1357661 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 相關申請案之交叉參考 此申請案係請求2003年8月13曰提交的韓國專利申請 5 案10-2003-0056069號之優先權，且該案以引用方式併入本 文中。 發明領域 本發明概括有關一液晶顯示器，更特別有關一經改良 之薄膜電晶體陣列面板。 10 【先前技術】 發明背景 液晶顯示器（LCD)係為最廣泛使用的平面顯示器之 一。一LCD係包括兩個設有場產生電極之面板及一介於其 間之液晶（LC)層。LCD藉由將電壓施加至場產生電極以在 15 LC層中產生一電場來決定LC分子在LC層中的定向以調整 入射光之偏振，藉以顯示影像。 習知的LCD提供狹窄的觀視角度。已經提議各種不同 用於增加觀視角度之技術。特定言之，’一技術利用一垂直 對準的LC且在各場產生電極上提供切口或突部。切口及突 20 部降低了開口比值(aperture ratio)。因此，需要盡量加大像 素電極尺寸。然而，像素電極的接近係造成其間形成強烈 的側向電場。側向電場係弄亂LC分子的定向且產生點區 (spot)及光洩漏。點區及光洩漏則轉而劣化了整體顯示器的 效能。 5 1357661 5 使用切口或突狀LCD係提供優良的觀視肖度，在任 何方向皆超過80度。然而’此LCD具有不良的可見度 ㈣bUity) ’甚至更遜於_向列模式的lcd。在使用切口 之LCD中，正視與側視之間_瑪曲線的不—致係造成不 良的可見度。 ·#如在使用切口之經垂直對準的中，隨著觀 視角度增加，圖片平面將變得較亮且色彩往白色偏移。當 過度發生此現象時，因為灰階之間的亮度差異消失，圖片 景夕像受到扭曲。需要一葙盤 卞备。 提供改良可見度之解決 方案 K： 明内容】 15 20 發明概要 2發明係有關—經改良之平面液晶顯示器(啊。一實 充填-彩色：=LCD包括一液晶層’此液晶層係完全地 成之-間隙。所陣4膜電晶體(TFT)陣列之間所形 各像素區可分成至少;;括—含有一或多個像素區之基材。 有-與其對偶部八^固像素次區。各像素次區構成為具 低了 1瑪曲線，俾使次區中的相互補償降 —實施例中，—第— 良平面顯不器的側向可見度。 —者中；且—第素電極形成於至少兩像素次區之第 者中。 —像素電極形成於至少兩像素次區之第二 此外，TF丁陣列可 致橫方向令延伸之 纟包括形成於基材上且在-大 多個_—或多個儲存電極線可 施例中 6 與閘線分開且形成於基材上以在 中Μ拙 —Hi 、開線相同的大致橫方向 延伸。-貫_中’-❹個㈣及 線各者係具有—多層結構，”個儲存電極 理特徵之_^ 〃巾4、_⑽具有不同物 -閘絕騎可_於_切存電 歐姆接觸部形成㈣絕緣層上 、v’ ’且複數個 數個資料電極、及複數_合電電極、複 觸部及閉絕緣層上。-實_卜個歐姆接 包括複數對的歪斜部及複數個 ；：泰係文到彎折且 之第一端_接⑽成各龍數對歪斜部 二端連接到複數個縱向部的 $==:#之第 L, 者。複數個資料線I去 之一對歪斜部可能比縱向部更長大約-至九倍。 另一實施财，抓陣列包括—含有一或多 之基材。各像素區分成至少兩個像素次區，且至少兩像= 次區各者構成為可降低1碼曲線的扭曲且改良Lc 、 器的^可見度。一第一像素電極可形成於至少兩像tr 區的；一者令；而-第二像素電極可形成於至少兩像素： ，第二者中一或多個像素區各者 電2 與Γ像素電極之間所形成之—或多個切口或藉由；t 個犬部分成至少兩個像素次區。 _ •夕 圖式簡單說明 圖為根據本發_ —實_之—lcd所用之 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 溥 第2圖為根據本發明的& 的一貧施例之-LCD所用之1 同電極面板的俯視圖； 第3圖為根據第1及2圖所示的實施例之一LCD的俯視 E1 · 圖， 第4圖為第3圖所示的LCD沿著線IV-IV，所取之剖視 5 圖； 第5圖為第i，2,3及4圖所示的LCD之電路圖； 第6圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 第7圖為根據本發明另一實施例之一 LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 10 第8圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第9圖為根據第7圖所示的實施例之一 LCD的俯視圖； 第10圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 第11圖為第10圖所示的LCD沿著線χΐ-χι’所取之剖視 15 圖； 第12圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的俯視圖； 第13圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 第14圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 20 第15圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第16圖為根據第14及15圖所示的實施例之一LCD的俯 視圖； 第17圖為第10圖所示的LCD沿著線χνΐΙ-ΧνίΓ所取之 8 1357661 剖視圖； 第18圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 第19圖為根據本發明另一實施例之一lCd所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 5 第20圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第21圖為根據第19及20圖所示的實施例之一LCD的俯 視圖； 第22圖為第21圖所示的LCD沿著線χχπ-χχπ，所取之 10 剖視圖； 第23圖為根據本發明另一實施例之一lcd所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第24圖為根據本發明另一實施例之一lcd所用之—乓 同電極面板的俯視圖； 15 第25圖為根據第23及24圖所示的實施例之一 lcd的俯 視圖。 C實施方式3 較佳實施例之詳細說明 20 現在參照用於顯示本發明的較佳實施例之圓式，在下 文中更完整地描述本發明。然而，本發明可以許多不同步 式實施且不應視為揭限於本文所述的實施例。 圖中，為求清楚起見將層、膜及區域的厚度誇大_厂、 類似的編號代表各圖中的類似元件。請瞭解當諸如— 層、 膜、區域或基材等元件被描述為“位於”另一元件“上（） 9 1357661 時’其可直接地位於另一元件上或者亦可能出現有中介元 件。相反地’當一元件被描述為“直接位於”另一元件“上 (directly on)”時，則未出現有中介元件。 下文參照圖式描述根據本發明的實施例之液晶顯示器 5及用於LCD之薄膜電晶體(TFT)陣列面板。 第1圖為根據本發明的一實施例之一 LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖，第2圖為根據本發明的一實施 例之一LCD所用之一共同電極面板的俯視圖，第3圖為根據 第1及2圖所示的實施例之一lcd的俯視圖，第4圖為第3圖 10所示的LCD沿著線ιν·ιν，所取之剖視圖。 根據本發明的一實施例之一 LCD係包括一 TFT陣列面-板100、一共同電極面板2〇〇、及一介於面板1〇〇與2〇〇之間 的LC層，此LC層包含大致垂直對準於面板1〇〇及2〇〇表面之 複數個LC分子。 15 .現在參照第1及4圖，複數個閘線121及複數個儲存電極 線131形成於一絕緣基材no上。 如第1圖示範所示，閘線121大致在一橫方向中延伸且 彼此分離。各閘線121係傳輸閘訊號且可能不但包括複數個 閘電極124亦包括用以連接至一外部電路之至少一閘墊 20 129。 就像閉線121，各儲存電極線131大致在橫方向中延 伸。一實施例中，一儲存電極線131大致平行於一閘線121。 此外，各儲存電極線包括複數個分支且其形成對應之複數 個儲存電極133。-實施例中，各儲存電極1;33包括一對歪 10 斜部且其與儲存線131構成約45度角。形成一對之兩個歪斜 部彼此係構成約90度角。使用時，對於儲存電極線131供應 一預疋電壓’譬如一施加至LCD的另一面板200上所形成的 一共同電極270之共同電壓，如第4圖所示。 參照第1圖，閘線121及儲存電極線131的側向側邊可能 為推拔狀。如果為推拔狀，側向側邊相對於基材11〇的一表 面之傾斜角係位於約30至80度的範圍中。 閘線121及儲存電極線131各者可包括一多層結構，此 多層結構包括彼此具有不同物理特徵之兩個膜。示範言 之，各線可包括一下膜（未圖示）及一上膜（未圖示）。上膜較 佳由一低電阻率金屬製成’其諸如例如為A1、含有A1的金 屬、或A1合金等。利用一低電阻率金屬來降低閘線121及儲 存電極線131中之机號延遲或電壓降。另一方面，下膜較佳 由一諸如Cr，Mo,或Mo合金等材料製成。然而，可使用對於 譬如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或類似材料等其他材料 具有良好接觸特徵之任何材料。下膜材料及上膜材料之一 良好的示範性組合係為Cr及一 Al-Nd合金》此組合中，Cr 形成下膜而Al-Nd合金形成上膜。 參照第4圖，較佳由氮化矽（siNx)製成之閘絕緣層14〇 係可形成於閘線121及儲存電極線131上。 複數個較佳由氫化非晶矽（簡稱為“a_S i”)製成的半導 體條帶151係形成於閘絕緣層14〇上。如示範性所示，各半 導體條帶151大致在縱方向中延伸且具有朝向閘電極124分 支出來之複數個突件154。一延伸部156可從突件154伸長。 各半導職帶1M重覆地f折且包括複數對歪斜部及 複數個縱向部。構成—對之兩料料彼此連接卿成一 v 形部且5玄對歪斜部的相對端連接至各別的縱向部。一實 知例中，半導體條帶的歪斜部對於閘線121構成約45度角， 5且縱向部橫跨閘電極124。示範言之，一對歪斜部係比又一縱 向部更長大約一至九倍。亦即，其佔據該對歪斜部及縱向 部的總長度之約50至90〇/〇β 延伸部Μ6係包括-從突件！54歪斜地延伸之沒部、一 對與閘線m構成約45度角之歪斜部、及一用以連接没部與 10该對歪斜部的一端之連接器。 較佳由矽化物或重度摻雜有n型雜質的經氫化心幻製 成之複數個歐姆接觸條帶161及㈣165係可形成於半導體 條帶151、延伸部156及島部⑸上❶各歐姆接觸條帶具有複 數個犬件163。-實施例t，突件163及歐姆接觸島部⑹係 15成對地定位在半導體條帶的突件154上。 半導體條帶⑸及歐姆接觸部101，165及166的邊緣表 面係為推聽，且半導體條帶151及歐姆接㈣⑹,165及 166的邊緣表面較佳位於約3〇至8〇度的範圍中。 複數個資料線17卜複數個沒電極Π5及複數個福合電 2〇極m係分別形成於歐姆接觸部⑹，⑹及脱以及間絕緣 層140上。設計用來傳輸資料電屋之資料線171係大致在縱 方向中延伸且與閉線121及儲存電極線⑶相交。各資料線 重覆地f折且包括複數對的$斜部及複數個縱向部。一 貫％例中’各對歪斜部係、連接形成—v形部。各對歪斜部的 12 1357661
㈣卜資祕1則歪斜部係對於 閘線121構成約45度角，B … 且縱向部橫跨閘電極124 ^ —對歪 ’’ P的長度料㉟向部的長度之大約 一至九倍。亦即， 其佔據該對歪斜部及縱向部的總長度之⑽謂％。當一 利用此方式構成時’閉線121與資料線171交又所界定 之像素區係似乎具有⑽帶形狀。 如第1圖所示，各資料線m可包括-資料塾179且其比 觸另、一層或—外部敦置之資料線更寬。各資料細 10 、子個为支可錢電極175突起以形成複數個源電極 3如圖所不’成對的源電極173及没電極175係彼此分 ^面對且在其間具有1電極124。—實施例中，1電極 4、-源電極173及1電極175之組合連同—半導體條帶 1的一突件154係形成了—在配置於源電極Π3與沒電極 ns之間的突件154中形成有一通路之τρ 丁。 15 耗合電極176在第-部的—端上從沒電極175延伸且在 第-部上於-水平方向中伸長並f折而大致平行於資 Π1的該對歪斜部。一實施例中，耦合電極176的一第二: 係與閘線m構成約135度角。同樣地，㈣電極176的= 三部與閘線121構成約45度角。 資料線171、汲電極175及耦合電極176各者可具有—夕 層結構，此多層結構包括具有不同物理特徵之兩個膜。譬 如，各資料線、汲電極及耦合電極可包括一下膜（未圖_S 及-上膜(未圖示）。一實施例中，上膜較佳由低電阻率金 製成’其譬如包括A1_合金等。利用—低電阻率材料來 13 1357661 降低資料線中之訊號延遲或電壓降。另一方面，下膜較佳 可由一對於氧化銦錫(ITO)、氧化銦辞(IZ0)或類似材料具有 良好接觸特徵之材料所製成。示範性的下膜材料係包括但 不限於Cr，Mo或Mo合金。一下膜材料及一上膜材料之一良 5好的示範性組合係為Cr及一Al-Nd合金。此組合中，Cr形成 下膜材料而Al-Nd合金形成上膜。 此外，資料線171、汲電極175及耦合電極176各者之側 向側邊可能為推拔狀。如果為推拔狀，側向侧邊相對於基 材110的一表面之傾斜角係位於約3〇至8〇度的範圍中。 10 一鈍化層180可形成於資料線Π1、汲電極175及耦合電 極176上。一實施例中，鈍化層18〇較佳由一平坦感光有機 材料及具有低於4.0的介電常數之低介電絕緣材料所製 成。用來形成鈍化層180之示範性材料係包括但不限於 a-Si:C:0及a-Si:0:F，其各由電政增強化學氣相沉積(PECVD) 15 所形成。或者，可使用一諸如氮化矽及氧化矽等無機材料。 一實施例中’鈍化層180包括複數個接觸孔丨81及182 且其分別暴露出汲電極175及資料線171的資料塾179。此 外’純化層180及閘絕緣層140具有複數個接觸孔丨83且其暴 露出閘線121的閘墊129。示範言之，接觸孔181,182及183 20 的側壁可相對於基材11〇表面構成約30至85度角且亦可包 括一或多個階狀部。依據實施例而定，接觸孔181,182及183 可具有各種不同的平面性形狀，諸如長方形或圓形。一實 施例中，各接觸孔181,182及183的面積較佳大於或等於約 0.5公厘χ15微米且不大於約2公厘x60微米。 14 1357661 一實施例中，複數對像素電極19〇a及i9〇b及較佳由 ITOJZO或Cr製成的複數個接觸輔助物81及82係形成於鈍 化層180上。 各對像素電極190a及190b可具有一遵循像素區形狀之 5彎折帶的形狀。像素電極190a及190b區分成分別具有切口 191及192之一第一像素電極丨9〇a及一第二像素電極19〇b。 第一像素電極190a及第二像素電極i9〇b係具有大致相同的 形狀、將一像素區分成一右區及一左區、且分別佔據右區 及左區。因此，第一像素電極190a部分可能對應於第二像 10 素電極190b的平行部。 第一像素電極190a係經由接觸孔181物理性及電性連 接至汲電極175。第二像素電極190b物理性且電性漂浮但重 疊於耦合電極n6以與第一像素電極19〇a形成搞合電容。結 果，第二像素電極190b的電壓係依據第一像素電極190a的 15電震而疋。對於共同電壓而言，第二像素電極1娜的電壓 永遠小於第-像素電極胸。後文將參照第5圖詳細地描述 第一料電極刚a與第二像素電極觸之間的輕合關係。 一實施例中，顯示當-像素區包括兩個具有略為不同 電场之人區時兩_人區中的一相互補償係改良了 LcD的側 20 向可見度。 複數個接觸輔助物81及82可經由純化層⑽上形成之 接觸孔182b及職分別連接至閉線121的閑塾129及資料線 Π1的閘塾179。像素電極刚a及簡及接觸輔助娜及η 可由ιτο(氧化銦錫）、IZ〇(氧化姻辞）或類似材料製成。 15 現在參照第2,4及5圖來描述共同電極面板2〇〇 β 參照第2圖，一用於防止光洩漏之黑矩陣220係形成於 一諸如透明玻璃等絕緣基材210上。複數個紅、綠及藍色濾 片230形成於黑矩陣及基材21〇上且大致沿著像素區的直行 延伸且隨著像素區形狀彎折而產生週期性彎折。易言之， 彩色濾片230沿著黑矩陣22〇所界定的像素直行大致在縱方 向延伸且沿著像素區形狀呈週期性彎折。如第4圖所示，一 覆塗物250形成於彩色濾片230及黑矩陣22〇上。一較佳由諸 如ιτο及ιζο等透明傳導材料製成的共同電極27〇 覆塗物250上一實施例中，共同電極27〇包括複數個切口 271及272。切口 271及272可作為一分域控制構件且較佳約 為9至12微米寬。當有機突部取代切口 271時，有機突部較 佳約為5至1〇微米寬。 ° ' 如第4圖所示’各對切口 271及272配置於—像素區中且 沿著像素區形狀彎折。切口 271及272各別配置為將第— 素電極19〇a及第二像素電極19〇b分成右半部及左半部。士 口 271及272的兩端係彎折且在一大致平行於閘線12丨的= 向中延伸至—預定長度。切口271及272的中心亦延伸至一 預定長度且大致平行於閘線121。一實施例中，切口ah及 272中心的延伸方向係與切口 271及272端點的延伸方 現相對。 向呈 LCD係包括一TFT陣列面板1〇〇、一面對Tft陣列面板 100且分開一預定間隙之彩色濾片陣列面板2 久一充填 在預定間隙中之液晶層3。 、 1357661 LC層3中的LC分子係對準藉以當不具有電場時使其長 軸線大致垂直於面板100及200的表面。液晶層3具有負的介 電異向性。 薄膜電晶體陣列面板100及彩色濾片陣列面板2〇〇係進 5行組裝使得像素電極19〇a及190b精密地對應於彩色遽片 230。當兩面板100及200組裝時，像素區係由第一及第二像 素電極190a及190b的邊緣及切口 271及272分成複數個次 區。各次區上之一液晶區域係稱為一分域(domain)。因此， 一實施例中’一像素區域由切口 271及272分成四個分域。 10分域具有兩個平行的最長邊緣。各分域的兩最長邊緣之間 的距離（譬如分域的寬度)較佳係約為1〇至3〇微米。 一對偏光板12及22分別設置於面板1〇〇及200的外表面 上’使得各偏光板的傳輸軸線交又。此外，該對偏光板的 定位方式可使得至少一條傳輸軸線大致平行於閘線121。 15 LCD可進一步包括至少一阻滯膜（譬如一使經偏振光 產生全、半或四分之一相位變化之光學元件）。阻滞膜具有 補償LC層3所造成的光阻滯之功用。 使用時’將一共同電壓施加至共同電極270且一資料電 壓施加至像素電極191a及191b »藉由施加這些電壓將產生 20 一大致垂直於面板100及200表面之主要電場。回應於此電 場，LC分子將旋轉直到其長轴線大致垂直於電場為止。 共同電極270的切口 271及272及像素電極190a及190b 的邊緣係扭曲了主要電場並提供一用於決定LC分子的傾斜 方向之水平分量。主要電場的水平分量係採行四種不同定 17 向’藉以在LC層3中形成具有不同LC分子傾斜方向之四個 分域。水平分量大致垂直於切口 271及272的第一及第二邊 緣’且大致垂直於像素電極19〇a及190b的邊緣。為此，具 有不同傾斜方向的四個分域係形成於LC層300中。一替代性 5實施例中’因為LC分子的傾斜方向亦可由複數個突部(未圖 不）加以控制’形成於共同電極270上的複數個突部可代替 切口 271 及272。 由於像素電極190a及190b之間電壓差異造成之一次級 電場的方向係大致垂直於切口271及272的各邊緣。為此， 1〇 次級電場的場方向係與主要電場的水平分量方向重合。因 此’像素電極190a及190b之間的次級電場增強了 LC分子的 傾斜方向。 因為LCD進行諸如點反相、直行反相等反相（亦即使一 所施加電壓的極性倒反），可藉由對於一相鄰像素電極施加 15 一具有與共同電壓呈相反極性的資料電壓來達成一用於增 強LC分子的傾斜方向之次級電場。結果，相鄰像素電極之 間所產生之次級電場方向係等同於共同與像素電極之間所 產生之主要電場的水平分量。因此，可產生相鄰像素電極 之間的一次級電場，以增進分域的穩定性。 20 一實施例17，所有分域的傾斜方向係與閘線121形成一 約45度角，且閘線121平行或垂直於面板100及200的邊緣。 因為偏光板的傳輸軸線及傾斜方向的45度交會可導致最大 透射，偏光板的附接方式可使得偏光板的傳輸軸線平行或 垂直於面板100及200的邊緣，藉以降低生產成本。 18 應注意，可藉由加寬資料線171來補償由於 =成之資料線171的增加電阻。並且，電場的扭曲及由： 、線⑽度增加料叙寄生電容，财藉由增 =電極驗鑛的尺寸w—厚財機純化層加 供應本=實施例中’經由TFT對於第一像素電極190a 供t影h料，因為第二像素電極19齡第 :=極驗呈電容軸合，第二像素電極咖的電厂堅 係依據第-像素電極19〇a的電壓而變。因此，第二像素電 對於共同電壓之電壓係永遠比第—像素電極⑽ 如:：，當具有不同電壓之兩像素電極19一配 像素區中時，珈瑪曲線的扭曲係由於兩像素電極 19〇a及19_補償而減，卜 兩像素電桎 來二參:身為第U，3及4圖所示LCD的電路圖之第5圖 ==素電議相對於共同電壓之電壓幾乎永遠 匕笫像素電極190a更小之原因。 第5圖中，簡稱“Clca，，係代表第 電極，之間所形成之液晶(LC)電容;而‘‘⑽= 電極_及儲存_之間所形成的储存電容 第一像素電極190b與共同電極270之間 、曰 電容’ Cep代表第—像素電極隱 ％㈣Ba (U：) 所形成的料電容。 、弟—料電極議之間 第二像素電極19_對於㈣及第- 1357661 像素電極190a相對於共同電壓之電壓％係具有下列電壓分 配法則之關係：
Vb=Vax [Ccp/(Ccp+Clcb)] 因為Ccp/(Cep+clcb)永遠小於卜Vb永遠小於Va。熟習 5該技術者瞭解，可藉由第二像素電極190b與耦合電極176之 間的重疊面積或距離來調整電容Ccp。藉由改變耦合電極 176的寬度即可容易地調整第二像素電極19()b與輕合電極 176之間的重疊面積。藉由改變麵合電極176的位置即可容 易地調整第二像素電極19()1)餘合電極176之間的距離。譬 ίο如，本發明的一實施例中，耦合電極176形成於與資料線171 相同之層上。另一實施例中，耦合電極176形成於與閘線 .相同之層上。藉由作此改變’使第二像素電極19〇b與耦合 電極176之間的距離增加。 依據實施例而定，耦合電極176的形狀可改變成具有各 15種不同形狀。下文描述將說明此改變的一範例。下列實施 例的描述將針對第1至4圖的實施例之區分特性。為了不使 本發明變成不必要地複雜，省略了前文參照第丨至4圖的特 性之描述。 第6圖為根據本發明另—實施例之一^^的俯視圖。相 較於第1至4圖的實施例而言，第6圖的實施例以第二像素電 極190b來更換第一像素電極19〇a，且以儲存電極133的部位 來更換搞合電極176的部位。亦即，第一像素電極胸及儲 存電極13地置於—像輕的左側而第二像素電極190b及 麵合電極176配置於-像素電極的右侧上。 20 熟習該技術者瞭解，當歪斜部及縱向部之長度比改變 時 像素區的形狀亦改變。其範例描述於第7至9圖。 第7圖為根據本發明另一實施例之 — LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖。第8圖為根據本發明另—實施 5例之-LCD所用之-共同電極面板的俯視圖。第9圖為根據 第7及8圖所示的實施例之— LCD的俯視圖。 第7至9圖的實施例中，資料線171具有放大的縱向部。 因此，一像素區係包括一彎折帶部及各別連接至彎折部兩 端之兩長方形部。一實施例中，長方形部的總長度較佳比 10 彎折帶部更長。 像素電極190a及190b的形狀係形成為可使用一像素的 全部或大致全部面積。譬如，第一像素電極19〇3可具有大 致平行於資料線171之兩短邊緣。第二像素電極19〇b可具有 大致平行於閘線121且與其相鄰之兩短邊緣。此外，第二像 15素電極190b可具有兩放大的端部且其充填全部或大致全部 的像素區。 儲存電極133及搞合電極176可分別配置為對應於第一 及第二電極190a及190b的中線。共同電極270可具有切口 271及272且其分別對應於搞合電極176及儲存電極133。如 20 圖所示’切口 271兩端可彎折且在一大致平行於閘線121之 方向中延伸至一預定長度。同樣地，切口272的兩端可彎折 且在一大致平行於資料線171之方向中延伸至一預定長 度。切口 271及272中心亦可延伸至一預定長度且大致平行 於閘線121。如示範性所示’切口 271及272中心的延伸方向 21 1357661 可與切口 271端點的方向呈現相對。 第7至9圖示範性所示的之實施例係減少了先前由於具 有習知彎折帶形狀的像素區所造成之破裂字元顯示。 上述實施例中，半導體條帶151具有大致與資料線 5 Π1、汲電極175及耦合電極176及下方的歐姆接觸部 161,165及166相同之平面性形狀，但設有TFT之突件154除 外。譬如，突件154係包括未覆蓋有資料線171及汲電極175 之部分經暴露部。示範言之，此等部分可定位在源電極173 與汲電極175之間。 10 帛7至所*的結構可由—紐刻程序形成，此光餘 刻程序係使用-不同厚度的光阻來形成本徵半導體 151，155及156、歐姆接觸圖案161，165及166、及資料線a】 層。 一實施例中’可利用四弁窖加—am 光罩程序來製造所描述實施例 15 的薄膜電晶體陣列面板。第—止π 先罩係用來圖案化閘線及儲 存電極線。第二光罩用來圈宏n 岡莱化本徵半導體層、歐姆接觸 層、及資料線層（在閘絕緣屉、+ ’ 本徵半導體層、歐姆接觸層 及資料金屬層沉積之後）。笛_ , 吊二光罩用來在鈍化層中形成一 或多個接觸孔。第四光覃田+ 干用來形成像素電極及接觸輔助 20 物。示範言之，第二光罩π — J巴栝光透射部、光阻絕部、及 曝光期間配置於TFT的通路部上之半、部 四光罩程序係詳細地> ' r田述於美國專利案6,335,276及 6,531，392號中，該等索以引 1用方式整體併入本文中。 第10圖為根據本發明兵 ^ 一貧施例之一 LCD的俯視圖。 22 1357661 第11圖為第10圖所示的LCD沿著線XI-XI所取之剖視圖。 第10及11圖示範所示之實施例與第1至4圖實施例之區 分係在於半導體條帶151、歐姆接觸部161及165、及資料線 171、汲電極175及耦合電極176之形狀。第10及11圖的實施 5 例中，資料線171、汲電極175及耦合電極176之平面性形狀 並不與半導體條帶151及歐姆接觸部161及165相符。譬如， 如第10及11圖所示，資料線171底下之半導體條帶151的寬 度及歐姆接觸條帶161的寬度係比資料線171寬度更窄。此 實施例中，並無半導體及歐姆接觸部形成於耦合電極176底 10 下0 此結構可利用下列示範性程序形成。譬如，半導體條 帶151及歐姆接觸部161及165可由一光蝕刻程序形成。隨 後，資料線171、汲電極175及耦合電極176可由另一光蝕刻 程序形成。示範言之，第1至4圖的實施例與第10及11圖的 15 實施例之間的結構性差異係來自於分別用以圖案化半導體 層、歐姆接觸層及資料線層之光蝕刻程序數量的差異。 第12圖為根據本舞明另一實施例之一 LCD的俯視圖。 第12圖的實施例與第6圖的實施例之區分係在於半導體條 帶151、歐姆接觸部161及165、及資料線171、汲電極175及 20 耦合電極176之形狀。第12圖的實施例中，資料線171、汲 電極175、及耦合電極176之平面性形狀並不與半導體條帶 151及歐姆接觸部161及165相符。譬如，資料線171底下之 半導體條帶151的寬度及歐姆接觸條帶161的寬度係比資料 線171寬度更窄。如圖所示，並無半導體及歐姆接觸部位於 23 1357661 耦合電極176底下。 第12圖的實施例與第6圖的實施例之間的結構性差異 係來自於用以圖案化半導體層、歐姆接觸層及資料線層之 光罩程序數量的差異。製造第6圖的實施例時，歐姆接觸 5 層、及資料線層係利用一項光罩程序形成，但在製造第12 圖的實施例時，其則利用兩項光罩程序形成。 第13圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的俯視圖。 第13圖的實施例與第7至9圖的實施例之區分係在於半導體 條帶15卜歐姆接觸部161及165、及資料線17卜汲電極175、 10 及耦合電極176之形狀。第13圖的實施例中，資料線171、 汲電極175及耦合電極176之平面性圖案並不與半導體條帶 151及歐姆接觸部161及165相符。 第13圖的實施例中，資料線171底下之半導體條帶151 及歐姆接觸條帶161的寬度係比資料線171寬度更窄。如圖 15 所示，並無半導體及歐姆接觸部位於耦合電極176底下。 第13圖的實施例與第7至9圖的實施例之間的結構性差 異係來自於用以圖案化半導體層、歐姆接觸層、及資料線 層之光罩程序數量的差異。製造第7至9圖的實施例時，半 導體層、歐姆接觸層、及資料線層係利用一項光罩程序形 20 成，但在製造第13圖的實施例時，其則利用兩項光罩程序 形成。 本發明中，第一像素電極190a及第二像素電極190b之 配置可以各種不同方式加以修改。此等修改的範例描述於 下文。 24 1357661 第14圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖。第15圖為根據本發明另一實 施例之一LCD所用之一共同電極面板的俯視圖。第16圖為 根據第14及15圖所示的實施例之一 LCD的俯視圖。 5 根據第14至17圖示範所示的實施例之一LCD係包括一 TFT陣列面板1〇〇、一共同電極面板2〇〇、及一 1^層3，其中 此LC層3係介於面板1〇〇與2〇〇之間且包含垂直對準於面板 100及200表面之複數個LC分子。 現在參照第14,16及17圖詳細地描述TFT陣列面板1〇〇。 10 譬如’複數個閘線121及複數個儲存電極線161形成於 一絕緣基材110上。 閘線121大致在一橫方向中延伸且彼此分離並傳輸閘 訊號。閘線121具有複數個閘電極124及用於連接至外部電 路之閘墊129 » 15 各儲存電極線131大致在橫方向中延伸且包括複數個 擴張成形儲存電極133。示範言之，儲存電極133具有平行 四邊形的形狀。 各閘線121及儲存電極線131可具有一多層結構，此多 層結構包括具有彼此不同物理特徵之兩個膜。示範言之， 20 各線可包括一下膜（未圖示）及一上膜（未圖示）。上膜較佳由 一低電阻率金屬製成，其諸如例如為A卜含A1的金屬、或 A1合金。一低電阻率金屬係用來降低閘線121及儲存電極線 131中之訊號延遲或電壓降。另一方面，下膜較佳由_諸如 Cr，Mo,或Mo合金等材料製成。然而，可使用對於譬如氧化 25 姻錫(ITO)、氧化麵鋅(IZ〇)或類似材料等具有良好接觸特徵 之任何材料。下膜材料及上膜材料之一良好的示範性組合 係為Cr及Al-Nd合金。此組合中，Cr形成下膜而A1_Nd合金 形成上膜。 5 參照第14® ’崎⑵及儲存電極線131的側向侧邊可 月&為推拔狀。如果為推拔狀，側向側邊相對於基材11〇的一 表面之傾斜角度係位於約3〇至8〇度的範圍中。 參照第17圖，較佳由氮化石夕(SiNx)製成的閘絕緣層140 可形成於閘線121及儲存電極線131上。 1〇 複數個較佳由氫化非晶矽（簡稱為“a-Si”)製成的半導 體條帶m係形成於閘絕緣層M0上。如示範性所示，各半 導體條帶151大致在财向+延伸且具有朝向閉電極124分 支出來之複數個突件154。一延伸部156可從突件154伸長。 各半導體條帶151重覆地彎折且包括複數對歪斜部及 15複數個縱向部。構成-對之兩歪斜部係彼此連接以形成一 v 形部，且該對歪斜部的相對端連接至各別的縱向部。一實 施例中’半導體條帶的歪斜部對於閘線121構成約45度角， 且縱向部橫跨閘電極m。示範言之，一對歪斜部係比一縱 向部更長大約-至九倍。亦即，其佔據該對歪斜部及縱向 20 部的總長度之約50至90%。 延伸部156係包括一從突件154歪斜地延伸之汲部、一 對與閘線121構成約45度角之歪斜部、及一用以連接沒部與 該對歪斜部的一端之連接器。 較佳由發化物或重度摻雜有n型雜質的經n+氫化心製 26 1357661 成之複數個歐姆接觸條帶161及島部165係可形成於半導體 條帶151、延伸部156及島部154上。各歐姆接觸條帶161具 有複數個突件163。一實施例中，突件163及歐姆接觸島部 165係成對地定位在半導體條帶151的突件154上。 5 半導體條帶151及歐姆接觸部161，165及166的邊緣表 面係為推拔狀，且半導體條帶151及歐姆接觸部“I，165及 166的邊緣表面較佳位於約3〇至8〇度的範圍中。 複數個資料線171、複數個汲電極175及複數個耦合電 極176係分別形成於歐姆接觸部161，165及166以及閘絕緣 10 層140上。 設計用來傳輸資料電壓之資料線171係大致在縱方向 中延伸且與閘線121及儲存電極線131相交。各資料線171重 覆地彎折且包括複數對的歪斜部及複數個縱向部。一實施 例中，各對歪斜部係連接形成一v形部。各對歪斜部的相對 15為係連接至各別的縱向部。資料線171的歪斜部係對於閘線 121構成約45度角，且縱向部橫跨閘電極124。一對歪斜部 的長度係為一縱向部的長度之大約一至九倍。亦即，其佔 據”亥對歪斜部及縱向部的總長度之約別至。當一 Lcd 利用此方式構成時’閘線121與資料線171交又所界定之像 20素區係似乎具有一彎折的條帶形狀。 如第1圖所示，各資料線171可包括一資料塾179且其比 用於接觸另—層或—外部裝置之資料線更寬。各資料線Π1 的複數個分支可往及電極175突起以形成複數個源電極 173如圖所不’成對的源電極173及沒電極⑺係彼此分離 27 1357661 且定位在一閘電極124上。一實施例中，一閘電極i24、一 源電極173及一汲電極175之組合連同一半導體條帶151的 一突件154係形成了一在配置於源電極173與汲電極175之 間的突件154中形成有一通路之TFT。 5 複數個耦合電極176形成於與汲電極175相同的層上且 由與其相同的材料製成。耦合電極176連接至汲電極175且 從汲電極175延伸。耦合電極176的一第一部係與一閘線ΐ2ι 構成約135度角’且搞合電極176的第二部與間線ΐ2ι構成衫 度角。輕合電極176的第-及第二部大致平行於資料線ΐ7ι 10之對應的歪斜部。 如圖所示，齡電極176可包括—與儲存電極133重疊 之擴張連接器。耦合電極176的擴張係增加儲存電容且加寬 與第—像素電極190a的接觸面積。 資料線17卜汲電極175及耦合電極176各者可具有一多 15層結構，.此多層結構包括彼此具有不同物理特徵之兩個 媒。譬如，各資料線、汲電極及耦合電極可包括—下膜（未 圖不）及一上膜（未圖示）。一實施例中，上臈較佳可由一低 電阻率金屬製成，其例如包括A1或A1合金。利用_低電阻 率材料來降低資料線中之訊號延遲或電壓降。另—方面， =骐較佳可由一對於諸如氧化銦錫（IT〇)、氧化銦鋅(ιζ〇) 或類似材料等其他材料具有良好接觸特徵之材料製成。示 〜丨生的下膜材料可包括但不限於Cr，Mo或Mo合金。下膜材 料及上祺材料之一良好的示範性組合係為心及Al_Nd合 金。此級合中，Cr形成下膜材料而Al-Nd合金形成上膜》 28 1357661 此外，資料線171、汲電極175及耦合電極176各者之側 向側邊可能為推拔狀。如果為推拔狀，側向側邊相對於基 材110的一表面之傾斜角係位於約30至80度的範圍中。 一鈍化層180可形成於資料線171、汲電極175及耦合電 5極176上。一實施例中，鈍化層180較佳由一平坦感光有機 材料及具有低於4.0的介電常數之低介電絕緣材料所製 成。用來形成鈍化層180之示範性材料係包括但不限於 a-Si.C.O及a-Si:0:F，其各由電聚增強化學氣相沉積(pecvd) 所形成。或者，可使用一諸如氮化矽、氧化矽或類似材料 10 專無機材料。 一實施例中’純化層180包括複數個接觸孔i8丨及J 82 且其为別暴露出》及電極175及貧料線171的擴張連接器 179。此外，鈍化層180及閘絕緣層140具有複數個接觸孔183 且其暴露出閘線121的閘塾129。示範言之，接觸孔1 § 1，182 15 及183的側壁可相對於基材11〇表面構成約30至85度角且亦 可包括一或多個階狀部。依據實施例而定，接觸孔181，182 及183可具有各種不同的平面性形狀’諸如長方形或圓形。 一實施例中，各接觸孔181，182及183的面積較佳大於或等 於約0.5公厘xl5微米且不大於約2公厘x60微米。 20 一貫施例中，複數對像素電極190a及190b及較佳由 itojzo或Cr製成的複數個接觸輔助物81及82係形成於鈍 化層180上。 參照第14及π圖，顯示一第一像素電極190a及一第二 像素電極19〇b。一實施例中，第一像素電極19〇&具有一遵 29 1357661 循像素區形狀之經彎折㈣雜M象素f 切口 1Q1也/A * ^ Ua亦包括一 。第二像素電極19〇b包括兩個分離的 如圖所示’第一像素電㈣。a可配置於第二:::邊： 5 的兩個平行四邊形之間。此組態中’第’像+ φ 第-推主而 豕素電極190a及 罘一像素電極19〇b佔據大致相同的面積。 第—像素電極190a係經由接觸孔181物 1* 2- . A 夂性及電性連 接至耦合電極176。第二像素電極19〇1)物理性且 ☆曰 重疊於耦合電極176以與第一像素電極19〇&形：::: 谷。因此，第二像素電極19〇1)的電壓係依 ° 10 19〇a的雷蔽〇咕 像第'像素電極 的電壓而疋。第二像素電極19〇b相對 壓係永遠小於第-像素電極19()a。因此，:^電壓之電 15 包加的電Μ高於施加至-像素區兩側之電壓。本實施例 中，耦合電極m係在影像訊號從一薄膜電晶體通往第一像 素電極190a方面以及第一像素電極職與第二像素電極 鳴的輕合方面具有功效。圖示實_中，稱合電極⑺將 -影像訊號從一薄膜電晶體佈排至第一像素電極i9〇a。其 亦將第-像素電極19G蝴合至第二像素電極隱。 日一實施财，顯示當-像素區包括兩個具有略為不同 20 電场之次區時’兩次區中的—相互補償係改良了lcd的側 向可見度。 現在參照第15，16及17圖來描述共同電極面板2〇〇。參 …、第15圖，用於防止光洩漏之黑矩陣係形成於一諸如透明 玻璃等絕緣基材210上。複數個紅、綠及藍色濾片23〇形成 於黑矩陣及基材21〇上且大致沿著像素區的直行延伸且隨 30 1357661 著像素區形狀彎折而產生週期性彎折。易言之，彩色滅片 230沿著黑矩陣220所界定的像素直行纽在縱方^延二且 沿著像素區形狀呈週期性弯折。如第4圖所示，一覆塗物25〇 形成於彩色滤片230及黑矩陣220上。一較佳由諸如ιτ〇及 5 ΙΖΟ等透明傳導材料製成的共同電極27()可形成於覆塗物 250上。一實施例中，共同電極27〇包括複數個切口 ^^及 272»切口 271及272可作為分域控制構件且較佳約為9至12 微米寬。當有機突部取代切口 271時，有機突部較佳約為5 至1〇微米寬。如第4圖所示，各對切口271及272配置於一像 1〇素區中且沿著像素區形狀彎折《切口 271及272各別配置為 將第一像素電極190a及第二像素電極19〇1)分成右半部及左 半部。切口271及272的兩端係彎折且在一大致平行於閘線 121的方向中延伸至一預定長度。切口271及272的中心亦延 伸至一預定長度且大致平行於閘線121。一實施例中，切口 15 271及272中心的延伸方向係與切口 271及272端點的延伸方 向呈現相對。 參照第15圖，共同電極27〇的一切口 271可配置於一像 素區中且沿著像素區形狀彎折。切口271可配置為將第一像 素電極190a及第二像素電極19%分成右半部及左半部。切 20 口 271的兩端可彎折且在一平行於間線丨21的方向中延伸至 一預定長度。切口271中心亦可延伸至一預定長度且大致平 行於閘線121 〇如圖所示，切口功中心的延伸方向係與切 口 271的端點的方向呈現相對。此外，切口別亦可在從切 口 27!-端量測出1/4長度及3/4長度的點上具有平行於閘線 31 1357661 121之分支。 LCD係包括一TFT陣列面板100、一面對TFT陣列面板 100且分開一預定間隙之彩色濾片陣列面板2〇〇、及一充填 在預定間隙中之液晶層3。 5 LC層3中的LC分子係對準藉以當不具有電場時使其長 轴線大致垂直於面板100及200的表面。液晶層3具有負的介 電異向性。 薄膜電晶體陣列面板100及彩色濾片陣列面板200係進 行組裝使得像素電極190a及190b精密地對應於彩色濾片 10 230。當兩面板1〇〇及200組裝時，像素區係由第一及第二像 素電極190a及190b的邊緣及切口 271及272分成複數個次 區。各次區上之一液晶區域係稱為一分域。因此，一實施 例中’一像素區域由切口 271及272分成四個分域。分域具 有兩個平行的最長邊緣。各分域的兩最長邊緣之間的距離 15 (譬如分域的寬度)較佳係約為10至30微米。 一對偏光板12及22分別設置於面板1〇〇及2〇〇的外表面 上，使得各偏光板的傳輸軸線交叉。此外，該對偏光板的 定位方式可使得至少一條傳輸軸線大致平行於閘線121。 LCD可進一步包括至少一阻滯膜（譬如一使經偏振光 20 產生全、半或四分之一相位變化之光學元件）。阻滞膜具有 補償LC層3所造成的光阻滯之功用。 使用時，將一共同電壓施加至共同電極270且—資料電 壓施加至像素電極191a及191b。藉由施加這些電壓將產生 一大致垂直於面板100及200表面之主要電場。回應於此電 32 1357661 場，LC分子將旋轉直到其長軸線大致垂直於電場方向為止。 共同電極270的切口 271及272及像素電極190a及190b 的邊緣係扭曲了主要電場並對於其提供一用以決定LC分子 的傾斜方向之水平分量。主要電場的水平分量係採行四種 5 不同定向，藉以在LC層3中形成具有不同LC分子傾斜方向 之四個分域。水平分量大致垂直於切口 271及272的第一及 第二邊緣，且大致垂直於像素電極190a及190b的邊緣。為 此，具有不同傾斜方向的四個分域係形成於LC層300中。一 替代性實施例中，因為LC分子的傾斜方向亦可由複數個突 10 部（未圖示）加以控制，形成於共同電極270上的複數個突部 可代替切口271及272。 由於像素電極190a及190b之間電壓差異造成之一次級 電場的方向係大致垂直於切口 271及272的各邊緣。為此， 次級電場的場方向係與主要電場的水平分量方向重合。因 15 此，像素電極190a及190b之間的次級電場增強了 LC分子的 傾斜方向。 因為LCD進行諸如點反相、直行反相等反相（亦即使一 所施加電壓的極性倒反），可藉由對於一相鄰像素電極施加 一具有與共同電壓呈相反極性的資料電壓來達成一用於增 20 強LC分子的傾斜方向之次級電場。結果，相鄰像素電極之 間所產生之次級電場方向係等同於共同與像素電極之間所 產生之主要電場的水平分量。因此，可產生相鄰像素電極 之間的一次級電場，以增進分域的穩定性。 一實施例中，所有分域的傾斜方向係與閘線121形成約' 33 /001 45度角，且閘線丨21平行或垂直於面板100及200的邊緣。因 為偏光板的傳輪軸線及傾斜方向的45度交會可導致最大透 射，偏光板的附接方式可使得偏光板的傳輸轴線平行或垂 直於面板100及200的邊緣，藉以降低生產成本。 如上述’當具有不同電壓的兩像素電極19〇&及19〇1)配 置於像素區中時’藉由兩像素電極19〇3及190b的補償使 得办碼曲線的扭曲減小。這導致經改良之觀視角度及圖片 品質。 第18圖為根據本發明另—實施例之 — lcd的俯視圖。 10 才目較於第14至17圖的實施例，第18圖的實施例以第二 像素電極19Gb來更換第__像素電極丨術並改變麵合電極 176的擴張雜。儲存電極線131的部位往下邊移動。亦即， 第-像素電極190a具有兩個分離部分。第二像素電極· 具有f折的帶形狀且配置於第—像素電極！術的兩部分之 15間。麵合電極176具有兩舰部且其分別連接第 一像素電極 190a的兩部分。 第I4至Π及第I8圖的實施例顯示利用四光罩程序製成 之TFT陣列面板。然而，熟習該技術者療解第κι?及μ圖 所7Γ的實知例可適應於經由五光軍程序製成之Μ陣列面 20 板。 上述實施例中’共同電極中所形成之切口可作為域控 制構件，然而’或者’形成於共同電極上之突部係可取代 切口。當使用突部作為域控制構件時，突部的平面性圖案 可與切口的平面性圖案相同。 34 1357661 如上述，為了改良側向可見度及開口比值，像素區形 成為具有-彎折的帶形狀且各像素區具有施加彼此不同的 電壓之兩個分離的像素電極。此外，像素區之彎折的帶形 狀係增加像素區之空間可散佈性程度。然而，增加的空間 5可散佈性可在顯示一諸如個別英數字元等小影像時生成一 破裂的影僳。用於減輕此問題之實施例係如下述參照第19 至22圖加以描述。 第19圖為根據本發明另一實施例之一 LCD所用的一薄 膜電晶體陣列面板之俯視圖。第2〇圖為根據本發明另一實 1〇施例之-LCD·之-共同電極面板的俯視圖。仙圖為 根據第19及20圖所示的實施例之一 LCD的俯視圖。第22圖 為第21圖所示的LCD沿著線χχΠ·ΧΧΙΓ所取之剖視圖。 根據第19至22圖的一實施例之一lcd係包括一TFT陣 列面板100、一共同電極面板2〇〇、及一LC^3，此^層^ 15於面板100與200之間且包含垂直對準於面板100及200表面 之複數個LC分子。 參照第19,21及22圖，陣列面板1〇〇亦包括形成於一絕 緣基材110上之複數個閘線121及複數個儲存電極線13ι。 如圖所示，閘線121大致在一橫方向中延伸且彼此分離 2〇並傳輸閘訊號。閘線121亦包括複數個閘電極124及用以連 接至一外部電路之閘墊129。 就像閘線121，各儲存電極線131大致在橫方向中延 伸。一實施例中’ 一儲存電極線131大致平行於—閘線12ι。 此外’各儲存電極線包括複數個分支且其形成對應之複數 35 1357661 個儲存電極133。一實施例中，各儲存電極133包括—對歪 斜部且其與儲存線131構成約45度角。形成一對之兩個歪斜 部彼此係構成約90度角。使用時，對於儲存電極線131供應 -預定電屢’譬如-施加至LCD的另—面板2〇〇上所形成： 5 一共同電極27〇之共同電壓，如第4圖所示。 閘線121及儲存電極線131各者可包括一多層結構，此 多層結構包括彼此具有不同物理特徵之兩個膜。示範令 之，各線可包括一下膜（未圖示）及一上膜（未圖示）。上膜較 佳由一低電阻率金屬製成，其諸如例如為入卜含A!的金屬、 1〇或A1合金等。利用一低電阻率金屬來降低閘線121及儲存電 極線131中之訊號延遲或電壓降。另一方面，下膜較佳由一 諸如Cr，Mo,或Mo合金等材料製成。然而，可使用對於諸如 氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或類似材料等其他材料具有 良好接觸特徵之任何材料。下膜材料及上膜材料之一示範 15性組合係為Cr及一AKNd合金。此組合中，Cr可形成下膜而 Al-Nd合金可形成上膜。 參照第22® ’閘線121及儲存電極線131_向側邊可 為推拔狀。如果為推拔狀，側向側邊相對於基材11〇的一表 面之傾斜角度位於約3〇至8〇度的範圍中。 >參照第22圖，較佳由氮化石夕_χ)製成之閘絕緣層 係可形成於閘線121及儲存電極線131上。 複數個較佳由氫化非晶石夕（簡稱為“a_Si”)製成的半導 體條帶151係形成於閘絕緣層14〇上。如示範性所示，各半 導體條帶大致在縱方向中延伸且具有朝向閉電極以分 36 支出來之複數個突件154…延伸部156可從突件154伸長。 如圖所示，各半導體條帶⑸重覆地脊折且包括複數對 歪斜部及複數個縱㈣1個歪斜部構成ϋ對兩歪 斜部係彼此連接以形成-個雙¥形部且該雙歪斜部的相對 端連接至各別的縱向部。半導體條帶的歪斜部對於閉線121 構成約45度角，且縱向部橫跨閘電極124。一個雙ν形部係 比-縱向部更長大約一至九倍。亦即，其佔據一個雙乂形部 及一縱向部的總長度之約5〇至90%。 一實施例中，延伸部156係包括一從突件154歪斜地延 伸之汲部、一對與閘線121構成約45度角之歪斜部、及一用 以連接没部與該對歪斜部的一端之連接器。 較佳由矽化物或重度摻雜有η型雜質的經η+氫化1以製 成之複數個歐姆接觸條帶161及島部165係可形成於半導體 條帶151及延伸部156上。各歐姆接觸條帶具有複數個突件 163。一實施例中，突件163及歐姆接觸島部165係成對地定 位在半導體條帶151的突件154上。 半導體條帶151及歐姆接觸部161,165及166的邊緣表 面係為推拔狀，且半導體條帶151及歐姆接觸部161，丨65及 166的邊緣表面之傾斜角度較佳位於約3〇至8〇度的範圍中。 複數個資料線171、複數個汲電極175及複數個耦合電 極176係分別形成於歐姆接觸部161，165及166以及閘絕緣 層140上。 因此，一或多個像素區可由第19至22圖加以界定，此 等像素區可具有二重彎折條帶形狀之閘線121及資料線171 1357661 交又。 貝施例中’用來傳輸資料電壓之資料線171係、大致在 縱方向中延伸且與閘線121及儲存電極線ΐ3ι相各資料 線171重覆地彎折且包括複數對的歪斜部及複數個縱向 5部。兩個相鄰的正斜部構成一對。兩對歪斜部彼此連接以 形成一個雙V形部且雙〃形部的相對端連接至各別的縱向 部。資料線171的歪斜部係對於閘線121構成約45度角，且 縱向部橫跨閘電極124。一個雙V形部的長度係為一縱向部 長度之大約一至九倍《亦即，其佔據一個雙v形部及一縱向 1〇 部的總長度之約50至90%。 如第19圖所示，各資料線171可包括一資料墊179且其 比用於接觸另一層或一外部裝置之資料線更寬。各資料線 171的複數個分支可往汲電極175突起以形成複數個源電極 173。如圖所示，成對的源電極173及汲電極175係彼此分離 15 且面對並在其間具有一閘電極124。一實施例中，一閘電極 124、一源電極173及一汲電極175之組合連同一半導體條帶 151的一突件154係形成了一在配置於源電極173與汲電極 175之間的突件154中形成有一通路之TFT。 如第19至22圖所示，複數個耦合電極176形成於與沒電 20 極175相同的層上且由與其相同的材料製成。耦合電極176 係連接至汲電極175。耦合電極176的一第一部與一閘線121 構成135度角。耦合電極Π6的一第二部係與閘線121構成約 45度角。耦合電極176的第一及第二部大致平行於資料線 171的雙V形部。因此，一實施例中，耦合電極176亦可具有 38 —個雙乂形。 g合電極176具有—與儲存電極重疊之 :張部，合電極176的擴張部係增大儲存電容且加寬對於 —第一像素電極19〇a之接觸面積。 、 資料線17卜汲電極ns及耦合電極176各者可具有—多 ‘、。構此夕層結構包括具有不同物理特徵之兩個膜。馨 如’各資料線、沒電極及麵合電極可包括-下膜(未圖示） 及一上膜（未圖示）。一實施例中，上膜較佳可由低電阻率金 屬製成，其譬如包括A1或A1合金等。利用一低電阻率材料 1〇來降低資料線中之訊號延遲或電壓降。另一方面，下膜較 佳可由一對於氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅(IZO)或類似材料具 有良好接觸特徵之材料所製成。示範性的下膜材料係包括 但不限於Cr，Mo或Mo合金。下膜材料及上膜材料之—良好 的示範性組合係為Cr及Al-Nd合金。此組合中，Cr形成下膜 15 材料而Al-Nd合金形成上膜。 此外，資料線17卜汲電極175及耦合電極176各者之側 向側邊可能為推拔狀。如果為推拔狀，側向側邊相對於基 材110的一表面之傾斜角係位於約30至80度的範圍中。 一鈍化層180可形成於資料線171、没電極175及稱合電 20 極176上。一實施例中，鈍化層180較佳由一平坦感光有機 材料及具有低於4.0的介電常數之低介電絕緣材料所製 成。用來形成鈍化層180之示範性材料係包括但不限於 a-Si:C:0及a-Si:0:F，其各由電漿增強化學氣相沉積(PECVD) 所形成。或者，可使用一諸如氣化♦及氧化石夕或其他類似 39 材料等無機材料。 一實施例中，鈍化層180包括複數個接觸孔181及182 且其分別暴露出汲電極175及資料線171的擴張連接器 179。此外，鈍化層180及閘絕緣層140具有複數個接觸孔183 5且其暴露出閘線121的擴張連接器129。示範言之，接觸孔 181，182及183的側壁可相對於基材11〇表面構成約3〇至85度 角且亦可包括一或多個階狀部。依據實施例而定，接觸孔 181,182及183可具有各種不同的平面性形狀，諸如長方形 或圓形。一實施例中，各接觸孔181，182及183的面積較佳 10大於或等於約〇.5公厘xl5微米且不大於約2公厘χ60微米。 一實施例中’複數對的像素電極19〇&及19〇1)及較佳由 ITOJZO或Cr製成的複數個接觸辅助物81及82係形成於鈍 化層180上。 ， 如前述，第一像素電極19加及第二像素電極19%可分 15別佔據由兩閘線121及兩資料線171交又所界定之一像素區 的一下半部及一上半部。示範言之，第一像素電極19如及 第二像素電極190b各者可具有一單彎折帶的形狀❶此外， 第像素電極190b可具有一橫向切口 191，且第二像素電極 19〇b可具有一橫向切 口 192。 —貫施例中，第一像素電極19如係經由接觸孔181物理 味及電連接至柄合電極176。第二像素電極19Gb物理性且 電性你吁但重疊於耦合電極176以與第一像素電極19加形 成耦合電容。因此，第二像素電極19%的電壓係依據第一 像素電；fe19〇a的電壓而定。結果，第二像素電極觸相對 40 =共同電叙電壓係永遠小於第一像素電極携a。因此， 選像素區的下半料絲㈣㈣高於像魏上半部之電 本實施例中，輕合電極176將一影像訊號從一薄膜電晶 伟排至第-像素電極職且將第—像素f極職麵合至 〜像素電極190b。如前述，當—像素區包括兩個各有略 :、不同電場之次區時’藉由相互補償改良了側向可見度。 日更具意義的是，即便在-具有低像素密度的lcd中本發 明所提供之-像素區的經改良空間可散佈性亦可防止破裂 的影像。 複數個接觸辅助物81及82可經由鈍化層180上形成之 接觸孔182b及183b分別連接至閘線121的閘墊129及資料線 71的閘墊179。像素電極190a及190b及接觸輔助物81及82 可由ιτο(氧化銦錫）、IZ〇(氧化銦鋅）或類似材料製成。 現在參照第2〇,21及22圖來描述共同電極面板2〇〇。 複數個紅、綠及藍色濾片230形成於黑矩陣及基材210 上且大致沿著像素區的直行延伸且隨著像素區形狀彎折而 產生週期性弯折。易言之，彩色濾片230沿著黑矩陣220所 界定的像素直行大致在縱方向延伸且沿著像素區形狀呈週 期性彎折° —較佳由諸如ITO及IZO等透明傳導材料製成的 共同電極270可形成於彩色濾片23〇上。一實施例中，共同 電極270包括複數個切口271及272。切口271及272可作為一 分域控制構件且較佳約有9至12微米寬度。當有機突部取代 切口 271時’有機突部較佳約有5至10微米寬度。 1357661 參照第20圖，共同電極270的一切口 271係配置於一像 素區中且沿著一像素區形狀彎折。切口 271配置為將第一像 素電極190a及第二像素電極19〇13分成右半部及左半部。切 口 271的兩端係彎折且在—大致平行於閘線121的方向中延 5伸至-預疋長度。第-及第二部亦在一大致平行於閉線⑵ 但與切口 271端點相對之方向中延伸至一預定長度。第二彎 折部在一與切口 271端點相同的方向中延伸至—預定長产。 如圖所示，LCD可包括一 TFT陣列面板丨00、—面對TFT 陣列面板10 0且分開一預定間隙之彩色濾片陣列面板2 〇 〇 ' 10 及—充填在預定間隙中之液晶層3。 LC層3中的LC分子係對準藉以當不具有電場時使其長 軸線大致垂直於面板100及200的表面◊液晶層3具有負的介 電異向性。 薄膜電晶體陣列面板10 0及彩色濾片陣列面板2 〇 〇係進 15行組裴使得像素電極19 0a及19 Ob精密地對應於彩色滤片 230。當兩面板100及200組裝時，像素區係由第—及第二像 素電極190a及190b的邊緣及切口 271及272分成複數個次 巴各次區上之一液晶區域係稱為一分域。因此，一實施 例中’一像素區域由切口 271及272分成四個分域。分域具 有兩個平行的最長邊緣。各分域的兩最長邊緣之間的距離 (譬如分域的寬度)較佳係約為10至30微米。 —對偏光板12及22分別設置於面板100及200的外表面 上’使得各偏光板的傳輸軸線交叉。此外，該對偏光板的 定位方式可使得至少一條傳輸軸線大致平行於閘線121。 42 1357661 LCD可進一步包括至少一阻滯膜（譬如一使經偏振光 產生全、半或四分之一相位變化之光學元件）^阻滞膜具有 補償LC層3所造成的光阻滯之功用。 使用時’將一共同電壓施加至共同電極27〇且一資料電 5壓施加至像素電極19ia及i91b。藉由施加這些電壓將產生 一大致垂直於面板100及2〇〇表面之主要電場。回應於此電 場’ LC分子將旋轉直到其長轴線垂直於電場為止。共同電 極270的切口 271及272及像素電極190a及190b的邊緣係扭 曲了主要電場並對其提供一用於決定LC分子的傾斜方向之 10 水平分量。主要電場的水平分量係採行四種不同定向，藉 以在LC層3中形成具有不同LC分子傾斜方向之四個分域。 水平分量大致垂直於切口 271及272的第一及第二邊緣，且 大致垂直於像素電極190a及190b的邊緣《為此，具有不同 傾斜方向的四個分域係形成於LC層3 00中。一替代性實施例 15中’因為LC分子的傾斜方向亦可由複數個突部（未圖示）加 以控制’形成於共同電極270上的複數個突部可代替切口 271及272 。 由於像素電極190a及190b之間電壓差異造成之一次級 電場的方向係大致垂直於切口 271及272的各邊緣。為此， 20 次級電場的場方向係與主要電場的水平分量方向重合。因' 此，像素電極190a及190b之間的次級電場增強了 LC分子的 傾斜方向。 因為LCD進行諸如點反相、直行反相等反相（亦即使一 所施加電壓的極性倒反）’可藉由對於一相鄰像素電極施加 43 1357661 一具有與共同電壓呈相反極性的資料電壓來達成一用於增 強LC分子的傾斜方向之次級電場。結果，相鄰像素電極之 間所產生之次級電場方向係等同於共同與像素電極之間所 產生之主要電場的水平分量。因此’可產生相鄰像素電極 5 之間的一次級電場，以增進分域的穩定性。 一實施例中’所有分域的傾斜方向係與閘線121形成約 45度角’且閘線121平行或垂直於面板1〇〇及2〇〇的邊緣。因 為偏光板的傳輸轴線及傾斜方向的45度交會可導致最大透 射’偏光板的附接方式可使得偏光板的傳輸軸線平行或垂 10 直於面板100及200的邊緣，藉以降低生產成本。 如上述’當具有不同電壓之兩像素電極19加及19%配 置於一像素區中時，珈瑪曲線的扭曲係由於兩像素電極 190a及190b的補償而減小。尚且，因為一像素區的空間可 散佈性係縮小’即便在一具有低像素密度的Lcd中亦可防 15 止破裂的影像。 第23圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖。第24圖為根據本發明另一實 施例之一LCD所用之一共同電極面板的俯視圖。第25_為 根據第2；3及24圖所示的實施例之一 LCD的俯視圖。 20 相較於第丨9至22圖的實施例而言，第23,24及25圖的實 施例將第一像素電極190a尺寸降低了約1/4且將第二像素電 極190b的尺寸增加約1/4。如圖所示，共同電極270的切口 271進一步係包括與第一及第二像素電極190a及190b的邊 界區呈重疊之分支切口。 44 一實施例中，第—像素電極職及第：像素電極觸 的比值可依據LCD所需要的性質而改變。 第23至25圖的實施例中，像素區形成有三重彎折帶形 狀且藉由第一像素電極19〇a及第二像素電極咖分成上及 下部。然而，即便在具有三重f折帶形狀的像素區中，第 -及第二像素電極隱物_可職為將像 及右部。 刀取及 10 第23至25圖的實施例顯示利用四光罩程序所製成之 打陣列面板。㈣，熟習該技術者可易於瞭解第 圖的實施例之理念亦可適詩彻五Μ TFT陣列面板。 々"I成之 域控將共同電極中所形成之切，示為分 的平面性圖用來作為分域控制構件時，有機突部 〖生圖案可能與切口相同。 15 =實施例中，_片形成_電極面板上。然 化層與板上，更謝之位於純 位於素區形成有-彎折帶形狀時’可產生 20 性，且偏絲 的—切電場以增強分域的穩定 或垂直:面Τ附接方式可使得偏光板的傳輸轴線平行於 ::及200的邊緣，藉以降低生產成本。 ，發明之-LCD係包括數個具有略為 4第福由次㈣相互補償來改㈣向可見度。 9至22圖及第23至25圖的實施例係顯示三重彎折帶 45 ==重=’本發明不限於三重彎折帶形狀，而是 之工間可散佈性。像素區的空間可散佈性降低係有 助於防止字元看起來呈破裂狀。 雖…、:已，^參照較佳實施例詳細地描述本發明，熟習該 【圖式簡單說明】 10 第1圖為根據本發明的一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第2圖為根據本發明的一實施例之一 LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第3圖為根據第1及2圖所示的實施例之一 LCD的俯視 圖； 第4圖為第3圖所示的LCD沿著線IV-IV，所取之剖視 圖； 第5圖為第1，2,3及4圖所示的LCD之電路圖； 第6圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 20 技術者瞭解可作出各種不同的修改及替代Μ脫離申請專 利範圍所界定之本發明的精神與範圍。 第7圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第8圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第9圖為根據第7圖所示的實施例之一 LCD的俯視圖； 第10圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 46 1357661 第11圖為第10圖所示的LCD沿著線χι·χι’所取之剖視 圖； 第12圖為根據本發明另一實施例之一[CD的俯視圖； 第13圖為根據本發明另一實施例之一lcd的俯視圖； 5 第14圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第15圖為根據本發明另一實施例之一lcd所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第16圖為根據第14及15圖所示的實施例之一LCD的俯 10 視圖； 第17圖為第10圖所示的LCD沿著線χνΐΙ-ΧνίΓ所取之 剖視圖； 第18圖為根據本發明另一實施例之一LCD的俯視圖； 第19圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 15 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第20圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 同電極面板的俯視圖； 第21圖為根據第19及20圖所示的實施例之一LCD的俯 視圖； 20 第22圖為第21圖所示的LCD沿著線χχΠ-ΧΧΙΓ所取之 剖視圖； 第23、圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一薄 膜電晶體陣列面板的俯視圖； 第24圖為根據本發明另一實施例之一LCD所用之一共 47 1357661 同電極面板的俯視圖， 第25圖為根據第23及24圖所示的實施例之一 LCD的俯 視圖。 【主要元件符號說明】 180.. .鈍化層 181.182.183.. .接觸孔 190a,190b...像素電極 191,192 切口 200.. .共同電極面板 220.. .黑矩陣 230.. .彩色濾片 250.. .覆塗物 270.. .共同電極 271.272.. .切口 81，82...接觸輔助物 100.. . TFT陣列面板 121,124,129…閘線 131.. .儲存電極線 133.. .儲存電極 140.. .閘絕緣層 151.154.156.. .半導體條帶 161.165.166.. .歐姆接觸部 171.173.179.. .資料線 17 5... >及電極 176.. .搞合電極 48