TWI363252B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1363252 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造一元 法。 的方 【先前技術】 微影裝置係一種將所要之圖案施加於一基板上，通常施 加於基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於（例如 體電路（ic)之製造中。在彼實例中，一或者稱為光罩或主 光罩的圖案化元件可用於產生形成於1(：之個別層上的電路 圖案。此圖案可轉移至基板（例如，碎晶圓）上之目標部分 (例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒）上。圖案 之轉移通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 (光阻)層上而達成。一般而言，一單一基板將含有被順次 圖案化之相鄰目標部分的網路。已知之微影裝置包括步： 機及掃描器，步進機中每一目標部分藉由在一時刻將—完 整圖案曝光至目標部分上而被照射，掃描器中每一目標= ，藉由經由一輻射光束在一給定方向中(”掃描”方向)掃： 边圖案同時平行或反平行於此方向而同步掃描基板而被照 射亦可旎藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案 件轉移至基板。 & 已提出將微影投影裝置中之基板浸人具有相對高之折射 率的液體（例如，水）中，以填充投影系統之最終器件與基 板之間的間隔。此致能更小特徵之成像，因為曝光季畐射在 液肢中將具有更短的波長。（液體之效應亦可看作增加系 I19384.doc 1363252 統之有效ΝΑ且亦增加焦深。）已提出其他浸液，包括具有 固體顆粒（例如’石英）懸浮於其中的水。 然而’將基板或基板及基板台浸在液體槽中（見例如美 國專利4,509,852，其全文以引用的方式併入本文中）意味 存在必須在掃播曝光期間加速之大量液體。此要求額外或 更強大之馬達且液體中之紊流可導致不良及不可預期的效 應。

所提出之一種解決方案係一種液體供應系統，其使用

液體限制系統僅在基板之一局部區域上及在投影系統之最 終器件與基板之間提供液體（基板大體具有比投影系統之 最終器件大的表面面積）。在％〇 99/495〇4中揭示已提出用 於此配置的一種方法’該案之全文以引用的方式併入本文 中。如在圖2及3中所說明，藉由至少一個入口 IN將液體供 應至基板上，較佳沿基板相對於最終器件之移動的方向供 應，且在已通過投影系統之下後由至少一個出口 〇υτ移除 液體亦即，隨著基板在-X方向中在器件之下被掃描，在 元件之+Χ側供應液體且在_χ侧吸取液體。圖2示意性展示 液體經由入口 ΙΝ供應且在元件之另一側由連接至一低壓源 之出口 OUT吸取的配置。在圖2之說明中，沿墓板相對於 最、器件之移動方向供應液體，儘管並非必須如此。定位 匕圍最、器件之入口及出口之各種方位及數目皆有可能， 在圖3中說明一實例，其中包圍最終元件以一規則圖案提 供四組在任—側上之一入口與一出口。 已提出的另一解決方案為提供具有一密封部件之液體供 119384.doc Ϊ363252 與該基板之一表面接觸 * ^ * 5, Η /、中次液之一PH在當浸液在基板 表面上時其ζ電位為贡'ώΑ !·主 為零的情況下之ΡΗ之2的範圍内。 【實施方式】 n 圖1不芯性描繪根储夫政 據本發明之一貫施例的微影裝置。該 !=:照明系統(照明器)il，其經組態以調節-輻射 UV輪射或Duv輻射）…支樓物（例如，一光 罩σ )MT經組態以支撐_ _ ®案化几件（例如，一光罩）MA且 連接至一經組態以根攄羊 據某』參數精確定位圖案化元件的第 。一基板台(例如’晶圓臺)资經组態以固持 -基板(例如’塗覆光阻之晶圓)w且連接至一經 …數精確疋位基板的第二***pw…投影系統 (例如’―折射投影透鏡系統）ps經組態以將圖案化 心h人 * ®条m基板w之一目標部分C(例 如’包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包括各種類型之光學組件，諸如折射、反 射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件、或其任何 組合，以引導、成形及/或控制輻射。 支撐物支撐（例如，承受）圖案化元件的重量。其以一視 圖^化元件之方位、微影裝置之設計及其他條件、(諸如: :化化：件是否固持在一真空環境中)而定的方式固持圖 案化凡件。支㈣可使用機械、真空、靜電或其他 術：固定圖案化元件。支擇物可為一框架或一台，例如其

可按需要為固定的或可移動的。支#物可確保圖案化元S 在一（例如）相對於投影系統的所要位置上。可認為本文之 ll9384.doc 1363252 術D。主光罩"或"光罩"^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 件”同義。 11便用”更通用術語”圖案化元 本文所使用之術語，，圖案化元件"應廣義解釋為係指可用 於將—圖案賦予一輻射光走 p哉 “截面中使得在基板之-目 軚口P刀中產生一圖案的任何 冈安應/主思賦予輻射光束之 圖案可月匕不精確地對應於基板之目標部分中的所要 =如畲圖案包括相移特徵或所謂的辅助特徵時如此。通 二賦予㈣光束之圖案將對應於元件中待在目標部分中 產生的特疋功能層（諸如積體電路）。 =案化元件可為透射性或反射性的。圆案化元件之實例 匕光罩、可程式規劃鏡面陣列及可程式LCD面板。光罩 在微影中係熟知的’且包括光罩類型如二元、交變相移 型 '及衰減相移型以及各種混人 而睡U罩類型。可程式規劃鏡 :陣列之一實例使用小鏡面之矩陣排列，其每一者可個別 地傾斜以在不同方向中反入 耵軺射先束。傾斜鏡面在 一輪射光束中賦予一圖案，該輻射由鏡面矩陣反射。 本文所使用之術语’’投影系統，i應廣義解釋為 型之投影系統，包括拼射、G U ^ 折射反射、反射折射、磁性'電磁

及靜電光學系統、或t任柄如A h任何組合，如適於所用曝光輻射' 或諸如使用浸液或真空的I它 一才又衫糸統。本文中術語”投 影透鏡”之任何使用應認為盘 旯通用之術語”投影系統，，同 義0

如本文所描述，該梦署A 裝置為一透射類型（例如，使用一透 射性光罩）。或者，該裝置可A ^ 远 r置了為一反射類型（例如，使用以 119384.doc 上所指之一類型的可程式規劃鏡面陣列，或使用反射性光 罩）。 微影裝置可為-具有兩個（雙平臺）或兩個卩上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光罩台）的類型。在此”多平臺"機器中， 可並行使用額外之台’或在一或多個其他台用於曝光時， 可對一或多個台執行預備步驟。 參看圖1 ’照明|§ IL自一輻射源S0接收輻射。舉例而 。田-亥源為準分子雷射器_ ’該源與微影裝置可為獨立 實體。在此等情況下’不認為該源形成微影裝置之部分且 輕射光束在一光束傳遞系統BD的幫助下自源⑽傳送至照 明器IL，該光束傳遞系統BD包含（例如）適當導向鏡及/或 射束放大器❶在其他情況下，例如當源為一水銀燈時源 可為微影裝置之-整體部分。源so及照明器化連同光束傳 遞系統BD(若需要）可稱為一輻射系統。 :明器IL可包含一調整器AD用於調整輻射光束之角強 度分佈。一般而言，至少可調整照明器之瞳孔平面中強度 分佈之外部及/或内部徑向範圍（一般分別稱為及& inner)。另外，照明器比可包含各種其他組件，諸如積光 器IN及聚光器C0。照明器可用於調節輻射光束，以在其 橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。 輻射光束B入射至固持於支撐物（例如，光罩台mt)上之 圖案化元件（例如，光罩ΜΑ)上，且由圖案化元件圖案化。 已橫穿光罩]VIA之輻射光束Β經過投影系統ps，其將光束聚 焦至基板W之—目標部分^。在第K立器⑽及位置感 II9384.doc 1363252 應盗IF(例如’干涉元件、線性編碼器或電容式感應器）之 幫助下，基板台WT可精確地移動，例如以定位不同目標 部分C在輻射光束B之路經中。類似地，可使用第一定位 器PM及另位置感應器（其未在圖1中明確描述）以相對於 輻射光束B之路經精確定位光罩Ma，例如在自一光罩庫以 機械方式取彳寸之後或在一掃描期間如此。一般而言，光罩 台MT之移動可在形成第—***pM之部分的—長衝程模

組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)的幫助下實現。類似 也基板。WT之移動可使用形成第二***釋之部分的 二長衝程模組及一短衝程模組來實現。纟一步進機(與一 掃=盗相對）的情況下，光罩台町可僅連接至一短衝程致 r或可為固定的。可使用光罩對準標記Μ1、M2及基 板對準標記P1、Ρ2將光罩ΜΑ與基板W對準。儘管所說明 之基板對準標記佔據專用目標部A，但是可將其定位於目 標部分之間的間隔(此等稱為劃道對準標記)中。類似地，

在2以上晶粒提供於光罩MA上的情形下，光罩對準標 記可定位於晶粒之間。 所描述之裝置可用於以下模式中之至少—者： 1土，在步進模式中，保持光罩台Μτ及基板台资基本上靜 C上二次將賦予輻射光束之整個圖案投影至-目標部分 γ方向、/ ’ —單次靜態曝光）。接著將基板台WT在X及/或 中，…β 了曝先一不同目標部分C。在步進模式 標部分C的尺寸。 评態曝光中成像之目 119384.doc •在掃描模式中，當將一賦予輕射光束之圖案投影至一 =部分C上時，同時掃描光罩台游及基板台WT(亦即， -早次動態曝光）。基板台WT相對於光罩台MT之速度及方 向可由投影系統PS之放大（縮小）及影像反轉特徵來確定。 2掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制在-單次動態曝光 之目標部分的寬度(在非掃描方向中），而掃描動作之長 X確定目標部分之高度（在掃描方向中）。 3.在另-模式中，固持—可程式圖案化元件之光罩台Μτ 保持基本上固定，且當將賦予輻射光束之圖案投影至一目 標部分c上時’移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常 t用—脈衝輻射源且在基板台WT之每一移動之後或在一 知描期間連續輻射脈衝之間按需要更新可程式圖案化元 件。此操作模式可容易地應用於㈣可程式圖案化元件 (诸如以上所提及之可程式規劃鏡面陣列類型)的無光罩微 影。 亦可使用以上描述使用模式或完全不同之使用模式的組 合及/或變型。 圖2-圖4說明局部區域液體供應系統，其中在平面圖中 面積通小於基板W之全頂面之基板1的僅局部區域上將液 體供應於投影系統PS之最終器件與基板w之間。隨後在投 影系統PS之下移動基板w使得覆蓋於浸液中之局部區域改 變。 所有此等局部區域液體供應系統需要為液體提供圍阻。 較佳’為液體提供不接觸圍阻使得在液體供應系統之實體

Il9384.doc 部分與基板W之間沒有任何實體接觸。常常由氣流來提供 此不接觸圍阻且此種系統在圖5中說明’其中在液體供應 系統之一阻障、或密封部件之底面中自入口15至出口 之氣流16有效地在阻障部件12之底部與基板w之間形成一 密封。 在圖6中說明另一液體供應系統。熟習此項技術者易瞭 解底面80之上的阻障部件12之各種入口及部分的操作。以 下揭示案係關於如何將液體包含在間隔11+，且詳言之， 係關於液體在密封料12之底㈣與基板W之頂面之間之 行為。 自投影系統之光軸徑向向外工作，提供—液體移除元件 180，諸如2004年8月19曰提出申請的美國申請案第 1’348號中所揭不的元件。在液體移除元件刚徑向外 指供-凹座320，其經由人口 322連接至大氣且經由出口 324連接至—低壓源。在凹座⑽徑向外部的為一氣刀 在2〇05年1月14日提出申請之美國申.請案60/643,626 中洋細描述在密封| 封。卩件12之底面8〇上的此等物件的配置。 液體·彎液面51〇形成於基板w與阻障部件12之底面⑼之 間。此為填充液體之間隔11的邊界。 供體供應系統之許多不同設計且許多局部區域液體 :二之特徵為存在在基板w與液體供應系統的-部分 隔二中二液體的’液面。此f液面用於將液體保持在間 二:：需使用機械密封。在將彎液面試圖固定在適當 位置中的斜特徵係可能的，例域^流或在基板12之 119384.doc -14- J363252 底面上的彎液面固定特徵。 基板w可在投影系統PS下面移動之速度的限制因素為彎 液面5 1 0歸因於移動基板w所施加於其上的拖良力而崩潰 的速度。若彎液面崩潰，則液體能自液體供應系統漁出。 佐s在圖6中之设計可解決此問題且使用氣刀移除任何 此液體，但此情況可有害地導致液體之蒸發且進而導致基 板W之冷卻，其本身可產生成像錯誤。 本發明係針對覆蓋在浸液中之基板w之材料與浸液自身 的相容選擇’以增加基板與液體供應系統之部分之間的-液面510之強度’使得能夠以增加之速度在液體供應系統 下面移動基板W進而增加產量而無彎液面51〇崩潰的風 應瞭解，本發明同樣適用於未必具有如上文所描述之靜 止阻障部件12的其他液體供應系統。詳言之，可採取同樣 與本發明相容之其他措施來延遲彎液面崩潰。 申請者已發現，浸液與基板之頂面(其通常為一頂部塗 層或光阻）之間的靜態接觸角液面之敎性具有較大 關係。將靜態接觸角0量測為經過平行於基板之頂面之直 行於基板表面處的小液滴之表㈣另—直線 =角度㈣7中所㈣）。若增加接㈣，料穩定性將 之門^ 所附者m系統之部分與基板w 之間的較快相對速度而無彎液面崩潰。 之：：現’改變浸液之pH可對浸液與浸液駐於其上的基板 面之間的接觸角具有較大影響。可由下文所描述之兩 H9384.doc 15 1363252 . 種模型來解釋.並部分量化此等效應。 第一模型使用分離壓力A來計算浸液小液滴之表面能 !。以下關係存在於靜態接觸角θ、分離壓力η(χ，洲與液 體小液滴之高度X之間。小液滴將形成某一平衡薄膜高度 xequ，其為X值，大於此值時，淨分離壓力變為正。 又 00 cos(0)=l+ \w{xiPH)dx Λ印 分離壓力含有—極性（庫侖）ΠΕ(Χ，ΡΗ)及a-極性（凡得瓦 • 爾）nD(X)分量如下： π(^Ρ^)=Π£(χ,ρΒ)+Π0(χ) 圖8示意性說明全部分離壓力，其為極性分量與a·極性 ' 分量之和。 ， ⑮性分量很大程度上取決於PH ’而a-極性分量並非如 此。極性分量起源於基板之帶電表面對浸液之離子的靜電 拉力。此極性分量受到在基板之表面上時浸液之ζ電位的 % 影響以及受到浸液之ΡΗ之絕對值的影響。 =離壓力之極性分量與基板之表面與浸液之間的^電位 之平方成比例。因此’自(例如)_4〇 mV至]〇 mV.之減小(亦 即4倍)降低分離塵力之極性分量“倍。結果，降低了分離 座力亦導致接觸角Θ的增加。 自圖9可見’圖9為對於基於水之浸液及用於兩種類型用 Μ# 上之頂部塗層（未改質之PMMA及功能化之 ΜΑ) /σ x軸之，文液之pH及沿y軸的ς電位的關係圖，可 見ζ電位隨ΡΗ之變化而變化強烈。液體之爾接近零點⑺ 119384.doc 1363252 位交叉pH，分離壓力之極性分量愈小，且從而極性表面能 量愈小及接觸角Θ愈大。一般而言，使用pH在零點ζ電位交 叉之兩個pH點範圍内的浸液具有優勢。此係由於曲線形 狀’其大體在零ζ電位交叉pH以上抵達最大電位及在零ζ電 位交叉pH以下抵達最小電位，大概處於零ζ電位處之ρΗ的 兩個pH點以下及以上。希望浸液之pH在浸液在基板之表 面上的ζ電位為零時的pH之2個pH點範.圍内，更希望在

1.5 、 1.2 、 1.0 、 〇·8 、 0.7 、 0.6 、 0.5 、 0.4 、 0.3 、 0.2 ，或 0.1 pH範圍内。 分離壓力之極性分量亦受pH之絕對值的影響。pH離pH 7愈遠’存在於浸液中之離子愈多。此係由於分離壓力直 接與液體中之離子之數目成比例。液體中之離子之數目由 以下公式給出： ΚΓ 州 + 1014-州.%

其中’ NA為亞佛加厥（Avogadro)常數。此意味著極性分量 降落更快（亦即’圖8中之極性分量之曲線朝向y軸移動）， 意味著在分離壓力曲線之下的總面積減小，進而導致更小 的淨表面能量及更低的接觸角0。 總之’需要pH儘可能接近零ζ電位且應選擇pH使得其儘 可能接近pH7。然而，ζ電位之效應比離子存在之數目的效 應更顯著。 理解pH對接觸角之效應之另一方式係比較浸液的1)]^與 支樓/叉液之基板之表面的pH。此係基於第二模型的理解。 119384.doc 1363252 大體而言’已發現，若支撐浸液且待成像（亦即，被照 射）之基板之表面具有在浸液的pH之2點範圍内之pH，則將 存在兩種特定材料之接近最大的接觸角。該表面之pH可認 為係在零ζ電位交叉點處的液體之pH。曝光之基板表面及 浸液的pH愈接近，此效應愈強。希望待曝光之基板之表面 及浸液的pH為在彼此之1.5、1.2、1.0、0.8、0.7、0.6、 〇·5、〇·4、〇·3、〇.2 或 0.1範圍内。

因此’若基板之表面為鹼性’則希望浸液亦為鹼性且反 之亦然’意即，若基板之表面為酸性，則應使浸液亦為酸 性。在零ζ電位交叉點低於ρΗ 7的情況下將表面界定為酸 及在零ζ電位交叉點高於pH 7的情況下界定為鹼。 具有給定液體之表面之靜態接觸角Θ可使用如在Van 0ss_ Chauduri-Good理論中所陳述之凡得瓦爾（LW)、酸性（正）及 鹼性（負）組份之間的能量平衡來確定。此理論指出： 0+ c〇s{e)).rL = ^

.pos.y L一neg 其中γ為表面能量’ s係關於固體及L係關於液體。 此等式可用於為一給定頂部塗層及一給定浸液導出液體 之pH與液體與固體之間的靜態接觸角之間的關係。藉由選 擇π液之pH使得靜態接觸角在最大丨5、i 〇、8或5度之範圍 内，此將產生更穩定之彎液面且進而允許基板貿相對於液 體供應系統之更快的相對移動，進而增加產量。 舉—實例，若功能性PMMA用作一頂部塗層，水用作浸 液，右水為中性，則存在約72度之靜態接觸角。若將浸液 119384.doc -18- P文麦成5(例如，藉由添加乙酸、甲酸Na〇H ,但較佳 添加諸如二氢作石Jt - C. n f 孔化心、二氧化氮、氧化氮、N2〇、HzS，或 氧化厌等之氣體），則靜態接觸角變成高達接近100度。 利用此等值，彎液面崩潰之理論臨界速度上升i m/s至丨55 m/S。然而，進—步降低水之pH具有可忽略之效應，由於 在pH 4時’頂部塗層與浸液之間的酸鍵結已處於最大值。 可達成之最大速率可由以下方程式估計： V~ Α-Φ 1 -中二數A為約250’ γ為表面張力及η為黏度且接觸角以弧 度為單位。可藉由添加（例如）氨（ΝΗ3)或Η2〇2使浸液鹼性更 強。 使用上文之Van 〇ss-Chaudhuri-Good方程式，能夠選擇 /又液之pH或頂部塗層之pH來最優化接觸角（考慮其他因 素）。此方法可用於所有極性浸液及極性頂面材料。該方 去之一個實例將確保浸液之PH在使用以上方程式給出最大 接觸角之pH的1範圍内，理想為在給出最大接觸角之之 〇·5、0·4、0.3、〇.2或 〇.1的範圍内。 因此，若用以上方式選擇頂部塗層及浸液，則控制基板 相對於彎液面所附著之液體供應系統之一部分的移動之控 制益可被控制以確保最大化基板冒與液體供應系統之彼部 分之間的相對速度而無彎液面崩潰。舉例而言，可控制液 體供應系統使得速度為至少丨2 m/s，理想為丨3、【4或丄5 m/s或更快’但沒有使彎液面崩潰之速度快。 119384.doc -19- ^63252 全部列出’應用於上文所提及之彼等類型。 以上說明意欲為說明性而非限制性。因此，熟習此項技 術者將顯而易£，可對所描述之發明做出修改而不脫離下 文所陳述之申請專利範圍的範疇。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置·

圖2及圖3描繪用於先前技術微影投影裝置中的液體供應 系統； 圖4描繪根據另一先前技術微影投影裝置之一液體供應 系統； 圖5描繪可用於本發明之液體供應系統； 圖6描繪可用於本發明之液體供應系統； 圖7說明浸液與基板W之間的.接觸角θ ; 圖8示意性說明分離壓力如何含有極性（庫侖）及a極性 (凡得瓦爾）分量；及

圖9示思性說明基板之一表面與浸液之間的ζ電位隨浸液 之pH的變化而變化。 【主要元件符號說明】 11 間隔 12 密封部件 14 出口 15 入口 16 氣流 80 底面 119384.doc -21 - 1363252

180 液體移除元件 320 凹座 322 入口 324 出口 420 氣刀 510 彎液面 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 CO 聚光器 IF 位置感應器 IL 照明器 IN 積光器/入口 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 光罩、圖案化元件 MT 光罩台 OUT 出口 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一*** PS 投影系統 PW 第二*** SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 H9384.doc -22-

Claims (1)

1363252 俨年卜月>!>日修正本 第096111456號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年12月） 十、申請專利範圍： 1. 一種微影裝置，其包含：

一浸潤微影曝光裝置，其經組態以經由浸液將一基板 曝光於一輻射光束，其中該浸液之一 pH係選自具有一中 心pH值之pH值範圍内，其中該f心pH值係在該浸液在 該基板之表面上時其ζ電位為零的pH，且其範圍係定義 為從一自該中心pH值減2之pH值至一自該中心pH值加2 之pH值，且使該基板之該表面之該液體具有一最大接觸 角之該浸液之pH係在該範圍内。。 2. 如請求項1之微影裝置，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減1.5之pH值至一自該中心pH值加1.5之pH值。 3. 如請求項1之微影裝置，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減1.2之pH值至一自該中心pH值加1.2之pH值。 4. 如請求項1之微影裝置，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減1之pH值至一自該中心pH值加1之pH值。

5. 如請求項1之微影裝置，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減0.8之pH值至一自該中心pH值加0.8之pH值。 6. 如請求項1之微影裝置，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減0.5之pH值至一自該中心pH值加0.5之pH值。 7. 如請求項1-6任一項之微影裝置，其中該基板之該表面及 s亥浸.液為驗。 8. 如請求項1-6任一項之微影裝置，其中該基板之該表面具 有小於pH 7之一零ζ電位且該浸液為酸。 9. 如請求項1-6任一項之微影裝置，其中該浸液具有一 119384-1001220.doc 1363252 pH，其導致該浸液在該表面上之一靜態接觸角θ如由以 下方程式計算： (1+ co_.n L LW S^pos*y L^neg

其中γ為表面能量，LW為凡得瓦爾（Van der Waals)力， P〇s為酸性分量，neg為鹼性分量，s為基板及[為浸液， θ在藉由改變該pH可獲得的最大2〇。範圍内。 i〇.如請求項9之微影裝置，其中該計算靜態接觸角在最大 15°範圍内。 11. 如請求項9之微影裝置，其中該計算靜態接觸角在最大 10°範圍内。 12. 如凊求項9之微影裝置，其中該計算靜態接觸角在最大8。 範圍内。， 13.如明求項9之微影裝置，其中該計算靜態接觸角在最 範圍内。 14. 如D月求項9之微影裝置，其中該計算靜態接觸角為 大可獲得的角。 Μ 15. 如清求項1-6任一項之微影裝置其中該浸液之 蚀用LV卞丄 ^ 甘 方程式給出一最大接觸角的pH的丨〇範圍内： 其中γ為表面能量’ LW為凡得瓦爾力，p〇s為酸性分量， η%為鹼性分量，S為基板及L為浸液。 里 •項丨5之微影裝置，其中該浸液之該在給出該最 119384-1001220.doc 大接觸角的該pH的〇·5範圍内。 17.如清求項15之微影裝置，其中該浸液之該pH在給出該最 大接觸角的該pH的0.4範圍内。 18·如請求項15之微影裝置，其中該浸液之該pH在給出該最 大接觸角的該pH的〇·3範圍内。 .如°月求項15之微影裝置，其中該浸液之該pH在給出該最 大接觸角的該pH的0.2範圍内。 20. 如印求項丨_6任一項之微影裝置其中該浸液之該比^ 電位為零之該pH更接近pH 7。 21. 如4求項丨_6任一項之微影裝置其進一步包含一控制 器，該控制器經組態成以至少丨2 m/s之一速度相對於一 液體供應系統之至少部分移動該基板。 22. 如明求項21之微影裝置’其中該速度為至少1.3 m/s。 23. 如#求項21之微影裝置，其中該速度為至少1.4 m/s。 24. 如叫求項21之微影裝置，其中該速度為至少1.5 m/s。 25·如請求項丨_6任—項之微影裝置’其中該表面為—頂部塗 从一種^件製造方法，其包含經由浸液將一圖案化韓射光 束技〜至-基板上，其中該浸液與該基板之-表面接觸 且該浸液之一 PH係選自具有一中心阳值之pH值範圍 7 ’其中該中心pH值係在#該浸液在該基板之該表面上 時其ζ電位為零的pH，且其範圍係定義為從_自贫中心 ΡΗ值減2之ρΗ值至—自該中心阳值加2之阳值，且使該 基板之該表面之該液體具有一最大接觸角之該浸液之pH 119384-1001220.doc U63252 係在該範圍内。。 27. 如請求項26之方法，其中由一液體供應系統提供該浸 液，該液體之一彎液面在該基板之該表面與該液體供應 系統的一部分之間延伸，及以一超過m/s之速度相對 於該部分移動該基板。 28. 如請求項26或27之方法，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減1.5之pH值至一自該中心pH值加1.5之pH值。 29. 如請求項26或27之方法，其中該範圍係定義為從—自該 中心pH值減1.2之pH值至一自該中心pH值加1.2之？只值。 3〇.如請求項26或27之方法，其中該範圍係定義為從一自該 中心pH值減1之pH值至一自該中心pH值加1之pH值。 31.如請求項26或27之方法，其中該範圍係定義為從—自該 中心pH值減0.8之pH值至一自該中心pH值加〇.8之？11值。 119384-1001220.doc •4-