TWI385549B - 一種修正佈局圖形之方法 - Google Patents

Description

一種修正佈局圖形之方法

本發明係關於一種修正佈局圖形之方法。特定言之，本發明係關於一種修正佈局圖形以符合光罩製作規格的方法。

在半導體元件的製造過程中，經常使用到微影(photo lithography)及蝕刻(etching)等技術。微影技術包括將一複雜的積體電路圖形轉移至一半導體晶圓表面，以供蝕刻、摻雜等步驟所用。此等圖形需要極準確，以與前、後製程之圖案相對應，進而製造精密的積體電路。在微影步驟中，將光罩(reticle)圖形轉移至晶圓表面時，經常會產生偏差，影響半導體裝置之性能。此種偏差與被轉移的圖形特性、晶圓的外形、及種種的製程參數有關。

其中，對於因為光學近接效應、工藝規則、光學規則等所引起的圖形偏差，已經發展出許多檢驗、修正與補償的方法，以改善影像轉移後的品質。例如，已知之方法有光學近接修正(optical proximity correction，OPC)、工藝規則檢驗(process rule check，PRC)與光學規則檢驗(lithography rule check，LRC)等等，並已有市售光學近接修正軟體，以檢測佈局圖形中的狹小處(pinch)、橋接處(bridge)、關鍵尺寸均勻性(CD uniformity)等問題。此等方 法不但能檢測佈局圖形中的問題，還能經由理論影像校正光罩的佈局圖形。所得之校正圖形若均正確可用，則予以輸出製作光罩，進而獲得晶圓上正確的影像圖形。

然而，以上檢驗、修正與補償的方法都只考慮到佈局圖形本身的問題，而未納入光罩本身在製作上常高達數奈米(nm)的關鍵尺寸誤差(CD error)。換句話說，以上的操作均建立在，光罩的製作過程會完美地轉移校正後的佈局圖形的假設上。事實上，目前來說這是不可能的，特別是，校正後的佈局圖形通常僅僅勉強地通過上述的操作方法，而幾乎沒有在光罩的製作上留下任何的製程寬裕度(process window)。因此，使用此等光罩來進行微影及蝕刻，所得的佈局圖形往往還是有問題。第9圖例示在光學近接修正後，佈局圖形所轉移形成的圖案。在第9圖中，分別例示一組分開但相似的主要特徵910與920。然而，由於主要特徵910與920各別包含光罩製作所產生的誤差，造成主要特徵910與920雖然類似，但是主要特徵920卻存在橋接的瑕疵。

不僅如此，目前亦沒有用來檢驗、修正與補償製作光罩時所造成誤差的模型。光罩圖形的好壞，最終是展現於曝光與蝕刻後所得的佈局圖案。但是模擬在製作後所得之光罩圖形，進而確認光罩之佈局圖形是否堪用，則未曾有人提出。於是目前仍需要使用手動操作的方式，對於光罩上佈局圖形的瑕疵一一作出修正。這是一個又麻煩與對製 造者不便利的方式。

因此，急需要一種預先修正佈局圖形以符合光罩製作規格的方法。此外，還需要一種用來建立光學近接修正模型之方法。此等光學近接修正模型可以應用於光學近接修正，而直接得到堪用於製作光罩之佈局圖形，使得佈局圖形的轉移更加精確。

本發明於是提供一種修正佈局圖形以符合光罩製作規格的方法。本發明另一方面，也提供一種用來建立一光學近接修正模型之方法。此等光學近接修正模型可以應用於光學近接修正，而直接得到堪用於製作光罩之佈局圖形。

本發明一方面，提供一種用來修正佈局圖形(layout pattern)之方法。首先，提供佈局圖形，其包含至少一主要特徵(rnain feature)。其次，對佈局圖形進行至少一光學近接修正(optical proximity correction，OPC)而得到堪用之第一修正圖形。之後，對第一修正圖形進行正向調校(positive sizing)程序而得到正向調校圖形。再來，確認正向調校圖形是否堪用。然後，對第一修正圖形進行負向調校(negative sizing)程序而得到負向調校圖形。跟著，確認負向調校圖形是否堪用。繼續，當正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用時，輸出對於正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用之第一修正圖形以製作一光罩。

本發明另一方面，提供一種用來建立一光學近接修正模型之方法。首先，提供佈局圖形，其包含至少一主要特徵。其次，對佈局圖形進行至少一光學近接修正而得到堪用之第一修正圖形。之後，對第一修正圖形進行正向調校程序而得到正向調校圖形。再來，確認正向調校圖形是否堪用。然後，對第一修正圖形進行負向調校程序而得到負向調校圖形。跟著，確認負向調校圖形是否堪用。在進行正向調校程序與負向調校程序時，一併得到正向調校程序資料與負向調校程序資料。繼續，當正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用時，收集正向調校程序資料與負向調校程序資料以建立所需之光學近接修正模型。此光學近接修正模型可以應用於光學近接修正，而直接得到堪用於製作光罩之佈局圖形。

本發明一方面，提供一種修正佈局圖形來增加製作光罩的製程寬裕度(process window)以校正光罩製作誤差的方法。本發明另一方面，也提供一種用來建立一修正模型之方法。此等修正模型可以應用於光學近接修正，而直接得到堪用於製作光罩之佈局圖形。

第1圖例示本發明修正佈局圖形方法主要流程之流程圖。本發明修正佈局圖形方法100，包含：步驟110：提供一佈局圖形。

步驟120：對佈局圖形進行至少一光學近接修正而得到堪用之第一修正圖形。

步驟130：對第一修正圖形進行正向補償程序，而得到堪用的正向調校圖形。

步驟140：對堪用的正向調校圖形再進行負向補償程序，而得到堪用的負向調校圖形。

步驟150：將對於光學近接修正、正向補償程序與負向補償程序皆為堪用的第一修正圖形輸出，以製作一光罩。

首先，在步驟110中，此等佈局圖形可以是一種需要轉移的電路圖形，例如靜態隨機存取記憶體之摻雜區、多晶矽、接觸洞等之任一階段製程的佈局圖形。在此佈局圖形中，所形成的幾何形狀稱為主要特徵。換句話說，在步驟110中的佈局圖形會包含至少一個主要特徵。

其次，在步驟120中，原始的佈局圖形要進行光學近接修正，而得到對於光學近接修正規則視為堪用之第一修正圖形。第2圖例示本發明修正佈局圖形的方法。原本具有主要特徵的原始佈局圖形在光學近接修正後，在第一修正圖形201中成為第一修正主要特徵210。此外，還產生第一修正輔助特徵(auxiliary feature)220。使用光學近接修正，可以將原始的佈局圖形中可能會因為光學近接效應造成影像扭曲而產生瑕疵的部分，即主要特徵，加以校正而成為第一修正圖形201中的第一修正主要特徵210，並 可額外加入第一修正輔助特徵220。此等光學近接修正已有市售光學近接修正軟體可供利用，以檢測並修正佈局圖形中各個主要特徵的狹小處、橋接處、關鍵尺寸均勻性等問題，故在此不多加以贅述。

值得注意的是，在步驟120中，此等光學近接修正對於原始佈局圖形的操作可能不只一次，因為在每次光學近接修正後都可能還留有仍不符合工藝/光學規則的主要特徵，於是步驟120可以進一步包含以下的子步驟。第3圖例示本發明修正佈局圖形的方法，源自步驟120的子步驟。例如，在「子步驟(120’)：對佈局圖形進行光學近接修正」之後，可以進行：子步驟(121)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認此次光學近接修正後之第一修正圖形是否堪用。

若第一修正圖形為堪用，即可進入下一步驟130。若第一修正圖形不堪用時，則進行：子步驟(122)：再次以光學近接修正校正第一修正圖形。

視情況需要，可以重複子步驟(121)與子步驟(122)多次，直至得到堪用之第一修正圖形。於是可能要執行多次光學近接修正，才終於得到所有的第一修正主要特徵210都符合工藝規則與光學規則的佈局圖形，稱為堪用之第一修正圖形。在進行子步驟(120’)與子步驟(122)時，修正第一修正圖形的修正量，可以依不堪用之第一修正主要特徵210而定。修正第一修正圖形的方式，可以是手動的方式 修正，也可以是自動的方式修正，例如使用市售的軟體來執行。

在步驟130中，開始要對於此等堪用的第一修正圖形進行正向補償程序，目的是要得到堪用的正向調校圖形。此等正向補償程序，大致上可以包含先對第一修正圖形進行正向調校(positive sizing)程序而得到正向調校圖形，然後再確認正向調校圖形是否堪用。因此，正向補償程序可能包含許多子步驟。

所謂的正向調校程序可以是，例如，對堪用的第一修正圖形進行等形放大(sizing up)，而得到正向調校圖形。此等正向調校圖形，可以用來檢驗光罩在製作時，佈局圖形變大形式的誤差。而對第一修正圖形進行等形放大的方法，例如，可以等形放大第一修正主要特徵、第一修正輔助特徵或其兩者皆可。等形放大的量係依據光罩在製作時的誤差而定，甚至可再考慮後續蝕刻等製程之差異，而對不同薄膜層之製程光罩有不同之偏差調整，例如多晶矽層之製程光罩可以是等形放大4~8奈米(nm)，而金屬層之製程光罩則可以是等形放大6~10奈米(nm)。另外，第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵各別可以具有獨立的等形放大的量，視情況需要，第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵各別可以具有不同的等形放大的量。

同樣地，在步驟130中，此等正向調校程序對於堪用的第一修正圖形的操作可能不只一次，因為在每次正向調 校程序後都可能還留有仍不符合工藝/光學規則的第一修正主要特徵，及/或第一修正輔助特徵。於是，步驟130可以進一步包含以下的子步驟。第4圖例示本發明修正佈局圖形的方法，說明源自步驟130的子步驟。例如，在「子步驟(130’)：對堪用的第一修正圖形進行等形放大，而得到正向調校圖形」之後，可以進行：子步驟(131)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認此次正向調校圖形是否堪用。

若正向調校圖形為堪用，即可直接進入下一步驟140。若正向調校圖形不堪用時，則進行：子步驟(132)：再次以光學近接修正校正第一修正圖形。

視情況需要，可以重複子步驟(131)與子步驟(132)多次，直至正向調校圖形堪用於工藝規則與光學規則之檢驗。於是可能要執行多次光學近接修正，才終於得到正向調校圖形中所有的第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵對於工藝規則檢驗與光學規則皆為堪用，其稱為堪用之正向調校圖形。在進行子步驟(130’)與子步驟(132)時，修正正向調校圖形的修正量，可以依不堪用之正向調校圖形而定。修正正向調校圖形的方式，可以使用手動的方式修正，也可以使用自動的方式修正。

在步驟140中，繼續要對於此等堪用的正向調校圖形進行負向補償程序，目的是要得到堪用的負向調校圖形。此等負向補償程序，大致上可以包含先對堪用的第一修正 圖形進行負向調校(negative sizing)程序，而得到負向調校圖形，然後再確認負向調校圖形是否堪用。因此，負向補償程序可能包含許多子步驟。

所謂的負向調校程序可以是，例如，對堪用的正向調校圖形進行等形縮小(sizing down)，而得到負向調校圖形。此等負向調校圖形，可以用來檢驗光罩在製作時，佈局圖形縮小形式的誤差。而對第一修正圖形進行等形縮小的方法，例如，可以等形縮小在先前步驟130中所得到堪用的第一修正主要特徵、第一修正輔助特徵或其兩者皆可。等形縮小的量依據光罩在製作時的誤差而定，甚至可再考慮後續蝕刻等製程之差異，而對不同薄膜層之製程光罩有不同之偏差調整，例如多晶矽層之製程光罩可以是等形縮小4~8奈米nm，而金屬層之製程光罩則可以是等形縮小6~10奈米(nm)。另外，第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵各別可以具有獨立的等形縮小的量，視情況需要，第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵各別可以具有不同的等形縮小的量。

在步驟140中，此等負向調校程序對於堪用的正向調校圖形的操作可能不只一次，因為在每次負向調校程序後都可能還留有仍不符合工藝/光學規則的第一修正主要特徵，及/或第一修正輔助特徵。於是，步驟140可以進一步包含以下的子步驟。第5圖例示本發明修正佈局圖形的方法，說明源自步驟140的子步驟。例如，在「子步驟(140’)： 對堪用的第一修正圖形進行等形縮小，而得到負向調校圖形」之後，可以進行：子步驟(141)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認負向調校圖形是否堪用。

若負向調校圖形為堪用，即可直接進入下一步驟150。若負向調校圖形不堪用時，則進行：子步驟(142)：再次以光學近接修正校正第一修正圖形。

視情況需要，可以重複子步驟(141)與子步驟(142)多次，直至負向調校圖形堪用於工藝規則與光學規則之檢驗。於是可能要執行多次光學近接修正，才終於得到負向調校圖形中所有的第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵對於工藝規則檢驗與光學規則皆為堪用，而稱為堪用之負向調校圖形。在進行子步驟(140’)與子步驟(142)時，修正負向調校圖形的修正量，可以依不堪用之負向調校圖形而定。負向調校圖形的修正方式，可以是使用手動的方式修正，也可以是使用自動的方式修正。

請注意，步驟130與步驟140並沒有特定的先後順序。換句話說，一方面，步驟130可以在步驟140之前進行，另一方面，步驟130亦可以在步驟140之後進行。

既然堪用的負向調校圖形衍生自堪用的正向調校圖形，而堪用的正向調校圖形又衍生自堪用的第一修正圖形，所以堪用的負向調校圖形對於「步驟120：對佈局圖形進行光學近接修正」、步驟130的「子步驟(131)分別使用 工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認正向調校圖形是否堪用、與步驟140的「子步驟(141)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認負向調校圖形是否堪用」皆為堪用。於是，原始的第一修正圖形在此時成為堪用的佈局圖形，既是堪用的負向調校圖形、堪用的正向調校圖形也是堪用的第一修正圖形，亦即對於光學近接修正、正向補償程序與負向補償程序皆為堪用。隨後，就可以輸出對於正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用之第一修正圖形以製作一光罩。而用此光罩所得的影像圖形，便可以正確的成像在晶圓上。

在進行步驟130與步驟140的子步驟(130’/140’)與子步驟(132/142)時，分別修正正向調校圖形/負向調校圖形的修正量，可以依不堪用之正向調校圖形/負向調校圖形而定。為了避免修正正向調校圖形/負向調校圖形時一直以手動的方式修正，本發明另一方面，提供一種用來建立光學近接修正模型之方法。

本發明用來建立一光學近接修正模型之方法，係在對第一修正圖形進行正向調校程序而得到正向調校圖形時，同時得到正向調校程序資料，以及對第一修正圖形進行負向調校程序而得到負向調校圖形時，同時得到負向調校程序資料。而當正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用時，即收集正向調校程序資料與負向調校程序資料以建立所需的光學近接修正模型。

第6圖例示本發明用來建立光學近接修正模型方法主要流程之流程圖。本發明建立光學近接修正模型方法500，包含：步驟510：提供一佈局圖形。

步驟520：對佈局圖形進行至少一光學近接修正而得到堪用之第一修正圖形。

步驟530：對第一修正圖形進行正向補償程序，而得到堪用的正向調校圖形，與正向調校程序資料。

步驟540；對堪用的正向調校圖形進行負向補償程序，而得到堪用的負向調校圖形，與負向調校程序資料。

步驟550：收集正向調校程序資料與負向調校程序資料以建立光學近接修正模型。

首先，在步驟510中，此等佈局圖形可以是一種需要轉移的電路圖形，例如靜態隨機存取記憶體佈局圖形。在佈局圖形中，所形成的幾何形狀稱為主要特徵。換句話說，在步驟510中的佈局圖形會包含至少一個主要特徵。

其次，在步驟520中，原始的佈局圖形要進行光學近接修正，而得到對於光學近接修正規則視為堪用之第一修正圖形。此等光學近接修正方式類似步驟120，在此不多贅述。另外，步驟520亦可以進一步包含類似步驟120的子步驟。例如，子步驟(521)請參考子步驟(121)，子步驟(522)請參考子步驟(122)。

在步驟530中，開始要對於此等堪用的第一修正圖形進行正向補償程序，目的是要得到堪用的正向調校圖形與正向調校程序資料。此等正向補償程序，大致上類似步驟130。因此，步驟530亦可能包含許多類似步驟130的子步驟。第7圖例示本發明建立光學近接修正模型的方法，說明源自步驟530的子步驟。例如，在「子步驟(530’)：對堪用的第一修正圖形進行等形放大，而得到正向調校圖形與正向調校程序資料」之後，可以進行：子步驟(531)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認此次正向調校圖形是否堪用。

若正向調校圖形為堪用，即可直接進入下一步驟540。若正向調校圖形不堪用時，則進行：子步驟(532)：再次以光學近接修正校正第一修正圖形與得到正向調校程序資料。

因為在得到堪用的正向調校圖形的操作可能不只一次，所以每次修正時，都可以得到對應的修正資料，稱為正向調校程序資料。修正的次數越多，修正的重要特徵種類越多，正向調校程序資料的內容就會越豐富。而終於得到堪用的正向調校圖形時，正向調校程序資料便可以成為快速得到堪用正向調校圖形的指南。

由於可能要執行多次光學近接修正，才終於得到正向調校圖形中所有的第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵對於工藝規則檢驗與光學規則皆為堪用，若沒有正向調校 程序資料的協助，可能需要使用手動的方式反覆修正第一修正圖形多次，才能得到堪用的正向調校圖形。若使用正向調校程序資料，以自動的方式修正正向調校圖形，預期可以大幅縮短得到堪用的正向調校圖形的時間。

接下來在步驟540中，繼續要對於此等堪用的正向調校圖形進行負向補償程序，目的是要得到堪用的負向調校圖形與負向調校程序資料。此等負向補償程序，大致上類似步驟140。因此，步驟540亦可能包含許多類似步驟140的子步驟。第8圖例示本發明建立光學近接修正模型的方法，說明源自步驟540的子步驟。例如，在「子步驟(540’)：對堪用的第一修正圖形進行等形縮小，而得到負向調校圖形與負向調校程序資料」之後，可以進行：子步驟(541)：分別使用工藝規則檢驗與光學規則檢驗來確認此次負向調校圖形是否堪用。

若負向調校圖形為堪用，即可直接進入下一步驟550。若負向調校圖形不堪用時，則進行：子步驟(542)：再次以光學近接修正校正第一修正圖形與得到負向調校程序資料。

因為在得到堪用的負向調校圖形的操作可能不只一次，所以每次修正時，都可以得到對應的修正資料，稱為負向調校程序資料。修正的次數越多，修正的重要特徵種類越多，負向調校程序資料的內容就會越豐富。而終於得到堪用的負向調校圖形時，負向調校程序資料便可以成為 快速得到堪用負向調校圖形的指南。

由於可能要執行多次光學近接修正，才終於得到負向調校圖形中所有的第一修正主要特徵與第一修正輔助特徵對於工藝規則檢驗與光學規則皆為堪用，若沒有負向調校程序資料的協助，可能需要使用手動的方式反覆修正負向調校圖形多次，才能得到堪用的負向調校圖形。若使用負向調校程序資料，以自動的方式修正負向正向調校圖形可以大幅縮短得到堪用的負向調校圖形的時間。

請注意，步驟530與步驟540並沒有特定的先後順序。換句話說，一方面，步驟530可以在步驟540之前進行，另一方面，步驟530亦可以在步驟540之後進行。

當正向調校圖形與負向調校圖形皆為堪用時，收集先前所得到的正向調校程序資料與負向調校程序資料，以建立所需的光學近接修正模型，供日後使用。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

201‧‧‧第一修正圖形

210‧‧‧第一修正主要特徵

220‧‧‧第一修正輔助特徵

910、920‧‧‧主要特徵

第1圖例示本發明修正佈局圖形方法主要流程之流程圖。

第2圖例示本發明修正佈局圖形的方法。

第3圖例示本發明修正佈局圖形的方法，源自步驟120的子步驟。

第4圖例示本發明修正佈局圖形的方法，說明源自步驟130的子步驟。

第5圖例示本發明修正佈局圖形的方法，說明源自步驟140的子步驟。

第6圖例示本發明用來建立光學近接修正模型方法主要流程之流程圖。

第7圖例示本發明建立光學近接修正模型的方法，說明源自步驟530的子步驟。

第8圖例示本發明建立光學近接修正模型的方法，說明源自步驟540的子步驟。

第9圖例示在傳統光學近接修正後，佈局圖形所轉移形成的圖案。

Claims (28)

1. 一種修正佈局圖形(layout pattern)之方法，包括：提供一佈局圖形，其包含至少一主要特徵(main feature)；對該佈局圖形進行至少一光學近接修正(optical proximity correction，OPC)而得到堪用之一第一修正圖形；對該第一修正圖形進行一正向調校(positive sizing)程序而得到一正向調校圖形；確認該正向調校圖形是否堪用；對該第一修正圖形進行一負向調校(negative sizing)程序而得到一負向調校圖形；確認該負向調校圖形是否堪用；以及當該正向調校圖形與該負向調校圖形皆為堪用時，輸出對於該正向調校圖形與該負向調校圖形皆為堪用之該第一修正圖形以製作一光罩。
2. 如請求項1之方法，其中該佈局圖形包含一靜態隨機存取記憶體佈局圖形。
3. 如請求項1之方法，其中得到堪用之該第一修正圖形的方法進一步包含：(a)分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗確認光學近接修正後之該第一修正圖形是否堪用；(b)當該第一修正圖形不堪用時，光學近接修正該不堪用的第 一修正圖形；以及重複(a)與(b)直至得到堪用之該第一修正圖形，其修正量係依不堪用之該第一修正圖形而定。
4. 如請求項1之方法，其中該第一修正圖形包含一第一修正主要特徵與一第一修正輔助特徵(auxiliary feature)。
5. 如請求項4之方法，其中該正向調校程序包含：對該第一修正圖形進行等形放大(sizing up)，而得到該正向調校圖形。
6. 如請求項5之方法，其中對該第一修正圖形進行該等形放大，包含等形放大該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵之至少一者。
7. 如請求項6之方法，其中獨立地等形放大該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵。
8. 如請求項1之方法，其中確認該正向調校圖形是否堪用包含：分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗來確認該正向調校圖形是否堪用。
9. 如請求項8之方法，進一步包含：當該正向調校圖形不堪用時，光學近接修正該第一修正圖 形，其修正量係依不堪用之該正向調校圖形而定，直至該正向調校圖形堪用於該工藝規則檢驗與該光學規則之檢驗。
10. 如請求項4之方法，其中該負向調校程序包含：對該第一修正圖形進行等形縮小(sizing down)，而得到該負向調校圖形。
11. 如請求項10之方法，其中對該第一修正圖形進行該等形縮小包含等形縮小該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵之至少一者。
12. 如請求項11之方法，其中獨立地等形縮小該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵。
13. 如請求項1之方法，其中確認該負向調校圖形是否堪用包含：分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗來確認該負向調校圖形是否堪用。
14. 如請求項13之方法，進一步包含：當該負向調校圖形不堪用時，光學近接修正該第一修正圖形，其修正量係依不堪用之該負向調校圖形而定，直至該負向調校圖形堪用於該工藝規則檢驗與該光學規則之檢驗。
15. 一種建立一光學近接修正模型之方法，包括： 提供一佈局圖形，其包含至少一主要特徵(main feature)；對該佈局圖形進行至少一光學近接修正而得到堪用之一第一修正圖形；對該第一修正圖形進行一正向調校程序而得到一正向調校圖形，與得到一正向調校程序資料；確認該正向調校圖形是否堪用；對該第一修正圖形進行一負向調校程序而得到一負向調校圖形，與得到一負向調校程序資料；確認該負向調校圖形是否堪用；以及當該正向調校圖形與該負向調校圖形皆為堪用時，收集該正向調校程序資料與該負向調校程序資料以建立該光學近接修正模型。
16. 如請求項15之方法，其中該佈局圖形包含一靜態隨機存取記憶體佈局圖形。
17. 如請求項15之方法，其中得到堪用之該第一修正圖形的方法進一步包含：(a)分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗確認光學近接修正後之該第一修正圖形是否堪用；(b)當該第一修正圖形不堪用時，光學近接修正該第一修正圖形；以及重複(a)與(b)直至得到堪用之該第一修正圖形，其修正量係依 不堪用之該第一修正圖形而定。
18. 如請求項15之方法，其中該第一修正圖形包含一第一修正主要特徵與一第一修正輔助特徵(auxiliary feature)。
19. 如請求項18之方法，其中該正向調校程序包含：對該第一修正圖形進行等形放大(sizing up)，而得到該正向調校圖形。
20. 如請求項19之方法，其中對該第一修正圖形進行該等形放大，包含等形放大該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵之至少一者。
21. 如請求項20之方法，其中獨立地等形放大該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵。
22. 如請求項15之方法，其中確認該正向調校圖形是否堪用包含：分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗來確認該正向調校圖形是否堪用。
23. 如請求項22之方法，進一步包含：當該正向調校圖形不堪用時，光學近接修正該第一修正圖形，其修正量係依不堪用之該正向調校圖形而定，直至該正向調校圖形堪用於該工藝規則檢驗與該光學規則之檢驗。
24. 如請求項15之方法，其中該負向調校程序包含：對該第一修正圖形進行等形縮小(sizing down)，而得到該負向調校圖形。
25. 如請求項24之方法，其中對該第一修正圖形進行該等形縮小包含等形縮小該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵之至少一者。
26. 如請求項25之方法，其中獨立地等形縮小該第一修正主要特徵與該第一修正輔助特徵。
27. 如請求項15之方法，其中確認該負向調校圖形是否堪用包含：分別使用一工藝規則檢驗與一光學規則檢驗來確認該負向調校圖形是否堪用。
28. 如請求項27之方法，進一步包含：當該負向調校圖形不堪用時，光學近接修正該第一修正圖形，其修正量係依不堪用之該負向調校圖形而定，直至該負向調校圖形堪用於該工藝規則檢驗與該光學規則之檢驗。