TWI358074B - Reducing fast ions in a plasma radiation source - Google Patents

Description

1358074 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於一微影裝置 漿輻射源。 '"電 【先前技術】

微影裝置係一種將所要之圖案施加至基板上，通常施加 至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於（例如） 體電路（ic)之製造卜在彼情況下，—或者稱為光罩或主 光罩之圖案化元件可用於產生待形成於冗之個別層上的電 路圖案。可將此圖案轉印至一基板（例如，矽晶圓）上之— 目標部分（例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分）上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上 ⑽劑)層上而達成。—般而言，單—基板將含有= 圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影裝置包括所謂 的步進器’其中藉由-次性將整個圖案曝光至目標部分上 而照射每一目標部分；及所謂的掃描器纟中藉由在一給 定方向（"掃描"方向）上經由輻射光束掃描圖案同時平行或 反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。亦 有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化元件轉 印至基板。 為了減小元件之臨界尺寸，微影投影裝置可配置有一用 於EUV輻射之ϋ射源。該用於刪輻射之輕射源可為放電 電漿輻射源，纟中在陽極與陰極之間之物質(例如，氣體 或蒸氣）中產生電漿且纟中可藉由流過該電漿之（脈衝式）電 127842.doc 1358074 流之歐姆加熱來產生高溫放電電漿。 用於EUV微影術之基於放電之現有Euv源係基於電漿自 束效應。作為電漿自束之額外產物，出現可隸微影術裝 置中之光學器件的快速離子。EUV輻射源中之快速離子之 月匕里的量及分布取決於一脈衝中之能量之量。一脈衝之能 量愈大，快速離子之數目及其平均能量愈大且因此對光學 器件之濺鍍速率愈大。 【發明内容】 需要（例如）提供一種電襞輻射源，其中減少快速離子形 成。 根據本發明之一態樣，提供一種輻射源，其包含： 一陽極及一陰極，其經組態及經配置以在該陽極與該陰 極之間之一放電空間之一物質中產生一放電且形成一電漿 以便產生電磁輻射； 第一活化源，其經配置以將一第一能量脈衝引導至該 輻射源中之一在該放電空間附近的第一光點上以便產生一 觸發該放電之主要電漿通道；及 一第二活化源，其經配置以將一第二能量脈衝引導至該 輻射源中之一在該放電空間附近的第二光點上以便產生一 額外電聚通道’㈣二光點係一不同於該第—光點之光點 且該第二活化源經配置以在該放電期間產生該第二能量脈 衝。 根據本發明之另一態樣，提供—種微影裝置，其包含： 一輻射源，其包含： 127842.doc 一陽極及一陰極，其經組態及經配置以在該陽極與該陰 極之間之一放電空間之一物質中產生一放電且形成一電漿 以便產生電磁輻射； 第一活化源，其經配置以將一第一能量脈衝引導至兮 輕射源中之一在該放電空間附近的第一光點上以便產生_ 觸發該放電之主要電漿通道；及 —第二活化源，其經配置以將—第二能量脈衝引導至該 輻射源中之一在該放電空間附近的第二光點上以便產生一 額外電漿通道，該第二光點係一不同於該第一光點之光點 且該第二活化源經配置以在該放電期間產生該第二能量脈 衝； 一照明系統，其經組態以將該電磁輻射調節成一輻射光 束； -支撐件’其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元 件此夠在該轄射光束之橫截面中㈣予該輻射光束—圖案以 形成一經圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；及 才又〜系統，其經組態以將該經圖案化之輕射光束投影 至該基板之一目標部分上。 根據本發明之另—離描袒 I、樣’ k供一種產生輻射之方法，其 包含： 產j一在-輻射源之—陽極與—陰極上之電壓； :第月b量脈衝引導至在該輕射源中之一第一光點」 以便產生一觸發在該陽極與該陰極之間的一放電之主要1 127842.doc 1358074 漿通道； 將一第二能量脈衝引導至在該輻射源中之一第二光點上 以便產生一在該陽極與該陰極之間的額外電漿通道，兮第 二光點係一不同於該第一光點之光點且該第二能量脈衝係 在該放電期間產生。 〃 【實施方式】 圖1示意性地描繪一根據本發明之一實施例的微影 置。該裝置包含： 如、

一照明系統（照明器）IL，其經組態以調節一輻射光束 B(例如’ UV輻射或EUV輻射）； 一支撐結構（例如，光罩台）MT，其經建構以支撐—圖案 化元件(例如，光罩)MA且連接至一第一***叫，該第 -定位IIPM經組態以根據特定參數而準確地定位、 化元件； /系 -基板台(例如，晶圓台)WT’其經建構以固持—基相

(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓）w且連接至一第二定=器 PW，該第二***pw經組態以根據特定參數 ; 位該基板；及 4 一投影系統（例如’折射型投影透鏡系統）PS，其經组離 :由圖案化元件MA賦予至輻射光心之圖案投影至: 板W之-目標部分c(例如，包含一或多個晶粒）上。 的可包括用於引導、成形或控制輕射之各種類型 、 4如折射、反射、磁性、電磁、靜電戍其他 類型之光料件或其任何組合。 電或其他 127842.doc •9· 1358074 該支撑結構以取決於圖案化_之定向、微影裝置之設 计及諸如圖案化儿件是否固持真 方式固持圖案化元件。支樓結構可使用二之= 或其他夾持技術來m持圖案化元件4撐結構 固定的或可移動的，例如框架或台。切結構可確保圖ί 化兀件(例如)相對於投影系統處於所要 == 術語”主光罩”或”光罩"之任何使用均與更通用之術 3。圖案化元件"同義。

應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義解釋為指代 可用以在-輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束—圖案以 在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意， 舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵：所 謂的辅助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目 標部分中的所要圖t。大體而言，被賦予至輻射光束之圖

案將對應於元件（諸如積體電路）中正在目標部分中形成之 一特定功能層。 圖案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例 包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程SKLCD面板。光罩 在微影術中係熟知的，包括諸如二元交變相移及衰減相 移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可 個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡 面將一圖案賦予由鏡面矩陣反射之輻射光束中。 本文中所使用之術語”投影系統，，應廣義解釋為涵蓋任何 127842.doc 1358074 類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁性、電 磁及靜電光學系統’或其任何組合’只要其適用於所使用 之曝光輻#，或適合於諸如浸液之使用5戈真空之使用的其 他因素。可認為本文中對術語，，投影透鏡"之任何使用與更 通用之術語"投影系統，’同義。 如此處所描繪，該裝置為反射型（例如，採用反射光 罩）。或者，該裝置可為透射型（例如，採用透射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）之類型。在該等"多平臺”機器 中，可並灯使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個 台及/或支撐結構上執行預備步驟同時將一或多個其他台 及/或支撐結構用於曝光。 微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可被 具有相對較局之折射率的液體（例如，水）所覆蓋以便填充 投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液塗覆至微影裝置 中之其他空間，例如’在光罩與投影系統之間的空間。浸 沒技術在此項技術中係熟知的以用於增加投影系統之數值 孔徑。如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂將諸如基板 之結構淹沒於液體中’而僅意謂在曝光期間液體位於投影 系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自一電漿輻射源s〇接收一輻射光 束。該電漿輻射源SO與微影裝置可為獨立之實體。在該等 狀況下’不認為該輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光 束借助於包含（例如）合適之引導鏡面及/或光束放大器的光 127842.doc ί S ) 1358074 束傳遞系統BD而自電漿輻射源s〇傳遞至照明器比。電漿 輻射源so及照明器江與光束傳遞系統81)可視需要一起被 稱作"輻射系統·^ 照明器IL可包含一經組態以調節輕#光束之角強度分布 的調節器。大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之 強度分布的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別稱 作σ-外（σ-outer)及σ_内（(j_inner))。另外，照明器IL可包含 諸如積光器及聚光器之各種其他組件。照明器可用以調節 輕射光束以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 賴射光束B入射於固持在支撐結構（例如，光罩台）mt上 之圖案化元件（例如，光罩）]^人上，且由圖案化元件圖案 化。穿越圖案化元件MA後，輻射光束b穿過投影系統ps， 才又影系統PS將該光束聚焦至基板w之一目標部分c上。借 助於第二***PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元 件、線性編碼器或電容式感測器），基板台WT可準確地移 動’（例如）以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分 C °類似地’（例如）在自光罩庫以機械方式獲取之後或在 掃描期間’第一***PM及另一位置感測器IF1可用以相 對於輻射光東B之路徑準確地定位圖案化元件MA。一般而 吕’支樓結構MT之移動可借助於形成第一***pm之部 分的一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模組（精定位）而實 現。類似地，基板台WT之移動可使用形成第二定位sPW 之部分的一長衝程模組及一短衝程模組而實現。在步進器 (與掃瞒器相對）之狀況下，支撐結構MT可僅連接至一短衝 127842.doc • 12· 1358074 程致動器，或可為间中μ 二 .。可使用圖案化元件對準桿 肘卜⑽及基板對準標㈣ ^準標記 ㈣μ。德〜 2來使®案化π件μα及基板 ’’ .· e說明之基板對準標記佔據專用目標部分， 但其可位於目標部分之間的空間（此等已知為劃道對準桿 記)主中。類似地，當在圖案化元件MA上提供-個以上晶粒 的m，圖案化元件對準標記可位於晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中·

1·在步進模式中，當將—被賦予至輕射光束之整個圖案 -次性投影至-目標部R上時’使支樓結構町及基板台 wt保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著使基板台 WT在X及/或γ方向上移位以使得可曝光—不同目標部分 C。在步進模式中’曝光場之最大大小限制了在單次靜態 曝光中成像之目標部分C的大小。 2·在掃描模式巾，當將-被賦予至_射光束之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構]^丁及基板台 WT(亦即’單次動態曝光）。可藉由投影系統ps之放大率 (縮小率）及影像反轉特徵來判定基板台贾丁相對於支撐結構 MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限 制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向 上），而掃描運動之長度決定了目標部分之高度（在掃描方 向上）。 3.在另一模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投影 至一目標部分c上時使支撐結構Μτ基本上保持靜止以固持 一可程式化圖案化元件’並移動或掃描基板台WT。在此 127842.doc 丄·3：)δυ/4 ，式中，通常採用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每 人移動之後或在掃描期間之連續轄射脈衝之間視需要更新 可程式化圖案化元件。可易於將此操作模式應用至利用可 程式化圖案化元件(諸如為以上所提及之類型的可程式化 鏡面陣列）的無光罩微影術。 亦可採用以上所述使用模式之組合及/或變體或完全不 同之使用模式。 根據一實施例之輻射源SO包含一陽極及一陰極，該陽 極及該陰極經組態及經配置以在陽極與陰極之間之一放電 空間之一物質產生放電。將形成臨時電漿自束，其將崩陷 以產生電磁輻射（諸如EUV輻射）^在所施加之電壓（2 5 kv)下，除產生電磁輻射之外，電漿自束之崩陷的結果產 生快速離子。 根據本發明之一實施例，第一能量脈衝產生一觸發放電 之主要電漿通道。在放電進展之某一階段，第二能量脈衝 產生一緊鄰該主要電漿通道之第二導電電漿通道。第一能 量脈衝亦可被稱作主要能量脈衝，且第二能量脈衝亦可被 稱作額外能量脈衝。 圖2不意性地展示一根據一實施例之電漿輻射源s〇。該 輻射源SO包含一陽極2及一陰極4。如熟習此項技術者將了 解’該陽極2及該陰極4經配置以在陽極2與陰極4上施加充 足電壓，而在陽極2與陰極4之間的放電空間中，於一物質 (例如’錫蒸氣）中產生放電。如熟習此項技術者將瞭解， 將產生自束電漿6，自束電漿6產生包含EUV輻射之電磁輻 127842.doc 14 丄 丄

射。注意’自束電漿6在第一例為一受自束之主要電漿通 道6。輻射源S0進一步包含一可為雷射光束源⑺之第一活 化源1卜雷射光束源1G經配置以將第—能量脈衝12引導 至輻射源so在放電空間附近的第一光點14上。此將燒蝕光 點14且產生一電漿通道（被稱作主要電漿通道）且因而觸發 放電。根據-實施例，輻射源吣進一步包含一第二活化源 其經配置以將一第一能量脈衝丨8(諸如雷射脈衝丨8)引 導至輻射源so在放電空間附近的第二光點2〇上。此將產生 額外電衆通道22。根據一實施例，第二光點2〇之位置不 同於第-光點14之位置，且第二活化源16經配置以在同一 放電期間產生第—電聚通道22。注意，第—活化源1〇及第 二活化源16可併入一活化源中，其中經由(例如)旋轉鏡面 而在不同於第-此量脈衝之方向上引導第二能量脈衝18。 在實施例令，第一光點及/或第二光點可位於陽極上且/ 或第一光點及/或第二光點可位於陰極上。

在晚於產生EUV輻射之階段的電漿崩陷之稍後階段產生 I·夬速離子。快速離子自磁場能量接收其能量，其與成比 例’其中I為自陽極2至陰極4之放電電流。此意謂，若放 電電流I在EUV發射之後便足夠快速地減小，則快速離子 之數目將減小。電漿6之輻射崩陷最佳接近放電電流I之最 大值，因此下式適用： L*dI/dt=-Rl ⑴ 其中R為主要電漿通道中之自束之電阻且[為放電源之全電 感： 127842.doc •15· 1358074 d(ln(I))/dt=-R/L ⑺ 注意，電阻R為放電過程之内部參數且在不減小轉換效 :率（CE)之情況下難以將其改變。藉由產生陽極2與陰極4之 間的第二電漿通道22，產生一平行電流路徑。結果，放電 電流將以較小電阻率而被重引導至一新的電流路徑。歸因 . 於由主要電漿通道及第二電漿通道產生之電路之較小電 • 感，可使完全重引導之過程非常短（低於幾奈秒）。該平行 電流路徑事實上正在陽極2與陰極4之間形成短路。產生一 • 看似有：陰極4·主要電漿通道6-陽極2-第二電漿通道22之 電路。此電路具有相對較小之電感（〜幾nH)，其中自束放 電電流將迅速耗散且第二電漿通道中之電流適當增加。放 電電流之快速減小將顯著減少快速離子形成。 以相對於甴第一活化源10產生之第一雷射脈衝12來延遲 第二雷射脈衝18的方式將第二雷射脈衝18引導至光點2〇。 在一實施例令，該兩個雷射脈衝之間的時間延遲經調整以 便接近於EUV產生期之結束（例如，〜1(M〇〇 ns)而產生第 一電漿通道。在一實施例中，取決於在輻射源S〇附近之位 置中量測得的快速離子之量而調諧該延遲時間。 在圖2中，展示輻射源s〇，其包含軸對稱陽極2及陰極 4。實際上，僅需使用一額外雷射光束（亦即，雷射光束18) 以產生額外電漿通道22。但根據另一實施例，提供一第三 活化源24，其經配置以產生被引導至陰極4上之一第三光 點28的能量脈衝（諸如雷射脈衝26)。此將產生一與以上所 述之第二電漿通道22—起出現的第三電漿通道3〇(參見圖 127842.doc -16 - 1358074 2)。注意’可設想在額外雷射光束18撞擊陰極4之後，第 二雷射光束撞擊陰極4。此在減小捷徑電路之電感及減小 快速離子之數目方面可係有利的。如熟習此項技術者將知 道’可適當地選擇額外電漿通道22、3〇之數目及形狀以最 小化捷徑電感。注意，輻射源SO可具有不同於圖2中所示 之形式及幾何形狀的形式及幾何形狀。輻射源s〇完全可能 包含第三體’於該第三體表面上引導雷射以產生額外電毁 通道22、30。 圖3展示包含一液體噴射陽極50及一液體喷射陰極52之 輻射源SO的另一實施例。以熟習此項技術者將知道之方式 產生液體陽極50及液體陰極52。根據一實施例，一第一活 化源54經配置以將一第一雷射光束56引導至陰極52上。此 將產生一觸發放電之主要電漿通道58。在此放電期間，借 助於一第二活化源60來將一第二雷射脈衝62引導至陰極 52。如以上參看圖2所解釋，此將在液體噴射陰極52與液 體噴射陽極50之間產生短路。更多液體陽極或特定言之為 所產生之第三體（例如，小液滴）可用於產生第二電漿通 道。 圖4展示一實施例，其中在液體喷射陰極52與液體噴射 陽極50之間射擊小液滴70〇小液滴70由小液滴產生單元61 產生。小液滴70可為液態金屬小液滴，但替代地，其可藉 由使用諸如水或氙之非導電材料而產生。如熟習此項技術 者將知道’用於產生該等小液滴之技術廣泛用於雷射產生 之電漿（Laser Plasma Produced)(LPP)輻射源中。在一實施 127842.doc 17 1358074 磁輻射，包括紫外線（UV)輻射（例如，具有約365 nm、35 5 nm、248 nm、193 nm、1 57 nm或 126 nm之波長）及極紫外 ， 線（EUV)輻射（例如 ，具有在5 nm至2 0 nm之範圍内的波 . 長）’以及諸如離子束或電子束之粒子束。 在情境允許時，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件 中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜 電光學纟且件。 鲁 儘官以上已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以 不同於所述方式的方式實踐本發明。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項 技術者將顯而易見，在不脫離以下所陳述之申請專利範圍 之範疇的情況下，可對所述之本發明作出修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2展示根據本發明之一實施例的電漿輻射源； • ®3展不根據本發明之另一實施例的電漿輕射源；及 圖4展不根據本發明之另一實施例的電黎輕射源。 【主要元件符號說明】 2 4 6 10 12 14 陽極 陰極 自束電漿/主要電漿通道 第一活化源/雷射光束源 第一能量脈衝/第一雷射脈衝 第一光點 127842.doc

•20· 1358074 16 第二活化源 18 第二能量脈衝/第二雷射脈衝 20 第二光點 22 額外電漿通道/第二電漿通道 24 第三活化源 26 雷射脈衝 28 第三光點 30 第三電漿通道

50 液體噴射陽極 52 液體喷射陰極 54 第一活化源 56 第一雷射光束 58 主要電漿通道 60 第二活化源 61 小液滴產生單元 62 第二雷射脈衝

70 小液滴 72 新電漿通道 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 C 目標部分 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統（照明器） 127842.doc -21 - 1358074

Ml 圖案化元件對準標記 M2 圖案化元件對準標記 MA 圖案化元件 MT 支撐結構 P1 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一*** PS 投影系統

PW 第二*** SO 電漿輻射源 W 基板 WT 基板台

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Claims (1)

1. 修正補完第〇96丨48773號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年9月） ..卜 .、申請專利範圍： 種轄射源，其包含： 1 一陽極及一陰極，其經組態及經配置以在該陽極與該 陰極之間之一放電空間之物質中產生一放電及形成一電 漿，以便產生電磁輻射； 第—活化源，其經配置以將一第一能量脈衝引導至 該輕射源中在該放電空間附近的一第一光點上以便產 生—觸發該放電之主要電漿通道；及 _第—活化源，其經配置以將一第二能量脈衝引導至 :輪射源中在該放電空間附近的一第二光點上，以便產 生:額外電㈣道，該第二光點係—不同於該第一光點 之光點，且該笛一、、 _ 一，化源經配置以在放電期間產生該第 —旎量脈衝》 3. θ r :、項《輻射源’其中該第—能量脈衝及該第二能 I脈衝為雷射脈衝。 2項1之輕射源，其中該電磁輻射包含謂輕射。 於二二，輪射源，其中該第-光點及該第二光點位 於』Si，1"射源’其中該第-光點及該第二光點位 6.如請求項1之和 且盆φ 田源，其中該陽極包含一液體噴射陽極 ^〜陰極包含一液體喷射陰極。 ± m 少匕3 小液滴產生早兀， —配置以在該陰極與該陽極之間射擊小液滴，且其中 127842-1 〇〇〇923.d〇, 8. 8. 9. 10. 11. 12. 該第 ·、 極與s B化源絰配置以在該等小液滴中之一者介於該陰‘ 該陽極之間時’將該第二能量脈衝引導至該小液‘滴 上0 如請求項7之. 稻射原’其中該液體小液滴由錫或一含錫 金屬合金製成。 、叫求項7之輻射源，其中該液體小液滴由一不同於該 液體嘴射陽極及該液體喷射陰極之材料的材料製成。 如明求項1之輻射源’其中該第一活化源及該第二活化 原呈配置以允許該第一能量脈衝及該第二能量脈衝以一 介於約10⑽與100 ns之間的時間差撞擊該等個別之第一 光點及第二光點。 如印求項1之輻射源，其中該第一活化源及該第二活化 源可併入一個活化源中。 一種微影裝置，其包含： 一輻射源，其包含： 一陽極及一陰極，其經組態及經配置以在該陽極與 該陰極之間之一放電空間之物質令產生一放電及形成 一電漿’以便產生電磁輻射； 一第一活化源，其經配置以將一第一能量脈衝引導 至該輻射源中在該放電空間附近的一第一光點上，以 便產生一觸發該放電之主要電漿通道；及 一第二活化源，其經配置以將一第二能量脈衝引導 至該輻射源中在該放電空間附近的一第二光點上’以 便產生一額外電漿通道，該第二光點係一不同於該第 127842-I000923.doc -2 - 1358074 * 一光點之光點，且該第二^化源經配置以在放電期間 產生該第二能量脈衝； 一照明系統，其經組態以將該電磁輻射調節成一輻射 光束； 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化 疋件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖 案以形成一經圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板；及 一投影系統，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 影至該基板之一目標部分上。 13. 如明求項12之微影裝置，其令該第一活化源及該第二活 化源經配置以允許該第一能量脈衝及該第二能量脈衝以 一介於約10 ns與100 ns之間的時間差撞擊該等個別之第 一光點及第二光點。 14. 如請求項12之微影裝置，其令該第一活化源及該第二活 化源可併入一活化源中。 15. 如63求項12之微影裝置’其中該第—能量脈衝及該第二 能量脈衝為雷射脈衝。 16. 如請求項12之微影裝置，其中該第一光點及該第二光點 位於該陰極上，或該陽極上，或該陰極與該陽極 上。 17. —種產生輻射之方法，其包含： 在輕射源之一陽極與一陰極上產生一電壓； 將一第一能量脈衝引導至在該輻射源中之一第一光點 127842-1000923.doc 以便產生觸發在該陽極與該陰極之間之一放電之一 主要電漿通道； - 將第一旎置脈衝引導至在該輻射源中之一第二光點 楚以便在該陽極與該陰極之間產生—額外電漿通道， 量^ 7點係—不同於該第—光點之光點，且該第二能 量脈衝係在放電期間產生。 18. 19. 20. 脈衝以項17之方法，其中該第—能量脈衝及該第二能量 別=介於約1〇 一 -之間的時間差撞擊該等個 』之第—光點及第二光點。 如請求項1 7 > ·*、、+ ^ 盆中，其中該陽極包含一液體噴射陽極且 /'中該陰極包含一液體喷射陰極。 如請求項19$^··土 ^ 提供小液滴，且/， 包含在該陰極與該陽極之間 陽極在該等小液滴中之一者介於該陰極與該 呀極之間時，將兮 '、成 亥第二旎1脈衝弓丨導至該小液滴上。 127842-1000923.doc