TWI400486B - A reflector, and a light source device and a lighting device using the same - Google Patents

A reflector, and a light source device and a lighting device using the same Download PDF

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TWI400486B
TWI400486B TW095140147A TW95140147A TWI400486B TW I400486 B TWI400486 B TW I400486B TW 095140147 A TW095140147 A TW 095140147A TW 95140147 A TW95140147 A TW 95140147A TW I400486 B TWI400486 B TW I400486B
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Description

反光體以及使用其之面光源裝置及照明裝置
本發明係關於一種反光體以及使用其之面光源裝置及照明裝置。本發明之反光體作為面光源裝置中所使用之反射板、以及反射器及各種照明裝置中所使用之反光用構件而較為有用。
廣泛普及有配置有內置式光源之背光型液晶顯示器或液晶電視、廣告燈箱等。背光型內置式光源(面光源裝置)中，直下式背光之典型結構如圖2所示，包括發揮構造體兼反光體作用之外罩11、擴散板14、以及冷陰極燈15等光源。側光式背光之典型結構如圖3所示，包括於透明丙烯酸板13上進行有網點印刷12之導光板、反光體11、擴散板14、以及冷陰極燈15等光源。使來自任一光源之光由反光體反射，於擴散板上形成均勻面狀之光。近年來隨著顯示物之大型化，照明光源亦日益尋求高輸出化或增加光源燈數等改良。為提高亮度，有時亦如圖2、圖3所示設置有複數個光源。
先前以來，本用途之反光體中較多對於成為構造體之外罩塗裝白色、或使用白色聚酯薄膜(例如日本專利特開平4－239540號公報)。然而，白色塗裝無法期望利用充分之反射光使亮度提高，又，存在使用白色聚酯薄膜之反光體由於近年來光量的增加而使反光體之色調產生變化(黃變)之問題，故尋求一種變色更少之素材。因此，亦提出使用有色調之變化較少的白色聚烯烴薄膜之反光體(例如日本專利特開平6－298957號公報、日本專利特開2002－31704號公報、日本專利特開平8－262208號公報以及日本專利特開2003－176367號公報)。
然而，當採用為提高亮度而設置有複數個光源之直下式光源之情形時，存在先前之白色聚酯薄膜或白色聚烯烴薄膜中產生由於輝線所導致之亮度斑之問題。其係如下問題：於設置有複數個光源燈之情形時，由於外罩之構造或反光體(白色薄膜)之反光特性，而產生如干涉光般反射光集中之部位，導致亮度不均。本發明中將如此之起因於反射光之局部化的面光源之亮度斑稱為輝線，以抑制如此之輝線之產生作為所欲解決之課題。
與此相對，於側光型面光源中，有時將由於光源燈附近之光源光洩漏而部分產生的亮度較高之部分稱為輝線，但本申請案之課題區別於該現象。
即，本發明之目的在於提供一種反光體，其即便是使用於尤其如設置有複數個光源光(光源燈等)之照明裝置般，先前易於產生由輝線所導致之亮度斑之照明裝置中之情形時，亦難以產生輝線。又，本發明之目的亦在於提供一種亮度斑較少之照明裝置。
本發明者們反覆進行銳意研討之結果發現，若將反射角峰值比P與正反射率R2控制於特定範圍之樹脂薄膜使用於反光體，則可解決先前技術之課題而提供本發明。
即，本發明係提供一種含有樹脂薄膜之反光體，該反光體係含有樹脂薄膜者，且上述樹脂薄膜係含有輝線防止層(B)者，上述輝線防止層(B)係含有20重量%以下濃度之填充料者，自於上述輝線防止層(B)表面所測定之反射峰值P1以及反射峰值P2，根據下式(1)所求得之反射角峰值比P為1.3~10，自於上述輝線防止層(B)表面所測定之反射率R1以及擴散反射率R3，根據下式(2)所求得之正反射率R2為1.4~10%。
(上式中，P1表示對於反光體之輝線防止層(B)表面之法線自15°之角度照射光線時之反光體之反射峰值，P2表示對於反光體之輝線防止層(B)表面之法線自45°之角度照射光線時之反光體之反射峰值。)
正反射率R2＝R1－R3 式(2)(上式中，R1表示反光體之輝線防止層(B)表面之反射率，R3表示反光體之輝線防止層(B)表面之擴散反射率。)
本發明之反光體較好的是上述輝線防止層(B)表面之凹凸個數密度為0.1×10－4 ~3.5×10－4 個/μm2 ，反射率R1較好的是95~106%。又，上述輝線防止層(B)中所含有之填充料較好的是平均粒徑為0.05~15 μm之無機填充料及/或平均分散粒徑為0.05~15 μm之有機填充料。
構成本發明之反光體之樹脂薄膜較好的是含有基材層(A)、設於基材層(A)之至少一面之輝線防止層(B)之層積樹脂薄膜。基材層(A)較好的是含有熱可塑性樹脂(尤其為聚烯烴系樹脂)與填充料，基材層(A)經延伸，其面積延伸倍率1.3~80倍。
其中，較好的是，基材層(A)含有5~75重量%濃度之填充料，該填充料係平均粒徑為0.05~1.5 μm之無機填充料(尤其係經過表面處理之無機填充料)及/或平均分散粒徑為0.05~1.5 μm之有機填充料。進而，基材層(A)之空孔率較好的是15~70%。
進而，樹脂薄膜較好的是至少於基材層(A)之含有輝線防止層(B)之面的相反面上含有加強層(C)，輝線防止層(B)之層厚較好的是0.5~20 μm。
本發明亦提供一種使用上述反光體之面光源裝置以及照明裝置。
本發明之反光體設置於光源光之數量．外罩形狀．各個構件之設置位置等不同之各種面光源裝置中時，可不限於所設置之面光源裝置之構造或結構而有效抑制輝線之產生。
又，本發明之反光體即使於用作照明裝置之反光用構件之情形時，亦由於雖為高反射率但難以引起暈光而較為有用。
以下，詳細說明本發明之反光體之結構以及效果。於下述中所揭示之構成要件之說明係根據本發明之代表性實施態樣而進行，但本發明並不限定於如此之實施態樣。再者，本發明中光擴散層「~」係指包含揭示於其前後之數值分別作為最小值以及最大值之範圍。
本發明之反光體含有樹脂薄膜。樹脂薄膜係含有輝線防止層(B)者，較好的是含有基材層(A)與至少於基材層(A)之至少一面(反射面側)含有輝線防止層(B)之層積樹脂薄膜，較好的是根據須要進而含有加強層(C)。
基材層(A)
基材層(A)製成與輝線防止層(B)之層積樹脂薄膜時，係用以提高反光體整體之反射率之層，又，其係用作用以使樹脂薄膜更易於成形之基材之層。其係含有熱可塑性樹脂之層，較好的是含有熱可塑性樹脂與填充料之層。
(熱可塑性樹脂)基材層(A)中所使用之熱可塑性樹脂之種類並無特別限制。作為使用於基材層(A)中之熱可塑性樹脂(A)，可列舉高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯等乙烯系樹脂，丙烯系樹脂、聚甲基－1－戊烯、乙烯－環狀烯烴共聚物等聚烯烴系樹脂，尼龍－6、尼龍－6,6、尼龍－6,10、尼龍－6,12等聚醯胺系樹脂，聚對苯二甲酸乙二酯或其共聚物、聚萘甲酸乙二酯、脂肪族聚酯等熱可塑性聚酯系樹脂，聚碳酸酯、非規聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、聚亞硫酸苯二酯等熱可塑性樹脂。熱可塑性樹脂既可僅選擇1種而單獨使用，亦可選擇2種以上組合使用。
該等之中，考慮到耐藥品性或生產成本等觀點，較好的是使用聚烯烴系樹脂，更好的是使用丙烯系樹脂。
作為丙烯系樹脂，可使用丙烯均聚物、或作為主成分之丙烯與乙烯、1－丁烯、1－己烯、1－庚烯、4－甲基－1－戊烯等α－烯烴之共聚物。立體規則性並無特別限制，可使用顯示整規或間規以及各種程度之立體規則性者。又，共聚物可為2元系、3元系或4元系，亦可為無規共聚物或嵌段共聚物。
當構成基材層(A)之主要樹脂為丙烯系樹脂之情形時，為改良延伸性，可相對於丙烯系樹脂添加3~25重量%之熔點低於聚乙烯或乙烯醋酸乙烯酯等丙烯系樹脂之樹脂。
基材層(A)中之熱可塑性樹脂之含量較好的是25~95重量%，更好的是30~90重量%。若基材層(A)中之熱可塑性樹脂之含量為25重量%以上，則存在下述延伸成形時難以於表面上產生傷痕之傾向，若為95重量%以下，則存在易於獲得充分之空孔之傾向。
(填充料)作為於基材層(A)中與熱可塑性樹脂一併使用之填充料，可列舉各種無機填充料或有機填充料。
作為無機填充料，可例示重質碳酸鈣、沉降性碳酸鈣、煅燒黏土、滑石、氧化鈦、硫酸鋇、硫酸鋁、矽石、氧化鋅、氧化鎂、矽藻土等。又，亦可例示上述無機填充料之利用各種表面處理劑之表面處理品。其中由於重質碳酸鈣、沉降性碳酸鈣以及該等之表面處理品、黏土、矽藻土價廉且延伸時之空孔形成性良好，故而較好。更好的是利用各種表面處理劑對重質碳酸鈣、沉降性碳酸鈣進行表面處理者。
作為表面處理劑，較好的是例如樹脂酸、脂肪酸、有機酸、硫酸酯型陰離子界面活性劑、磺酸型陰離子界面活性劑、石油樹脂酸，該等之鈉、鉀、銨等鹽，或該等之脂肪酸酯、樹脂酸酯、蠟、石蠟等，亦較好的是非離子系界面活性劑、二烯系聚合物、鈦酸酯系偶合劑、矽烷系偶合劑、磷酸系偶合劑等。作為硫酸酯型陰離子界面活性劑，例如可列舉長鏈醇硫酸酯、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯、硫酸化油等或該等之鈉、鉀等鹽，作為磺酸型陰離子界面活性劑，例如可列舉烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、石蠟磺酸、α－烯烴磺酸、烷基磺基琥珀酸等或該等之鈉、鉀等鹽。又，作為脂肪酸，例如可列舉己酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、二十二酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、桐酸等，作為有機酸，例如可列舉順丁烯二酸、山梨酸等，作為二烯系聚合物，例如可列舉聚丁二烯、異戊二烯等，作為非離子系界面活性劑，可列舉聚乙二醇酯型界面活性劑等。該等表面處理劑可僅選擇1種而單獨使用，亦可選擇2種以上組合使用。作為使用有該等表面處理劑之無機填充料之表面處理方法，例如可使用日本專利特開平5－43815號公報、日本專利特開平5－139728號公報、日本專利特開平7－300568號公報、日本專利特開平10－176079號公報、日本專利特開平11－256144號公報、日本專利特開平11－349846號公報、日本專利特開2001－158863號公報、日本專利特開2002－220547號公報、日本專利特開2002－363443號公報等中所揭示之方法。
作為有機填充料，可使用具有熔點或玻璃轉移點高於基材層(A)中使用之熱可塑性樹脂之熔點或玻璃轉移點(例如，120~300℃)者。例如可例示聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚萘甲酸乙二酯、聚苯乙烯、三聚氰胺樹脂、環狀烯烴均聚物、環狀烯烴與乙烯之共聚物、聚亞硫酸乙二酯、聚醯亞胺、聚***酮、聚亞硫酸苯二酯等。其中，使用熔點或玻璃轉移溫度高於基材層(A)中所使用之熱可塑性樹脂(尤其為聚烯烴系樹脂)之非相溶性之有機填充料於空孔形成方面較好。
基材層(A)中可自無機填充料或有機填充料中選擇1種而單獨使用，亦可選擇2種以上組合使用。當組合2種以上使用之情形時，可將有機填充料與無機填充料混合使用。
無機填充料之平均粒徑以及有機填充料之平均分散粒徑例如可藉由Microtrack法、利用掃描型電子顯微鏡之一次粒徑之觀察(本發明中將100個粒子之平均值作為平均粒徑)、根據比表面積之換算(本發明中使用島津製作所股份有限公司製造之粉體比表面積測定裝置SS－100測定比表面積)等而求得。
為將由延伸成形所產生之空孔尺寸調整為較好之範圍內，較好的是使用基材層(A)中所使用之無機填充料之平均粒徑或有機填充料之平均分散粒徑分別為0.05~1.5 μm之範圍，更好的是分別為0.1~1 μm之範圍者。若使用平均粒徑或平均分散粒徑為1.5 μm以下之填充料，則存在空孔會更加均勻之傾向。又，若使用平均粒徑或平均分散粒徑為0.05 μm以上之填充料，則存在會更加易於獲得特定空孔之傾向。
為於內部設置特定之空孔，較好的是使基材層(A)進行延伸。基材層(A)之面積延伸倍率較好的是1.3~80倍，更好的是7~70倍，進而較好的是22倍~65倍，最好的是25~60倍。
為使由延伸成形而產生之空孔達到較好之範圍內，上述填充料向延伸薄膜中添加之量較好的是設為5~75重量%，更好的是設為10~70重量%之範圍。若使填充料之添加量達到5重量%以上，則存在會易於獲得充分之空孔數之傾向。又，若使填充料之添加量達到75重量%以下，則存在會更加難以於表面上產生傷痕之傾向。
(構造)本發明中所使用之基材層(A)既可為單層構造，亦可為多層構造。基材層(A)之層厚較好的是30~1000 μm，更好的是40~400 μm，進而較好的是50~300 μm。
構成本發明之反光體之基材層(A)較好的是藉由其中所含有之無機填充料及/或有機填充料、與延伸成形而於內部形成空孔。該基材層(A)之空孔率較好的是設為15~70%，更好的是20~55%之範圍。本說明書中所謂「空孔率」係指根據下式(3)而計算之值。
(上式中，ρ0係基材層(A)之真密度，ρ係基材層(A)之密度)
若延伸前之材料並非含有大量空氣者，則真密度與延伸前之密度大致相等。本發明中所使用之基材層(A)之密度一般為0.5~1.2 g/cm3 之範圍，空孔越多密度越小，空孔率越大。空孔率較大者易於提高表面之反射特性。
輝線防止層(B)
本發明之輝線防止層(B)使用樹脂薄膜作為反光體時，係以表現特定數值範圍之反射角峰值比P以及正反射率R2之方式進行設置者。
輝線防止層(B)係單體，或者僅形成於基材層(A)之反光面之一面或基材層(A)之兩面。作為輝線防止層(B)之形成方法，可列舉與通常之單層薄膜成形方法同樣使用I鑄模或O鑄模而擠出成形之方法；使用多層T鑄模或I鑄模將輝線防止層(B)與基材層(A)之熔融原料一併擠出而獲得樹脂薄膜之方法；於已成形之基材層(A)上擠出輝線防止層(B)之熔融原料進行層壓之方法；或成形獲得基材層(A)之後介隔黏接層而貼合設置輝線防止層(B)之方法等。
該等樹脂薄膜較好的是於擠出成形後進行延伸。單層之樹脂薄膜或利用共擠出之層積樹脂薄膜可於成形後進行單軸延伸或雙軸延伸。亦可成形獲得基材層(A)之後使其單軸延伸，繼而擠出輝線防止層(B)之熔融原料進行層壓，延伸該層積薄膜而製成延伸層積樹脂薄膜。
輝線防止層(B)中可使用與基材層(A)中所使用者相同之熱可塑性樹脂。輝線防止層(B)中所使用之填充料之粒徑較好的是0.05~15 μm，更好的是2~10 μm。若使用粒徑為0.05 μm以上之填充料，則存在形成較好之表面凹凸而難以產生輝線之傾向。若使用粒徑為15 μm以下之填充料，則存在易於製造表面強度較高而填充料難以脫落之反光體之傾向。填充料之添加量較好的是0~20重量%，更好的是1~15重量%之範圍。若添加量超過20重量%，則存在表面凹凸個數超過適當之範圍增多，難以抑制輝線產生之傾向。
輝線防止層(B)之層厚較好的是0.5~20 μm，更好的是2~6 μm。若層厚為0.5 μm以上，則存在易於獲得充分防止輝線之效果之傾向。又，若為20 μm以下，則存在難以阻礙基材層(A)之反射性能而易於維持較高反射率之傾向。
加強層(C)
作為構成本發明之反光體之樹脂薄膜，除了基材層(A)或輝線防止層(B)以外亦可設置加強層(C)。加強層(C)係指基材層(A)或輝線防止層(B)範疇以外之層，可加強樹脂薄膜整體強度之層。加強層(C)可設於基材層(A)之反射面側。因此，可於基材層(A)與輝線防止層(B)之間形成(B)/(C)/(A)之結構。又，亦可設於基材層(A)之反射面側之相反側的面上而形成(B)/(A)/(C)之結構。
作為加強層(C)之形成方法，可列舉於上述基材層(A)延伸成形前使用多層T鑄模或I鑄模一併擠出加強層(C)之熔融原料，將所獲得之層積體延伸成形而進行設置之方法；當上述基材層(A)進行雙軸延伸之情形時，單軸方向之延伸結束之後，將加強層(C)之熔融原料擠出進行貼合，將該層積體單軸延伸成形而進行設置之方法；延伸成形獲得上述基材層(A)之後，將加強層(C)之原料樹脂直接或介隔易黏接層而擠出貼合進行設置之方法等。
加強層(C)中可使用與基材層(A)中所使用者相同之熱可塑性樹脂。又，可含有上述填充料，填充料之含量較好的是0~20重量%，更好的是0~10重量%，進而較好的是0~5重量%，尤其好的是0~3重量%。
加強層(C)之層厚較好的是1 μm以上，更好的是2~30 μm，進而較好的是3~20 μm。若為1 μm以上，則存在易於提高反光體之表面強度與加工適應性之傾向。
樹脂薄膜
(層結構)構成本發明之反光體之樹脂薄膜較好的是含有上述基材層(A)與輝線防止層(B)之層積薄膜。例如，可列舉於基材層(A)之兩面層積有輝線防止層(B)之構造。又，構成本發明之反光體之樹脂薄膜亦可具有進而層積有基材層(A)與輝線防止層(B)以外之層之構造。例如，可於基材層(A)之含有輝線防止層(B)之面的相反面或於基材層(A)與輝線防止層(B)之間含有加強層(C)。作為樹脂薄膜之具體層結構，可例示(B)/(A)、(B)/(A)/(B)、(B)/(A)/(C)、(B)/(C)/(A)、(B)/(C)/(A)/(B)、(B)/(C)/(A)/(C)、(B)/(C)/(A)/(C)/(B)等構造。
(添加劑)構成本發明之反光體之樹脂薄膜中根據須要可添加螢光增白劑、穩定劑、光穩定劑、分散劑、爽滑劑等。當使用穩定劑之情形時，較好的是將立體障礙苯酚系或磷系、胺系等穩定劑以成為含有該穩定劑之層之重量的0.001~1重量%之方式進行添加。又，當使用光穩定劑之情形時，較好的是將立體障礙胺或苯幷***系、二苯甲酮系等光穩定劑以成為含有該光穩定劑之層之重量的0.001~1重量%之方式進行添加。進而，當使用無機填充料之分散劑之情形時，較好的是將矽烷偶合劑、油酸或硬脂酸等高級脂肪酸、金屬皂、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或該等之鹽等以成為含有該分散劑之層之重量的0.01~4重量%之方式進行添加。
樹脂薄膜較好的是由複數層所構成之層積體，於此情形時可適當選擇上述添加劑添加至各層。
(成形)作為樹脂薄膜之成形方法，可使用一般之單軸延伸或雙軸延伸方法。作為具體例，可列舉使用連接於螺旋型擠出機之單層或多層之T鑄模或I鑄模將熔融樹脂擠出為薄片狀之後，以利用滾筒群之輪緣速率差之縱延伸進行單軸延伸之方法；進而於此後組合使用拉幅爐之橫延伸之雙軸延伸方法；或利用拉幅爐與直線電動機之組合之同時雙軸延伸等。
延伸溫度較好的是較使用之熱可塑性樹脂的熔點低2~60℃之溫度，較玻璃轉移點高2~60℃之溫度。例如，較好的是，當所使用之熱可塑性樹脂為丙烯均聚物(熔點155~167℃)時於95~165℃下延伸，當為聚對苯二甲酸乙二酯(玻璃轉移點：大約70℃)時於100~130℃下延伸。又，延伸速度較好的是20~350 m/分鐘。
延伸後之薄膜亦可根據須要進行熱處理(退火處理)，謀求促進結晶化或降低薄膜之熱收縮率等。
為調整延伸後之薄膜中所產生之空孔的大小，較好的是基材層(A)之面積延伸倍率設為1.3~80倍之範圍，更好的是設為7~70倍之範圍，進而較好的是設為22倍~65倍，最好的是設為25~60倍。若面積延伸倍率為1.3~80倍之範圍內，則存在易於獲得細微之空孔，亦易於抑制反射率之下降之傾向。
反光體
本發明之反光體之特徵在於具有上述之樹脂薄膜。本發明之反光體可僅含有上述樹脂薄膜，亦可於上述樹脂薄膜中進一步添加適當之材料。
本發明之反光體中所使用之樹脂薄膜具有特定數值範圍之反射角峰值比P以及正反射率R2。本發明之反光體將該反射角峰值比P以及正反射率R2分別設為特定之數值範圍，藉此可有效防止輝線之產生。
對於反光體之輝線防止層(B)表面之法線自15°之角度照射光線，一面改變受光器之角度一面測定反光體之反射率，將此時之反射率的最大值作為反射峰值P1。同樣對於反光體之輝線防止層(B)表面之法線自45°之角度照射光線，一面改變受光器之角度一面測定反光體之反射率，將此時之反射率的最大值作為反射峰值P2。將所獲得之值P2除以值P1之值作為反射角峰值比P。
本發明之反光體中所使用之樹脂薄膜之以上式(1)所表示之反射角峰值比P取1.3~10之範圍內的值，較好的是取1.4~3之範圍內之值。反射角峰值比P成為反射光分佈之指標。當反射角峰值比P不足1.3之情形時，燈周圍會變暗而易於產生輝線。當反射角峰值比P超過10之情形時，燈近前會變暗而易於產生輝線。
又，將於反光體之輝線防止層(B)表面所測定之全反射率設為R1，於反光體之輝線防止層(B)表面所測定之擴散反射率設為R3。將所獲得之值R1減去值R3之值作為正反射率R2。
本發明之反光體取以上式(2)所表示之正反射率R2為1.4~10%之範圍之值，較好的是取2~5%之範圍之值。當正反射率R2不足1.4之情形時，燈周圍會變暗而易於產生輝線。又，當正反射率R2超過10之情形時，燈周圍過於明亮，而出現輝線。
又，本發明之反光體之反射表面較好的是凹凸個數密度為0.1×10－4 ~3.5×10－4 個/μm2 ，更好的是0.3×10－4 ~3.0×10－4 個/μm2 。若凹凸個數密度不足0.1×10－4 個/μm2 或超過3.5×10－4 個/μm2 ，則存在難以將反射峰值比P調整為本發明之範圍內之傾向。
以波長550 nm測定之波長之反射率R1較好的是95~106%，更好的是98~106%。若反射率不足95%，則面光源裝置中難以獲得充分之亮度。反射率R1越大越好，但本發明之實施形態中難以獲得超過106%之較大反射率R1。
本發明之反光體作為面光源裝置較為有用，作為面光源裝置，例如可列舉液晶TV、監視器等液晶顯示裝置用之背光、廣告燈箱用背光等。
又，本發明之反光體作為照明裝置較為有用，作為本發明之照明裝置，例如可列舉吸頂燈、筒燈、base light、廚房燈、壁燈、吊燈等家庭用照明裝置等。
實施例
以下揭示實施例、參考例、比較例以及試驗例，對於本發明進一步加以具體說明。以下所示之材料、使用量、比例、操作等，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行適當變更。因此，本發明之範圍並不限於如下所示之具體例。再者，本實施例中所使用之材料表示於表1。
(實施例1、2及參考例1)
使用擠出機將以表2所揭示之添加量混合表1所揭示之材料的組合物(A)於250℃下進行熔融混煉。其後，擠出為薄片狀，於冷卻滾筒中冷卻至大約60℃，藉此獲得基材層(A)。將該基材層(A)於145℃下進行再加熱之後，利用多數滾筒群之輪緣速率差，於縱方向以表2所揭示之倍率進行延伸。
將以表2所揭示之添加量混合表1所揭示之材料之組合物(B)、(C)進行熔融混煉，熔融擠出於所獲得之基材層(A)之兩面，以B/C/A/C之方式層積輝線防止層(B)、加強層(C)。繼而將該層積物於160℃下進行再加熱，利用拉幅機於橫方向以表2所揭示之倍率進行延伸。其後，於160℃下進行退火處理之後，冷卻至60℃，切除邊緣部而獲得具有表2所揭示之厚度之四層構造的層積薄膜。將該層積薄膜作為反光體。
(比較例1)
除了以表2所揭示之添加量混合表1所揭示之材料以外，以與實施例1~3相同之方式獲得反光體。
(試驗例)
對於實施例1、2、參考例1以及比較例1中所獲得之各反光體，進行以下測定。
(1)利用變角分光光度計之測定
使用自動變角分光光度計(GP200：村上色彩研究所股份有限公司製造)進行測定。測定以光線照射角45°、受光角度－60°~90°之條件測定時之反射峰值作為P2。
除了將光線照射角變更為15°以外，其他條件與P2之測定條件同樣地進行測定，將作為與P2之相反反射率而表示者作為P1。
又，將P2/P1作為峰值比P。
(2)利用安裝有積分球之分光光度計之測定使用安裝有Φ150 mm之積分球之分光光度計(日立製作所股份有限公司製造：U－3310)，根據JIS－Z8722條件d揭示之方法測定波長550 nm之反射率，將其作為R1。
使用安裝有Φ150 mm之積分球之分光光度計(日立製作所股份有限公司製造：U－3310)，根據JIS－Z8722條件d揭示之方法，使用光阱阻斷正反射成分而測定波長550 nm之反射率，將其作為擴散反射率R3。
又，將R1－R3作為正反射率R2。
(3)空孔率之測定根據JIS－P8118測定基材層(A)之密度ρ，進而測定基材層(A)之真密度ρ0之後，根據上式(3)算出空孔率。
(4)凹凸個數密度之測定使用非接觸三維表面形狀粗度測定器(ZYGO股份有限公司製造：New View5010)，藉由以測定面積為2 mm×2 mm、物鏡為20倍之條件，阻斷14 μm以下之波長進行測定，使用解析軟體(ZYGO股份有限公司製造：Metro Pro)進行解析，將所獲得之Peak Density(1/μm2 )作為凹凸個數密度。
(5)輝線水準之評估藉由設置於圖2之面光源裝置，根據以下5階段對輝線水準進行評估。各水準之內容如下所述，可容許作為反光體之水準為3以上。
5：完全觀察不到輝線之良好之水準4：產生若干輝線但良好之水準3：產生輝線但實際應用上無問題之水準2：產生輝線而於實際應用上有問題之水準1：可明確觀察到輝線而無法使用之水準該等各測定結果表示於表2、3。
[產業上之可利用性]
若使用本發明之反光體，即使為尤其如設置有複數個光源光(光源燈等)之照明裝置般，先前易產生由輝線所導致之亮度斑之照明裝置，亦可有效抑制由輝線所導致之亮度斑。當設置於光源光之數量．外罩形狀．各個構件之設置位置等不同之各種面光源裝置中時亦可獲得如此之效果。因此，本發明在產業上之可利用性較高。
1．．．基材層(A)
2．．．輝線防止層(B)
3．．．加強層(C)
11．．．反光體(外罩)
12．．．反光用白色網點印刷
13．．．丙烯酸板(導光板)
14．．．擴散板
15．．．冷陰極燈
圖1係表示反光體之層結構例之剖面圖。
圖2係表示直下式背光結構之剖面圖。
圖3係表示側光式背光結構之剖面圖。
1．．．基材層(A)
2．．．輝線防止層(B)
3．．．加強層(C)

Claims (12)

  1. 一種含有樹脂薄膜之反光體，其係含有樹脂薄膜者，且上述樹脂薄膜係含有輝線防止層(B)者，上述輝線防止層(B)係含有1~20重量%濃度之填充料者，自於上述輝線防止層(B)表面所測定之反射峰值P1以及反射峰值P2，根據下式(1)所求得之反射角峰值比P為1.3~10，自於上述輝線防止層(B)表面所測定之反射率R1以及擴散反射率R3，根據下式(2)所求得之正反射率R2為1.4~10%； 上式中，P1表示對於上述反光體之輝線防止層(B)表面之法線自15°之角度照射光線時的上述反光體之反射峰值，P2表示對於上述反光體之輝線防止層(B)表面之法線自45°之角度照射光線時的上述反光體之反射峰值；正反射率R2=R1-R3 式(2)上式中，R1表示上述反光體之輝線防止層(B)表面之反射率，R3表示上述反光體之輝線防止層(B)表面之擴散反射率。
  2. 如請求項1之反光體，其中上述反光體之輝線防止層(B)表面之凹凸個數密度為0.1×10-4 ~3.5×10-4 個/μm2 。
  3. 如請求項1之反光體，其中上述反射率R1為95~106%。
  4. 如請求項1之反光體，其中上述輝線防止層(B)中所含有 之填充料係包含平均粒徑為0.05~15 μm之無機填充料及平均分散粒徑為0.05~15 μm之有機填充料的至少一者。
  5. 如請求項1之反光體，其中上述樹脂薄膜係含有基材層(A)、及設於基材層(A)之至少一面之上述輝線防止層(B)之層積樹脂薄膜。
  6. 如請求項5之反光體，其中上述基材層(A)係經過延伸之層，上述基材層(A)之面積延伸倍率為1.3~80倍。
  7. 如請求項5之反光體，其中上述基材層(A)含有熱可塑性樹脂與5~75重量%濃度之填充料，上述填充料係包含平均粒徑為0.05~1.5 μm之無機填充料及平均分散粒徑為0.05~1.5 μm之有機填充料的至少一者。
  8. 如請求項7之反光體，其中上述基材層(A)中所含有之上述無機填充料係利用表面處理劑進行過表面處理之無機填充料。
  9. 如請求項5之反光體，其中上述基材層(A)含有聚烯烴系樹脂作為熱可塑性樹脂。
  10. 如請求項5之反光體，其中上述基材層(A)之空孔率為15~70%。
  11. 一種面光源裝置，其使用如請求項1至10中任一項之反光體作為反射板或反射器。
  12. 一種照明裝置，其使用如請求項1至10中任一項之反光體作為反光用構件。
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