JP3999840B2 - 封止用樹脂シート - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をフェースダウン構造でマザーボード、あるいはドーターボード等の配線回路基板上に実装する方式による半導体装置に用いられる封止用樹脂シートに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近の半導体デバイスの性能向上に伴う要求として、半導体素子をフェースダウン構造で、配線回路が形成されたマザーボード、あるいはドーターボード等の配線回路基板に実装される方法(フリップチップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式等)が軽薄短小による高密度実装とともに電気特性面からも注目されている。これは、従来から用いられている方式、例えば、半導体素子から金ワイヤーでリードフレーム上にコンタクトをとりパッケージングされた形態でマザーボード、あるいはドーターボード等の配線回路基板に実装する方法では、配線による情報伝達の遅れ、クロストークによる情報伝達エラー等が生ずるという問題が発生していることに起因する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一方、上記フリップチップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式においては、互いの線膨脹係数が異なる半導体素子と上記配線回路基板をダイレクトに電気接続を行うことから、接続部分の信頼性が問題となっている。この対策としては、半導体素子と上記配線回路基板との空隙に液状樹脂材料を注入し硬化させて樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中する応力を上記樹脂硬化体にも分散させることにより接続信頼性を向上させる方法が採られている。しかしながら、上記液状樹脂材料は、超低温(−40℃)での保管が必要であることに加えて、上記半導体素子と配線回路基板との空隙への注入においては注射器で行う必要があり、注入ポジション、注入量コントロールが困難である等の問題を抱えている。
【0004】
また、上記液状樹脂材料では、耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化系材料を選択する際には希釈剤を用いて使用しなければならず、このように希釈剤を用いると、樹脂硬化体と半導体素子との界面にボイドが発生するという問題が生じ、耐湿信頼性の向上とボイドの発生の抑制という両者の両立が困難な状況であった。
【0005】
このような点を解決するために、本出願人は、半導体素子と配線回路基板との間の空隙を樹脂封止する際に、封止用樹脂シートを用いた封止方法をすでに提案している。すなわち、この方法は、配線回路基板上に接続用電極部を介して封止用樹脂シートを搭載し、さらにこの封止用樹脂シート上に半導体素子を搭載した後、上記封止用樹脂シートを加熱溶融させて封止樹脂層を形成するとともに、上記接続用電極部を加圧して配線回路基板と半導体素子とを圧着接合するというものである。しかしながら、このようにして製造された半導体装置では、配線回路基板と半導体素子の導通特性が低下するという問題が新たに生じた。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、半導体素子と配線回路基板間の良好な導通特性を維持することのできる半導体装置の封止樹脂層を形成することのできる封止用樹脂シートの提供をその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部および封止用樹脂シートの硬化物を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が、上記封止用樹脂シートの硬化物からなる下記の封止樹脂層(X)によって封止されてなる半導体装置の上記封止樹脂層(X)を形成する際に用いられる封止用樹脂シートであって、上記封止用樹脂シートが、下記の特徴(Y)を備えている封止用樹脂シートを要旨とする。
(X)封止樹脂層の、接続用電極部形成面と反対側の面、および、その近傍が、無機質充填剤を含有しない状態に形成された封止用樹脂層。
(Y)封止用樹脂シートが、少なくとも厚み5μmの無機質充填剤を含有しない層と、無機質充填剤を含有している層とで形成されている。
【0008】
すなわち、本発明者らは、半導体素子と配線回路基板との間の空隙を樹脂封止した際に生じる配線回路基板と半導体素子の導通特性の低下原因を突き止めるべく研究を重ねた。そして、半導体素子と配線回路基板との間の空隙を樹脂する際に用いる封止用樹脂シートには無機質充填剤が分散されており、接続用電極部を介してこのシートを配線回路基板上に搭載し、さらにこのシート上に半導体素子を搭載して、シートを加熱溶融させるとともに、上記接続用電極部を加圧して配線回路基板と半導体素子とを圧着接合すると、上記接続用電極部表面に、封止用樹脂シート中に含有されている無機質充填剤が残存し、これが上記配線回路基板と半導体素子の導通特性を低下させていることを突き止めた。この知見にもとづき、上記無機質充填剤の存在による導通特性の低下を防止すべく、さらに研究を重ねた。その結果、少なくとも厚み5μmの無機質充填剤を含有しない層と、無機質充填剤を含有している層とが形成された封止用樹脂シートを用い、これを、接続用電極部形成面と反対側の面に無機質充填剤を含有しない層が位置するよう封止用樹脂シートを位置決めして半導体素子と配線回路基板との間の空隙を樹脂封止するという着想に到達した。この結果、形成される封止樹脂層は、接続用電極部形成面と反対側の面が、その表面から少なくとも5μmの深さまで、無機質充填剤を含有しない層に形成されるため、加圧された接続用電極部表面に無機質充填剤が残存せず、配線回路基板と半導体素子とが密接に接合されることを見出し本発明に到達した。
【0009】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【0010】
本発明に係る半導体装置は、図1に示すように、配線回路基板1の片面に、複数の接続用電極部2および接続用パッド5を介して半導体素子3が搭載されたフェイスダウン構造をとる。そして、上記配線回路基板1と半導体素子3との間に、特定の封止用樹脂シートの硬化物からなる封止樹脂層4が形成されている。
【0011】
そして、上記封止樹脂層4では、この封止樹脂層4の接続用電極部2形成面と反対側の面およびその近傍が、半導体素子3側が、無機質充填剤を含有しない状態、すなわち、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aに形成されている。一方、接続用電極部2形成面側は、無機質充填剤が分散された状態、すなわち、無機質充填剤を含有する封止樹脂層4bが形成されている。なお、本発明において、上記封止樹脂層4の接続用電極部2形成面と反対側の面およびその近傍、すなわち、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aの厚み(表面からの深さ)は、具体的には、5〜50μmの範囲となる。
【0012】
また、上記配線回路基板1と半導体素子3とを電気的に接続する上記複数の接続用電極部2および接続用パッド5の位置関係は、図1に示す位置関係に限定されるものではなく、例えば、接続用パッド5が配線回路基板1面に配設され、接続用電極部2が半導体素子3面に配設されていてもよい。この場合は、上記封止樹脂層4の、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aは、配線回路基板1側に位置する。
【0013】
なお、上記図1に示す半導体装置において、封止樹脂層4は、封止樹脂層4の片面のみに、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aが形成された2層構造(無機質充填剤含有層+ノンフィラー封止樹脂層)からなる形態であるが、上記形態に限定するものではなく、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aが、封止樹脂層4の両面の双方に形成された3層構造(ノンフィラー封止樹脂層+無機質充填剤含有層+ノンフィラー封止樹脂層)からなる形態であってもよい。この場合、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)4aのそれぞれの厚み(深さ)は、上記と同様、具体的には、5〜30μmの範囲となる。
【0014】
上記複数の接続用電極部(ジョイントボール)2の材質としては、特に限定するものではないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、錫、鉛、インジウム、半田およびこれらの合金があげられる。また、上記接続用電極部2の形状としては、特に限定されるものではないが、配線回路基板1、半導体素子3の双方の電極間の封止樹脂を押し出す効果の高いものが望ましく、表面に凹部の少ないものが好ましい。そして、具体的に上記接続用電極部(ジョイントボール)2の形状としては、略球状、断面楕円状、あるいは、円錐状、角錐状等の種々の形状があげられる。
【0015】
そして、上記接続用パッド5の材質も、上記接続用電極部(ジョイントボール)2の材質と同様のものがあげられる。
【0016】
また、上記配線回路基板1の材質としては、特に限定するものではないが、大別してセラミック基板、プラスチック基板があり、上記プラスチック基板としては、例えば、エポキシガラス基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリフェニレンエーテル基板等があげられる。
【0017】
つぎに、本発明に係る半導体装置における封止樹脂層4の形成材料について説明する。
【0018】
本発明において、上記封止樹脂層4形成材料としては、下記の特徴(Y)を備えた封止用樹脂シートが用いられる。
(Y)封止用樹脂シートが、少なくとも厚み5μmの無機質充填剤を含有しない層と、無機質充填剤を含有している層とで形成されている。
【0019】
このような特徴(Y)を備えた封止用樹脂シートのうち、無機質充填剤を含有する層部分の形成材料としては、特に限定するものではないが、例えば、常温で固体の性状を有するものであればよく、例えば、固体状のエポキシ樹脂組成物が用いられる。
【0020】
上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(a成分)と、硬化剤(b成分)と、無機質充填剤(c成分)とを用いて得られるものであり、常温で固体を示す。なお、本発明において、上記常温とは、具体的に、20〜50℃の範囲をいう。
【0021】
上記エポキシ樹脂(a成分)としては、常温で固体であれば特に限定するものではなく従来公知のもの、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂があげられ、単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。なかでも、溶融時に濡れ性が良好な低粘度のものを用いることが好ましい。特に好ましくは、濡れ性が良くなるという観点から、具体的に、下記の一般式(1)で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂があげられる。そして、ビフェニル型エポキシ樹脂とともに、上記他のエポキシ樹脂を併用する場合には、上記ビフェニル型エポキシ樹脂の配合量を、エポキシ樹脂成分全体の20重量%(以下「%」と略す)以上となるように設定することが好ましく、なかでも、50%以上となるように設定することがより好ましい。
【0022】
【化1】
【0023】
上記一般式(1)中のR1 〜R4 で表される炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメチル基が好ましく、上記R1 〜R4 は互いに同一であっても異なっていてもよい。なかでも、上記R1 〜R4 が全てメチル基である下記の式(2)で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂を用いることが特に好適である。
【0024】
【化2】
【0025】
上記一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が177〜240g/eqで、軟化点が80〜130℃のものを用いることが好ましく、なかでも、エポキシ当量が177〜220g/eqで、軟化点が80〜120℃のものを用いることが特に好ましい。
【0026】
エポキシ樹脂(a成分)として上記ビフェニル型エポキシ樹脂を使用した場合の本発明の封止樹脂層4において、無機質充填剤を含有する層部分の形成材料であるエポキシ樹脂組成物の全有機成分中における上記ビフェニル型エポキシ樹脂の配合割合は、特に10〜96重量%(以下「%」と略す)の範囲が好ましく、なかでも20〜94%の範囲が好適である。すなわち、上記ビフェニル型エポキシ樹脂(a成分)の配合割合が10%未満であれば、半導体素子の封止用途において、撥水性および低吸湿性が発揮され難く、逆に、96%を超えると、封止材料であるシート自身が脆くなり、取り扱いが容易でなくなる傾向がみられるからである。
【0027】
上記エポキシ樹脂(a成分)とともに用いられる硬化剤(b成分)は、エポキシ樹脂成分に対して硬化作用を奏するものであれば特に限定するものではなく通常用いられている各種硬化剤、例えば、フェノール樹脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水物、アミン化合物等があげられ、信頼性の点から、特にフェノール樹脂が好適に用いられる。なかでも、接着力、吸湿性等の点から、ノボラック型フェノール樹脂を用いることがより好ましい。そして、より一層良好な接着力、吸湿性等の点から、特に下記の一般式(3)で表されるフェノール樹脂を用いることが好適である。
【0028】
【化3】
【0029】
上記一般式(3)中の繰り返し数mは、0または正の整数を示すが、特にmは0〜10の整数であることが好ましく、なかでもmは0〜8の整数であることがより好適である。
【0030】
上記一般式(3)で表されるフェノール樹脂は、例えば、アラルキルエーテルとフェノールとを、フリーデルクラフツ触媒で反応させることにより得られる。
【0031】
上記フェノール樹脂としては、特に、水酸基当量が147〜250g/eq、軟化点が60〜120℃のものが好ましく、なかでも、水酸基当量が147〜220g/eq、軟化点が60〜110℃のものが好適である。
【0032】
上記フェノール樹脂のエポキシ樹脂(a成分)に対する配合割合は、エポキシ樹脂(A成分)中のエポキシ基1当量当たり、上記フェノール樹脂中の水酸基が0.7〜1.3当量となるように配合することが好適であり、なかでも0.9〜1.1当量となるように配合することがより好適である。
【0033】
上記エポキシ樹脂(a成分)および硬化剤(b成分)とともに用いられる無機質充填剤(c成分)としては、特に限定するものではなく従来公知のものが用いられ、例えば、球状あるいは破砕状シリカ粉末、炭酸カルシウム、チタン白、アルミナ、窒化珪素等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。なかでも、球状シリカ粉末が好ましく用いられる。また、このような無機質充填剤としては、最大粒径100μm以下のものを用いることが好ましい。特に好ましくは最大粒径50μm以下である。すなわち、最大粒径が100μmを超えると、配線回路基板と半導体素子間(封止用樹脂層を用いて樹脂封止される空隙)の充填が不可能になる場合があるからである。また、上記最大粒径とともに、平均粒径が1〜20μmのものを用いることが好ましく、特に好ましくは2〜10μmである。したがって、このような観点から、上記無機質充填剤の最大粒径は、配線回路基板と半導体素子間(樹脂封止される空隙)の距離の1/2以下に設定することが好ましい。より好ましくは1/10〜1/3である。すなわち、最大粒径を1/2以下に設定することにより、上記配線回路基板と半導体素子間への溶融した封止用樹脂層の充填が、ボイド等が生じず良好になされるようになるからである。
【0034】
上記無機質充填剤(c成分)の含有割合は、無機質充填剤を含有する層部分の形成材料であるエポキシ樹脂組成物全体の90重量%(以下「%」と略す)以下に設定することが好ましく、より好ましくは20〜90%であり、特に好ましくは55〜75%である。すなわち、無機質充填剤(c成分)の含有量が少な過ぎると、樹脂硬化物の特性である線膨張係数が大きくなり、このため、半導体素子と上記線膨張係数との差が大きくなって、樹脂硬化物や半導体素子にクラック等の欠陥を発生させるおそれがある。また、多過ぎると、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が高くなることから充填性が低下するからである。
【0035】
上記エポキシ樹脂組成物には、上記エポキシ樹脂(a成分)、硬化剤(b成分)および無機質充填剤(c成分)以外に、さらに硬化促進剤を配合することもできる。このような硬化促進剤としては、従来からエポキシ樹脂の硬化促進剤として知られている種々の硬化促進剤が使用可能であり、例えば、アミン系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。なかでも、トリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウンデセン、テトラフェニルホスフェート、テトラフェニルボレートの混合物等が好適である。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
【0036】
さらに、上記a〜c成分、硬化促進剤とともに、必要に応じて他の添加剤を適宜配合することもできる。
【0037】
上記他の添加剤としては、低応力化剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、カップリング剤、顔料、染料等があげられる。
【0038】
上記低応力化剤としては、シリコーン化合物、アクリロニトリル−ブタジエンゴム等のゴム粒子、難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹脂等が、難燃助剤としては、三酸化二アンチモン等が、離型剤としては、カルナバ、ポリエチレン系ワックス等が、カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤等があげられる。
【0039】
本発明の封止用樹脂シートは、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記エポキシ樹脂(a成分)、硬化剤(b成分)ならびに無機質充填剤(c成分)の各成分を所定量配合し、これに必要に応じて各種成分、例えば、硬化促進剤、他の各種添加剤を所定量配合し溶融混練して均一系とした後、パレット上に受入れし、冷却後プレス圧延して所望の厚みにシート化する(無機質充填剤含有層の作製)。
【0040】
上記溶融混合物の調製およびシート化については特に上記方法に限定するものではなく、例えば、上記混合物の調製においては2軸および3軸ロール等を用いることができる。また、シート化においても、ロール圧延によるシート化あるいは各種溶媒と混合したものを塗工することによりシートを得る方法を採用することもできる。
【0041】
一方、無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)となるシートを作製する。これは、上記と同様、エポキシ樹脂(a成分)および硬化剤(b成分)の各成分を所定量配合し、これに必要に応じて各種成分、例えば、硬化促進剤、他の各種添加剤を所定量配合し溶融混練して均一系とした後、パレット上に受入れし、冷却後プレス圧延して所望の厚みにシート化する(無機質充填剤を含有しない層の作製)。
【0042】
上記溶融混合物の調製およびシート化についても特に上記方法に限定するものではなく、無機質充填剤含有層の作製と同様、他の方法を適宜に採用することができる。
【0043】
そして、本発明の封止用樹脂シートは、上記無機質充填剤含有シートと、無機質充填剤を含有しないシートとを貼り合わせることにより得られる。例えば、2層構造からなる封止用樹脂シートは、上記無機質充填剤含有シートと、無機質充填剤を含有しないシートの2枚のシートを貼り合わせることにより得られる。また、3層構造からなる封止用樹脂シートは、上記無機質充填剤含有シートの両面に、それぞれ無機質充填剤を含有しないシートを貼り合わせることにより得られる。このようにして得られる封止用樹脂シートのうち、無機質充填剤を含有しない層の厚み、すなわち、表面からの深さは少なくとも5μmに設定されなければならない。特に好ましくは10〜30μmである。この無機質充填剤を含有しない層、その表面からの深さが5μm未満のように浅いと、結果的に、無機質充填剤が、例えば、半田等の接合部界面に存在するようになり、導通特性が低下するためである。
【0044】
上記封止用樹脂シート全体の厚みおよび重量は、搭載される半導体素子の大きさおよび接続用電極部の大きさ、すなわち、半導体素子と配線回路基板との空隙を充填し樹脂封止することにより形成される封止樹脂層の占める容積により適宜に設定される。具体的には、シート全体の厚みは、10〜150μmに設定される。また、無機質充填剤含有層の厚みは、上記厚みのうちの5〜50μmを占めるように設定する。
【0045】
なお、上記封止用樹脂シートにおいて、2層構造のシートの作製方法としては、上記無機質充填剤含有シートと無機質充填剤を含有しないシートの2枚のシートを貼り合わせて作製する方法以外に、無機質充填剤が配合されたエポキシ樹脂組成物を用いこれをシート化する際に無機質充填剤の沈降を利用して層分離させることにより2層構造のシートとする方法があげられる。
【0046】
本発明に係る半導体装置は、先に述べたように、配線回路基板上に、複数の接続用電極部および封止用樹脂シートの硬化物を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が、上記封止用樹脂シートの硬化物からなる特定の封止樹脂層(X)によって封止されており、この封止樹脂層(X)が形成されていることが特徴である。このような半導体装置は、例えば、上記封止用樹脂シートを用い、つぎのようにして製造される。
【0047】
まず、図2に示すように、複数の球状の接続用電極部(ジョイントボール)2が設けられた配線回路基板1上に、上記接続用電極部2を介して固形の2層構造の封止用樹脂シート10を載置する。このとき、無機質充填剤を含有する層10bが接続用電極部2と接し、接続用電極部2形成面と反対側の面に、無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)10aが位置するよう封止用樹脂シート10を載置する。ついで、図3に示すように、上記封止用樹脂シート10上の所定位置に、半導体素子3面に設けられた接続用パッド5を介して半導体素子3を載置し仮接着した後、加熱および加圧によって、上記封止用樹脂シート10を溶融状態とし、上記半導体素子3と上記配線回路基板1との間の空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し硬化させて上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成するとともに、上記接続用電極部2と接続用パッド5の電気接続を行うことにより、配線回路基板1と半導体素子3の電気的接続および固着を完了する。このようにして、図1に示す半導体装置を製造する。
【0048】
なお、上記半導体装置の製法では、複数の球状の接続用電極部(ジョイントボール)2が設けられた配線回路基板1を用いた場合について述べたが、これに限定するものではなく、予め半導体素子3の片面(接続面側)に上記複数の球状の接続用電極部(ジョイントボール)2が配設され、配線回路基板1の片面(接続面側)に接続用パッド5が設けられたものを用いてもよい。この場合(予め半導体素子3面に接続用電極部2が配設されたものを使用)は、図4に示すように、配線回路基板1の接続用パッド5形成面に固形の封止用樹脂シート10を載置して、その上に、配線回路基板1と接続用電極部2配設面とが対峙するよう接続用電極部2が設けられた半導体素子3を載置する。この場合、封止用樹脂シート10は、無機質充填剤を含有する層10bが半導体素子3の接続用電極部2と接し、接続用電極部2形成面と反対側の面に、無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)10aが位置するよう封止用樹脂シート10を載置する。後の工程は、上記と同様である。
【0049】
上記封止用樹脂シート10としては、配線回路基板1に封止用樹脂シート10を仮接着する場合には、タック性を備えたシート状のエポキシ樹脂組成物とすることが好ましい。そして、上記封止用樹脂シート10の大きさとしては、上記搭載される半導体素子3の大きさ(面積)により適宜に設定され、通常、半導体素子3の大きさ(面積)より少し小さくなるように設定することが好ましい。
【0050】
また、上記半導体装置の製造方法において、上記封止用樹脂シート10を加熱溶融して溶融状態とする際の加熱温度としては、半導体素子3および配線回路基板1の耐熱性および接続用電極部2および接続用パッド5の各融点、さらに封止用樹脂シート10の軟化点、耐熱性等を考慮して適宜に設定される。具体的には、70〜300℃の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは120〜200℃である。そして、加熱方法としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温風機、熱板等があげられる。
【0051】
さらに、上記溶融状態とした封止用樹脂を上記半導体素子3と上記配線回路基板1との間の空隙内に充填する際には、加熱とともに上記のように加圧することが好ましく、その加圧条件としては、接続用電極部2および接続用パッド5の材質と個数等や、温度によって適宜に設定されるが、具体的には0.01〜0.5kgf/個の範囲に設定され、好ましくは0.02〜0.3kgf/個の範囲に設定される。
【0052】
上記製造方法に従って製造される半導体装置の一例としては、前述の図1に示すように、形成された封止樹脂層4が、搭載された半導体素子3の周囲からはみ出さないよう形成されたタイプがあげられるが、半導体装置の用途等によっては、図5に示すように、形成された封止樹脂層4′が、搭載された半導体素子3の周囲からはみ出すよう形成されたタイプであってもよい。図5において、4a′は先に述べた半導体装置(図1参照)と同様、無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)であり、4b′は無機質充填剤を含有する封止樹脂層である。
【0053】
そして、上記のようにして製造された半導体装置において、半導体素子3の大きさは、通常、幅2〜20mm×長さ2〜30mm×厚み0.1〜0.6mmに設定される。また、半導体素子3を搭載する配線回路が形成された配線回路基板1の大きさは、通常、幅10〜70mm×長さ10〜70mm×厚み0.05〜3.0mmに設定される。そして、溶融した封止用樹脂が充填される、半導体素子3と配線回路基板1の空隙の両者間の距離は、通常、5〜100μmである。特に、本発明に用いられる封止用樹脂の特性等を考慮すると、上記両者間の距離は、10〜70μmに設定することが好ましい。
【0054】
上記封止用樹脂シートを用いて封止することにより形成された封止樹脂層4、自身の特性としては、各使用温度での溶融粘度が1000poise以下、ゲルタイムは150℃で0.5〜30分、その硬化物としては、線膨張係数が7〜50ppmであることが好ましい。より好ましくは溶融粘度が500poise以下、ゲルタイムが150℃で1.0〜15分、線膨張係数が12〜40ppmである。すなわち、溶融粘度が上記範囲内に設定されることにより、充填性が良好となる。また、ゲルタイムが上記範囲内に設定されることにより、成形作業性、特に硬化時間の短縮が可能となる。さらに、線膨張係数が上記範囲内に設定されることにより樹脂硬化体や半導体素子にクラック等の応力の欠陥防止が可能となる。なお、上記溶融粘度はフローテスター粘度計により測定し、上記ゲルタイムは熱板上にて測定した。また、線膨張係数は熱機械分析(TMA)により測定した。
【0055】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【0056】
まず、実施例に先立って、下記に示す各成分を準備した。
【0057】
〔エポキシ樹脂a1〕
下記の式(4)で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂
【0058】
【化4】
【0059】
〔エポキシ樹脂a2〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量:195g/eq、融点:60〜90℃)
【0060】
〔硬化剤b1〕
フェノールノボラック樹脂(水酸基当量:105g/eq、軟化点60℃)
【0061】
〔無機質充填剤c1〕
球状シリカ(平均粒径:3μm、最大粒径:18μm)
【0062】
〔無機質充填剤c2〕
破砕状シリカ(平均粒径:3μm、最大粒径:18μm)
【0063】
〔硬化促進剤d1〕
トリフェニルホスフィン
【0064】
〔硬化促進剤d2〕
テトラフェニルホスフェートとテトラフェニルボレートとの混合物
【0065】
〔低応力化剤〕
アクリロニトリル−ブタジエンゴム
【0066】
〔難燃剤〕
ブロム化エポキシフェノールノボラック樹脂
【0067】
〔難燃助剤〕
三酸化二アンチモン
【0068】
〔離型剤〕
ポリエチレン系ワックス
【0069】
〔カップリング剤〕
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【0070】
【実施例1〜10、比較例1〜4】
下記の表1に示すように、タイプの異なる封止用樹脂シートを後記の方法に従って製造した。
【0071】
【表1】
【0072】
〔各封止用樹脂シートの作製〕
下記の表2〜表4に示す各成分を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム上に塗布した。つぎに、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを120℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に目的とする厚み80μmの樹脂シート(シリカ粉末が分散されている)を作製した。
【0073】
一方、下記の表2〜表4に示す各成分(無機質充填剤を除く)を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム上に塗布した。つぎに、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを120℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に目的とする樹脂シート(シリカ粉末は不含)を作製した。
【0074】
ついで、上記シリカ粉末が分散された樹脂シートと上記シリカ粉末を含まない樹脂シートを貼り合わせることにより2層構造の封止用樹脂シートを作製した(タイプA〜CおよびF)。
【0075】
また、上記シリカ粉末が分散された樹脂シートの両面に上記シリカ粉末を含まない2枚の樹脂シートを貼り合わせることにより三層構造の封止用樹脂シートを作製した(タイプE)。
【0076】
また、下記の表3に示す各成分を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム上に塗布し、塗布した状態で、一日放置することにより配合されたシリカ粉末を沈降分離させた。つぎに、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを120℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に、沈降分離によりシリカ粉末が分散された層とシリカ粉末を含まない層の2層構造からなる厚み100μmの封止用樹脂シートを作製した(タイプD)。
【0077】
下記の表4に示す各成分を、同表に示す割合で配合しエポキシ樹脂組成物を調製した。このエポキシ樹脂組成物をトルエンに混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム上に塗布した。つぎに、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを120℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に目的とする単層構造の樹脂シート(シリカ粉末が分散)を作製した(タイプG)。
【0078】
【表2】
【0079】
【表3】
【0080】
【表4】
【0081】
このようにして得られた各実施例のシート状エポキシ樹脂組成物(封止用樹脂シート)を用い、前述の半導体装置の製法に従って半導体装置を製造した(先の段落番号0047に記載)。すなわち、図2に示すように、配線回路基板1(厚み1mmのガラスエポキシ基板)上に設けられた球状のジョイントボール2(材質:半田、融点:185℃、形状:直径200μm×高さ90μm)を介して、上記配線回路基板1上に上記各封止用樹脂シート10を載置した。この際、2層構造の封止用樹脂シートに関しては、無機質充填剤を含有する層10bがジョイントボール2と接し、ジョイントボール2形成面と反対側の面に、無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)10aが位置するよう封止用樹脂シート10を載置した。その後、図3に示すように、上記封止用樹脂シート10上の所定の位置に、接続用パッド5(材質:半田、融点:185℃、形状:直径200μm×高さ30μmの半球状)が設けられた半導体素子3(厚み:700μm、大きさ:11mm×11mm)を載置した。その後、加熱温度180℃×荷重0.08kgf/個×1分の条件で封止用樹脂シート10を加熱溶融して、配線回路基板1と半導体素子3との空隙内に溶融状態の樹脂を充填し、その後、熱硬化(条件:200℃×20分)およびジョイント部の溶融接合(条件:215℃×90秒)させることにより、図1に示すように、上記空隙が封止樹脂層4で樹脂封止された半導体装置を作製した。
【0082】
一方、上記のように、球状のジョイントボール2以外に円錐状の接続用電極部7を備えた配線回路基板1を用いた半導体装置の製造工程について述べる。基本的には上記と同様の工程を経由して得られる。すなわち、図6に示すように、配線回路基板1(厚み1mmのガラスエポキシ基板)上に設けられた円錐状の接続用電極部7(材質:半田、融点:185℃、形状:直径200μm×高さ200μm)を介して、上記配線回路基板1上に上記各封止用樹脂シート10を載置した。この際、上記と同様、2層構造の封止用樹脂シートにおいて、無機質充填剤を含有する層10bが接続用電極部7と接し、接続用電極部7形成面と反対側の面に、無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)10aが位置するよう封止用樹脂シート10を載置した。その後、上記封止用樹脂シート10上の所定の位置に、接続用パッド5(材質:半田、融点:185℃、形状:直径200μm×高さ30μmの半球状)が設けられた半導体素子3(厚み:700μm、大きさ:11mm×11mm)を載置した。その後、加熱温度180℃×荷重0.08kgf/個×1分の条件で封止用樹脂シート10を加熱溶融して、配線回路基板1と半導体素子3との空隙内に溶融状態の樹脂を充填し、その後、熱硬化(条件:200℃×20分)および円錐状の接続用電極部7を溶融(条件:215℃×90秒)させることにより、図1に示すように、上記空隙が封止樹脂層4で樹脂封止された半導体装置を作製した。なお、各接続用電極部(ジョイントボール)の形状を上記表2〜表4に併せて示した。
【0083】
得られた半導体装置について、初期の通電試験を行い、さらに、その半導体装置を用いて、プレーシャークッカーテスト〔PCTテスト(条件:121℃×2atm×100%RHで200時間放置)〕を行った後に通電チェックを行った。さらに、上記PCTテストでの放置時間を1000時間として通電チェックを行った。その結果、各放置時間における不良が発生した割合(不良発生率)を算出した。さらに、この不良発生率とともに、不良が発生したものを×、全く不良が発生しなかったものを○として表示した。その結果を下記の表5〜表7に示す。
【0084】
【表5】
【0085】
【表6】
【0086】
【表7】
【0087】
上記表5〜表7の結果、実施例では、初期の通電チェック、PCTテスト200時間後ならびに1000時間後の通電チェックにおいて不良が全く発生しなかった。これに対して、比較例は、いずれも初期の通電チェックおよびPCTテスト200時間後の通電チェックにおいては不良が全く発生しなかったが、PCTテスト1000時間後の通電チェックにおいていずれも不良が発生した。
【0088】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、配線回路基板上に、複数の接続用電極部および封止用樹脂シートの硬化物を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が、上記封止用樹脂シートの硬化物からなる封止樹脂層の、接続用電極部形成面と反対側の面、および、その近傍が、無機質充填剤を含有しない状態に形成された封止樹脂層(X)によって封止される。このような半導体装置の特殊な封止樹脂層(X)は、少なくとも厚み5μmの無機質充填剤を含有しない層と、無機質充填剤を含有している層とで形成された封止用樹脂シートを用いる。そして、このシートを、接続用電極部形成面と反対側の面に無機質充填剤を含有しない層が位置するよう位置決めして使用することにより形成される。このように、上記封止樹脂層(X)は、接続用電極部形成面と反対側の面が、その表面から少なくとも5μmの深さまで、無機質充填剤を含有しない層に形成され、加圧された接続用電極部表面に無機質充填剤が残存せず、配線回路基板と半導体素子とが密接に接合される。したがって、半導体素子と配線回路基板間の導通特性の低下が抑制されて、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図2】 上記半導体装置の製造工程を示す説明断面図である。
【図3】 上記半導体装置の製造工程を示す説明断面図である。
【図4】 他の半導体装置の製造工程を示す説明断面図である。
【図5】 本発明に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図6】 円錐状の接続用電極部を有する配線回路基板を用いた半導体装置の製造工程を示す説明断面図である。
【符号の説明】
1 配線回路基板
2 接続用電極部
3 半導体素子
4 封止樹脂層
4a 無機質充填剤を含有しない封止樹脂層(ノンフィラー封止樹脂層)
4b 無機質充填剤を含有する封止樹脂層
10 封止用樹脂シート
10a 無機質充填剤を含有しない層(ノンフィラー層)
10b 無機質充填剤を含有する層
Claims (2)
- 配線回路基板上に、複数の接続用電極部および封止用樹脂シートの硬化物を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が、上記封止用樹脂シートの硬化物からなる下記の封止樹脂層(X)によって封止されてなる半導体装置の上記封止樹脂層(X)を形成する際に用いられる封止用樹脂シートであって、上記封止用樹脂シートが、下記の特徴(Y)を備えていることを特徴とする封止用樹脂シート。
(X)封止樹脂層の、接続用電極部形成面と反対側の面、および、その近傍が、無機質充填剤を含有しない状態に形成された封止用樹脂層。
(Y)封止用樹脂シートが、少なくとも厚み5μmの無機質充填剤を含有しない層と、無機質充填剤を含有している層とで形成されている。 - 上記封止用樹脂シートが、下記の(A)および(B)成分を含有するエポキシ樹脂組成物によって形成されたものである請求項1記載の封止用樹脂シート。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012169414A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Nitto Denko Corp | 封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法 |
US8507323B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of producing semiconductor device with patterned photosensitive adhesive |
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4977194B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | 電子部品の実装方法 |
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JP4097379B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2008-06-11 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の実装方法及びその装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009072493A1 (ja) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 感光性接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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US8507323B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method of producing semiconductor device with patterned photosensitive adhesive |
JP2012169414A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Nitto Denko Corp | 封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法 |
US10428253B2 (en) | 2013-07-16 | 2019-10-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Photosensitive resin composition, film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, and semiconductor device |
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