TWI353443B - - Google Patents

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1353443 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種使用微晶片，並藉由吸光光度分析 法用以測定檢查對象液中的檢測對象成分的濃度的微晶片 檢查裝置，以及該微晶片檢查裝置的構成構件的微晶片及 晶片保持具。 【先前技術】 近年來，應用微機器製作技術，將化學分析等使用比 習知裝置還微細化來進行被稱爲p-TAS(p-Total Analysis

System)或「Lab on chip」的微晶片的分析方法備受矚目 〇 使用此種微晶片的分析系統（以下，也稱爲「微晶片 分析系統」），是藉由微機器製作技術在形成於小基板上 的微細流路中進行試劑的混合，反應，分離，抽出及檢測 等的分析處理的所有工程作爲目的者，具體而言，被使用 於如醫療領域的血液分析，超微量的蛋白質或核酸等的生 物體分子的分析等。 尤其是，將微晶片分析系統使用於人的血液分析時， 例如血液量較少就可以而可減輕對於患者的負擔，同時試 劑量較少也可以而可減低分析成本。又，裝置較小型，因 此有容易地進行分析等的優點。活用此種優點，而將微晶 片分析系統所致的血液分析裝置，例如作成在自宅等患者 本身可進行血液分析的規格已被檢討。 -5- 1353443 ΙΟΡ年丨月Y日修正替換頁 在微晶片分析系統中，爲了測定檢查對象液（以下， 也稱爲「被檢查液」）中的檢測對象成分的濃度，一般使 用吸光光度分析法，具體而言，提案一種例如在形成於微 晶片的流路內，於被檢查液流入含有藉由添加試劑所得到 的吸光成分的測定對象物，並將該流路的直線狀部分作爲 吸光光度測定部，根據藉由使受光部接受透射該吸光光度 測定部之由光源所放射的光所得到的吸光度，來算出被檢 查液中的檢測對象成分的濃度的微晶片檢查裝置（例如， 參照專利文獻1)。 在此種微晶片檢查裝置中，被檢查液量及試劑量極微 量，又，在吸光光度測定部必須作成因應於被檢查液的種 類的一定以上的長度等，因此，吸光光度測定部是必須將 其形狀作成極細長，且必須將光入出射部分的面積作成如 約0.5mm2極小者。因此，爲了正確地測定吸光度，必須抑 制因對吸光光度測定部射入平行度高的光，而使光從吸光 光度測定部的側面洩漏至外部的情形，以防止因迷光而產 生測定誤差。 在此，所謂「迷光」是指通過微晶片中的吸光光度測 定部以外的部分而射入到受光部的光。 然而，作爲對於吸光光度測定部供給光的光源，理想 爲使用雷射裝置，惟雷射光爲單色光，而且因應於檢測對 象成分的種類，使得測定所需的光波長不相同，因此在每 次測定時，必須準備適當的雷射裝置，不但變成繁雜，還 會使檢查成本變高，因此檢討將放射連繞波長域的光之例 -6- 1353443 _(月《日修正替換頁 如氙燈等放電燈與波長選擇濾波器等波長選擇手段加以組 合使用。 然而，微晶片檢查裝置，是測定透射被導入測定對象 液的吸光光度測定部而所射出的光強度（以下，也稱爲「 透射光強度」），利用該透過光強度、及例如在吸光光度 測定部導入純水，藉由測定透射被導入該純水的吸光光度 測定部而所射出的光強度等而事先所測定的射入於吸光光 度測定部的光強度（以下也稱爲「射入光強度」），並藉由 朗伯皮耳定律（Lambert-Bear’s Law)來算出檢測對象成分 的度的構成者，因此使用氙燈等放電燈作爲光源時，該放 電燈具有經時地變化該放射光量的性質者，因而預先所測 定的射入光強度値是與測定透射光強度的時點中的實際上 射入光強度有很大不同之虞，因此有無法充分得到測定精 度的問題。該問題是在測定出射入光強度的時點，與測定 出透射光強度的時點有很大的時間差的情形時較爲顯著。 專利文獻1:日本特開2003-27947 1號公報 【發明內容】 本發明是依據如上事項所創作者，其目的是在於提供 —種即使作爲光源使用放電燈時，也可得到高測定精度的 微晶片檢查裝置，以及使用於該微晶片檢查裝置的微晶片 及晶片保持具。 本發明的微晶片檢查裝置，屬於具備具有吸光光度測 定部的微晶片所成，而從透射該微晶片的吸光光度測定部 1353443 κ»年）月/曰修正替换頁 ί-TUSWU-P' J ------·ϊ 的光源所放射的光被受光於透射光受光部的構成的微晶片 檢查裝置，其特徵爲：設有： 朝上述微晶片的吸光光度測定部的光軸方向直線狀地 延伸，並將從其一端射入的光源所放射的光，藉由從另一 端射出而導入至該吸光光度測定部的孔徑部，及透射配置 於從孔徑部的一端一直到吸光光度測定部的光路上所射入 的光的一部分，並反射其他的一部分的射入光分割反射鏡 ，及用以受光來自該反射鏡的反射光的反射光受光部。 本發明的微晶片檢查裝置，是具備具組裝有微晶片的 晶片組裝空間的晶片保持具較理想。 在本發明的微晶片檢查裝置，其中，是具有在微晶片 射出孔徑部的光的另一端具有相對的一面的突出部，而在 該突出部內設有吸光光度測定部較理想。 本發明微晶片是屬於構成上述微晶片檢查裝置的微晶 片，其特徵爲： 設有射入光分割反射鏡。 本發明的晶片保持具是屬於構成上述微晶片檢查裝置 的晶片保持具*其特徵爲： 設有孔徑部，及射入光分割反射鏡。 依照本發明的微晶片檢查裝置，藉由孔徑部在吸光光 度測定部，形成有選擇從光源直徑到該吸光光度測定部的 光所導入所用的導光路，因此對於該吸光光度測定部可射 入高平行度的光，而且設有配置於從孔徑部的一端至吸光 光度測定部的光路上的射入光分割反射鏡及反射光受光部 -8- 1353443 帅修正替換頁 所成的射入光強度測定機構，而可將射入光強度的測定與 依據被射入到孔徑部的光同時地進行透射光強度的測定， 因此即使有經時地變更從光源所放射的光放射光量的情形 ，而起因於此種情形也不會僅變動被使用於檢測對象成分 的濃度算出的射入光強度及透射光強度的任一方的測定値 ，而且可得到被導入到吸光光度測定部的光的正確射入光 強度値，故以高精度可測定檢查對象液中的檢測對象成分 的濃度。 本發明的微晶片及晶片保持具，被使用作爲上述微晶 片檢查裝置的構成構件者。 【實施方式】 以下詳述本發明。 第1實施形態 第1圖是表示本發明的微晶片檢查裝置的構成的一例 的說明圖；第2圖是表示第1圖的微晶片檢查裝置的A-A 斷面圖。 該第一微晶片檢查裝置10是具備：具有吸光光度測定 部25的微晶片20，及具有組裝微晶片20的晶片組裝空間32 的晶片保持具30所成的構成者，藉由吸光光度分析法來測 定被檢查液（檢查對象液）中的檢測對象成分的濃度所用者 第一微晶片檢查裝置10是具備有：裝置本體11，爲在 1353443

w w日修正替換頁I 其前端部分（在第1圖中上方部分）具有突出部22且由例如 聚對苯二甲酸乙二酯（PET)等塑膠等光透射性材料所成的 板狀體，在該突出部2 2的內部，於其面方向形成有朝水平 方向（在第1圖中的左右方向）延伸的長方體狀空間所成的 吸光光度測定部25的微晶片20，從晶片組裝用開口 32a被 ***在如鋁製箱狀體所成的晶片保持具30的組裝空間32內 成爲組裝狀態；及光源1 3，用以對吸光光度測定部25供給 光：及波長選擇濾波器14，設置於從該光源13所放射的光 一直到裝置本體11的光路（在第1圖中以兩點鏈線表示）L1 上：及透射光受光部15，以隔著波長選擇濾波器14及裝置 本體11而與光源13相對向的方式而設，用以將透射吸光光 度測定部25的光予以受光；及演算部16，被連接於該透射 光受光部1 5，用以根據經測定的吸光度來算出檢測對象成 分的濃度。 在該圖的例中，裝置本體11是具有藉由微晶片20的突 出部22的前端面22a抵觸於與晶片保持具30的晶片組裝用 開口 32a相對向的內壁面來進行定位，藉此被組裝於所定 位置的構成者。又，18是平滑透鏡，19是顯示在演算部16 所算出的數値的顯示部。 如第3圖及第4圖所示地，微晶片20是接合兩枚基板 21a，21b所成者，形成於其中一方的基板21a的吸光光度 測定部用凹所，藉由重疊於該基板21a的狀態的另一方的 基板21b被密閉而形成有吸光光度測定部25。 在該圖的例子中，微晶片20是具有：與吸光光度測定 -10- 1353443 ⑽Μ月/日修正替換頁 部25—起，於藉由基板2 la所形成的一面側具有開口的被 檢查液注入用孔26a ;試劑注入用孔26b與排出用孔28 ; 具有形成於基板21a的凹所被基板21b形成爲密閉狀態的 構成的混合部27 ;連通被檢查液注入用孔26a與混合部27 的被檢查液流路29a ;連通試劑注入用孔26b與混合部27 的試劑流路29b;連接混合部27與吸光光度測定部25的測 定對象液流路29c ;及連通吸光光度測定部25與排出用孔 28的排出流路29d，藉由被供給於被檢查液注入用孔26a 的被檢查液、及被供給於試劑注入用孔26b的試劑在混合 部27被混合所得到的含有吸光成分的測定對象液，被導入 到吸光光度測定部25而通過該吸光光度測定部25，最後經 由排出用孔28被排出的構成者。 又，在第一微晶片檢查裝置10中，在構成裝置本體11 的晶片保持具30設有：朝吸光光度測定部25的光軸方向（ 在第1圖中爲左右方向）直線狀地延伸，藉由將從其一端（ 在第1圖中爲左端）41a所射入的由光源13所放射的光，從 另一端（在第1圖中爲右端）41b射出而導入到吸光光度測定 部25的孔徑部41 :及配置成交叉於該孔徑部41，反射所射 入的光的一部分，藉由透射殘留部而將射入光分割爲二的 半反射鏡44，又，在裝置本體11的外方（在第1圖中爲上方 )，在被連接於演算部16之狀態下設有用以接受來自半反 射鏡44的反射光的反射光受光部46。 在該圖的例中，半反射鏡44是配置成其光射入面44a 對於孔徑部41的光軸傾斜45°的狀態。又，35是連通於孔 -11 - 1353443 收月修正替換頁 徑部41，將來自半反射鏡44的反射光導入到反射光受光部 46所用的反射光導光路；34是將透射吸光光度測定部25而 由光射出面25b射出的光導入到透射光受光部15所用的透 射光導光路》 孔徑部41是其斷面形狀呈正方形的隧道狀導光路；開 口徑是小於吸光光度測定部25的光射入面25a的最小徑者 較理想，又，開口徑（a)對全長（b)的比（a/b)是0.01至0.02 較理想。 作爲與吸光光度測定部25的光射入面25a之關係的孔 徑部41的尺寸的一具體例，吸光光度測定部25的光射入面 25a的最小徑是0.7mm時，孔徑部41是開口徑爲0.3mm而 全長爲16mm，而且開口徑對全長的比（a/b)爲0.019。 又，孔徑部41是其內面被施以非反射處理所成者較理 想。 作爲非反射處理的具體例，藉由晶片保持具3 〇的材質 等被適當地選擇，惟例如晶片保持具3 0爲鋁製時，有黑防 蝕鋁處理等。 作爲半反射鏡44，例如可使用在玻璃板上層積有介質 多層膜的層積體等。 此種晶片保持具3 0是準備：連同晶片組裝空間用凹所 ，形成有孔徑部用凹所、反射光導光路用凹所、透射光導 光路用凹所與半反射鏡組裝用凹所的基板31a;及僅形成 有晶片組裝空間用凹所的基板31b;及半反射鏡44’在基 板31a的半反射鏡組裝用凹所組裝半反射鏡44之後，可將 -12- 1353443 !轉/ 日修正替換頁 • u,- 組裝有該半反射鏡44的狀態的基板31a及基板31b，以組 合該基板31a及基板31b的兩個晶片組裝空間用凹所而形 成有晶片組裝空間32的方式進行接合，而藉此加以製作。 作爲光源13，可使用作爲氙燈，投影機的光源最適用 的超高壓水銀燈，短弧型金屬鹵化物燈等，惟可得到大發 光亮度之冋時容易點光源化，還有在波長250〜1400nm的 廣波長領域中具有連續光譜，特別是在很多被使用於吸光 度測定的波長領域（具體而言爲波長300~800nm的領域）中 不會發生亮度行而可得到穩定性放射光譜，因此使用耗電 20〜75W的短弧型氣燈較理想。 波長選擇濾波器14是僅對於被導入在吸光光度測定部 25的測定對象液中的吸光成分所吸收的波長領域的光（以 下也稱爲「測定波長領域的光」）具有高透射率者，例如 可使用在玻璃板上層積介質多層膜或金屬膜所成者。 透射光受光部15及反射光受光部46是分別具有依據受 光的光而輸出光強度信號的功能者。 作爲透過光受光部15及反射光受光部46，具體而言， 例如可使用矽光二極體等受光元件。該矽光二極體是對於 波長300〜110Onm的波長領域的光具有感度的受光元件。 演算部16是被連接於透射光受光部15及反射光受光部 46’具有依據從透射光受光部15所被輸出的光強度信號（ 以下也稱爲「透射光信號」）、及從反射光受光部46所被 輸出的光強度信號（以下也稱爲「反射光信號」）而利用朗 伯皮耳定律來算出被檢查液中的檢測對象成分的濃度的演 -13- 1353443 畔I月/日修正替換頁 算機構者。 具有此種構成的第一微晶片檢查裝置10，是在微晶片 20的被檢查液注入用孔26a供給被檢査液，同時在試劑注 入用孔26b供給試劑，例如藉由被連接排出用孔28的吸引 泵的作用而將在混合部27所得到的測定對象液導入到吸光 光度測定部25之後，將該微晶片20組裝於晶片保持具30， 而將光源1 3作成點燈狀態，藉此成爲動作狀態。 在動作狀態的第一微晶片檢查裝置1 0中，從光源1 3所 放射而利用平滑透鏡1 8被平行化的光中的透射波長選擇濾 波器14的測定波長領域的光，是射入到孔徑部41而藉由半 反射鏡44被分割爲二，透射該半反射鏡44的光，是藉由透 射被導入有測定對象液的吸光光度測定部25，其一部分被 測定對象液中的吸光成分吸收的殘留的一部分經由透射光 導光路34被供給於透射光受光部15，另一方面，反射該半 反射鏡44的光是經由反射光導光路3 5被供給於反射光受光 部46。 又，來自透射光受光部15，受光之光的峰値強度的積 分値經光電轉換後的電性信號係被輸出作爲透射光信號（ 光強度信號），又，來自反射光受光部46，受光之光的峰 値強度的積分値經光電轉換後的電性信號則係被輸出作爲 反射光信號（光強度信號），由此些透射光受光部15及反射 光受光部46分別所輸出的透射光信號及反射光信號被輸入 至演算部16,藉此依據此些而算出檢測對象成分的濃度， 使得該檢測對象成分的濃度被顯示在顯示部19。 -14- 1353443 /鄉丨月>r日修正替換頁 依照如上所述的第一微晶片檢查裝置10，藉由孔徑部 41在吸光光度測定部25，形成有選擇從光源13直行到該吸 光光度測定部25的光所導入所用的導光路，因此對於該吸 光光度測定部25可射入高平行度的光，而且設有由半反射 鏡44與反射光受光部46所構成的射入光強度測定機構，因 而可同時地進行射入光強度的測定與透射光強度的測定， 還有半反射鏡44配置成交叉於孔徑部41，而通過該孔徑部 41的光被使用於射入光強度的測定用，因此即使有經時地 變更從光源1 3所放射的放射光量的情形，也不會有因此種 情形而僅有被使用在檢測對象成分的濃度算出的射入光強 度及透射光強度的任一方的測定値發生變動，而且即使通 過孔徑部41的光的光量並非爲與從光源13所放射的光的經 時性的放射光量的變更比率成比例變更者，也可得到被導 入到吸光光度測定部25的光的正確射入光強度値，故可以 高精度來測定檢查對象液中的檢測對象成分的濃度。 在此，通過孔徑部41的光的光量並非爲與從光源13所 放射的光經時性放射光量的變化比率成比例變更者的理由 在於，藉由如開口徑極小至〇.3mm的孔徑部41從光源13所 放射的光中的直行於吸光光度測定部25的光的極少一部分 被選擇之故。 又，第一微晶片檢查裝置1〇是具備微晶片與晶片保持 具所成的構成者，設有由半反射鏡44及反射光受光部46所 成的射入光強度測定機構，可同時進行射入光強度的測定 與透過光強度的測定，因此不會如本發明人等在日本特願 -15- 1353443 月冰日修卓替換頁 20 04-2 74 788號所提案之具備微晶片及形成有將從光源所 放射的光導入到吸光光度測定部所用的光路的晶片保持具 ，且使用氙燈等放電燈作爲對吸光光度測定部供給光的光 源所成的檢查裝置般，會有在更換測定射入光強度所用的 微晶片、及測定透射光強度所用的微晶片之際因在光學系 上產生微妙偏差使得事先所測定的射入光強度値與在測定 透射光強度的時點實際上的射入光強度有所不同之虞，又 ，不會有因隨著將微晶片20組裝於晶片保持具30的作業等 而在裝置10本身的光學系產生微妙偏離，而僅有被使用於 檢測對象成分的濃度算出的射入光強度及透射光強度的任 一方的測定値發生變動的情形，因此可以高精度測定檢查 對象液中的檢查對象成分的濃度。 又’在第一微晶片檢查裝置10中，吸光光度測定部25 是以獨立狀態設在從微晶片20的其他部分所突出的突出部 22的狀態，該裝置1 〇本身的測定系統的設計自由度變大， 因此可減小測定誤差。 在本發明的第一微晶片檢查裝置，可施加各種變更。 例如，第一微晶片檢查裝置是代替半反射鏡，也可使 用具有僅透射特定的波長領域的光（具體上爲測定波長領 域的光）’反射該特定的波長領域以外的波長領域的光（以 下’也僅稱爲「其他波長領域的光」）的特性的反射鏡（以 下也稱爲「波長選擇反射鏡」）。 如第5圖所示地，此種微晶片檢查裝置是具有：將透 射波長選擇反射鏡49的測定波長領域的光被供給於透射光 -16- 1353443 ，，月>r日修正替換頁 受光部15，而在反射光受光部46供給有其他波長領域的光 者，利用該測定波長領域的光的光量、與其他波長領域的 光的光量呈比例關係來測定被檢查液中的檢測對象成分的 濃度的構成。 在此時，可藉由波長選擇反射鏡49從由光源13所放射 的光來選別測定波長領域的光，因此不必設置波長選擇濾 波器，又，與使用將從光源所放射的光中的測定波長領域 的光分割成二爲透射光強度的測定用與射入光強度的測定 用的構成的半反射鏡的微晶片檢查裝置相比較，供給於透 射光受光部15及反射光受光部46的光強度較大，因此可得 到更高的測定精度。 第2實施形態 第6圖是表示本發明的微晶片檢查裝置的構成的其他 例的說明圖。 該第二微晶片檢查裝置5 0是除了半反射鏡44設於微晶 片6 0之外，具有與第1實施形態的第一微晶片檢查裝置1〇 同樣的構成者。 在第6圖中，在具有與構成第一微晶片檢查裝置1〇的 構件同樣的構成的構件給予同一符號。又，65是將來自半 反射鏡44的反射光導入到反射光受光部46所用的反射光導 光路。 在構成第二微晶片檢查裝置50的裝置本體51的微晶片 60’半反射鏡44設於突出部22中的吸光光度測定部25的光 -17- 1353443 剛.月#日修正替換頁j 射入面25a的前方（在第5圖爲左方），該半反射鏡44是對於 從設於晶片保持具70的孔徑部41的另一端4 lb所射出的光 一直到吸光光度測定部25的光路（在第6圖中以兩點鎖線表 示）L2配置成傾斜45"的狀態。 在此，微晶片60是除了在突出部22設有半反射鏡44之 外，具有與第一微晶片檢查裝置10的微晶片20同樣的構成 者。 此種微晶片60是接合兩枚基板所成者；可準備：用以 形成被檢査液注入用孔、試劑注入用孔及排出用孔的貫通 孔；及用以形成吸光光度測定部、混合部、將此些連通的 微小流路（具體而言爲連通被檢査液注入用孔與混合部的 被檢查液流路、連通試劑注入用孔與混合部的試劑流路、 連通混合部與吸光光度測定部的測定對象液流路、及連通 吸光光度測定部與排出用孔的排出流路）的凹所；及形成 有半反射鏡組裝用凹所的其中一方的基板（以下，也稱爲 「第一基板」）；及另一方的基板（以下也稱爲「第二基板 」）；及半射鏡44，在第一基板的半反射鏡組裝用凹所組 裝半反射鏡44之後，藉由將組裝有該半反射鏡44的狀態的 第一基板及第二基板，接合成將形成在第一基板的凹所予 以密閉而加以製作。 在此種構成的第二微晶片檢查裝置.50中，除了從光 源13所放射而透射波長選擇濾波器14的測定波長領域的光 ，通過孔徑部41之後，藉由半反射鏡44被分割爲二，同時 反射半反射鏡44的光經由反射光導光路65被供給於反射光 -18- 1353443 Μ年I月曰修正替換頁 受光部96之外，作成與第一微晶片檢查裝置10同樣，依據 從透射光受光部15所輸出的透射光信號、及從反射光受光 部46所輸出的反射光信號，在演算部16中算出檢測對象成 分的濃度，使得該檢測對象成分的濃度顯示在顯示部19» 依照如上所述的第二微晶片檢查裝置5 0，藉由孔徑部 41在吸光光度測定部25形成有選擇從光源13直行到該吸光 光度測定部25的光所導入所用的導光路，因此對於該吸光 光度測定部25可射入高平行度的光，而且設有配置於從孔 徑部41的另一端41b所射出的光一直到吸光光度測定部25 的光路L2上的半反射鏡44與反射光受光部46所成的射入 光強度測定機構，因此可使用通過孔徑部41的光，與透射 光強度的測定同時地進行射入光強度的測定，因此即使在 從光源1 3所放射的放射光量經時地變更的情形下，亦不會 有起因於此種情形而僅有被使用在檢測對象成分的濃度算 出的射入光強度及透射光強度的任一方的測定値發生變動 的情形，而且即使並非爲通過孔徑部41的光的光量與從光 源1 3所放射的光的經時性的放射光量的變更比率呈比例地 變更者，也可得到被導入到吸光光度測定部25的光的正確 射入光強度値，故可以高精度來測定檢查對象液中的檢測 對象成分的濃度。 又，第二微晶片檢查裝置50是具備微晶片60與晶片保 持具70所成的構成者，惟可同時地進行射入光強度的測定 與透射光強度的測定，因此即使在隨著將微晶片60組裝於 晶片保持具70的作業等而在裝置50本身的光學系產生微妙 -19- 1353443 物年『月別修正替換頁j -------1 的偏離的情形下，也不會有僅有使用於檢測對象成分的濃 度算出的射入光強度及透射光強度的任一方的測定値發生 變動的情形，因此可以高精度來測定檢查對象液中的檢測 對象成分的濃度。 在本發明的第二微晶片檢查裝置，可施加各種變更。 例如第二微晶片檢查裝置是作成與第一微晶片檢查裝 置同樣而代替半反射鏡，也可使用波長選擇反射鏡。 以上，藉由表示具體性的兩個形態，來說明本發明的 微晶片檢查裝置，惟本發明並不被限定於此者，本發明的 微晶片檢查裝置是具備具吸光光度測定部的微晶片，具有 透射該吸光光度測定部之由光源所放射的光被受光於透射 光受光部的構成，若爲設有孔徑部、及由半反射鏡與波長 選擇反射鏡所選擇的射入光分割反射鏡、及反射光受光部 所成者，即可使用適當者來作爲其他構成構件。 依照如以上的本發明的微晶片檢查裝置，例如可測定 血液中的r-GTP的濃度、或GOT的濃度等。 血液中的r-GTP的濃度，是使用L-r-谷氨醯基- 3-羧-4-氰基苯甲醯胺基.（GluC ANA)、及甘胺醯基甘氨酸來作 爲試劑，如下述反應式（1)所示地，利用因r-GTP與兩種 試劑起反應而生成L- 7-谷氨醯基-甘胺醯基甘氨酸、及具 有吸收波長405 nm的光的特性的5-胺基-2-氰基苯甲酸的特 性，可依據藉由5-胺基-2-氰基苯甲酸所致的波長405iim的 光吸光量來進行測定。 -20- 1353443 -ϋ- 反應式⑴

CH2 NH-CO + HaN -V V~NO, L-7-谷氨醯基-3-羧-4-氰基苯甲醯

_,月# 日修正替換頁

nr L-T-谷氨醒基 5-胺基-2-氣基苯 -甘胺醯基 甲酸 甘氨酸 又，血液中的GOT的濃度是使用具有吸收波長340nm 的光的特性的冷·煙醯胺腺嘌呤二核甘酸還原型（NAD A)溶 液作爲試劑，利用因GOT與試劑起反應而生成-煙醯胺 腺嘌呤二核甘酸氧化型（NAD)的特性，可依據召-煙醯胺腺 嘌呤二核甘酸還原型（NADH)所致的波長340nm的光吸收 量來進行測定。 具體上，製作進行具有下述規格的血液中的r -GTP 的濃度測定所用的微晶片檢查裝置。 該微晶片檢查裝置是具有如第1圖所示的構成，作爲 微晶片，由聚對苯二甲酸乙二酯所成，爲縱25 mm，橫 25mm，厚度2mm，突出部的高度2.5mm，突出部的全長 1 2mm ’而吸光光度測定部的形狀使用光射入面及光射出 面0.7mm見方’全長1 〇mm者；作爲晶片保持具，由鋁所 構成，使用開口徑〇. 3 mm，全長1 6mm，開口徑對全長的比 率（a/b)爲0.019的孔徑部者。 又’作爲光源’使用短弧型氙燈，作爲波長濾波器， 使用僅對於波長400〜4 1 0(4 05 ±5)nm的波長領域的光具有 高透射率者’而作爲透射光受光部及反射光受光部，分別 -21 - 1353443 卿丨办r日修正替換頁 使用矽光 藉由 二極體。 該微晶片檢查裝置，將1~2μ1的血液作爲被檢查 對象液，作爲試藥，使用L-r-谷氨醯基-3-羧-4-氰基苯 甲醯基甘氨酸（GluCANA)2.Ul、及甘胺醯基甘氨酸8.4μ1 ，進行複數次濃度測定，在每次進行該複數次濃度測定時 即更換微晶片，而且在進行第1次的濃度測定的時點，與 進行最後一次的濃度的時點上有很大時間差而使得作爲光 源的氙燈的放射光量產生變化，但在其全部可得到同一測 定値。 由該結果，依照本發明的微晶片檢查裝置，確認出無 論是在使用放電燈來作爲光源時，或者是在檢查裝置本身 的光學系產生微妙偏差時，均可得到高測定精度。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的微晶片檢查裝置的構成的一例 的說明圖。 第2圖是表示第1圖的微晶片檢查裝置的 Α-Α斷面圖 〇 第3圖是表示構成第1圖的微晶片檢查裝置的微晶片的 說明圖。 第4圖是表示第3圖的微晶片的Β_Β斷面圖。 第5圖是表示本發明的微晶片檢查裝置的構成的其他 例的說明圖。 第6圖是表示本發明的微晶片檢查裝置的構成的另一 -22- 1353443 〜年/月4日修正替換頁 例的說明圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 :微晶片檢查裝置 1 1 :裝置本體 1 3 :光源 1 4 :波長選擇濾光器 1 5 :透射光受光部 1 6 :演算部 1 8 :平滑透鏡 1 9 :顯示部 20 :微晶片 2 1a，21b：基板 2 2 :突出部 22a :前端面 2 5 :吸光光度測定部 2 5 a :光射入面 2 5 b :光射出面 2 6 a :被檢查液注入用孔 26b :試劑注入用孔 2 7 :混合部 2 8 :排出用孔 29a :被檢查液流路 2 9b :試劑流路 -23- 1353443 月#曰修正替換頁 29c :測定對象液流路 29d :排出流路 30 :晶片保持具 3 2 :晶片組裝空間 32a :晶片組裝用開口 34 :透射光導光路 3 5 :反射光導光路 4 1 :孔徑部 4 1 a :—端 4 1 b :另一端 44 :半反射鏡 44a :光射入面 46 :反射光受光部 49 :波長選擇反射鏡 5 0 :微晶片檢查裝置 51 :裝置本體 6 0 .微晶片 65 :反射光導光路 70 :晶片保持具 -24

Claims (1)

1353443 /0°年/月冲修正替換頁 十、申請專利範圍 1. 一種微晶片檢查裝置，係具備具有吸光光度測定部 的微晶片所成，透射該微晶片的吸光光度測定部之從由放 電燈所構成的光源所放射的光被受光於透射光受光部的構 成的微晶片檢查裝置，其特徵爲：設有： 將朝沿著上述微晶片中的細長吸光光度測定部的流路 方向的光軸方向直線狀地延伸，並從由其一端射入的光源 所放射的光，從另一端射出，藉此形成導入至該吸光光度 測定部的隧道狀導光路的孔徑部：及透射配置於從孔徑部 的一端一直到吸光光度測定部的光路上所射入的光的一部 分，並反射其他的一部分的射入光分割反射鏡：及用以受 光來自該反射鏡的反射光的反射光受光部。 2 .如申請專利範圍第1項所述的微晶片檢查裝置，其 中，藉由前述孔徑部所形成的隧道狀導光路係開口徑（a )對全長（b)的比（a/ b)爲0.01〜〇.〇2。 3 .如申請專利範圍第1項所述的微晶片檢査裝置，其 中，具備具組裝有微晶片的晶片組裝空間的晶片保持具。 4.如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的微晶 片檢查裝置，其中，微晶片具有突出部，該突出部具有與 孔徑部的射出光的另一端相對向的面1在該突出部內設有 吸光光度測定部。 5 .如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的微晶 片檢查裝置，其中，前述射入光分割反射鏡設在前述微晶 片。 -25- 1353443 70年ί月^曰修正替換頁 6. 如申請專利範圍第3項所述的微晶片檢查裝置，其 中，前述孔徑部及前述射入光分割反射鏡設在前述晶片保 持具。 7. 如申請專利範圍第4項所述的微晶片檢查裝置，其 中，前述孔徑部及前述射入光分割反射鏡設在前述晶片保 持具。 -26- 七、指定代表圖： ^一）、本案指定代表圖為：第（1)圖 (二）、本代表圖之元件符號簡單說明： 10 微 晶片 檢 查 裝 置 25a 光射入面 11 裝 置本 體 25b :光射出面 13 光 源 30 ： 晶片保持具 14 波 長選 擇 濾 光 器 34 ： 透射光導光 路 15 透 射光 受 光 部 35 ： 反射光導光 路 16 演 算部 41 ： 孔徑部 18 平 滑透 鏡 4 1a :—端 19 示部 4 1b :另一端 20 微 晶片 44 : 半反射鏡 22 突 出部 4 4a :光射入面 22a :前端面 46 二 反射光受光 部 25 :吸 光光 度 測 定 部 LI : 光路 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： -4-