TWI362484B - Color sensor with infrared correction and methods thereof - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims 2
- 102100035353 Cyclin-dependent kinase 2-associated protein 1 Human genes 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L31/145—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
- G01J3/513—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters having fixed filter-detector pairs
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/52—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using colour charts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/52—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using colour charts
- G01J3/524—Calibration of colorimeters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
1362484 九、發明說明: 【先前技術】 在右干裝置t,需要量測在若干波長頻帶内光強度之低 廉光搞測器。例如,利用紅色、藍色及綠色LED來蓋生被 感知為一特定色彩之光的光源經常利用在一伺服迴路内 的光偵測器,該伺服迴路在預定位準維持該等之輸 出以補償老化。該等光偵測器係用於藉由量測在三個光 譜頻帶之每一光譜頻帶中該等LED所產生之光來量測每 一LED之輸出。一控制器改變至每一 ίΕΐ)的平均電流, 使得該等所測輸出維持在由欲產生光之感知色彩決定的 目標值。 每一光偵測器一般由一光二極體所組成,該光二極體係 由一顏料遽光器所覆蓋,該顏料滤光器回應於一對應波長 頻帶内的光來限制該等光二極體。來自光二極體之信號係 由入射光,顏料之帶通濾光特性及獨立於到達光二極體之 光強度位準而存在的各種背景信號所決定。該等光獨立信 號係經常稱為”暗電流”。由暗電流產生之誤差可藉由量測 在不存在任何光時光二極體之輸出,帛著從存在光時光二 極體產生之信號中減去所測信號值來加以移除。例如,可 在光偵測器内包括一額外光二極體,其係由一阻擋所有光 不透月層所覆蓋。接著從該等由各種顏料濾光器所覆蓋 之光極體所產生的信號中減去來自光二極體之信號。 不幸的係、,用於廉價光债測器之該等顏料滤光器在光譜 紅外線部分以及在光譜之所需可見區域之頻帶具有明顯透 129322.doc 1362484 射頻帶纟許夕情況下,關注的光源還會包括在光譜紅外 線區域内的光’因此若光源包括大量紅外線光則使用該 些顏料遽光層之-的光二極體所產生的信號可能會包括一 不必要的紅外線背景信號。該紅外線光係由控制中的光源 . 或由向引入光至光感測器輸入内的背景環境光源所產生。 • 在一些先前技術系統中,一紅外線阻擋濾光器係提供於 各種顏料濾光器上以阻擋該不必要紅外線信號。但是,該 額外濾光器會增加光感測器成本。此外,該等紅外線濾光 籲 層在光譜可見區域並非1〇〇%透明,因此該等顏料濾光器 上的添加遽光層會削弱關注光之一部分,因此降低光感測 器之靈敏度。 【發明内容】 本發明包括一光感測器’其產生一第一輸出信號,該第 一輸出信號指示在一第一波長頻帶中從一預定方向所接收 之光強度。該光感測器包括一基板、一第一慮光層及一控 制器。該基板具有從該預定方向接收光的第一及第二光读 測器。該第一及第二光偵測器對光譜紅外線部分内的光及 在該第一波長頻帶内的光敏感,並產生第一及第二光伯測 - 器信號,其指示該等第一及第二光偵測器之每一光偵測器 所接收之光強度。該第一濾光層透射在該第一波長頻帶内 的光以及在光譜紅外線部分内的光,該第一濾光層在光到 達該第二光偵測器之前攔截該光。該第一濾光層阻擋在該 第一波長頻帶外的一部分可見光譜内的光,但不改變該第 一光偵測器所接收之光。該控制器處理該等第一及第二光 129322.doc 1362484 谓測器信號以產生該第一輸出信號,該第一輸出信號比該 第二光偵測器信號更少取決於光譜紅外線部分内的光。 在本發明之另一態樣中,該感測器還可包括一第三光偵 測器與一遮光層’該第三光偵測器產生一第三光偵測器信 號’而該遮光層防止光進入該第三光偵測器。該控制器還 可在產生該第一輸出信號時使用該第三光偵測器來校正暗 電流。 在本發明之另一態樣,額外濾光層及對應光偵測器可併 入以在其他光譜頻帶中提供光強度量測。 【實施方式】 參考圖1 ’可更容易地理解本發明提供其優點之方式, 圖1係利用顏料濾光器之一先前技術光偵測器之一斷面 圖。光偵測器20 —般係由上面製造有4個光二極體之一晶 粒2 1構成。光二極體22-24係分別用來量測由顏料攄光層 2 5-27所決定之三個波長頻帶内的光強度。光二極體28係 由一不透明層29所覆蓋’該不透明層阻擋所有光到達光二 極體2 8並用於量測暗電流。該等顏料濾光器係藉由需要若 干掩膜及沈積步驟之微影蝕刻步驟來加以應用。需要一類 似微影餘刻步驟來施加層2 9。如上所述,該等顏料淚光|| 不會阻擋紅外線光到達該等光二極體。原則上,可在光二 極體22-24上提供一阻擋紅外線光到達該等光二極體之額 外濾光層3 5。但是,此滤光層之製造會大大增加光感測器 成本。此外,每一額外濾光層會減少到達該等光二極體之 光數量,因而會降低該光偵測器之靈敏度。 129322.doc 1362484 本發明藉由包括量測所有入射光(包括紅外線光成分)之 額外光一極體來克服此等問題。該額外光二極體不會干 擾其餘光一極體之操作或要求額外製造步驟❶接著組合來 自該等光二極體之信號以提供信號,其量測針對暗電流及 入射光中存在之紅外線輻射兩者所校正之所需波長頻帶之 每一者的強度。 現參考圖2,其係依據本發明之一光感測器具體實施例 之一斷面圖。在本發明之此具體實施例中,基板36上包括 畺測所有到達光感測器之光的一光二極體3丨。基於此說明 之目的假疋顏料層25係通過在光譜紅色部分中光的一帶 通濾光器,顏料層26係通過光譜綠色部分中光的一帶通濾 光器,而顏料層27係通過光譜藍色部分中光的一帶通濾光 器。所上所述,此等顏料層之每一者對於光譜紅外線部分 中的光係透明的。來自光二極體22_24、28及31之信號分 別由122、123、124、128及131來表示。貝ij 123 = fr*Ired + Id + f26*Ir (1) 124 = fg*Igreen+Id + f27*Ir (2) I22=fb*Iblue+Id+f25*Ir (3) I 3 1 -Ired + Ig reen + Iblue+Id + lr (4) ^28= Id (5) 此處’ fr、fg及fb分別係分別由濾光層25_27透射的在紅 色、綠色及藍色波長頻帶中的光分率。係數f25_f27係在輸 入光中分別由濾光層25-27透射之在輸入光内的紅外線光 分率。而且,Ired、Igreen、Iblue& Ir係在光譜紅色、綠色、 129322,doc 1362484 藍色及紅外線區域中輸入光之強度。最後,Id係暗電流。 基於此範例之目的,假定所有光二極體大小及結構實質完 全相同,因此對於所有光二極體而言,暗電流實質相同。 基於本說明之目的,若個別光二極體之間的差異處於針對 在一傳統積體電路製造線上由相同程序與光罩組所構造之 光二極體所觀察的統計變化内’則認為兩個光二極體具有 實質相同結構及暗電流。 代表透射每一濾光層之光分率的各種係數可針對任何光 感測器來加以量測。例如,可在該等光二極體曝露於各種 波長的單調光源時量測由每一光二極體所產生的該等信 號。因此,以上所示等式系統可藉由控制器37求得、 Igreen 及Iblue以提供校正輸出,即Ired等。 在一具體實施例中,該等顏料濾光層25_27由本質上對 紅外線輻射透明的材料構成。即’ f25 = f26 = f27=l。應注意 到,在此情況下,可藉由丨,替代Id+Ir,故該5等式系統可減 少至一 4等式系統,即 123 = fr*Ired + r (6) 124 = fg*Igrcen + r (7) l22 = fb*Iblue + r (8) I3.=Ired + Ig reen + Iblue+I' (9) 由於’該等關注量係Ired、Igreen及Ib|ue,故該控制器僅需解 答此更簡單等式系統。結果,不再需要量測光二極體2 8之 暗電流。因此’本發明之此具體實施例並不比傳統光感測 器需要更多光二極體。此外,此具體實施例不需要與暗電 129322.doc 10 1362484 流莖測光二極體相關聯之不透明層,因而實質上減少製造 步驟數目* 本發明之上述具體實施例係基於一額外近似現將更詳 細地予以說明。一般而言,第k個光二極體之輸出可由以 下形式寫出 (10) 其中’ k=紅色、藍色或綠&,Tk(x)係作為—波長χ之函數 的第k個濾光層之透射,R(x)係當使用作為波長之一函數 之單位強度光照明第k個光二極體時其所產±的信號而 I(x)係作為波長之-函數的輸人光強度。該積分係在整個 光谱或在至少在所有函數Tk(x)、R(x)及Ι(χ)非零的區域上 執行。此等式可採用以下形式中重新寫為: (Π) 7*= \Tk{x)R(x)l(x)dx+ visible infrared 藉由比較等式⑴)與等式⑴至(5),可看出等式⑴至(3)假定 \rk{x)R{x)l{xyh = ^Ik =fk ^R{x)l{x)dx ( 1 2) 獨立於強度函數I(x)之形狀與渡光函數Tk(x)之形狀。此假 設對於所有光源及顏料遽光層並非確切滿足。但是,本發 明係基^下㈣’即在不需要1外紅外線遽光層下允 許在輸入信號中存在的任何紅外線光之近似校正係十分正 確的。 上述具體實施例利用在可見光譜之紅色、綠色及藍色區 129322.doc 1362484 域内提供帶通濾光的三個彩色顏料濾光層。此類顏料彩色 濃光層為此項技術所了解,因而此處不作詳細說明。基於 本說明之目的’應充分注意到此類濾光器係用於在相機之 積體電路中。但是’還可構造在不同光譜區域中利用濾光 • 層之具體實施例而不脫離本發明之教導。 - 此外’帶通濾光器之數量可不同於上述三個。例如,基 於四個色彩之彩色濾光器系統利用於若干應用中以為色彩 重製提供一延神色域。此類系統通常需要還追蹤4個組成 ® 光源之強度的光感測器。類似地,帶通濾光器與對應光二 極體之數量可能少於3個◊具有一單一光二極體並利用一 回授系統來校正老化效應之光源也為此項技術所了解,而 且需要一在具有红外線背景光之環境内追蹤該光源強度之 光感測器。 本發明之上述具體實施例利用光二極體作為光偵測器。 但是,可利用其他光偵測器形式,諸如光電晶體。 φ 上述本發明之該等具體實施例利用彼此實質完全相同的 光债測器。但是,假定光憤測器所接收之光與光偵測器所 產生之輸出信號之間的關係已矣〇,則可構造其中光偵測器 ' f質相互不同的具體實施例。例如,用來量測由光感測器 接收之總光的光偵測器可具有不同於其他光偵測器的一大 小。在此情況下,將須改變等式⑴·(9)中所示的常數以將 構造差異考慮在内。 從引述說月及附圖中,熟悉本技術人士將明白可對本發 明進行各種修改。因此,本發明將僅受隨附申請專利範圍 129322.doc 12 1362484 限制。 【圖式簡單說明】 圖1係利用顏料濾光器之一先前技術光偵測器之一斷面 圖。 圖2係依據本發明之一光感測器之一具體實施例之一斷 面圖。 【主要元件符號說明】 20
光偵測器 晶粒
22 23 24 25 26 27 29 30 31 35 36 37 光二極體 光二極體 光二極體 顏料濾光層 顏料濾光層 顏料濾光層 光二極體 不透明層 光偵測器 光二極體 額外遽光層 基板 控制器 129322.doc •13·
Claims (1)
- 十、申請專利範圍: 】_ 一種光感測器,其產生一第一輸出信號,該第一輸出信 號指示在一第一波長頻帶中從一預定方向所接收之光強 度,該光感測器包含: 一基板’其具有從該預定方向接收光之第一及第二光 偵測器,該等第一及第二光偵測器對光譜之紅外線部分 内的光以及該第一波長頻帶内的光敏感,該等第一及第 二光偵測器產生第一及第二光偵測器信號,其分別指示 該等第一及第二光偵測器之每一光偵測器所接收之一光 強度; 第一; 慮光層’其透射在該第一波長頻帶内的光以及 在光譜之紅外線部分内的光,該第一濾光層在該光到達 e亥第一光偵測器之前攔截來自預定方向之該光並阻擋該 第一波長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該第一濾 光層不改變該第一光偵測器所接收之光;以及 控制器’其處理該等第一及第二光偵測器信號以產 生S玄第一輸出信號,該第一輸出信號比該第二光偵測器 信號更少取決於該光譜之紅外線部分内的光。 2.如請求項1之光感測器,其進一步包含一第三光偵測器 與—遮光層,該第三光偵測器產生一第三光偵測器信 號,而該遮光層阻止光進入該第三光偵測器,該控制器 利用該第三光偵測器來產生該第一輸出信號。 3 ·如3月求項1之光感測器,其進一步包含一第四光偵測器 第—渡光層,該第四光彳貞測器產生一第四光偵測器 129322.doc 信號而該第二濾光層透射在不同於該第一波長頻帶之一 第一波長頻帶内的光’該第二渡光層在來自該預定方向 之光到達該第四光偵測器之前攔戴該光並阻擋該第二波 長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該第二濾光層不 會改變該第一光偵測器所接收之光,其中該控制器產生 一第一輸出信號’其比該第四光偵測器信號更少取決於 該光譜之紅外線部分内的光。 4·如請求項丨之光感測器,其中該等光偵測器產生具有實 質相同量値之暗電流。 5. 如請求項1之光感測器’其中該等光偵測器彼此實質完 全相同。 6. 如請求項1之光感測器,其中該等光偵測器包含光二極 體。 7. 如請求項1之光感測器’其中該等光偵測器包含光電晶 體。 8. 一種用於產生在一第一波長頻帶中從一預定方向所接收 之光之強度之一第一估測之方法,該方法包含: 提供一具有從該預定方向接收光之第一及第二光偵測 器之基板,該等第一及第二光偵測器對光譜之紅外線部 分内的光以及該第一波長頻帶内的光敏感,該等第一及 第二光偵測器產生第一及第二光偵測器信號,其分別指 示該等第一及第二光偵測器之每一光偵測器所接收之一 光強度; 提供一第一濾光層,其透射在該第一波長頻帶内的光 129322.doc 1362484 以及在該光譜之紅外線部分内的光’該第一濾光層在來 自預定方向之^到達該第二光偵測器之前摘截該光並阻 擋該第一波長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該第 —濾光層不改變該第一光偵測器所接收之光;以及 處理該等第一及第二光偵測器信號以產生該第一估 測,該第一估測比該第二光偵測器信號更少取決於該光 譜之紅外線部分内的光。 如明求項8之方法,其進一步包含提供—第三光偵測器 與一遮光層’該第三光偵測器產生一第三光偵測器信號 而該遮光層阻止光進入該第三光偵測器,並使用該第三 光伯測器信號來產生該第一估測。 10·如請求項8之方法,其進一步包含提供一第四光偵測器 與一第二濾光層,該第四光偵測器產生一第四光偵測器 仏號而該第一遽光層透射在不同於該第一波長頻帶之— 第二波長頻帶内的光,該第二濾光層在來自預定方向之 光到達該第四光偵測器之前攔截該光並阻擋在該第二波 長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該第二濾光層不 會改變該第一光偵測器所接收之光,並產生在一第二波 長頻帶中的一第二光強度估測,該第二估測比該第四光 4貞測器h號更少取決於該光譜之紅外線部分内的光。 11.如明求項8之方法,其中該等光偵測器產生具有實質相 同量値之暗電流。 1 2.如凊求項8之方法,其中該等光偵測器彼此實質完全相 同。 129322.doc 1 3.如凊求項8之方法,其中該等光偵測器包含光二極體。 14. 如請求項13之方法,其中該等光二極體具有實質相同的 大小。 15. 如請求項8之方法’其中該等光偵測器包含光電晶體。 16. 種用於製造一光感測器之方法,該方法包含下列步驟 提供一具有從該預定方向接收光之第一及第二光偵測 器之基板’該等第一及第二光偵測器對光譜之紅外線部 分内的光以及在一第一波長頻帶内的光敏感,該等第一 及第二光偵測器產生第一及第二光偵測器信號,其分別 指不該等第一及第二光偵測器之每一光偵測器所接收之 一光強度;以及 沈積一第一濾光層,其透射在該第一波長頻帶内的光 以及在該光譜之紅外線部分内的光,該第一濾光層在來 自預定方向之光到達該第二光偵測器之前攔截該光並阻 擋在該第一波長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該 第一濾光層不會改變該第一光偵測器所接收之光。 17. 如請求項16之方法,其中該基板進一步包含產生一第三 光偵測器信號的一第三光偵測器,且其中一防止光進入 該第三光偵測器之遮光層係沈積於該第三光偵測器上。 18. 如請求項16之方法,其中該基板進一步包含產生一第四 光偵測Is信號的一第四光偵測器,且其中透射在不同於 該第一波長頻帶之一第二波長頻帶内之光的一第二濾光 層係沈積於該第四光偵測器上,該第二濾光層在來自預 定方向之光到達該第四光偵測器之前攔截該光並阻擋在 129322.doc 1362484 ° 該第二波長頻帶之外的一部分可見光譜内的光,該第二 濾光層不會改變該第一光偵測器所接收之光。 19.如請求項16之方法,其中該等光偵測器產生具有實質相 同量値之暗電流。 . 20.如請求項19之方法,其中該等光偵測器包含具有實質相 同大小的光二極體。129322.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/693,600 US7435943B1 (en) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | Color sensor with infrared correction having a filter layer blocking a portion of light of visible spectrum |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200842432A TW200842432A (en) | 2008-11-01 |
TWI362484B true TWI362484B (en) | 2012-04-21 |
Family
ID=39736418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097107705A TWI362484B (en) | 2007-03-29 | 2008-03-05 | Color sensor with infrared correction and methods thereof |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7435943B1 (zh) |
JP (2) | JP2008275600A (zh) |
CN (1) | CN101276826B (zh) |
DE (1) | DE102008016167A1 (zh) |
TW (1) | TWI362484B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7649220B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-01-19 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Photodetector having dark current correction |
US20080317628A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Fujifilm Corporation | Check sheet |
US20110068426A1 (en) * | 2009-09-22 | 2011-03-24 | Intersil Americas Inc. | Photodiodes and methods for fabricating photodiodes |
DE102010003055B4 (de) * | 2010-03-19 | 2021-08-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensor zur Bestimmung einer Art einer dominierenden Lichtquelle und Messverfahren |
JP5695338B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2015-04-01 | セイコーインスツル株式会社 | 照度センサ |
US8598672B2 (en) | 2011-01-26 | 2013-12-03 | Maxim Integrated Products, Inc | Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip |
US9423296B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Unit for determining the type of a dominating light source by means of two photodiodes |
US8274051B1 (en) | 2011-04-29 | 2012-09-25 | Texas Advanced Optoelectronic Solutions, Inc. | Method and device for optoelectronic sensors with IR blocking filter |
EP2700920B1 (en) * | 2012-08-23 | 2016-06-22 | ams AG | Light sensor system and method for processing light sensor signals |
US8779542B2 (en) | 2012-11-21 | 2014-07-15 | Intersil Americas LLC | Photodetectors useful as ambient light sensors and methods for use in manufacturing the same |
US20140374600A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-25 | Silicon Laboratories Inc. | Ultraviolet Sensor |
KR102071325B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2020-04-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 조도와 물체의 거리를 측정하는 광 센서 |
KR101438194B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2014-11-04 | (주)에이앤아이 | 실시간 영점조절이 가능한 색차계모듈 및 이를 이용한 색상계측기 |
US9978887B2 (en) | 2014-10-28 | 2018-05-22 | Silicon Laboratories Inc. | Light detector using an on-die interference filter |
EP3043159B1 (en) * | 2015-01-08 | 2019-12-18 | ams AG | Method for processing light sensor signals and light sensor system |
US9823131B2 (en) * | 2015-06-02 | 2017-11-21 | X-Rite Switzerland GmbH | Sample target for improved accuracy of color measurements and color measurements using the same |
EP3282234A1 (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-14 | ams International AG | Optical sensor arrangement and method for optical sensing |
WO2018038413A1 (ko) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 삼성전자 주식회사 | 분광기 및 이를 이용한 스펙트럼 측정방법 |
KR102320479B1 (ko) | 2016-08-22 | 2021-11-03 | 삼성전자주식회사 | 분광기 및 이를 이용한 스펙트럼 측정방법 |
TWI630420B (zh) * | 2016-10-14 | 2018-07-21 | 國立中央大學 | 具光衰減裝置的光電元件之校正系統及其校正方法 |
US10145740B2 (en) * | 2017-02-27 | 2018-12-04 | Visera Technologies Company Limited | Sensing multiple peak wavelengths using combination of dual-band filters |
WO2020261408A1 (ja) | 2019-06-26 | 2020-12-30 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | システム、情報処理装置、情報処理方法およびプログラム |
CN115078266A (zh) * | 2021-03-11 | 2022-09-20 | 上海与光彩芯科技有限公司 | 光学***及其设计方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60130274A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-11 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2560210B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1996-12-04 | 工業技術院長 | 受光素子 |
US6211521B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-04-03 | Intel Corporation | Infrared pixel sensor and infrared signal correction |
TW423252B (en) * | 1998-07-30 | 2001-02-21 | Intel Corp | Infrared correction system |
JP2003029730A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 画像評価装置 |
US7323676B2 (en) * | 2001-09-11 | 2008-01-29 | Lumileds Lighting Us, Llc. | Color photosensor with color filters and subtraction unit |
JP2004317132A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Canon Inc | 測色装置及びその測色装置を備えたカラー画像形成装置 |
US7285768B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-10-23 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Color photodetector array |
JP4882297B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2012-02-22 | ソニー株式会社 | 物理情報取得装置、半導体装置の製造方法 |
JP5194363B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 光センサ |
-
2007
- 2007-03-29 US US11/693,600 patent/US7435943B1/en active Active
-
2008
- 2008-03-05 TW TW097107705A patent/TWI362484B/zh active
- 2008-03-28 DE DE102008016167A patent/DE102008016167A1/de not_active Withdrawn
- 2008-03-31 JP JP2008090063A patent/JP2008275600A/ja active Pending
- 2008-03-31 CN CN200810088074XA patent/CN101276826B/zh active Active
-
2011
- 2011-06-22 JP JP2011138462A patent/JP2011209299A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101276826A (zh) | 2008-10-01 |
US7435943B1 (en) | 2008-10-14 |
TW200842432A (en) | 2008-11-01 |
DE102008016167A1 (de) | 2008-10-09 |
CN101276826B (zh) | 2010-06-16 |
US20080237453A1 (en) | 2008-10-02 |
JP2008275600A (ja) | 2008-11-13 |
JP2011209299A (ja) | 2011-10-20 |
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