TWI406030B - 顯示裝置 - Google Patents

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Description

顯示裝置 發明背景 1.發明範圍
本發明係關於顯示裝置，且更特定地關於具有共用電極的顯示裝置，此共用電極具有不同寬度的切除部。
 2.相關技藝之描述
一液晶顯示(LCD)裝置包括兩個面板，其提供例如一像素電極及一共用電極的電場-產生電極，及一插置在面板間的液晶(LC)。LCD裝置藉由施加電壓至電場-產生電極以產生一電場在LC層來顯示影像，此電場決定LC分子在LC層的方位。LCD裝置因為其特性而廣泛地使用在許多電子裝置，其特性為低電壓操作，低電力消耗及低重量。
然而，LCD裝置容易受限在視角的範圍中。為了使視角變廣，已發展一垂直配向(VA)型LCD裝置，其具有切除部在電場-產生電極中，或凸出部在電場-產生電極上。
切除部及凸出部能使LC分子的傾斜方向被分散為數個方向以使視角變廣。因此，一傳統VA型LCD裝置具有一使對比率相當於約1比10的廣視角。
雖然視角可在一VA型LCD裝置中變廣，但VA型LCD裝置仍具有許多缺點。例如，側面的能見度品質和前面的能見度品質比起來差很多。當LCD裝置已使用在多媒體裝置時，側面的能見度變得更重要。
 圖式簡單說明
本發明的上述及其他優點將參照下面詳細的描述連同伴隨的圖式而變得顯而易見，其中：第1圖為根據本發明之一典型具體實施例之液晶顯示(LCD)裝置的TFT(薄膜電晶體)陣列面板的頂面圖；第2圖為根據本發明之一典型具體實施例之LCD裝置的共用電極的頂面圖；第3圖為具有第1圖之TFT陣列面板及第2圖之共用電極的LCD裝置的頂視圖；第4圖為沿著第3圖之線IV-IV’的橫截面圖；第5圖為如第3圖所示之LCD裝置的等量電路原理圖；第6圖為例示共用電極之切除部的寬度作為施加至LC電容器之電壓的函數曲線圖。
發明概要
本發明的一態樣指的是具有一改善的圖像品質的顯示裝置。在一具體實施例中，顯示裝置包括一第一基板，一第一次像素電極及一第二次像素電極，其等形成在此第一基板上，一第二基板，其覆於第一基板上方，以及一共用電極，其具有形成在第二基板上的第一切除部及第二切除部。要注意的是這裡說的覆於上方指的是相對的關係，以致於覆於上方也可以包括第二基板的方位在第一基板下方。第二次像素電極與第一次像素電極分開。第一切除部設置在第一次像素電極上方，且第二切除部設置在第二次 像素電極上方。第一切除部的至少一部分具有一第一寬度，且第二切除部的至少一部分具有一不同於第一寬度的第二寬度。一施加至第一次像素電極的電壓不同於施加至第二次像素電極的電壓。在一具體實施例中第一寬度大於第二寬度約百分之10至約百分之62，約百分之15至約百分之40。在一具體實施例中第一寬度大於第二寬度約1.0μm至約4.0μm，約1.5μm至約3.0μm。
在另一具體實施例中，顯示裝置包括第一基板，一閘線，其形成在此第一基板上，一數據線，其與形成在第一基板上的閘線相交，一薄膜電晶體，其連接至閘線及數據線，一第一次像素電極，其連接至此薄膜電晶體，一耦合電極，其連接至第一次像素電極，一第二次像素電極，其與此第一次像素電極分開，一第二基板，其對應於此第一基板，以及一共用電極，其具有形成在第二基板上的第一切除部及第二切除部。第二次像素電極與耦合電極重疊。第一切除部設置在第一次像素電極上方且第二切除部設置在第二次像素電極上方。第一切除部的至少一部分具有一第一寬度，且第二切除部的至少一部分具有一不同於第一寬度的第二寬度。一施加至第一次像素電極的電壓不同於一施加至第二次像素電極的電壓。第一寬度大於第二寬度約10%至62%，在一具體實施例中約15%至40%。第一寬度大於第二寬度約1.0μm至4.0μm，在一具體實施例中約1.5μm至3.0μm。
對應於次像素電極的電壓變動切除部的寬度增進顯示 裝置的開口率。因此，增進顯示裝置的亮度，且可降低例如殘影，污點或指紋的缺點。
 較佳實施例之詳細說明
本發明將參照伴隨的圖式更完整地描述在下文中，伴隨的圖式顯示本發明的較佳具體實施例。然而，本發明可以不同的形式實施，不應該受限於此所定義的具體實施例。
在圖式中，層，薄膜及區域的厚度為了清楚示而放大。在全文中相同的數字表示相同的元件。應該要了解的是當例如層，薄膜，區域或基板的元件被表示為在另一元件上時，其可以是直接地位於另一元件上或是也可出現位於其間的元件。相反地，當一元件被表示為直接地在另一元件上時，沒有出現位於其間的元件。
其後，根據本發明之一具體實施例的液晶顯示(LCD)裝置將參照伴隨的圖式描述在下文中。
第1圖為根據本發明之一典型具體實施例之液晶顯示(LCD)裝置的TFT(薄膜電晶體)陣列面板的頂面圖。第2圖為根據本發明之一典型具體實施例之LCD裝置的共用電極的頂面圖。第3圖為具有第1圖之TFT陣列面板及第2圖之共用電極的LCD裝置的頂視圖。第4圖為沿著第3圖之線IV-IV’的橫截面圖。
參照第4圖，根據本發明之一典型具體實施例的LCD裝置400包括一薄膜電晶體(TFT)陣列面板100，一共用電極面板200，以及一液晶(LC)層300，其***置在TFT陣列面板100 及共用電極面板200間。
其後，將參照第1，第3及第4圖描述TFT陣列面板100在下文中。
數個閘線121及數個儲存電極線131形成在第一基板110上。第一基板110可包括一例如玻璃的透明絕緣材料。
閘線121被構形為傳輸閘極信號且延伸於一實質上橫的方向。每一閘線121向下及向上凸出以形成一閘極124。延伸的閘線121可連接至一與第一基板110一體成型的驅動電路(未顯示)。可擇地，一或多個閘線121可具有一端部(未顯示)，其具有一用來與另一層連接的相對大地區域，或一外部驅動電路，其可安裝在第一基板110上或安裝在例如可撓式印刷電路板(未顯示)的其他裝置上。
也延伸於實質上橫的方向的儲存電極線131連接至數組儲存電極。儲存電極的每一組包括一第一儲存電極133a，一第二儲存電極133b，此兩者延伸於實質上縱的方向，以及一第三儲存電極133c，其延伸於實質上橫的方向。第三儲存電極133c將第一儲存電極133a連接至第二儲存電極133b在第一及第二儲存電極133a和133b的實質中間點。第一及第二儲存電極133a和133b的每一具有一連接至儲存電極線131的端點。一例如共用電壓的預定電壓被施加至儲存電極線131，此預定電壓施加至位於LCD裝置之共用電極面板200上的共用電極270。儲存電極的構形可具有不同的模組。例如，每一儲存電極可包括第一及第二儲存電極，其延伸在一實質上縱的方向，第三及第四儲存電極，及延 伸在一實質上斜的方向。在此構形中，當延伸時第一電極實質上平行於第二電極，且第三電極實質上垂直於第四儲存電極。第一電極經由第三及第四電極連接至第二電極。
在一具體實施例中，閘線及121及儲存電極線131之每一包括一包含例如鋁或鋁合金之金屬的鋁(Al)，一包含例如銀或銀合金之金屬的銀(Ag)，一包含例如鉬或鉬合金之金屬的鉬(Mo)，銅(Cu)，鉻(Cr)，鈦(Ti)或鉭(Ta)。閘線121及儲存電極線131之每一可具有數層結構，其包括兩個具有不同物理特性的薄膜。一層包括一例如鉻，鉬或鉬合金，鈦或鉭的材料，其具有良好的與其他例如，但不受限於，銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)接觸的特性。另一層包括一低電阻性材料，例如，但不受限於，一包含例如鋁或鋁合金之金屬的鋁(Al)，一包含例如銀或銀合金之金屬的銀(Ag)，為的是降低在閘線121及儲存電極線131中的信號延遲或電壓降。例如，一包括鋁之上層及一包括鉻之下層的結合，或一包括鉬之上層及一包括鋁之下層的結合可以是適合的。在其他具體實施例中，閘線121及儲存電極線131可包括其他不同的傳導材料。
在一些具體實施例中，閘線121及儲存電極線131的側面可相對於第一基板110的一表面傾斜於一在約30至80度間之範圍內的傾斜角度。
一閘極絕緣層140可形成在具有閘線121及儲存電極線131的第一基板110上。在一具體實施例中，此絕緣層140包括氮化矽(SiNx)。
然後在一具體實施例中，包括氫化非晶形矽(其後縮寫為’a-Si’)，或多晶矽的數個半導體條片151形成在閘極絕緣層140上，每一半導體條片151可延伸於一實質上縱長的方向且具有數個朝向閘極124分支出去的凸出部154。
在一具體實施例中，數個歐姆接觸條片161和165形成在半導體條片151上。歐姆接觸條片161和165可包括矽化物或大大地塗以n型雜質的n+氫化非晶形矽。每一歐姆接觸條片161具有一凸出部163。凸出部163及歐姆接觸條片165位於半導體條片151的凸出部154上。
除此之外，在一具體實施例中，半導體條片151及歐姆接觸條片161和165的側面相對於第一基板110的表面傾斜於一在約30至80度間之範圍內的傾斜角度。
數條數據線171，數個汲極175，及數個橋下金屬片172形成在歐姆接觸條片161和165及閘極絕緣層140上。
數據線171被構形為傳輸數據信號且延伸於一實質上與閘線121及儲存電極線131相交的縱長方向。每一數據線171設置在兩個鄰近的第一及第二儲存電極133a和133b間。每一數據線171具有一端部，其具有一相對大的區域用來與其他層或外部裝置接觸。數據線171可包括數個分支，其等朝向汲極175凸出。這些分支形成源極173。
如例示地所示，延伸位於半導體條片151之凸出部154上的汲極175的棒形端部，然後部分地擴張此端部用來與其他層連接。此被擴張的部分沿著第二儲存電極133b延伸，彎曲成’<’形，然後再次沿著第二儲存電極133b延伸。從擴 張部延伸的部分稱為’耦合電極’。
每一源極173可被彎曲，以致於彎曲的部分部分地密封汲極175的端部。閘極124，源極173，汲極175及半導體條片151的凸出部154一起形成一TFT。一TFT溝槽形成在位於源極173和汲極175間的凸出部154。
一橋下金屬片172與閘線121在第一儲存電極133a的端部附近重疊。
在一具體實施例中，數據線171，汲極175和橋下金屬片172包括一耐火金屬，例如但不受限於，鉬，鉻，鉭，鈦或鋁或其等之合金。這些元件之每一可具有數層結構，其包括一包含一耐火金屬的層及包含一低電阻材料的另一層。多層結構的例子包括如上所述之一包含鋁之上層及一包含鉻之下層的結合，或一包含鉬之上層及一包含鋁之下層的結合。
像閘線121及儲存電極線131，數據線171，汲極175和橋下金屬片172可具有逐漸變小的側面，其具有一相對於第一基板110之表面，在約30至80度間之範圍內的傾斜角度。
歐姆接觸條片161和165***置在半導體條片151和數據線171間，在半導體條片151和源極173間，以及在半導體條片151和汲極175間以降低位於其間的接觸阻力。
一鈍化層180可形成在數據線171，汲極175，及半導體條片151之被暴露的部分上。在一具體實施例中，鈍化層180包括一光阻有機材料，其給予平坦的特性。如例示地，這樣的材料可包括一低介電絕緣材料，其具有低於約4.0的介 電常數，例如但不受限於，a-Si：C：O或a-Si：O：F。這樣的材料可藉由電漿輔助化學氣向沉積(PECVD)方法來形成。可擇地，此材料可包括一無機材料，例如氮化矽或氧化矽。鈍化層180可包括一無機底薄膜或一有機頂薄膜。
鈍化層180具有數個接觸孔182和185，其分別地暴露數據線171的端部及汲極175的至少端部。鈍化層180也具有數個接觸孔183和184，其分別地暴露第一儲存電極133a的凸出部，及位於第一儲存電極133a相對於被暴露之凸出端部的端部附近的儲存電極線131。接觸孔183和184也暴露閘極絕緣層140。
在一具體實施例中，數個像素電極190之每一具有一對第一及第二次像素電極190a和190b，數個接觸輔助器82及數個儲存天橋91形成在鈍化層180上。像素電極190，接觸輔助器82及儲存天橋91包括一例如ITO及IZO的透明傳導材料，或具有例如鋁之高反射性的不透明傳導材料在一具體實施例中。
第一次像素電極190a經由接觸孔185電氣地連接至汲極175，以便於數據電壓施加至第一次像素電極190a。第二次像素電極190b適於耦合至第一次像素電極190a，因為電氣地連接至第一次像素電極190a的耦合電極176與第二次像素電極190b重疊。
當數據電壓施加至第一次像素電極190a時，第一次像素電極190a和適於耦合至第一次像素電極190a的第二次像素電極190b與一共用電極270合作，產生電場以重新定向LC 分子310在LC層300。
每一次像素電極190a和190b與共用電極270形成一電容器(其後稱為液晶電容器)，以致於被施加的電壓在TFT關閉後被儲存。為了增進電壓儲存容量，提供其他的電容器，其等平行地連接至液晶電容器。這些電容器被稱為儲存電容器。儲存電容器藉由將像素電極190a和190b與包括儲存電極133a，133b和133v的儲存電極線131重疊來實施。
每一次像素電極190可具有一斜切的邊緣。在一具體實施例中，此斜切的邊緣相對於閘線121傾斜於約45度的角度。
第一次像素電極190a和第二次像素電極190b彼此銜接且包圍一開放的空間(其後稱為一’間隙’)，以致於它們的外邊界具有一實質地矩形外型。在一具體實施例中，第二次像素電極190b可被成形為像一旋轉的等邊梯形。第二次像素電極190b可具有一左邊，其設置在第一儲存電極133a附近，一右邊，其設置在第二儲存電極133b附近，以及一對頂及底斜邊，其每一相對於閘線121呈45度。第一次像素電極190a可包括一對面向第二次像素電極190b之斜邊的向右轉的梯形部，以及一面向第二次像素電極190b之左邊的縱長部。因此，位於第一次像素電極190a及第二次像素電極190b間的間隙194可包括一對斜的底及頂部191和193。每一斜部具有一實質上均勻的寬度且相對於閘線121呈約45度。間隙194也可包括一具有實質上均勻寬度的縱長部195。如圖所示，斜部191和193長於縱長部195。
第二次像素電極190b可具有一沿著儲存電極線131延伸的切除部192以實質上將第二次像素電極190b平分為底分隔部及頂分隔部。切除部192可從第二次像素電極190b的右邊具有一入口。除此之外，切除部192的入口可具有一對斜邊，其每一實質上平行於間隙194的底斜邊部191和頂斜邊部193。間隙194及切除部192之每一實質上在第三儲存電極133c附近是對稱的。
分隔部的數量或切除部的數量可依據一設計因素而變動，例如像素之尺寸，第一及第二次像素電極190a和190b之橫邊及縱邊的比率，及LC層300的特性。其後，為了描述的方便，間隙194被稱為’切除部’。
與閘線131相交的儲存天橋91分別地連接至經由接觸孔183和184而暴露的第一儲存電極133a的暴露凸出端部和儲存電極線131的暴露部分。與橋下金屬片172重疊的儲存天橋91可電氣地連接至橋下金屬片172。具有儲存電極133a，133b和133c，儲存天橋91和橋下金屬片172的儲存電極線131可為了在閘線121，數據線171或TFTs上的修補效應而使用。為了閘線121之修補而位於閘線121和儲存電極線131間的電氣連接可藉由照射一雷射光束在閘線121和儲存天橋91的相交點上而完成。在此例中，橋下金屬片172加強位於閘線121和儲存天橋91間的電氣連接。
接觸輔助器82經由接觸孔182連接至數據線171的端部。接觸輔導器82保護數據線171的端部，且增進數據線171之端部與外部裝置的黏著性。接觸輔助器82為光學元件。
其後，將參照第2，第3和第4圖描述共用電極面板200於下文中，省略光阻斷構件及彩色濾光片。
一例如黑矩陣之避免光漏洩的光阻斷構件220形成在包括一例如玻璃之透明絕緣材料的第二基板210上。光阻斷構件220可包括數個面向像素電極190的開口。開口的外形可實質上相同於像素電極190的外形。光阻斷構件220可具有許多外形，其用來阻斷在如第1圖所示之像素電極190a和190b及TFTs附近漏洩的光。
數個彩色濾光片230可形成在第二基板210上。彩色濾光片230主要地設置在由光阻斷構件220包圍的區域上。彩色濾光片230可沿著像素電極190延伸於縱長方向。彩色濾光片230可表現例如紅色，綠色及藍色之主要色彩之一。
一使成為一平坦表面的保護膜250可形成在彩色濾光片230及光阻斷構件220上以覆蓋被暴露的彩色濾光片230。
例如包括一如ITO或IZO之透明傳導材料的共用電極270可形成在保護膜250上。共用電極270可包括數組切除部271，272和273。面向像素電極190的數組切除部271，272和273包括一底切除部271，一中切除部272及一頂切除部。切除部271，272和273設置在像素電極190的鄰近切除部192和194間，或在切除部194和像素電極190的斜邊(參第1圖)間。除此之外，切除部271，272和273之每一具有至少一平行於底切除部191或像素電極190之頂切除部193延伸的斜部。切除部271，272和273之每一實質上在第三儲存電極133c附近是對稱的。
如第2圖所示，底及頂切除部271和273之每一可包括一斜部，一橫向部及一縱長部。斜部從像素電極190的左邊延伸至像素電極190的底或頂邊。當與像素電極190的邊緣重疊時，橫向部及縱長部兩者從斜部的每一端沿著像素電極190的邊緣延伸。位於斜部及橫向或縱長部間的角度是鈍的。
在一具體實施例中，中切除部272可具有一中間橫向部，一對斜部及一對末端縱長部。中間橫向部大約從像素電極190的左邊沿著第三儲存電極133c延伸。一對斜部從中間橫向部的端部延伸至約像素電極190的右邊。位於中間橫向部及斜部間的角度是鈍的。一對末端縱長部從各個斜部的端部沿著像素電極190的右邊延伸。一對末端縱長部可與像素電極190的右邊重疊。位於縱長部及斜部間的角度是鈍的。雖然中切除部272大約與第二次像素電極190b重疊，但中切除部272的一些部分可與切除部194或第一次像素電極190a重疊。
參照第2圖，底切除部271的至少一部分及頂切除部273的至少一部分之每一具有一第一寬度W1，且中切除部272的至少一部分具有一第二寬度W2。第一寬度W1不同於第二寬度W2。在一具體實施例中，第一寬度W1大於第二寬度W2。
第一寬度W1根據位於第一次像素電極190a及共用電極270間的電壓而變動，且第二寬度W2根據位於第二次像素電極2+0b及共用電極270間的電壓而變動。例如，當位於 第一次像素電極190a及共用電極270間的最大電壓差相當於約5.6V至7.0V時，第一寬度W1相當於約10.5μm至11.5μm。當位於第二次像素電極190b及共用電極270間的最大電壓差相當於約3.3V至5.6V時，第二寬度W2相當於約6.5μm至10.5μm，在一具體實施例中約6.5μm至10.5μm。誤差範圍大約為±1.0μm。第一寬度W1大於第二寬度W2約1.0μm至4.0μm，例如在一具體實施例中約大於1.5μm至3.0μm。換句話說，第一寬度W1大於第二寬度W2約10%至62%，在一具體實施例中約15%至40%。
切除部271，272和273的數量可依據設計因素而變動。在一具體實施例中，光阻斷構件220可與切除部271，272和273重疊以阻斷光漏洩在切除部271，272和273附近。從儲存電極線131延伸的儲存電極可具有與切除部271和273重疊的構形。
偏光板12和22分別地設置在面板100和200的外表面上。傳輸光之偏光板12和22的軸彼此垂直。偏光板之一不會使用在反射型LCD裝置中。
在一具體實施例中，LC層300具有負介電向差。在LC層300中的LC分子310排成一直線，以致於當沒有電場產生時，它們的主軸實質上垂直於面板的表面。
如上所述，一組切除部191，192和193及271，272和273將像素電極190分隔為數個次區域。如第3圖所示，每一次區域具有兩個主邊。切除部192，194和271，272控制LC分子310在LC層300的傾斜方向。特別地，電極190和270的切 除部194和271，272和273扭曲在LC層300的電場，以產生此電場的一水平組件，此電場垂直於切除部192，194及271，272和273的邊緣。因此，LC分子310的傾斜方向變動在每一基板上，且因此參照的視角變廣。在一具體實施例中，LC分子310傾斜於約4個方向。
切除部191，192和193及271，272和273的至少一個可以凸出部或凹陷部代替，且切除部191，192和193及271，272和273的構形可有不同地模組。耦合電極176的構形也可被模組化。
上述的LCD裝置可由描繪在第5圖的等量電路原理圖表示。
參照第5圖，TFT陣列面板包括數條閘線121，數條數據線171及數個像素。每一像素具有一對第一及第二LC電容器Clca和Clcb，一TFT電晶體Q及一耦合電容器Ccp。第一LC電容器Clca代表位於共用電極270及第一次像素電極190a間的電容器，且第二LC電容器Clcb代表位於共用電極270及第二次像素電極190b間的電容器。耦合電容器Ccp代表位於第一次像素電極190a及第二次像素電極190b間的電容器。TFT電晶體Q連接至閘線121，數據線171及第一次像素電極190a。
其後，將描述像素的運作過去在下文中。
當一閘極-打開電壓施加至閘線121時，連接至閘線121的TFT電晶體Q被打開以將數據線171的數據電壓傳輸至第一次像素電極190a。第一次像素電極190a接續地由數據電 壓充電，然後數據電壓影響浮動的第二次像素電極190b的電壓，第二次像素電極190b電容性地連接至第一次像素電極190a。第一次像素電極190a的電壓Va與共用電極270的關係用第二次像素電極190b之電壓Vb的函數表示，如下：Vb=Va×【Ccp/(Ccp+Clcb)】
其中Ccp表示耦合電容器的靜電容量，且Clcb表示第二LC電容器的靜電容量，其中第二電容器同時地表示電容器。
因為Ccp/(Ccp+Clcb)小於1，所以第二次像素電極190b的電壓Vb小於第一次像素電極190a的電壓Va。
第二次像素電極190b之電壓Vb與第一次像素電極190a之電壓Va的比率可使用耦合電容器的靜電容量Ccp(其後稱為’耦合靜電容量’)來調整。耦合靜電容量Ccp的調整可藉由改變耦合電極176與第二次像素電極190b重疊的區域，或位於耦合電極176及第二次像素電極190b間的距離來實現，耦合電極176與第二次像素電極190b重疊的區域可容易地藉由改變耦合電極176之寬度來調整，且位於耦合電極176和第二次像素電極190b間的距離可容易地藉由改變耦合電極176的位置來調整。例如，不像第1至第4圖的構形，一形成在具有閘線之相同層上的耦合電極可增加位於耦合電極和第二次像素電極間的距離。
如上所述，第一次像素電極190a的電壓變成不同於第二次像素電極190b的電壓，且因此降低參數(γ)曲線的扭曲。
電場重疊在切除部192，194，271和273。電場在切除 部192，194，271和273的垂直組件具有相同的方向，但電場在切除部192，194，271和273的水平組件具有相反的方向。因此，當每一電場的密度增加時，組成電場的垂直組件增加。然而，當切除部192，194，271和273的寬度變窄，即使每一電場的密度仍維持時，組成電場的水平組件減少。
LC分子310在切除部192，194，271和273之鄰近邊緣的傾斜方向是相對的。因此，LC分子31的傾斜方向從切除部192，194，271和273開始改變，當組成電場的垂直組件增加，或當組成電場的水平組件減少時，靠近切除部192，194，271和273的LC分子300由於斜角彈性而劇烈地傾斜。因此，出現例如殘像或污點的缺點。因此，不論施加至像素電極190的電壓為何，可能需要加寬切除部192，194，271和273的寬度，然而其可能降低開口率。因此，根據施加至像素電極190的每一電壓決定切除部192，194，271和273的每一寬度是所欲的。
在一具體實施例中，根據電場的密度，亦即位於像素電極190和共用電極270間的電壓差而決定之切除部192，194，271和273的寬度將參照第3及第6圖描述在下文中。
第6圖為例示共用電極之切除部根據LC電容器之電壓(其後稱為次像素電壓)而決定之典型寬度的曲線圖。切除部的寬度被定義為當維持LCD裝置的亮度時，此寬度不會導致例如殘像，污點或指紋的缺點。
在一具體實施例中，對於顯示在第1至第5圖的LCD裝置，施加至第一LC電容器Clca的最大電壓在約5.6至7.0V的 範圍內，且施加至第二LC電容器Clcb的最大電壓在約3.3V至5.6V的範圍內，其相當於施加至第一LC電容器Clca之最大電壓的約60%至80%。如第6圖所示，第一寬度W1在約10.5至11.5μm的範圍內，且第二寬度W2在約6.5μm至10.5μm的範圍內，在一具體實施例中為7.5μm至10.0μm。誤差範圍大約為±1.0μm。在一具體實施例中第一寬度W1大於第二寬度W2約1.0μm至4.0μm，例如約1.5μm至3.0μm。換句話說，第一寬度W1大於第二寬度W2約10%至62%，例如約15%至40%。
對應於次像素電極的電壓而改變切除部的寬度會增加LCD裝置的開口率，藉此增加LCD裝置的亮度。除此之外，可降低例如殘像，污點或指紋的缺點，以改善LCD裝置的圖像品質。
惟以上所述者，僅為本發明之典型實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
12‧‧‧偏光板
22‧‧‧偏光板
82‧‧‧接觸輔助器
91‧‧‧儲存天橋
100‧‧‧薄膜電晶體陣列面板
110‧‧‧第一基板
121‧‧‧閘線
124‧‧‧閘線
129‧‧‧閘線
131‧‧‧儲存電極線
133a‧‧‧第一儲存電極
133b‧‧‧第二儲存電極
133c‧‧‧第三儲存電極
140‧‧‧閘極絕緣層
151‧‧‧半導體條片
154‧‧‧凸出部
161‧‧‧歐姆接觸條片
163‧‧‧凸出部
165‧‧‧歐姆接觸條片
171‧‧‧數據線
172‧‧‧橋下金屬片
173‧‧‧源極
175‧‧‧汲極
176‧‧‧耦合電極
179‧‧‧數據線
180‧‧‧鈍化層
182‧‧‧接觸孔
183‧‧‧接觸孔
184‧‧‧接觸孔
185‧‧‧接觸孔
188‧‧‧開口
190‧‧‧像素電極
190a‧‧‧第一次像素電極
190b‧‧‧第二次像素電極
191‧‧‧底斜邊部
192‧‧‧切除部
193‧‧‧頂斜邊部
194‧‧‧切除部
195‧‧‧縱長部
200‧‧‧共用電極面板
210‧‧‧第二基板
220‧‧‧光阻斷構件
230‧‧‧彩色濾光片
250‧‧‧保護膜
270‧‧‧共用電極
271‧‧‧底切除部
272‧‧‧中切除部
273‧‧‧頂切除部
300‧‧‧液晶層
310‧‧‧液晶分子
400‧‧‧液晶顯示裝置
第1圖為根據本發明之一典型具體實施例之液晶顯示(LCD)裝置的TFT(薄膜電晶體)陣列面板的頂面圖；第2圖為根據本發明之一典型具體實施例之LCD裝置的共用電極的頂面圖；第3圖為具有第1圖之TFT陣列面板及第2圖之共用電極的LCD裝置的頂視圖； 第4圖為沿著第3圖之線IV-IV’的橫截面圖；第5圖為如第3圖所示之LCD裝置的等量電路原理圖；第6圖為例示共用電極之切除部的寬度作為施加至LC電容器之電壓的函數曲線圖。
82‧‧‧接觸輔助器
91‧‧‧儲存天橋
121‧‧‧閘線
124‧‧‧閘線
131‧‧‧儲存電極線
133a‧‧‧第一儲存電極
133b‧‧‧第二儲存電極
133c‧‧‧第三儲存電極
151‧‧‧半導體條片
154‧‧‧凸出部
171‧‧‧數據線
172‧‧‧橋下金屬片
173‧‧‧源極
175‧‧‧汲極
176‧‧‧耦合電極
182，183，184，185‧‧‧接觸孔
190‧‧‧像素電極
190a‧‧‧第一次像素電極
190b‧‧‧第二次像素電極
191‧‧‧底斜邊部
192‧‧‧切除部
193‧‧‧頂斜邊部
194‧‧‧切除部
195‧‧‧縱長部

Claims (14)

  1. 一種顯示裝置，其包含：一第一基板；一第一次像素電極，其形成在該第一基板上；一第二次像素電極，其形成在該第一基板上，該第二次像素電極與該第一次像素電極分開；一耦合電極，其接觸該第一次像素電極，其中該耦合電極與該第二次像素電極相重疊並且電容性地耦合至該第二次像素電極；一第二基板，其覆設於該第一基板上方；以及一共用電極，其具有形成在該第二基板上的一第一切除部及一第二切除部，該第一切除部位在該第一次像素電極上方，且該第二切除部位在該第二次像素電極上方，其中該第一切除部具有一第一寬度，且該第二切除部具比該第一寬度小的一第二寬度，其中被施加至該第一次像素電極的電壓不同於被施加至該第二次像素電極的電壓，其中該第一次像素電極和該第二次像素電極含有相同材料，並且其中該耦合電極與該第二切除部相重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約10%至約62%。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約15%至約40%。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約1.0μm至約4.0μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約1.5μm至約3.0μm。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其另包含被介置在該第一基板及該第二基板之間的一液晶層。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中被施加至該第二次像素電極的電壓係對應於被施加至該第一次像素電極之電壓的約60%至80%。
  8. 一種顯示裝置，其包含：一第一基板；一閘線，其形成在該第一基板上；一數據線，其與形成在該第一基板上的該閘線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘線及該數據線；一第一次像素電極，其連接至該薄膜電晶體；一耦合電極，其連接至該第一次像素電極；一第二次像素電極，其與該第一次像素電極分開，其中該第二次像素電極與該耦合電極相重疊並且電容性地耦合至該耦合電極；一第二基板，其覆設於該第一基板上方；以及一共用電極，其具有形成在該第二基板上的一第一切除部及一第二切除部，該第一切除部位在該第一次像素電極上方，且該第二切除部位在該第二次像素電極上方，其中該第一切除部具有一第一寬度，且該第二切除部 具有比該第一寬度小的一第二寬度，其中被施加至該第一次像素電極的電壓不同於被施加至該第二次像素電極的電壓，其中該第一次像素電極和該第二次像素電極含有相同材料，並且其中該耦合電極與該第二切除部相重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約10%至約62%。
  10. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該第一寬度比該第二寬度大約1.0μm至約4.0μm。
  11. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其另包含被介置在該第一基板及該第二基板之間的一液晶層。
  12. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該第二次像素電極是浮動的。
  13. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該第一切除部或該第二切除部的至少一部分具有相對於該閘線或該數據線的約45度之傾斜角度。
  14. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該薄膜電晶體包括連接至該閘線的一閘極、連接至該數據線的一源極、以及連接至該第一次像素電極的一汲極，並且其中該耦合電極與該汲極係一體成型。
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