TWI377614B - Method for forming adhesive dies singulated from a wafer - Google Patents

Description

1377614 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半導體裝置之製造技術，特別 係有關於一種黏性晶粒由晶圓分離之形成方法。 【先前技術】 當晶圓（wafer)經歷了數十道甚至是更多的半導體製 程，方可製作出複數個呈陣列排列之積體電路或微機電 (MEMS)結構後，即會利用切割製程將晶圓切割出複數 個晶粒（die)，以便進行後續之半導體封裝製程與組裝製 程。然傳統的晶粒的表面不具有黏性，須在基板上另塗 施黏晶材料。需要發展一種黏性晶粒的形成技術’以控 制黏晶特性、用量並使後續半導體封裝/組裝製程更加 有效率。 請參考第1圖所不’為習知黏性晶粒由晶圓分離之 形成過程中之元件截面圖。如第1圖A所示，提供一欲 進行切割製程之晶圓11 〇，該晶圓11 〇係包含複數個一 體未分離之晶粒111。此外，該晶圓11 0係可具有一積 體電路形成表面11 2以及一背面11 3，該晶圓11 0係更 具有複數個位於該積體電路形成表面 112之銲墊 114(如第2圖所示）。接著，如第1圖B所示，在該晶 圓110之該積體電路形成表面112貼附一晶背研磨膠帶 120，藉此覆蓋及保護該晶圓110之積體電路形成表面 112。之後，如第1圖C所示，研磨該晶圓110之該背 面113，讓該晶圓110之厚度減少至一預定之厚度。之 5 1377614

後，如第1圖D所示，在該晶圓110之該背面113貼附 一具有黏著層130之載膜140。之後，如第1圖D所示’ 再以一剝離治具（圖未繪出）依箭號方向使原先黏貼在 該積體電路形成表面112之該晶背研磨膠帶120被分 離，而顯露出該積體電路形成表面112(如第1圖E所 示）。之後，如第1圖F所示，利用一晶圓切割機台（圖 未繪出）進行該晶圓11 〇之對位，並利用一切割刀具（例 如鑽石刀片）依照預先設定好之切割道（scribe line)，將 該晶圓11 0切割成複數個分離之晶粒111，除了切穿該 黏著層130更會些許切入該載膜140。最後，如第1圖 G所示，再以一真空吸嘴（圖未繪出）進行後續之晶粒撿 拾製程。 請參考第1圖F及第2圖所示，在上述之切割步驟 中，當利用一切割刀具1 60由上往下切割該晶圓1 1 0及 該黏著層1^0至該載膜140時，該黏著層130會產生向 下彎曲之4邊131(如第2圖所示），而使該黏著層130 形成一不平整之黏晶表面，會導致後續該黏著層1 3 0黏 貼至另一晶片或一基板產生貼附傾斜與黏晶餘隙之問 題。該黏著層130無法與被貼附之晶片（或基板）產生良 好的黏合面積，導致易於分層，故影響半導體封裝/組 裝品質。 【發明内容】 有鑒於此，本發明之主要目的係在於提供一種黏性 晶粒由晶圓分離之形成方法’在由· 已貼附黏者層之晶 6 1377614 圓中分離形成個別黏性晶粒時，不會在黏著層之邊緣時 產生突出黏晶面之切割毛邊，進而解決習知切割毛邊引 起黏晶貼附傾斜與餘隙的問題。 本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方 案來實現的。依據本發明所揭示之一種黏性晶粒由晶圓 分離之形成方法，主要包含以下步驟。首先，提供一晶 圓，該晶圓包含複數個一體未分離的晶粒。接著，形成 一切割空隙在該些晶粒之間。之後，轉印一黏著層於該 晶圓，其中該黏著層係形成於一可擴張膜。之後，形成 一預裂導槽於該黏著層，該預裂導槽係對準於該切割空 隙並且不貫穿該黏著層。之後，拉伸該可擴張膜，以使 該黏著層沿著該預裂導槽之紋路予以***。最後，由該 可擴張膜取出該些貼附有已***黏著層之晶粒。 本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術 措施進一步實現。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該晶 圓係可具有一積體電路形成表面以及一背面，該晶圓係 更具有複數個位於該積體電路形成表面之銲墊。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該黏 著層係可轉印於該晶圓之該積體電路形成表面。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該黏 著層係可轉印於該晶圓之該背面。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該切 割空隙在該些晶粒之間的步驟係可實施在該黏著層之 7 1377614 轉印步驟之前並包含一晶圓半切割之步驟。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該晶 圓半切割步驟中形成的切割空隙係可具有一小於該晶 圓厚度之深度，並另包含一晶背研磨步驟，以使該些晶 粒為分離。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該晶 背研磨步驟之前，係可貼附一晶背研磨膠帶於該晶圓並 遮覆該切割空隙。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該晶 .背研磨膠帶係可在該黏著層之轉印步驟之後予以移除。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該切 割空隙與該預裂導槽係可由同一步驟中之切割刀具所 形成。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中’在拉 伸該可擴張膜之後，可另包含之步驟為：喪失或減少該 可擴張膜對該黏著層之黏性，以便於取出該些晶粒。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該喪 失或減少該可擴張膜之黏性之方法係可包含紫外光照 射。 表刖述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中’該預 裂導槽係可具有u形截面。 在前述之黏性晶粒由晶圓分離之形成方法中，該預 裂導槽係可具有v形截面。 由以上技術方案可以看出*本發明之黏性晶粒由晶 8 1377614 圓分離之形成方法，具有以下優點與功效： 一、 在由一已貼附黏著層之晶圓分離形成個別黏性 時，不會在黏著層之邊緣時產生突出黏晶面之 毛邊，進而解決習知切割毛邊引起黏晶貼附傾 餘隙的問題。 二、 不會損傷可擴張膜的結構，以確保良好的拉 性，並在低溫（或常溫）分離黏著層以避免黏著 邊緣產生不當固化。 三、 利用在轉印黏著層步驟之前的晶圓半切割步驟 背研磨步驟，以使晶粒分離，進而避免在切割 之形成時造成黏著層的固化。 【實施方式】 依據本發明之第一具體實施例，具體揭示一種 晶粒由晶圓分離之形成方法。第3圖係為·—種黏性 由晶圓分離之形成流程圖，第4圖繪示在過程中之 截面圖。 如第3圖所示，本發明之方法包含以下步驟：「 一晶圓」之步驟1、「形成一切割空隙在晶粒之間」 驟2、「轉印一黏著層於晶圓」之步驟3、「形成一 導槽於黏著層」之步驟4、「拉伸可擴張膜」之步 以及「由可擴張膜取出晶粒」之步驟6。 首先，第3圖之步驟1可參閱第4圖A所示， 一欲進行切割製程之晶圓210，該晶圓210係包含 數個一體未分離的晶粒2 11。此外，該晶圓2 1 0係 晶粒 切割 斜與 伸特 層之 與晶 空隙 黏性 晶粒 元件 提供 之步 預裂 驟5 提供 有複 可具 9 1377614 有一積體電路形成表面212以及一背面213，該晶圓2ι〇 係更具有複數個銲墊214(如第5圖所示），其係位於該 積體電路形成表面212»該晶圓210之基礎材質通常是 矽、矽鍺化物及砷化鎵等半導體材料。該些銲墊214之 材質通常為鋁。 第3圖之步驟2在本實施例中係為一晶圓半切割之 步驟首先可參閱第4圖B所示，步驟2包含依照預先 設定好之切割道（scribe line)，形成—切割空隙215在 該些晶粒211之間。該切割空隙215係可具有一小於該 晶圓厚度D1之切割深度D2 ’即該切割空隙2 i 5係小於 該晶圓210之厚度D1’以不切穿該晶圓210。該切割空 隙215係由該晶圓210之該積體電路形成表面212往下 延伸。具體而言’該晶圓半切割步.驟係可使用既有的晶 圓切晶粒機器進行，例如鑽石刀片（diam〇nd scribe〇高 速研磨切割。詳細而言’該晶圓210之厚度D1雖然無 特殊限制’但通常係在350微米至800微米之範圍。宜 中該切割深度D2係經過適當調整以符合預定晶片厚 度’通常係約在20微米至500微米之間。此外，該切 割空隙2 1 5之寬度係等於使用的切晶粒刀片之寬度，通 常約在1 0微米至1 〇〇微米之間。 在本實施例中’步驟2之後可另包含一晶背研磨步 驟’執行在該切割空隙2 1 5形成之後.，以使該些晶粒 211為分離。如第4圖C所示，在進行在該晶背研磨步 驟之前，係可貼附一晶背研磨膠帶220於該晶圓2 1 0之 10 j / /014 該積體電路形成表 212並遮覆該切割空隙215。如第

該晶背研磨膠帶220形狀大致與該

晶圓210，可於研磨時提 供該晶圓210之支撐而不使該些晶粒211掉落，並可保 護該晶圓210之該積體電路形成表面212不受損傷及吸 收研磨時的衝擊力確保該晶圓21〇不會破裂。 之後’進行之步驟3可參閱如第4圖E所示。提供 一黏著層230貼附或轉印於該晶圓2丨〇之該背面2 i 3 上。該黏著層230係可為雙面黏性膠帶或b階黏膠層。 其中該黏著層23 0係形成於一可擴張膜240。該可擴張 膜2 40係具有可拉張伸展之特性，可選自紫外線膠帶 (UV tape) ' 熱分離膠帶（thermal tape)或藍膜（blue tape) 之其中一種。 較佳地，轉印該黏著層230之步驟3(可參見於第4 圖E)係可實施在上述晶圓半切割之步驟（可參見於第4 圖D)之後，以避免在該切割空隙215之形成過程中造 成該黏著層230的固化。 此外，如第4圖E所示，該晶背研磨膠帶220係可 在該黏著層230之轉印步驟之後予以移除，可以一剝離 '合具（圖未繪出）依箭號方向使黏貼在該晶圓210之該積 雷 ,s 吟屯成表面212之該黏著層230分離，以使原本被 遮蓋之該些銲墊214外露（如第4圖F及第5圖所示）。 其中’令該晶背研磨膠帶220失去黏性而容易撕離的方 法可係為紫外光（UV)照射。 之後’第3圖之步驟4可參閱第4圖G與第5圖所 示’以一切割刀具26〇對準該切割空隙215在該黏著層 23〇形成一預裂導槽231»具體而言，該預裂導槽231 係對準於該切割空隙2 1 5並且不貫穿該黏著層23 0。即 該切割刀具260切割該黏著層230之深度係不大於整個 點著層230之深度。具體而言，如第5圖所示，該預裂 導槽23 1係可具有U形截面。 之後’進行第3圖之步驟5。如第4圖Η所示，可 利用一固定夹具251及一拉伸平台252拉伸該可擴張膜 2 4 0 ’使其產生一水平擴張拉力而使該黏著層2 3 〇沿著 該預裂導槽231之紋路予以***。如第4圖I所示，在 拉伸該可擴張膜240之後，該黏著層230被分離為貼附 於該些晶粒211之複數片。具體而言，如第6圖所示， 該黏著層230沿著該預裂導槽23 1之紋路予以***後， 會形成一裂痕232，該裂痕232雖可能為不平整，卻不 會形成往下突出之切割毛邊。因此，以撕裂該黏著層 2 3 0方式可以消除突出於黏晶面之切割毛邊，進而解決 習知以切割刀一次切割該黏者層230所造成切割毛邊 導致黏晶的貼附傾斜問題。此外，不會損傷該可擴張膜 12 1377614 24 0的結構，以確保良好的拉伸特性，並可達 常溫***該黏著層23 0以避免在步驟5之後黏 在邊緣產生不當固化之功效。 此外，在拉伸該可擴張膜24 0之後，可另 驟為：喪失或減少該可擴張膜240對該黏著層 性，以便於取出該些晶粒2 1 1。具體而言，該 少該可擴張膜 240之黏性之方法係可包含紫 或加熱製程，使該可擴張膜240之黏性降低， 可擴張膜240能被剝除而與該黏著層230分離 最後，進行第3圖之步驟6。如第4圖J所 真空吸嘴（圖未繪出）由該可擴張膜240取出該 已***黏著層2 3 0之晶粒2 1 1。該些個別晶粒 由該黏著層230固定及黏合至一指定基板（圖， 以進行半導體封裝；或固定及黏合至一指定晶 而形成多晶片堆疊封裝。 在本發明之第二具體實施例，揭示另一種 由晶圓分離之形成方法。如第3圖所示，本發 步驟亦包含：「提供一晶圓」之步驟1、「形成 隙在晶粒之間」之步驟2、「轉印一黏著層於 步驟3、「形成一預裂導槽於黏著層」之步驟 可擴張膜」之步驟5以及「由可擴張膜取出晶 驟6。其中，步驟2可實施在步驟3之後，並 係為同時進行。 首先，第3圖之步驟1可參閱第7圖A所 到低溫或 著層230 包含之步 2 3 0之黏 喪失或減 外光照射 而能使該 :〇 示，以一 些貼附有 2 1 1可經 良繪出）， 粒 2 1 1， 黏性晶粒 明之流程 一切割空 晶圓」之 4、「拉伸 粒」之步 與步驟4 示，提供 13 曰曰圓310’包含有複數個一體未分離的晶粒311 外，該晶圓310係可具有一積體電路形成表面312 背面3 1 3，該晶圓3丨〇係更具有複數個位於該積 略形成表面312之銲墊314(如第8圖所示）。 接著，進行步驟3»如第7圖B及第8圖所示 、 點著層330 ’並貼附或轉印於該晶圓310之該 電路形成表面312’其中該黏著層33〇係形成於一 張膜340。該可擴張膜340係具有可拉張伸展之特 並在本實施例中，該黏著層3 3 0係可顯露出位於該 電路形成表面312之該些銲塾314，以避免該黏著層 於高溫時產生流動而溢膠污染到該些銲塾3丨4。 如第7圖C所示，在步驟3之後，可執行一晶 磨步驟，以使該晶圓3 1 0達到預定之厚度。具體而 該黏著層330形狀大致與該晶圓310形狀相同或略 該晶圓3 1 0。在本實施例中’該黏著層3 3 0可應用 磨步驟時，代替習知之晶背研磨膠帶，能提供該 31〇良好的固定而不發生剝離，並可保護該晶圓3 該積體電路形成表面312不受損傷及吸收研磨時 擊力確保該晶圓310不會破裂。 之後，進行第3圖之步驟2與步驟4。可參閱 圖D與第8圖所示，依照預先設定好之切割道，利 切割刀具3 6 0往該背面3 1 3往下延伸至切穿該晶虐 形成一切割空隙3 1 5而分離該晶圓3 1 〇使其分離成 個晶粒3 11。同時，該切割刀具3 60並往下切割到 0此 以及 體電 ，提 積體 可擴 性。 積體 ，330 背研 丨言， 大於 於研 晶圓 10之 的衝 第7 用一 J 310 複數 該黏 1377614 著層330，但並不切穿該黏著層330，而形成一預 槽331。具體而言，該切割空隙315與該預裂導槽 係可由同一動作利用該切割刀具360在同一時間 成。可省去本發明之第一實例中，分二次實施切割 驟，而以一次切割步驟來完成切割該晶圓3 1 0以及 該黏著層330形成該預裂導槽331之步驟。較佳地 如第8圖所示，該切割刀具360係具有一 V形刀鈎 使該預裂導槽331具有V形截面，以方便在步驟5 離該黏著層330。 之後，進行第3圖之步驟5。如第7圖E及第 所示，可利用一固定夾具351與一拉伸平台352拉 可擴張膜340，使其產生一水平擴張拉力而使該黏 3 3 0沿著該預裂導槽 3 3 1之紋路予以***。在本 中，該黏著層3 3 0沿著該預裂導槽3 3 1之紋路予以 後，會形成一裂痕332，利用此撕裂動作不會使該 層330形成往下突出之切割毛邊，進而解決習知以 刀完全切割該黏著層 33 0造成切割毛邊導致黏晶 附傾斜與黏晶餘隙的問題。此外，在拉伸該可擴 340之後，可另包含之步驟為：喪失或減少該可擴 3 4 0對該黏著層3 3 0之黏性，以便於取出該些晶粒 最後，進行第3圖之步驟6。如第7圖G所示 一真空吸嘴（圖未繪出）由該可擴張膜340取出該些 有已***黏著層3 3 0之晶粒3 11。 因此*本發明提供之黏性晶粒由晶圓分離之形 裂導 33 1 所形 之步 切割 ，再 ，以 中撕 9圖 伸該 著層 實例 *** 黏著 切割 的貼 張膜 張膜 3 1卜 ，以 貼附 成方 15 1377614 法，在由一已貼附黏著層之晶圓分離形成個 〇* 抑丨王日日粒 不會在黏著層之邊緣時產生突出黏晶面之切割毛 邊進而解決習知切割毛邊引起黏晶貼附傾斜與餘隙的 問題。此外’本發明不會損傷可擴張膜的結構，以確保 良好的拉伸待性，並在低溫（或常溫）分離黏著層以避免 黏著層之邊緣產生不當固化。 以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對 本發明作任何形式上的限制，本發明技術方案範圍當依 所附申晴專利範圍為準。任何熟悉本專業的技術人員可 利用上述揭示的技術内容作出些許更動或修飾為等同 變化的等效實施例’但凡是未脫離本發明技術方案的内 容’依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡 單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的 範周内。 【圖式簡單說明】 第1圖：繪示習知黏性晶粒由晶圓分離之形成過程中之 元件截面圖。 第2圖：習知以切割刀切割晶圓以分離黏性晶粒之步驟 中相鄰晶粒之截面局部放大示意圖。 第3圖：依據本發明之第一具體實施例，一種黏性晶粒 由晶圓分離之形成流程圖。 第4圖：依據本發明之第一具體實施例，繪示一種黏性 晶粒由晶圓分離之過程中之元件截面圖。 第5圖：依據本發明之第—具體實施例，在形成一預裂 16 1377614 導槽於黏著層之步驟中相鄰晶粒之截面局部 放大示意圖。 第6圖：依據本發明之第一具體實施例，在拉伸一可擴 張膜之步驟中相鄰晶粒之截面局部放大示.意 圖。 第7圖：依據本發明之第二具體實施例，繪示一種黏性 晶粒由晶圓分離之過程中之7G件截面圖。 第8圖：依據本發明之第二具體實施例，在形成一預裂 導槽於黏著層之步驟中相鄰晶粒之截面局部 放大示意圖。 第9圖：依據本發明之第二具體實施例，在拉伸一可擴 張膜之步驟中相鄰晶粒之截面局部放大不意 圖。 【主要元件符號說明】 D1晶圓厚度 D2切割深度 1 提供一晶圓 2 形成一切割空隙在晶粒之間 3 轉印一黏著層於晶圓 4 形成一預裂導槽於黏著層 5 拉伸可擴張膜 6 由可擴張膜取出晶粒 1 1 0 晶圓 111晶粒 112積體電路形成表面 113背面 1 14銲墊 17 1377614 120 晶 背 研 磨 膠 帶 130 黏 著 層 13 1 毛 邊 140 載 膜 160 切 割 刀 210 晶 圓 211 晶 粒 2 12 積 體 電 路 形 成 表面 213 背 面 214 銲 墊 215 切 割 空 隙 220 晶 背 研 磨 膠 帶 230 黏 著 層 23 1 預 裂 導 槽 232 裂 痕 240 可 擴 張 膜 25 1 固 定 夹 具 252 拉 伸 平 台 260 切 割 刀 具 3 10 晶 圓 3 11 晶 粒 3 12 積 體 電 珞 形 成 表面 3 13 背 面 3 14. 銲 墊 315 切 割 空 隙 330 黏 著 層 33 1 預 裂 導 槽 332 裂 痕 340 可 擴 張 膜 35 1 固 定 夾 具 352 拉 伸 平 台 360 切 割 刀 具

Claims (1)

1377614 (v 十、申請專利範圍： 1、一種黏性晶粒由晶圓分離之形成方法，主要包含以 下步驟： 提供一晶圓，包含複數個一體未分離的晶粒； 形成一切割空隙在該些晶粒之間； 轉印一黏著層於該晶圓，其中該黏著層係形成於一 可擴張膜；

形成一預裂導槽於該黏著層，該預裂導槽係對準於 該切割空隙並且不貫穿該黏著層； 拉伸該可擴張膜，以使該黏著層沿著該預裂導槽之 紋路予以***；以及 由該可擴張膜取出該些貼附有已***黏著層之晶 粒。

2 '如申請專利範圍第1項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中該晶圓係具有一積體電路形成表 面以及一背面，該晶圓係更具有複數個位於該積體 電路形成表面之銲墊。 3、如申請專利範圍第2項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中該黏著層係轉印於該晶圓之該背 面。 4、如申請專利範圍第1或3項所述之黏性晶粒由晶圓 分離之形成方法，其中上述形成該切割空隙在該些 晶粒之間的步驟係實施在該黏著層之轉印步驟之 前並包含一晶圓半切割之步驟。 19 1377614 曰修正替換頁 5、 如申請專利範圍第4項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中由上述晶圓半切割步驟中形成的 切割空隙具有一小於該晶圓厚度之深度，並另包含 一晶背研磨步驟，以使該些晶粒為分離。 6、 如申請專利範圍第5項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中在上述晶背研磨步驟之前，貼附 一晶背研磨膠帶於該晶圓並遮覆該切割空隙。 7、 如申請專利範圍第6項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中該晶背研磨膠帶係在該黏著層之 轉印步驟之後予以移除。 8、 如申請專利範圍第1項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中在拉伸該可擴張膜之後，另包含 之步驟為：喪失或減少該可擴張膜對該黏著層之黏 性，以便於取出該些晶粒。 9、 如申請專利範圍第8項所述之黏性晶粒由晶圓分離 之形成方法，其中上述喪失或減少該可擴張膜之黏 性之方法係包含紫外光照射。 1 0、如申請專利範圍第1項所述之黏性晶粒由晶圓分 離之形成方法，其中該預裂導槽係具有U形截面。 1 1、如申請專利範圍第1項所述之黏性晶粒由晶圓分 離之形成方法，其中該預裂導槽係具有V形截面。 1 2、一種黏性晶粒由晶圓分離之形成方法，主要包含 以下步驟： 提供一晶圓，包含複數個一體未分離的晶粒； 20 1377614 ^丨賊)正替換 轉印一黏著層於該晶圓，其中該黏著層係形成於一 可擴張膜； 同時形成一切割空隙在該些晶粒之間並形成一預裂 導槽於該黏著層内，該預裂導槽係對準於該切割空 隙並且不貫穿該黏著層； 拉伸該可擴張膜，以使該黏著層沿著該預裂導槽之 紋路予以***；以及

由該可擴張膜取出該些貼附有已***黏著層之晶 粒。 1 3、如申請專利範圍第1 2項所述之黏性晶粒由晶圓分 離之形成方法，其中該晶圓係具有一積體電路形成 表面以及一背面，該晶圓係更具有複數個位於該積 體電路形成表面之銲墊，其中該黏著層係轉印於該 晶圓之該積體電路形成表面。

1 4、如申請專利範圍第1 2項所述之黏性晶粒由晶圓分 離之形成方法，其中該切割空隙與該預裂導槽係由 同一步驟中之切割刀具所形成。 21 1377614 十一、圓式： ί啊^月乃時(次)正替換If

22 1377614

丨*1)^月修(更)正替換頁

第2圖 23 1377614 卜年^月’3修(更)正替換頁

6

24 1377614 和年u月4日修(更)正替換頁

25 1277614 V«〇年^月V)日修(更)正替

第5圖

212 231 215 211 214

第6 B 26 1377614

27 1377614 印年丨 > 月 日修(更)正替換頁

第8圖

314 312 31 1 315 331 311 313

28