TWI409953B - 薄膜電晶體陣列面板、含其之液晶顯示器及其方法 - Google Patents

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Description

薄膜電晶體陣列面板、含其之液晶顯示器及其方法
本發明係關於一種薄膜電晶體(TFT)陣列面板、一種具有該TFT陣列面板之液晶顯示器(LCD)及其一種方法，且更特定言之，本發明係關於一種具有透射反射式TFT之TFT陣列面板、一種包括該TFT陣列面板之LCD及一種操作該LCD之方法。
LCD為使用最廣泛之平板顯示器中之一種。一LCD包括一插在兩個每一者皆具備場產生電極之面板之間的液晶("LC")層。LCD藉由施加電壓至該等場產生電極以在該LC層中產生一確定該LC層中之LC分子之定向，以調整入射光之偏振之電場來顯示影像。具有經調整之偏振之光為一偏光膜所截斷或允許其通過，從而顯示影像。
視LCD所利用之光源而定，LCD可分為透射式LCD及反射式LCD。透射式LCD之光源為背光，且反射式LCD之光源為外部光。反射類型之LCD通常應用於小尺寸或中等尺寸之顯示裝置。
透射反射式LCD一直在發展。透射反射式LCD視情況將背光及外部光兩者用作光源，且其通常應用於小尺寸或中等尺寸的顯示裝置。透射反射式LCD在一像素中包括一透射區及一反射區。儘管光在透射區中僅穿過一LC層一次，但是光在反射區中穿過該LC層兩次。因此，透射區之伽瑪曲線與反射區之伽瑪曲線不重合，且影像在透射區與反射區之間以不同方式顯示。
為解決該問題，可形成在透射區與反射區之間具有不同厚度(單元間隙)之LC層。或者，可視LCD為一透射模式還是一反射模式而由兩個不同的驅動電壓來驅動該透射反射式LCD。
然而，當應用兩種單元間隙結構時，要求一較厚層形成於反射區上，從而使製造過程變複雜。此外，由於一高臺階形成於透射區與反射區之間，故LC分子以一無序方式在該高臺階周圍對準，從而導致一影像之錯向。又，在一高壓範圍下可出現返色(brightness reversion)。另一方面，當應用兩種不同的驅動電壓方法時，歸因於用於透射亮度與反射亮度之臨界電壓之間的不一致性，伽瑪曲線不可能重合。
本發明之例示性實施例提供一種LCD，其具有彼此重合之反射模式之伽瑪曲線與透射模式之伽瑪曲線同時達成一大體上均一的單元間隙。
在本發明之例示性實施例中，一薄膜電晶體("TFT")陣列面板包括一基板、形成於該基板上之第一透射電極及第二透射電極、分別連接至該第一透射電極及該第二透射電極之第一反射電極及第二反射電極，及與第一透射電極及第二透射電極及第一反射電極及第二反射電極分離之第三反射電極及第四反射電極，其中第一反射電極與第三反射電極之第一面積比不同於第二反射電極與第四反射電極之第二面積比。
第一反射電極及第三反射電極之總尺寸可大體上等於第二反射電極及第四反射電極之總尺寸。
該TFT陣列面板可進一步包括一形成於基板上之第三透射電極、一連接至該第三透射電極之第五反射電極及一與該第三透射電極及該第五反射電極分離之第六反射電極，其中第五反射電極與第六反射電極之面積比不同於第一面積比及第二面積比。
第五反射電極及第六反射電極之總尺寸可大體上等於第一反射電極及第三反射電極與第二反射電極及第四反射電極之總尺寸。
透射電極、第一反射電極及連接至透射電極及第一反射電極之一第一導體可重疊第三反射電極或連接至第三反射電極之一第二導體。
該TFT陣列面板可進一步包括一形成於透射電極與第三反射電極之間之絕緣層。
該TFT陣列面板可進一步包括一形成於彼此重疊之第一導體與第二導體之間的第一絕緣層。
該TFT陣列面板可進一步包括一形成於第一反射電極及第三反射電極與第一導體之間之第二絕緣層。
該TFT陣列面板可進一步包括一形成於彼此重疊之第一反射電極與第三反射電極之間的絕緣層。
第一透射電極、第一反射電極及第三反射電極可形成於一第一像素區中，且第二透射電極、第二反射電極及第四反射電極可形成於第二像素區中。
一資料電壓可施加至第一反射電極及第二反射電極，且一低於該資料電壓之電壓可施加至第三反射電極及第四反射電極。
透射區及反射區中之薄膜電晶體陣列面板之高度可大體上恆定。
在本發明之另外例示性實施例中，提供一種具有複數個像素之液晶顯示器(LCD)且每一像素包括一透射液晶(LC)電容器、一連接至該透射LC電容器之第一反射LC電容器及與透射LC電容器及第一反射LC電容器分離之第二反射LC電容器，其中該等像素具有一第一像素及一第二像素，第一像素及第二像素代表彼此不同之色彩，且第一像素之電壓－反射曲線大體上與第二像素之電壓－反射曲線重合。
第一像素之電壓－透射曲線可大體上與第一像素之電壓－反射曲線重合。
第二反射LC電容器上之電壓可小於第一反射LC電容器上之電壓。
該LCD可進一步包括一連接至每一像素之每一第二反射LC電容器之輔助電容器。
第一像素及第二像素之輔助電容器之電容可彼此不同。
該LCD可進一步包括一連接至透射LC電容器、第一反射LC電容器及輔助電容器之開關元件。
該透射LC電容器及第一反射LC電容器可自開關元件接收一資料電壓，且第二反射LC電容器經由輔助電容器接收一小於該資料電壓之電壓。
透射LC電容器及第一反射LC電容器可分別包括一透射電極及一連接至該開關元件之第一反射電極，且第二反射LC電容器包含一與透射電極及第一反射電極分離之第二反射電極。
第一像素之第一反射電極與第二反射電極之面積比可不同於第二像素之第一反射電極與第二反射電極之面積比。第一像素之第一反射電極與第二反射電極之總面積可與第二像素之第一反射電極與第二反射電極之總面積大體上相同。
像素可具有分別代表紅色、綠色及藍色之紅色、綠色及藍色像素，紅色像素之第一反射電極與第二反射電極之第一面積比小於綠色像素之第一反射電極與第二反射電極之第二面積比，且藍色像素之第一反射電極與第二反射電極之第三面積比大於綠色像素之第一反射電極與第二反射電極之第二面積比。
色彩可包括紅色、綠色及藍色。
LCD之共同電極面板與薄膜電晶體陣列面板之間之單元間隙可大體上均一。
在本發明之另外例示性實施例中，一種重合透射反射式LCD中鄰近像素之電壓－反射曲線的方法包括將透射電極與第一反射電極及第二反射電極配置於LCD之每一像素中；將每一像素之第一反射電極及第二反射電極提供於大體上相同之總面積中；及取決於與每一像素相關之彩色濾光器之色彩來區別每一像素之第一反射電極與第二反射電極之面積比
區別面積比可包括為每一藍色像素之第二反射電極提供一大於每一綠色像素之第二反射電極的面積，及為每一綠色像素之第二反射電極提供一大於每一紅色像素之第二反射電極的面積。
該方法可進一步包括提供一資料電壓至每一像素之透射電極及第一反射電極，及提供一小於該資料電壓之電壓至每一像素之第二反射電極。
該方法可進一步包括在液晶顯示器之透射區與反射區之間提供大體上均一之單元間隙。
現將參看其中展示本發明之較佳實施例之隨附圖式於下文更充分地描述本發明之較佳實施例。然而，本發明可以許多不同形式實施且不應被解釋為限制於本文中所闡述之實施例。相反，提供此等實施例以使此揭示內容詳盡完整，且將本發明之範疇完全傳達給熟習此項技術者。
在該等圖式中，為清楚起見，誇示了層、膜及區之厚度。相似數字始終指相似元件。應瞭解，當一元件被稱作在另一元件"上"時，其可直接在其他元件上或其間可能存在介入元件。相反，當一元件被稱為"直接"在另一元件"上"時，則不存在介入元件。如本文中所使用，術語"及/或"包括所列出之相關項之一或多個的任何及所有組合。
應瞭解，雖然本文中可使用術語第一、第二及第三等來描述各種元件、組件、區、層及/或部分，但是此等元件、組件、區、層及/或部分不應受此等術語限制。此等術語僅用於區別一個元件、組件、區、層或部分與另一元件、組件、區、層或部分。因此，以下論述之第一元件、組件、區、層或部分可稱為第二元件、組件、區、層或部分而不偏離本發明之教示。
本文所用之術語僅用於描述特定實施例之目的，而非意欲限制本發明。如本文中所用，除非文中另外清楚地指示，否則單數形式的"一"及"該"亦意欲包括複數形式。應進一步瞭解，術語"包含"或"包括"在用於此專利說明書中時，其規定了所陳述之特徵、區、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但是不排除一或多個其他特徵、區、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群之存在或增加。
此外，諸如"在......下"、"以下"、"在......上"、"上方"及其類似詞彙之空間相對術語在本文中可為描述簡單而描述如圖中所說明之一個元件或特徵與另外元件或特徵之關係。應瞭解，空間相對術語意欲涵蓋除該等圖中已描繪之定向外的使用中或操作中之裝置的不同定向。舉例而言，若圖中之裝置被翻轉，則原本被描述為"在其他元件或特徵之下"之元件將被定向在其他元件或特徵之"上方"。因此，例示性術語"以下"可涵蓋"在......上"及"在......下"定向兩者。該裝置可另外定向(旋轉90度或處於其他定向)且相應地解釋本文中所使用之空間相對描述。
除非另外定義，否則本文中所使用之所有術語(包括技術及科學術語)具有與一本發明之普通熟習技術者通常所瞭解之意義相同的意義。應進一步瞭解，諸如通常所用之字典中所定義之術語應被解釋為：其意義與其在相關技術及本揭示案情形下之意義一致，而不應以一理想化或過於正式之感覺來解釋，除非本文清楚地如此定義。
圖1為根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的等效電路圖，且圖2是根據本發明之例示性實施例之例示性LCD之例示性像素的等效電路圖。
根據本發明之例示性實施例之LCD包括複數個顯示訊號線GL及DL，及連接至其處且在圖1及圖2(其中為清楚起見僅展示一像素)所展示之電路圖中大體上以矩陣格式配置之複數個像素。另外，LCD包括一TFT陣列面板1o0、一面向TFT陣列面板100之共同電極面板200，及一插在兩面板100與200之間之液晶層3。
顯示訊號線GL及DL提供於TFT陣列面板100上且其包括用於將來自一閘極驅動器(未圖示)之閘極訊號(亦稱作"掃描訊號")傳輸至每一像素中之開關元件Q的複數個閘極線GL，及用於將來自一資料驅動器(未圖示)之資料訊號傳輸至每一像素中之開關元件Q的複數個資料線DL。閘極線GL大體上在列方向上延伸且大體上彼此平行，而資料線DL大體上在行方向上延伸且大體上彼此平行。因此，閘極線GL大體上垂直於資料線DL而延伸。
每一像素包括連接至閘極線GL及資料線DL之開關元件Q、一透射LC電容器CL C 0 、一第一反射LC電容器CL C 1 、一輔助電容器CA U X 、一儲存電容器CS T ，及一連接至輔助電容器CA U X 之第二反射LC電容器CL C 2 。可省略該儲存電容器CS T 。
諸如一薄膜電晶體(TFT)之開關元件Q提供於TFT陣列面板100上之每一像素中且其具有三端子：一連接至該等閘極線GL之一者的控制端子(閘電極)；一連接至該等資料線DL之一者的輸入端子(源電極)；及一連接至該透射LC電容器CL C 0 、該第一反射LC電容器CL C 1 、該輔助電容器CA U X ，及該儲存電容器CS T 之輸出端子(汲電極)。
參看圖2，透射LC電容器CL C 0 包括一提供於TFT陣列面板100上之透射電極192及一提供於共同電極面板200上之共同電極270以作為兩端子。LC層3置於兩電極192與270之間且充當透射LC電容器CL C 0 之介電質。透射電極192連接至開關元件Q之輸出端子，且共同電極270供應有共同電壓Vcom且其覆蓋共同電極面板200之整個表面或大體上整個表面。在一替代性實施例中，共同電極270可提供於TFT陣列面板100上，且兩電極192與270均可具有條形或條紋形狀。
第一反射LC電容器CL C 1 包括一提供於TFT陣列面板100上之第一反射電極194及共同電極270作為兩端子。置於兩電極194與270之間之LC層3充當第一反射LC電容器CL C 1 之介電質。第一反射電極194經由透射電極192連接至開關元件Q之輸出端子。
第二反射LC電容器CL C 2 包括一提供於TFT陣列面板100上之第二反射電極196及共同電極270作為兩端子。安置於兩電極196與270之間的LC層3充當第二反射LC電容器CL C 2 之介電質。第二反射電極196連接至輔助電容器CA U X ，但是與透射電極192及第一反射電極194電分離。
輔助電容器CA U X 包括第二反射電極196或連接至該第二反射電極196之導體(未圖示)；及透射電極192、第一反射電極194及連接至第一反射電極194之導體(未圖示)之一者(其經由一絕緣體重疊第二反射電極196或連接至該第二反射電極196之導體)。以下將進一步描述輔助電容器CA U X 之例示性實施例。
經由開關元件Q所施加之對應於影像訊號之資料電壓與共同電壓Vcom之間之差異代表透射LC電容器CL C 0 及第一反射LC電容器CL C 1 上之電壓，其分別稱作像素電壓。
像素電壓施加於第二反射LC電容器CL C 2 與輔助電容器CA U X 之間，且第二反射LC電容器CL C 2 與輔助電容器CA U X 劃分像素電壓。藉此，第二反射LC電容器CL C 2 上之電壓小於像素電壓。
LC電容器CL C 中之LC分子具有取決於像素電壓量值之定向，且分子定向確定透過LC層3之光的偏振。諸如安置於TFT陣列面板100之外部表面上及/或共同電極面板200之外部表面上之偏光器的偏光器將光偏振轉換成光透射，使得像素PX顯示影像資料DAT所代表之亮度。
輔助電容器CA U X 與第二反射LC電容器CL C 2 一起劃分施加於共同電極270與第一反射電極194或共同電極270與透射電極192之間之電壓。因此，施加至第二反射LC電容器CL C 2 之電壓小於施加至第一反射LC電容器CL C 1 之電壓。
根據本發明之例示性實施例之透射反射式LCD包括複數個透射區TA及複數個第一反射區RA1及第二反射區RA2，其中每一像素區包括一透射區TA及一第一反射區RA1及一第二反射區RA2。每一透射區TA由透射電極192來界定，且第一反射區RA1及第二反射區RA2之每一者分別由第一反射電極194及第二反射電極196來界定。其中將透射電極192分別安置於暴露部分之上方或下方之部分為透射區TA，且安置於第一反射電極194及第二反射電極196之下方或上方之部分分別為第一反射區RA1及第二反射區RA2。
在透射區TA中，來自安置於TFT陣列面板100下方之背光單元(未圖示)之光透過TFT陣列面板100且接著一次透過LC層3來顯示所要之影像。在第一反射區RA1及第二反射區RA2中，諸如陽光之外部光入射於共同電極面板200上且透過其及LC層3到達第一反射電極194及第二反射電極196。接著，該外部光由第一反射電極194及第二反射電極196反射且其再次透過LC層3。因此，光在第一反射區RA1及第二反射區RA2中兩次透過LC層3。
儲存電容器CS T 為LC電容器CL C 0 、CL C 1 及CL C 2 之輔助電容器。該儲存電容器CS T 包括透射電極192或第一反射電極194，及一儲存電極(未圖示)，該儲存電極提供於TFT陣列面板100上，經由形成於其間之絕緣體而重疊透射電極192或第一反射電極194，且及供應有諸如共同電壓Vcom之預定電壓。或者，儲存電容器CS T 包括透射電極192或第一反射電極194及稱作先前閘極線之鄰近閘極線，該鄰近閘極線經由形成於其間之一絕緣體而重疊透射電極192或第一反射電極194。
接著，將參看圖3至圖5來描述根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的分層結構。
圖3為圖2中所展示之例示性LCD之例示性剖視圖，且圖4及圖5分別為圖2中所展示之LCD之例示性實施例的其他例示性剖視圖。
圖3至圖5描繪根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的剖視圖。
參看圖3，一TFT陣列面板100具有形成於一絕緣基板110上之儲存電極137、覆蓋儲存電極137及絕緣基板110之暴露部分之一閘極絕緣層140，及一形成於閘極絕緣層140上之開關元件Q的一輸出電極170。一儲存電容器CS T 形成於儲存電極137與重疊該儲存電極137之輸出電極170之間。一第一絕緣層187a形成於輸出電極170及閘極絕緣層140之暴露部分上且其具有暴露輸出電極170之一部分之接觸孔183。
一透射電極192形成於第一絕緣層187a上且經由接觸孔183而實體連接且電連接至輸出電極170。第二絕緣層187b形成於透射電極192之一部分上且其置於第一反射區RA1及第二反射區RA2中。第二絕緣層187b可具有一軋花表面。第一反射電極194及第二反射電極196形成於第二絕緣層187b上。第一反射電極194部分形成於透射電極192上且藉此連接至透射電極192。第一反射電極194與第二反射電極196分離。
一輔助電容器CA U X 形成於透射電極192與第二反射電極196之間。第二絕緣層187b插於透射電極192與第二反射電極196之間。
一共同電極面板200包括形成於一絕緣基板210上之一彩色濾光器230及形成於彩色濾光器230上之一共同電極270。在一例示性實施例中，紅色、綠色及藍色彩色濾光器230可配置於絕緣基板210上對應於鄰近像素之區上。一LC層3插於TFT陣列面板100與共同電極面板200之間。
一透射LC電容器CL C 0 包括共同電極270及透射電極192作為兩端子，且LC層3充當透射LC電容器CL C 0 之絕緣體。第一反射LC電容器CL C 1 及第二反射LC電容器CL C 2 分別包括第一反射電極194及第二反射電極196與共同電極270作為兩端子，且此時，LC層3亦充當第一反射LC電容器CL C 1 及第二反射LC電容器CL C 2 之絕緣體。
一輔助電容器CA U X 包括透射電極192及第二反射電極196(經由第二絕緣層187b重疊透射電極192)。透射區TA與第一反射區RA1及第二反射區RA2之間歸因於第二絕緣層187b之厚度產生高度差。
將參看圖4來描述根據本發明之例示性實施例之例示性LCD之分層結構的另一例示性實施例。
參看圖4，一TFT陣列面板100具有形成於一絕緣基板110上之一儲存電極137及一輔助電極120，及形成於儲存電極137及輔助電極120以及絕緣基板110之暴露部分上之一閘極絕緣層140。開關元件Q之一輸出電極170形成於閘極絕緣層140上且重疊儲存電極137及輔助電極120。一儲存電容器CS T 包括儲存電極137及重疊該儲存電極137之輸出電極170，且一輔助電容器CA U X 形成於輔助電極120與經由閘極絕緣層140重疊輔助電極120的輸出電極170之間。輔助電極120之一部分可經由閘極絕緣層140中之開口而暴露。
一絕緣層187形成於輸出電極170上及閘極絕緣層140之暴露部分上。絕緣層187可具有一軋花表面。絕緣層187具有一暴露輸出電極170及閘極絕緣層140之一部分之接觸孔183，且絕緣層187具有一暴露輔助電極120之一部分之接觸孔184。
一透射電極192及第一反射電極194及第二反射電極196形成於絕緣層187上，且其可在LCD之相同製造步驟期間形成。第一反射電極194經由接觸孔183實體連接且電連接至輸出電極170且連接至透射電極192。第二反射電極196經由接觸孔184實體連接且電連接至輔助電極120，但是其與第一反射電極194分離。
一共同電極面板200包括一形成於絕緣基板210上之彩色濾光器230及形成於彩色濾光器230上之共同電極270。在一例示性實施例中，紅色、綠色及藍色的彩色濾光器230可配置於絕緣基板210上對應於鄰近像素之區上。一LC層3插於TFT陣列面板100與共同電極面板200之間。詳言之，LC層3接觸共同電極270與透射電極192、第一反射電極194及第二反射電極196。
透射LC電容器CL C 0 包括共同電極270及透射電極192作為兩端子，且LC層3充當透射LC電容器CL C 0 之絕緣體。第一反射LC電容器CL C 1 及第二反射電容器CL C 2 分別包括第一反射電極194與第二反射電極196及共同電極270作為兩端子，且此時，LC層3亦充當第一反射LC電容器CL C 1 與第二反射LC電容器CL C 2 之絕緣體。
輔助電容器CA U X 形成於輔助電極120與經由閘極絕緣層140重疊輔助電極120之輸出電極170之間，及於輸出電極170與經由絕緣層187重疊輸出電極170之第二反射電極196之間。與圖3不同，在透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2中，單元間隙大體上彼此相同，藉此簡化製造過程且藉由消除透射區與反射區之間之高臺階防止了影像中之錯向。
將參看圖5來描述根據本發明之例示性實施例之例示性LCD之分層結構的另一例示性實施例。
參看圖5，一TFT陣列面板100具有一形成於一絕緣基板110上之儲存電極137，及一形成於儲存電極137上及絕緣基板110之暴露部分上之閘極絕緣層140。開關元件Q之輸出電極170形成於閘極絕緣層140上。一儲存電容器CS T 包括儲存電極137及重疊該儲存電極137之輸出電極170。
一絕緣層187形成於輸出電極170上及閘極絕緣層140之暴露部分上。該絕緣層187可具有軋花表面。該絕緣層187具有一暴露輸出電極170之一部分之接觸孔183。
一透射電極192及第一反射電極194及第二反射電極196形成於LCD之相同層中之絕緣層187上。第一反射電極194經由接觸孔183實體連接且電連接至輸出電極170，且其連接至透射電極192。第一反射電極194與第二反射電極196分離。
一共同電極面板200包括一形成於一絕緣基板210上之彩色濾光器230及一形成於彩色濾光器230上之共同電極270，其中諸如複數個紅色、綠色及藍色彩色濾光器之一者形成於LCD之每一像素區中。一LC層3插於TFT陣列面板100與共同電極面板200之間，以使LC層3接觸共同電極270及透射電極192及第一反射電極194及第二反射電極196。
一透射LC電容器CL C 0 包括共同電極270及透射電極192作為兩端子，且LC層3充當透射LC電容器CL C 0 之絕緣體。第一反射LC電容器CL C 1 及第二反射LC電容器CL C 2 分別包括第一反射電極194與第二反射電極196及共同電極270作為兩端子，且此時，LC層3亦充當第一反射LC電容器CL C 1 與第二反射電容器CL C 2 之絕緣體。
輔助電容器CA U X 形成於每一輸出電極170與經由絕緣層187重疊該輸出電極170之每一第二反射電極196之間。如在圖4所說明之例示性實施例中，在透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2中，單元間隙大體上彼此相等。
參看圖6及圖7，將描述根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的例示性實施例。
圖6為圖4中所展示之例示性LCD之例示性實施例的布局圖，且圖7為圖6中沿線VII－VII截取之剖視圖。
該LCD包括一TFT陣列面板100、一面向該TFT陣列面板100之共同電極面板200及一插於面板100與200之間的LC層3。
首先，將描述TFT陣列面板100。
複數個閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126形成於由諸如(但不限於)透明玻璃或塑料之材料製得的絕緣基板110上。
閘極線121傳輸閘極訊號且在橫向方向上大體彼此平行地延伸。每一閘極線121包括向上突出之複數個閘電極124(其朝向大體上垂直於橫向方向之方向上的像素區)；及一末端部分129，其具有一用於接觸另一層或外部驅動電路之大面積。用於產生閘極訊號之閘極驅動電路(未圖示)可安裝於可撓性印刷電路(FPC)膜(未圖示)上，該FPC膜可附著至基板110，直接安裝於基板110上或與基板110整合。閘極線121可延伸而連接至可整合於基板110上之一驅動電路。
儲存電極線131供應有一預定電壓且大體上平行於閘極線121延伸。每一儲存電極線131置於兩鄰近閘極線121之間且更靠近兩鄰近閘極線121之下方閘極線121。換言之，儲存電極線131不均一地劃分每一像素區。每一儲存電極線131包括向上及向下(即，在朝向兩鄰近閘極線121之方向上)膨脹之複數個儲存電極137。或者，儲存電極線131可具有各種形狀及配置。
每一輔助電極126置於包括閘電極124之閘極線121與儲存電極線131之間，且其與閘極線121及儲存電極線131分開預定距離。
閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126較佳由諸如Al及Al合金之含鋁Al金屬、諸如Ag及Ag合金之含銀Ag金屬、諸如Cu及Cu合金之含銅Cu金屬、諸如Mo及Mo合金之含鉬Mo金屬、鉻Cr、鉭Ta或鈦Ti製得。然而，閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126可具有一多層結構，該多層結構包括具有不同物理特徵之兩傳導膜(未圖示)。在此多層結構中，兩膜中之一膜較佳由包括含Al金屬、含Ag金屬及含Cu金屬之低電阻金屬製得以用於減少訊號延遲或電壓降落，而另一膜較佳由諸如與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之其他材料具有良好物理、化學及電接觸特徵之含Mo金屬、Cr、Ta或Ti之材料製得。兩膜之可接受組合實例包括下方Cr膜與上方Al(合金)膜及下方Al(合金)膜與上方Mo(合金)膜。雖然已描述特定例示性實施例，但是應瞭解閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126可由各種金屬或導體來製得。
閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126之橫向側相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角度在約30至約80度範圍中。
較佳由(但不限於)氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製得之一閘極絕緣層140形成於閘極線121、儲存電極線131及輔助電極126上。閘極絕緣層140可進一步形成於絕緣基板110之暴露部分上。
較佳由氫化非晶系矽(縮寫為"a－Si")或多晶矽製得之複數個半導體條紋151形成於閘極絕緣層140上。半導體條紋151之每一者在大體上垂直於閘極線121之橫向方向的大體縱向方向上延伸，且包括向閘電極124分枝出去之複數個突起154。半導體條紋151在閘極線121附近變寬以使半導體條紋151覆蓋閘極線121之大面積。
複數個歐姆接觸條紋161及島狀物165形成於半導體條紋151上。歐姆接觸條紋161及島狀物165較佳由大量摻雜n型雜質(諸如磷)之n＋氫化a－Si製得或其可由矽化物製得。每一歐姆接觸條紋161包括複數個突起163，且該等突起163及歐姆接觸島狀物165成對位於半導體條紋151之突起154上，且突起163與歐姆接觸島狀物165間隔開，藉此在突起154上形成通道區。
半導體條紋151及歐姆接觸161及165之橫向側相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角度較佳在約30至約80度範圍中。
複數個資料線171及與資料線171分離之複數個汲電極175形成於歐姆接觸161及165及閘極絕緣層140上。
資料線171傳輸資料訊號且大體上在縱向方向上延伸以與閘極線121及儲存電極線131相交。每一資料線171包括向閘電極124突出之複數個源電極173及具有用於接觸另一層或外部驅動電路之大面積的末端部分179。用於產生資料訊號之資料驅動電路(未圖示)可安裝於一FPC膜(未圖示)上，該FPC膜可附著至基板110，直接安裝於基板110上或與基板110整合。資料線171可延伸以連接至可與基板110整合之一驅動電路。
汲電極175相對於閘電極124而與源電極173相對安置。汲電極175重疊歐姆接觸島狀物165且源電極175重疊歐姆接觸突起163。每一汲電極175具有一重疊儲存電極137、輔助電極126及閘電極124之膨脹部分177。該膨脹部分177具有一矩形形狀且包括一鄰近於閘極線121之凹面部分。該膨脹部分177具有暴露輔助電極126之一開口178。
一閘電極124、一源電極173及一汲電極175以及半導體條紋151之突起154形成具有一形成於突起154中之通道的TFT，其中該突起154置於源電極173與汲電極175之間以及歐姆接觸突起163與歐姆接觸島狀物165之間。
資料線171及汲電極175較佳由諸如Cr、Mo、Ta或其合金之耐火金屬製得。或者，其可具有包括一耐火金屬膜(未圖示)及一低電阻膜(未圖示)之多層結構。此多層結構之可接收實例包括具有下方Cr/Mo(合金)膜及上方Al(合金)膜之雙層結構；及下方Mo(合金)膜、中間Al(合金)膜及上方Mo(合金)膜之三層結構。雖然已描述特定例示性實施例，但是應瞭解資料線171及汲電極175可由各種金屬或導體來製得。
資料線171及汲電極175較佳具有傾斜邊緣輪廓，且其傾斜角度自約30變化至約80度。
歐姆接觸161及165僅插於下部半導體條紋151與其上之上部導體171及175之間，且減小其間之接觸電阻。雖然半導體條紋151在多數地方比資料線171窄，但是如以上所描述，半導體條紋151之寬度在閘極線121附近變大，從而使表面輪廓平滑，藉此防止資料線171斷裂。半導體條紋151包括未經資料線171及汲電極175覆蓋之一些暴露部分，諸如位於源電極173與汲電極175之間之突起154的一部分。
一鈍化層180形成於資料線171、汲電極175及半導體條紋151之暴露部分上以及閘極絕緣層140之暴露部分上。鈍化層180包括一下方鈍化膜180p，其置於資料線171、汲電極175、半導體條紋151之暴露部分及閘極絕緣層140之暴露部分上，且較佳由諸如氮化矽或氧化矽之無機絕緣體製得；及一上方鈍化膜180q，其置於下方鈍化膜180p上且較佳由有機絕緣體製得。較佳，上方鈍化膜180q可具有小於約4.0之介電常數及感光性。上方鈍化膜180q可具有軋花表面。或者，鈍化層180可具有較佳由無機或有機絕緣體製得之單一層結構。
在閘極線121之末端部分129及資料線171之末端部分179上分別移除上方鈍化膜180q以暴露下方鈍化膜180p。
鈍化層180具有複數個接觸孔182及185，其分別暴露資料線171之末端部分179及汲電極175之膨脹部分177。鈍化層180及閘極絕緣層140具有暴露閘極線121之末端部分129之複數個接觸孔181及暴露輔助電極126之複數個接觸孔186。每一接觸孔186形成於汲電極175之膨脹部分177之開口178中且其與開口178之邊界之間隔開足夠間隙。
複數個第一像素電極191及第二像素電極195及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上。
第一像素電極191及第二像素電極195彼此分離且沿上方鈍化膜180q之軋花表面彎曲。即，第一像素電極191及第二像素電極195具有與上方鈍化膜180q相同之不均一上方表面。第一像素電極191之每一者包括一透射電極192及一位於該透射電極192上之第一反射電極194，且第二像素電極195之每一者包括一透射電極193及一位於該透射電極193上之第二反射電極196。第一反射電極194僅置於透射電極192之一部分上，藉此暴露透射電極192之剩餘部分。然而，第二反射電極196覆蓋透射電極193之整個表面。透射電極192及193較佳由諸如ITO或IZO之透明導體製得，且反射電極194及196較佳由諸如Ag、Al、Cr或其合金之反射性導體製得。
或者，反射電極194及196可具有雙層結構，該雙層結構包括具有低電阻(諸如Al、Ag或其合金)之上方反射膜及一由與ITO或IZO具有良好接觸特徵之含Mo金屬、Cr、Ta或Ti製得之下方膜。
如圖6中所展示，每一像素具有一透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2。詳言之，透射區TA在一部分(此處透射電極192藉由移除第一反射電極194而暴露)之上方及下方區域中，第一反射區RA1處於第一反射電極194之上方及下方區域，且第二反射區RA2處於第二反射電極196之上方及下方區域。
在一像素中，透射區TA、第一反射區RA1及第二反射區RA2自先前閘極線121循序安置。如圖7中所展示，單元間隙在遍及透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2之像素的整個區域中大體上均一。
第一像素電極191經由接觸孔185而實體連接且電連接至汲電極175之膨脹部分177，以使第一像素電極191接收來自汲電極175的資料電壓。詳言之，透射電極192經由接觸孔185直接接觸膨脹部分177。供應有資料電壓之第一像素電極191與供應有共同電壓之共同電極面板200一起產生電場，其確定置於兩電極191與270之間之LC層3之LC分子(未圖示)的定向以調整透過LC層3之入射光的偏振。
一暴露透射電極192及共同電極270形成透射LC電容器CL C 0 且第一反射電極194及共同電極270形成一儲存TFT斷開後所施加之電壓的第一反射LC電容器CL C 1 。
第一像素電極191及連接至其之汲電極175之膨脹部分177重疊包括儲存電極137之儲存電極線131。像素電極191、連接至其之一汲電極175及儲存電極線131分別形成一儲存電容器CS T ，其增強LC電容器CL C 0 及CL C 1 之電壓儲存能力。
汲電極175之膨脹部分177重疊輔助電極126及第二像素電極195以形成一輔助電容器CA U X 。第二像素電極195接收歸因於輔助電容器CA U X 來自汲電極175低於資料電壓的電壓。
第二像素電極195經由接觸孔186而實體連接且電連接至輔助電極126，其中透射電極193直接接觸輔助電極126，以使第二像素電極195經由輔助電容器CA U X 接收低於資料電壓之電壓。
供應有低於資料電壓之電壓的第二像素電極195與共同電極270一起產生電場，該電場重新定向插於其間之LC層3中之LC分子。第二反射LC電容器CL C 2 形成於第二像素電極195與共同電極270之間且第二反射LC電容器CL C 2 串聯連接至輔助電容器CA U X 。
在透射區TA中，來自LCD後側(意即，TFT陣列面板100)之入射光穿透到達LCD之前側(意即，到達共同電極面板200)，同時透過LC層3以顯示影像。在反射區RA1及RA2中，經由LCD之前側(意即，自共同電極面板200)入射之光透過LC層3，且接著被第一反射電極194及第二反射電極196反射以再次穿透LC層3，且其接著自前側再次透過以顯示影像。光之反射效率由反射電極194及196之軋花表面而增強。
接觸助件81及82分別經由接觸孔181及182而連接至閘極線121之末端部分129及資料線171之末端部分179。接觸助件81及82保護末端部分129及179且增強末端部分129及179與外部裝置之間之黏著。
下面描述共同電極面板200。
稱作黑色矩陣、用於防止漏光之光阻構件220形成於由諸如(但不限於)透明玻璃或塑料之材料製得之一絕緣基板210上。
光阻構件220具有面向第一像素電極191及第二像素電極195之複數個開口(未圖示)且防止兩鄰近像素之間漏光。
複數個彩色濾光器230亦形成於基板210上，且其大體上置於由光阻構件220所封閉之區域中。彩色濾光器230可在基板210上對應於沿像素電極191及195之區的區上以大體縱向方向延伸。彩色濾光器230之每一者皆可代表諸如紅色、綠色及藍色之原色的一者。
反射區RA1及RA2中之每一彩色濾光器230皆包括光孔240。光孔240補償歸因於透過彩色濾光器230之光線數目之差異而造成在反射區RA1及RA2與透射區TA之間之色調差。或者，色調差可藉由改變透射區TA與反射區RA1及RA2中之彩色濾光器230之厚度來補償。光孔240中填充有填充劑以平坦化彩色濾光器230之表面，藉此來減少歸因於光孔240而造成之高度差。
一共同電極270形成於彩色濾光器230及光阻構件220上。共同電極270較佳由諸如(但不限於)ITO或IZO之透明傳導材料製得。
對準層(未圖示)可塗佈於面板100及200之內部表面上，且偏光器(未圖示)可提供於面板100及200之外部表面上。偏光器可根據液晶層3之經對準方向來分別調整由外部所提供進入面板100、200之光的傳輸方向。偏光器可具有其之大體上彼此垂直之第一偏光軸及第二偏光軸。
LC層3經受垂直對準或水平對準。
複數個間隔物(未圖示)可形成於TFT陣列面板100與共同電極面板200之間以在其間形成預定間隙。
又，LCD之TFT陣列面板100及共同電極面板200可由密封劑來密封。該密封劑置於共同電極面板200之邊界上。
接著，將參看圖8及圖9來描述根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的另一例示性實施例。
圖8為圖4中所展示之例示性LCD之另一例示性實施例的布局圖，且圖9為圖8中沿線IX－IX截取之剖視圖。參看圖8及圖9，根據此例示性實施例之TFT陣列面板100及共同電極面板200之分層結構大體上與圖6及圖7所展示之結構相同，且因此，類似參考數字將用於指類似元件。
與在先前實施例中一樣，LCD包括TFT陣列面板100、面向TFT陣列面板100之共同電極面板200及插於面板100與200之間之LC層3。
首先，以下將描述TFT陣列面板100。
包括複數個閘電極124及末端部分129之複數個閘極線121、包括儲存電極137之複數個儲存電極線131及複數個第一輔助電極127形成於絕緣基板110上。
儲存電極137非常靠近兩鄰近閘極線121之下方閘極線，且第一輔助電極127與儲存電極137分離且非常靠近兩鄰近閘極線121之上方閘極線。第一輔助電極127由與用於形成閘極線121及儲存電極線131相同之金屬製得，且可具有一多層結構。
一閘極絕緣層140、包括複數個突起154之複數個半導體條紋151，及複數個歐姆接觸條紋161及島狀物165循序形成於閘極線121、儲存電極線131、第一輔助電極127及基板110之暴露部分上。
包括源電極173及末端部分179之複數個資料線171、包括膨脹部分177且與資料線171分離之複數個汲電極175，複數個第二輔助電極176形成於歐姆接觸161及165及閘極絕緣層140上。
第二輔助電極176與資料線171及汲電極175分離，且具有與第一輔助電極127幾乎相同之計劃形狀且在第一輔助電極127上部。第二輔助電極176之每一者皆包括一開口174。第二輔助電極176由與資料線121及汲電極175相同之金屬製得，且可具有一多層結構。
包括下方鈍化膜180p及上方鈍化膜180q之一鈍化層180循序形成於資料線171、汲電極175及半導體條紋151之暴露部分上以及閘極絕緣層140之暴露部分上。提供穿過鈍化層180之複數個接觸孔182、185及188，分別暴露資料線171之末端部分179、汲電極175之膨脹部分177及第二輔助電極176；且提供穿過鈍化層180及閘極絕緣層140之複數個接觸孔181及189，分別暴露閘極線121之末端部分129及第一輔助電極126。與圖6及圖7之TFT陣列面板不同，在鈍化層180處提供複數個接觸孔188，暴露第二輔助電極176且在鈍化層180及閘極絕緣層140處提供複數個接觸孔189從而暴露第一輔助電極126。接觸孔189穿過第二輔助電極176之開口174而形成，且與開口174之邊界之間隔開足夠間隙。
複數個第一像素電極191及第二像素電極195及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上。
第一像素電極191及第二像素電極195彼此分離且可沿上方鈍化膜180q之軋花表面彎曲。第一像素電極191之每一者包括一透射電極192及一位於其該透射電極192上之第一反射電極194，且第二像素電極195之每一者包括一透射電極193及一位於該透射電極193上之第二反射電極196。該第一反射電極194僅置於透射電極192之一部分上，藉此暴露透射電極192之剩餘部分。然而，第二反射電極196覆蓋透射電極193之整個表面。
如圖8中所展示，每一像素具有一透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2。詳言之，透射區TA處於一部分(此處透射電極192藉由移除第一反射電極194而被暴露)之上方及下方區域處，第一反射區RA1處於第一反射電極194之上方及下方區域處，且第二反射區RA2處於第二反射電極196之上方及下方區域處。不同於圖6及圖7中所展示之TFT陣列面板，第一反射區RA1相對於透射區TA與第二反射區RA2相對安置。即，第一反射區RA1及第二反射區RA2被透射區TA分離。如圖9中所展示，透射區TA及第一反射區RA1及第二反射區RA2中之單元間隙彼此相等。
第一像素電極191經由接觸孔185而實體連接且電連接至汲電極175之膨脹部分177，以使第一像素電極191接收來自汲電極175之資料電壓。詳言之，透射電極192經由接觸孔185直接接觸膨脹部分177。一暴露之透射電極192及共同電極270形成一透射LC電容器CL C 0 ，且第一反射電極194及共同電極270形成一第一反射LC電容器CL C 1 。
如圖8中所說明，透射電極192之每一者包括一朝向第二反射區RA2突出之突起。透射電極192之突起經由接觸孔188而實體連接且電連接至第二輔助電極176，以使透射電極192接收來自第二輔助電極176之資料電壓。第二反射區RA2中之第二反射電極196包括一環繞透射電極192之突起的凹面形狀。
第二輔助電極176分別重疊第一輔助電極127且被第二像素電極195重疊以形成一輔助電容器CA U X 。因為資料電壓被輔助電容器CA U X 劃分，所以第二像素電極195接收來自第二輔助電極176低於資料電壓的電壓。
第二像素電極195經由接觸孔189而實體連接且電連接至第一輔助電極127，以使第二像素電極195接收經由輔助電容器CA U X 所接收低於資料電壓的電壓。
第二反射LC電容器CL C 2 形成於第二像素電極195與共同電極270之間，且第二反射LC電容器CL C 2 串聯連接至輔助電容器CA U X 。
現將描述共同電極面板200。
在共同電極面板200中，稱作黑色矩陣之光阻構件220、複數個彩色濾光器230及共同電極270形成於絕緣基板210上。彩色濾光器230包括光孔240。將省略對與圖6及圖7之LCD元件相同的圖8及圖9之LCD元件的詳細描述。
將參看圖10描述用於使電壓－反射曲線與電壓－透射曲線重合之方法。
圖10展示一說明根據本發明之例示性實施例之例示性LCD之電壓－透射曲線及電壓－反射曲線的曲線圖。
當對應於影像訊號來自資料驅動器(未圖示)之資料電壓由開關元件Q經由資料線171被施加至透射電極192及第一反射電極194時，資料電壓與共同電壓Vcom之間之電壓差V(例如，像素電壓)形成於透射LC電容器CL C 0 與第一反射LC電容器CL C 1 之兩端子之間。然而，小於像素電壓V之電壓差V2歸因於輔助電容器CA U X 而形成於第二反射LC電容器CL C 2 之兩端子之間。如以上所描述，第二像素電極195接收低於資料電壓之電壓，因為資料電壓被輔助電容器CA U X 劃分。電壓差V2由以下等式1來描述。
電容器CA U X 及CL C 2 之每一者及其電容均由相同參考符號表示。
圖10中所展示之電壓－透射曲線VT代表相對於像素電壓V之變化，透射區TA中之亮度變化，且第一電壓－反射曲線VR1代表相對於像素電壓V之變化，反射區RA中之亮度變化。電壓－透射曲線VT及第一電壓－反射曲線VR1係基於由測試面板所量測之資料獲得。在測試面板中，反射區RA僅具有一反射區，即，擴大至第二反射區RA2的第一反射區RA1。第二電壓－反射曲線VR2係基於藉由使用等式1計算第一反射曲線VR1之資料而產生之資料來獲得的。第三電壓－反射曲線VR3係藉由綜合第一電壓－反射曲線VR1及第二電壓－反射曲線VR2來獲得的。圖10中所得曲線VT、VR1及VR2由第一反射區RA1與第二反射區RA2之面積比界定。
當第一電壓－反射曲線VR1、第二電壓－反射曲線VR2及第三電壓－反射曲線VR3分別由函數R1(V)、R2(V)及R3(V)代表時，經由以下等式2而獲得函數R3(V)。
[等式2]R3 (v )＝(1－AR )．RA 1(V )＋AR ．RA 2(V )＝(1－AR )．RA 1(V )＋AR ．RA 1(kV )此處，，，且A1及A2分別代表第一反射區RA1與第二反射區RA2之面積。即，AR代表第二反射區RA2與整個反射區之面積比，且k代表第二反射LC電容器CL C 2 上之電壓V2與像素電壓V之電壓比。
藉由改變面積比AR及電壓比k來執行一模擬，從而實現幾乎類似於電壓－透射曲線VT的第三電壓－反射曲線VR3。
參看模擬結果，當面積比AR自約0.4變化至約0.7且電壓比k自約0.69變化至約0.77時，第三電壓－反射曲線VR3最接近電壓－透射曲線VT。然而，以上數值可根據界定透射率、反射性等之各種因數而變化，且因此，可執行其他模擬以實現最類似於電壓－透射曲線VT之第三電壓－反射曲線VR3。
用於使電壓比k大約為0.73之輔助電容器CA U X 之電容由以下等式3來計算。
[等式3]0.73＝CA U X /(CA U X ＋CL C 2 ) CA U X ＝2.7 CL C 2
即，輔助電容器CA U X 之電容變成第二反射LC電容器CL C 2 電容的2.7倍。藉由調整輔助電容器CA U X 之大小、介電常數、介電質之厚度等來獲得輔助電容器CA U X 之所要電容。
將參看圖10及圖11至圖13來描述用於製得代表紅色像素(R像素)、代表綠色像素(G像素)及代表藍色像素(B像素)之電壓－反射曲線(該等三者分別彼此重合)的LCD。R、G及B像素代表分別具有彩色濾光器230之紅色濾光器、綠色濾光器及藍色濾光器的像素。
圖11展示一說明當根據本發明之例示性實施例之例示性LCD中反射區與R、G及B像素之面積比分別彼此相同時之電壓－反射曲線的曲線圖，圖12為根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的示意圖，且圖13展示一說明當圖12中所展示之例示性LCD中反射區與R、G及B像素之面積比分別彼此不同時之R、G及B像素的電壓－反射曲線的曲線圖。
圖11中所展示之電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB代表當第一反射區RA1及第二反射區RA2與R、G及B像素之面積比AR彼此分別相等時，藉由相對於R、G及B像素之每一者之個別第一反射區RA1及第二反射區RA2來綜合電壓－反射曲線(未圖示)所獲得之電壓－反射曲線。如圖11中所展示，電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB彼此不同。反射性為相對於波長之函數。因此，當分別施加相同電壓至R、G及B像素時，B像素之反射性歸因於藍光包括於短波長範圍中而最大，且R像素之反射性歸因於紅光包括於長波長範圍中而最小。B像素之電壓－反射曲線VRB位於G像素之電壓－反射曲線VRG之左側，且R像素之電壓－反射曲線VRR位於電壓－反射曲線VRG之右側。圖10中所展示之電壓－反射曲線VR1、VR2及VR3為全部R、G及B像素而不是R、G及B像素每一者的電壓－反射曲線。由於諸如LC層3之特徵、透射區TA之面積等特徵之已改變的模擬參數，因此圖10中所展示之電壓－反射曲線VR1、VR2及VR3不同於圖11中所展示之電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB。
參看圖12，R、G及B像素每一者之第一反射區RA1及第二反射區RA2之尺寸彼此不同。藉此，第二反射區RA2與R、G及B像素之每一者之總反射區RA的面積比AR彼此不同，且具體言之，B像素之第二反射區RA2之面積比AR係最大的且R像素之第二反射區RA2之面積比AR係最小的。然而，總反射區RA與R、G及B像素之每一者之透射區TA之面積比AR彼此相等。
根據圖12，因為B像素之第二反射區RA2之尺寸相對大於B像素之第一反射區RA1，所以電壓－反射曲線VRB向右移動，且因為R像素之第一反射區RA1之尺寸相對大於R像素之第二反射區RA2，所以電壓－反射曲線VRR向左移動。結果，藉由恰當調整R、G及B像素之每一者之面積比AR，電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB彼此重合。
模擬之結果為，當電壓比k係0.70且R、G及B像素之面積比AR分別為0.43、0.6及0.72時，如圖13中所展示，電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB彼此重合。當然，電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB與R、G及B像素之每一者之電壓－透射曲線重合。
輔助電容器CA U X 之電容可不同於R、G及B像素之每一者。第二反射LC電容器CL C 2 上之電壓V2與像素電壓V之電壓比k可基於輔助電容器CA U X 之電容而變化，且進而，電壓－反射曲線VRR、VRG及VRB可彼此重合。R、G及B像素之每一者之面積比AR及電壓比k可分別彼此不同。
如以上所描述，彩色濾光器230可過濾諸如紅色、綠色及藍色之三種色彩的一者，但是或者三種色彩可為黃色、青色及品紅色。在此情況下，反射區與三種像素之每一者之總面積的面積比彼此不同。
根據本發明之例示性實施例，每一反射區劃分成兩個子區。一資料電壓施加至兩個子區之一者，且低於資料電壓之電壓施加至另一子區。藉此，提供一種具有彼此重合之反射模式與透射模式伽馬曲線且具有大體上均一單元間隙的LCD。
藉由改變每一R、G及B像素中之反射區之面積比，R、G及B像素之每一者之電壓－反射曲線彼此重合，且藉此不管透射模式還是反射模式均獲得均一影像。
雖然上文中已詳細描述本發明之例示性實施例，但是應清楚瞭解，本文中所教示之熟習此項技術者可明白的基本發明性概念的許多變化及/或修改將仍屬於如附加之申請專利範圍中所界定之本發明之精神及範疇中。
3．．．液晶層
81,82．．．接觸助件
100．．．TFT陣列面板
110,210．．．絕緣基板
120,126,127,176．．．輔助電極
121,129．．．閘極線
124．．．閘電極
131．．．儲存電極線
137．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151,154．．．半導體
161,163,165．．．歐姆接觸
170．．．輸出電極
171,179．．．資料線
173．．．源電極
174,178．．．開口
175,177．．．汲電極
180,180p,180q．．．鈍化層
182,183,185,188,189．．．接觸孔
187,187a,187b．．．絕緣層
191,195．．．像素電極
192,193．．．透射電極
194,196．．．反射電極
200．．．共同電極面板
220．．．光阻構件
230．．．彩色濾光器
240．．．光孔
270．．．共同電極
CA U X ．．．輔助電容器
CL C 0 ．．．透射LC電容器
CL C 1 ,CL C 2 ．．．反射LC電容器
CS T ．．．儲存電容器
DAT．．．影像資料
DL．．．資料線
GL．．．閘極線
Q．．．開關元件
RA1,RA2．．．反射區
TA．．．透射區
圖1為根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的等效電路圖；圖2為根據本發明之例示性實施例之例示性LCD之例示性像素的等效電路圖；圖3為圖2中所展示之例示性LCD之例示性剖視圖；圖4及圖5分別為圖2中所展示之例示性LCD之其他例示性剖視圖；圖6為圖4中所展示之例示性LCD之例示性實施例的布局圖；圖7為圖6中沿線VII－VII截取之剖視圖；圖8為圖4中所展示之例示性LCD之另一例示性實施例的布局圖；圖9為圖8中沿線IX－IX截取之剖視圖；圖10展示一說明根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的電壓－透射曲線與電壓－反射曲線的曲線圖；圖11展示一說明當根據本發明之例示性實施例之例示性LCD中反射面積相對於R、G及B像素之面積比彼此分別大體上相同時之電壓－反射曲線的曲線圖；圖12為根據本發明之例示性實施例之例示性LCD的示意圖；及圖13展示一說明當圖12中所展示之例示性LCD中反射面積相對於R、G及B像素之面積比彼此分別不同時R、G及B像素之電壓－反射曲線的曲線圖。
3．．．LC層
100．．．TFT陣列面板
110．．．絕緣基板
120．．．輔助電極
137．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
170．．．輸出電極
183．．．接觸孔
184．．．接觸孔
187．．．絕緣層
192．．．透射電極
194．．．第一反射電極
196．．．第二反射電極
200．．．共同電極面板
210．．．絕緣基板
230．．．彩色濾光器
270．．．共同電極
CA U X ．．．輔助電容器
CL C 0 ．．．透射LC電容器
CL C 1 ．．．第一反射LC電容器
CL C 2 ．．．第二反射LC電容器
CS T ．．．儲存電容器
RA1．．．第一反射區
RA2．．．第二反射區
TA．．．透射區

Claims (29)

  1. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一基板；於該基板上形成之第一透射電極及第二透射電極；第一反射電極及第二反射電極，其分別連接至該第一透射電極及該第二透射電極；及第三反射電極及第四反射電極，其與該第一透射電極及該第二透射電極及該第一反射電極及該第二反射電極分離，其中該第一反射電極與該第三反射電極之一第一面積比不同於該第二反射電極與該第四反射電極之一第二面積比。
  2. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一反射電極及該第三反射電極之一總尺寸大體上等於該第二反射電極及該第四反射電極之一總尺寸。
  3. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含：一第三透射電極，其形成於該基板上；一第五反射電極，其連接至該第三透射電極；及一第六反射電極，其與該第三透射電極及該第五反射電極分離，其中該第五反射電極與該第六反射電極之一第三面積比不同於該第一面積比及該第二面積比。
  4. 如請求項3之薄膜電晶體陣列面板，其中該第五反射電極及該第六反射電極之一總尺寸大體上等於該第一反射電極及該第三反射電極之一總尺寸及該第二反射電極及該第四反射電極之一總尺寸。
  5. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該等透射電極、該第一反射電極及一連接至該等透射電極及該第一反射電極之第一導體中之至少一者重疊該第三反射電極或一連接至該第三反射電極之第二導體。
  6. 如請求項5之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一形成於該等透射電極與該第三反射電極之間之絕緣層。
  7. 如請求項5之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一形成於彼此重疊之該第一導體與該第二導體之間之第一絕緣層。
  8. 如請求項7之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一形成於該第一反射電極及該第三反射電極與該第一導體之間之第二絕緣層。
  9. 如請求項5之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一形成於彼此重疊之該第一反射電極與該第三反射電極之間之絕緣層。
  10. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一透射電極、該第一反射電極及該第三反射電極係形成於一第一像素區中，且該第二透射電極、該第二反射電極及該第四反射電極係形成於一第二像素區中。
  11. 如請求項10之薄膜電晶體陣列面板，其中一資料電壓係施加至該第一反射電極及該第二反射電極，且一低於該資料電壓之電壓係施加至該第三反射電極及該第四反射電極。
  12. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中在一透射區及一反射區中之該薄膜電晶體陣列面板之一高度係大體上恆定的。
  13. 一種包含複數個像素之液晶顯示器，每一像素包含：一透射液晶電容器；一第一反射液晶電容器，其連接至該透射液晶電容器；及一第二反射液晶電容器，其與該透射液晶電容器及該第一反射液晶電容器分離，其中該等像素具有一第一像素及一第二像素，該第一像素及該第二像素代表彼此不同之色彩，且該第一像素之一電壓－反射曲線大體上重合該第二像素之一電壓－反射曲線。
  14. 如請求項13之液晶顯示器，其中該第一像素之一電壓－透射曲線大體上重合該第一像素之該電壓－反射曲線。
  15. 如請求項13之液晶顯示器，其中該第二反射液晶電容器上之一電壓小於該第一反射液晶電容器上之一電壓。
  16. 如請求項13之液晶顯示器，其進一步包含一連接至每一像素之每一第二反射液晶電容器之輔助電容器。
  17. 如請求項16之液晶顯示器，其中該第一像素之該輔助電容器的電容與該第二像素之該輔助電容器的電容彼此不同。
  18. 如請求項16之液晶顯示器，其進一步包含一連接至該透射液晶電容器、該第一反射液晶電容器及該輔助電容器之開關元件。
  19. 如請求項18之液晶顯示器，其中該透射液晶電容器及該第一反射液晶電容器接收一來自該開關元件之資料電壓，且該第二反射液晶電容器經由該輔助電容器接收一小於該資料電壓之電壓。
  20. 如請求項18之液晶顯示器，其中該透射液晶電容器及該第一反射液晶電容器分別包含一透射電極及一連接至該開關元件之第一反射電極，且該第二反射液晶電容器包含一與該透射電極及該第一反射電極分離之第二反射電極。
  21. 如請求項20之液晶顯示器，其中該第一像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一面積比不同於該第二像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一面積比。
  22. 如請求項21之液晶顯示器，其中該第一像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一總面積大體上與該第二像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一總面積相等。
  23. 如請求項21之液晶顯示器，其中該等像素具有分別代表紅色、綠色及藍色之紅色像素、綠色像素及藍色像素，該紅色像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一第一面積比小於該綠色像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一第二面積比，且該藍色像素之該第一反射電極與該第二反射電極之一第三面積比大於該綠色像素之該第一反射電極與該第二反射電極之該第二面積比。
  24. 如請求項13之液晶顯示器，其中該等色彩包含紅色、綠色及藍色。
  25. 如請求項13之液晶顯示器，其中該液晶顯示器之一共同電極面板與一薄膜電晶體陣列面板之間之一單元間隙大體上均一。
  26. 一種重合一透射反射式液晶顯示器中鄰近像素之電壓－反射曲線的方法，該方法包含：將一透射電極及第一反射電極及第二反射電極配置於該液晶顯示器之每一像素中；將每一像素之該第一反射電極及該第二反射電極提供於一大體上相同之總面積中；及取決於與每一像素相關之一彩色濾光器之一色彩來區別每一像素之該第一反射電極與該第二反射電極之間之面積比。
  27. 如請求項26之方法，其中區別面積比包括為每一藍色像素之一第二反射電極提供一大於每一綠色像素之一第二反射電極之面積，及為每一綠色像素之一第二反射電極提供一大於每一紅色像素之一第二反射電極之面積。
  28. 如請求項26之方法，其進一步包含提供一資料電壓至每一像素之該透射電極及該第一反射電極，及提供一小於該資料電壓之電壓至每一像素之該第二反射電極。
  29. 如請求項26之方法，其進一步包含在該液晶顯示器之透射區與反射區之間提供一大體上均一單元間隙。
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