TWI406925B - 電路板基板及其製作方法 - Google Patents

Description

電路板基板及其製作方法

本發明涉及電路板技術領域，尤其涉及一種應用於電路板生產並具有電磁遮罩作用之電路板基板及其製作方法。

隨著科學技術之進步，印刷電路板於電子領域得到廣泛之應用。關於電路板之應用請參見文獻Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, A. Akahoshi, H. Mukoh, A. Wajima, M. Res. Lab, High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880，IEEE Trans. on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, 1992, 14(4): 418-425。

隨著電路板產品層數增加，電路板產品於實際工作時，往往會產生電磁干擾現象，影響電路板信號傳送。這樣，於電路板產品中需要設置電磁遮罩層。目前，採用之電磁遮罩層通常採用厚度較小之不銹鋼片製作，將不銹鋼片設置於電路板產品相鄰之兩銅箔層之間，以起到電磁遮罩之作用。然而，不銹鋼片之重量較大，從而增加電路板產品之重量。並且不銹鋼片之撓折性較差，採用不銹鋼片製作之電磁遮罩層影響柔性電路板撓折性能。不銹鋼片之價格較高，增加電路板之生產成本。

有鑑於此，提供一種能夠應用於電路板以起到電磁遮罩作用之電路板基板及其製造方法實屬必要。

一種電路板基板，其包括依次堆疊之第一金屬層、第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、絕緣基材層、第二環氧樹脂複合材料層、第二膠層及第二金屬層。所述環氧樹脂複合材料層由環氧樹脂複合材料組成，所述環氧樹脂複合材料包括端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管及無機分散材料，所述奈米碳管於所述環氧樹脂複合材料中所佔之重量百分比為4.6%至16%。

一種電路板基板製作方法，包括步驟：製作環氧樹脂複合材料，所述環氧樹脂複合材料包括端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管及無機分散材料，所述奈米碳管於所述環氧樹脂複合材料中所佔之重量百分比為4.6%至16%；提供絕緣基材層，所述絕緣基材層具有相對之第一表面及第二表面；將所述環氧樹脂複合材料塗佈於絕緣基材層之第一表面形成第一環氧樹脂複合材料層；將所述環氧樹脂複合材料塗佈於所述絕緣基材層之第二表面形成第二環氧樹脂複合材料層；提供第一金屬層及第二金屬層；於第一金屬層上形成第一膠層，於第二金屬層上形成第二膠層；依次疊放並壓合第一金屬層、第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、絕緣基材層、第二環氧樹脂複合材料層、第二膠層及第二金屬層；以及固化所述第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、第二環氧樹脂複合材料層及第二膠層。

相較於先前技術，本技術方案提供之電路板基板，其中間設置有環氧樹脂複合材料層，所述環氧樹脂複合材料層中具有分散均勻之奈米碳管而具有電磁遮罩作用，當所述電路板基板用於製作多層電路板時，所述環氧樹脂複合材料層能夠起到電磁遮罩作用，並能夠防止導電線路之間之離子遷移問題。並且，環氧樹脂複合材料層具有良好之柔韌性，相較於不銹鋼片，能夠增加柔性電路板之撓折性能，並且可降低電路板之生產成本。本技術方案提供之電路板基板之製作方法，能夠方便地製作所述電路板基板。

下面結合實施例對本技術方案提供之電路板基板及其製作方法進一步之詳細說明。

請參閱圖1，本技術方案提供一種電路板基板100，其包括依次堆疊之第一金屬層110、第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、絕緣基材層140、第二環氧樹脂複合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170。

絕緣基材層140用於承載第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150，並起到電絕緣之作用。本實施例中，絕緣基材層140之材質為聚醯亞胺。絕緣基材層140之厚度可根據實際需要進行設定，其厚度可為10微米至50微米，優選為25微米。

第一膠層120用於黏接第一環氧樹脂複合材料層130及第一金屬層110，並使得第一環氧樹脂複合材料層130及第一金屬層110之間相互電絕緣。本實施例中，第一膠層120採用之材料為熱固性環氧樹脂膠。第一膠層120之厚度約為8至20微米，優選為17微米。第二膠層160用於黏結第二環氧樹脂複合材料層150及第二金屬層170，並使得第二環氧樹脂複合材料層150與第二金屬層170相互電絕緣。第二膠層160採用之材料亦為熱固型環氧樹脂膠。第二膠層160之厚度亦約為8至20微米，優選為17微米。

第一金屬層110及第二金屬層170均用於電路板之製作過程中製作導電線路。本實施例中，第一金屬層110及第二金屬層170均為銅箔，其厚度約為10微米至25微米，優選為18微米。第一金屬層110及第二金屬層170亦可採用其他金屬材料如銀等製成。

第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150均用於起到電磁遮罩作用。第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150之厚度可根據實際需要遮罩之電磁干擾之強弱進行設定。第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150之厚度約為2微米至8微米，優選為3微米。第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150之厚度控制於此範圍內，可有效地避免電路板基板100發生翹曲等問題之產生，並且能夠防止製作形成之電路板於使用過程中出現離子遷移現象。第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150內之環氧樹脂複合材料包括端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管、無機分散材料、硬化劑、催化劑、溶劑及消泡劑。

所述端羧基聚合物改性之環氧樹脂為環氧樹脂與端羧基聚合物發生共聚合反應後之產物，即環氧樹脂末端之環氧基與端羧基聚合物之末端之羧基發生反應而生成一個酯基，從而得到有包括交替之環氧樹脂重複單元及端羧基聚合物之重複單元之聚合物。其中，環氧樹脂可為雙酚A型環氧樹脂，端羧基聚合物可為液態聚丁二烯丙烯腈(CTBN)。本實施例中，採用之環氧樹脂於未改性前之環氧當量為180至195，優選為188，羧基聚合物改性後之環氧樹脂之還氧當量為323至352，優選為337。端羧基聚合物改性之環氧樹脂於環氧樹脂複合材料中之重量百分比約為55%至65%，優選約為60%。

奈米碳管作為導電材料，其均勻分散於端羧基聚合物改性之環氧樹脂中，以起到電磁遮罩作用。奈米碳管於複合材料中所佔之重量百分比為4.6%至16%。複合材料中奈米碳管之含量多少可根據實際需要得到複合材料之導電性能進行確定。環氧樹脂複合材料中奈米碳管之含量越多，環氧樹脂複合材料之電阻越小，複合材料中奈米碳管之含量越少，環氧樹脂複合材料之電阻越大。

無機分散材料用於分散奈米碳管，以使得奈米碳管可均勻分佈於環氧樹脂複合材料中。所述無機分散材料為奈米黏土或者奈米雲母粉。所述奈米黏土為2：1之頁矽酸鹽，其具體可為蒙脫石（Montmorillonite，分子式為M_x （Al_4-x Mg_x ）Si₈ O₂₀ (OH)₄ ）、鋰蒙脫石（Hectorite，分子式為M_x （Mg_6-x Li_x ）Si₈ O₂₀ (OH)₄ ）或者皂石（Saponite，分子式為M_x Mg₆ （Si_8-x Al_x ）O₂₀ (OH)₄ ）等。其中，奈米碳管與無機分散材料之重量比為8比1至12比1。

所述硬化劑用於對複合材料起到硬化作用。本實施例中，採用之硬化劑為雙氰胺（Dicyandiamine），所述硬化劑於環氧樹脂複合材料所佔之重量百分比約為5%。硬化劑之用量應與端羧基聚合物改性之環氧樹脂相對應，其中端羧基聚合物改性之環氧樹脂與硬化劑之重量比約為13比1至14比1。

所述催化劑為2-十一烷基咪唑(2-Undecylimidazole)，催化劑之含量與端羧基聚合物改性之環氧樹脂之含量相互對應。催化劑於環氧樹脂複合材料中所佔之重量百分含量約為0.5%至1%，優選為0.65%。所述溶劑為二乙二醇單***醋酸酯(Diethylene glycol monoethyl ether acetate)，所述溶劑於環氧樹脂複合材料中之含量約為20%至25%，優選為24%。該溶劑用於溶解上述其他組分，以形成均勻之液態分散體系。所述消泡劑用於消除上述環氧樹脂複合材料中之泡沫，所述消泡劑於環氧樹脂複合材料中之重量百分比約為2%。所述消泡劑可為市售之臺灣淳政公司生產之2183H消泡劑。

優選地，於環氧樹脂複合材料中，端羧基聚合物改性之環氧樹脂之重量百分含量約為60.3%，奈米碳管之重量百分含量約為7.8%，無機分散材料之重量百分含量約為0.6%，硬化劑之重量百分含量約為4.5%、催化劑之重量百分含量約為0.65%，溶劑之重量百分含量約為24.3%，消泡劑之重量百分含量約為1.85%。

本技術方案還提供一種所述電路板基板100之製作方法，所述電路板基板100之製作方法包括如下步驟：

第一步，製作環氧樹脂複合材料。

本實施例中所述環氧樹脂複合材料可採用如下方法製作：

首先，採用端羧基聚合物改性環氧樹脂以得到端羧基聚合物改性之環氧樹脂。

將端羧基聚合物及環氧樹脂放置於於共同放置於反應容器中，並維持反應溫度為120攝氏度，於攪拌之條件下反應約3小時，從而得到端羧基聚合物改性後環氧樹脂。本實施例中，採用之環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂，其環氧當量為188。採用之端羧基聚合物可為液態聚丁二烯丙烯腈(CTBN)，反應後得到之改性後之還氧樹脂之環氧當量為337。經過上述反應，環氧樹脂末端之一個環氧基與端羧基聚合物末端之一個羧基相互結合，並脫除一個分子之水，從而得到一個酯基。從而相較於未進行改性之環氧樹脂，改性後之環氧樹脂具有良好之柔軟性。當然，採用之環氧樹脂不限於本實施例提供之雙酚A型環氧樹脂，其亦可為其他類型之環氧樹脂。採用之端羧基聚合物亦不限於本實施例中提供之液態聚丁二烯丙烯腈，其亦可為端羧基聚酯等聚合物。

然後，將奈米碳管均勻分散於無機分散材料中以形成分散均勻之奈米碳管分散體。

採用物理方式將奈米碳管分散於無機分散材料中。所述無機分散材料可為層狀奈米黏土或者奈米雲母粉。本實施例中，選用之無機分散材料為層狀奈米黏土。配置重量比8至12比1之奈米碳管與層狀奈米黏土，並藉由攪拌或者震盪之方式混合，使得奈米碳管均勻分散於所述層狀奈米黏土中。採用之層狀奈米黏土可為2：1之頁矽酸鹽，其具體可為蒙脫石、鋰蒙脫石或者皂石等。採用之奈米碳管可為單壁奈米碳管，亦可為多壁奈米碳管。

最後，將端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進行混合並研磨分散，從而得到環氧樹脂複合材料。

本實施例中，採用三滾筒式研磨分散機對所述之端羧基聚合物改性環氧樹脂、奈米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑進行研磨分散。將上述端羧基聚合物改性環氧樹脂、奈米碳管分散體、溶劑、硬化劑、催化劑及消泡劑按照上述各自之含量投入於三滾筒式研磨分散機中，啟動三滾筒式研磨分散機以進行研磨分散，從而使得上述各組成中固體成份均勻分散於於液體成分中，從而形成分散均勻之環氧樹脂複合材料。本實施例中，於上述各成分中，端羧基聚合物改性之環氧樹脂之重量百分含量約為60.3%，奈米碳管之重量百分含量約為7.8%，無機分散材料之重量百分含量約為0.6%，硬化劑之重量百分含量約為4.5%、催化劑之重量百分含量約為0.65%，溶劑之重量百分含量約為24.3%，消泡劑之重量百分含量約為1.85%。

為了得到不同表面電阻率之環氧樹脂複合材料，可藉由改變投料時奈米碳管分散體之用量進行控制。當奈米碳管佔複合材料之重量百分比為4.6%至16%之間，環氧樹脂複合材料表面電阻率變化區間約為十萬歐姆至十歐姆之間。其中，環氧樹脂複合材料中奈米碳管之含量越大，環氧樹脂符合材料之表面電阻率越小。

藉由所述方法製作之環氧樹脂複合材料，其黏度可達到70000厘泊，外觀呈現黑色，微弱反光。於顯微鏡放大100倍觀測下，無孔洞。並具有良好之附著特性及焊錫特性，並且能夠耐酸、堿及溶劑之腐蝕。溫度為25攝氏度時，於重量百分含量為10%之鹽酸或重量百分含量為10%之氫氧化鈉溶液中浸泡0.5小時，均無剝落現象。於丙酮中浸泡17小時後進行百格附著測試，亦無剝落現象。

請參閱圖2，第二步，提供絕緣基材層140。

絕緣基材層140為一層絕緣基材膜，其可由聚醯亞胺(PI)製成。絕緣基材層140之厚度為10微米至50微米。絕緣基材層140具有相對之第一表面141及第二表面142。

請參閱圖3，第三步，將所述環氧樹脂複合材料塗佈於絕緣基材層140之第一表面141，以形成第一環氧樹脂複合材料層130。

本實施例中，採用狹縫式塗佈機將液態之環氧樹脂複合材料塗佈於絕緣基材層140之第一表面141，以形成第一環氧樹脂複合材料層130。本實施例中由於採用狹縫式塗佈機進行塗佈，可控制形成之第一環氧樹脂複合材料層130之厚度滿足要求並且塗層均勻。本實施例中，形成之第一環氧樹脂複合材料層130之厚度為2微米至20微米，優選為3至10微米。第一環氧樹脂複合材料層130具有遠離絕緣基材層140之第三表面131。

第四步，對第一環氧樹脂複合材料層130進行處理，以使得第一環氧樹脂複合材料層130半固化。

本實施例中，第一環氧樹脂複合材料層130固化採用之方法為預烘烤處理。於對第一環氧樹脂複合材料層130進行預烘烤之持續之時間約為15分鐘，預烘烤時保持之溫度約為80攝氏度。藉由進行預烘烤處理，使得第一環氧樹脂複合材料層130中之部分溶劑揮發，使得第一環氧樹脂複合材料層130為半固化狀態。

請參閱圖4，第五步，於絕緣基材層140之第二表面142上形成第二環氧樹脂複合材料層150。

本實施例中，第二環氧樹脂複合材料層150亦藉由狹縫式塗佈機塗佈形成。第二環氧樹脂複合材料層150之厚度為2微米至20微米，優選為3至10微米。第二環氧樹脂複合材料層150具有遠離絕緣基材層140之第四表面151。

第六步，對第二環氧樹脂複合材料層150進行處理，以使得第二環氧樹脂複合材料層150半固化。

本實施例中，第二環氧樹脂複合材料層150固化採用之方法為預烘烤處理。於對第二環氧樹脂複合材料層150進行預烘烤之持續之時間約為15分鐘，預烘烤時保持之溫度約為80攝氏度。藉由進行預烘烤處理，第二環氧樹脂複合材料層150中之部分溶劑揮發，使得第二環氧樹脂複合材料層150為半固化狀態。

請參閱圖5，第七步，提供第一金屬層110及第二金屬層170。

本實施例中，第一金屬層110及第二金屬層170均為銅箔，其厚度約為10微米至25微米。第一金屬層110具第五表面111，第二金屬層170具有第六表面171。

請參閱圖6，第八步，於第一金屬層110之第六表面171上塗佈形成第一膠層120，於第二金屬層170之第六表面171上塗佈形成第二膠層160。

本實施例中，採用狹縫式塗佈機將液態之膠層材料塗佈於第一金屬層110之第五表面111及第二金屬層170之第六表面171。採用之液態膠層材料為熱固性環氧樹脂膠，控制形成之第一膠層120之厚度及第二膠層160之厚度均為8至15微米。

於塗佈形成第一膠層120及第二膠層160之後，還可進一步包括對形成之第一膠層120及第二膠層160進行烘烤之步驟，使得形成之第一膠層120及第二膠層160半固化狀態，以方便存儲及應用。本實施例中，對形成之第一膠層120及第二膠層160進行烘烤之時間為15分鐘，烘烤持續之時間為80攝氏度。

請參閱圖7，第九步，依次疊放並壓合第一金屬層110、第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、合絕緣基材層140、第二環氧樹脂複合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170，從而得到電路板基板100。

本實施例中，採用滾輪壓合之方式對第一金屬層110、第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、合絕緣基材層140、第二環氧樹脂複合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170進行壓合，壓合時控制之溫度為100攝氏度，壓合之速率為1米每分鐘，壓合時之壓力為4至25千克力每平方釐米。藉由壓合之後，使得第一金屬層110、第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、合絕緣基材層140、第二環氧樹脂複合材料層150、第二膠層160及第二金屬層170成為一個整體。

第十步，固化第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、第二環氧樹脂複合材料層150及第二膠層160。

本實施例中，採用熟化處理之方式使得第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、第二環氧樹脂複合材料層150及第二膠層160固化。進行熟化處理時，熟化處理之溫度為180攝氏度，熟化處理之時間為60分鐘。經過熟化處理，使得半固化之第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、第二環氧樹脂複合材料層150及第二膠層160固化，並且，由於第一膠層120及第二膠層160之材料中具有環氧樹脂，具有環氧基官能團，第一環氧樹脂複合材料層130及第二環氧樹脂複合材料層150亦具有環氧基官能團，於第一環氧樹脂複合材料層130及第一膠層120相互接觸之表面、第二環氧樹脂複合材料層150與第二膠層160相互接觸之表面，各環氧樹脂複合材料層中之材料及膠層之材料之間發生化學反應，從而使得相鄰之環氧樹脂複合材料層及膠層成為一體。並且第一膠層120、第一環氧樹脂複合材料層130、第二環氧樹脂複合材料層150及第二膠層160均具有較高之黏度，於其固化後，均黏結與其相鄰之絕緣基材層140、第一金屬層110或第二金屬層170，從而得到電路板基板100。

本技術方案提供之電路板基板，其中間設置有環氧樹脂複合材料層，所述環氧樹脂複合材料層中具有分散均勻之奈米碳管而具有電磁遮罩作用，當所述電路板基板用於製作多層電路板時，所述環氧樹脂複合材料層能夠起到電磁遮罩作用，並能夠防止導電線路之間之離子遷移問題。並且，環氧樹脂複合材料層具有良好之柔韌性，相比於於現有技術中之不銹鋼片，能夠增加柔性電路板之撓折性能，並且可降低電路板之生產成本。本技術方案提供之電路板基板之製作方法，能夠方便地製作所述電路板基板。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧電路板基板

110‧‧‧第一金屬層

111‧‧‧第五表面

120‧‧‧第一膠層

130‧‧‧第一環氧樹脂複合材料層

131‧‧‧第三表面

140‧‧‧絕緣基材層

141‧‧‧第一表面

142‧‧‧第二表面

150‧‧‧第二環氧樹脂複合材料層

151‧‧‧第四表面

160‧‧‧第二膠層

170‧‧‧第二金屬層

171‧‧‧第六表面

圖1係本技術方案實施方式提供之電路板基板之剖視圖。

圖2係本技術方案實施例提供之絕緣基材之剖視圖。

圖3係本技術方案實施例提供之於絕緣基材之第一表面形成第一環氧樹脂複合材料層後之剖視圖。

圖4係本技術方案實施例提供之於絕緣基材之第二表面形成第二環氧樹脂複合材料層後之剖視圖

圖5係本技術方案實施例提供之第一金屬層及第二金屬層之剖視圖。

圖6係本技術方案實施例提供之第一金屬層上形成第一膠層及於第二金屬層上形成第二膠層後之剖視圖。

圖7係本技術方案實施例提供之依次堆疊第一金屬層、第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、絕緣基材層、第二環氧樹脂複合材料層、第二膠層及第二金屬層後之示意圖。

100‧‧‧電路板基板

110‧‧‧第一金屬層

120‧‧‧第一膠層

130‧‧‧第一環氧樹脂複合材料層

140‧‧‧絕緣基材層

150‧‧‧第二環氧樹脂複合材料層

160‧‧‧第二膠層

170‧‧‧第二金屬層

Claims (11)

1. 一種電路板基板，其包括依次堆疊之第一金屬層、第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、絕緣基材層、第二環氧樹脂複合材料層、第二膠層及第二金屬層，所述環氧樹脂複合材料層由環氧樹脂複合材料組成，所述環氧樹脂複合材料包括端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管及無機分散材料，所述奈米碳管於所述環氧樹脂複合材料中所佔之重量百分比為4.6%至16%。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述端羧基聚合物改性之環氧樹脂為液態聚丁二烯丙烯腈改性之雙酚A型環氧樹脂。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述端羧基聚合物改性之環氧樹脂於環氧樹脂複合材料中之重量百分比為55%至65%。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述無機分散材料為奈米黏土或者奈米雲母粉。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述奈米碳管與無機分散材料之重量比為8至12比1。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述環氧樹脂複合材料複合材料還包括硬化劑、溶劑、催化劑及消泡劑，所述硬化劑為雙氰胺，所述溶劑為二乙二醇單***醋酸酯，所述催化劑為2-十一烷基咪唑。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電路板基板，其中，所述環氧樹脂複合材料層之厚度為2微米至8微米。
8. 一種電路板基板製作方法，包括步驟：
   製作環氧樹脂複合材料，所述環氧樹脂複合材料包括端羧基聚合物改性之環氧樹脂、奈米碳管及無機分散材料，所述奈米碳管於所述環氧樹脂複合材料中所佔之重量百分比為4.6%至16%；
   提供絕緣基材層，所述絕緣基材層具有相對之第一表面及第二表面；
   將所述環氧樹脂複合材料塗佈於絕緣基材層之第一表面形成第一環氧樹脂複合材料層；
   將所述環氧樹脂複合材料塗佈於所述絕緣基材層之第二表面形成第二環氧樹脂複合材料層；
   提供第一金屬層及第二金屬層；
   於第一金屬層上形成形成第一膠層，於第二金屬層上形成第二膠層；
   依次疊放並壓合第一金屬層、第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、絕緣基材層、第二環氧樹脂複合材料層、第二膠層及第二金屬層；以及
   固化所述第一膠層、第一環氧樹脂複合材料層、第二環氧樹脂複合材料層及第二膠層。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電路板基板製作方法，其中，製作所述環氧樹脂複合材料包括步驟：
   採用端羧基聚合物對環氧樹脂進行改性以得到端羧基聚合物改性之環氧樹脂；
   將奈米碳管均勻分散於無機分散材料中，以得到奈米碳管分散體；以及
   將所述端羧基聚合物改性之環氧樹脂與奈米碳管分散體進行混合並研磨分散，以得到環氧樹脂複合材料。
10. 如申請專利範圍第8項所述之電路板基板製作方法，其中，所述環氧樹脂複合材料採用狹縫式塗佈機塗佈於絕緣基材層之第一表面及第二表面，所述第一環氧樹脂複合材料層及第二環氧樹脂複合材料層之厚度均為2微米至8微米。
11. 如申請專利範圍第8項所述之電路板基板製作方法，其中，於塗佈形成第一環氧樹脂複合材料層之後，還包括對第一環氧樹脂複合材料層進行預烘烤以使得第一環氧樹脂複合材料層半固化之步驟，於塗佈形成第二環氧樹脂複合材料層之後，還包括對第二環氧樹脂複合材料層進行預烘烤以使得第二環氧樹脂複合材料層半固化之步驟。