TWI362676B - Field emission pixel tube - Google Patents

Description

1362676 101年01月10日修正^^· 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種場發射裝置，尤其涉及一種場發射像素 管。 [先前技術] [0002] 奈米碳管（Carbon Nanotube，CNT)係一種新型碳材料 ’由曰本研究人員Iijima在1991年發現，請參見 "Helical Microtubules of Graphitic Carbon" S· Iijima，Nature，v〇l.354, p56 (1991 )。奈米 碳管具有極大的長徑比（其長度在微米量級以上，直徑 1 只有幾個奈米或幾十個奈米），具有良好的導電導熱性 月匕，並且還有很好的機械強度和良好的化學穩定性，這 些特性使得奈米碳管成為一種優良的場發射材料。因此 ，奈来碳管在場發射裝置中的應用成為目前奈米科技領 域的一個研究熱點。 _]《米碳管長線係由超順排奈米碳管陣列製備出來的線狀 奈米碳管材料<首先，從超順排奈米碳管陣列抽出奈卡 钃 碳管薄膜’再經錢歸㈣成纖維狀或職轉的方法 擰成繩狀。這種線狀奈米碳管材料具有宏觀的尺度，對 其進行-些操作極為方便。這種奈米碳管長線的端面具 有很好的場發射能力，係一種良好的場發射電子源。 剛場發射像素官係奈米碳管場發射電子源的—個重要應用 領域。先前的場發射像素管包括一個中空殼體，該:體 -有個出光部，該出光部的内壁依次塗覆有營光粉層 和陽極層’該殼體内部與該出光部相對處有—陰極發射 09614561^早编號Αί)1()1 帛4頁/杜97百 1013010859—0 1362676 I ιοί年οι月 i〇 體，該陰極發射體包括一奈米碳管長線作為場發射電子 源。當該場發射像素管工作時’在陽極層和陰極之間加 上電壓形成電場，通過電場作用使陰極發射體尖端發射

V 出電子，電子穿透陽極層轟擊螢光粉層，發出可見光。

[0005] 然而，先前的具有奈米碳管陰極發射體的像素管，因為 要將螢光粉層塗覆在殼體内一表面上，受製備工藝限制 ，幾何尺寸較大，一般發光區域為厘米量級，或更大， 這使得基於奈米碳管的場發射像素管的應用受到了極大 的限制，例如，先前的像素管無法用來組裝具有較高清 晰度的大型戶外顯示器。先前的具有奈米碳管陰極發射 體的像素管’由於製造過程中陰極與陽極需要準確對準 ，製造工藝難度大，良品率低。另外，先前的像素管製 備方法’先將螢光粉層塗覆在殼體内壁上，再在螢光粉 層上沈積一層有機物，然後在有機物層上鍍一陽極層， 最後將有機物蒸發掉，製造工藝較複雜。 [〇〇〇6]有黎於此’提供一種尺寸小，.更易於製造的場發射像素 管實為必要。 【發明内容】 [0007] 一種場發射像素管，其包括一殼體及置於殼體内的一個 陰'極至·夕二個陽極和設置於該陽極表面的螢光粉層， 所述陰極與每個陽極間隔設置，其中，所述陰極進一步 包括至少三個陰極發射體，該至少三個陰極發射體與所 述至少三個陽極-----對應設置，所述每個陰極發射體包 括一電子發射端，該至少三個陰極發射體的電子發射端 分別罪近與之對應的陽極表面設置。 09614561^單編號AQ1Q1 第5頁/共27頁 1013010859-0 1362676 __ 101年01月10日梭正替换頁 [0008] 相較於先前技術，所述的場發射像素管的陰極發射體為 奈米碳管長線，陽極為金屬杆，且每個陽極端面設置有 一種顏色的螢光粉層，該場發射像素管具有以下優點： 第一，通過控制設置有不種顏色的螢光粉層的陽極電壓 ，使所述不同顏色的螢光粉層分別發出不同強度的單色 光從而搭配成不同顏色的混色光，從而實現該場發射像 素管的彩色顯示；第二，這種場發射像素管的體積小， 發光面積可達到毫米量級甚至更小，因此，可用來組裝

具有較高清晰度的大型戶外顯示器；第三，這種場發射 像素管更容易製造，製備成本低，易於實現大規模生產 使用。 【實施方式】 [0009] 以下將結合附圖對本技術方案作進一步的詳細說明。 [0010] 請參閱圖1及圖2，本技術方案實施例提供一種場發射像

素管100，其包括一殼體10，一陰極12，一第一螢光粉層 14，一第二螢光粉層16，一第三螢光粉層18，一第一陽 極15, 一第二陽極17及一第三陽極19。所述陰極12與所 述第一陽極15、第二陽極17及第三陽極19間隔設置於所 述殼體10内。所述陰極12包括一第一陰極發射體121，一 第二陰極發射體122和一第三陰極發射體123。該第一陰 極發射體121、第二陰極發射體122和第三陰極發射體 123分別包括一第一電子發射端125、一第二電子發射端 126和一第三電子發射端17。該第一電子發射端125、第 二電子發射端126和第三電子發射端17分別靠近所述第一 陽極15、第二陽極17及第三陽極19的表面設置。所述第 09614561^^^^ A〇101 第6頁/共27頁 1013010859-0 1362676 • $ [0011] 101年01月10日修正替換頁 一陽極15包括-第-端面⑸，所述第二陽極17包括一第 一端面171 ’所述第二陽極19包括一第三端面所述 第-登光粉層14設置在所述第一陽極15的第一端面151的 表面上所述第一螢光粉層16設置在所述第二陽極I?的 第二端面171的表面上’所述第三螢光粉層18設置在所述 第三陽極19的第三端面ι91的表面上。 所述殼體10為-真空密封的結構。該殼體1〇包括一出光 部11，該出光部1丨與所述第一端面151、第二端面171及 • 第三端面191相對設置。該殼體1〇材料為一透明材料如： 石英石或玻璃。在本技術方案實施例中，該殼體1〇為一 中空透明的玻璃圓柱體，且該殼體直徑為2毫米至1〇毫米 ，尚度為5毫米至50毫米。可以理解，該殼體1〇亦可選擇 為中空透明的立方體、中空透明的三棱柱或其他中空透 明的多邊形棱柱，本領域技術人員可根據實際情況進行 選擇。 [0012] • 所述陰極12進一步包括一陰極支撐體124，該陰極支撐體 124為一導電體，如··金屬絲或金屬杆。該陰極支撐體丨24 形狀不限，且能夠導電並具有一定強度。本技術方案實 施例中所述陰極支撐體丨24優選為鎳絲。所述第一陰極發 射體121、第二陰極發射體122和第三陰極發射體123分 別與所述陰極支撐體124的一端電性連接。該場發射像素 管1〇〇進一步包括一陰極引線13，所述陰極支撐體124遠 離所述第一陰極發射體121、第二陰極發射體122和第三 陰極發射體123的一端通過該陰極引線13連接到所述殼體 1 0外。 09614561^單編號A01〇l 第7頁/共27頁 1013010859-0 1362676 _ 101年01月10日修正替換頁

[0013] 所述的第一陰極發射體121，第二陰極發射體122和第三 陰極發射體123可選自奈米碳管長線、單根奈米碳管、單 根奈米碳纖維或其他場發射電子源。本技術方案實施例 中，所述的第一陰極發射體121，第二陰極發射體122和 第三陰極發射體123均優選為一奈米碳管長線。該奈米碳 管長線的長度為0. 1毫米至10毫米，直徑為1微米至100 微米。該奈米碳管長線係由多個平行的首尾相連的奈米 碳管束組成的束狀結構或由多個首尾相連的奈米碳管束 組成的絞線結構，該相鄰的奈米碳管束之間通過凡德瓦 爾力緊密結合，該奈米碳管束中包括多個定向排列的奈 米碳管。該奈米碳管長線中的奈米碳管為單壁、雙壁或 多壁奈米碳管。該奈米碳管的長度範圍為10〜200微米， 且奈米碳管的直徑小於5奈米。

[0014] 以第一陰極發射體121為例，本實施例中第一陰極發射體 121採用奈米碳管長線，其第一電子發射端125可包括多 個場發射尖端30或係平整的端面。所述第一陰極發射體 121的結構可有效降低該第一陰極發射體121的電場屏蔽 效應。請參見圖3,該第一電子發射端125可包括多個突 出的場發射尖端30。該場發射尖端30的頂端突出有一根 奈米碳管301。請參閱圖4，從第一陰極發射體121中的第 一電子發射端125的掃描電鏡照片可看出該第一電子發射 端125包括多個突出的場發射尖端30。請參閱圖5，從第 一陰極發射體121中的第一電子發射端125的透射電鏡照 片上，可看出第一電子發射端125中的場發射尖端30的頂 端突出有一根奈米碳管301。該第一陰極發射體121中的 09614561^^^^ A0101 第8頁/共27頁 1013010859-0 1362676 ____ • 101年01月10日梭正替换頁 場發射尖端30頂端的奈米碳管301與其他遠離該場發射尖 ' 端30頂端的奈米碳管緊密結合，使得該場發射尖端30頂 ' 端的奈米碳管301在場發射過程中產生的熱量可有效地被 . 傳導出去，並且可承受較強的電場力。可以理解，所述 第二電子發射端126和第三電子發射端127也可包括多個 場發射尖端或係平整的端面》 [咖5] 所述的第一陽極15，第二陽極17和第三陽極19均為一導 電體，如：金屬杆。該第一陽極15，第二陽極17和第三 ^ 陽極19形狀不限，且能夠導熱並具有一定強度。本技術 方案實施例中，所述的第一陽極15，第二陽極17和第三 陽極19均優選為鎳金屬杆。該金屬杆直徑為ι〇〇微米至1 厘米。可以理解，該金屬杆直徑可根據實際需要選擇。 所述第一陽極15，第二陽極17和第三陽極19呈一等邊三 角形放置，其中所述陰極12設置在該等邊三角形的中心 。可以理解，所述第一陽極15，第二陽極17和第三陽極 19之間的位置關係可根據需要進行適當的調整。所述第 φ 一陽極15包括一拋光的第一端面151，第二陽極17包括一 拋光的第二端面171，第三陽極19包括一拋光的第三端面 191。所述第一端面151、第二端面m和第三端面191可 為平面、半球面、球面、錐面、凹面或其他形狀端面。 所述第一端面151、第二端面171和第三端面191可反射 螢光粉層發出鈞光。該場發射像素管1〇〇進一步包括一第 一陽極5丨線20、-第二陽極5丨線21和—第三陽極引線22 。所述第-陽極12遠離其第-端面151的一端，第二陽極 17遠離其第二端面171的—端和第三陽極Η遠離其第三端 09614561#單编號 Α°Ι(Π * 9 胃 / 共 27 頁 1013010859-0 1362676 101年01月10日梭正替換頁 面191的編分別通過該第一陽極引線2〇、第二陽極引線 21和第三陽極引線22電性連接到所述殼體1〇外。 [0016] 所述的第-螢光粉層14，第二螢光粉層16和第三榮光粉 層18分別設置在所述第一端面151、第二端面171和第三 端面191的表面上。所述第—營光粉層14，第二螢光粉層 16和第二螢光粉層a的材料分別為三種不同顏色的螢光 粕。δ電子A擊所述的第一營光粉層14，第二螢光粉層 16和第三螢光粉層18時可發出白光或其他顏色可見光。 所述第-螢光粉層14 ’第二螢光粉層16和第三螢光粉層 18可採用沈積法或塗敷法設置在所述第__端面ΐ5ι、第二 端面171和第三端面⑼的表面上。所述第一螢光粉層14 ,第二螢光粉層16和第三螢光粉層18的厚度為5微米至5〇 微米。可以理解，所述的第一螢光粉層14，第二螢光粉 層16和第三勞光粉層18也可進一步設置在所述第一陽極 15，第二陽極17和第三陽極19的表面其他位置。只要所 述第一陰極發射體121，第二陰極發射體122和第三陰極 發射體123所發射的電子能轟擊到所述的第一螢光粉層“ ，第二螢光粉層16和第三螢光粉層18即可。 [0017] 所述的每個陰極發射體與陽極的設置可為多種位置關係 。以第一陰極發射體121和第一陽極15之間的位置關係為 例：可使第一陰極發射體12ι的第一電子發射端125與所 述第一陽極15的第一端面151可正對設置；奈米碳管長線 與金屬杆軸向可成一銳角設置；第一陰極發射體121的第 一電子發射端125與所述第一陽極15的第一端面151可斜 對設置；可使奈米碳管長線與金屬杆軸向互相垂直或平 09614561^^^ A0101 第10頁/共27頁 1013010859-0 1362676 101年01B 10日修正替換頁 行，使第一陰極發射體121的第一電子發射端125設置在 所述第一陽極15的第一端面151附近。其中，第一陰極發 射體121的第一電子發射端125與所述第一陽極15的第一 端面151之間的距離依據場發射像素管的大小進行調整。 本技術方案實施例中第一陰極發射體121的第一電子發射 端125與所述第一陽極15的第一端面151之間的距離小於 5毫米。

[0018] 可以理解，所述第一陰極發射體121、第二陰極發射體 122、第三陰極發射體123分別與第一陽極14、第二陽極 16、第三陽極18之間的位置關係不限，只需確保所述第 一陰極發射體121的第一電子發射端125、第二陰極發射 體122的第二電子發射端126及第三陰極發射體123的第 三電子發射端127分別靠近所述的第一螢光粉層14，第二 螢光粉層16和第三螢光粉層18即可。因此，該場發射像 素管100中所述第一陰極發射體121、第二陰極發射體 122、第三陰極發射體123與第一陽極14、第二陽極16、 第三陽極18無需精確對準，從而更容易製造。 [0019] 另外，該場發射像素管100進一步包括一位於殼體10内壁 的吸氣劑23，用於吸附場發射像素管100内殘餘氣體，維 持場發射像素管100内部的真空度。該吸氣劑23可為蒸散 型吸氣劑金屬薄膜，在殼體10封接後通過高頻加熱蒸鍍 的方式形成於殼體10内壁上。該吸氣劑23也可為非蒸散 型吸氣劑，固定在所述陰極12上或單獨的一根陰極引線 13上。所述的非蒸散型吸氣劑23材料主要包括鈦、鍅、 給、灶、稀土金屬及其合金。 09614561#單編號 A〇101 第11頁/共27頁 1013010859-0 [0020] [0020] 101年01月10日核正替换百 當該場發射俊「赠01月10 第二陽極17、、:刚工作時，分別在所述第-陽極15、 場，通過電摄第三陽極19和陰極12之間加上電壓形成電 體122和第用使第—陰極發射體121、第二陰極發射 達第一陽^極發射體123發射出電子，發射的電子到 述第-端面151第—陽極丨7和第三陽極19，分別轟擊所 —營光粉層14第第二端面171和第W的第 出可見光装營光粉層16和第三營光粉層18，發 面15卜，中’―部分可見光直接透過與所述第-端 出，另一:面171和第三端面191相對的出光部11射 〇刀可見光則經過第一端面'第-#sl71 和第三端面⑼反射後，透過該出光叫射第出 像素管1〇〇， U射出。遠場發射 第三螢光於居第—螢光粉層14、第二螢光粉層16和 m和第^18分別設置於所述第—蠕面151、第二端面 故㈣β 191的表面上，避免了製備工藝的限制， 、可做到更小，其發光面積可達到亳米量級，可用 來組裝具有較高清晰度的大型戶外顯示ϋ。而且，該場 發射像素管100中所述第一陽極15、第二陽極17、第=陽 極19和陰極12之間無需精確對準，因此’更容易製造。 另外，這種場發射像素管100採用金屬杆作為第—陽極15 、第二陽極17和第三陽極19 ’製備成本低，易於實現大 規模生產使用。 [0021] [0022] 請參閱圖6，本技術方案實施例還進一步提供一場發射像 素管100的製備方法，具體包括以下步驟： 步驟一 ’提供一玻璃芯柱，該玻璃芯柱包括四低金屬絲 分別作為第一陽極引線20，第二陽極引線21，第三陽極 第12頁/共27頁 09614561#單编號 Α0101 1〇13〇1〇859-〇 101年01月10日修正替换頁 1362676 引線22和一陰極引線13。 [0023] 所述的四個金屬絲被玻璃固定，並被玻璃隔開，形成Η形 狀玻璃芯柱。該金屬絲為可實現和玻璃熔封的材料，通 常為杜美絲、鎢絲、鉬絲等。 [0024] 步驟二，提供三個金屬杆作為第一陽極15，第二陽極17 和第三陽極19，並將所述第一陽極15，第二陽極17和第 三陽極19與上述第一陽極引線20，第二陽極引線21和第 三陽極引線22—端分別電性連接。

[0025] 所述第一陽極15，第二陽極17和第三陽極19呈一等邊三 角形放置。可以理解，所述第一陽極15，第二陽極17和 第三陽極1 9之間的位置關係可根據需要進行適當的調整 。將作為第一陽極15,第二陽極17和第三陽極19的金屬 杆的一端通過點焊技術與第一陽極引線20，第二陽極引 線21和第三陽極引線22—端分別電性連接。本技術方案 實施例中，該金屬杆優選的為鎳金屬杆，直徑為100微米 至1厘米。將每個金屬杆的另一端端面拋光，得到拋光的 第一端面151 '第二端面171和第三端面191。該第一端 面151、第二端面171和第三端面191可為平面、半球面 、球面、錐面、凹面或其他形狀端面。 [0026] 步驟三，提供三種顏色的螢光粉層，並將所述三種顏色 的螢光粉分別設置於所述第一端面151、第二端面171和 第三端面191表面上，形成一第一螢光粉層14，一第二螢 光粉層16和一第三螢光粉層18。 [0027] 將上述螢光粉採用塗敷或沈積的方法設置於所述第一端 09614561 卢單編號 Α0101 第13頁/共27頁 1013010859-0 1362676 _ 101年01月10日核正替换頁 面151、第二端面171和第三端面191表面上。所述螢光 粉可為白色螢光粉，也可為單色螢光粉，如紅色，綠色 ，藍色螢光粉等。所述第一端面151、第二端面171和第 三端面191表面上螢光粉的顏色可相同也可不同。 [0028] 步驟四，提供一金屬絲作為陰極支撐體124，並將該陰極 支撐體124與上述陰極引線13 —端電性連接。 [0029] 將陰極支撐體124與陰極引線13—端電性連接的方法為點 焊法。本技術方案實施例中，陰極支撐體124優選為鎳絲

[0030] 步驟五，提供一第一陰極發射體121，一第二陰極發射體 122和一第三陰極發射體123，並將所述第一陰極發射體 121，第二陰極發射體122和第三陰極發射體123與所述 陰極支撐體124遠離陰極引線13的一端電性連接，形成一 場發射像素管100預製體。

[0031] 所述第一陰極發射體121，第二陰極發射體122和第三陰 極發射體123為奈米碳管長線，單根奈米碳管，單根奈米 碳纖維或其他場發射電子源。本技術方案實施例中，所 述第一陰極發射體121，第二陰極發射體122和第三陰極 發射體123優選為奈米碳管長線。其中，該奈米碳管長線 的長度為0. 1毫米至10毫米，直徑為1微米至1毫米。奈米 碳管長線通過導電膠與陰極支撐體124—端電性連接。所 述的每個陰極發射體與陽極的設置可為多種位置關係。 以第一陰極發射體1 21和第一陽極15之間的位置關係為例 :可使第一陰極發射體121的第一電子發射端125與所述 09614561^^^^ A〇101 第14頁/共27頁 1013010859-0 ⑽2676 101年.01月10日修正替换頁 第一陽極15的第一端面151正對設置；可使奈米碳管長線 與金屬杆袖向成一銳角；可使第一陰極發射體12ι的第一 電子發射端125與所述第一陽極15的第一端面ι51斜對設 置；可使奈米碳管長線與金屬杆軸向互相垂直或平行， 使第一陰極發射體121的第一電子發射端丨25設置在所述 第一陽極15的第一端面151附近❶其中，第一陰極發射體 121的第一電子發射端125與所述第一陽極15的第一端面 151之間的距離依據場發射像素管的大小進行調整。本技 | 術方案實施例中第一陰極發射體121的第一電子發射端 125與所述第一陽極15的第一端面151之間的距離小於5 毫米。所述第二陰極發射體122和第二陽極a及第三陰極 發射體123和第三陽極17之間的位置關係與所述第一陰極 發射體121和第一陽極15之間的位置關係可相同也可不同 〇 [0032]奈米碳管長線遠離所述陰極支撐體124的一端可作為第一 陰極發射體121的第一電子發射端125、第二陰極發射體 • 122的第一電子發射端126和第三陰極發射體丨23的第三 電子發射端127。所述第一電子發射端125、第二電子發 射端126和第三電子發射端127可包括多個平行排列且長 度-致的奈米碳管束，也可包括多個突出的場發射尖端 3〇。以製備所述第一陰極發射體121為例，其具體包括以 下步驟： 圆首先，提供-超賴奈米碳管陣_成於基板上。 剛纟次，從上述超順排奈米破管陣列中抽出一奈米碳管薄 膜或-奈米碳管絲’通過使用有機溶劑或者施加機械外 09614561#單贼删1 帛15頁/共27頁 1013010859-0 1362676 ιοί年οι月ίο日核正替換π 力處理該奈米碳管薄膜或者奈米碳管絲得到一奈米碳管 長線。 [0035] 從超順排奈米碳管陣列中抽出一束奈米碳管時，相鄰的 奈米碳管由於凡德瓦爾力的作用而相互連接在一起而形 成一奈米瑞管薄膜或一奈米碳管絲。本實施例中，也可 採用扭轉紡紗技術製備一奈米碳管長線。 [0036] 最後，使上述奈米碳管長線斷裂，從而得到一第一陰極 發射體121。

[0037] 上述使奈米碳管長線斷裂的方法為機械切割法或鐳射燒 灼熔斷法。奈米碳管長線斷裂後，在中斷點形成兩個第 一電子發射端125。其中，採用機械切割法得到的第一電 子發射端125包括多個平行排列且長度一致的奈米碳管束 。採用鐳射燒灼熔斷法得到的第一電子發射端125包括多 個突出的場發射尖端30，且每個場發射尖端30的頂端突 出有一根奈米碳管301。

[0038] 步驟六，提供一玻璃管作為殼體10，將上述場發射像素 管100預製體封裝在玻璃管内，得到一場發射像素管100 〇 [0039] 玻璃管為一端開口，另一端封口的玻璃管。封裝具體包 括以下步驟： [0040] 首先，將上述場發射像素管100預製體通過管壁裝入該玻 璃管内，並對開口進行密封，密封時在密封處留一排氣 孔。 _561产單编號Α0101 第16頁/共27頁 1013010859-0 1362676 101年01月10日修正雜頁 [_] 其次，將該排氣孔外接真空泵，用以將殼體10抽真空， 使殼體10内達到一定的真空度。 t〇〇42] 最後，密封排氣孔，得到一場發射像素管1〇〇。 [_] 可以理解，在封裝上述場發射像素管1〇〇前，進一步還可 在場發射像素管100内設置一吸氣劑23，該吸氣劑23設置 於殼體10内壁。

[0044] 综上所述’本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提 出專利申請》惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例 ’自不能以此限制本案之申清專利範圍。舉凡熟系本荦 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化， 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 [⑻45] 圖1係本技術方案實施例的場發射像素管的結構示旁圖。 [0046] 圖2係圖1的俯視示意圖。 [0047]

圖3係圖1中第一陰極發射體的第一電子發射端的放大厂、 意圖。 [0048] 圖4係本技術方案實施例的第一陰極發射體 射端的掃描電鏡照片》 電子發 [0049] 圖5係本技術方案實施例的第一

射端中場發射尖端的透射電鏡照片》 電子發 [0050] 圖6係本技術方案實施例的場發射像素管 程示意圖。 的製備方法的流 【主要元件符號說明】 第17頁/共27頁 _561产單编號删1 1013010859-0 1362676 101年01月10日核正替換頁 [0051] 殼體：10 [0052] 出光部：11 [0053] 陰極：12 [0054] 陰極引線：13 [0055] 第一螢光粉層：14 [0056] 第一陽極：15 [0057] 第二螢光粉層：16 [0058] 第二陽極：17 [0059] 第三螢光粉層：18 [0060] 第三陽極：19 [0061] 第一陽極引線：20 [0062] 第二陽極引線：21 [0063] 第三陽極引線：22 [0064] 吸氣劑：23 [0065] 場發射尖端：30 [0066] 場發射像素管：100 [0067] 第一陰極發射體：121 [0068] 第二陰極發射體：122 [0069] 第三陰極發射體：123

0%14%1^單编號A〇1〇l 第18頁/共27頁 1013010859-0 1362676

[0070] 陰極支撐體 ：124 [0071] 第一電子發射端： 125 [0072] 第二電子發射端： 126 [0073] 第三電子發射端： 127 [0074] 第一端面： 151 [0075] 第二端面： 171 [0076] 第三端面： 191 [0077] 奈米碳管： 301 101年01月10日按正替換頁

09614561#單編號應01 第19頁/共27頁 1013010859-0

Claims (1)

1. 以σ/6 101年01月10日修正替換頁 七、申請專利範圍： 1 ’ 種場發射像素管’其包括一殼體及設置於該殼體内的一 個陰極’其改良在於，該場發射像素管進一步包括至少三 個陽極和設置於該至少三個陽極表面的螢光粉層，所述陰 極與每一該些陽極間隔設置’其中’所述陰極包括至少三 個陰極發射體，該至少三個陰極發射體與所述至少三個陽 極—對應設置。 2 .如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，所述 每一該些陰極發射體包括一電子發射端，所述的每一該些 電子發射端分別靠近與之對應的陽極表面設置。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，所述 .陰極進一步包括一陰極支撐體，所述每一該些陰極發射體 遠離電子發射端的另一端分別與該陰極支撐體電性連接。 4 ·如申请專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，所述 陽極的數量與陰極發射體的數量相等。 5 .如申請專利範圍第丨項所述的場發射像素管其中，所述 的每-該些陽極進-步包括-端面，所述的勞光粉層設置 在所述每一該些陽極的端面上。 6·如申請專利範圍第丨項所述的場發射像素管，其中，所述 的至少三個陽極表面的營光粉層中包含不同顏色的營光粉 〇

   8 . 如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其申，每一 該些陽極分別通過一陽極5丨線連接到殼體外。 如申請專利範圍第5項所述的場發射像素管其中，所述 的如面為掀光的平面、半球面、球面 錐面或凹面。 第20頁/共27頁 1013010859-0 1362676 101年01月10日梭正替换頁 9.如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，每一 該些陽極為一金屬杆。 10.如申請專利範圍第9項所述的場發射像素管，其中，所述 的金屬杆直徑為100微米至1厘米。 11 .如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，每一 該些陰極發射體為一奈米碳管長線、單根奈米碳管或單根 奈米碳纖維。 12 .如申請專利範圍第2項所述的場發射像素管，其中，所述 的電子發射端包括多個突出的場發射尖端。

   13 .如申請專利範圍第12項所述的場發射像素管，其中，所述 的場發射尖端的頂端突出有一根奈米碳管。 14 .如申請專利範圍第2項所述的場發射像素管，其中，所述 的電子發射端正對陽極表面設置、斜對陽極表面設置或設 置在陽極表面附近。 15 .如申請專利範圍第2項所述的場發射像素管，其中，所述 的每一該些電子發射端與對應的陽極表面的距離小於5毫 米。

   16 .如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，其中，所述 的殼體為一中空透明的圓柱體、中空透明的立方體或中空 透明的三棱柱。 17 .如申請專利範圍第1項所述的場發射像素管，更包括，一 吸氣劑位於殼體内。 09614561#單編號 A〇101 第21頁/共27頁 1013010859-0