TWI397257B - 降壓差動接收器 - Google Patents

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TWI397257B TW097137401A TW97137401A TWI397257B TW I397257 B TWI397257 B TW I397257B TW 097137401 A TW097137401 A TW 097137401A TW 97137401 A TW97137401 A TW 97137401A TW I397257 B TWI397257 B TW I397257B
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Charles Qingle Wu
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45695—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedforward means
    • H03F3/45699—Measuring at the input circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45708—Controlling the common source circuit of the differential amplifier

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Description

降壓差動接收器
此揭示內容一般係關於驅動器，且更特定言之(但並非專門)係關於低電壓差動發信器件。
相對較長的信號路徑係數位傳輸中之一主要瓶頸。例如，印刷電路板通常包含負責相對較長佈線路徑上的電壓位準偏移與靜電放電保護的電路。此外，該電路通常需要一相對較大的電流量以驅動藉由該相對較長佈線所呈現的較大電阻與電容負載。因而，該電路通常使用較大觸點區域(與較大被動組件)並亦使用總體功率消耗之一較大部分。該等較大區域與組件通常係用以幫助耗散藉由該電路消耗的功率。
本文中說明用於接收一差動信號之一減低電源供應差動放大器的具體實施例。在以下說明中，提出許多特定細節，以提供該等具體實施例之一充分瞭解。然而，熟習此項技術者應明白，無需使用該等特定細節之一或多者，或使用其它方法、組件、材料等，便可實施本文中說明的技術。在其他實例中，未詳細顯示或說明熟知的結構、材料或操作，以避免混淆特定態樣。
整份說明書中所參考的「一項具體實施例」或「一具體實施例」表示結合具體實施例所說明的特定特徵、結構或特性係包括於本發明之至少一具體實施例中。因而，此說明書通篇各處出現的片語「在一項具體實施例中」或「在一具體實施例中」不一定全部表示同一具體實施例。此外，在一或多個具體實施例中，可以任何適當方式來組合特定特徵、結構或特性。
一般而言，已設計各種高速差動串列鏈路標準以適應增加的晶片外資料速率通信。高速USB、firewire(IEEE-1394)、串列ATA與SCSI係在PC產業中用於串列資料傳輸的幾個標準。低電壓差動發信(LVDS)已實施於傳輸側串列資料通信中。
此外，供應商(例如蜂巢式電話公司)已建議一「subLVDS」標準，其係該LVDS標準之一更小電壓擺動變化。已建議subLVDS用於針對(例如)影像感測器與板上系統之間的串列通信之小型相機埠2(CCP2)規格中。
CCP2係該標準行動影像架構(SMIA)標準之部分。典型的LVDS/subLVDS位準具有在供應電壓VDD與VSS之間之一輸出共模電壓(Vcm)。例如，針對CCP2之發射器(Tx)通常具有一150mV之輸出信號擺動(Vod)，其中心電壓Vcm處於0.9V。圖1係傳輸輸出信號強度與接收輸入信號範圍之CCP2線位準之一樣本的圖解。
在該接收器(Rx)側上，針對通常由於接地偏移與背板衰減所致而發生的Vcm變更與更小的信號通常需要板適應。該CCP2標準指定該接收器係要處理具有小至50mV之一輸出信號擺動(Vod)的自0.5V至1.3V之一輸入共模電壓。因此，揭示一軌對軌高速subLVDS接收器，其具有充分的增益以放大與轉換(例如)一50 mV輸入信號至1.2 V CMOS邏輯位準。
圖2係說明一範例小型相機埠2接收器的方塊圖。該小型相機埠2(CCP2)接收器包括外部終止電阻器210、subLVDS前端放大器220、次要增益級230、差動端至單端轉換器240及解串聯器250。如圖2所示，解串聯器250將(例如)一1.2 V高速單一位元信號轉譯成8-10-位元並列信號(並列信號通常比串列位元流傳輸得慢)。該等並列信號接著係傳送至一連續的數位邏輯單元以用於進一步解碼與信號處理。
在一範例中為了匹配高速信號特性阻抗，可將一約100歐姆之外部終止電阻器***兩個板上輸入節點之間。針對快速效能，subLVDS前端放大器220與第二增益級230使用一1.8 V的電源供應(AVdd)。可與其他組件一起使用一更低的1.2 V電源供應(DVdd)以便節省功率。
圖3係說明一傳統軌對軌前置放大器的示意圖。該傳統軌對軌前置放大器可用於該subLVDS前端放大器220，不過相對於參考圖4所揭示的放大器而言具有減低的效能。放大器300包括MOS電晶體301至327。NMOS電晶體301、302、315與PMOS電晶體303、304、316之輸入係直接連接至輸入節點「ep」與「en」。組態為一傳統跨導器件，該NMOS電晶體301、302、315與PMOS電晶體303、304、316之輸出電流係注入共同二極體負載電晶體305與306。
電晶體317、318、319及320與電晶體321、322、323及324之電流控制電路針對該等輸入級來調整電晶體311至312與313至314之負載源極的電流。如所組態，大約一半的電流正常流過該等差動電晶體(301至304)，其餘電流流過該等負載電晶體(315至316)。
該放大器可在三個不同的操作條件中使用軌對軌輸入電壓位準工作。在其中Vcm係大約0V之一第一操作條件中，該PMOS放大器(參見，電晶體317至318)在操作中並且該NMOS放大器(參見，電晶體321至324)係正常關閉。因為該尾電流(流過電晶體315)與流過PMOS電晶體311至312的電流兩者皆係減低至約為零，故該NMOS放大器係關閉。在其中Vcm係大約Vdd/2之一第二操作條件中，該PMOS放大器與NMOS放大器兩者都在正常操作。在其中Vcm係大約Vdd之一第三操作條件中，該NMOS放大器在正常操作。
然而，當在該第一操作條件中操作時，該傳統軌對軌方案(如上所述)通常需要比針對該等堆疊的NMOS與PMOS電晶體之臨限電壓之和大得多的電源供應電壓Vdd。例如：Vdd>Vgsn+Vdsn+Vgsp+Vdsp>Vtp+Vtn+0.5V
其中Vtp係針對PMOS電晶體之臨限電壓，其中Vtn係針對NMOS電晶體之臨限電壓，且其中Vgsn+Vdsn+Vgsp+Vdsp係一Vcm，其係以下電壓之和：一NMOS電晶體之閘極至源極電壓(Vgsn)、一NMOS電晶體之汲極至源極電壓(Vdsn)、一PMOS電晶體之閘極至源極電壓(Vgsp)及一PMOS電晶體之汲極至源極電壓(Vdsp)。此外，可假定該等Vds交叉電流源之電壓係高於0.1V並可假定差動對上之過驅動電壓(Vgs-Vt)係高於0.15V。
典型的鑄造程序通常提供兩種類型之電晶體：核心邏輯電晶體(其具有更薄的氧化物厚度用於高速操作)及I/O電晶體(其具有更厚的氧化物厚度用於更高的崩潰(2.5V至3.3V)與改良的ESD效能)。在各種範例中，I/O電晶體在設計中通常係用於「前端」(例如，接近輸入)差動對。
當使用更厚的氧化物時，臨限電壓(Vt)係大幅增加。使用更厚的氧化物導致增加的電壓操作要求(其降低可用的「頂部空間」)，其妨礙一些設計以非常低的電源供應電壓操作。例如，當一已知程序之I/O電晶體的Vt係針對NMOS電晶體大約0.6V及針對PMOS電晶體0.65V(於緩慢程序「轉角」)時，該理論上計算的最小電源供應係大約1.75V，其係高於1.62V的所需最低操作電壓(其係自一標稱1.8V降低10%)。此外，至少部分由於以PMOS為基礎的差動對之更差的跨導所致，該增益相對較小。已顯示該等以PMOS為基礎的差動對之增益係大約兩倍。以PMOS為基礎的電流引導通常添加額外的電晶體負載，其進一步減低頻寬並提供額外來源或雜訊與抖動。
簡而言之，揭示一軌對軌高速subLVDS放大器之一範例，其展示於低電源供應電壓(例如1.2V)針對高速信號(例如1Gbs信號)的良好抖動與負載循環效能。圖4係說明可用作一subLVDS接收器前置放大器之一樣本放大器的示意圖。如該繪示的範例所示，放大器400包括一電壓移位器401，其用於偏移一差動輸入信號之電壓位準以使得產生一偏移的差動輸入信號。該偏移的差動輸入信號係施加至一第一差動對403，並且該差動輸入信號係施加至一第二差動對404。該第一差動對與第二差動對之輸出係加總在一起以產生一差動輸出信號，其可使用輸出區塊405來輸出。一箝位電路402係用以調整該第一差動對之增益以回應該第一差動輸入信號與第二差動輸入信號之一共模電壓。(已將該電路之個別組件分組以促進該電路之操作的說明；例如，可以不同方式分組該等組件而不影響該電路之操作。)
放大器400提供一更低的複雜性與一降低的寄生負載(例如相關聯於被動電阻器之寄生負載)。放大器400通常採用電流模式邏輯(CML)，其係高速增益級所需。放大器400係一「虛擬」共同基極放大器，其包含一起耦合為一虛擬接地之差動對電晶體的源極節點。
電壓移位器401包括電晶體412、413、410及411。電晶體410至411係PMOS電晶體，其配置為源極隨耦器以藉由該電晶體410至411之Vgs(閘極至源極電壓)增加420至421之輸入位準。電晶體412至413亦係PMOS電晶體，其係配置為源極隨耦器以幫助實行該電壓位準偏移。
箝位電路402包括電晶體414、415、434、433及431、電阻器452與453及電容器460。電晶體414提供一電流，其係用以控制該等差動對403之增益。指示該差動信號之一共模電壓的一Vcm信號係使用電阻器452與453及電容器460來整合。該Vcm係施加至電晶體415與434之控制端子(例如閘極)。當Vcm達到一足夠高的電壓(例如大於Vtn之一電壓)以開啟差動對404時，差動對403之增益係減低以保持一相對恆定的跨導並節省功率。因此，鏡射差動對404之尾電流的電晶體434與433降低來自電晶體414的大部分電流並減低電晶體431上的二極體電流至接近零。以此一方式，電晶體425之電流係關閉，因為其係藉由電晶體431鏡射。在該範例中，電晶體415係配置為一串疊電晶體。此外，當Vcm接近Vdd時，電晶體412與413係關閉，其實質上減低該電壓移位器401中的電流。該電壓移位器401中之減低的電流係藉由電晶體415與414鏡射，並關閉電晶體431與425之通道，其亦關閉該差動對403。
差動對403包括電晶體420與421，其具有耦合在一起之汲極以形成一尾。該差動對403接收來自電壓移位器401之一電壓偏移的差動信號並依據透過電晶體424與425發展之一尾電流來放大該信號。差動對404包括電晶體422與423，其具有耦合在一起之汲極以形成一尾。差動對404接收該輸入差動信號並依據透過電晶體426發展之一尾電流來放大該信號。個別差動對之汲極係耦合在一起並輸出分別橫跨電阻器454與451發展之電壓以產生一差動輸出信號。
可將該差動輸出信號施加至輸出區塊405，其中電晶體427與429及電晶體428與430分別係配置為源極隨耦器以緩衝該施加的差動輸出信號。
在各種具體實施例中，差動對404之電晶體422與423可以係(例如)具有更高電壓臨限值的I/O型NMOS電晶體，而差動對403之電晶體420與421可以係(例如)具有更小電壓臨限值、更小大小及更小Ids(汲極至源極電流)的核心邏輯NMOS電晶體。出於ESD與偏壓之目的，可(例如)針對電晶體410與411來選擇I/O PMOS處理，該等電晶體係設計以具有高於電晶體420與421之Vgs與透過電晶體424與425之Vds之和的Vgs電壓降。
在各種具體實施例中，該箝位電路402係配置以保持一恆定增益(或輸出擺動)，並最小化由於(例如)得自Vcm變更之傳播延遲變更所致的抖動。所揭示箝位功能係配置以適應針對三個操作模式之軌對軌輸入電壓位準。
對於一第一操作模式而言，該Vcm係大約0 V。當Vcm係低於(例如)Vtn時，電晶體426存在不足的「頂部空間」(相對於該Vds)以作為一電流源；其減低該尾電流並減低及/或關閉電晶體422至423之增益。其亦減低電晶體433之電流源以確保透過電晶體414之電流係透過一電流鏡而耦合至電晶體424與425中。同時，電壓移位器401之源極隨耦器操作以偏移該輸入信號位準，使得可以驅動電晶體420至421之差動對。因而，放大器400可保持一相對恆定的增益，同時電晶體420至421係以充分啟動的424與425之電流源來啟動。電晶體424針對425用作一串疊級以減低該通道調變。
對於一第二操作模式而言，該Vcm係大約Vdd/2。差動 對403與404兩者都係啟動。然而，該啟動的電流源(電晶體433)可降低電晶體414之一部分電流，使得電晶體424與電晶體425之尾電流少於其中Vcm接近0 V的情況。因此，隨著該Vcm更緊密地接近0 V，差動對403之增益係減小。
對於一第三操作模式，該Vcm係實質上高於Vtn(例如接近Vdd)，其充分開啟差動對404。差動對403係配置以係關閉以保持恆定跨導並節省功率。在該範例中，鏡射差動對404之尾電流的電晶體434與433減去來自電晶體414的大部分電流，其導致接近零的二極體電晶體431上之一殘餘電流。在該範例中，因為該電流源電晶體425係自電晶體431鏡射，故差動對403係關閉。電晶體415用作一串疊級。如上所述，當Vcm接近Vdd時，電晶體412與413及電壓移位器401之操作係實質上減低。電晶體415與414鏡射來自位準移位器401之減低的電流，其關閉二極體電晶體431並隨後關閉差動對403。
可使用電晶體之匹配來最小化增益中的變更與電晶體中的傳播延遲。在各種範例中，電晶體434係與相對於電晶體422及423匹配，而電晶體433係與電晶體426匹配。在各種範例之箝位電路中電晶體415與電晶體410及411的匹配工作以確保電晶體424與電晶體426之尾電流的和隨著該軌對軌Vcm變更而實質上不變。因而，電晶體之匹配工作以確保隨著Vcm透過電阻器454與451之一恆定電流擺動係保持。藉由緊密匹配電晶體，可相對於該Vcm中的變更來最小化資料轉變(其係抖動之一主要來源)中的增益變更與傳 播延遲(延時)變更。
圖5係說明一樣本次要增益級的示意圖。次要增益級500包括電阻器550、551及552與NMOS電晶體520、521、522、523、524、525及526。可將次要增益級500之輸入耦合至放大器400之輸出以增加總體信號增益並將該邏輯高信號自1.8 V向下偏移至少於1.2 V(其可節省藉由用於接收該信號之電路所消耗的功率)。圖6係說明一標準差動至單一轉換器的示意圖。轉換器600包括PMOS電晶體610、611、612及613與NMOS電晶體620、621、622、623、624及625。轉換器600將小差動輸入信號轉譯至一具有一約0至1.2 V之電壓擺動的單端信號。
因此，所揭示軌對軌放大器/放大器包括一電壓移位器401，其係組態為用於實行一位準偏移之一PMOS源極隨耦器。甚至當該Ids係由於PMOS電晶體412與413之一通道調變所致而減低時，該源極隨耦器通常仍能夠保持一恆定增益。此外，在PMOS電晶體410與411中該過驅動電壓(Vgs-Vt)可比傳統設計中其差動增益對應物(例如圖3中的電晶體303與304)中的過驅動電壓小得多。
此外，所揭示軌對軌放大器/放大器可使用一電源供應電壓Vdd，其係小於藉由傳統方法所要求的Vdd。在傳統方法中，通常需要Vdd大於該等臨限電壓(Vtp+Vtn)與過驅動電壓之和。該過驅動電壓可以係0.35 V，其允許高於0.05 V的源極隨耦器Vds交叉電流源，並允許電晶體410至411上之一過驅動電壓(Vgs-Vt)高於0.05 V。
鑑於以上揭示內容，所揭示放大器可提供超過傳統設計的大約一150 mV頂部空間優勢。因而，對於具有高Vt與一1.62之低電源供應之一範例緩慢程序轉角而言，可實現一高速效能。此外，所揭示放大器增益可高於傳統方法。用於該範例中的被動電阻器通常具有更少的寄生電容與雜訊。所揭示放大器之增益區塊通常係基於NMOS技術，其通常具有高於相同大小之PMOS器件的跨導。
已實行使用各種範例程序、電源供應(1.8 V±10%)及溫度(-40℃至85℃)PVT轉角的模擬。程序轉角包括電晶體之緩慢、典型及快速轉角。圖7係說明於該輸出接點處的1Gbs信號之一樣本時域模擬的波形圖。使用一偽隨機二進制序列(PRBS)來進行該範例模擬。
圖式中顯示來自***性PVT轉角的三個跡線，其中Vcm=0.9 V且Vod=50 mV。跡線710表示來自使用具有一1.80 V之AVdd(「類比Vdd」)與一1.2 V之DVdd(「數位Vdd」)之一PVT轉角的一模擬之模擬結果。跡線720表示來自使用具有一1.68 V之AVdd與一1.08 V之DVdd之一PVT轉角的一模擬之模擬結果。跡線730表示來自使用具有一1.98 V之Vdd與1.32 V之DVdd之一PVT轉角的一模擬之模擬結果。
峰值至峰值抖動(其係定義為傳播延遲隨各種資料序列之變更)可在較大部分上係藉由該資料圖案引起的符號間干擾與共模雜訊來引起。在該等轉角上，該輸出信號展示快速上升與下降時間(<120微微秒)並具有一非常低的峰值至峰值抖動(<10微微秒)，其係用以傳遞1Gbs資料。在該模擬中測量的抖動通常小於傳統電路之模擬中所顯示的大約30微微秒抖動。
圖8係說明包含重疊的「眼」圖之一樣本時域模擬的波形圖。跡線810與820表示範圍自0V至1.8V之Vcm的模擬結果。該模擬中之重疊的峰值至峰值抖動係測量為大約26微微秒，其係實質上小於報告的值(例如97微微秒之抖動)。
圖9係說明以各種輸入信號強度在軌對軌共模位準上的抖動之一樣本時域模擬的波形圖。跡線910說明使用一150mV之Vcm之一範例模擬。跡線920說明使用一50mV之Vcm之一範例模擬。因此，跡線910顯示一稍大的抖動，其係當該差動輸入信號具有一150mV之Vcm時由於該等增益級之「過衝」所致而產生。
圖10係說明以各種電源供應電壓在軌對軌共模位準上的樣本時域模擬抖動的波形圖。跡線1010係於1.8V之操作所得的峰值至峰值抖動。跡線1020係於1.3V之操作所得的峰值至峰值抖動。跡線1030係於1.2V之操作所得的峰值至峰值抖動。跡線1030顯示在以1.2V之AVdd操作時之一更大抖動結果，而跡線1020顯示橫跨共模位準之一範圍的少於10微微秒之一抖動。
圖11係說明以各種電源供應電壓在軌對軌共模位準上的樣本時域模擬負載循環變更的波形圖。可將負載循環變更定義為作為在一脈衝之週期內該脈衝之邏輯高的持續時間之一百分比的變更。跡線1110係於1.8 V之操作所得的峰值至峰值負載循環變更。跡線1120係於1.3 V之操作所得的峰值至峰值負載循環變更。跡線1130係於1.2 V之操作所得的峰值至峰值負載循環變更。
可實施所揭示放大器之各種具體實施例。例如，若425之通道調變並不重要，則可刪除圖4中的電晶體424。在更多範例中，該共同電壓模式節點Vcom亦可用以箝位該電流源426。
圖12係說明於單一轉變中之一第一上升處的傳播延遲變更之一Vcm箝位電路之樣本效應的波形圖。跡線1210與1220展示所揭示放大器藉由箝位該Vcm而實質上較佳地實行(在軌對軌輸入Vcm變更上具有少於20微微秒之一正規化的第一轉變上升時間)。然而，跡線1220顯示當遇到第一邏輯「0」至「1」轉變(在軌對軌Vcm上)時缺少一Vcm箝位電路顯示多達三倍的傳播延遲變更的增加。
圖13係說明包含不具有一箝位電路之一放大器的重疊眼圖之一樣本時域模擬的波形圖。跡線1310與1320說明其中該Vcm之範圍係自0 V至1.8 V的模擬結果。與上面圖8中的跡線810與820相比較，該等跡線1310與1320之寬度(其係來自其中該Vcm從軌至軌改變的模擬之結果的組合)係實質上更寬，其展示當不使用該箝位電路時的更大抖動。
此外，在選擇以執行一積體電路中之電路的程序中不具有該箝位電路的負載循環效能尤其於特定「PVT轉角」處係劣化。圖14係說明使用一「fs」程序的包含不具有一Vcm箝位 Vcm箝位之一放大器的一輸出眼圖之一範例時域模擬的波形圖。例如，跡線1420與1410說明於一「fs」轉角(更快的NMOS與更慢的PMOS)、一50 mV之過驅動電壓、一1.62 V電源供應及一85℃之操作溫度(或當輸入信號過大時)，所揭示的不具有一Vcm箝位之放大器可產生具有一實質負載循環誤差之一輸出(如圖14之倒轉波形之不對稱所示)。
圖15係說明具有或不具有一Vcm箝位電路的一負載循環變更比較之一樣本時域模擬的波形圖。圖15之跡線1520與1510顯示當Vcm接近1.8 V時(使用一「fs」轉角、一50 mV之過驅動電壓、一1.62 V電源供應及一85℃之操作溫度的效能參數)之一兩倍負載循環誤差。當該Vcm足夠高以減低該源極隨耦器之電流源的Vds時，(圖4之)電晶體412與413通常關閉該源極隨耦器。然而，當不存在箝位電路時，經由412與413之寄生電容所耦合的信號係藉由該主動差動對420與421放大。此寄生「振鈴」加速該下降邊緣的衰減，其不利地影響該負載循環之對稱性。
上面對本發明之所說明具體實施例的說明(包括發明摘要中的說明)並非詳盡無遺或以所揭示的精確形式限制本發明。雖然本文說明的本發明之特定具體實施例及範例係出於說明性目的，但熟習此項技術者將認識到可在本發明的範疇內作各種修改。
可根據上面的詳細說明來對本發明進行此等修改。以下申請專利範圍中所使用的術語不應解釋為將本發明限於本說明書中所揭示的特定具體實施例。實際上，本發明之範疇將完全由以下申請專利範圍來決定，該申請專利範圍應依據申請專利範圍說明之所建置的解釋規則而加以解釋。
210‧‧‧外部終止電阻器
220‧‧‧subLVDS前端放大器
230‧‧‧次要增益級
240‧‧‧差動端至單端轉換器
250‧‧‧解串聯器
300‧‧‧放大器
301‧‧‧NMOS電晶體
302‧‧‧NMOS電晶體
303‧‧‧PMOS電晶體
304‧‧‧PMOS電晶體
305‧‧‧共同二極體負載電晶體
306‧‧‧共同二極體負載電晶體
307‧‧‧MOS電晶體
308‧‧‧MOS電晶體
309‧‧‧MOS電晶體
311‧‧‧PMOS電晶體
312‧‧‧PMOS電晶體
313‧‧‧MOS電晶體
314‧‧‧MOS電晶體
315‧‧‧NMOS電晶體
316‧‧‧PMOS電晶體
317‧‧‧MOS電晶體
318‧‧‧MOS電晶體
319‧‧‧MOS電晶體
320‧‧‧MOS電晶體
321‧‧‧MOS電晶體
322‧‧‧MOS電晶體
323‧‧‧MOS電晶體
324‧‧‧MOS電晶體
325‧‧‧MOS電晶體
326‧‧‧MOS電晶體
327‧‧‧MOS電晶體
400‧‧‧放大器
401‧‧‧電壓移位器
402‧‧‧箝位電路
403‧‧‧第一差動對
404‧‧‧第二差動對
405‧‧‧輸出區塊
410‧‧‧電晶體
412‧‧‧電晶體
413．．．電晶體
414．．．電晶體
415．．．電晶體
420．．．電晶體/主動差動對
421．．．電晶體/主動差動對
422．．．電晶體
423．．．電晶體
424．．．電晶體
425．．．電晶體
426．．．電晶體/電流源
427．．．電晶體
428．．．電晶體
429．．．電晶體
430．．．電晶體
431．．．電晶體
433．．．電晶體
434．．．電晶體
451．．．電阻器
452．．．電阻器
453．．．電阻器
454．．．電阻器
460．．．電容器
500．．．次要增益級
520．．．NMOS電晶體
521．．．NMOS電晶體
522．．．NMOS電晶體
524．．．NMOS電晶體
525．．．NMOS電晶體
526．．．NMOS電晶體
550．．．電阻器
551．．．電阻器
552．．．電阻器
600．．．轉換器
610．．．PMOS電晶體
611．．．PMOS電晶體
612．．．PMOS電晶體
613．．．PMOS電晶體
620．．．NMOS電晶體
621．．．NMOS電晶體
622．．．NMOS電晶體
623．．．NMOS電晶體
624．．．NMOS電晶體
625．．．NMOS電晶體
710．．．跡線
720．．．跡線
730．．．跡線
810．．．跡線
820．．．跡線
910．．．跡線
920．．．跡線
1010．．．跡線
1020．．．跡線
1030．．．跡線
1110．．．跡線
1120．．．跡線
1130．．．跡線
1210．．．跡線
1220．．．跡線
1310．．．跡線
1320．．．跡線
1410．．．跡線
1420．．．跡線
1510．．．跡線
1520．．．跡線
已參考以下圖式說明本揭示內容的非限制性且非詳盡具體實施例，其中在各種圖式中類似參考數字表示類似部分，除非以其他方式指定。
圖1係傳輸輸出信號強度與接收輸入信號範圍之小型相機埠2(CCP2)線位準之一樣本的圖解。
圖2係說明一樣本小型相機埠2接收器的方塊圖。
圖3係說明一傳統軌對軌前置放大器的示意圖。
圖4係說明一樣本放大器的示意圖。
圖5係說明一樣本次要增益級的示意圖。
圖6係說明一樣本差動至單一轉換器的示意圖。
圖7係說明於差動至單端轉換器之輸出接點處的1Gbs信號之一樣本時域模擬的波形圖。
圖8係說明包含重疊的眼圖之一樣本時域模擬的波形圖。
圖9係說明以各種輸入信號強度在軌對軌共模位準上的抖動之一樣本時域模擬的波形圖。
圖10係說明以各種電源供應電壓在軌對軌共模位準上的一樣本時域模擬抖動的波形圖。
圖11係說明以各種電源供應電壓在軌對軌共模位準上的一樣本時域模擬負載循環變更的波形圖。
圖12係說明於單一轉變中之一第一上升處的傳播延遲變更之一樣本Vcm箝位電路之效應的波形圖。
圖13係說明包含不具有一箝位電路之一接收器的重疊眼圖之一樣本時域模擬的波形圖。
圖14係說明使用一「fs」程序的包含不具有一Vcm箝位之一接收器的一輸出眼圖之一樣本時域模擬的波形圖。
圖15係說明具有或不具有一Vcm箝位電路的一負載循環變更比較之一樣本時域模擬的波形圖。
210．．．外部終止電阻器
220．．．subLVDS前端放大器
230．．．次要增益級
240．．．差動端至單端轉換器
250．．．解串聯器

Claims (19)

  1. 一種差動放大器，其包含：一電壓移位器，其用於偏移一第一與第二差動輸入信號之每一者之電壓位準以產生一第一與第二偏移的差動輸入信號；一第一差動對，其包含一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體具有一控制端子以用於接收該第一偏移的差動輸入信號，該第二電晶體具有一控制端子以用於接收該第二偏移的差動輸入信號，其中該第一差動對之該等第一與第二電晶體各具有一第一非控制端子，其分別係耦合至一第一與第二共同輸出節點；一第二差動對，其包含一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體具有一控制端子以用於接收該第一差動輸入信號，該第二電晶體具有一控制端子以用於接收該第二差動輸入信號，其中該第二差動對之該等第一與第二電晶體各具有一第一非控制端子，其分別係耦合至該第一與第二共同輸出節點；以及一箝位電路，其調整該第一差動對之增益以回應該等第一與第二差動輸入信號之一共模電壓(Vcm)，其中該箝位電路包含一電容器及一電阻分配器以製造一整合信號，該整合信號係回應於該等第一及第二差動輸入信號之該共模電壓，其中該整合信號係當該Vcm接近0伏特時用於減少一第一差動對共同尾之一尾電流。
  2. 如請求項1之差動放大器，其中該第一差動對之該等第 一與第二電晶體各具有一第二非控制端子，其分別係彼此耦合以形成該第一差動對共同尾。
  3. 如請求項2之差動放大器，其中該箝位電路藉由控制該第一差動對共同尾之該尾電流來調整該第一差動對之該增益。
  4. 如請求項1之差動放大器，其中該第一差動對包含N型電晶體而該第二差動對包含N型電晶體。
  5. 如請求項4之差動放大器，其中該第一差動對之該等電晶體之該等控制端子具有比該第二差動對之該等電晶體之該等控制端子的閘極氧化物厚的閘極氧化物。
  6. 如請求項1之差動放大器，其中當該等第一與第二差動輸入信號之該共模電壓接近零時該差動放大器以一第一模式操作，且其中在該第一模式中，該第一差動對之操作相對於該第二差動對係實質上減低。
  7. 如請求項6之差動放大器，其中當該等第一與第二差動輸入信號之該共模電壓接近該供應電壓之一中間軌位準時該差動放大器以一第二模式操作，且其中在該第二模式中，該第一與第二差動對之該操作相對於相反的差動對係實質上相等。
  8. 如請求項7之差動放大器，其中當該等第一與第二差動輸入信號之該共模電壓接近供應電壓軌時該差動放大器以一第三模式操作，且其中在該第三模式中，該第二差動對之該操作相對於該第一差動對係實質上減低。
  9. 如請求項1之差動放大器，其進一步包含一第二增益 級，其用於將相關聯於該第一與第二共同輸出節點之輸出信號的電壓位準自一第一電源供應軌減低至低於該第一電源供應軌之一第二電源供應軌。
  10. 一種操作一差動放大器之方法，其包含：接收一差動輸入信號；偏移接收的該差動輸入信號之電壓位準以產生一偏移的差動輸入信號；將該偏移的差動輸入信號施加至一第一差動對；將該差動輸入信號施加至一第二差動對；耦合該等第一與第二差動對之輸出以產生一差動輸出信號；以及調整該第一差動對之該增益以回應該等第一與第二差動輸入信號之一共模電壓(Vcm)，其中該箝位電路包含一電容器及一電阻分配器以製造一整合信號，該整合信號係回應於該等第一及第二差動輸入信號之該共模電壓，其中該整合信號係當該Vcm接近0伏特時用於減少一第一差動對共同尾之一尾電流。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含：當該接收的差動輸入信號之該共模電壓接近0伏特時減低來自該第二差動對之該尾電流。
  12. 如請求項10之方法，其進一步包含：當該接收的差動輸入信號之該共模電壓接近用以實施如請求項10之方法之一電路的Vdd時減低來自該第一差動對之該尾電流。
  13. 一種差動接收器，其包含：一電壓位準移位器，其用於偏移一差動輸入信號之電壓位準，使得產生一偏移的差動輸入信號；一第一差動對，其接收該偏移的差動輸入信號；一第二差動對，其接收該差動輸入信號，其中該等第一與第二差動對之輸出係耦合在一起以產生一差動輸出信號；以及一箝位電路，其用於調整該第一差動對之該增益以回應該等第一與第二差動輸入信號之一共模電壓(Vcm)，其中該箝位電路包含一電容器及一電阻分配器以製造一整合信號，該整合信號係回應於該等第一及第二差動輸入信號之該共模電壓，其中該整合信號係當該Vcm接近0伏特時用於減少一第一差動對共同尾之一尾電流。
  14. 如請求項13之差動接收器，其進一步包含一第二增益級，其用於減低該差動輸出信號之電壓擺動。
  15. 如請求項13之差動接收器，其進一步包含一差動至單端轉換器。
  16. 如請求項13之差動接收器，其進一步包含一解串聯器，其用於將串列資料轉換成並列資料。
  17. 如請求項13之差動接收器，其中一基板包含CMOS電晶體。
  18. 如請求項13之差動接收器，其進一步包含一電流鏡，其用於控制該第一差動對之該增益。
  19. 如請求項13之差動接收器，其中該第一差動對之閘極氧 化物厚度具有比該第二差動對之該等電晶體之閘極氧化物厚的閘極氧化物。
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