TWI400195B - 儲氫結構形成方法 - Google Patents

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Description

儲氫結構形成方法
本發明係有關一種氫氣儲存技術，尤其是指一種利用具有特定物理特徵之多孔隙材料來形成儲氫結構之一種儲氫結構形成方法。
能源是現代國家工業化的重要原動力，人類在使用化石能源兩個多世紀之後，目前正面臨著能源短缺與全球氣候變遷(地球暖化)的問題，而氫則提供了未來能源希望的選項。自從1970年代的石油危機發生以後，先進國家對替代能源的尋找轉趨積極，氫能尤其受到重視。因為氫的來源(水)取之不盡，使用氫氣做為能源原料，其產物只有水蒸氣，並不會產生二氧化碳等溫室氣體，是一種符合環保的高效率能源，為未來綠色能源之主流之一。
氫氣的儲存運送一直是氫經濟待突破的瓶頸之一，早期氫氣的運送方式為高壓或液化方式，相當不合成本及時宜需求，未來氫氣運送在運輸工具及可攜式燃料電池方面應用將很廣泛，美國能源部針對氫氣的運送問題提出未來儲氫材料須符合下列規範(1)高儲氫量，(2)體積小且重量輕，(3)能在一般室溫及溫和壓力下吸氫和釋氫。能源部對儲氫量目標的要求為6wt%(至2010年)和9wt%(至2015年)，目前尚無一材料符合其所訂規範。
目前常用之儲氫材料依其吸氫方式可分為兩種，(一)為金屬氫化物，和(二)為多孔隙材料，金屬氫化物利用化學鍵結方式吸氫，但是其吸氫量愈高，卻更需要在攝氏幾百度下方能釋氫；另一方面多孔隙材料其具有高比表面積特性，其利用凡德瓦力物理吸附方式作用吸釋氫，但是其缺點為室溫下可逆性儲氫量(吸釋氫量)不高。高比表面積的碳材(如碳奈米管、石墨奈米纖維及活性碳)目前在室溫下的儲氫量均未能超過1wt%。
近年在世界上各研究團隊在如何提升室溫下儲氫量的材料研發方面，以楊(R. T. Yang)等人所發表之研究最具有發展潛力，該研究利用氫溢出(hydrogen spillover)機制於一種儲氫結構中，該結構以一多孔隙材料為主體基材，該基材外表面上具有摻雜的金屬奈米顆粒，在氫溢出機制的吸氫過程中，與傳統上氫分子物理吸附方式不同的是氫分子在金屬粒子表面被分解成氫原子，然後氫原子再利用表面擴散方式由金屬粒子遷移至多孔隙材料基材內部而被吸附(該多孔隙材料亦被稱為氫溢出的受體(receptor))，楊等之研究團隊所開發之儲氫結構係利用多孔隙之活性碳材料(AC)，而金屬奈米粒子為鉑或鈀金屬(Pt或Pd)，其結果能將活性碳的室溫儲氫量從不到0.5wt%提升2~3倍以上，一般此種結構材料(Pt/AC)的儲氫量可達到0.6~1.2wt%間(Li Y,Yang FH,Yang RT.,J. Phys. Chem. C,111, 3405(2007);Li Y,Yang RT.,J. Phys. Chem. C,111, 11086,(2007);Li Y,Yang RT,Liu CJ,Wang Z.,Ind. Eng. Chem. Res.46, 8277(2007);Lachawiec AJ,Qi G,Yang RT.,Langmuir,21, 11418(2005);Yang RT,Wang Y.,J. Am. Chem. Soc.,131, 4224(2009))。在另一方面楊等研究團隊，其亦利用此種儲氫結構(Pt/AC)橋接於另一多孔隙材料(金屬有機框架材料，metal-organic framework，作為氫溢出之第二受體)，使該材料之室溫儲氫量(在10MPa下)由0.4wt%提升至4wt%(Li Y,Yang RT.,J. Am. Chem. Soc.,128 ,8136(2006))。
氫溢出機制在材料的真實行為目前尚未清楚(Li Y,Yang FH,Yang RT.,J. Phys. Chem. C;111 ,3405(2007);Li Y,Yang RT.,J. Phys. Chem. C,111 ,11086(2007))，楊等研究團隊認為提升室溫儲氫量的結構控制參數在於金屬粒子在主體基材(碳)外表面的大小，分散性和其與基材的連接性。其次之另一研究團隊為Campesi等(Campesi R,et al.,Carbon,46,206(2008))，該團隊利用一中介孔隙(mesopore，即尺寸在2~50nm)之有序孔洞碳材作為主體基材，然後利用液相方法植入(impregnated)奈米金屬粒子於中介孔隙洞中，此種被孔隙洞包圍的奈米金屬粒子又稱為孔隙洞侷限粒子(pore-confined partied)，一般而言，植入粒子的大小成長受制於孔隙洞的大小，在此情形下，作為奈米粒子植入的基材又稱為模板(template)，該Campesi團隊研發之結構材料之室溫儲氫量(0.5MPa下)可從0.01wt%(對於中介孔隙碳材而言)提升8倍至0.08wt%。
以各種多孔隙(高比表面積)碳材，例如碳奈米管、活性碳和奈米碳纖維等作為主體基材，再加入金屬奈米粒子於基材外表面上構成之結構材料，以楊之研究團隊為例，其開發之鉑或鈀/活性碳(Pt or Pd/AC)結構具有現有最高的室溫儲氫量，其儲氫能力在0.6~1.2wt%。
本發明在有效提升室溫儲氫能力控制變數方面提出下列新論點即，在於須先有一特殊孔隙結構之主體基材，利用此主體基材作為模板(template)，均勻植入細小的金屬奈米粒子於其奈米孔洞內，同時亦須控制被侷限的奈米粒子的成長，使其在最細微尺寸，最後此主體基材尚提供一個有效的孔隙網路(pore network)使得氫溢出機制產生的氫原子能擴散至整個主體內部的吸收位置。由於不同的孔隙材料具有不同的孔隙結構，最初作為主體基材的孔隙性材料之選擇為最關鍵性之參數，亦即為掌握正確初始基材的孔隙結構是極為重要，本發明提供了一種選擇孔隙基材作為模板或氫溢出受體的規範；本發明提供一種儲氫結構形成方法，其先依所訂規範選用多孔隙基材作為模板，然後透過酸洗氧化的製程增加部份孔隙的寬度，使得其後之液相法中金屬前驅物物能夠抵達基材的各處孔隙，而得到控制下的侷限在孔隙內之奈米金屬粒子成長，此種被改善的儲氫結構之室溫儲氫能力能極有效被提升。
如此形成之儲氫結構其室溫的儲氫量(在6.9MPa下)接近5.9wt%，相較於楊等研究團隊之方法，他們使用相同的或類似的材料但結構不同，他們的室溫儲氫量值在0.6~1.2wt%間，本發明可大幅提升室溫儲氫量在6倍以上。
在一實施例中，本發明提供一種儲氫結構的形成方法，其係包括有下列步驟：提供一多孔隙基材作為氫原子吸收的受體及粒子植入的模板，其特殊的孔隙結構由下列球(或柱)形微孔隙洞(micropore；其直徑定義為小於2nm)及具碎形(fractal)之孔隙通道網路(pore channel network；其通道寬度約小於2.1nm)所構成，本發明實施例中並要求球形微孔隙的體積須大於0.25cm3 /g以上，以及孔隙通道網路的碎形維度(fractal dimension)須接近3.0；然後經由適當程度的酸洗氧化以適度加寬或擴大原有之孔隙結構及形成氧化的內孔隙表面，這些將導致有效且均勻的奈米金屬粒子植入在模板基材的內部孔隙中。
較佳的是，該多孔隙基材係為活性碳，該金屬粒子係為鉑，而該形成金屬粒子之直徑係小於2奈米。
較佳的是，形成金屬粒子於該氧化多孔隙基材內之方式係為將該氧化多孔隙基材浸入於一溶液內，該溶液內含一電催化前趨鹽(其係具有該金屬粒子之成分)以及一還原劑，使得該金屬粒子得以植入(impregnated)該氧化多孔隙基材。
為使　貴審查委員能對本發明之特徵、目的及功能有更進一步的認知與瞭解，下文特將本發明之裝置的相關細部結構以及設計的理念原由進行說明，以使得　審查委員可以了解本發明之特點，詳細說明陳述如下：請參閱圖一所示，該圖係為本發明之儲氫結構之形成方法流程示意圖。在本實施例中，該形成方法2係包括有下列步驟，首先進行步驟20，提供一具有球形或柱形微孔隙洞及碎形孔隙通道網路之多孔隙材料作為氫原子受體及金屬粒子植入之模板基材。該多孔隙基材係可選擇為活性碳，但不以此為限。該多孔隙基材，其微孔隙洞體積比(微孔隙洞體積與總孔隙之體積之比值)係大於0.2，亦即表示該多孔隙基材具有高的微孔隙體積分佈，且該微孔隙洞之直徑係小於2nm，該多孔隙基材更具有碎形維度近於3之奈米孔隙通道網路，其通道之寬度係小於2.1nm。
接著進行步驟21氧化該多孔隙基材以形成被氧化多孔隙基材。在本實施例中，氧化該多孔隙基材之方式係為利用酸洗的方式，將該多孔隙基材浸入在酸性液體中，使該酸性液體與該多孔隙基材產生反應，藉由酸性氧化的反應，適度擴大多孔隙基材之孔隙或通道的大小，以於該多孔隙基材內形成至少一中介孔隙通道(定義為寬度在2~50nm)，中介孔隙通道與碎形網路之奈米孔隙通道相連接，每一個奈米孔隙通道更連通有複數個球微孔隙洞。在本步驟中，主要是透過氧化的過程將部分比例的奈米孔隙通道氧化以增加其寬度，進而形成通道直徑較大的中介孔隙通道。最後，再進行步驟22使直徑小於2nm之金屬粒子分別被侷限形成於該氧化多孔隙基材內之孔隙中。在本步驟中，主要是於該氧化多孔隙基材內之孔隙使之形成中介、奈米孔隙通道與相連之微孔隙洞，最後在孔隙中形成奈米級金屬粒子。中介孔道之作用在於使金屬粒子前趨鹽易於抵達微孔隙內，形成之方式係可將該氧化多孔隙本體浸入一具有一電催化前趨鹽(electrocatalyst precursor salt)以及一還原劑(reducing agent)之溶液內，該電催化前趨鹽其係具有該金屬粒子之成分，使得該金屬粒子得以植入該氧化多孔隙基材內之孔隙中。在本實施例中，該金屬粒子係為鉑(Pt)，但不以此為限。
由於在步驟20中挑選的適當的多孔隙基材作為模板，因此經過酸氧化的反應而被擴大的孔隙或通道將有助於金屬粒子均勻的分佈於氧化多孔隙基材內。雖然步驟21中之適當酸性氧化時間也是一個重要參數，但是本發明所強調的特徵是在於挑選適當的多孔隙基材模板的條件規範，對於室溫儲氫效率會有重大提昇的影響。另外需要強調說明的是，利用傳統的77K低溫氮氣等溫吸附(nitrogen sorption isotherm)法來偵測多孔隙基材的孔隙結構特徵或者是比表面積(specific surface area,SSA)是有很多缺點，主要是由於該偵測技術所基於的孔隙幾何結構的假設太過於簡單以及擴散障礙限制(limitation of diffusion hinder)等問題。為了能夠精確的量測多孔隙基材的孔隙結構特徵，本發明以小角度X光散射法(small-angle X ray scattering,SAXS)來量測步驟20中之多孔隙基材的孔隙與通道特徵。藉由該方法可以準確的解析多孔隙基材內所具有的不同尺度等級(scale)及幾何之孔隙結構特徵與大小與空間分佈。
請參閱圖二所示，該圖係為本發明之經由圖一之製程而形成之儲氫結構示意圖(為小角度X-光散射法所分析之建構結果)。該儲氫結構3具有一可吸附氫之多孔隙本體30，其係經由步驟21所形成。該多孔隙本體30內具有至少一中介孔隙通道31(mesopore channel)，其係更連接有碎形網路(fractal network)之奈米孔隙通道32(nanopore channel)，每一個奈米孔隙通道32更連通有複數個球形或柱形微孔隙洞33(micropore)。在本實施例中，該奈米孔隙通道之寬度係小於2.1nm，而該微孔隙洞大小係小於2nm。此外，該中介孔隙通道之寬度大小係大於3nm。而該微孔隙本體之材料係可選擇為活性炭(activated carbon)，但不以此為限。
在該奈米孔隙通道32與微孔隙洞33內部更有利用步驟22所形成之複數個金屬粒子，其作用在於將氫分子解離成氫原子，使該氫原子可以吸附於該碎形網路之奈米通道及與通道相連之微孔隙洞中。該金屬粒子之粒徑係小於2nm。在本實施例中，該金屬粒子係為鉑(Pt)，但不以此為限。利用本發明之高儲氫材料具有可在室溫下吸附氫原子之特性。
請參閱下表一所示，該表係為利用SAXS對本發明多孔隙基材與其他種類之多孔隙基材所量測而得之孔隙結構特徵比較表。其中AC_CB為具有本發明所述之孔隙特徵之多孔隙基材，AC_CC、AC_GM為其他商用形式之多孔隙基材，Pt/AC_SC為美國化學公司(Stream Chemical Inc.)所生產之具有儲氫能力之儲氫結構。根據表二所示之量測結果，可以發現AC_CB滿足本發明所提到之孔隙特徵，而AC_CC、AC_GM並沒有滿足。
請參閱圖三所示，該圖係為各種不同之多孔隙基材之小角度X光散射(SAXS)曲線圖。根據圖三所示，只有AC_CB的古尼爾(Guinier)形狀特徵落在Q區域內，，亦即表示AC_CB具有高的微孔隙洞比率。而藉由SAXS的量測可以了解其他的多孔隙基材存在有極微量微孔隙洞，如：AC_GM或者是AC_SC等材料，或者是低密度的微孔隙分佈，例如：AC_CC。另外，根據表一所顯示的量測結果，可以了解AC_CB所具有之微孔隙洞及奈米通道寬度皆小於2.1nm，因此可以產生較佳的金屬粒子植入效果。而前述的特徵是無法藉由傳統的氣體吸附方法量測出來，僅能藉由SAXS的量測方式對多孔隙基材的孔隙特徵進行量測，以選擇具有微孔隙洞體積份率係大於0.2且該微孔隙洞(micropore)之直徑係小於2nm，該多孔隙基材更具有奈米孔隙通道所構成之碎形網路，其通道之寬度係小於2.1nm之特徵的多孔隙基材。
以具有前述特徵之多孔隙基材來進行氧化反應所形成之孔隙可以提供植入之金屬粒子有利的成長環境，如圖四所示，該圖係為本發明之儲氫結構與利用其他基材(AC_CC、AC_GM與AC_SC)所形成之儲氫結構之X光繞射結果曲線圖。根據圖四的結果所示，對於AC_CB與AC_CC基材形成之儲氫結構而言，可以看出其繞射頻譜中，鉑(111)繞射峰寬度變大，代表粒子很小，依X光繞射法結果(圖四)所決定之金屬粒子尺寸示於表一。根據表一，AC_GM與AC_SC的多孔隙基材由於幾乎沒有微孔隙洞或者是奈米通道的寬度太小，因此在進行酸氧化程序時無法形成可以讓鉑金屬粒子成長的孔隙或通道空間。反觀AC_CB具有高微孔隙體份率積以及相對於AC_GM與AC_SC之比較寬之奈米通道，因此有助於在酸氧化中形成比較有助於細微金屬粒子(2nm左右)成長之空間。
實施例：
首先將一多孔隙基材(其微孔隙洞體積份率係大於0.2且該微孔隙洞之直徑係小於2nm，該多孔隙基材更具有奈米孔隙通道所構成的碎形網路，其通道之寬度係小於2.1nm)置入於一由HNO3 與H2 SO4 所形成之酸性溶液中，並且在溫度90~120℃的條件下進行酸性氧化反應一特定時間(不超過100分鐘)以形成一氧化多孔隙基材。然後將該氧化多孔隙基材置入於具有電催化前趨鹽(electrocatalyst precursor salt)(H2 PtCl6 ‧6H2 O)、還原劑(reducing agents)乙二醇(ethylene glycol,EG)以及硫酸氫鈉(NaHSO3 )所形成的反應溶液中，反應溫度約在120~140℃。在反應過程中，為了增加金屬粒子(Pt)的分佈效果，可以再添加1M酸酸性鹽類，如：NaHSO3 ，但不以此為限。此外，為了最佳化金屬粒子的晶粒成長效果，更可以在反應過程中以鹼性物質，如：氫氧化鈉(NaOH)，但不以此為限，來調整反應溶液的酸鹼度(PH)。前述之實施例中的多孔隙基材係分別以表一中之樣品AC_CB，AC_CC以及AC_GM來進行儲氫結構裝置的製作，其室溫儲氫(在6.9MPa)之效果如表二所示。
根據上表二所示之儲氫結構Pt/AC_CB、Pt/AC_CC、Pt/AC_GM以及Pt/AC_SC，可以發現具有本發明之孔隙特徵的多孔隙基材在經過氧化與植入金屬粒子的製程後所形成的儲氫結構(Pt/AC_CB)，其具有之室溫儲氫能力5.85wt%遠大於其他儲氫結構之結果(6倍以上)，幾乎可以達到美國能源局(DOE)對於2010年所訂定之儲氫能力標準。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例，當不能以之限制本發明範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。
2．．．儲氫結構形成方法
20~22．．．步驟
3．．．高儲氫材料
30．．．多孔隙本體
31．．．中介孔隙通道
32．．．奈米孔隙通道所形成之碎形網路結構
33．．．微孔隙洞
34．．．金屬粒子
圖一係為本發明之儲氫結構之形成方法流程示意圖。
圖二係為本發明之經由圖一之製程而形成之儲氫結構示意圖。
圖三係為各種不同之多孔隙基材之小角度X光散射曲線圖。
圖四係為本發明之儲氫結構與利用其他基材(AC_CC、AC_GM與AC_SC)所形成之儲氫結構之X光繞射結果曲線圖。
2‧‧‧儲氫結構形成方法
20~22‧‧‧步驟

Claims (14)

  1. 一種儲氫結構形成方法，其係包括有下列步驟：提供一多孔隙基材，其微孔隙洞體積比係大於0.2且該微孔隙洞之直徑係小於2nm，該多孔隙基材更具有奈米孔隙通道所形成之碎形網路，其通道之寬度係小於2.1nm，碎形維度接近3；氧化該多孔隙基材以形成一被氧化多孔隙基材；以及使金屬粒子分別形成於該被氧化多孔隙基材之微孔隙內部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該多孔隙基材係為活性碳。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該金屬粒子係為鉑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該金屬粒子係形成於該微孔隙洞以及該奈米通道內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之儲氫結構形成方法，其中該金屬粒子之直徑係小於2奈米。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中形成金屬粒子於該氧化多孔隙基材內之方式係為將該氧化多孔隙基材浸入於一溶液內，該溶液內含一電催化前趨鹽，其係具有該金屬粒子之成分以及一還原劑，使得該金屬粒子得以植入該氧化多孔隙基材之微孔隙洞內部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之儲氫結構形成方法，其中該還原劑係為乙二醇與酸性鹽類之混合物。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之儲氫結構形成方法，其中該電催化前趨鹽係為H2 PtCl6 ‧6H2 O。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之儲氫結構形成方法，其係更包括有於該溶液內添加酸性鹽類以增加該金屬材料離子分佈之一步驟。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之儲氫結構形成方法，其係更包括有於該溶液內添加鹼性物質以調整該金屬材料之結晶成長狀態。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中氧化之方式係為酸氧化。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該多孔隙基材所具有之孔隙特徵係藉由小角度X光散射法所量測而得。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該微孔隙洞係為球形或柱形。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之儲氫結構形成方法，其中該微孔隙洞直徑小於2nm。
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