TWI390498B - 主動矩陣液晶顯示器及液晶顯示面板 - Google Patents

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Description

主動矩陣液晶顯示器及液晶顯示面板
本發明是有關於一種顯示器及顯示面板,且特別是有關於一種主動矩陣液晶顯示器及液晶顯示面板。
液晶顯示器之應用廣泛且包括多種型式。一種常見之液晶顯示器為主動矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMLCD)。
傳統上,於主動矩陣液晶顯示器之驅動過程中,係經由掃描線傳送一掃描訊號至位於顯示面板中的一電晶體,來導通或截止此電晶體,以達到驅動顯示面板的目的。更詳細地說,當掃描訊號為致能時而具有高位準時,電晶體導通,此時,液晶電容將會根據資料電壓進行充電而調整畫素電壓,並於此畫素電壓的驅動下使對應的畫素顯示對應之灰階。當掃描訊號轉為非致能而具有低位準時,電晶體截止,此時液晶電容係不再充電,且會保持所儲存之電荷,以使對應的畫素持續地顯示對應的灰階。
然而,當掃描訊號之位準改變時,例如由致能之高位準改變為非致能之低位準時,將會產生一穿遂電壓(feed through voltage)。於此穿遂電壓的影響下,畫素電壓將會偏離原來之位準,使得液晶電容所顯示灰階產生錯誤。因此,如何降低穿遂電壓,提高顯示灰階的正確性,乃業界所致力之方向之一。
本發明係有關於一種主動矩陣液晶顯示器及其液晶顯示面板,可降低穿遂電壓,並能提高顯示灰階的正確性。
根據本發明之第一方面,一種主動矩陣液晶顯示器,包括一掃描驅動器及一液晶顯示面板。掃描驅動器用以輸出一掃描驅動訊號及一補償訊號。當掃描驅動訊號之位準變化時,補償訊號之位準係依照掃描驅動訊號之位準之變化以反相變化。液晶顯示面板包括一畫素單元及一掃描線。畫素單元包括一主動元件及一液晶電容。掃描線用以傳送掃描驅動訊號,以控制主動元件及液晶電容。補償訊號線係相鄰於掃描線,用以傳送補償訊號,以降低一穿遂電壓(Feed Through Voltage)。
根據本發明之第二方面,提出一種液晶顯示面板,包括一畫素電極、一汲極電極、一共同電極走線、一補償訊號線、一掃描線、一第一通道層及一資料線。汲極電極係電性連接至畫素電極。共同電極走線係與畫素電極部份重疊。補償訊號線係不與畫素電極重疊,且與汲極電極部份重疊。掃描線係不與畫素電極重疊,且與汲極電極部份重疊。第一通道層係設置於掃描線上。資料線係經由第一通道層耦接至汲極電極。
根據本發明之第三方面,提出一種液晶顯示面板,包括一畫素電極、一汲極電極、一資料線、一掃描線、一補償訊號線、一第一通道層及一第二通道層。畫素電極。汲極電極係電性連接至畫素電極。第一通道層係設置於掃描 線上。第一通道層係與汲極電極部分重疊,且與資料線部分重疊。第二通道層係設置於補償訊號線上。第二通道層係與汲極電極部分重疊,且不與資料線部分重疊。
根據本發明之第四方面,提出一種主動矩陣液晶顯示器,包括一掃描驅動器及一面板。掃描驅動器用以輸出互為反相之一掃描驅動訊號及一補償訊號。面板至少包括一畫素單元、一掃描線及一補償訊號線。掃描線係受控於掃描驅動訊號致能畫素單元。補償訊號線係相鄰平行於掃描線,並受控於補償訊號,以降低一穿遂電壓。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
請參照第1圖,其繪示依照本發明之一實施例之主動矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMLCD)之示意圖。主動矩陣液晶顯示器100包括一掃描驅動器120及一液晶顯示面板140。掃描驅動器120用以輸出實質上互為反相之一掃描驅動訊號Sg及一補償訊號Sgc。顯示面板140至少包括一畫素單元P、一掃描線G及一補償訊號線GC。掃描線G係受控於掃描驅動訊號Sg以致能畫素單元P。補償訊號線GC係相鄰平行於掃描線G,補償訊號線GC用以傳輸補償訊號Sgc,以降低一穿遂電壓(Feed Through Voltage)。
請參照第2圖,其繪示為第1圖之畫素單元P之一例之等效電路圖。於此例中,畫素單元P包括一主動元件、一液晶電容C1c及一儲存電容Cst。主動元件例如為電晶體T。於實作中,電晶體T例如為N型薄膜電晶體(N-type TFT)或P型薄膜電晶體(P-type TFT)。電晶體T係連接資料線D至液晶電容C1c及儲存電容Cst。當掃描驅動訊號Sg為高位準時,受控之掃描線G會導通電晶體T。導通之電晶體T傳送資料線D上之資料電壓Vd至液晶電容C1c及儲存電容Cst。液晶電容C1c及儲存電容Cst根據資料電壓Vd以進行充電,以於畫素電極PE上產生對應之畫素電壓Vn。
傳統中,此畫素電壓Vn會受到位於掃描線G與畫素電極PE之間的寄生電容Cgs之影響。也就是說,當掃描驅動訊號Sg之位準改變時,例如由高位準改變低位準時,掃描驅動訊號Sg會經由寄生電容Cgs產生一穿遂電壓而影響畫素電壓Vn的大小。
於本實施例所提出之液晶顯示器中,由於補償訊號線GC係相鄰平行於掃描線G,所以,畫素電壓Vn還會受到位於補償訊號線GC與畫素電極PE之間的寄生電容Cgcs影響。再者,當掃描驅動訊號Sg之位準改變時,補償訊號Sgc之位準亦會改變。此時補償訊號Sgc亦會經由寄生電容Cgs影響畫素電極PE。也就是說,於本發明之實施例中,係可於掃描驅動訊號Sg驅動畫素單元P時,藉由掃描驅動器120傳送補償訊號Sgc來降低受掃描驅動訊號 Sg影響時所產生的穿遂電壓。
茲將降低穿遂電壓之原理說明如下。請繼續參照第2圖。傳統上,穿遂電壓Vp’之公式為: 其中,Cgs 表示為位於掃描線G與畫素電極PE之間的寄生電容Cgs之電容值;△Vg 表示為掃描線G所傳送之掃描驅動訊號Sg之電壓位準之變化;Cgs .△Vg 係為畫素電極PE所增加之儲存電荷;Cto tal 表示於畫素電極PE上之等效電容值。此處之Ctotal 係表示為寄生電容Cgs、液晶電容C1c及儲存電容Cst之電容值的總和。
於本實施例中,由於使用了補償訊號線Gc,因此穿遂電壓Vp之公式為: 相仿之符號係如公式Eq.1所述。與公式Eq.1不同的是,其中,Cgcs 表示為位於補償訊號線GC與畫素電極PE之間的寄生電容Cgcs之電容值;△Vgc 表示為補償訊號線GC所傳送之補償訊號Sgc之電壓位準之變化;Cgs .△VgCgcs .△Vgc 係為畫素電極PE所增加之儲存電荷;而此處之Ctotal 係表示為寄生電容Cgs及Cgcs、液晶電容C1c及儲存電容Cst之電容值的總和。
從公式Eq.2可知,若吾人欲降低穿遂電壓Vp,可使Cgs .△VgCgcs .△Vgc 之數值愈小愈好。較佳地,係使得Cgs .△VgCgcs .△Vgc =0。於本發明之實施例中,係使用 互為反相之掃描驅動訊號Sg與補償訊號Sgc,使得補償訊號Sgc之電壓位準變化量△Vgc 之極性,與掃描驅動訊號Sg之電壓位準變化量△Vg 之極性相反,以減少Cgs .△VgCgcs .△Vgc 之數值,而能達到降低穿遂電壓的目的。
茲以兩個例子於下說明本發明之實施例係如何降低穿遂電壓。於第一個例子中,第2圖之主動元件(電晶體T)係為一N型薄膜電晶體。請參照第3A圖,其繪示為依照本發明之一實施例於降低穿遂電壓時位於液晶顯示面板140上之多種訊號之一例之時序圖。掃描驅動訊號Sg係於一第一電壓V1及一第二電壓V2之間變化,第一電壓V1大於第二電壓V2。如此,在掃描驅動訊號Sg關閉N型薄膜電晶體時,所產生之穿遂電壓Vp會使得畫素電壓Vn被拉低,如處線DL1所繪示。
補償訊號Sgc係於一第三電壓V3及一第四電壓V4之間變化,第四電壓V4大於第三電壓V3。掃描驅動訊號Sg由第一電壓V1轉換為第二電壓V2的時間點t0,與補償訊號Sgc由第三電壓V3轉換為第四電壓V4的時間點t1,係為實質上相同。也就是說,於時段t中,掃描驅動訊號Sg具有例如為高位準之第一電壓V1,補償訊號Sgc則例如為具有低位準之第三電壓V3。而於時間點t0(於此例中t0等於t1)時,掃描驅動訊號Sg於轉為例如具有低位準之第二電壓V2,掃描驅動訊號Sg則轉為例如具有高位準之第四電壓V4。
由於第一電壓V1高於第二電壓V2(V1>V2),因此補 償驅動訊號Sgc之電壓位準變化量△Vg 為正值(△Vg =V1-V2>0),且由於第四電壓V4係高於第三電壓V3(V4>V3),故知,補償訊號Sgc之電壓位準變化量△Vgc 為負值(△Vgc =V3-V4<0)。因為△Vg 與△Vgc 之極性係為相反,故整體而言,Cgs .△VgCgcs .△Vgc 之數值係會變小。因此,穿遂電壓Vp(如虛線所繪示)將會降低,較佳地,係使Cgs .△VgCgcs .△Vgc 成為接近零之數值,以使穿遂電壓Vp接近於零值。
於第二個例子中,與第一個例子不同的是,第2圖之主動元件(電晶體T)係為一P型薄膜電晶體。請參照第3B圖,其繪示為依照本發明之一實施例於降低穿遂電壓時位於液晶顯示面板140上之多種訊號之另一例之時序圖。由於使用P型薄膜電晶體,因此,於此例中,掃描驅動訊號Sg於導通(turn on)P型薄膜電晶體時之電壓會小於關閉(turn off)P型薄膜電晶體時之電壓。也就是說,於此例中,與第一個例子不同的是,掃描驅動訊號Sg之第一電壓V1小於第二電壓V2,如此,在掃描驅動訊號Sg關閉P型薄膜電晶體時,所產生之穿遂電壓Vp會使得畫素電壓Vn被拉高,如虛線DL2所繪示。
補償訊號Sgc之第四電壓V4小於第三電壓V3。而相仿於第一個例子地,藉由補償訊號Sgc於時間點t0時,即掃描驅動訊號Sg關閉P型薄膜電晶體時,依照掃描驅動訊號Sg之位準之變化進行反相變化,使得△Vg 與△Vgc 之極性為相反,來減小Cgs .△VgCgcs .△Vgc 之數值。如此, 穿遂電壓Vp(如虛線所繪示)將會降低,較佳地,係使Cgs .△VgCgcs .△Vgc 成為接近零之數值,以使穿遂電壓Vp接近於零值。
於本實施例中,係以時間點t0係實質上相同於時間點t1為例說明,然亦不限於此,時間點t0與t1亦可以不為相同,且兩者係相差一段時間。舉例來說,於其它的實作例子中,掃描驅動訊號Sg由第一電壓V1轉換為第二電壓V2的時間點t0,與補償訊號Sgc由第三電壓V3轉換為第四電壓V4的時間點t1,係相差約小於0.5微(micron)秒。
再者,於本實施例中,第一電壓V1為足以使主動元件導通之電壓,而第二電壓V2為足以使主動元件關閉之電壓。一般而言,當掃描驅動訊號Sg係變化以關閉主動元件(如第2圖之電晶體T)時,此時之穿遂電壓影響畫素電壓的情況係最為嚴重。因此,於本實施例中,係藉由於時間點t0時,即電晶體T將被關閉時,使得補償訊號Sgc與掃描驅動訊號Sg反相變化,來改善穿遂電壓。然亦不限於此,只要能於掃描驅動訊號Sg控制(導通或關閉)電晶體T時,對應地改變補償訊號Sgc所傳送之電壓的位準,來改善穿遂電壓之問題,皆在本發明之保護範圍內。
茲進一步將本發明之液晶顯示面板140之佈局說明如下。請參照第4圖,其繪示依照本發明之一實施例之液晶顯示面板140於畫素單元P中之佈局之一例之示意圖。於第4圖中,液晶顯示面板140包括一畫素電極PE、一汲 極電極(drain electrode)DE、一共同電極走線COM、一補償訊號線GC、一掃描線G、一第一通道層CH1、一第二通道層CH2及一資料線D。汲極電極DE係表示為連接於第1圖之電晶體T與畫素電極PE之間的一電極,此電極於本發明之實施例中係稱為汲極電極DE,然亦不於此限,連接於電晶體T與畫素電極PE之間的此電極亦可稱為源極電極(source electrode),需知者為,此處使用之名稱係用以說明之故,並非用以限制本發明。汲極電極DE係電性連接至畫素電極PE,例如係經由貫孔(via)VIA電性連接至畫素電極PE。第一通道層CH1係設置於掃描線G上。第二通道層CH2係設置於補償訊號線GC上。資料線D係經由第一通道層CH1耦接至汲極電極DE。
於本實施例中,共同電極走線COM係與畫素電極PE部份重疊。掃描線G係不與畫素電極PE重疊,且與汲極電極DE部份重疊。補償訊號線GC係不與畫素電極PE重疊,且與汲極電極DE部份重疊。第一通道層CH1與汲極電極DE部分重疊,且與資料走線D部分重疊,第二通道層CH2與汲極電極DE部分重疊,且不與資料走線D部分重疊。
由於第一通道層CH1係位於掃描線G之上,且與電性連接至畫素電極PE之汲極電極DE部分重疊,因此,掃描線G與畫素電極PE之間會具有如第2圖所繪示之寄生電容Cgs。相仿地,由於第二通道層CH2係位於補償訊號線GC之上,且與電性連接至畫素電極PE之汲極電極 DE部分重疊,因此,補償訊號線GC與畫素電極PE之間會具有如第2圖所繪示之寄生電容Cgcs。如此一來,吾人係可透過於補償訊號線GC上傳送與掃描線上所傳送之訊號不同的訊號,以降低穿遂電壓之效應。掃描線G與補償訊號線GC所傳送之訊號及降低穿遂電壓之原因已詳述於前述之說明中,故於此不再重述。
此外,有別於第二通道層CH2的是,第一通道層CH1還與資料線D部分重疊,而可能具有額外的寄生電容,因此,較佳地,於本發明之實施例所提出之液晶顯示面板中,係設計使得掃描線G之等效電阻值係大於補償訊號線GC之等效電阻值。如此,吾人係可使部分之補償訊號線GC之寬度係小於掃描線G之寬度,以使掃描線之等效電阻係大於補償訊號線之等效電阻值。舉例來說,如第4圖繪示,掃描線G的寬度為W1,部分之補償訊號線GC之寬度係為W2,其中W2<W1。再者,較佳地,係使用與第二通道層CH2之特性相仿之第一通道層CH1,以使寄生電容Cgcs之電容值相等於寄生電容Cgs。舉例來說,例如可使得掃描線與補償訊號線係由同一黃光製程(process)所製成,且掃描線與補償訊號線之材質係為相同之金屬材質,以使兩者具有相仿之特性。
上述係以改變掃描線G與補償訊號線GC之寬度,來達到調整電阻之目的,然亦不限於此。亦可以藉由使用不同之材質,來配置掃描線G與補償訊號線GC,使得掃描線G之等效電阻值大於補償訊號線GC之等效電阻值。
此外,於第4圖所繪示之例中,補償訊號線GC係位於共同電極走線COM與掃描線G之間,然亦不限於此。請參照第5圖,其繪示依照本發明之一實施例之液晶顯示面板140之佈局另一例之示意圖。於此例中,掃描線G係位於共同電極走線COM與補償訊號線GC之間。如此,亦能夠藉由補償訊號線GC達到降低穿遂電壓之目的。
本發明上述實施例所揭露主動矩陣液晶顯示器及液晶顯示面板,藉由使用相鄰平行於掃描線之補償訊號線,並傳送以反相於掃描驅動訊號之補償訊號,可有效地降低穿遂電壓,並能提高顯示灰階的正確性。
綜上所述,雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧主動矩陣液晶顯示器
120‧‧‧掃描驅動器
140‧‧‧液晶顯示面板
SB‧‧‧基板
D‧‧‧資料線
G‧‧‧掃描線
GC‧‧‧補償訊號線
P‧‧‧畫素單元
PE‧‧‧畫素電極
Sg‧‧‧掃描驅動訊號
Sgc‧‧‧補償訊號
Vd‧‧‧資料電壓
Vn‧‧‧畫素電壓
第1圖繪示依照本發明之一實施例之主動矩陣液晶顯示器之示意圖。
第2圖繪示為第1圖之畫素單元之一例之等效電路圖。
第3A圖繪示為依照本發明之一實施例於降低穿遂電壓時位於液晶顯示面板上之多種訊號之一例之時序圖。
第3B圖繪示為依照本發明之一實施例於降低穿遂電壓時位於液晶顯示面板上之多種訊號之另一例之時序圖。
第4圖繪示依照本發明之一實施例之液晶顯示面板於一畫素單元中之佈局之一例之示意圖。
第5圖繪示依照本發明之一實施例之液晶顯示面板於一畫素單元中之佈局之另一例之示意圖。
100‧‧‧主動矩陣液晶顯示器
120‧‧‧掃描驅動器
140‧‧‧液晶顯示面板

Claims (26)

  1. 一種主動矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMLCD),包括:一掃描驅動器,用以輸出一掃描驅動訊號及一補償訊號;以及一液晶顯示面板,包括:一畫素單元,包括一主動元件及一液晶電容;一掃描線,用以傳送該掃描驅動訊號,以控制該主動元件及該液晶電容;及一補償訊號線,係相鄰於該掃描線,用以傳送該補償訊號,以降低一穿遂電壓(Feed Through Voltage);其中當該掃描驅動訊號之位準係變化以關閉(turn-off)該主動元件時,該補償訊號之位準係依照該掃描驅動訊號之位準之變化進行反相變化;其中該掃瞄線與該畫素單元之間具有一第一寄生電容;該補償訊號線與該畫素單元之間具有一第二寄生電容。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號係於一第一電壓及一第二電壓之間變化,該第一電壓大於該第二電壓,該補償訊號係於一第三電壓及一第四電壓之間變化,該第四電壓大於該第三電壓;其中當該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二 電壓以關閉該主動元件時,該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該主動元件係為一N型薄膜電晶體(N-type TFT)。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之主動‘矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二電壓的時間點,與該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓的時間點,係相差小於0.5微(micron)秒。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二電壓的時間點,與該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓的時間點,係為實質上相同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號係於一第一電壓及一第二電壓之間變化,該第一電壓小於該第二電壓,該補償訊號係於一第三電壓及一第四電壓之間變化,該第四電壓小於該第三電壓;其中當該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二電壓以關閉該主動元件時,該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該主動元件係為一P型簿膜電晶體(P-type TFT)。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二電壓 的時間點,與該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓的時間點,係相差小於0.5微(micron)秒。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中該掃描驅動訊號由該第一電壓轉換為該第二電壓的時間點,與該補償訊號由該第三電壓轉換為該第四電壓的時間點,係為實質上相同。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣液晶顯示器,其中當該掃描驅動訊號之位準係變化以導通(turn-on)該主動元件時,該補償訊號之位準係依照該掃描驅動訊號之位準之變化進行反相變化。
  11. 一種液晶顯示面板,包括:一畫素電極;一汲極電極,係電性連接至該畫素電極;一共同電極走線,係與該畫素電極部份重疊;一補償訊號線,係不與該畫素電極重疊,且與該汲極電極部份重疊;一掃描線,係不與該畫素電極重疊,且與該汲極電極部份重疊;一第一通道層,係設置於該掃描線上;以及一資料線,係經由該第一通道層耦接至該汲極電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該第一基板更包括:一第二通道層,係設置於該補償訊號線上;其中,該第一通道層與該汲極電極部分重疊,且與該 資料走線部分重疊,該第二通道層與該汲極電極部分重疊,且不與該資料走線部分重疊。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線之等效電阻值係大於該補償訊號線之等效電阻值。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示面板,其中部分之該補償訊號線之寬度係小於掃描線之寬度,以使該掃描線之等效電阻值大於該補償訊號線之等效電阻值。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線係位於該共同電極走線與該補償訊號線之間。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該補償訊號線係位於該共同電極走線與該掃描線之間。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線與該補償訊號線係由同一黃光製程(process)所製成。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線與該補償訊號線之材質係為相同之金屬材質。
  19. 一種液晶顯示面板,包括:一畫素電極;一汲極電極,係電性連接至該畫素電極; 一資料線;一掃描線;一補償訊號線;一第一通道層,係設置於該掃描線上,該第一通道層係與該汲極電極部分重疊,且與該資料線部分重疊;以及一第二通道層,係設置於該補償訊號線上,該第二通道層係與該汲極電極部分重疊,且不與該資料線部分重疊。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線之等效電阻值係大於該補償訊號線之等效電阻值。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之液晶顯示面板,其中部分之該補償訊號線之寬度係小於掃描線之寬度,以使該掃描線之等效電阻值大於該補償訊號線之等效電阻值。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線係位於該共同電極走線與該補償訊號線之間。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示面板,其中該補償訊號線係位於該共同電極走線與該掃描線之間。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線與該補償訊號線係由同一黃光製程(process)所製成。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示面板,其中該掃描線與該補償訊號線之材質係為相同之金屬材質。
  26. 一種主動矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMLCD),包括:一掃描驅動器,用以輸出實質上互為反相之一掃描驅動訊號及一補償訊號;以及一面板,至少包括:一畫素單元;一掃描線,係受控於該掃描驅動訊號致能該畫素單元;及一補償訊號線,係相鄰平行於該掃描線,該補償訊號線用以傳輸該補償訊號,以降低一穿遂電壓(Feed Through Voltage);其中該掃瞄線與該畫素單元之間具有一第一寄生電容;該補償訊號線與該畫素單元之間具有一第二寄生電容。
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