TWI362122B - Light-emitting diode package structure and method for manufacturing the same - Google Patents

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1362122 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 • 本發明是有關於一種發光二极轴，T.U . .. 極體（Light-emitting DI〇de，· led)封裝結構及其製造方法 • 次且特別是有關於一種 .具有❹熱效能之發光二極體封裝結構及其製造方法。 【先前技術】 赢/對於高功率發光二極體元件而言，如何在其運轉期間迅 參速散熱，以解決元件溫度快速上升'而影響之操作品質'甚 而燒毀元件的問題，為元件運用上相當重要的課題。目前， 種改善發光二極體兀件之散熱問題的方式係朝提升發光 二極體晶粒本身之散熱能力的方向著手，在此攆方式中，係 利用晶片鍵合技術，先將原生之低導熱且不透光基板取下， 再以高散熱且透明之基板取代。 另一種改善發光二極體元件之散熱問題的方式係朝封 裝架構的方向著手。其中一種常見方法係以銲錫或高導熱樹 •脂取代傳統之低導熱樹脂’來固定發光二極體晶粒於金屬基 板或金屬導熱架上。然而，銲錫或高導熱樹脂之熱傳導係數 . 遠小於金屬，而仍無法滿足高功率發光二極體元件之散熱需 求。 另一種方法則係直接在發光二極體晶粒下製作金屬美 板或金屬導熱架，以取代一般利用低導熱樹脂、銲錫或高導 熱树脂來黏合發光二極體晶粒與金屬基板或金屬導熱竿的 技術。然而，金屬基板或金屬導熱架與封裝膠體之間無法達 到穩定且可靠的接合效果，而相當容易引發封裝膠體剝離的 6 1362122 問題。 又一種方法則係直接以金屬核心印刷電路板（metal .core PCB)來取代傳統之玻纖環氧印刷電路板（FR4 PCB)，但 金屬核心印刷電路板t二金屬層之間的介電層的熱傳導率 •不佳’因此對於發光二極體封裝結構之散熱能力的提升相當 有限。 因此，隨著市場對高功率發光二極體元件之需求的曰益 提高’虽需一種可製作出具有高散熱效能之發光二極體封裝 鲁結構的技術。 【發明内容】 因此，本發明之目的就是在提供一種發光二極體封裝結 構，其可利用電鍍技術直接在發光二極體晶粒底面形成金屬 基板，因此發光二極體晶粒與金屬基板之間並無黏著樹脂的 存在，而可大幅提升發光二極體封裝結構之散熱性。 之喪』^ 8月之另—目的是在提供—種發光二極體封裝結構 方法，其在金屬基板之表面上設有陶瓷層，由於陶瓷 層與封裝膠體之間具有較 之接人有較大之接&力，因此可提高封裝膠體 定性進而可增進發光二極體封裝結構之良率與穩 構，至：包本括發：之上述目的，提出-種發光二極體封裝結 -陶究層：於：属金屬基板;一金屬黏著層設於金屬基板上; 對之第-側盥第f著層上;至少—發光二極體晶粒具有相 側與第二側，1 一 嵌設於陶究岸之—矣/、 發先二極體晶粒之第一側 曰. 面中’至少一電極墊設於陶瓷層之前述 7 1362122 至v-導線對應電性連接在至p發光二極體 弟二側上之一第一電極與至少一電極墊之間:以及一封裝膠 體包覆在至少一發光二極體晶粒、至少—導線、至少—電極 墊之至夕彳分、以及陶瓷層之前述表面之至少一部分上。 依照本發明一較佳實施例，前述之陶究層之材料係選自 於由氮化鋁與氧化鋁所組成之一族群。 根據本發明之目的，提出一種發光二極體封裝結構之製 也方法，至少包括：提供一暫時基板，其中暫時基板之一表 面上覆設有一高分子聚合物黏貼層;設置至少一發光二極體 晶粒於高分子聚合物黏貼層中，其中至少一發光二極體晶粒 具有相對之第一側與第二側，且至少一發光二極體之第二侧 嵌=於间分子聚合物黏貼層中；形成一陶瓷層覆蓋在至少一 發光二極體晶粒與高分子聚合物黏貼層上，以使至少一發光 二極體晶粒之第一側嵌設在陶瓷層之一表面中；形成一金屬 黏著層覆蓋在陶究層上；電錢—金屬基板於金屬黏著層上； 移除同分子聚合物黏貼層與暫時基板；設置至少一電極墊 於陶瓷層之前述表面；形成至少一導線電性連接在至少一發 光一極體晶粒之第二側上之第一電極與至少一電極墊之 間；以及形成一封裝膠體包覆在至少一發光二極體晶粒、至 少一導線、至少一電極墊之至少一部A、以及陶兗層之前述 表面之至少一部分上。 依照本發明一較佳實施例，上述設置至少—電極墊之步 驟至少包括利用至少一黏著層，以對應將至少一電極墊黏設 在陶瓷層之上述表面上。 根據本發明之另—目的，提出一種發光二極體封裝結構 8 IJ02I22 之製&方法，至少包括：提供一暫時基板，其中暫時基板之 表面上覆設有一尚分子聚合物黏貼層；設置至少一發光二 ·..極體a曰粒與至少一電極墊於高分子聚合物黏貼層上，其中至 .^發光—極體晶粒與至少一電極墊均具有相對之第一側 、弟侧且至；一發光二極體之第二側與至少一電極墊之 第二側均嵌設於高分子聚合物黏貼層中；形成一陶瓷層覆蓋 在至乂 一發光一極體晶粒、至少一電極墊與高分子聚合物黏 貼層上’以使至少一發光二極體晶粒之第一側與至少一電極 二之第：側嵌設在陶瓷層之一表面中;形成一金屬黏著層覆 盖在陶变層上·’電鑛—金屬基板於金屬黏著層上；移除高分 子聚合物黏貼層與暫時基板；形成至少—導線電性連接在至 少-發光二極體晶粒之第二側上之第—電極與至少一電極 墊之第二側之間；以及形成一封裝膠體包覆在少一 極體晶粒、至少一導線、至少—電極執々復在乂發先— ^ 冤極墊之至少一部分、以及 陶究層之表面之至少一部分上。 依照本發明一較佳實施例’上述之高分子聚合物黏貼層 w 係一雙面膠帶。 【實施方式】 本發明揭露一種發光二極體封裝处 衣、、·。構及其製造方法。為 了使本發明之敘述更加詳盡與完備， j翏照下列描述並配合 第1圖至第16圖之圖式。 請參照第1圖至第8圖，其係繪示依照本發明一較 施例的一種發光二極體封裝結構之贺 胃 成程剖面圖，其中的第 2A圖係繪示一種發光二極體晶粒型式 、

式的剖面示意圖，第2B 9 係繪示另一種發4： _ i也

一極體晶粒型式的剖面示意圖，第 圖則係繪示第2A圖盥 向弟2C 中，製作發光二極體封㈣n範實施例 於暫時基㈣。之=2结構：’先提供暫時基板，並 表面102上覆蓋一層具有黏性之高分 合物黏貼層104，釦货，门 如第1圖所示。在一實施例尹，高分子 合物黏貝占層104可為—雔而政盤社卞# ^ 巧雙面膠帶。接下來，提供一或多個發 光一極體晶粒，例如笛1 A jgj & _ 如第2Α圖所不之水平導通型的發光二極 體晶粒106a、或者箆

在弟2B圖所不之垂直導通型的發光二極體 晶粒 106b，其中窃 r光一極體日曰粒i〇6a與發光二極體晶粒 雜分別具有相對之第一側110&與108a、以及相對之第— 側ll〇b與108b。並將發光二極體晶粒1〇6&或i〇6b設置在 高分子聚合物|纟貼層104中，而使發光二極體晶粒1〇以之 第一側108a、或發光二極體晶粒丨〇6b之第二側1 〇朴嵌設 在高分子聚合物黏貼層104中，並使發光二極體晶粒1〇以 之第一側110a或發光二極體晶粒l〇6b之第一側1][〇b暴露 出，如第2 C圖之上視圖所示。如第2 a圖所示之實施例， 水平導通型的發光二極體晶粒l〇6a至少包括具有不同電性 之二電極112a與114a，例如一者為ρ型電極且另—者為N 塑電極，其中此二電極Ii2a與I14a均同位於發光二極體晶 粒106a之第二侧108a上，且這些電極ii2a與U4a均埋設 在高分子聚合物黏貼層104之中。另一方面，如第2B圖所 示之實施例’垂直導通型的發光二極體晶粒1 〇6b至少包括 一電極112b，其中此電極112b位於發光二極體晶粒丨〇6b 之第二側108b上’且電極112b埋設在面分子聚合物黏貼層 104之中。在另一實施例中，垂直導通型的發光二極體晶粒 10 1362122 可：括具不同電性之二電極，且這些電極分別位於發光二極 粒之相對二側，如第2B圖所示之發光二極體晶粒⑺补 :—側108b與第一側UOb。以下製程以水平導通型之發 光二椏體晶粒106a作為舉例說明。 接著’利用例如沉積方式形成陶瓷層U6覆蓋在發光二 極體阳粒l〇6a與高分子聚合物黏貼層刚上。由於發光二 極體阳粒106a之第-側I1Ga突出於高分子聚合物點貼層

1〇4 ^面，因此當陶变層116形成後，發光二極體晶粒购 之第一側UOa可嵌設在陶£層116與發光二極體晶粒_ 接口的表面118中’如第3圖所示。在—實施例卜陶竞層 之材料可選自於由氮化紹（A1N)與氧化铭⑷㈣所组成 之-族群。由於陶究層116具有極佳之導熱性，因此陶究層 1 一 Μ直接形成在發光二極體晶粒1()6&之底面上，可將發光 -極體晶粒106a運轉時所產生之熱迅速傳導而出，而可快 速降低發光二極體晶粒丨06a之操作溫度。 …如第4圖所示’待陶究層116形成後，利用例如沉積方 式形成金屬黏著層120覆蓋在陶瓷層116上，以利後續形成 之金屬基板m(請先參照第5圖）能順利成長且穩固接合於 陶£層116之上。金屬黏著層12〇可包括依序堆疊在陶竟層 116上之鎮層、銀層與金層，亦即金屬黏著層120可包括一 鎳層/銀層/金層結構。 -接著，利用例如電鍍方式形成金屬基板122覆蓋在金屬 黏著層120上’而形成如第5圖所示之結構。在一實施例令， 金屬基板122之材料可選自於由銅與銅合金所組成之一族 ^在另一實施例中’金屬基板I”之材料可選自於由錦與 1362122 鎳合金所以之-料4於發光二極體晶粒⑽a之底面 係直接與導熱性佳之陶瓷層116接合，而陶瓷I ιΐ6之底面 又依序接合有高導熱性之金屬黏著層12〇與金屬基板122， 因此發光二極體晶粒106a所產生之熱可經由陶瓷層116、 金屬钻著層120與金屬基板122而迅速傳導出。 /寺金屬基板12 2形成後，可利用有機溶劑，例如丙酮， 高分子聚合物黏貼層104’藉以使暫時基板⑽與發 極體晶粒106a及發光二極體晶粒106&所設的金屬基板 ^刀開同分子聚合物黏貼層丨〇4與暫時基板1〇〇移除 後，暴露出發光二極體晶粒1〇6a之第二側Mb、設於第二 側1〇8a上之電極U2a與114a、以及陶瓷層116之表面118, 如第6圖所示。 。月參照第7圖，由於發光二極體晶粒1〇6&之二電極 112a，U4a均位於發光二極體晶粒1〇6&之第二側1〇8&， _匕提仏一電極墊128，以分別對應電極llh與114^在 丁範實鉍例中，這些電極墊128可透過黏著層130而貼附 陶瓷層116之暴露表面118上，其中黏著層13〇之材料可 】如為％氧樹脂。在—實施例中，每個電極墊至少包括 序隹且在陶瓷層116之表面118上之氧化鋁層124以及金 屬層 12 6，宜》Φ μ /、Τ金屬層丨26之材料可為金，而氧化鋁層124 ^ 藍寶石板’亦即電極墊128可為鍍有金之藍寶石板。 13著利用例如打線接合（Wire Bonding)方式形成二導線 32以分別電性連接這些電極墊128之金屬層126與位於 务先—極體晶粒1()6&之第：側lG8a上之對應電極U2a及 如第7圈所示。在另一實施例中，當發光二極體晶粒 12 ^62122 蛀米用如帛2B圖所示之垂直導通型發光二極體晶粒 時’發光二極體晶粒106b所暴露出之第二側1〇朴上僅設有 :極112b’因此可僅在陶竞層川之暴露表自ιΐ8上設置 -電極墊m即可’並形成一導· 132來電性連接電：墊 8之金屬層126與發光二極體晶粒l〇6b之第二侧1〇8b 的電極112b。 然後，形成封裝膠體（Encapsulant)134完全包覆住發光 二極體晶粒106a與導線132，並包覆住電極墊128之^少 •-部分以及陶瓷Μ 116之暴露表自118之至少_冑分上，： 元成發光二極體封裝結構136之製作，如第8圖所示。在— 實施例中，可利用點膠機（Dispenser)來對發光二極體晶粒 腕進行封膠動作。封裝膝體134之材料可例如為石夕膠 (Silicone)或環氧樹脂。 請參照第9圖至第16圖，其係繪示依照本發明另一較 佳=施例的一種發光二極體封裝結構之製程剖面圖。在另— 示範實施例中，製作發光二極體封裝結構時，先提供暫時基 •板，並於暫時基板200之表面2〇2上覆蓋一層具有黏： 之高分子聚合物黏貼層204,如第9圖所示。在一實施例中， . 高分子聚合物黏貼層204可為一雙面膠帶。接下來，提供一 •或多個發光二極體晶粒206,其令發光二極體晶粒2〇6係水 平導通型的發光二極體晶粒，然在其他實施例中，亦可提供 • 如第2B圖所示之垂直導通型的發光二極體晶粒1〇6b。發光 . 二極體晶粒206具有相對之第一側210與208。接著，提供 二電極墊220,其十每個電極墊22〇具有相對之第一側238 與第二側236。再將發光二極體晶粒2〇6與電極墊22〇同時 13 1362122 設置在高分子聚合物黏貼層204中，而使發光二極體晶粒 206之第二側208、以及電極墊22〇之第二側236嵌設在高 分子聚合物勒貼層204中，並使發光二極體晶粒2〇6之第一 側210與電極墊220之第一側238暴露出，如第ι〇圖所示。 在本示範實施例中，水平導通型的發光二極體晶粒2〇6至少 包括具有不同電性之二電極212與214,例如一者為p型電 極且另一者為N型電極，其中此二電極212與2i4均同位 於發光二極體晶粒2〇6之第二側208上，且這些電極212 與214均埋設在高分子聚合物黏貼層204之中。因此，提供 一電極墊220 ’以分別對應於發光二極體晶粒2〇6之電極22 與 214。 在另一實施例令，當發光二極體晶粒係採用如第2B圖 所不之垂直導通型發光二極體晶粒1 〇6b時，發光二極體晶 粒106b所暴露出之第二側108b上僅設有電極Ii2b，因此 可僅設置—電極墊220於高分子聚合物黏貼層204中即可。 在一示範實施例中，每個電極墊22〇至少包括依序堆疊在高 分子聚合物黏貼層204上之金屬層218與氧化鋁層216，其 中金屬層218之材料可為金，而氧化鋁層216可為一藍寶石 板，亦即電極墊220可為鍍有金之藍寶石板.當電極墊22〇 壓設在高分子聚合物黏貼層204之中時，電極墊22〇之金屬 層218較佳係完全埋設在高分子聚合物黏貼層2〇4中。 接著，利用例如沉積方式形成陶瓷層222覆蓋在發光二 極體晶粒206之第一側21〇、電極塾22〇之第一側238、與 高分子聚合物黏貼層2〇4上。由於發光二極體晶粒2〇6之第 一側210與電極墊22〇之第一側23 8均突出於高分子聚合物 14 1362122 黏貼層204表面，因此當陶瓷層222形成後，發光二極體晶 粒206之第一側21〇與電極墊22〇之第一側238的氧化鋁層 ·. 216可嵌設在陶瓷層222與發光二極體晶粒2〇6接合的表^ 224中，如第11圖所示《«在一實施例中，陶瓷層222之材 料可選自於由氮化鋁與氧化鋁所組成之一族群β由於陶瓷層 222具有極佳之導熱性，因此陶瓷層222直接形成在發光二 極體晶粒206之底面上’可將發光二極體晶粒2〇6運作時所 產生之熱迅速導出，而可快速降低發光二極體晶粒206之操 作溫度。 如第12圖所示，待陶瓷層222形成後，利用例如沉積 方式形成金屬黏著層226覆蓋在陶瓷層222上，以利後續形 成之金屬基板228(請先參照第丨3圖所示）能順利成長且穩 固接合於陶瓷層222之上。金屬黏著層226可包括依序堆疊 在陶瓷層222上之鎳層、銀層與金層，亦即金屬黏著層226 可包括一鎳層/銀層/金層結構。 接著，利用例如電鍍方式形成金屬基板228覆蓋在金屬 黏著層226上，而形成如第13圖所示之結構。在一實施例 中，金屬基板22 8之材料可選自於由銅與銅合金所組成之一 *私群。在另一實施例中，金屬基板228之材料可選自於由鎳 •與鎳合金所組成之一族群。由於發光二極體晶粒206之底面 係直接與導熱性佳之陶瓷層222接合，而陶瓷層222之底面 又依序接合有高導熱性之金屬黏著層226與金屬基板228， 因此發光二極體晶粒206所產生之熱可經由陶瓷層222、金 屬黏著層226與金屬基板228而快速導出。 完成金屬基板228之成長後，可利用有機溶劑，例如丙 15 1362122 獅’來移除高分子聚合物黏貼層204，藉以使暫時基板200 與發光二極體晶粒206及發光二極體晶粒206所設的金屬基 板228分開。高分子聚合物黏貼層204與暫時基板2〇〇移除 後，暴露出發光二極體晶粒2〇6之第二側2〇8 '設於發光二 極體晶粒206之第二側208上之電極212與214、電極墊220 之第二侧206的金屬層218、以及陶瓷層222之表面224， 如第14圖所示。

，接著，利用例如打線接合方式形成二導線23〇，以分別 電性連接這些電極墊22〇之金屬層218與位於發光二極體晶 粒206之第二侧208上之對應電極212及214，如第丨5圖 所示。在另一實施例中，當發光二極體晶粒係採用如第2b 圖所示之垂直導通型發光二極體晶粒1〇61?時，發光二極體 晶粒106b所暴露出之第二側1〇扑上僅設有電極，且 陶瓷層222之暴露表面224僅設有一電極墊22〇，因此可僅 形成一導線230來電性連接電極墊 屬層2 1 8與發光二極體晶粒丨〇6b 220之第二側236上的金 之第二側108b上的電極 112b- 然後，可利用點膠機來形成封裝膠體232完全包覆住發 光二極體晶粒206與導線23()，並包覆住電極墊22。之至少 -部分以及陶U 222之暴露表面224之至少—部分上，而 完成發光二極體封裝結構234之製作，如第16圖所示。封 裝膠體232之材料可例如為矽膠或環氧樹脂。 β由上述之示範實施例可知，本發明之實施例之-優點就 是因為發光二極體封裝纟士播Λ 裝、。構可利用電鍍技術直接在發光二 極體晶粒底面形成金屬基板，因此發光二極體晶粒與金屬基 16 1362122 板之間並無黏著樹脂的存在， 結構之散熱性。 在而了大幅鍉升發光二極體封裝 由上述示範實施例可 光二極體封裝結構之製造方：發明之另一優點就是因為發 陶究層，由於陶二封=係在:屬基㈣^ 此可提高封裝谬體之接合^靠产之S具。有較大之接合力’因 裝結構之良率與穩定性。义’而可增進發光二極體封 雖’’、、本發明已以-較佳實施例揭露如上，缺1並非用以 限定本發明，任何在. 上"、、其並非甩以 離本菸1領域令具有通常知識者，在不脫 離本發明之精神和範圍内， 本發明之伴m A、B s 了作各種之更動與潤飾，因此 “圍“見後附之申請專利範園所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖至第8圖係拎千# _丄々 双 S 、依…、本發明一較佳實施例的一種 發光二極體封裝結構之製程也例的種 種發光二極體晶粒型式的音’、2A圖係繪示- 八的剖面不意圖，第2B佴洽-e 絲 光二極體晶粒型式的剖面音 ，'、-不 2A圖與第2B圖之上視圖。… 2C圖則係繪示第 第9圖至第丨6圖係㈣依照本發明另 -種發光二極體封裝結構之製程剖面圖。 则的 【主要元件符號說明】 1〇〇:暫時基板 m:表面 104:高分子聚合物黏貼層 106a:發光二極體θ

^ _ ••發光二極ItU 17 1362122

108a 第二側 110a 第一側 112a 電極 114a 電極 118 : 表面 122 ： 金屬基板 126 : 金屬層 130 : 黏著層 134 : 封裝膠體 200 ·· 暫時基板 204 : 高分子聚合物黏貼層 206 ： 發光二極體晶粒 210 ： 第一側 214 ： 電極 218 ： 金屬詹 222 ： 陶瓷層 226 ： 金屬黏著層 230 ： 導線 234 ： 發光二極體封裝結才肩 236 ： 第二側 108b ：第二側 110b :第一側 112b :電極 116 :陶瓷層 120 :金屬黏著層 124 :氧化鋁層 128 :電極墊 132 :導線 136 :發光二極體封裝結構 202 :表面 208 :第二側 212 :電極 21 6 ··氧化鋁層 220 :電極墊 224 :表面 2 2 8 :余屬基板 232 :封裝膠體 238 :第一側 18

Claims (1)

1362122 f11牟10卓12藤▲換頁 ‘補态I !十、申請專利範圍 l —種發光二極體封裝結構，至少包括： • 一金屬基板； • 一金屬黏著層，設於該金屬基板上； .一陶瓷層，設於該金屬黏著層上； 至少一發光二極體晶粒，具有相對之一第一側與一第二 側，其中該至少一發光二極體晶粒之該第叫則嵌設：該陶究 鲁層之一表面中； 至少一電極墊，嵌設於該陶瓷層之該表面中； 至少一導線，對應電性連接在該至少—發光二極體晶粒 之該第二側上之一第一電極與該至少一電極墊之間；以及 一封裝膠體，包覆在該至少一發光二極體晶粒、該至少 一導線、該至少一電極墊之至少一部分、以及該陶瓷層之該 表面之至少一部分上。 • 2.如申明專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構，其中該金屬基板之材料係選自於由銅與銅合金所組成之 一族群。 3·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構’其中該金屬基板之材料係選自於由鎳與鎳合金所組成之 一族群。 4.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 1362122 礙- 構’其中該金屬黏著層句杯 拍a/ζβ a, ~Γ~Ζ----------^ 增巴栝一鎳層/銀層/金層（Ni/Ag/Au)結 構0 之一族群 5.如申咕專利範圍第i項所述之發光二極體封裝結 構’其中該陶瓷層之材料係選自於由氮化鋁與氧化鋁所組成 6. 如申月專#!範圍第i項所述之發光二極體封裝結 構’其中該至少·"電極塾至少包括依序堆疊在㈣£層之該 表面上一氧化銘層以及—金屬層。 7. 如申請專利範圍帛6項所述之發光二極體封裝結 構’其中該金屬層之材料為金。 8 ·如申η月專和範目帛6 ;^所述之發光二極體封裝結 構’其中該金屬層不與該陶瓷層接觸。 9.如申請專利範圍第i項所述之發光二極體封褒結 構，其中該封裝膠體之材料為矽膠或環氧樹脂。 H).如申請專利範圍第i項所述之發光二極體封裝結 構’其中該至少一發光二極體晶粒係一垂直導通型發光二極 體晶粒。 U.如申請專利範圍第i項所述之發光二極體封裝結 20 1362122 .,¾.. .·；二 構，其中該至少一發光二極體晶粒係一水^•導二極 體晶粒，且該發光二極體封裝結構包括二電極墊與二導^， 2中該些電極墊分別it過該#導線而對應電性連接該至少 一發光二極體晶粒之該第二側的該第—電極與一第二電極。 12.如申請專利範圍第i項所述之發光二極體封裝結 構’更至少包括至少-黏著層，以對應將該至少—電極塾黏 設在該陶瓷層之該表面上。 13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝結 構’其中該黏著層之材料為環氧樹脂。 14. 一種發光二極體封裝結構之製造方法，至少包括： 一提供一暫時基板’其中該暫時基板之一表面上覆設有一 高分子聚合物黏貼層； -X置至少-發光二極體晶粒與至少一電極墊於該高分 子聚合物黏貼層上，其中該至少一發光二極體晶粒盥該至少 -電極墊均具有相對之一第一側與一第二側，且該至二發 光二極體之該第二側與該至少一電極墊 电桠蛩之该第二側均嵌設 於該高分子聚合物黏貼層中； 形成-陶究層覆蓋在該至少一發光二極體晶粒、該至少 電極墊與该尚分子聚合物黏貼層上，以使該至少—發光二 極體晶粒之該第一側與該至少一電 7 电规它&适第—側嵌設在 *亥陶瓷層之一表面中； 形成一金屬黏著層覆蓋在該陶瓷層上； 21 1362122 電鍍一金屬基板於該金屬黏著層上；ι 移除該高分子聚合物黏貼層與該暫時基板； 形成至少一導線電性連接在該至少一發光二極體晶粒 之該第二側上之一第一電極與該至少一電極墊之該第二側 之間；以及 形成一封裝膠體包覆在該至少一發光二極體晶粒、該至 少一導線、該至少一電極墊之至少一部分、以及該陶瓷層之 該表面之至少一部分上。 15.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法’其中該局分子聚合物黏貼層係一雙面膠帶。 16. 如申請專利範圍第μ項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法，其中該至少一電極墊至少包括依序堆疊在該 陶瓷層之該表面上之一氧化鋁層以及一金屬層，且該氧化鋁 層之一部分嵌設在該陶瓷層之該表面中。 17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體封裝妹 構之製造方法’其中該金屬層之材料為金。 1 8.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法，其中該至少一發光二極體晶粒係一垂直導通 型發光二極體晶粒。 19.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 22 I £* } 1362122 2^11 ^10 % I '；；：' 4 構之製造方法，其申該至少一發光二極體平i通 » : 型發光二極體晶粒並包括一第二電極設於該第二侧，且設置 該至少〆發光_一極體晶粒與該至少一電極藝之步驟包括設 ’ 置二電極墊分別對應於該第一電極與該第二電極，而形成該 • 至少一導線之步驟係形成二導線以分別電性連接該些電極 塾與對應之該第一電極與該第二電極。 20. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法，其中該陶瓷層之材料係選自於由氮化鋁與氧 化铭所組成之一族群。 21. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法，其中該金屬黏著層包括一鎳層/銀層/金層結 構。 22.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 籲構之製造方法，其中該金屬基板之材料係選自於由銅與銅合 金所組成之一族群。 23. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法，其中該金屬基板之材料係選自於由鎳與鎳合 金所組成之一族群。 24. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結 構之製造方法’其中該封裝膠體之材料為矽膠或環氧樹脂。 23