TWI383454B - Microwave introduction device and plasma processing device - Google Patents

Description

微波導入裝置及電漿處理裝置

本發明係關於，於使微波所產生的電漿進行作用而對半導體晶圓等施以處理時，所使用之微波導入裝置及電漿處理裝置。

近年來，隨著半導體製品的高密度化及高精細化，於半導體製品的製程中，於成膜、蝕刻、灰化等的各種處理時，乃具有採用電漿處理裝置之傾向。尤其是，就即使於0.1mTorr(13.3mPa)~數Torr(數百Pa)的高真空下亦能夠安定地生成高密度的電漿之優點來看，乃具有偏好使用微波電漿裝置之傾向。如此之微波電漿處理裝置，例如有日本特開平3－191073號公報、日本特開平5－343334號公報、日本特開平9－181052號公報、及日本特開2003－332326號公報等所揭示者。

以下參照第6圖~第8圖，簡單說明以往一般的微波電漿處理裝置。第6圖係概略地顯示電漿處理裝置的構成之縱向剖面圖，第7圖係顯示第6圖所示之平面天線構件及慢波構件的中心部之擴大圖，第8圖係顯示第7圖所示之慢波構件的中心部之立體圖。

如第6圖所示般，電漿處理裝置2係具備，可進行真空抽引之處理容器4；設置於處理容器4內之用以載置半導體晶圓W之載置台6；及與載置台6對向設置，且能夠以氣密方式封閉處理容器4之頂部的開口之圓板狀的頂板8。頂板8係由可讓微波透射之材料，例如二氧化鋁、氮化鋁或石英所構成。於處理容器4的側壁，設置有用以將特定的處理氣體導入至處理容器4內之氣體導入手段，例如為氣體噴嘴10。於處理容器4的側壁，更設置有晶圓W的搬出入用的開口12，於此開口12中設置有閘閥G。於處理容器4的底部設置有排氣口14，於此排氣口14中連接有真空排氣系統，並如上述般可對處理容器4內進行真空抽引。

於頂板8的上側，設置有用以將電漿形成用的微波導入至處理容器4內之微波導入裝置16。微波導入裝置16係具備，設置於頂板8的上面之由厚度約為數mm的銅圓板所形成之平面天線構件18；及用以縮短平面天線構件18的半徑方向之微波的波長之由電介質所構成的慢波構件20。於平面天線構件18中，形成有由細長形貫通孔所構成之多數個微波放射用槽孔22。一般而言，槽孔22係配置為同心圓狀或渦捲狀。此外，亦如第7圖及第8圖所示般，於慢波構件20的上面中央部，設置有從該處往上方突出之截頭圓錐形的供電部26。於供電部26上形成有貫通孔28。

同軸導波管24的中心導體24A，係通過貫通孔28而連接於平面天線構件18。同軸導波管24的外側導體24B，係連接於覆蓋慢波構件20的全體之導波箱30的中央部。由微波產生器32所產生之特定頻率數，例如為2.45GHz的微波，係於模式轉換器34中轉換為特定的振動模式，之後被導入至平面天線構件18及慢波構件20。微波係以放射狀往平面天線構件18的半徑方向傳輸，於該過程中，係從平面天線構件18中所設置之各個槽孔22當中放射，並通過頂板8而導入至處理容器4內。藉由因該微波於處理容器4內的處理空間S所產生之電漿，而對半導體晶圓W施以蝕刻或成膜等之特定的電漿處理。於導波箱30的上面，設置有用以冷卻因微波的介電損失而導致發熱之慢波構件20之冷卻器36。

於此類的微波導入裝置16中，為了儘可能地提高微波的傳輸效率，眾所皆知的是必須儘可能地抑制反射波。因此，即使於從同軸導波管24的下端部將微波導入至平面天線構件18及慢波構件20之供電部26中，就微波的反射抑制之觀點來看，於該處的特性阻抗之變化，較理想為儘可能地緩慢變化。因此，係如上述般將供電部26形成為截頭圓錐形狀。結果為，特性阻抗例如於同軸導波管24中為50Ω，於供電部26與同軸導波管24的交界部分上為15.9Ω，隨著更往傳輸方向的下游側行進，乃依序從7.4Ω、之後為1.5Ω而緩慢變化。

由於作為慢波構件20的材料而使用之電介質(具體而言為石英、或是氮化鋁或二氧化鋁等的陶瓷)，其硬度極高且較脆，因此非常難以於高加工精密度下予以加工。高度H0為3~10mm之截頭圓錐形的供電部26之外周面的錐面加工(研磨加工)，乃不易提高其加工精密度，該加工精密度頂多約為±0.5mm之相對較低的程度。因此，如第7圖所示般，於供電部26之錐狀的側周面26A與導波箱30的內面之間，經常會產生相對較大的間隙38。

起因於此間隙38，而會產生下列問題，亦即，微波的電場集中於此間隙38所導致之異常放電的產生，或是平面天線構件18的電場分布失去對稱性之問題。此外，由於間隙38不均一地產生，因而無法實現如設計值所設計之特性阻抗，亦會導致微波的反射率增大之問題。

再者，若產生間隙38，則從供電部26至導波箱30(由冷卻器36予以冷卻)之熱傳導降低，亦可能導致供電部26附近的冷卻效率降低之問題。

本發明乃著眼於上述問題點，並為了更能夠有效解決此等問題點而創作出本發明。本發明之目的在於，藉由簡化慢波構件之供電部的形狀而提升加工時的尺寸精密度，並藉此抑制成為種種問題點的產生原因之供電部之間隙的產生。

為了達成上述目的，本發明係提供一種微波導入裝置，係具備：產生微波之微波產生器；及形成有微波放射用的槽孔之平面天線構件；及具有中心導體及外側導體，並將上述微波產生器所產生的微波傳送至上述平面天線構件之同軸導波管；及為與上述平面天線構件重疊而設置之平板狀的慢波構件，且具有面對上述平面天線構件之第1面、及朝向與上述第1面為相反方向之第2面，於上述第2面上形成有，由從該中心部所突出之突起所構成且從上述同軸導波管中供電之供電部之慢波構件；上述中心導體係通過上述供電部上所形成之貫通孔，而連接於上述平面天線構件的中心部；上述供電部具有垂直於上述慢波構件的第2面之側壁。

上述慢波構件可由電介質所形成。

較理想為，上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，係位於6.5~13.0mm的範圍內。於上述慢波構件由二氧化鋁所形成時，上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，較理想為位於6.5~8.5mm的範圍內。此外，於上述慢波構件係由石英所形成時，上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，較理想為位於11~13mm的範圍內。

上述慢波構件亦能夠以由導電性材料所構成之導波箱予以覆蓋。此外，於上述導波箱中，可設置有用以冷卻上述慢波構件之冷卻手段。

上述微波的頻率數可設定為2.45GHz或8.35GHz。

此外，根據本發明，係提供一種電漿處理裝置，係具備：於頂部具有開口，且內部可進行真空抽引之處理容器；及用以載置被處理體之設置於上述處理容器內的載置台；及以氣密方式安裝於上述開口，且由可讓微波透射之電介質所構成之頂板；及將所需的處理氣體導入至上述處理容器內之氣體導入手段；及為了將微波導入至上述處理容器內而設置於上述頂板的上方之申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置。上述頂板與上述慢波構件可由相同材料所形成。

以下係參照附加圖式，說明本發明之微波導入裝置及電漿處理裝置的一項實施例之型態。第1圖係顯示本發明之具備微波導入裝置之電漿處理裝置的一例之構成圖，第2圖係顯示微波導入裝置的平面天線構件及慢波構件的中心部之擴大圖，第3圖係顯示慢波構件的中心部之立體圖。

電漿處理裝置42係具備，該側壁及底壁由鋁等的導體所構成之圓筒形的處理容器44。處理容器44的內部，係區隔成圓柱形之密閉的處理空間S。處理容器44為接地。

於處理容器44內，收納有於其上面用以載置被處理體，例如為半導體晶圓W之圓板狀的載置台46。載置台46係隔著由鋁所構成之支柱48而固定於容器底部。於處理容器44的側壁，設置有用以對處理容器44的內部進行晶圓W的搬出及搬入之搬出入口50，於此搬出入口50中，設置有能夠以氣密方式封閉該處之閘閥52。

於處理容器44中，設置有用以將必要的處理氣體導入至該處理容器44內之氣體導入手段54。於本例中，此氣體導入手段54具有貫通處理容器44的側壁之氣體噴嘴54A，並可因應必要，一邊控制流量一邊供應必要的處理氣體。此外，亦可設置多數個氣體噴嘴54A而將不同種類的氣體個別導入至處理容器44內。此外，氣體導入手段54亦可具有設置於處理容器44內的上部之所謂的蓮蓬頭，以取代上述方式。

於處理容器44的底壁上設置有排氣口56。於排氣口56中，係連接有依序中介連接壓力控制閥58及真空泵浦60之排氣路徑62，並可因應必要，對處理容器44內進行真空抽引至特定的壓力為止。

於載置台46的下方，設置有於晶圓W的搬出入時用以使該晶圓W升降之多數根，例如為3根的升降銷64(於第1圖中僅表示出2根)。升降桿68係貫通處理容器44的底壁，為了確保處理容器44內的氣密性，此升降桿68係以可伸縮的風箱66所包圍。升降桿68係使升降銷64升降。於載置台46上，形成有用以讓升降銷64插通之插銷通孔70。載置台46係由耐熱材料，例如為二氧化鋁等的陶瓷所形成。於載置台46內設置有加熱手段72。加熱手段72可由埋入於載置台46的大致為全區之薄板形狀的電阻加熱器所構成。加熱手段72係透過通過支柱48內之配線74而連接於加熱器電源76。

於載置台46的上面側，設置有薄板狀的靜電吸附盤80。靜電吸附盤80可構成為於其內部具有配設為網目狀之導體線78。靜電吸附盤80可藉由靜電吸附力，將載置於載置台46上，亦即靜電吸附盤80上之晶圓W予以吸附。靜電吸附盤80的導體線78，係透過配線82而連接於用以將靜電吸附用的電壓施加於導體線78之直流電源84。此外，為了於必要時將特定頻率數，例如為13.56MHz之偏壓用高頻電力施加於靜電吸附盤80的導體線78，因此於配線82中更連接有偏壓用高頻電源86。此外，可因電漿處理裝置所執行之處理的種類之不同，而有省略此偏壓用高頻電源86之情況。

處理容器44係於上端形成開口，此開口係隔著O型環等的密封構件90，藉由頂板88而以氣密方式予以封閉。頂板88係由對微波具有透射性之材料，具體而言為石英、或是二氧化鋁(Al₂ O₃ )或氮化鋁(AlN)等陶瓷之電介質等所構成。頂板88的厚度，在考量到耐壓性之下，例如可形成為大約20mm。

於頂板88的上面側，設置有本發明之微波導入裝置92。微波導入裝置92係具有，用以將微波導入至處理容器44內之圓板狀的平面天線構件94。平面天線構件94的下面係接觸於頂板88的上面。平面天線構件94係由導電性材料，較理想為表面施以銀鍍敷後之銅或是鋁所構成。於此電漿處理裝置構成為對300mm大小的晶圓進行處理時，平面天線構件94可形成為直徑約400~500mm、厚度1~數mm。於平面天線構件94中，形成有由細長形貫通孔所構成之多數個微波放射用槽孔96。槽孔96可配置為同心圓狀、渦捲狀或放射狀。槽孔96亦可均一地分布於平面天線構件94的全面。此平面天線構件94為所謂的稱為RLSA(Radial Line Slot Antenna：輻射線槽孔天線)之天線，並可於高密度下將低電子能量的電漿形成於處理容器44內。

於平面天線構件94上，係於全體設置有薄圓板狀的慢波構件98。慢波構件98的下面，亦即第1面，係接觸於平面天線構件94。慢波構件98係由用以縮短微波的波長之高電介質材料所形成，例如可由石英、或是二氧化鋁或氮化鋁等的陶瓷所形成。慢波構件98係覆蓋平面天線構件94的上面之大致為全面。於慢波構件98的上面，亦即第2面的中央部，形成有從該處往上方突出之圓柱狀的突起之形態的供電部100(參照第3圖)。供電部100以慢波構件98的上面為基準，係具有高度H1。供電部100之側壁100A的表面，並非如以往的供電部(參照第8圖)般之對慢波構件的上面呈傾斜之錐狀面，而是如第3圖所示般，垂直於慢波構件的上面。

因此，可藉由研磨加工等的機械加工而容易形成側壁100A的形狀，因此能夠於高加工精密度下加工側壁100A。具備附有錐面的外周面之以往的供電部(第8圖中的圖號為26)的加工精密度約為±0.5mm，但根據本發明，乃確認出垂直於慢波構件98的上面之具有側壁100A之供電部100的加工精密度，約為±0.1mm。供電部100之上述高度H1，雖因構成慢波構件98之材料的不同而有所不同，但為了抑制微波的反射率，可設定於6.5~13.0mm的範圍內。於供電部100中，形成有於該中心往上下方向貫通之貫通孔102。貫通孔102的下部，愈接近於下端則愈予以擴徑。慢波構件98的材料，就考量到微波的波長縮短效果，可使用與頂板88相同的材料。

由導體所構成之薄型圓筒形狀的導波箱104，係覆蓋慢波構件98的上面及側面的全部。平面天線構件94係形成導波箱104的底板。於導波箱104的上面，設置有用以進行冷卻而使冷煤流通之作為冷卻手段的冷卻夾套106。

導波箱104及平面天線構件94的周邊部，均導通於處理容器44。於供電部100中，連接有同軸導波管108。同軸導波管108係由，中心導體108A；及隔著特定間隔而配置於該周圍之剖面呈圓形的外側導體108B所構成。外側導體108B係連接於導波箱104上部的中央部，中心導體108A係通過慢波構件98中心的貫通孔102而連接於平面天線構件94的中心部。

於高加工精密度下進行加工後之圓柱狀突起的形態之供電部100的側壁100A，係緊密接觸於外側導體108B的內壁面。同軸導波管108係隔著模式轉換器110及於該中途具有匹配器(圖中未顯示)之矩形導波管112，而連接於2.45GHz的微波產生器114，並將微波傳輸至平面天線構件94及慢波構件98。微波的頻率數並不限定於2.45GHz，亦可為其他頻率數，例如為8.35GHz。

電漿處理裝置42全體的動作，係藉由以微電腦等所構成之控制手段116予以控制。進行此動作之電腦的程式，係記憶於軟碟、CD(Compact Disc：光碟)或快閃記憶體等之記憶媒體118。藉由來自於此控制手段116的指令，而進行各種處理氣體的供應及流量控制、微波及高頻的供應及電力控制、以及製程溫度及製程壓力的控制。

接下來說明以電漿處理裝置42所執行之處理方法的一例。首先開啟閘閥52，藉由搬送臂(圖中未顯示)，透過搬出入口50將半導體晶圓W收納至處理容器44內，使升降銷64上下移動而藉此將晶圓W載置於載置台46的載置面，之後藉由靜電吸附盤80將晶圓W予以吸附。此晶圓W可因應必要，藉由加熱手段72而維持於特定的製程溫度中。從圖中未顯示的氣體源當中，一邊控制流量，一邊透過氣體導入手段54的氣體噴嘴54A將特定的處理氣體供應至處理容器44內，並控制壓力控制閥58以將處理容器44內維持於特定的製程壓力。

同時藉由驅動微波導入裝置92的微波產生器114，將此微波產生器114所產生的微波，透過矩形導波管112及同軸導波管108而從供電部100供應至平面天線構件94及慢波構件98。藉由慢波構件98而縮短波長後的微波，係透射頂板88而導入至處理空間S，藉此於處理空間S中產生電漿，並使用此電漿進行特定的處理。

在此，係詳細說明從同軸導波管108的下端部將微波予以傳輸之情況。於同軸導波管108中傳輸來的微波，係通過慢波構件98的中央部上所設置之供電部100，並以放射狀朝向慢波構件98及平面天線構件94的周邊部傳輸。於此過程中，微波係從各個槽孔96朝向下方的處理空間S放射，而導入至處理容器44內。

如上述般，根據本發明之具有嶄新形狀的供電部100，由於能夠於高加工精密度下予以加工，因此可在不會產生間隙下，嵌入於同軸導波管108之外側導體108B的下端部。因此可防止起因於該間隙而於供電部100與外側導體108B之間產生異常放電之問題，並且可防止平面天線構件94的電場分布失去對稱性之問題。

此外，由於不會產生間隙，因此可實現如設計值所設計之特性阻抗，藉此可抑制供電部100及其附近之微波的反射。再者，於將冷卻手段106設置於同軸導波管108時，由於可將供電部100與同軸導波管108的內壁面予以密接，因此可改善兩構件間的熱傳導性，而提升供電部100的冷卻效率。

惟若將供電部100構成為圓柱形，則較將供電部100構成為截頭圓錐形的情況(參照第7圖及第8圖)，可能更會導致特性阻抗的急遽變化，而增大微波的反射率。然而，此問題可藉由使供電部100的高度H1達到最適化而予以解決。

最適化的高度H1，於慢波構件98及供電部100的材料為相對介電常數約9.8之二氧化鋁時，係位於6.5~8.5mm的範圍內，於相對介電常數約3.8之石英時，係位於11~13mm的範圍內。藉由如此般使供電部100的高度H1達到最適化，可抑制微波的反射率的增大，而抑制在5%以下。

<特性阻抗的變化與反射率>

接下來參照第4圖及第5圖，說明供電部100的高度H1的最適化之探討結果。第4圖係顯示成為特性阻抗的計算基礎之慢波構件的中心部之模型，第5圖係顯示慢波構件之供電部的高度與微波的反射率之間的關係之圖式。於本模型中，微波的頻率數係設定為2.45GHz，但頻率數並不限定於此。

第4圖(A)係顯示以往技術之慢波構件的供電部周圍之模型，第4圖(B)係顯示本發明之慢波構件的供電部周圍之模型。

在此係根據下列前提而進行計算。

慢波構件的材料：二氧化鋁(相對介電常數9.8)慢波構件的厚度d：4mm供電部之貫通孔的半徑d1：8.45mm供電部的半徑d2：19.4mm同軸導波管的特性阻抗：50Ω供電部的高度H0(以往技術)：6mm供電部的高度H1(本發明)：8mm

特性阻抗係由下列式子所求取。

Z＝V/I＝60d/(rε)r：從慢波構件的中心之距離ε：相對介電常數

於第4圖(A)所示之以往的慢波構件時，特性阻抗於同軸導波管與供電部的交界上為15.9Ω，於包含供電部外周的終端點之斜向剖面上為10Ω，於包含供電部外周的終端點之上下剖面上為3.95Ω。此時之微波的反射率為3.6%，而確認出可較以往技術的4.5%大幅降低。

在此，於第4圖(B)所示之本發明之慢波構件的模型中，係針對微波的反射率對供電部高度H1之依存性進行探討。第5圖(A)係顯示其結果。如第5圖(A)所示般，於供電部的高度H1為6~9mm的範圍內，微波的反射呈現出向下凹的曲線，於高度H1為8mm時，係呈現出反射率的最低值之大約3.5。在此，若以反射率的容許限度(上限)為5%，則確認出可藉由將高度H1設定為6.5~8.5mm的範圍內，而將反射率控制在上述容許限度內。此外，於以反射率的容許限度為4%時，係確認出可藉由將高度H1設定為7.0~8.1mm的範圍內，而將反射率控制在上述容許限度內。

接下來讓使用依據本發明之形狀，且具有高度H1為8mm的供電部100之慢波構件之電漿處理裝置實際進行運轉，而確認出所產生之電漿的狀態。亦即藉由目視方式確認出，即使於1000~3500瓦的範圍內改變微波功率，並於50~200mTorr的範圍內改變處理容器內的壓力，亦能夠安定地形成電漿。

將慢波構件的材料從二氧化鋁改變為石英，並進行與上述相同之探討。第5圖(B)係顯示此時之供電部的高度H1與反射率之間的關係。在此，由石英所構成之慢波構件的厚度d為7mm，石英的相對介電常數ε為3.8。從第5圖(B)當中可得知，為了使微波的反射率到達5%以下，只要將高度H1設定為11.0~13.0mm的範圍內即可。此外，氮化鋁(AlN)的相對介電常數為8.0，與二氧化鋁大致相同，因此，於慢波構件的材料為氮化鋁時，亦可將對二氧化鋁所求取的上述尺寸予以適用。

上述電漿處理裝置的構成，僅顯示出一項例子而不限定於此。此外，慢波構件98的材質及相對介電常數，亦僅顯示出一項例子而不限定於此。尤其是，供電部100的高度H1，當然較理想為因應所使用之材料的相對介電常數而達到最適化。此外，以電漿處理裝置所處理之被處理體，並不限定於半導體晶圓，亦可為玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等之其他種類的被處理體。

2、42．．．電漿處理裝置

4、44．．．處理容器

6、46．．．載置台

8、88．．．頂板

10、54．．．氣體導入手段

12．．．開口

14、56．．．排氣口

16、92．．．微波導入裝置

18、94．．．平面天線構件

20、98．．．慢波構件

22、96．．．槽孔

24、108．．．同軸導波管

24A、108A．．．中心導體

24B、108B．．．外側導體

26．．．供電部

26A．．．側周面

28、102．．．貫通孔

30、104．．．導波箱

32、114．．．微波產生器

34、110．．．模式轉換器

36．．．冷卻器

38．．．間隙

48．．．支柱

50．．．搬出入口

54A．．．氣體噴嘴

58．．．壓力控制閥

60．．．真空泵浦

62．．．排氣路徑

64．．．升降銷

66．．．風箱

68．．．升降桿

70．．．插銷通孔

72．．．加熱手段

74、82．．．配線

76．．．加熱器電源

78．．．導體線

80．．．靜電吸附盤

84．．．直流電源

86．．．偏壓用高頻電源

90．．．密封構件

100．．．供電部

100A．．．側壁

106．．．冷卻夾套

112．．．矩形導波管

116．．．控制手段

118．．．記憶媒體

G、52．．．閘閥

S．．．處理空間

W．．．半導體晶圓

第1圖係概略地顯示本發明的一項實施型態之具備微波導入裝置之電漿處理裝置的構成之縱向剖面圖。

第2圖係顯示第1圖所示之微波導入裝置的平面天線構件及慢波構件的中心部之擴大圖。

第3圖係顯示第2圖所示之慢波構件的中心部之立體圖。

第4圖係顯示於求取特性阻抗時所使用之慢波構件的中心部的各部分尺寸之模型圖。

第5圖係顯示慢波構件之供電部的高度與微波的反射率之間的關係之圖式。

第6圖係概略地顯示以往的電漿處理裝置的構成之縱向剖面圖。

第7圖係顯示第6圖之電漿處理裝置的平面天線構件及慢波構件的中心部之擴大圖。

第8圖係顯示第7圖所示之慢波構件的中心部之立體圖。

42．．．電漿處理裝置

44．．．處理容器

46．．．載置台

48．．．支柱

50．．．搬出入口

52．．．閘閥

54．．．氣體導入手段

54A．．．氣體噴嘴

56．．．排氣口

58．．．壓力控制閥

60．．．真空泵浦

62．．．排氣路徑

64．．．升降銷

66．．．風箱

68．．．升降桿

70．．．插銷通孔

72．．．加熱手段

74．．．配線

76．．．加熱器電源

78．．．導體線

80．．．靜電吸附盤

82．．．配線

84．．．直流電源

86．．．偏壓用高頻電源

88．．．頂板

90．．．密封構件

92．．．微波導入裝置

94．．．平面天線構件

96．．．槽孔

98．．．慢波構件

100．．．供電部

104．．．導波箱

106．．．冷卻夾套

108．．．同軸導波管

108A．．．中心導體

108B．．．外側導體

110．．．模式轉換器

112．．．矩形導波管

114．．．微波產生器

116．．．控制手段

118．．．記憶媒體

S．．．處理空間

W．．．半導體晶圓

Claims (9)

1. 一種微波導入裝置，其特徵為：係具備：產生微波之微波產生器；及形成有微波放射用的槽孔之平面天線構件；及具有中心導體及外側導體，並將上述微波產生器所產生的微波傳送至上述平面天線構件之同軸導波管；及為與上述平面天線構件重疊而設置之平板狀的慢波構件，且具有面對上述平面天線構件之第1面、及朝向與上述第1面為相反方向之第2面，於上述第2面上形成有，由從該中心部所突出之突起所構成且從上述同軸導波管中供電之供電部之慢波構件；上述中心導體係通過上述供電部上所形成之貫通孔，而連接於上述平面天線構件的中心部；上述供電部具有垂直於上述慢波構件的第2面之側壁；上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，係位於6.5~13.0mm的範圍內。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置，其中，上述慢波構件係由電介質所形成。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置，其中，上述慢波構件係由二氧化鋁所形成，上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，位於 6.5~8.5mm的範圍內。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置，其中，上述慢波構件係由石英所形成，上述慢波構件之以上述第2面為基準之上述供電部的高度，位於11~13mm的範圍內。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置，其中，上述慢波構件係以由導電性材料所構成之導波箱予以覆蓋。
6. 如申請專利範圍第5項所記載之微波導入裝置，其中，於上述導波箱中，設置有用以冷卻上述慢波構件之冷卻手段。
7. 如申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置，其中，上述微波的頻率數為2.45GHz或8.35GHz。
8. 一種電漿處理裝置，其特徵為：係具備：於頂部具有開口，且內部可進行真空抽引之處理容器；及用以載置被處理體之設置於上述處理容器內的載置台；及以氣密方式安裝於上述開口，且由可讓微波透射之電介質所構成之頂板；及將所需的處理氣體導入至上述處理容器內之氣體導入手段；及為了將微波導入至上述處理容器內而設置於上述頂板的上方之申請專利範圍第1項所記載之微波導入裝置。
9. 如申請專利範圍第8項所記載之電漿處理裝置，其中，上述頂板與上述慢波構件係由相同材料所形成。