JP4897889B2 - プラズマ放射源における高速イオンの削減 - Google Patents
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Description
アノードおよびカソードの間の放電空間内の物質内に放電を作成し、またプラズマを形成して電磁放射を発生させるアノードおよびカソードと、
放電空間の付近の放射源における第1のスポット上に第1のエネルギーパルスを誘導して放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第1の活性化源と、
放電空間の付近の放射源における第2のスポット上に第2のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第2の活性化源であって、第2のスポットが第1のスポットとは異なるスポットであり、第2の活性化源が放電中に第2のエネルギーパルスを発生する、第2の活性化源とを含む放射源を提供する。
放射源であって、
アノードおよびカソードの間の放電空間内の物質内に放電を作成し、またプラズマを形成して電磁放射を発生させるアノードおよびカソードと、
放電空間の付近の放射源における第1のスポット上に第1のエネルギーパルスを誘導して放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第1の活性化源と、
放電空間の付近の放射源における第2のスポット上に第2のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第2の活性化源であって、第2のスポットが第1のスポットとは異なるスポットであり、第2の活性化源が放電中に第2のエネルギーパルスを発生するように配置される、第2の活性化源と、
を含む放射源と、
電磁放射を放射ビームに調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムと、を含むリソグラフィ装置を提供する。
放射源のアノードおよびカソードの間に電圧を作成することと、
放射源における第1のスポット上に第1のエネルギーパルスを誘導して、アノードおよびカソードの間に放電をトリガする主プラズマチャネルを作成することと、
放射源における第2のスポット上に第2のエネルギーパルスを誘導して、アノードおよびカソードの間に追加プラズマチャネルを作成することであって、第2のスポットが第1のスポットとは異なるスポットであり、第2のエネルギーパルスが放電中に発生される、当該作成することと、
を含む、方法を提供する。
[0015] - 放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調整するように構成される照明システム(イルミネータ)ILと、
[0016] - パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1ポジショナPMに連結されるサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0017] - 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2ポジショナPWに連結される基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0018] - パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PLとを含む。
L*dI/dt=−RI (1)
このとき、Rは主プラズマチャネルにおけるピンチの抵抗であり、Lは放電源の総インダクタンスであって、次の通りとなる。
d(ln(I))/dt=−R/L (2)
Claims (5)
- 放射源であって、
アノードおよびカソードの間の放電空間内の物質内に放電を作成し、またプラズマを形成して電磁放射を発生させるアノードおよびカソードと、
前記放電空間の付近の前記放射源における第1のスポット上に第1のエネルギーパルスを誘導して前記放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第1の活性化源と、
前記放電空間の付近の前記放射源における第2のスポット上に第2のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第2の活性化源であって、前記第2のスポットが前記第1のスポットとは異なるスポットであり、前記第2の活性化源が前記放電中に前記第2のエネルギーパルスを発生する、第2の活性化源と、
を含み、
前記第1のエネルギーパルスおよび前記第2のエネルギーパルスはレーザパルスであり、
前記第1の活性化源および前記第2の活性化源は、前記第1のエネルギーパルスおよび前記第2のエネルギーパルスがおよそ10〜100nsの時間差でそれぞれ前記第1のスポットおよび前記第2のスポットに当たることを可能ならしめる、放射源。 - 前記電磁放射はEUV放射を含む、請求項1に記載の放射源。
- 前記第1のスポットおよび前記第2のスポットは前記カソード上に位置付けられる、請求項1に記載の放射源。
- 前記第1のスポットおよび前記第2のスポットは前記アノード上に位置付けられる、請求項1に記載の放射源。
- 前記第1の活性化源および前記第2の活性化源は1つの活性化源である、請求項1に記載の放射源。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4709373A (en) * | 1985-11-08 | 1987-11-24 | Summit Technology, Inc. | Laser excitation system |
WO2005060321A2 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method and device for generating in particular euv radiation and/or soft x-ray radiation |
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US6304630B1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-10-16 | U.S. Philips Corporation | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
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---|---|---|---|---|
US4709373A (en) * | 1985-11-08 | 1987-11-24 | Summit Technology, Inc. | Laser excitation system |
WO2005060321A2 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method and device for generating in particular euv radiation and/or soft x-ray radiation |
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