TWI351584B - Lithographic apparatus and device manufacturing me - Google Patents

Description

1351584 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影設備及一種製造元件之方法 【先前技術】

微影設備係一種將所期望之圖案應用至基板上（通常應 用至基板之一目標部分上）之機器β微影設備可用於（例如） 積體電路（IC)之製造。在該情況下，可使用圖案化元件（或 者稱為光罩或主光罩）來產生待形成於1(：之各別層上之電 路圖案。可將此圖案轉移至基板（例如矽晶圓）上之目標部分 (例如，包含一或若干晶粒之部分”通常係藉由在提供於基 板上之輻射敫感材料層（抗蝕劑）上成像而轉移圖案。—般而 a，單一基板含有相繼圖案化之相鄰目標部分之網路。已 知微影設備包# :所謂的步進器，其中藉由將整個圖案一 次性曝照至目標部分上來照射每一目標部分；以及所謂的 掃描儀，其中藉由沿給定方向（"掃描"方向）將圖案掃描穿過 一輪射光束Lx與此方向平行或反向平行之方向同+ 掃描基板，從㈣射每—目標部^亦可能藉由將圖案壓 印至基板上而將圖案自圖案化元件轉移至基板。 吾人已提出將微影投影設備中之基板浸沒在具有相對高 之折射率的液體（例如’水）中，以填充投㈣統之最终器件 與基板之間的空間。此之意義在於：因為曝照轄射在液體 中具有較短m，所能夠成像較小之特徵。（液體之作 用亦可視作是增加系統之有效να且亦增加焦點之深度）。已 提出其它浸没液體’包括懸浮有固體粒子（例如石英）之水。 108656.doc 1351584 …、、而，將基板或者基板及基板台浸入液體槽中（見（例如） 美國專利US 4,509,852，其全文以引用的方式併入本文中） 意謂著於掃描曝照期間必須對大量液體進行加速。此需要 額外的或功率較高的馬達，並且液體中之擾流可能產生不 良及不可預知之影響。 所提出的解決方案之一為利用一液體供應系統，以僅將 液體提供至基板之局部區域上及投影系統之最終器件與基 板之間（基板通常具有大於投影系統之最終器件之表面 積）。已提出的一種配置此解決方案的方法在1>(：丁專利申請 公開案W0 99/49504中揭示，其全文以引用的方式倂入本文 中。如圖2及3中所說明，液體經由至少一個入口 IN(較佳沿 基板相對於最終器件的移動方向）供應至基板上，且在通過 投影系統下之後經由至少一個出口 〇υτ移除。意即，當基 板在益件下受到沿-X方向之掃描時，液體於器件之+χ側供 應而於-X側柚出。圖2圖解展示該配置，其中，液體經由入 口 IN供應且在器件之另一側經由連接至低壓源之出口 〇υτ 抽出。在圖2之說明中，液體沿基板相對於最終器件之移動 方向供應，但並非必須如此。亦可能將各種定向及數目之 入口及出口定位於最終器件周圍，圖3說明一個實例，其中 在最終器件周圍以規則樣式提供四組處於兩側之入口與出 σ 〇 【發明内容】 應小心控制引入液體供應系統中'特定而言引入諸如包 含圖2-4中所說明及圊5中所說明（且下文更詳細地論述）之 108656.doc 口及相關結構之液體拘限結構 期間紊流等等不引起非所期望 亦應小心控制真空流及/或空氣 一或多個入口、一或多個出 的液體，以使壓力為在曝照 之效果。出於相同之原因， 流。 控制液體、氣體及真空流’通常使用閥門。由於該 閥門自關閉至打開及自打開至關閉之迅速切換，故連接 至此：閥門之管路可能經歷高壓梯度。當存在低壓時，存 在”田菌及其匕粒子沈降之危險。當存在自低壓至高壓之改 變時’可能增加管表面受到侵蝕之危險，其可引起液體供 應系統及由此液體拘限結構之粒子污染。粒子及/或細菌污 木可嚴重影響基板上之投影之一致性。由於需要停機時 間所以清潔系統以移除粒子消耗時間。清潔沈積之粒子 可能花費至少20分鐘。此外’沈積於基板上之粒子可導致 基板之有缺陷的印刷。 因此’為了降低液體供應系統之微粒污染，（例如）降低 壓力梯度以使得壓力既不過度降低亦不過快增加是有利 的。 根據本發明之一態樣’提供一種微影設備，其包含： 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統’其經組態以將輻射光束投射至基板之目標 部分上； 一液體供應系統，其包含一液體拘限結構，該液體拘限 結構經組態以至少部分地將液體拘限在投影系統與基板台 之間，且包含一壓力調節元件，該壓力調節元件經組態以 108656.doc (S) 1351584 減小供應至液體拘限結構之液體之壓力波動。 根據本發明之一態樣，提供一種元件製造方法，其包含： 經由液體拘限結構將經圖案化之輻射光束投射至基板 上’經由液體供應系統向液體拘限結構供應液體；及 減小液體供應系統中之液體中之壓力波動β 【實施方式】 圖1圖解描繪根據本發明之一實施例之一種微影設備。該 設備包含： 一照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光束以例 如UV輻射或DUV輻射）； • 一支撐結構（例如光罩台）MT，其經建構以支撐圖案化元 件（例如光罩）MA且連接至第一***pM，第一***pM 經組態以根據特定參數精確定位圖案化元件； -一基板台（例如畢圓臺）WT，其經建構以固持基板（例如 塗覆抗蝕劑之晶圓）W且連接至第二定位 PW經組態以根據特定參數精確定位基板

投射至基板w之目標 108656.doc 二***PW，第二*** 丨PS，其經組態以將 之用於導引、定形或控制輻射 诉射、反射、磁、電磁、靜電或其它類 或其任何組合。 圖案化元件’意即，承载圖案化元件之重 化元件之方式視圖案化元件之定向、微影 1351584 設備之設計及其它條件（例如圖案化元件是否固持於真空 環境中）而定H结構可使用機械、真空、靜電或其它夹 鉗技術來固持圖案化元件。支撑結構可為（例如）框架或台， 其視需或可移動的4撐結構可確保圖案化 元件處於所期望之（例如）相對於投影系統之位置。本文中術 語"主光罩”或"光罩"之任何使用可認為與較為—般之術語 "圖案化元件"同義。 應將本文使用之術語"圖案化元件"在廣義上理解為係指 可用於將圖案賦予輻射光束之橫截面中以（例如）在基板2 目標部分上形成圖案的任何元件。應注意，賦予輻射光束 之圖案可能不能精確對應基板之目標部分上所要的圖案， 例如當圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵時^ —般而 言，賦予輻射光束之圖案對應於元件中形成於目標部分上 之特定功能層（諸如積體電路）。 圊案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在 微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元型、交變相移型及 衰減相移型之光罩類型’以及各種混合光罩類型。可程式 化鏡面陣列之一實例採用矩陣排列之小鏡面，每一鏡面可 單獨地傾斜以反射不同方向上之入射輻射束。傾斜鏡面將 圖案賦予鏡面矩陣所反射之輻射光束。 本文中所使用之術語"投影系統”應廣泛地理解為涵蓋對 所使用之曝照輻射而言或對諸如浸沒液體之使用或真空之 使用的其它因素而言適當的任何類型之投影系統，包括折 108656.doc -10· 1351584 射、反射、反射折射混合、磁、電磁及靜電光學系統或其 任何組合。本文中術語"投影透鏡"之任何使用可認為與較 為一般之術語"投影系統”同義。 如此處所描述，該設備為透射類型（例如，採用透射光 罩）。或者，該設備可為反射類型（例如，使用上文提及之類 型之可程式化鏡面陣列，或採用反射光罩）。

微影設備可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支樓結構）之類型。在此等”多平臺"機器 中’可並行使用額外台，或可在一或多個臺上執行預備步 驟，同時’可使用一或多個其他台執行曝照。

參看圖1，照明器IL接收來自轄射源S 〇之輕射光束。舉例 而吕’當該源為準分子雷射時，該源及微影設備可為獨立 實體。在此等情況下，不認為該源形成微影設備之一部分， 且輻射光束借助於光束傳遞系統BD而自源s〇傳送至照明 器IL，該光束傳遞系統BD包含（例如）合適之導引鏡面及/或 光束放大器。在其它情況下，例如當該源為汞燈時，該源 可為微影設備之一體式部分。源s〇及照明器几（需要時還有 光束傳遞系統BD) —起可稱作輻射系統。 照明器匕可包含-調整器AD以調整輕射光束之角強度 分佈。-般而言，至少可調整照明器之一光瞳平面中強度 分佈的外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱為外部口及内 部小另夕卜，照明訊可包含各種其它組件，諸如積光器 IN及聚光器⑺。照明器可用於調節輻射光束以在其橫截面 中具有所期望之均一性及強度分佈。 I08656.doc 1351584 輻射光束B於固持在支撐結構（例如光罩台）!^丁上之圖汽 化器件（例如光罩）MA上入射，且由圖案化元件圖案化。在 越過圖案化元件MA後，輻射光束B穿過投影系統ps，投影 系統PS將光束聚焦至基板w之目標部分(：上。借助於第二定 位器PW及位置感應器IF(例如，干涉量側元件、線性編碼器 或電谷式感應器），可精確移動基板臀，從而（例如）將不同 之目標部分C定位於輻射光束8之路徑中。類似地，第一定 位器PM及另一位置感應器（其在圖丨中未明確描繪）可用於 相對於輻Μ光束B之路徑而精確定位圖案化元件财，例如 在自遮罩庫機械檢索（_hanie心如㈣）後或在掃描期 間。一般而言，可借助於形成第一***pM之部分的長衝 程模組（粗定位）及短衝程模組（精定位）來實現支撐結構河丁 之移動。類似地’可使用形成第二***pw之部分的長衝 程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器 (與掃描儀相對）之情況下，支樓結構Μτ可僅連接至一短衝 程致動器’或可為固定的。圖案化元件ma及基板w可使用 圖案化:件對準標記⑷、犯及基板對準標記Η、Μ加以對 準ia e所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其 亦可位於目標部分之間之空間中（此等已知為切割道 (scribe-lane)對準標記）。類似地，在提供多個晶粒於圖案化 疋件MA上之情泥下，㈣化元件對準標記可位於晶粒之 間。 所描述之設備可用於以下模式之至少一者中： 在步模式下，支撐結構MT&基板台WT保持基本上靜 I08656.doc •12- 1351584 止’同時將賦予輻射光束之整個圖案一次性投射至目標部 分C上（意即單靜態曝照）。接著在X及/或Y方向上移位基板 台WT，從而曝照一不同之目標部分Ce在步進模式下，曝 照場之最大尺寸限制單靜態曝照中成像之目標部分c的尺 寸0 2.在掃描模式下，支撐結構Μτ及基板sWT被同步掃描， 同時將給予輻射光束之一圖案投射至目標部分。上(意即單

動態曝照）。基板台WT相對於支樓結構町之速度及方向可 由投影系統PS之放大（縮小）率及影像反轉特徵決定。在掃 拾模式下’曝照場之最大尺寸限制單動態曝照中目標部分 之^度（在非掃描方向上）’而掃描運動之長度決定目標部分 之兩度（在掃描方向上）。

另—模式下，支樓結構MT保持基本上靜止而固持. 可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT，同時將】 予輻射光束之圖案投射至目標部分。上。在此模式下十 採用脈衝㈣源1在基板台WT之每-移動之後或一心 期間的連續II射脈衝之間，視需要更新可程式化圖案化^ :。此運作模式可容易地應用至利用可程式化圖案化元令 中A所提及4型之可程式化鏡面P車列）之無光罩微景 亦可採用上述使用模式之組合及/或變化，或完全 使用模式。 、 圖4展示具有局部化液體供應系 解決方案。液體經由投影季统匕……大心術 京/糸統PL兩側上之兩個凹槽入口取 108656.doc 13· 1351584 供應’且經由徑向配置於入口 IN外之複數個離散的出口 〇υτ移除。入口…及out可配置於一中心有孔的板上，且 投影光束穿過該孔投射。液體經由投影系統PL 一側上的一 個凹槽入口 IN供應，且經由投影系統PL另一側上之複數個 離散的出口 OUT移除，從而在投影系統pl與基板w之間形 成液體薄膜流。使用入口 IN及出口 OUT之哪一組合的選擇 可視基板W移動之方向而定（入口 IN及出口 out之另一組合 處於非作用狀態）。 已提出之另一具有局部化液體供應系統之浸沒式微影術 解決方案係向液體供應系統提供液體拘限結構，該液體拘 限結構沿著投影系統之最終器件與基板台之間的空間之邊 界之至少一部分延伸。此一解決方案於圖5中說明。液體拘

限結構在χγ平面上相對於投影系統大體上靜止，但是在Z 方向上（在光軸之方向上）可能存在某些相對運動。參見（例 如）美國專利申請案第US 10/844,575號，其全文以引用的方 式併入本文中。通常於液體拘限結構與基板表面之間形成 密封。在一實施例中，該密封係諸如氣體密封之非接觸密 封。 參看圖5 ’儲集器1〇在投影系統之像場周圍形成對基板之 非接觸密封，從而拘限液體以填充基板表面與投影系統之 最，·’；器件之間的空間。儲集器由位於投影系統pL2最終器 件下方及四周之液體拘限結構12形成。液體進入投影系統 下方及液體拘限結構12内之空間中。液體拘限結構稍微 乙伸至投&系統之最終器件以上，且液位升高至最終器件 I08656.doc -14- 1351584 ' 成而&供液體緩衝器。在一實施例中，液體拘限結 構12具有一内周邊，其上端與投影系統或其最終器件之形 狀接L致，且可為（例如）圓形。在底部，内周邊與像場之 形狀（例如矩形）接近一致，但是並非必須如此》 液體由液體拘限結構12之底部與基板…之表面之間的氣 體在封16拘限於儲集器中。氣體密封由例如空氣或合成空 氣（但在一實施例中為沁或另一惰性氣體）之氣體形成，氣 體在壓力下經由入口 15提供至液體拘限結構12與基板之間 的空隙，且經由第一出口 14抽出。氣體入口 15上之超壓、 出14上之真空位準以及空隙之幾何形狀經配置以使 得存在拘限液體之向内的高速氣流。 液體供應系統包含一供液體進入系統之入口及一管道與 閥門之"循環”系統，以移動並控制液體在系統内之流動。 當液體拘限結構中需要液體時，閥門切換至第一定向。當 不需要液體時’ Μ門切才矣至第i定向以使液體流動停止或 自液體拘限結構轉向。相同情況應用至圖5中展示之出口 Μ 及入口 1 5之氣體流及真空流，且本文中關於液體所論述之 任何實施例可在經適當組態之情況下應用至氣體流及真空 "IL 了&供閥門位置之另外定向以增加或減小液體拘限結 構中之液體/氣體/真空之壓力。 畲切換閥門時，上文所論述之潛在問題可變得顯而易 見。液體供應系統或液體拘限結構中可能發生微粒污染且 可能影響基板之曝照。明顯地，液體（或氣體或真空）應為純 淨的且沒有不可接受之污染等級。高壓梯度（或迅速的壓力 I08656.doc •15· 1351584 改變）可能是此非所希望之污染的原因。 如進一步論述，存在若干可降低壓力梯度以降低液體供 應系統及/或液體拘限結構之微粒污染之方式。

第一方法為減緩液體供應系統中之一或多個閥門之切換 速度。舉例而言，在丨或2秒内自每分鐘〇公升切換至每分鐘 約2公升或2公升以上可使微粒污染降低至可接受之等級。 在5秒内自每分鐘〇公升切換至每分鐘約2公升或2公升以上 可顯著或完全消除微粒污染。相反地，在〇.〖秒内自每分鐘 〇公升切換至每分鐘約2公升或2公升以上可導致不可接受 之微粒污染等級。在該情況下’很可能需要清潔液體供應 系統及/或液體拘限結構以阻止基板之有缺陷之曝照。閥門 之較慢之切換在閥門位於粒子過濾器下游時尤其重要。

此外，可以大體上相同之速度切換液體供應系統中之所 有閥門，以利於在整個液體供應系統中以大體上相同之速 率釋放或抑制或轉向通過所有閥門之液體。亦可小心監控 複數個閥門之切換之時序，以使得液體在液體供應系統之 不同部分中不會經歷大體上不同的流動速率，+同的流動 速率為液體供應系統管道中之壓力梯度之潛在_。為了 使在過濾器後沒有新的粒子變位（等）’以大體上相同之速度 切換閥門在閥門位於粒子過濾器下游時尤其重要。 降低壓力梯度之另—方式為當液體拘I结構中不需要液 體時將液體自液體供應系統排出’而非切斷液體供應系 統，液體供應系統意謂流動速率非常低，此可增加細 菌及微粒沈積之危險。達成此排水之-方式為具有-閥 I08656.doc 1351584 門’該閥門在允許液體流至液體拘限結構與允許液體流至 排玫口排放口之間切換。有可能使閥門處於排玫口中以使 得閥門打開排放口’而非閥門在液體拘限結構與排放口之 間切換。在該情況下，在管道中流向液體拘限結構之液體 轉向排放口之速率比閥門僅僅在液體拘限結構與排放口之 間切換的情況下慢，此係因為液體可繼續流向液體拘限結 構直至排放口完全打開。一替代方式為具有繞開閥門之滲 出流（bleed flow)並保持閥門關閉。另一替代方式為具有繞 開閥門並流入排放口中之滲出流。滲出流之目的為（例如） 不允許流體之壓力在閥門後增大。 圖6a中展示閥門之位置之實例。圖6a展示兩個閥門， 其一者20a僅可緩慢切換，且其另一者2〇b亦包含一排放口 24。圖6b展示包含排放口 24之閥門2〇b之一替代方式。圖讣 展不滲出流22，其繞開閥門2〇b並放空至排放口24中。箭頭 2展示液體至液體拘限結構4〇之流動方向。 可看出，粒子過濾器30之兩側上均有閥門2〇。液體經由 入口 18供應’沿方向4f過_2Qa、穿過粒子過渡器歸 取後穿過閥門2Gb之後才到達液體拘限結構4()。當液體拘限 結構40不需要液體時，閥門—可緩慢關閉及/或閥⑽η 經切換以使液體向下轉入排放口⑷或者，如圓❿中所示， 閥門20b可切換至關閉位置且液體經由滲出流流入排放 σ 24。 圖7展示降低屋力梯度之另—眚 仰厌又乃貫允例。在此情況下，緩衝 器谷積/阻尼^§50含有流動这率夫妙,. 3另机動迷手大體上保持恆定的液體，其 I08656.doc 1351584 f·亙定係藉由在流4之壓力降至臨限值以下時將液體引入管 道2中而實現的。 由於緩衝器容積5〇之靜態特性，所以存在細菌或粒子在 緩衝器容積50中累積之危險，且因此緩衝器容積藉由一可 挽性膜52而與液體供應系統之其餘部分實體上分離。緩衝 窃谷積/阻尼器50亦可在壓力上升至臨限值以上時移除過 量流體。緩衝器容積5〇中之基線壓力保持與液體供應系統 中之流4中所期望之壓力大體上相同。以此方式，流中之壓 力之變化得到補償《容積愈大，變化阻尼能力愈好。因此， 可在將所期望之流及所預期之流中之壓力變化考慮在内後 確定緩衝容積之尺寸。 雖然緩衝器容積/阻尼器可用於使壓力波動衰減，但是在 一實施例中需要自起始就消除波動，而非稍後對其進行補 償。為此，進一步可能性為在液體拘限結構及大半液體供 應系統之上游將壓力調節器或流量限制器引入液體供應系 統入口 18中。此可幫助降低或阻止由新引入液體供應系統 中之液體產生之衝擊波。 此等對於壓力梯度問題之解決方案可單獨地或組合地使 用。所使用之數目及類型視使用之特定系統之可接受的粒 子數以及所使用之管道2的類型而定。不同管道可能戍多戍 少會受到微粒侵蝕。 在一實施例中’排放口 24盡可能與液體拘限結構⑽接 近。此可最有效地發揮排放口之益處’因為只要通向液體 拘限結構之組合流及通向排放口之流保持大體上怪定，排 I08656.doc •18- 1351584 放口愈接近其實際被使用之點，則遭受流之變化之管路愈 少°因此，流之變化可侵蝕污染粒子之管路較少。

在歐洲專利申請案第03257072.3號t，揭示一種對雙平 臺浸沒式微影設備的理念。此類設備具備用於支撐一基板 之兩個台。水平量測在無浸沒液體之第一位置處之台執 行，曝照在有浸沒液體之第二位置處之台執行。或者，設 備僅具有一個台。雖然在本文中提供了對1C製造中之微影 設備之使用的具體參考，但應瞭解，本文描述之微影設備 可具有其他應用，諸如：積體光學系統之製造、用於磁域 記憶體之導引及偵測圖t、平板顯示器、液晶顯示器 (LCD)、薄臈磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此替代性 申請案之内容中，本文中之術語”晶圓"或"晶粒"之任何使用 可看作刀別與更常用術語"基板"或"目標部分"同義。本文提 及之基板可於曝照前或後在例如軌道（通常將光阻層施加 至基板且使曝照光阻顯影之工具）、計量工具及/或檢驗工具 中加以處理。在可應用之處，本文之揭示案可應用至此等 或其他基板處理工具。另外，例如為了形成一多層冗，基 板可、&不ih -次之處自’因4匕本文使用《術語基板亦可指 已經含有多個處理層之基板。 光束"涵蓋所有類型之電磁 如，具有或約為365 nm、 本文所使用之術語"輻射"及" 輻射，包括紫外線（UV)輻射（例 248 nm、193nm、15711〇1或126邮之波長 在凊形允許之情況下’術語”透鏡"可指各種類型之光 且件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。 108656.doc 19 1351584 雖然已在上文描述本發明之特定實施例，但應瞭解 發明可以與所述不同之方式實行。舉例而言，本發明可採 取含有描述上文揭示之方法的一或多個序列之機器可讀指 其中之此一電 磁碟或光碟）

令的電腦程式之形式，或者採取具有儲存於 腦程式之資料儲存媒體（例如半導體記憶體、 之形式。 本發明之一或多個實施例可應用至任何浸沒式微影設 備，尤其是（但非排他地）上文所提及之類型，且無論浸沒液 體係以槽之形式提供還是僅提供於基板之局部化表面區域 上。應在廣義上理解本文涵蓋之液體供應系統。在某些實 施例巾其可為提供液體至投H統與基板及/或基板台之 間之空間的結構機制或結構組合。其可包含提供液體至該 空間之-或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體 入口、-或多個氣體出σ，及/或一或多個液體出口之組 合°在—實施财m面可為基板及/或基板台之 -部分’或空間之一表面可完全覆蓋基板及/或基板台之一 :面’或空間可包圍基板及/或基板台。液體供應系統可視 情形進-步包括一或多個器件以控制液體之位置、數量、 品質、形狀、流動速率或任何其它特徵。 /文之福述意在為說明性的，而非限制性的。因此，熟 習此項技術者將瞭解，可在不脫 r円μ# 文所陳述之申請專利 範圍之㈣的情況下對所描述之本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之—實施例之微影設備； 108656.doc 1351584 圖2及圖3描述用於微影投影設備中之液體供應系統； 圖4描述用於微影投影設備中之另一液體供應系統； 圖5描述用於微影投影設備中之另一液體供應系統； 圖6a描述根據本發明之一實施例之液體供應系統； 圖6b描述根據本發明之一實施例之液體供應系統的一部 分；及 圖7描述根據本發明之一實施例之液體供應系統的另 部分。

【主要元件符號說明】

2 管道 4 方向 10 儲集器 11 液體 12 液體拘限結構 13 入口 14 第一出口 15 入口 16 氣體密封 18 入口 20a 閥門 20b 閥門 22 滲出流 24 排放口 30 粒子過濾器 108656.doc ⑧ 1351584 40 液體拘限結構 50 緩衝器容積/阻尼器 52 可撓性膜

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Claims (1)

1351584 , 第095104988號專利申請案 * ·中文申請專利範圍替換本(100年1月） 十^申請專利範圍： foo f年月 曰 修正補充 1. 一種微影設備，其包含： 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將一輻射光束投射至該基板 之一目標部分上； 一液體供應系統，其包含一液體拘限結構，該液體拘 限結構經組態以至少部分地將一液體拘限在該投影系統 與該基板台之間，且包含一壓力調節元件，該壓力調節 兀件經組態以降低供應至該液體拘限結構之液體之一壓 力波動，其中該壓力調節元件不是該液體供應系統的一 壓力源。 2. 如請求項1之設備，其中該元件包含一閥門，該闊門經組 態以使該液體供應系統中之該液體之流動速率在丨至5秒 内自每分鐘0公升改變至每分鐘約2公升或2公升以上。 3. 如請求項2之設備，其中該元件包含至少兩個間門，其中 • 所有該等閥f1適於以大體上相同之速度改變該液體供應 系統中之該液體之流動速率。 4. 如⑺求項2之设備，其中該閥門位於該液體供應系統中之 一粒子過濾器之下游。 5. 如明求項4之設備，其包含位於該粒子過濾器下游之至少 兩個㈣’其中所有該等閥門適於以大體上相同之速度 改變該液體供應系統中之該液體之流動速率。 6. 如凊求項1至5任一項之設備 供應系統中之一排放口及一 ’其中該元件包含在該液體 閥門，該閥門組態成在至該 108656-1000U2.doc 至該排放口之方向之間切換該液 液體拘限結構之方向與 體流* 如請求項6之設備，其

使用， ’其中該閥門位於該排放口内。 1至5任一項之設備，其中該元件包含一滲出流 該渗出流元件與該液體供應系統中之一閥門一起 該滲出流元件組態成即使當該閥門切換至一關閉 位置時仍在該液體供應系統中產生一液體滲出流。 項之5又備’其中該元件包含一在該液 如請求項1至5任 體供應系統之一入口中之壓力調節器。 奢求項1至5任一項之設備，其中該元件包含一在該液 體供應系統之一入口中之流量限制器 11. 如印求項丨至5任一項之設備，其中該元件包含一液體緩 衝器容積，該緩衝器容積組態成在該液體供應系統中之 液體谷積降至一臨限值以下時自該緩衝器容積釋放液 體’且組態成在該液體供應系統中之液體容積升至一臨 限值以上時接收液體進入該缓衝器容積中。 12. 如請求項丨丨之設備，其中該緩衝器容積藉由一可撓性膜 而與該液體供應系統分離。 13. —種元件製造方法，其包含： 經由一液體拘限結構將一經圖案化之輻射光束投射至 一基板上，經由一液體供應系統向該液體拘限結構供應 一液體；及 不使用在該液體供應系統中的一壓力源而降低該液體 供應系統中之該液體中之一壓力波動。 108656-1000H2.doc 1351584 月求項13之方法，其中降低該塾力波動包含使通過該 液體供應系統令之-閥門之液體流在1至5秒内自每分鐘 〇公升切換至每分鐘约2公升或2公升以上。 如哨求項13之方法，其中降低該壓力波動包含使液體在 該液體供應系統中之一閥門周圍滲出，使得該液體之淨 流不降低至每分鐘〇公升或降低至每分鐘〇5公升以下。 16·如請求項13至15任—項之方法，其中降低㈣力波動包 含使該液體流自朝著該液體拘限結構轉向朝著一排放 Π 〇 17. 如請求項13至15任一項之方法，其中降低該壓力波動包 含在泫液體供應系統中之液體之壓力降至一臨限值以下 時自一緩衝器容積添加液體至該液體供應系統。 18. 如請求項13至15任一項之方法，其中降低該壓力波動包 3在《»亥液體供應系統中之液體之壓力升至一臨限值以上 時將液體自該液體供應系統移除至一緩衝器容積。 19. 如請求項13至15任一項之方法，其中降低該壓力波動包 含使用一壓力調節器在該液體供應系統之一入口處調節 該液體之一壓力。 20. 如請求項13至15任一項方法，其中降低該壓力波動包含 使用一流量限制器在該液體供應系統之一入口處阻止一 來自新引入該液體供應系統中之液體的衝擊波。 108656-1000112.doc