TWI377719B - Electrochemical composition and associated technology - Google Patents

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Wen Ren Liu
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Description

13-77719 ι I 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種電化學組成物及其製備方法。 【先前技術】 許多電化學應用及裝置，例如電化學電池或電池，使 用展現電化學氧化還原活性及/或可參與電化學氧化還原 反應之組成物。舉例來說，使用鋰離子組成物之二次電池 或可再充電電池已產生相當大的效益。舉例來說，鋰離子 電池通常具有鋰離子電解質、固態還原物作為陽極以及固 態氧化物作為陰極，後者通常為電化學導電性基質，其中 鋰離子係於放電階段可逆地遷入其中，並且於充電階段可 逆地從其中遷出鋰離子。在陽極和陰極處出現之電化學反 應實質上是可逆的，造成電池實質上是可再充電的。 已研究出許多適用於作為電化學氧化還原活性電極 材料之固態組成物。此等組成物包含具有例如尖晶石結 構、橄欖石結構、NASICON結構及/或類似結構者。一些 此等組成物已展現不足的導電性或可操作性，或已連結其 他負面相關性，例如太貴或不易製造或污染環境。 適用於電化學氧化還原反應之組成物、其製造方法、 其用途及/或相關技術通常是必要的。 【發明内容】 13-77719 I l
本案揭示適用於電化學氧化還原反應之組成物。此— 組成物可包含以通式AXMyx04表示之材料，其中通式中之 A代表至少一種選自鹼金屬元素、鈹鎂、鎘、硼及鋁之 元素；Μ代表至少_種選自過渡金屬元素、鋅、錦、皱、 鎂、#5、鳃、硼、鋁、矽、鎵、鍺、銦、錫、銻及鉍之元 素，X代表至少一種選自磷、砷、矽及硫之元素；〇代表氧； Χ代表數目約〇.8至約L2(含），並且y代表數目約0.8至約 1.2(含）。此一組成物亦可包含一種含有至少一種選自鈹、 鎂、妈、鏍、硼、鋁、矽、鎵、鍺、銦、錫、銻、鉍及元 素，期表第 3、4、5、6、7、8、9、1(^^_U^)(W 下簡私第3-1G和12族）之元素的氧化物之氧化物成分。該氧 化物^分於本案可簡稱為上述至少一種元素的氧化物，或 僅，稱為氧化物4組成使得材料和氧化物呈共結晶態。 過里的氧化物可沿著金屬-氧化物共結晶態結構形成層狀 物此組成物可為奈米級，由例如奈米級共結晶態顆粒 構成。 L用於電化學氧化還原反應之組成物可包含以通式 /Χ〇4表示之材料，其中材料可遷入離子A以形成 xMyX〇4 ’其中Α、Μ、χ、〇、X及y係如上所述。舉例來 ^當材料於參考電極存在下置於含有離子A之溶液中以 又到離子插人或遷人程序時，可形成人為⑽。舉例來 當以通式AxMyX〇4表示之材料於參考電極存在下置於 s有離子a之溶液中以及受到離子提取(“η。血^⑽或 遷出（de-int⑽lation)程序時，可形成MyX〇4。此一組成物 13^77,19 !:含1上。其組成使得材料和氧化物呈共結 ::成此一組成物可為奈米級’由例如奈米級共結晶態顆 此-組成物可用於許多應用、環境和I置。舉例來 說，電極(齡陰極）可含有此—組成物。舉 學電池（例如電池）可含有此一組成物。 ” “2=示；種適用於電化學氧化還原反應之組成 至少二種:Γ法包含合併含找之第-材料，其 作代表至> 種選自過渡金屬元素、鋅、鎘、、 釣、認、硼、銘、石夕、鎵、錯、銦、锡、綈及叙之元素， 與含有X之第-材料之溶液，其中χ代表至少—種 =素。視所述之X的本性而定，第二自:可 對應：種選自鱗酸鹽、坤酸鹽、石夕酸鹽及硫酸 鹽之材料。該减可包含足以促進該第—材料與該第二材 料反應之界面活性劑。該第一材料添加該第二材料後 備出一混合溶液。 此-種製備方法可包含在反應溶液中合併此一混人 溶液與含有離子Α之第三材料，其中Α代表至少—種選自ς 金屬兀素，、錤、錦、硼及紹之元素。合併此-混合溶 液與該第三材料之步驟可包含調整反應溶液的阳，以促進 反應。可從反應溶液得_粒混合物。當形成的材料不含 Α成分時，㈣方法可包含由上述混合溶液得到顆粒混 物，而非由上述反應溶液得到。 得到顆粒混合物之步驟可包含研磨該顆粒混合物。研 I >777,19 磨步驟可造成材料原本各自的結晶態結構破壞，使得顆粒 混合物形成例如半結晶態的MyX〇4或人河〆〜組成物。 此一製備方法可包含以至少一種選自鈹、鎂、鈣、锶、 蝴、銘、石夕、鎵、錯、銦、錫、綈、紐及第31〇和12族之 70素的氧化物加入研磨而形成該顆粒混合物。研磨過程可 生成半結晶態顆粒混合物，其可經乾燥而作為提供的前驅 物。半結晶態顆粒混合物之顆粒的尺寸可小於微米級，例 • 如奈米級。在此情況下，混合物可稱為半結晶態奈米級顆 粒混合物。此一方法可包含煅燒該前驅物，以生成奈米級 組成物。此炮燒步驟可包含在惰性氣體存在下，或於惰性 氣體與懸浮於惰性氣體中之碳粒存在下煅燒該前驅物。奈 米級組成物可包含以通式AxMyX〇4或MyX〇4表示之材料以 及共結晶態形式的氧化物。 體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的 說明中詳細敛述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具 • 有各種的變化’其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及 圖不在本質上係當作說明之用，而非用以限制本案。 【實施方式】 本發明揭示一種適用於電化學氧化還原反應之組成 物。本發明亦揭示一種此一組成物之製備方法。另外，本 發明亦提供許多態樣、特徵、具體例及實施例之說明。 • 除非暗示地或明確地瞭解或表明，應暸解此中所示之 • 單數文字涵蓋其複數對應字，並且此中所示之複數文字涵 13777,19 蓋其單數對應字。再者，除非暗示地或明確地瞭解或表
OQ ，應瞭解針對任一種此中給定的元件而言，任一種針對 該元件所列之可能的候選物或替代物通常可個別地或彼 此合併使用。另外，除非暗示地或明確地瞭解或表明，應 瞭解任一種此等候選物或替代物僅為說明之用，而非用以 限制本發明。再者’除非暗示地或明確地瞭解或表明，應 瞭解此中所示之任一數字或數目或數量為近似值，並且任 鲁一數值範圍包含界定該範圍之最小值和最大值（無論是否 使用「含」一字）。一般而言，除非暗示地或明確地瞭解或 表月有關數字或數目或數量之「大約（approximately)」 或「約（about)J或符號「~」等用語代表落在± 5%之範圍 内。再者，應瞭解所用的任一標題僅為便利之用，而非用 以限制本發明。另外，除非暗示地或明確地瞭解或表明， 應瞭解任—種放任的、開放的或無限制語言涵蓋任一種相 對放任至限制式語言、較不開放至封閉式語言、或較無限 •制至無限制式語言。舉例來說，「包含(comprising)」一字 可涵蓋「包含（comprising)」、「大體上包括（⑺心如叩 essentially)」及/或「包括」等類型語言。 此中所述之所有專利、專利申請案、專利申請案之公 開案以及其他材料(例如物件、書籍、說明書、公開案、文 字、事件及/或類似物）係完整地合併於本案以供參考，除 非有關其任-者或任—審查歷史紀錄與本案文件不一致 ’或者可具有如申請專利範圍或之後有關本案 文件的最廣範圍之有限效果之外。舉例來說，與任一種合 1377719
I I 併的材料以及與本案文件有關的用語之說明、定義及/或用 途之間應有任一不一致或衝突，並且本案文件中之用語的 說明、定義及/或用途應是普遍性的。 此中通常可描述、定義及/或使用各種用語來增進瞭 解。應瞭解各種用語之對應的一般說明、定義及/或用途可 適用於各種用語之對應的語言或文法變體或形式。亦應瞭 解當以非通常或更特別方式使用用語時，則可能無法適用 鲁或可能無法完全地適用此中之任一用語的一般說明、定義 及/或用途或對應的一般說明、定義及/或用途。亦應瞭解 用以說明特殊具體例之此中所用的術語及/或其說明及/或 其定義不受限制。亦應瞭解此中所述的具體例或此中所述 之應用不受限制，可施以變化。 「鹼金屬元素」一詞通常代表週期表第IA族中之元素 之任一者，即裡、鈉、鉀、敍》、絶及妨。「過渡金屬元素」 一詞通常代表元素21至29(銃至銅）、39至47(釔至銀）、57 • 至79(鑭至金）以及所有從元素週期表中原子序89(婀）向前 已知的元素中之任一者。一般而言，「第一列過渡金屬元 素」一詞代表元素21至29中之任一者，即筑、鈦、飢、鉻、 錳、鐵、鈷、鎳及銅；「第二列過渡金屬元素」一詞通常 代表元素39至47中之任一者，即釔、锆、鈮、鉬、鉻、釕、 铑、鈀及銀；並且「第三列過渡金屬元素」一詞通常代表 元素57至79中之任一者，即鑭、給、組、鶴、銶、鐵、銥、 鉑及金。「氧化物」一詞通常代表其中至少一元素原子（例 如金屬原子）鍵結於至少一氧原子之無機物。 11 13*77719
I I 一般而言，「結晶態」一詞代表材料的特性，亦即在 空間中之實質上規則的重複結構中排列或鍵結的材料中 具有每一元素的原子之特性。一般而言，「半結晶態」一 詞代表材料的特性，亦即部分由結晶態物質和部分由非結 晶態物質（例如非結晶物質）組成者。一般而言，「共結晶態」 一詞代表材料的特性，亦即具有晶體聚集物和實質上均勻 地分布於晶體聚集物的表面或分子結構中之分子之材 Φ 料。因此，共結晶態材料可包含混合的結晶相，其中分子 係分布於有關晶體聚集物之晶格内。可藉由任一種適合的 方法，例如共生、沉澱及/或自發性結晶作用，出現共結晶 態特性。一般而言，「奈米級」一詞代表材料的特性，亦 即由顆粒組成、其個別顆粒的有效直徑小於或等於約500 奈米（例如約200奈米至約500奈米（含），或約300奈米至約 500奈米（含))之材料。 一般而言，「研磨」一詞代表礙碎材料。球磨機和蝶 • 磨機為可用於研磨之裝置的實施例。一般而言，「煅燒」 一詞代表加熱材料至低於其熔點之溫度，俾導致水份喪 失、還原、氧化、熱分解軌域及/或除炫化外之相過渡現象。 一般而言，「界面活性劑」一詞代表表面活性劑。 一般而言，「電極」一詞代表材料在其上被電性氧化 或電性還原之工作電極。陽極和陰極為電極的實施例。一 般而言，其他特殊的電極為例如此中提到之參考電極。一 般而言，「電化學電池」一詞代表一種可於其上發生電化 學反應之電池。電化學燃料電池、動力電池和電池為電化 I S1 12
rynm I I 學電池之實施例。 此刻揭示一種適用於電化學氧化還原反應之組成 物。此一組成物可包含以通式I : AxMyX04表示之材料，此 將進一步說明如下。 於通式I中，A代表至少一種選自驗金屬元素、鈹、鎮、 鎘、硼及鋁之元素。一些適合的鹼金屬元素的實施例包含 裡、納及鉀。如上所述，使用驗離子組成物（例如裡離子組 成物）之電池已成為相當大的效益。因此，適合的驗金屬元 素的實施例為鋰，以下將進一步證實。 於通式I中，Μ代表至少一種選自過渡金屬元素、辞、 編、鍵、鎮、妈、錄、侧、銘、碎、蘇、錯、銦、錫、録 及鉍之元素。一些適合的過渡金屬元素的實施例包含第一 列過渡金屬元素、第二列過渡金屬元素及第三列過渡金屬 元素。適合的第一列過渡金屬元素的實施例為鐵。再者， 於通式I中，X代表至少一種選自磷、砷、矽及硫之元素， 並且〇代表氧。 於通式I中，X代表數目約0.8至約1.2(含），例如約0.9 至約1.1(含）。當Α代表超過一種元素時，Αχ2χ代表有關每 一種元素的數目之總和之數目。舉例來說，倘若Α代表Li、 Na及K，則Lixl2xl代表第一數目，Nax2之x2代表第二數 目，並且Kx3之x3代表第三數目，使得Ax代表LixlNax2Kx3, 而Ax之X代表以xl表示之第一數目、以x2表示之第二數目 與以x3表示之第三數目的合計。於通式I中，y代表數目約 0.8至約1.2(含），例如約0.9至約1.1(含）。當Μ代表超過一種 13 IJ77719
1 I 元素時，代表與㈣元素之每—者有_每—數目總 和之數目。舉例來說，倘若M代表Fe、。和⑷，則卩化之 yl代表第一數目，C〇y2之y2代表第二數目，並且Niy32y3 代表第二數目，使得My代表peyiC〇y2Niy3，而Myiy代表以 yl表示之第一數目、以y2表示之第二數目與以p表示之第 三數目的合計。於此中所述之通式卜^和ΙΠ中 ’ ΙίΛ X 表 之數目和以y表示之數目可藉由適合的技術測定，例如依 鲁 賴感應耦合電漿(ICP)之原子發射光譜。請參照Goldstone 等人 ’ Introduction to Atomic Emission Spectrometry(原子 發射光譜簡介），ICP Optical Emission Spectroscopy， Technical Note 12，其係合併於本案以供參考。僅為了便 利或簡化之目的，於此中所述之通式I、II和III中之X和y中 的每一者可以數目1表示，然而仍保有其較廣泛的意義。 適合的組成物亦可包含至少一種選自鈹、鎂、約、認、 棚、铭、石夕、錄、鍺、銦、錫、録、叙及第3-10和12族之 φ 元素的氧化物。一些適合的過渡金屬元素的實施例包含選 字第一列過渡金屬元素、第二列過渡金屬元素及第三列過 渡金屬元素之任一種元素。適合的第一列過渡金屬元素的 實施例包含鈦、釩及鉻" 組成物係可使如上述以通式I表示之材料和如上述之 氧化物呈共結晶態。在此情況下，共結晶態材料可以通式 II : AxMyX〇4.zB表示，其中Α、Μ、Χ、0、χ及y係與上 述有關通式I所表示之材料相同，B代表上述的氧化物，z 代表大於0且小於或等於約0.1之數目，並且符號「·」代表 )//7.19 材料和氧化物的結晶性。可藉由任一種適合的技術，例如 上述的AES/ICP技術’測定此中所述之通式中以2表 示之數目。以Z表示之數目代表B成分相對於組成物的莫耳 比。僅為了便利或簡化之目的，z係以不特定方式表示， •然而仍保有其較廣泛的意義。 於此中所述之通式I、II和III代表存在四個氧原子成 份。咸信於其中以通式I表示之材料和氧化物形成共晶體之 例子中，與以通式I表示之材料有關的結晶晶格結構係於形 成以通式II或通式III表示之共晶體之過程中改變。舉例來 說，可改變共結晶態組成物的晶格結構，其中晶格常數a、 b和c中之至少一常數及晶格體積（axbxC)或單位晶格體 積刀別與以通式I表不之材料的晶格結構、常數和體積不 同。此中提供與晶格體積有關的數據，即不同共結晶態組 成物的晶格常數a、b和c以及晶格體積。
咸信在此變化下，共結晶態組成物中之至少一部分氧 組份可比通式II或通式III之X與Μ更緊密結合，雖然藉由目 前方法（例如上述的AESJCP技術）測定此結合的性質是不 易或不可能的。咸信任一部分氧成分與Μ或X之間的任一 種鍵結結合本質上是共價的。通式II和III之每一者在此方 面而言是普遍的，並且代表共結晶態組成物（無論任一部分 氧成分與Μ或X之結合性質為何），因而涵蓋例如分別以 八又^1丫04-%^0/28或八；11^04-〜乂0<2丑/(：表示者，其中w代表 數目約0至約4，又例如分別為AxMyX〇4.zB或 AxMyX04-zB/C，其中w代表4，又例如分別為AxMy〇2x〇2.zB 15 B77719
• I 或AxMy〇2X〇2.zB/C ’其中w代表2，或例如分別為 ΑχΜγ04Χ·ζΒ 4AxMy04X.zB/C，其中 w代表〇。舉例來說， w可代表大於0或小於約4之數目。 咸信共結晶態結構（即不同於以通式I表示之材料的結 晶結構）可促進離子***或遷入程序以及涉及A之離子提 取或遷出程序’並且依此可促進任一種此等程序。涉及共 結晶態複合材料LiFe(II)P〇4’ZnO/C中心原子的鐵（M=Fe) # 從Fe(II)至Fe(III)之氧化反應離子提取或遷出程序，以及涉 及共結晶態複合材料Fe(II)P(VZnO/C的中心原子（M=Fe) 從Fe(III)至Fe(II)之還原反應之離子***程序的實施例，則 提供於實施例7中。咸信此實施例證實LiFe(II)P04.ZnO/C 共結晶態複合材料及其Fe(II)PCVZnO/C互補性共結晶態 複合材料的離子導電性。 此中所述之組成物可使得以通式I表示之材料和氧化 物形成共結晶態材料。如上所述，當材料和氧化物呈共結 • 晶態形式時，此一組成物可以通式II表示。過量氧化物（若 存在的話）可至少部分地沿著（例如實質上沿著）例如共結 晶態材料形成實質上均勻的邊緣。此一組成物可具有至少 一層，例如碳粒的層體或塗層。倘若氧化物的邊緣存在， 則結果將為多層結構。當材料和氧化物呈共結晶態形式， 且碳粒（以C表示）形成層體或塗層時（其中符號「/」代表介 於共結晶態形式與碳粒層之間的界面，並且未明確指出缺 少或存在過量氧化物邊緣），組成物可以通式III :
AxMyX04.zB/C表示。碳粒可用以增進組成物的導電性。 16 ί S3 mu 19
I I 以通式n或m表示之組成物可為奈米級，由例如 級共結晶_粒構成。個別的奈米級共結晶態顆粒可且^ 有效直控為小於或等於約奈米，例如約2叫米^約 500奈米（含）°咸信組成物的奈米級顆粒態樣係與组成物的 相當高放電容量有關。亦即，預期此中所述之奈米級組^ 物將與比在相同條件下之此中所述的非奈米級組成物更 高的放電容量有關。此巾所述之任m級組成物可且
有過量的氧化物邊緣，如以上所料具有厚度係小於或等 於約10奈米，例如厚度為約3~5奈米。 如上所述，適用於電化學氧化還原反應之組成物可包 含以通式MyX〇4表示之材料’其中材料可遷入離子a以形 成AxMyX04 ’其中a、Μ、X、〇、又及丫係如上所述。就此 一組成物而言，通式Ι、Π及II可具有對應以下通式之形式， 分別為通式I: MyX〇4;通式Π: MyX〇4.zB ;以及通式m : 1^^〇4.；^/0：，其中^乂、〇、；8、（：”及2係如上所述。 舉例來a兑，當此一材料於參考電極存在下置於含有離子a 之j谷液中以及受到離子***或遷入程序時，可分別形成
AxMyX04、AxMyX〇4.zB或AxMyX04.zB/C。再者，舉例來 說’當以通式AxMyX〇4、八5^丫乂04.26或人;^)^〇4.沾/〇：表 示之材料於參考電極存在下置於含有離子A之溶液中以及 受到離子提取或遷出程序時，可分別形成AxMyX〇4、 AxMyX04 zB4AxMyX04.zB/C。 此中所述之組成物可適用於許多應用、環境及裝置。 舉例來說’電極(例如陰極）可含有此中所述的組成物。舉 17 15] IJ777J9 例來說，電化學電池（例如電池）可含有此中所述的組成 物。適合的組成物、應用、環境及裝置的實施例將於說明 用於製備此一組成物之方法之後提出。 一種適用於電化學氧化還原反應之組成物的製備方 法可包含合併含有Μ之第一材料，其tM代表至少一種選 自過渡金屬元素、辞、鎘、鈹、鎂、鈣、锶、硼、鋁、矽、 鎵、鍺、銦、錫、録及紐之元素，與含有X之第二材料之 φ 溶液’其中X代表至少一種選自構、珅、碎及硫之元素。 合併方式可包含混合’例如徹底混合或攪拌。舉例來說’ Μ可代表Fe〇 就溶液而言，當X代表磷時，第二材料可為磷酸鹽形 式；當X代表砷時，第二材料可為砷酸鹽形式；當父代表矽 時，第二材料可為矽酸鹽形式；當χ代表硫時，第二材料 可為硫酸鹽形式；或當X代表超過一種上述元素時，因此 第二材料可為超過一種上述形式。舉例來說，可藉由在水 •性媒介（例如去離子水）中分別溶解磷酸及/或其鹽類及/或 石申酸及/或其鹽類來製備含有磷酸鹽或钟酸鹽之溶液。 溶液可含有界面活性劑及/或足以促進第一材料與第 二材料反應之pH調整劑。此一界面活性劑及/或調整劑可 足以調整溶液的pH至適用於形成保護膜（pr〇tective shell) 之程度，此邻刀將於以下實施例中進一步說明之。可使用 任-適量的界面活性劑及/或調整劑，例如則毫升之界面 活性劑。適合的界面活性劑的實施例包含離子型、非離子 型及兩性界面活性劑。適合的界面活性劑的實施例包含例 18 1377719 如DNP (二硝基苯基，一種陽離子型界面活性劑）、Triton X-100 (辛基酚乙氧酸酯，一種非離子型界面活性劑）以及 BS-12 (十二基甲基甜菜驗或cocoai kanoyl amido propyl betaine，一種兩性界面活性劑）。可使用任一種適合的pH 調整劑’例如NH3或NH4OH，或其適合的組合。於適合的 混合條件下’例如徹底混合或攪拌下，可將任一種此等界 面活性劑及/或調整劑加入溶液中。不含界面活性劑、pH φ 調整劑及/或調整PH之情況下，溶液仍可能是適當的。 合併該第一材料與該溶液可產生含有反應產物之混 合溶液。在此部分說明中，為了簡便之故，Μ於此刻將代 表單一金屬元素’例如Fe，即使其可為金屬元素以外者或 可為超過一種上述的元素’並且X於此刻將代表僅含有 磷，即使其可含有如上述之磷、砷、矽及/或硫。可合併含 有金屬之第一材料以及含有填酸鹽之溶液，使得金屬與填 酸鹽反應，並且可提供含有反應產物之混合溶液。反應可 # 進行一段適合的期間，例如約I2小時。 咸仏於金屬與磷酸鹽之反應過程中，形成可稱為自組 裝膠體早層外皮（self-assembled colloidal monolayer husk) 之保護膜。再者，咸信倘若磷酸鹽溶液中之游離酸的含量 太低時，則保護膜不易溶解，並且倘若溶液中之游離酸含 量太问時’則保護膜更易溶解，使得外膜形成受到阻礙。 (於X包含碟、坤'石夕及/或硫以及含有對應的第二材料之溶 液或對應的第二材料之例子中，咸信保護膜將形成，並且 將以類似方式受到游離酸含量影響。）依此，針對形成適 19 B77719 合的外膜來調整溶液的pH。適合的pH範圍的實施例為約工 至約2.5。溶液的pH為適當時，則不必或不需要進行pH調 整。 可使用適合的界面活性劑及/或pH調整劑（例如任一種 上述者）或其適合的組合來調整溶液的pH，俾促進外膜形 成’及/或促進金屬與填酸鹽之反應。任一種此等促進作用 可包含增進相對於不使用界面活性劑或調整劑時之反應 • 速率的速率，及/或使反應在不使用界面活性劑或調整劑時 之溫度（例如約70°C至約80。〇之降温下進行，例如從約 20°C至約35°〇咸信一或多種適合的界面活性劑可依照第 1A圖與第1B圖（合稱第1圖）示意此刻說明之方式，促進金 屬與為酸鹽反應。如第1圖所示，於金屬與碟酸鹽反應之 過程中，金屬顆粒10可至少被保護膜12包覆。一般而言， 保護膜12可阻礙金屬顆粒10與溶液中的磷酸鹽之接觸，使 知'涉及一者之反應受到阻礙。咸信可使用適合的界面活性 鲁 劑來促進保護膜12脫離金屬顆粒1〇，使得得以促進金屬顆 粒10與磷酸鹽間之反應，例如容許實質上連續地進行。保 遵膜12是以帶電荷或電中性形式存在。若保護膜12是帶電 的’則離子型或兩性界面活性劑可因例如靜電力作用而被 電性吸引至外膜表面上，因而形成界面活性劑擴散層14。 倘若保護膜12是電中性的，則非離子型界面活性劑則可經 由例如凡德瓦力（Van der waals force)吸附於外膜表面上。 於保護膜12與界面活性劑間之任一種此等交互作用可促 進保遵膜12與金屬顆粒10分離’使得可適當地進行金屬顆 20 1377719 粒與溶液中之構酸鹽的反應。（於χ包含罐、钟、石夕及/或硫 以及含有對應的第二材料之溶液或對應的第二材料之例 子中’咸信保護膜將形成’並且將以類似方式受到界面活 性劑交互作用之影響。） 如上所述，此反應可提供含有反應產物之混合溶液。 反應產物可以通式MyX04表示。舉例來說，當Μ為Fe且X 為P時，反應順序可如以下之反應I所示者，其中緊接在鐵 • 元素後之括號數目代表其價態。 反應I : Fe(0) + 2H3P04 > Fe(II)(H2P04)2 + H2(g)
Fe(III)P〇4(s) + H3PO4 +H20 此中所述之製備方法可包含在反應溶液中合併上述 混合溶液與含有離子A之第三材料，其中A代表至少一種選 自鹼金屬元素、鈹、鎂、鎘、硼及鋁之元素。在此部分說 明中，為了簡便之故，A於此刻將代表單一鹼金屬元素， # 例如Li，即使其可為鹼金屬元素以外者或可為超過一種上 述的元素。於此一實施例中，第三材料可包含例如氫氧化 锂一水合物及/或氣化鋰。合併混合溶液與該第三材料之步 驟可包含混合，例如徹底混合或攪拌或研磨。混合一段適 合的期間，例如透過球磨研磨4小時，或研磨一段足以斷 裂、破壞或降低前驅物結晶態結構之時間。合併混合溶液 與該第三材料之步驟可包含調整反應溶液的pH，以促進反 應。適合的pH範圍的實施例為約7至約11。倘若溶液的pjj 適當，則不需進行pH調整。合併混合溶液與該第三材料可 I 5] 21 1377719 t · 生成適用於進一步處理之反應溶液，此將進一步說明如 下。 當所形成的材料不含A成分時，製備方法可包含由上 述混合溶液（而不是如上述之反應溶液）得到顆粒混合物。 可使用任一種適合的pH調整及/或混合方式。 如上述，可由反應溶液或由混合溶液得到顆粒混合 物。得到此混合物之步驟包含過濾溶液以得到固態混合 • 物。顆粒混合物實質上可為非結晶態。顆粒混合物可包含 一些結晶態材料。可充分地研磨顆粒混合物，以斷裂、破 壞或降低結晶態結構，並且使顆粒混合物成為半結晶態， 例如部分結晶態和部分非結晶態。可充分地研磨顆粒混合 物，以使顆粒混合物中的顆粒的尺寸小於微米級，例如奈 米級。研磨期間可夠長，以促進顆粒混合物之「奈米化」。 於研磨過程中，顆粒混合物可呈溶液形式。舉例來說，可 透過球磨研磨’並且研磨時間為約4小時。混合溶液與第 • 三材料之合併以及研磨程序可接續地或實質上同時進 行。舉例來說，混合溶液與第三材料之合併步驟可以例如 以下反應II所示之反應順序表示，其中Μ為Fe、X為p且a 為Li’其中緊接在鐵元素後之括號材料代表其價態，其中 緊接在鋰元素後之括號材料代表其價態，「/」符號代表介 於Li(I)與Fe(III)P04之間的界面。 反應II : Fe(III)P04 + Li(I) Li(I)/Fe(III)P〇4 第一材料、第二材料及/或第三材料可依序地合併，例 22 1377719 如依照上述方式或任一種適合方式，或依任一種適合方式 實質上同時地合併。此等材料之合併可生成顆粒混合物（如 此中所述將進一步說明者）。 此中所述之製備方法可包含合併顆粒混合物與至少 一種選自鈹、鎂、約、銷、硼、鋁、石夕、鎵、鍺、銦、錫、 銻、叙及第3-10和12族之元素的氧化物。合併方式可包含 研磨程序。於研磨程序中’顆粒混合物與氧化物可為溶液 φ 形式。研磨可生成半結晶態顆粒混合物，半結晶態顆粒混 合物之顆粒的尺寸可小於微米級，例如奈米級。咸信此一 混合物的奈米級顆粒可包含MX〇4、離子A及氧化物。舉例 來說’當Μ為Fe ’ X為P，A為Li，且B代表氧化物成分時， 其中緊接在鐵元素後之括號材料代表其價態，其中緊接在 鋰元素後之括號材料代表其價態，並且「/」符號代表介於 Li(I)與Fe(III)P04之間的界面。 φ 反應 III : Li⑴/Fe(III)P〇4~> B/[Li(I)/Fe(III)P〇4] 此中提供適合的製備方法，例如於實施例1-3中所提供 者。此中所示之製備方法的修改是可能的。舉例來說，可 於前驅物之前的任一適當時間提供至少一種選自鈹、鎂、 妈、總、蝴、I呂、石夕、鎵、錯、銦、錫、綈、纽及第 和12族之元素的氧化物。咸信氧化物將不參與於如上述之 時間前之反應’使得其可於提供前驅物前之任一適合的或 方便的時間加入’例如於乾燥顆粒混合物以提供前驅物之 前或期間的任一時間點。舉例來說’不採取合併混合溶液 23 1377719 . 與上述含有離子八之第三材料，可合併混合溶液、含有離 子A之第三树料與氧化物。 可乾燥上述的半結晶態奈米級顆粒混合物，以提供前 麟物。可使用任一種有效率的乾燥程序，例如喷霧乾燥。 舉例來說，可處理半結晶態奈米級顆粒混合物，以形成奈 米级顆粒之微滴。此方法可包含離心混合物。此離心作用 4於中溫或高溫環境中，例如中溫或高溫的空氣環境中進 行。此離心作用可進行一段期間，係根據液滴的「飛行」 • 時間決定《咸信當離心混合物時，其形成「飛行」微滴， 炎真隨著轉盤進行而發展出增加的表面張力，故液滴會有 衫成圓球狀的趨勢。咸信透過在奈米級顆粒間之孔隙所造 成的毛細力’可將顆粒内部之水分送至表面持續揮發。再 者，咸信當顆粒表面遭遇到環境中澴或高溫環境時，表面 上的水分蒸發，使得顆粒被乾燥。矸控制某些涉及乾燥或 離心程序或環境之參數’例如涉及製程或製程有關設備之 時間（例如「飛行」時間）、溫度（例如艙體溫度）或環境(例 • 如空氣溫度），俾得到適合的結果。由此中所述之半結晶態 奈米級顆粒混合物的適合乾燥作用所生成的前驅物可包 含實質上乾燥的球形顆粒。此等顆粗可包含MX04、離子A 及氧化物B。 第二圖為前驅物顆粒的示意圖。顆粒可包含可具有 MX〇4之主體部分20以及可具有至少部分圍繞（例如實質 上圍繞）主體部分20之邊緣或邊界部分22。邊界部分22可包 含離子A(當A存在時）以及氧化物成分。舉例來說，邊界部 IS] 24 1377719 分22可包含一界面、可含有離子A(當A存在時)之最内層24 以及可含有氧化物成分之最外層26,其_最外層26可至少 部分圍繞(例如實質上圍繞）最内層24。 θ 此中所述之製備方法可包含锻燒前驅物以產生奈米 級組成物。可使用任一種適合的炮燒程序。舉例來說，煅 燒可包含在•隋性氣體(例如氬氣或氮氣)存在下以及碳粒懸 浮在惰性氣體中锻燒前驅物。可於引入前驅物和碳粒至爐 φ 中進行煅燒。碳粒的尺寸可小於前驅物顆粒。舉例來說， 個別的碳粒的有效直徑可小於或等於約1〇〇奈米。可以例 如循環或其他適合流體形式將惰性氣體引入爐中，俾使前 驅物與碳粒變為懸浮在氣體中以混合。可於最多約9〇(rc 之任一適合的溫度下，例如約8〇〇艺，進行锻燒。可藉由 惰性氣體排出任一此製程中不想要的產物，例如水分、反 應氣體及/或二氧化碳。咸信在此過程中，藉由例如混合物 中相鄰顆粒之間隙間產生的剪力，碳粒可至少部分地填塞 φ 於前驅物的間隙中。 可於任一適當時間，依任一適當方式添加足以改變M 成分的價態之藥劑。可於煅燒之前或期間加入此藥劑。舉 例來說，可加入還原劑以降低Μ成分的價態，或可加入氧 化劑以提高Μ成分的價態。適合的還原劑的實施例包含任 一種含碳·質材料之還原劑，例如焦炭、石墨、碳粉及/或有 機化合物（例如蔗糖或多醣）。含碳質材料之還原劑亦可適 用於作為碳源’因而可促進碳塗覆。 咸信前驅物顆粒在煅燒中進行許多程序。舉例來說， ί 51 25 1377719 咸信在初期煅燒階段中（例如溫度為約2 5 °C至約4 ο 〇 〇c之熱 處理以及約4至約6小時之處理時間），前驅物顆粒歷經顆粒 擴散、體擴散、蒸發及凝結作用。咸信材料孔隙中之氣體 (例如二氧化碳)在此等製程初步階段中可能被排出。咸信 此等程序生成顆粒，個別顆粒可包含共結晶態主體部分、 可至少部分圍繞(例如實質上圍繞）主體部分之中間或邊界 部分以及可至少部分圍繞（例如實質上圍繞）中間部分之外 • 圍部分。主體部分可包含]^义〇4或八311^\〇4，邊界部分可 包含氧化物成分B ’並且外圍部分可包含過量的氧化物成 分B(當此過量存在時)及/或碳（當碳於煅燒期間存在時）。舉 例來說’當炮燒包含與以C表示之碳混合時，以及當m、X、 A、B和括號材料如有關反應III所示時，化合物可以 C/B/[Li(I)/Fe(II)P04]表示。在本實施例中，鐵元素的價態 已由III還原至II。 舉例來說，咸信於中期煅燒階段中（例如溫度為約 φ 40CTC至約80CTC之熱處理以及約4至約6小時之處理時 間），前驅物顆粒歷經某些重組作用。舉例來說，咸信快速 擴散至晶界，再緩慢擴散形成多層性晶質材料，而形成斜 方晶系結晶結構。同時’外圍部分含有過量氧化物成分B 及/或碳則經由擴散以致緊密地圍繞結晶態材料的主體部 分和邊界部分。舉例來說，當煅燒包含與以C表示之碳混 合時，以及當Μ、X、A、B和括號材料如有關反應III所示 時，所生成材料可以C/[Li(I)/Fe(II)P(VB]表示’其中符 號”·”代表共結晶結構。 26 1377719 此刻請參照第三圖A，咸信結晶態材料的主體30包含 聚合物鏈（未顯示），每一聚合物鏈具有八面體結構、四面 體結構和鋰離子。若干沿著ac-平面方向延伸的八面體結構 32與四面體結構34則顯示於第三圖A中。在八面體結構32 中，每一中心Μ成分具有由六個顯示於八面體的角落上之 氧原子36(未完全顯示於第三圖Α中）所形成略為扭曲的八 面體配位幾何形狀。在每一四面體結構中，每一中心X(未 φ 顯示）成分具有由四個顯示於四面體的角落上之氧原子 36(未完全顯示於第三圖A中），形成之四面體配位幾何形 狀，每二個氧原子共用相鄰的八面體結構。咸信當A成分 存在時，於主體内及A成分的此等不同幾何結構旁者為可 用以平衡與Μ成分有關的價態之A成分的離子38，故整體 結構實質上是中性的。A成分的此等離子38可比主體30的 四面體34更緊密地與八面體32結合。再者，咸信與主體30 和剛提到的許多成分緊密結合者為結晶態材料的氧化物 φ 成分（未顯示）。再者，當煅燒過程中存在有碳粒時，咸信 碳成分（未顯示）將相鄰主體30存在，但超出剛提到的氧化 物成分。 舉例來說，在後期煅燒階段中（例如可包含溫度為約 800°C之熱處理以及約4小時之處理時間），結晶材料逐漸地 緻密化。咸信所生成材料包含具有主體30和其成分之共結 晶態結構（如第三圖A所示）以及共結晶態形式氧化物成 分。當煅燒期間不存在碳粒時，所生成材料可以通式II表 示。當煅燒期間存在碳粒時，所生成材料可以通式III表 27 不’使传以通式II表不之基底共結晶悲結構被以通式之c 表示之碳粒層至少部分地包覆’例如實質上包覆。此一共 結晶態結構40係示意地顯示於第三圖B中，其中上述的主 體共結晶態部分42被含有過量氧化物成分（塗覆碳粒46)之 邊緣部份44包覆。另一種此類型共結晶態結構48則顯示於 第三圖C中，其中上述的主體共結晶態部分42被以碳粒層 體或塗層（未顯示）至少部分地包覆，例如實質上包覆。 舉例來說，當煅燒包含與以C表示之碳混合時，當]vj、 X、A、B和括號材料如有關反應III所示時，以及符號「.」 代表共結晶態結構時，所生成材料可以 C/[Li(I)/Fe(II)PCVB]表示。在此情況下，有關初期、中期 和後期緞燒階段之順序可顯示於以下表IV中。 反應IV : B/[Li(I)/Fe(m)P〇4] + C/B/[Li(I)/Fe(II)P04]今 C/[Li(I)Fe(II)P〇4B] + C/[Li(I)Fe(n)P04.B] 由煅燒生成之材料於此亦可以C/[Li(I)xFe(II)yP〇4.zB] 表示。 咸信當製程中所用的氧化物成分為銅的氧化物時，可 於煅燒（例如惰性氣體中之煅燒）過程中使氧化物氧化，使 得所生成的材料含有銅成分以取代氧化物成分。在此一情 況下，除Cu取代氧化物成分B外，由煅燒生成之材料可以 本案所述者表示。咸信當氧化物成分為選自元素週期表第 11族之其他元素的氧化物時，類似的現象產生。 適合的製備方法的實施例亦於此中提供，例如提供於 13777,19 實施例1-3。上述製備方法之改變是可能的。舉例來說，可 於提供前驅物前之任一適合的時間加入至少—種選自 鈹、鎂、鈣、勰、硼、鋁、矽、鎵、鍺、銦、錫、銻、鉍 及第3-1〇和12族之元素的氧化物。咸信氧化物將不會影響 上述時間前發生的反應，故可於提供前驅物前之任一適人 或方便的時間加入氧化物，例如於乾燥顆粒混合物以提供 前驅物之前的任一時間或期間。 ' • 此中所述之生成的奈米級組成物可包含以通式
AxMyX〇4表示之材料以及共結晶態形式之氧化物。可以通 式Η或ΠΙ表示組成物。組成物之整個結構大體上是中性 的。當施加電壓於組成物時，中心金屬Μ可被氧化，使得 組成物的主體實質上是電中性的。可釋放Α的離子並產生 電子，以平衡組成物的總價態。當組成物在惰性環境中 時，中心金屬Μ可被還原，並產生電流以穩定組成物結構。 咸信氧化物與碳粒之存在可用以增進組成物的電化學可 φ 逆丨生。咸^組成物具有良好的結構穩定性與電化學可逆 性。 舉例來說’以 MyXCVzB、MyX〇4.zB/c、A MyX〇4 zB 或 AxMyX04-zB/C表不之奈米級共結晶態組成物，A(當存在時） 代表至少一種選自裡和納之元素；M代表至少一種選自 锰、鐵、銘和錄之元素Ml以及至少—種選自欽、叙、絡、 錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、矽、金、銻和鑭之元 素M2 ’其中Ml和M2不同；X代表
八衣&，〇代表氧；氧化物B 係為至少-種選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋅、鎂、 29 1377719 I 1 夕錦和鐦之元素的氧化物；並且X、7和z係如上所 述°在該組成物中，Ml與至少一種有關氧化物B之元素可 相異。再者，舉例來說，當My代表MlylM2y2時，yl和y2 可，使得yl代表數目相當於1減去以y2表示之數目。舉例 來說可為〇至約〇·2 (含）。如上所述，於共結晶態組成 物中之至少一部分氧化物成分比X更緊密地與Μ結合。 咸信在此中所述之MyX04.zB、MyX04.zB/C、
ΑχΜγΧ〇4·ΖΒ或~河#〇4.2丑/(：複合組成物中，氧化物成分 B經共結晶於對應的MyX04或AxMyX04材料或顆粒之上或 之中再者’咸仏當過量氧化物成分可於或AxMyX〇4 材料或顆粒的外側形成實質上均勻的邊緣時，至少一些部 分（通常為大部分）氧化物成分將依此方式共結晶。咸信X-射線精細結構分析及χ_射線吸收光譜顯示氧化物成分並 非摻雜或塗覆於此t所述的複合組成物中。 咸信在此中所述含有第11族金屬成分(例如銅）取代氧 化物成分B之複合組成物中，該金屬成分經共結晶於對應 的MyX〇4AxMyX〇4材料或顆粒之上或之中。再者，咸信 當過量的該金屬成分可於1^又〇4或AxMyX〇4材料或顆粒的 外側形成實質上均勻的邊緣時，至少一些部分(通常為大部 分）金屬成分將依此方式共結晶。咸信此等複合組成物展現 在本案他處所述之特徵或優點。 顯示與氧化物成分有關之精細結構峰之X -射線繞射 研究可區別此中所述的複合組成物（例如AxMyX(VZB或 AxMyX〇4.zB/C)與比較材料（例如天然的LiFeP〇4、 ί S3 30
LiFePCVc或塗 _ α 一種）。再者，是或摻雜金屬氧化物之此等比較材料的任 池’使用此中所1L相較於使用此等比較材料之電化學電 電/放電容量、述的複合組成物之電化學電池通常就初充 操作之充電/放充電/放電容量保留率以及有關電化學電池 增強的初容量率谷篁等方面而言通常是增強的。咸信 的速率容量可^歸因於複合組成物的氧化物成分，而增強 中之降低陽離$因於以低和高C速率進行充放電循環過程 "離子失序的效果。 相關方法將提供有關此中所述的組成物及相關技術，例如 實施例 貫施例1 :複合好4
m #Li101Fe〇 98p〇4.〇.〇i2MgO/C 莫耳磷酸（85%)與〇.25莫耳檸檬酸混合並溶解於 600宅升去離早士 冰、, K中以形成酸性溶液。於徹底混合所生成 岭液之，加入2莫耳鐵粉09%)，俾於如它至如。c之溫度 下在冷液中形成含有鱗酸鐵與填酸亞鐵之混合物。持續 二;合液24小時以提供完全分散液將10毫升Trit〇n W (種非離子型界面活性劑）加入分散的溶液中。伴隨 著徹底攪拌，加入2莫耳氣化鋰一水合物（56%)。此時生成 含有磷酸鐵與磷酸亞鐵之混合物。 將所生成的渴*合物、1〇〇毫升蒸餾水與0.02莫耳氧化鎂 置於球㈣t ’並且使其徹底地研磨及分散於球磨罐中， 以於浴液中形成半結晶奈米化顆粒混合物。將上述的半結 31 1377719 晶奈米化顆粒混合物噴霧乾燥為前驅物。 將前驅物承栽於氧化練钵上’並且放入高溫爐中。 亦將碳粉放人爐子+。使高溫爐填充氬氣載氣。使高^爐 以每次增加2CTC將溫度由室溫升溫至8〇〇ΐ，並且: 800°C下持續24小時。在高溫爐巾，使碳粉粒子懸浮於氯 氣載氣中，並且與前驅物混合，以製得含有磷酸鋰鐵主 體、氧化鎂以及外部碳層共結晶之複合材料 • Ul.°lFe°98P〇4’0 012Mg〇/C。透過AES/ICP技術測定χ、 和Ζ的數目分別為1.01、0·98和0012〇材料係為可簡單^ 以 Li(I)Fe(II)P〇4.MgO/C 或 LiFePCVMgO/C 表示且可簡單 地稱為 Li(I)Fe(II)P〇4.Mg〇/C 或 LiFePCVMgO/C 之材料的 實施例。 實施例2 :複合材料Li104Fe0 99p〇4.〇.〇〇5Ti〇2/c 將2莫耳磷酸（85%)與〇.25莫耳檸檬酸混合並溶解於 600毫升去離子水中以形成酸性溶液◎於徹底混合所生成 溶液之後，加入2莫耳鐵粉（99%) ’俾於2〇°c至30¾之溫度 下，在溶液中形成含有磷酸鐵與磷酸亞鐵之混合物。持續 攪拌此溶液24小時，以提供完全分散液。將1〇毫升Tdt〇n X^100(—種非離子型界面活性劑）加入分散的溶液中。伴隨 著徹底攪拌，加入2莫耳氣化鋰一水合物（56%p此時生成 含有磷酸鐵與磷酸亞鐵之混合物。 將所生成的混合物、1〇〇毫升蒸餾水與〇 〇2莫耳氧化鈦 I S3 32 1377719 • · 1 置於球磨罐中’並且使其徹底地研磨及分散於球磨罐中， 以於溶液中形成半結晶奈米化顆粒混合物。將半結晶奈米 化顆粒混合物噴霧乾燥為前驅物。 將前驅物承载於氧化鋁匣缽上，並且放入高溫爐中。 亦將碳粉放入高溫爐中。使高溫爐填充氬氣載氣。使高溫 爐以每次增加2(TC將溫度由室溫升溫至800〇c ,並且在 8〇〇°C下持續24小時。在高溫爐中，使碳粉粒子懸浮於氬 φ 氣載氣中’並且與前驅物混合，以製得含有磷酸鋰鐵主 體、氧化欽和外部碳層共結晶之複合材料 Lii 〇4Fe0 99P04.〇.〇〇5Ti〇2/c。透過AES/ICP技術測定 X、y和 z的數目分別為1.04、0.99和0.005。材料係為可簡單地以 Li(I)Fe(II)P〇4.Ti〇2/C或 LiFeP04.Ti02/C表示且可簡單地稱 為 Li(I)Fe(II)P04.Ti02/C 或 LiFeP04 Ti02/C 之材料的實施 例0
_ 實施例 3 :複合材料LiwFeowPCVO.i^VzCVC 將2莫耳磷酸（85 %)與0.25莫耳檸檬酸混合並溶解於 600毫升去離子水中以形成酸性溶液。於徹底混合所生成 溶液之後’加入2莫耳鐵粉（99%)，俾於2(TC至3〇ΐ之溫 度下’在溶液中形成含有磷酸鐵與構酸亞鐵之混合物。持 續攪拌此溶液24小時’以提供完全分散液。將10毫升Triton X -10 0 ( —種非離子型界面活性劑）加入分散的溶液中。伴隨 著徹底攪拌，加入2莫耳氯化鋰一水合物（56%)。此時生成 含有磷酸鐵與磷酸亞鐵之混合物。 33 將所生成的混合物、100毫升蒸德水與0.02莫耳氧化叙 置於球磨罐中’並且使其徹底地研磨及分散於球磨罐中， 以於溶液中形成半結晶奈米化顆粒混合物。將半結晶奈米 化顆粒潘合物喷霧乾燥為前驅物。 將前驅物承載於氧化鋁匣绰上’並且放入高溫爐十。 亦將破粉放入高溫爐中。使高溫爐填充氬氣載氣。使高溫 爐以每次增加20°C將溫度由室溫升溫至800°c，並且在 800°C下持讀24小時。在高溫爐中，使碳粉粒子懸浮於氬 氣載氣中，並且與前驅物混合’以製得含有磷酸鋰鐵主 體、氧化釩和外部碳層共結晶之複合材料 Lii.〇3Fe0.996P〇4.〇.〇2V2〇3/C。透過 AES/ICP技術測定X、y和 Z的數目分別為1 ·〇3、0.996和0.02。材料係為可簡單地以 Li(I)Fe(II)P04.V203/C 或 LiFeP04.V203/C表示且可簡單地 稱為 Li(I)Fe(II)P〇4·V203/C 或 LiFePCV V203/C 之材料的實 施例。 實施例4 :其他複合材料 依照類似實施例1 - 3中所用之方法或類似以下在本實 施例中所用之方法來製備其他共結晶態材料。此等材料包 含以下表1所示者。就以下所列之材料而言，為了便利， 僅將y的數目以1表示。就以下所列之材料以及其他另外列 出之材料而言，z的數目可接近百分之一。以下所列以粗 體出現、標為複合材料1(為實施例1之複合材料）、複合材 料II、複合材料III及複合材料V等材料係用於此中討論之 一些實施例中。
表1:共結晶態組成物 Li117FeP04· 0.0097 ZnO / C Li101FePO4. 0.005 ZnO / C Li105FePO4_ 0.0097 MnO / C Li〇.93FeP〇4· 0.0098 MnO / C Li103FePO4. 0.015 MnO / C Li101FePO4· 0.02 MnO / C Li104FeP〇4. 0.03 MnO / C Lii 〇2FeP〇4. 0.05 MnO / C Lil uFeP04. 0.013 MgO/C 複合材料I z Li101FePO4· 0.012 MgO / C Li103FePO4. 0.017 MgO / C Li〇.99FeP〇4· 0.021 MgO / C Li〇.99FeP〇4· 0.032 MgO / C Li101FePO4· 0.05 MgO / C Li123 FeP04· 0.009A1203 / C Li103 FeP04· 0.016 A1203 / C Li108FePO4. 0.01 NiO/C
1377719 • I
LiL04 FeP04· 0.01 NiO / C Li103 FeP04. 0.02 V203 / C Li107 FeP04. 0.021 V203 / C Li〇.95 FeP04· 0.032 V203 / C 複合材料III :
Li〇 98 FeP04* 0.044 V203 / C Li100 FeP04- 0.067 V203 / C Li106 FeP04· 0.098 V203 / C Li112FeP04· 0.01 CoO/C Lio.95 FeP04· 0.098 CoO / C Lil u FeP04. 0.018 Si02/C 複合材料V : Li〇.96 FeP〇4· 0.012 Cr2〇3 / C Li104 FeP04. 0.0047 Ti02 / C Li107FePO4. 0.014 Ti02/C Li104FePO4· 0.013 Ti02/ C 複合材料II:
Li1〇3FeP〇4· 0.029 Ti02 / C 可依照類似實施例1-3中之任一者所用的方法製備此 等複合材料。此刻將說明一些使用Ι^0Η·Η20、鐵粉、H3P04 36 1377719 及氧化物成分B作為反應物之複合材料。在此製法中，將 理想配比含里的反應物溶解於加入至少一種界面活性劑 作為螯合劑之去離子水中，以促進膠體形成。喷霧乾燥每 一種製得的溶液’直到形成細顆粒為止。在流動N2氣體環 境下，將顆粒加熱至400°C，以釋放C〇2，並且進一步在 80(TC下燒結所生成的分解前驅物顆粒。燒結作用係在還 原氛圍中進行，以防止Fe2+陽離子氧化。 於複合材料II之製程中’氧化物成分TiO的理論含量 (莫耳比0.030)係用於製得的溶液中《藉由感應耦合電漿 (ICP)分析測定存在於複合材料II中之TiO的真實含量為莫 耳比0.029。真實含量稍低於理論含量，這代表在處理過程 中已喪失此等氧化物的一些含量。 依照類似實施例1-3中所用之方法或本實施例中所述 之方法製備另外的共結晶態材料，其中氧化物成分為銅的 氧化物。此等另外的複合材料為Li1()9FeP(V〇.〇〇98Cu/C、 Li〇.96FeP〇4 * 〇.〇097Cu/C、Li! 1〇FeP〇4 · 0.0156Cu/C、 Lii.03FeP〇4*0.〇2Cu/C 、 Li! 04FePO4 · 0.03Cu/C 及 LiwFePCVO.OSCu/C。後者材料(有時稱為複合材料IV)係 用於此中討論的一些實施例中。首先可確信這六種材料含 有氧化物CuO ’但接續的材料試驗(於台灣之國家同步輻射 中心進行）顯示材料含有第一列過渡金屬Cu’而不是氧化 物。咸信含有CuO成分之此等複合材料引導煅燒程序，該 成分係於惰性氣體中煅燒之過程中還原。 針對製得的各種複合材料得到χ_射線繞射圖案（採用 37 IS1 1377719 »
Cu K)，以測定相純度。使用具有場發射之高解析度穿透 式電子顯微照相（High-resolution transmission electron microscopy，HRTEM)以研究各種複合材料的粉末的表面 形態。X光射線吸收光譜研究（於台灣之國家同步輻射中心 進行）係使用容許同步輻射通過之密拉視窗（Mylar window)，亦可用以描繪各種複合材料的特徵。於此等研 究中’電子儲存環係以束電流100-200毫安培在1.5 GeV之 能量下進行。 X-射線不可對於偵測複合材料的許多氧化物成分（例 如Cr203和V203)過於敏感。進行k3-權重之Cr、V和TiK-邊 緣EXAFS測量之各種傅立葉轉換（Fourier transforms, FTs) ’俾確認各種氧化物成分是否為各種複合材料的共結 晶態型成之一部分。各種K-邊緣EXAFS頻譜係以BL17C Wiggler光束線獲得。 使用各種複合材料製備CR2032紐扣型電池，並且用以 φ 研究此等電池的電化學特性，包含恆電流充電和放電特 性。一般而言，鈕扣槊電池的電極之形成方式係藉由分散 85重量％活性複合材料、8重量％碳黑與7重量％聚亞乙烯氟 (PVDF)於N-曱基-l-n比咯烧酮（NMP)溶劑中，以形成於漿； 將淤漿塗佈於鋁箔上；並且在真空烘箱中乾燥塗佈於鋁箔 上的電極，接著壓製電極。在填氬之手套箱中（德國 Mbraun，Unilab)(使用鋰箔作為負極）組裝每一鈕扣型電 池。在給定的鈕扣型電池之電化學特性研究中，係使用碳 酸乙烯酯（EC)與碳酸二甲酯（DMC)之1:1混合物中之LipF6 38 i S：3 1377719 (1 Μ)的電解液。在每一循環伏安法（cv)研究中，係使 用掃描速率為0.1毫伏特/秒之電化學工作站進行測量，並 且每一電池係於2.5至4·3伏特範圍内以c/5速率恆電流充 電和放電。 本實施例大體上說明一些所製備的複合組成物、用以 製備複合組成物之各種方法、用以計算之各種技術以及用 於此等技術之各種參數。此中涵蓋全部的變化。在此中的 • 其他實施例中，各種複合組成物、其製備方法、技術和用 以評估之參數將更特別地描述於此等實施例中。 實施例5 :複合材料的表面形態和電子能量損失譜映像 製備各種複合材料，即Li(I)Fe(II)P04.Cr203/C、
Li(I)Fe(II)P〇4.Cu/C和 Li(I)Fe(II)p〇4.Ti〇2/c。於此等製程 中，將各種離子（分別為鋰、鐵和磷酸根的離子以及鉻、銅 和鈦）溶解於水性媒介中，並且以原子級混合。咸信此等製 法生成具有橄欖石晶格結構之組成物，其中分別為Cr2〇3、 Cu和Ti〇2之實質上均勻的共結晶作用。 顯示Li(I)Fe(II)P04.Cr203/C複合材料的部份顆粒的表 面形態之照相圖係透過高解析穿透式電子顯微照相術得 到。照相圖顯示於第四圖A中。在第四圖A的右邊角落中出 現的線代表30奈米，並且放大倍率為300K。咸信較深部分 52對應於複合材料5〇的Li(I)Fe(II)P〇4.Cr203共晶體，並且 較淺或半透明外部56對應於複合材料50的碳成分。複合材 39 1377719
料的顆粒可被認為大體上呈球形。複合材料的類极 直徑經發現為奈米級的。 之有敫 顯示Li(I)Fe(II)PCVCu複合材料的部份顆粒的f 態之照相圖係透過高解析穿透式電子顯微照相街得^兩形 相圖顯示於第四圖B中。在第四圖B的右邊角落中出 照 代表15奈米，並且放大倍率為600K。咸信較深部分5的線 於複合材料50的Li(I)Fe(II)P〇4.Cu共晶體，並且邊续對應 啄#分54
對應於過量的Cu。在三個位置之邊緣的厚度為介 45 米與約3.5奈米之間，即分別為3.02奈米、3.35奈米承^ 奈米。複合材料的顆粒可被認為大體上呈球形。d 結晶態主體的有效直徑和顆粒邊緣的厚度二者經 、 現是 奈米級的。 第四圖B照相圖顯示材料表面上的可變特徵輪廟^匕$ 四圖C所示的照相圖（將說明如下）較為清晰。照相圖中顯示 顆粒邊緣形成實質上均勻的Cu層，其厚度介於約3奈卡與 約3.5奈米之問。咸信照相圖中顯示Cu共結晶，亦實質I 均勻地分布於複合材料的顆粒中，其中過量的Cu析出，_ 不是以無序方式析出於顆粒表面上。 顯示Li(I)Fe(II)PCVTi〇2複合材料的部份顆粒的表面 形態之照相圖係透過高解析式穿透電子顯微照相術得 到。照相圖顯示於第四圖C中。在第四圖C的右邊角落中出 現的線代表10奈米’並且放大倍率為600K。咸信較深部分 52對應於複合材料50的Li(I)Fe(II)P〇4-Ti02共晶體，並且邊 緣部分54對應於過量的Ti〇2。複合材料的顆粒可被認為大 1377719 體上呈球形。共結晶態顆粒的有效直徑和顆粒邊緣的厚度 二者經發現是奈米級的。咸信照相圖顯示Ti〇2共結晶，並 且實質上均勻地分布於複合材料的顆粒中，其中過量Ti02 析出，但不是以無序方式析出於顆粒表面上。
Li(I)Fe(II)P04.Ti02/C複合材料受到能量色散頻譜 (EDS)作用。所生成的EDS頻譜（強度(cts)對能量（kev))係顯 示於第四圖D中。咸信EDS頻譜分析顯示共結晶態材料的 鲁 個別結晶的元素表面上有關氧化物成分之元素（即離子性 Ti4+)之均勻分布。 倘若此中所述之複合材料的氧化物成分僅為塗層，則 在TEM照相圖上可看到材料顆粒外側上無序的氧化物成 分分布。此外，倘若此中所述之複合材料的氧化物成分僅 為摻雜物，則將不會出現於TEM照相圖中材料顆粒之外 側。 顯示非共結晶態的比較LiFeP04材料的表面形態之照 • 相圖係顯示於第四圖E中。在第四圖E的右邊角落中出現的 線代表20奈米，並且放大倍率為300K。不似第四圖B和第 四圖C中所示的照相圖，僅可於照相圖上看到深色的主 體。此外，照相圖顯示相當清晰的輪廓以及相當平坦或均 勻的表面。 第四圖F顯示LiFeP04.zCr203複合材料中之Cr的電子 能量損失譜(EELS)映像之照片圖。EELS映像係由台灣之國 家同步輻射中心（NSRRC)使用結合TEM照相和EELS映像 之JEOL機台（型號JXA-8500F)進行。在第四圖F的左下角出 41 1377719 現的線代表50奈米，並且放大倍率為100K。複合材料似乎 具有極均勻的元素分布。 第四圖G顯示LiFeP04.zTi〇2複合材料中之Ti的EELS 映像之照片圖。EELS映像係由NSRRC使用上述之JEOL機 台（型號JXA-8500F)進行。在第四圖G的左下角出現的線代 表〇.1毫米’並且放大倍率為100K。複合材料似乎具有極 均勻的元素分布，其中相對低量的氧化物成分Ti02出現於 • 材料分布中’並且大部分氧化物成分出現於材料表面上。 咸信共結晶態複合材料的照相圖顯示氧化物成分B均 勻地为布於材料的撒禮石結構相。進一步確信此等照片顯 示過量的氧化物成分可沉澱（但不是以無序方式）於橄欖石 結構材料的表面上。咸信此等結果可顯示出此等氧化物成 分存在於撖欖石結構之中或之上。 ^ 實施例6 :複合材料的繞射圖案和結構參數 與複合材料I的粉末有關之繞射圖案係透過粉末X-射 線繞射儀得到（使用Cu Ka輻射，掃描速率為每1〇秒〇.1度， 以及2?軸為1〇至50度）。針對每一複合材料π和複合材料in 分開地進行相同的程序。雖然未顯示此等繞射圖案，但有 關Li(I)Fe(II)P〇4Ti02/C複合材料（複合材料π)、另一複合 材料Li(I)Fe(II)P〇4’Cu/C(複合材料IV)與比較材料所得到 的繞射圖案係於實施例9說明且顯示於第六圖中。 使用電腦軟體（CellRef Lattice Refinement Routine)(請 i si 42 1377719 « » 參照 www.ccpl3.ac.uk/ software/Unsupported/cellref.html.) 以改良測定複合材料I、複合材料Π與複合材料III中每一者 之結構參數的結果。有關此等複合材料之結構或晶格參數 係透過Reitveld改良法測定，並且顯示於下表2中。 表2:有關複合材料的晶格常數 複合材料 複合材料I 複合材料II 複合材料in a [λ] 10.3508 10.3410 10.3563 MAI 6.0144 6.0203 6.0160 c[A] 4.6979 4.6956 4.6934 a, 3, ? Γ°1 90 90 90 V[A31 292.5 292.3 292.4 透過比較，與LiFeP04有關的各種晶格參數係報告如 下：α = 10.334 人；厶=6.008 A; c = 4.693 A 及 K = 291.392 A3(A.K. Padhi et al., J. Electrochem. Soc. 144, 1188 (1997))，以及a = 10.328 A ;厶=6.009 A ; c = 4.694 A及 F = 291.31 人3 (於50，2955-2958 (2005))。 咸信此等結構分別證實複合材料I的Li(I)Fe(II)P〇yp 分和MgO部分、複合材料II的Ti02部分以及複合材料III的 V 2 Ο 3部分的共結晶態結構。咸信每一種此等共結晶態結構 包含表明為斜方晶系尸mnfl空間群之有規則的撖欖石結 構。再者，當使用低濃度之此中的每一氧化物成分（分別為 複合材料I、II和ΠΙ中之MgO、Ti02和V203)時，則不會破 43 1377719 • · 壞有關材料的LiFeP〇4部分之晶格結構。再者，由於此中 的氧化物的每一非氧元素（分別為複合材料〗、n*m中之 Mg、Ti和V)的離子半徑和材部分的鐵離子有 些類似，故有關材料的LiFeP〇4部分之晶格結構的變形是 微小的或可忽略的。然而，共結晶態材料的晶格結構與如 上所述之LiFeP04的晶格結構不同。 φ 實施例7 :複合材料的循環伏安圖 此刻說明使用循環電壓電位掃瞄評估各種材料的離 子導電率。使用適當的氧化物材料（ZnO)製造起始材料， 一種LiFe(II)PCVZnO/C複合材料。於室溫下，於Ag/AgCl 參考電極存在下’將起始材料置於LiN03水溶液(3M)中。 涉及離子性鋰之離子提取或遷出程序造成中心原子的鐵 從Fe(II)氧化為Fe(III)，此涉及電位3.0伏特。涉及離子性 裡之離子***或遷入程序造成中心原子的鐵從Fe(HI)還原 • 為Fe(II) ’此涉及電位3.6伏特。對應於上述之循環伏安示 意圖（電流（A)對電位（V)對Ag/AgCl參考電極）係顯示於第 五圖A中，並且對應於上述之反應架構示意圖則顯示如下。
LiFe(II)02P02.Zn0/C r〇i ◄~!~!-► fRl
Li(I) + Fe(ffl)02P02 ZnO/C 一種LiFe(II)P(VTiCVC複合材料的製造係使用適當 I S3 44 1377719 I _ 的起始氧化物材料(Ti02)，並且省略含A成分（例如含鋰成 分或氣化鋰或Li〇H.H20)。於室溫下，於Ag/AgCl參考電極 存在下，將起始材料置於LiN03水溶液（3M)中。涉及離子 性鐘之離子***或遷入程序造成中心原子的鐵從Fe(III)還 原為Fe(II) ’此涉及電位3.02伏特。涉及離子性鋰之離子提 取或遷出程序造成中心原子的鐵從pe(II)氧化為Fe(III),此 涉及電位3.5伏特。對應於上述之循環伏安示意圖（電流(A) 對電位（V)對Ag/AgCl參考電極）係顯示於第五圖B中，並且 對應於上述之反應架構示意圖則顯示如下。
Li(I) + Fe(m)P〇4 TiOj/C ^~— ► Li(I)Fe(n)P〇4Ti〇2/C Γ〇1 在此特殊實施例中，反應涉及Fe(III)P〇4.0.03TiO2/C 作為起始材料’並且產生複合材料 Li(I)i.〇3Fe(II)P〇4 〇.029Ti02/C(複合材料 II)作為離子*** φ 程序之最終材料。（請參見實施例4有關製備方法中所用的 氧化物成分（在此為〇.〇3Ti〇2)的理論含量與透過製程產物 中之ICP分析測定的真實含量（在此為0.029TiO2)之間的差 異）。 咸信以上證實LiFeP〇4.ZnO/C共結晶態複合材料與對 應的FeP04，ZnO/C共結晶態複合材料以及LiFeP04.Ti〇2/c 共結晶態複合材料與對應的FePCVTiOVC共結晶態複合材 料的離子導電率。咸信材料的LiFe(II)P〇4部分的氧化還原 is] 45 1377719 . » 中心（在此等實施例中為鐵）涉及還原和氧化程序，而材料 之剩餘的ZnO或Ti〇2部分的氧化物（在此等實施例中分別 為鋅或鈦）不涉及此等程序。還原和氧化程序引起相對於經 的費米能階（Fermi level)之Fe2+/Fe3+氧化還原的高開路電 壓（OCV)。咸信在共結晶態材料中之少量的氧化物成分(例 如ZnO或Ti〇2)不會影響或明顯地影響與此中所述的共結 晶態複合材料有關之OCV，其主要係由共結晶態材料的聚 φ 陰離子決定（例如PO43 )。 如上有關實施例6之說明，有關[Li(I)Fe(II)P04.Ti02]/C 複合材料之晶格參數與有關LiFeP04組成物之晶格參數不 同。 實施例8 :含有複合材料之電化學可逆性半電池及其效能 將得自實施例1之複合材料（即複合材料I)與碳黑及聚 •偏二氟乙稀（polyvinylidene difluoride，PVDF)以 80 : 10 : 10的重量比例混合於1毫升N-甲基-1-吡咯烷酮（NMP)溶 劑中。將所生成的混合物塗佈於鋁箔上，經12〇°C烘乾後 製成厚度150毫米之正極試片。使正極試片結合鋰金屬負 極材料組成鈕扣型電化學可逆式半電池。除了分別以實施 例2之複合材料和實施例3之複合材料取代實施例1之複合 材料外，針對來自實施例2和實施例3之每一複合材料分開 地進行相同程序。 測試上述的每一鈕扣型電化學可逆式半電池，以決定 46 1377719 在室溫下經過若干充電/放電循環之相關的充電和放電特 性。使用以下參數：施加的充電電壓和施加的放電電壓每 一者係在2.5伏特至4.3伏特之範圍内；充電速率和放電速 率，每一者係設定為C/5 ;以及室溫條件。測定以下特性： 分別有關第一次充電-放電循環和第十次充電-放電循環之 充電容量（mAh/克）。有關每一鈕扣型電化學可逆式半電池 之結果係顯示於以下表3中。 表3 :有關使用複合材料之半電池的充電容量 半電池的 第一次充 第一次放 第十次充 第十次放 複合材料 電容量 電容量 電容量 電容量 (mAh/克） (mAh/克） (mAh/克） (mAh/ 克） 實施例1之 131 131 133 132 複合材料 實施例2之 168 144 147 146 複合材料 實施例3之 165 141 145 143 複合材料 如所示，針對半電池之一而言，有關初放電之比容量 達到約144 mAh/克，而有關第十次放電之比容量達到約 146 mAh/克。結果證實使用此中所述的複合材料之電化學 可逆式半電池展現良好的充電-放電效能以及良好的充電- 47 m 1377719 » t 放電循環安定性。 實施例9 :複合材料的繞射圖案和結構參數 如上有關實施例4之說明，製備Li(I)Fe(II)P〇4.Ti〇2/C 複合材料（即複合材料II)以及Li(I)Fe(II) P04.Cu/C複合材 料（即複合材料IV)。針對每一複合材料，透過粉末X-射線 繞射儀（使用Cu Ka輻射，掃描速率為每10秒0.1度，2?軸為 * 10至50度’以及溫度為300K)得到有關複合材料的粉末之 繞射圖案。每一複合材料的繞射線顯示斜方晶系晶體結 構。使用電腦軟體以改良測定複合材料之結構參數的結 果。 有關此等複合材料之結構或晶格參數係透過Reitve】d 改良法測定’並且顯示於以下表2中。有關每一此種複合 材料所得到之繞射圖案（強度（Cts)對2?(度）)連同有關比較 鲁材料（未經修飾的LiFeP04/C(未摻雜的）)之繞射圖案係顯示 於第六圖中。第六圖中所示之三個圓形區域顯示有關複合 材料11和1V(在第六圖中分別以「II」和「IV」顯示）之圖 案相對於比較材料的圖案（在第六圖中以「CM」顯示）之差 異性。 與 Li⑴Fe(II)P〇4.Ti〇2/C和 Li(I)Fe(II)P〇4.Cu/C 有關的 個別圖案之每一者具有陡峭、輪廓明顯的Bragg波峰，這 代表純結晶相之存在。每一此等圖案無法顯示有關每一材 料的碳成分之波峰，以及可能有關不純物之波峰。咸信每 48 一此等圖案證實形成具有出現於10至50度之2?範圍内之 微變化之共結晶態結構。在前者之例子中，圖案證實共結 晶相中之磷鐵鋰礦Li(I)Fe(II)P〇4和金屬氧化物Ti〇2，其中 具有良好結構之金紅石Ti〇2係位於2?為約27度和約41 度。在後一例中，圖案證實共結晶相中之磷鐵鋰礦 Li(I)Fe(II)P〇4和金屬Cu，其中具有良好結構之Cu係位於2? 為約43度。每一此等圖案與有關LiFeP04/C者不同。如上 有關實施例6中所述，有關Li(I)Fe(II)P04.Ti〇2/C複合材料 之晶格參數與有關LiFeP〇4組成物之晶格參數不同。 在塗覆金屬氧化物之LiCo02中，有關金屬氧化物之波 峰已被報告為顯示金屬氧化物分布於LiCo〇2材料中。 Electrochemical and Solid-State Letters, 6, A221-A224 (2003); A/igew. CTiem. /«i. 40, 3367 (2001)。塗氧化錯·之
LiCo〇2的XRD圖案已顯示有關位於2?為約30度之LiCo02 之主峰以及小的寬峰。五/eciroc/iemica/
Leiien 6, A221-A224 (2003)。咸信此種小的寬峰代表存在 為LiCo〇2材料周圍之塗層之氧化物成分(在此為氧化锆）。 咸信此種小的寬峰可與以上有關二種複合材料所討論到 的窄繞射峰相區別。咸信有關二種複合材料之窄繞射峰代 表分別含有奈米結晶態金屬氧化物成分（分別為Ti02或金 屬成分Cu)之共結晶態複合材料。 有關—種複合材料和比較材料之結構或晶格參數係 透過使用一般結構分析系統（GSAS)之Reitveld改良法（請 參照 ncnr.nist.gov/programs/crystallography/software/gsas. 49 1377719 html)測定，並且分別顯示於以下之表4-6中。在三個表中， x、y和z參數代表三維笛卡爾座標。
表4 :有關複合材料II的結構參數 原子 X Y z 佔有 Ui.〇(A2) 原子間距離(A) Li 0 0 0 1 0.0446 Fe-O(l) χ 1 2.2028 Fe-0(2) χ 1 2.1097 Fe 0.281950 0.25 0·974278 1 0.02324 Fe-0(3) χ 2 2.26258 Fe-0(3) x 2 2.0791 P 0.094191 0.25 0.418392 1 0.02347 Fe-0平均 2.163545 0(1) 0.097353 0.25 0.742852 1 0.02222 P-O(l) χ 1 1.5295 P-0(2) χ 1 1.56670 0(2) 0.454857 0.25 0.210292 1 0.02406 P-0(3) χ 2 1.56072 0(3) 0.164126 0.046604 0.283358 1 0.02415 P-0平均 1.552307 空間群: :Pnma (斜方晶系） 信賴因子:R»=2.95%; R^=4.28%; χ=1.158 晶格常數：a=10.367494 A; b=6.031734 A; c=4.713031 A 鍵角（度） 0(2)-Fe(l)-0(3) 0(3)-Fe(l)-0(3) 89.983 118.738 表5 :有關複合材料IV的結構參數 原子 X y z 佔有 Ui.〇(A2) 原子間距離(A) Li 0 0 0 1 0.04098 Fe-O(l) x 1 2.20872 Fe-0(2) x 1 2.07320 Fe 0.281418 0.25 0.973963 1 0.01948 Fe-0(3) x 2 2.25349 Fe-0(3) x 2 2.06754 P 0.095765 0.25 0.417908 1 0.02332 Fe-0平均 2.15073 0(1) 0.095146 0.25 0.741751 1 0.02216 P-O(l) X 1 [ 1.51809 P-0(2) x 1 [ 1.57353 0(2) 0.453422 0.25 0.202606 1 0.0228 P-0(3) x ri ! 1.53910 I S] 50 1377719 « · Μ)-〇Λβ4024 0.046907 0,285033 1 〇,〇9Λ91 Ρ-0 平均 1.543573 S間群.Pqma (身方晶系)___信賴因子：Rp=4.〇7%: R»»=7.15%: /=2.963 __ 晶格常數·· a=l〇.3l746 A; b=5.999946 A; 鍵角（度） 〇(2)-Fe(l)-〇(3) 89.336
c=4.687699 A ---- ---0(3)-Fe(l)-(K3) 118.997一 表6 :有關未經修飾的LiFeP〇4/C之比較材料的結構參數
丁 X y z 佔有 Ui„(AJ) 甬早間距離（A) Li 0 0 0 1 0.03751 Fe-O(l) x 1 2.19655 Fe-0(2) x 1 2.09911 Fe 0.28289 0.25 0.974445 1 0.02222 Fe-0(3) x 2 2.24855 Fe-0(3) x 2 2.06275 P 0.095108 0.25 0.418506 1 0.021532 Fe-0平均 2.15174 0(1) 0.095108 0.25 0.744203 1 0.021536 P-O(l) x 1 1.52295 P-0(2) x 1 1.54701 0(2) 0.456303 0.25 0-209478 1 0.02002 P-0(3) x 2 1.53878 0.163637 0.046879 1 0.283875 1 0.283875 1.53624 群：Pnma ί斜方晶系） 信賴因子：Rd fm»· 1? -7 1说.v2-9 QM 晶格常數 A ：a=10.2775 A； b=5.9802A； c=4.6758 - « V » *V, Λ. *- 鍵角（度） 0(2)-Fe(l)-0(3) 0(3)-Fem-0i3) 89.806 118.79 如表4和5所示，在二種複合材料之每一者中的鐵位置 佔有率經射為1 ’其接近共結晶態材料配方巾之鐵的理 想配比指數。嘗試分別涵括Ti和Cu於計算法中是不成功 $ ’因為所得到的數值遠較材料樣品中之Ti和Cu的真實含 量為高。倘若複合材料摻雜金屬氧化物，則預期鐵位置的 =有率將小於b咸信二種複合材料的佔有率數據係代表 ，、中不存在金屬氧化物Ti〇2或金屬成分Cu分別為摻雜物 51 1377719 * · 之複合材料。 如表4-6中所示，與複合材料有關的晶格參數與比較材 料有關者不同。咸信此等差異可歸因於氧化物成分Β或金 屬成分Cu分別存在於共結晶態材料中。此種成分不存在於 非共結晶態之比較材料中。 與二種複合材料和比較材料有關的Fe-O距離亦顯示 於表4-6中。在二種複合材料中，每一中心μ (在此為pe) • 之八面體結構與四個其他中心Μ之八面體結構和四個中心 X之四面體結構(在此為Ρ)相連，其中一些八面體_四面體共 用氧原子係如第三圖Α所示。因此，中心μ和中心p原子沿 著Μ-0-Χ(在此為Fe-O-P)鍵結共用最接近的〇原子。咸信由 於M-O-X鍵結的感應效果以及μ與X間之靜電排斥，相對 於有關Μ-Ο鍵結之共價鍵，介於河_〇_乂鍵結中之μ與〇之間 的共價鍵較弱。咸信此引起有關Μ基底還原氧化對(在此為 Fe2 /Fe3+)相對於Α成分（在此為鐘）的費米能階之高開路電 籲壓（OCV)。咸信氧化物成或金屬成分Cu分別存在於複 合材料的共晶體中時，此ocv並不改變。 貫施例U) 複〇材料和比較材料的結構分析 使用邊緣延伸式Χ射線吸收精細結構(EXAFS)少 譜分析複合材料Π、複合材㈣以及比^
LlFeP〇4/C)。所生成的㈣（吸㈣度& j = 顯示於第七啊，複合娜職以 52 1377719 別以「II」、「IV」和「CM」表示），其中顯示***之頻 譜的放大區域。Fe K-邊緣EXAFS頻譜包含二個主要部 分，前邊緣區和主邊緣區。就此中所分析之每一材料而 言，前邊緣區的波峰被認為是用於決定Fe氧化態和配位環 境之最有用的特性。此波峰係位於對應於Is至3d電子躍遷 之突升吸收邊緣的低能量側，並且代表Is至3d四級電子躍 遷。此躍遷通常為偶極禁止程序，雖然就此中的複合材料 φ 而言，部分地容許藉由混合Fe的d-執域與周圍氧原子的p-執域以及使離子性Fe配位幾何形狀脫離理想的八面體幾 何形狀。與前邊緣區有關的能量對Fe氧化態而言是敏感 的。有關前邊緣區之強度對於中心對稱而言是敏感的，並 且最具中心對稱性的Fe配位幾何形狀與最低強度有關。前 邊緣區的強度最小值與八面體對稱性有關，並且前邊緣區 的強度最大值與四面體配位有關。 如第七圖所示，二種複合材料和比較材料的前邊緣區 • 強度峰與超過7110 eV之能量有關。由於針對Fe2+可觀察到 相同的能量，故咸信大部分此等材料中之Fe的價態為+2。 在此等前邊緣區波峰的能量或吸收強度中沒有涉及二種 複合材料中之氧化物成分B或金屬成分Cu分別存在之變 化。咸信微量的此等成分造成二種複合材料中之少許或相 當不明顯的Fe價態擾動。 亦如第七圖所示，對應於約7125 eV之吸收峰的強度， 就二種複合材料而言，高於比較材料。咸信當二種複合材 料與比較材料之光譜的相對比較時亦如此。咸信二種複合 53 I S3 1377719 » 1 材料的產生較高強度是反映出增加二種複合材料中 UFeP〇4顆粒表面層+鐵料的未填滿的數目。再 者，咸公一種共結晶複合材料的氧化物成分B或金屬成分 Cu分別可更容易地從Fe2+吸引3d電子藉以在此等離子的 3d執域中產生電洞並且在二種複合材料中引起增加的p型 導電性。 使用標準板正程序，包含背景減除、能量校正、常態 馨化以及不同軌域之k3數據權重來處理心κ·邊緣頻 5甚’並且一俾產生k3?(k)函數。為了比較目的，使用標準散 射路徑使三個頻譜分別擬合二種複合材料與比較材料所 產生的EXAFS頻譜。針對二種複合材料與比較材料之每一 者’在0與15 A之間的有限k_空間範圍内進Rk3?(k)之傅立 葉轉換’以提供對應的徑向結構函數(FT大小），如第八圖 所示係為原子間距離R (A)的函數（其中複合材料〗τ和〗v以 及比較材料係分別以「η」、「IV」和「CM」表示）。使 #用所有可能的散射路徑之Fe-Ο環境的FEFF擬合分析之理 論結構的示意圖（僅顯示第一波峰）亦顯示於第八圖中。就 三種材料之每一者而言，徑向結構函數顯示隨著原子間距 離提高，二個強波峰之後為二個較弱波峰。與波峰有關的 原子間距離接近反向散射保護膜的半徑。針對三種材料之 每一者，使用所有可能的LiFeP〇4散射路徑的FEFF擬合分 析之理論結構定量地分析對應於原子間距離為至多約 A之袁初二個汛號峰。第一保護膜、第二保護膜及第三保 護膜的配位原子經測定分別為氧、磷及鐵。 54 針對二種複合材料與比較材料中之每一者進行feff 擬合分析，以生成如以下表7中所示之結構參數，其中Za_Zb 代表中間吸收物和散射原子（或路徑）相關性，CN為配位 數為原子間距離，s2代表Debye-Waller無序參數，並且 折減係數為6/5.0315 ^ 表7··複合材料和比較材料之FEFF擬合分析數據 材料 複合材料II 複合材料IV 比較材料 Z.-Zb CN_R(A)__s2(A2i〇·2)
Fe-0 5.1766 2.0804 1.124
Fe-0 5.1287 2.0830 1.076
Fe-0 5,0815 2.0830_1.142_ 藉由假設表7中所示之Fe-〇原子間距離得到第一保護 膜的最佳擬合結果。根據文獻，藉由假設三種不同的Fe_〇 距離分別為 1.9912 A、2.1223 A和2.2645 A可得到LiFeP04 之最佳擬合數據。請參見五/eciroc/iimica /4cia. 50， 5200-5207 (2005)。二種複合材料與比較材料之數據比較顯 示相當微細的改變，例如微小的結構重組以及Fe-Ο配位和 Fe-Ο原子間距離之最小變化（如表7所示）。 咸信本實施例的結果證實二種複合材料氧化物成分B 和金屬成分Cu之每一者分別與LiFeP04共結晶，而非塗覆 及/或摻雜LiFeP04成分。一般而言，當摻雜未經修飾的 LiFeP04材料時，一些有關Fe2+以及氧化物中Μ的特性以及 與徑向結構函數的第一波峰有關的原子間距離將不同於 或有明顯改變相較於未經修飾的材料。EXAFS頻譜的結果 1377719 * · ϊ::?相2 材料之有關F，的前邊緣區波峰
。此等結果顯示二種複合材料和比較材料 之有關e 一的則邊緣區波峰的吸收強度僅梢微不同’並且 充分地表不Fe氧化態中無明顯的擾動。徑向結構函數測定 的結果顯不與二種複合材料和比較材料的第—波峰有關 之原子間距離=質上是相同的。二種複合材料與比較材料 之數據比較顯示相當微細的改變，例如微小的結構重組以 及Fe-Ο配位和原子内Fe 〇距離之最小變化。 實施例Π·複合材料和比較材料的結構分析 藉由使用Cr K-邊緣延伸式X射線吸收精細結構 (EXAFS)頻$分析複合材料v以及比較材料（具有氧化態3 + 之〇2〇3)。每一 Cr L邊緣EXAFS頻譜係使用IFEFFIT基礎 套裝軟體（參照B. Ravel，扣al，^办狀心价⑽心必扣12, 537 (2005))和FEFF6媽（參照 Rehr et al，咖版 L扣仍， 3397)處理’其中光電散射路徑從假設的原子分布計算沾 開端。可付到所生成的頻譜（強度（au)對能量（eV)，未顯 不）’其中旎階係相對於金屬的Cr κ邊緣能量（5989 〇 eV)。二種材料的前邊緣區的波峰幾乎相同代表複合物 中之鉻的平均氧化態主要為3+。 以類似上述有關實施例1G所述之方式處理每-Cr K-邊緣說FS頻譜。針對複合材料與比較材料之每一者，在 3.6A與13.5 A之間的有限k—空間範圍内進行⑻之傅 立葉轉換’以提供對應的徑向結構函數(FT大小），如第九 56 i S] 1377719 % · 圖所示係為原子間距離r(A)的函數（其中複合材料v以及 比較材料係分別以「V」和「CM」表示）。複合材料和比 較材料之FEFF擬合分析的理論結果之示意圖亦顯示於第 九圖中（其中複合材料V之擬合和比較材料之擬合分別顯 示為「V fit」和「CM fit」）。 就複合材料而言，頻譜顯示出三個主峰，代表Cr原子 附近最接近配位原子保護膜之貢獻。就具有六方晶系晶體 φ 結構之比較材料而言，頻譜顯示出三個主峰，代表半徑低 於4A之Cr原子附近最接近配位原子保護膜之貢獻（請參照 C. Engemann，et al” 237, 471 (1998))。此等 頻譜的第一波峰（代表最接近C r原子之配位原子保護膜之 貝獻）相當類似。在兩頻譜中缺少更遠原子保護膜的強波峰 特徵°咸信結果證實複合材料的Cr主要呈結晶態Cr203形 式0 在Cr2〇3晶體構造中，Cr原子係八面體配位於第一配位 保護膜的六個氧原子（三個在1.96A及三個在2.01A)以及四 個在第—配位保護膜中之Cr原子（一個在2.65Α及三個在 2·88入）’並且具有交替的氧和Cr鄰接保護膜。使用至多4.0A 之單和顯著多重散射路徑複合材料和比較材料進行 FEFF擬合分析’以產生如以下表8中所示之結構參數，其 中Za Zb代表中間吸收物和散射原子（或路徑)相關性，CN為 配位數’ R為原子間距離，s2代表Debye-Waller無序參數， 並且折減係數為6/5.0315。 ί S3 57 1377719 % » 表8:複合材料和比較材料之FEFF擬合分析數 材料 Τβ-Zb CN 複合材料V 4.4274 Cr-0 比較材料 Cr-0 4.7297 據
如圖9中所示，在3 6人-1與13.5人-1之間的有限k空間範 圍内（R至多在2A之範圍内，尤其約1.98A)，可得到複合材 料與比較材料之EXAFS頻譜間之良好的擬合效果。針^複 合材料與比較材料間之FEFF擬合分析間可得到良好的^ 合效果，如表8所示，前者顯示六個氧原子在距離^衫？入 處β 咸信本實施例的結果擬合結論為，複合材料的中心& 比比較材料的中心Cr更接近理想的八面體Cr〇6結構。 實施例12 :複合材料和比較材料的結構分析 藉由使用V K-邊緣延伸式X射線吸收精細結構 籲（EXAFS)頻譜分析複合材料III以及比較材料V2〇3、v〇2和 V2〇5，以描繪共結晶態結構的特徵。可得到所生成的頻譜 (強度（a.U.)對能量（ev)，未顯示），其中能階係相對於金屬0 的V K-邊緣能置（5465.0 eV)。二種材料的前邊緣區的波峰 幾乎相同，代表複合物中之叙的平均氧化態主要為3+。 就複合材料而言，頻譜顯示出三個主峰，代表v原子 附近的最接近配位保護膜之貢獻。就具有三角形晶體結構 之V2〇3複合材料而言，頻譜顯示出三個主峰，代表v附近 的最接近配位保漠膜之貝獻。複合材料的頻譜比其他比較 58 ’、 1377719 材料的任一頻譜更類似v2o3比較材料的頻譜。就複合材料 的頻譜和V2〇3比較材料的頻譜而言，缺乏更遠的保護膜的 強波峰特性。咸信結果證實複合材料的V主要呈結晶態 V2〇3形式。 以類似上述有關實施例11所述之方式處理有關複合 材料和V2〇3比較材料之每一 V K-邊緣EXAFS頻譜。針對複 合材料與V203比較材料之每一者，在3.95 A·1與12.55 A·1 φ 之間的有限k-空間範圍内進行k3?(k)之傅立葉轉換，以提供 對應的徑向結構函數(FT大小），如第十圖所示係為原子間 距離R(A)的函數（其中複合材料III以及V203比較材料係分 別以「III」和「CM」表示）。複合材料和V203比較材料之 FEFF擬合分析的理論結果之示意圖亦顯示於第十圖中（其 中複合材料V之擬合）和比較材料之擬合分別顯示為「III fit」和「CM fit」。 針對複合材料與V203比較材料中之每一者進行FEFF 9 擬合分析，以生成如以下表9中所示之結構參數，其中Za-Zb 代表中間吸收物和散射原子（或路徑）相關性，CN為配位 數，R為原子間距離，s2代表Debye-Waller無序參數，並且 折減係數為6/5.0315。 表9:複合材料和比較材料之FEFF擬合分析數據 材料 Z>-Z b CN R(A) sJ(A2102) 複合材料III V-0 3.7039 1.9996 2.264 比較材料V2〇3 ν·ο 2.2902 1.9681 5.449 59 1377719 • » m 如圖10中所示’在3 95入-1與12 55入-1之間的有限k•空 間範圍内（R為在至多2 A之範圍内，尤其約1.99 A)，可得 到複合材料與比較材料之£乂八1?；5頻譜間之良好的擬合效 果。針對複合材科與比較材料間之F E F F擬合分析間可得到 良好的擬合效果，如表9所示，前者顯示六個氧原子在距 離訊原子1.9"6處。 咸信本實施例的結果擬合結論為，複合材料的中心v 籲比比較材料的中心v r更接近理想的八面體v 〇 6結構。 貫施例13 .複合特料和比較材料的結構分析 藉由使用卩K_邊緣延伸式X射線吸收精細結構 (EXAFS)頻譜分析複合㈣η以及二種比較材料金紅石 ⑽和銳鈦礦Tl〇2。針對複合材卿所生成 =對能量（辱未顯示）顯示在約侧純約侧_ 籲圍内（與有關金紅石Ti〇2之範圍内相似)之波峰。 貫施例14 :複合材料和比較材料的結構分析 究密集:積=: 使用至溫下之FTIR頻譜分析複合 ⑽叫心在4叫分-,至麵公比較材料 項+乾圍内之複合材
oU 1377719 • · 料的頻譜(T (%)對頻率（公分’)係顯示於第十一圖A中。在 4〇〇公分1至1500公分1頻率範圍内之複合材料和比較材料 的頻譜(T (%)對頻率（公分-1))係顯示於第十一圖B中（其中 複合材料II以及比較材料係分別以「II」和「CM」表示）。 針對無機氧化物，八面體孔隙（例如Li〇6中之鹼金屬陽 離子）中之陽離子的共振頻率係位於200公分1至4〇〇公分-1 頻率範圍内。針對原磷酸鹽，陽離子的共振頻率係位於52〇 • 公分1至580公分1和1000公分1至1060公分1二個主要頻率 範圍内。複合材料的頻譜顯示在800公分-1至12〇〇公分-1頻 率範圍内之五個波峰，咸信可確認p〇4陰離子之存在。此 頻5晋顯示在2500公分1至3500公分1頻率範圍内沒有明顯 的吸收峰，咸信可確認Fe(OH)2不存在於複合材料中。咸 4吕在約547公分-1之波峰和在約638公分-1之波峰可歸因於 具有不同鏈長之Ρ-0-Ρ基團的拉伸振動，並且在約966公分 1之波峰可歸因於p_〇_p彎曲模式。咸信在約463公分-1之 鲁 波峰可歸因於〇-P-Ο和0=Ρ-Ο基團的彎曲譜波，並且在約 1043公分-1之波峰可歸因於金屬_(p〇4)3鍵結振動。咸信第 十一圖B中所示之頻譜顯示複合材料的信號峰位置相對於 比較材料之明顯位移，這代表不同材料的結構中之差異。 實施例15 :含有複合材料之電化學可逆性半電池及其效能 依照有關實施例8所述之方式，使用不同的複合材料 (即 LiFeP04 Ti02/C、LiFeP04.V203/C、LiFeP04.MnO/C，
LiFeP04CoO/C 、 LiFeP04Ni0/C 、 LiFeP04Cu/C, 61 1 S3 1377719
LiFeP04.Zn0/C、LiFeP04.Mg0/C、LiFep〇4.Al2〇3/C 及 LiFeP04-Si02/C)和使用比較材料（未經修飾的LiFeP〇4/C) 製備鈕扣型電化學可逆式半電池。測試上述的每一鈕扣型 電化學可逆式半電池，以決定在室溫下經過若干充電/放電 循環之相關的充電和放電特性。使用以下參數：施加的充 電電磨和施加的放電電壓每一者係在2.5伏特至4.3伏特之 範圍内；充電速率和放電速率’每一者係設定為C/5 ;以 _ 及室溫條件。以電流密度0.1C測定第一次充電-放電循環之 充電容量（mAh/克)和放電容量(mAh/克）。 針對含有複合材料之電化學可逆性半電池所得到的 結果（電位（V)對容量（mAh/克）顯示於第十二圖中，第一次 充電容量為約70 mAh/克’並且第一次充電容量為約55 mAh/克。針對含有每一種複合材料之電化學可逆性半電池 所得到的第一次充電容量為約70 mAh/克顯示於第十三圖 中，其中每一複合材料係簡單地由其氧化物成分鑑定，第 • 一次充電容量為從約100 mAh/克（針對LiFeP〇4. Al2〇3/c)至 約 145 mAh/克（針對 LiFeP〇4.Ti〇2/c)或約 155 mAh/克 (LiFePO^MnO/Q。咸信每一種複合材料之特徵在於導電 率不同於比較材料之晶體單元以及大於比較材料之導電 率，故有關每一複合材料之鋰離子移動和電子轉移程序比 有關複合材料更快。咸信此種差異造成與每一複合材料有 關之放電容量大於與複合材料有關者。咸信當使用高充電 和放電速率時，此種差異將提供類似的結果。 每一種含有複合材料之半電池（有時稱為複合材料半 62 [S3 1377719 有比較電池之半電池(有時稱為比較材料半電 „5速率之值電流充電和放電。雖然半電 ： 作用是低的（暗示觀察到的電 化 測量中之低和高充電：接***衡值)，但在怪電流 動力限制。此中之㈣流滴::::線經常歸因於 配比程度之限定的資訊。係用从財關平衡非理想 「原型」複合材料半 充電和放電結果（電位(v心比較材料半電池的值電流 四圖（放電)和第十五圖.节態化的容量(％))顯示於第十 比較材料分別以「原型充^中（其中「原型」複合材料和 合材料半電池的結果、CM」顯不）°在此，廣^{複 池的結果平均值為義磁以上所列的每一比較材料半電 值’就原型複合材二二放^曲線平坦區有關的平均 高’並且與充電曲線平'而5 ’比比較材料半電池稍 料半電池而言，比比較的平均值’就原型複合材 示，原别、t入从细、-材料半電池稍低。如第十四圖中所 象而 ^ 料半電池的放電曲線平坦區顯示拇. Γ二較複合材料半電池的放電曲線平坦區則芯： 象：比較複合材料半電池的充= 池間之極仆罢纟如此等相對差異性不歸因於兩種電 ，差異，而是兩種電池間之熱力學差異 】 差:合材料半電池有關的開路電壓(ocv)所反映^ /、生比有關比較複合枓料半電池之ocv高約001伏特。 與展型複合材料半電池有關之放電和充電曲線的更 63 1377719 固疋或更不固疋的電壓平坦區比比較複合材料半電也 廣。咸信原型複合材料半電池的平坦區之較大的相對寬; 代表半電池中所用的材料之共結晶作用。此等平坦區 度暗示與此種共結晶作用有關的組成範圍的寬度。^作二 意味著就原型複合材料半電池而言，在半電池的複合= 中有/歩及共結晶作用之寬組成範圍。 ；： 咸信本實施例的結果擬合結論為，複合材料半電、也 • 放電比比較複合材料半電池之放電更可使用較高之 率，由複合材料半電池比由比較複合材料半電池更可放 展現增加現象之較高電壓或功率，並且複合材料半電池 充電比比較複合材料半電池之充電更可使用展現降低^ 象之較低電壓或功率。咸信此等差異可歸因於用於複人= 料半電池中所用的共結晶態單元的電化學行為。 實施例16:含有複合材料之導電性及其效能 依照以上所述方式（包含在叨。·^煅燒）製備技彡士 〆、、、·《晶癌 複合材料的樣品。經工業技術研究院(ITRI’台灣之政 究機構）測量，此等共結晶態複合材料樣品，才研 LiFeP04-0.013Ti02 、 LiFeP04 · 〇.〇98V2〇3 即
LiFeP04.0.012Cr203及 LiFeP〇4.〇.〇98Cu，的室溫導電、 (以每公分（cm)之siemens (S)計）分別為4.5 X 1〇·2 sCm-i 2 X 10.3 Scm·1，3.3 X ΙΟ·2 Scm]及6.5 X H^Scm1。咸作相重 於LiFeP04的室溫導電率（即約1〇-1〇 t〇 10-9 scnr1)，共妹曰 態複合材料的晶格導電率可提高1〇8倍或更多，達到—: 64 』至溫 1377719 « 導電率為至少超過約ΙΟ·2 ScnT1。 咸信相較於比較材料（例如UFep〇4) ’此中所述之複合 材料具有增強的性質，例如離子擴散性、電子導電性及放 電特性及/或晶格安定性。咸信此中所述之複合材料特別適 用於電化學應用。舉例來說，咸信此等複合材料例如相對 ^比^材料之舉例來說，含有此〆複合材料製成的電極之 化予電池、傳感器或電池（例如可再充電鐘電池），可提 2良好的充電/放電容量、良好的充電/放電容量保留率及/ 或良好的充電/放電速率容量。 钟椹，驾本技藝之人士當可明白，許多修飾、方法及各種 ^ $疋可仃的。關於瞭解、信任、理論、基本假設及/或操 麸^預不例，可解釋或說明各種態樣、特徵或具體例，雖 ::解任：種特殊的瞭解、信任、理論、基本假設及/ =或預不例不受限制。惟，以上所述僅為本發明之較 施例’舉凡热悉本案技藝之人士援依本發明之創作精 刹^作之等效修飾或變化，皆應涵蓋在本案所載之申請專 刊範圍内。 ί S] 65 1377719 « · 【圖式簡單說明】 第一圖A和第一圖B係為可由界面活性劑促進之金屬 與含磷酸鹽溶液之反應的示意圖。第一圖A和第一圖B可共 同稱為第一圖。 第二圖係前驅物顆粒的示意圖。 第三圖A、第三圖B和第三圖C為可於處理前驅物顆粒 過程中形成之材料的結構的不意圖。 第四圖A、第四圖B、第四圖C、第四圖D和第四圖E 為分別顯示三種不同的複合材料和比較材料的顆粒表面 形態（於實施例5中說明）之照片圖。第四圖D為第四圖C中 所示的複合材料的EDS頻譜的示意圖（於實施例5中說 明）。第四圖F和第四圖G中之每一圖係為有關實施例5中說 明之複合材料之電子能量損失譜(EELS)映像之照片圖。 第五圖A和第五圖B為實施例7中得到的循環伏安示意 φ 圖。第五圖A和第五圖B可共同稱為第五圖。 第六圖為有關二種複合材料和比較材料所得到的繞 射圖案之示意圖（於實施例9中說明）。 第七圖為有關二種複合材料和比較材料所得到的有 關二種複合材料和比較材料所得到的X -射線吸收頻譜（吸 收度對能量（eV))的示意圖，其中放大區域出現在插圖中 (於實施例10中說明）。 第八圖為有關二種複合材料和一種比較材料所得到 的原子間距離R(A)的函數之徑向結構函數(FT大小）的示意 66 [S3 1377719 • * · \_ 圖，其包含LiFeP04的I^EFF擬合分析的理論結果（僅顯示第 一波峰）之示意圖（於實施例10中說明）。 第九圖為有關複合材料和比較材料所得到的原子間 距離R(A)的函數之徑向結構函數(FT大小）的示意圖，其包 令—種複合材料和一種比較材料的FEFF擬合分析的理論 、名#果之示意圖（於實施例11中說明）。 第十圖為有關複合材料和比較材料所得到的原子間 • 距離R(A)的函數之徑向結構函數(FT大小）的示意圖，其包 ^--種複合材料和一種比較材料的FEFF擬合分析的理論 結杲之示意圖（於實施例12中說明）。 第Η 圖Α為在特定頻率範圍内有關一種複合材料所 得到之傅立葉紅外線頻譜（穿透率（％)對頻率（公分―1))的示 意圖，並且第十一圖B為在特定頻率範圍内有關一種複合 .材料和一種比較材料所得到之傅立葉紅外線頻譜（穿透率 (%)對頻率（公分η))的示意圖（於實施例14中說明）。 ® 第十二圖為有關含有複合材料之半電池所得到的充 電和放電結杲（電位（V)對容量（mAh/克））的示意圖（於實施 例15中說明）。 第十三圖為有關若干含有不同複合材料之半電池所 得到的第一次放電容量（mAh/克）的示意圖（於實施例15中 說明）。 第十四圖為有關含有原型複合材料之半電池和含有 比較材料之半電池所得到的放電結果（電位（V)對常態化容 67 1 S3 1377719 * - · 量（％))的示意圖，其中放大區域出現在插圖中（於實施例15 中說明）。 第十五圖為有關含有原型複合材料之半電池和含有 比較材料之半電池所得到的充電結果（電位（V)對常態化容 量（％))的示意圖，其中放大區域出現在插圖中（於實施例15 中說明）。
[S3 68 1377719 【主要元件符號說明】 10金屬顆粒 12保護膜 14界面活性劑擴散層 20主體部分 22邊緣或邊界部分 • 24最内層 26最外層 30聚合物鏈 32八面體 34四面體 38離子 40共結晶態結構 • 42主體共結晶態部分 44邊緣部份 46碳粒 48共結晶態結構 50複合材料 52深部分 54邊緣部分 56較淺或半透明外部

Claims (1)

1377719 101年05月17日修正 十、申請專利範圍： 1.一種適用於電化學氧化還原反應之組成物，其包含： 一種以通式MyX04表示之材料，其中Μ代表至少一 種選自過渡金屬元素、辞、鎘、鈹、鎂、鈣、锶、硼、 鋁、矽、鎵、鍺、銦、錫、銻及鉍之元素；X代表至少 一種選自磷、砷、矽及硫之元素；0代表氧；並且y代表 數目約0.8至約1.2(含）； # 其中該材料可遷入離子A以形成AxMyX04，其中A 代表至少一種選自驗金屬元素、鈹、鎂、録、硼及銘之 元素；並且X代表數目約0.8至約1.2(含）；以及 一種含有至少一種選自皱、鎮、辦、認、删、銘、 石夕、鎵、錄、銦、錫、録、錢及第3-10和12族之元素的 氧化物之氧化物成分； 其中該材料和該氧化物成分是共結晶怨的。 φ 2.—種適用於電化學氧化還原反應之組成物，其包含： 一種以通式AxMyX04表示之材料，其中A代表至少 一種選自驗金屬元素、鈹、鎮、録、删及銘之元素；Μ 代表至少一種選自過渡金屬元素、鋅、編、鈹、鎖、I弓、 锶、硼、鋁、矽、鎵、鍺、銦、錫、銻及鉍之元素；X 代表至少一種選自磷、砷、矽及硫之元素；0代表氧；X 代表數目約0.8至約1·2(含），並且y代表數目約0.8至約 1.2(含）；以及 一種含有至少一種選自鈹、鎮、的、銀、硼、I呂、 1377719 101 #05 月 17 日修IL 矽、鎵、鍺、銦、錫、銻、鉍及第3-10和12族之元素的 氧化物之氧化物成分； 其中該材料和該氧化物成分是共結晶態的。 3. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中A代表至 少一種選自链、鈉及鉀之元素。 4. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中Μ代表至 少一種選自第一列過渡金屬元素之元素。 • 5.如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中X代表至 少一種選自磷及砷之元素。 6. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中該氧化物 為至少一種選自第一列過渡金屬元素、鋅、鎂、鋁及矽 之元素的氧化物。 7. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中相對於該 組成物，該氧化物成分的存在量為小於或等於0.1莫耳 • 比。 8. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中在通式 中，Α代表至少一種選自鹼金屬元素之元素；Μ代表至 少一種選自過渡金屬元素之元素；並且X代表至少一種 選自磷及砷之元素。 9. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，進一步含有碳。 10. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中適量的氧 化物成分和該材料形成共結晶怨部分，並且過罝的乳化 物成分形成至少部分地包覆該共結晶態部分之外部。 71 1377719 101初5月17日修i 11. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，進一步包含 碳，其中適量的氧化物成分和該材料形成共結晶態部 分、並且過量的氧化物成分形成至少部分地包覆該共結 晶態部分之外部，並且該碳至少部分地包覆該外部。 12. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中該組成物 是奈米級的。 13. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物，其中A代表至 少一種選自鋰及鈉之元素；Μ代表至少一種選自錳、鐵、 始和錄之元素Ml以及至少一種選自鈦、叙、絡、猛、鐵、 姑、鎳、銅、辞、鎮、铭、梦、金、銻和鋼之元素M2， 其中Ml和M2不同；X代表磷；Ο代表氧；氧化物係為至 少一種選自鈥、凱、絡、猛、鐵、始、錄、銅、鋅、鎮、 铭、石夕、金、銻和鋼之元素的氧化物。 14. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中呈共結晶態 之該材料和該氧化物成分係以通式MyXCVzB表示，其中 B代表氧化物成分，並且z為小於或等於0.1。 15. 如申請專利範圍第2項所述之組成物，其中呈共結晶態 之該材料和該氧化物成分係以通式AxMyXCVzB表示，其 中B代表氧化物成分，並且z為小於或等於0.1。 16. —種電極，其包含如申請專利範圍第1或2項所述之組成 物。 17.—種電化學電池，其包含如申請專利範圍第16項所述之 電極。 72 1377719 101 #05月17日修正 18. —種製備適用於電化學氧化還原反應之組成物的方 法，其包含： 合併含有Μ之第一材料，其中Μ代表至少一種選自 過渡金屬元素、鋅、錄、鈹、鎮、药、銘、棚、銘、石夕、 鎵、鍺、銦、錫、銻及鉍之元素，與含有X之第二材料 之溶液，其中X代表至少一種選自磷、砷、矽及硫之元 素，並且該第二材料對應地含有至少一種選自磷酸鹽、 砷酸鹽、矽酸鹽及硫酸鹽之材料，俾製造所生成溶液； 由該所生成溶液得到顆粒混合物； 以一種含有至少一種選自鎂、鋁、矽及第3-10和12 族之元素的氧化物之氧化物成分研磨該顆粒混合物，俾 製造半結晶態顆粒混合物； 乾燥該半結晶態顆粒混合物以提供前驅物；以及 煅燒該前驅物，以生成含有該氧化物成分與以通式 MyX04表示之材料，其中Ο代表氧，並且y代表數目約0.8 至約1.2(含），該組成物可遷入離子A以形成AxMyX04， 其中A代表至少一種選自驗金屬元素、鈹、錢、錢、棚 及鋁之元素；並且X代表數目約0.8至約1.2(含）。 19. 一種製備適用於電化學氧化還原反應之組成物的方 法，其包含： 合併含有Μ之第一材料，其中Μ代表至少一種選自 過渡金屬元素、鋅、锡、鈹、鎂、約、懿、棚、銘、石夕、 鎵、鍺、銦、錫、銻及鉍之元素，與含有X之第二材料 73 1377719 101和5月17日修正 之溶液，其中X代表至少一種選自填、神、石夕及硫之元 素，並且該第二材料對應地含有至少一種選自磷酸鹽、 砷酸鹽、矽酸鹽及硫酸鹽之材料，與含有離子性A之第 三材料，其1代表至少一種選自驗金屬元素、鈹、鎂、 鎘、硼及鋁之元素，俾製造所生成溶液； 由該所生成溶液得到顆粒混合物； 以一種含有至少一種選自鎂、鋁、矽及第3-10和12 族之元素的氧化物之氧化物成分研磨該顆粒混合物，俾 製造半結晶態顆粒混合物； 乾燥該半結晶態顆粒混合物以提供前驅物；以及 煅燒該前驅物，以生成含有該氧化物成分與以通式 AxMyX04表示之材料，其中Ο代表氧，X代表數目約0.8 至約1.2(含），並且y代表數目約0.8至約1.2(含）。 20.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該合併步 驟與得到顆粒混合物之步驟之至少一者進一步包含調 整pH。 21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該合併步驟包 含首先合併該第一材料與該溶液以生成第一溶液，接著 合併該第一溶液與該第三材料。 22. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該研磨步 驟係足以製造半結晶態奈米級顆粒混合物。 23. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中煅燒該前 驅物之步驟包含在惰性氣體與懸浮於惰性氣體中之碳 74 1377719 101年05月17日修正 粒存在下锻燒該前驅物。 24. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，進一步包含加 入還原劑。 25. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中A代表至 少一種選自链、鈉及鉀之元素。 26. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中Μ代表至 少一種選自第一列過渡金屬元素之元素。 • 27.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該氧化物 為至少一種選自第一列過渡金屬元素及鎂之元素的氧 化物。 28. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該材料和 該氧化物是共結晶態的。 29. 如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該組成物 是奈米級的。
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