後的微削後線寬間之絕對差值的一控制資料分佈；決定上述第一資料之上述所量測到之微削後線寬和上述目標資料之一目標微削後線寬間之絕對差值的一目標控制資料分佈；決定上述控制資料分佈之平均數和標準差的一第一集合，以及上述目標控制資料分佈之平均數和標準差的一第二集合；決定上述第一和第二集合間之一距離；以及根據上述距離，設定一先進製程控制效能指標。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的先進製程控制方法，其中上述決定上述控制參數的步驟更包括：決定上述控制參數，使得上述第一和第二集合之間的上述距離接近於零。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的先進製程控制方法，更包括：根據上述先進製程控制執行效能，決定另一控制參數，其中上述另一控制參數包括一側壁夾角參數。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的先進製程控制方法，其中上述將上述雜訊自上述第一資料去耦合的步驟更包括：確認上述第一資料之一先進製程控制效應，用以提取上述蝕刻製程之一蝕刻反應室效應，其中上述蝕刻反應室效應包括影響上述蝕刻製程之上述蝕刻機台的一條件；去除上述蝕刻製程之一先前製程效應，其中上述先前製程效應包括一圖案化製程之一顯影後檢查；以及去除上述蝕刻製程之一側壁夾角效應。
  10. 一種先進製程控制方法，適用於一蝕刻製程，包括：提供經一蝕刻製程處理之複數先前晶圓的一資料；藉由上述資料之一第一修正，去除一先進製程控制效應，上述第一修正用以去除上述資料之一蝕刻反應室效應，上述蝕刻反應室效應包括影響上述蝕刻製程之一蝕刻機台的一條件；藉由上述資料之一第二修正，去除一先前製程效應，上述先前製程效應包括一顯影後檢查製程；根據上述已修正資料與一目標資料的鄰近程度，決定一先進製程控制執行效能，已修正之上述資料包括上述資料之上述第一和第二修正；根據上述先進製程控制執行效能，決定上述蝕刻製程之一控制參數；以及根據上述控制參數，控制上述蝕刻製程，用以處理一目前晶圓。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的先進製程控制方法，其中上述資料包括在上述蝕刻製程前之一顯影後檢查關鍵尺寸的線寬，以及在上述蝕刻製程後之一蝕刻後檢查關鍵尺寸的線寬。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的先進製程控制方法，其中上述決定上述先進製程控制執行效能的步驟更包括：決定未修正之上述資料之一所量測到的微削後線寬和已修正之上述資料之一去耦後的微削後線寬間之絕對差值的一控制資料分佈；決定上述未修正之資料一所量測到的微削後線寬和上述目標資料之一目標微削後線寬間之絕對差值的一目標資料分佈；決定上述控制資料分佈之平均數和標準差的一第一集合，以及上述目標資料分佈之平均數和標準差的一第二集合；決定上述第一和第二集合間之一距離；以及根據上述距離，設定一先進製程控制效能指標。
  13. 一種先進製程控制系統，用以控制一半導體製造機台，包括：一記憶體，用以儲存上述半導體製造機台處理過之複數先前晶圓的一第一資料；以及一控制器，根據複數指令以控制上述半導體製造機台，上述指令用以進行下列步驟：將一雜訊自上述第一資料去耦合，用以產生一第二資料；根據上述第二資料與一目標資料的鄰近程度，評估一先進製程控制執行效能；根據上述先進製程控制執行效能，決定一控制參數；以及根據上述控制參數，控制上述半導體製造機台，用以處理一目前晶圓。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之先進製程控制系統，其中上述控制參數包括一蝕刻製程的一微削時間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之先進製程控制系統，其中上述將上述雜訊自上述第一資料去耦合的上述指令更包括複數指令用以進行下列步驟：確認上述第一資料之一先進製程控制效應，用以提取上述蝕刻製程之一蝕刻反應室效應，其中上述蝕刻反應室效應包括影響上述蝕刻製程之上述蝕刻機台的一條件；以及去除上述蝕刻製程之一先前製程效應，其中上述先前製程效應包括一圖案化製程之一顯影後檢查。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之先進製程控制系統，其中上述指令更包括複數指令，用以根據上述先進製程控制執行效能，決定另一控制參數，其中上述另一控制參數包括一側壁夾角參數；並且上述將上述雜訊自上述第一資料去耦合的上述指令更包括用以移除上述蝕刻製程之一側壁夾角效應的複數指令。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之先進製程控制系統，其中上述蝕刻製程之一先進製程控制演算法係以一模型方程式、一控制方程式和一指數加權移動平均方程式表示，上述模型方程式表示如下：y=a‧x+b=Rtrim ‧Ttrim +model_b其中y係為一微削後線寬，a係為以Rtrim 表示之一微削率，x係為以Ttrim 表示之一微削時間，並且b係為以model_b表示之一參數；上述控制方程式表示如下： 其中u係為應用於上述蝕刻製程之一微削時間，且T係為一目標微削線寬；以及上述指數加權移動平均方程式表示如下：bn+1 =ω ‧(yn -a‧xn )+(1-ω )‧bn 其中ω介於0和1之間，且上述指數加權移動平均方程式用以更新上述參數b。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之先進製程控制系統，其中上述確認上述第一資料之上述先進製程控制效應的上述指令更包括複數指令用以：藉由設定一常數微削時間，將上述第一資料之上述先進製程控制效應去耦合，上述常數微削時間係用以處理上述目前晶圓之一平均微削時間；根據不同於上述平均微削時間之一微削時間，決定一乾淨微削率；以及根據上述平均微削時間和上述不同於上述平均微削時間之微削時間之間的差值和上述乾淨微削率，決定一調整後的微削線寬。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之先進製程控制系統，其中上述評估上述先進製程控制執行效能的上述指令更包括複數指令，上述指令：決定上述第一資料之一所量測到的調整後線寬和上述第二資料之一去耦後的調整後線寬間之絕對差值的一控制資料分佈；決定上述第一資料之上述所量測到的微削後線寬和上述目標資料之一目標微削線寬間之絕對差值的一目標資料分佈；決定上述控制資料分佈之平均數和標準差的一第一集合，以及上述目標資料分佈之平均數和標準差的一第二集合；決定上述第一和第二集合間之一距離；以及根據上述距離，設定一先進製程控制效能指標。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之先進製程控制系統，其中上述決定上述控制參數的上述指令更包括複數指令，用以決定上述控制參數，使得上述第一和第二集合間的上述距離接近於零。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10064697B2 (en) 2008-10-06 2018-09-04 Santa Anna Tech Llc Vapor based ablation system for treating various indications
US9561066B2 (en) 2008-10-06 2017-02-07 Virender K. Sharma Method and apparatus for tissue ablation
US10695126B2 (en) 2008-10-06 2020-06-30 Santa Anna Tech Llc Catheter with a double balloon structure to generate and apply a heated ablative zone to tissue
US20100094270A1 (en) 2008-10-06 2010-04-15 Sharma Virender K Method and Apparatus for Tissue Ablation
US9561068B2 (en) 2008-10-06 2017-02-07 Virender K. Sharma Method and apparatus for tissue ablation
US20110195636A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 United Microelectronics Corporation Method for Controlling Polishing Wafer
US9026239B2 (en) * 2010-06-03 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. APC model extension using existing APC models
US8655469B2 (en) * 2010-06-14 2014-02-18 Kla-Tencor Corporation Advanced process control optimization
US8429569B2 (en) 2011-04-14 2013-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for feed-forward advanced process control
US8713511B1 (en) * 2011-09-16 2014-04-29 Suvolta, Inc. Tools and methods for yield-aware semiconductor manufacturing process target generation
US10047439B2 (en) * 2011-12-08 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for tool condition monitoring based on a simulated inline measurement
US9213322B1 (en) * 2012-08-16 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner
CN102880046B (zh) * 2012-09-24 2014-09-17 杭州电子科技大学 一种化工多变量过程解耦预测函数控制方法
CN102880047B (zh) * 2012-09-24 2014-09-17 杭州电子科技大学 炼油工业加热炉温度过程的伴随矩阵解耦预测控制方法
CN102881578B (zh) * 2012-10-12 2016-05-04 上海华力微电子有限公司 多晶硅栅极刻蚀方法
CN103811379B (zh) * 2012-11-01 2016-12-28 台湾积体电路制造股份有限公司 工具优化调节***和相关方法
EP3964151A3 (en) 2013-01-17 2022-03-30 Virender K. Sharma Apparatus for tissue ablation
US9519285B2 (en) 2013-01-23 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and associated methods for tuning processing tools
CN103268074B (zh) * 2013-04-28 2016-04-13 上海华力微电子有限公司 程式控制方法以及程式控制***
US9672316B2 (en) 2013-07-17 2017-06-06 Arm Limited Integrated circuit manufacture using direct write lithography
US9323244B2 (en) * 2013-09-18 2016-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor fabrication component retuning
JP6214982B2 (ja) * 2013-09-19 2017-10-18 株式会社東芝 生産支援システム、生産支援方法、および生産支援プログラム
US9870896B2 (en) * 2013-12-06 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for controlling ion implanter
TWI571908B (zh) * 2014-08-15 2017-02-21 力晶科技股份有限公司 製程控制方法與製程控制系統
CN105573273B (zh) * 2015-12-15 2018-08-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改进半导体器件性能波动的方法
US11331140B2 (en) 2016-05-19 2022-05-17 Aqua Heart, Inc. Heated vapor ablation systems and methods for treating cardiac conditions
US9966315B2 (en) * 2016-07-05 2018-05-08 Globalfoundries Inc. Advanced process control methods for process-aware dimension targeting
WO2019232432A1 (en) 2018-06-01 2019-12-05 Santa Anna Tech Llc Multi-stage vapor-based ablation treatment methods and vapor generation and delivery systems

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6304999B1 (en) * 2000-10-23 2001-10-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for embedded process control framework in tool systems
US6556884B1 (en) * 2000-06-16 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for interfacing a statistical process control system with a manufacturing process control framework
US6625512B1 (en) * 2000-07-25 2003-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
TW200622700A (en) * 2004-12-17 2006-07-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Manufacturing systems and methods with wafer-based recipe, and computer readable medium thereof
TW200701314A (en) * 2005-06-22 2007-01-01 United Microelectronics Corp Method of processing semiconductor wafer
US7212878B2 (en) * 2004-08-27 2007-05-01 Tokyo Electron Limited Wafer-to-wafer control using virtual modules
TW200834649A (en) * 2007-02-08 2008-08-16 Promos Technologies Inc Method of preprocess checking of an advanced process control system
TWI302645B (en) * 2004-12-13 2008-11-01 Taiwan Semiconductor Mfg A novel method and apparatus for integrating fault detection and real-time virtual metrology in an advanced process control framework

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5896294A (en) * 1997-03-11 1999-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for inspecting manufactured products for defects in response to in-situ monitoring
US7008300B1 (en) * 2000-10-10 2006-03-07 Beaver Creek Concepts Inc Advanced wafer refining
US6952656B1 (en) * 2000-04-28 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer fabrication data acquisition and management systems
AU2001288856A1 (en) * 2000-09-15 2002-03-26 Advanced Micro Devices Inc. Adaptive sampling method for improved control in semiconductor manufacturing
US6961636B1 (en) * 2001-04-19 2005-11-01 Advanced Micro Devices Inc. Method and apparatus for dynamically monitoring controller tuning parameters
US7363099B2 (en) * 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US6999836B2 (en) * 2002-08-01 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Method, system, and medium for handling misrepresentative metrology data within an advanced process control system
US6912435B2 (en) * 2002-08-28 2005-06-28 Inficon Lt Inc. Methods and systems for controlling reticle-induced errors
US7877161B2 (en) * 2003-03-17 2011-01-25 Tokyo Electron Limited Method and system for performing a chemical oxide removal process
US7158851B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-02 Tokyo Electron Limited Feedforward, feedback wafer to wafer control method for an etch process
US7256055B2 (en) * 2003-08-25 2007-08-14 Tau-Metrix, Inc. System and apparatus for using test structures inside of a chip during the fabrication of the chip
US7146237B2 (en) * 2004-04-07 2006-12-05 Mks Instruments, Inc. Controller and method to mediate data collection from smart sensors for fab applications
WO2005103819A2 (en) * 2004-04-20 2005-11-03 Litel Instruments Method of emulation of lithographic projection tools
US7096085B2 (en) * 2004-05-28 2006-08-22 Applied Materials Process control by distinguishing a white noise component of a process variance
US7292906B2 (en) * 2004-07-14 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Formula-based run-to-run control
US7451011B2 (en) * 2004-08-27 2008-11-11 Tokyo Electron Limited Process control using physical modules and virtual modules
US7328418B2 (en) * 2005-02-01 2008-02-05 Tokyo Electron Limited Iso/nested control for soft mask processing
US7209798B2 (en) * 2004-09-20 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Iso/nested cascading trim control with model feedback updates
US7197370B1 (en) * 2004-10-05 2007-03-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for dynamic adjustment of an active sensor list
US7477960B2 (en) * 2005-02-16 2009-01-13 Tokyo Electron Limited Fault detection and classification (FDC) using a run-to-run controller
US7291285B2 (en) * 2005-05-10 2007-11-06 International Business Machines Corporation Method and system for line-dimension control of an etch process
CN100431096C (zh) * 2005-06-29 2008-11-05 联华电子股份有限公司 半导体晶片的处理方法
DE102005046972A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung unter Anwendung einer Kombination aus gewichteten relativen Voreinstellungswerten
DE102006051495B4 (de) * 2006-10-31 2017-11-02 Globalfoundries Inc. Verfahren und System zur zufälligen Verteilung von Scheiben in einer komplexen Prozesslinie
DE102007035833B3 (de) * 2007-07-31 2009-03-12 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Fortgeschrittene automatische Abscheideprofilzielsteuerung und Kontrolle durch Anwendung von fortgeschrittener Polierendpunktsystemrückkopplung
US7894927B2 (en) * 2008-08-06 2011-02-22 Tokyo Electron Limited Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6556884B1 (en) * 2000-06-16 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for interfacing a statistical process control system with a manufacturing process control framework
US6625512B1 (en) * 2000-07-25 2003-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
US6304999B1 (en) * 2000-10-23 2001-10-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for embedded process control framework in tool systems
US7212878B2 (en) * 2004-08-27 2007-05-01 Tokyo Electron Limited Wafer-to-wafer control using virtual modules
TWI302645B (en) * 2004-12-13 2008-11-01 Taiwan Semiconductor Mfg A novel method and apparatus for integrating fault detection and real-time virtual metrology in an advanced process control framework
TW200622700A (en) * 2004-12-17 2006-07-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Manufacturing systems and methods with wafer-based recipe, and computer readable medium thereof
TW200701314A (en) * 2005-06-22 2007-01-01 United Microelectronics Corp Method of processing semiconductor wafer
TW200834649A (en) * 2007-02-08 2008-08-16 Promos Technologies Inc Method of preprocess checking of an advanced process control system

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Publication number Publication date
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