TWI342245B - - Google Patents

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TWI342245B
TWI342245B TW096133008A TW96133008A TWI342245B TW I342245 B TWI342245 B TW I342245B TW 096133008 A TW096133008 A TW 096133008A TW 96133008 A TW96133008 A TW 96133008A TW I342245 B TWI342245 B TW I342245B
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Description

1342245 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 。本發明是較微細❹粉末(特別是粒子徑在奈米級 ,度者5之’本發明係有關適用於替代為了形成微細 6、電路圖案的配線形成材料的銀粒材料,例如藉由喷墨法 成膜的配線形成用材料,及藉由真空成膜過程之繼 (啊如ng)成膜的膜形成材料,以及代替濕式過程的電鑛
=的成賴㈣的銀粒子財、銀粒子粉末 燒成膜。 【先前技術】 由於固體物質的大,丨、傲& 負耵大小邊為nm級程度(奈米級大小) 變得非常大’所以雖然是固體,其與氣體 或液體間之界面變成非常大。因此、其表面的特性會大大 地改變固體物f的性質。於金屬粒子粉末的情形,已知1 融點比在整體狀態者有非常明顯的下降,因此與㈣(微 級程度大小的粒子相比’有可能描繪微細的配線,而且且 備有可以低溫燒結等的優點。金屬粒子粉末中,銀粒子粉 :具有低電阻且高对候性’金屬價格也比其他貴金屬便 且’特別可期望其成為有微細配線寬度的下—代配線材料。 ▲作為為了形成電子零件等的電極及電路的方法之厚膜 f(paste)法正被廣泛應用。厚膜膏是將金屬粉末之外,加 上玻璃叙末(=ss fnt)、無機氧化物等而分散在有機載體中 成的把、月藉由印刷或浸潰(dipping)方法形成所預定 之圖樣後’加熱到5_以上將有機成分燒掉,使粒子間 319552 5 1342245 為導體。藉由厚膜膏法形成的配線與基板間 者^糟由在燒成步驟中軟化/流動的玻璃粉末而沾濕 的朗粉末浸透(玻璃鍵結),再於氧化链H❹仏動 化銅或氧化㈣的無機氧化物μ板糟由氧 (化學鍵結)而確保其密著。-基板$成反應性氧化物
與以往的厚膜膏所用的微米大小的粒子相比較,夺米 大^的粒子可在低溫燒結,例如銀的奈米粒子纟姻u 。可X &、”。。僅考慮有關奈米粒子的燒結的話,雖在300 電溫也可以燒烤’但在高溫燒烤中,則受到形成 =及,路的對象基板之耐熱性所限制1了可使用的基 乎位:::制之外’尚有不能活用所謂的低溫燒結性的奈 =粒^特徵之點是為不利。為了增加成為對象基板的種 燒烤溫度要在3峨以下,較佳是在2呢以下,更佳 =在200t:以下,最好是在跡^下時低溫的話就有某 些程度之利點。 ' 燒成溫度低到则。(:以下時,照以往的厚膜膏手法即 使添加玻璃粉末,玻璃粉末因也不會軟化/流動,所以不合 、沾濕基板’結果會產生對於基板之密著不良的問題。尤: 是對玻璃基板及聚醯亞胺膜(polyimide fHm)基板為首之^ 種基板的密著性不良,所以期望改善與玻璃基板或聚酿亞 胺膜基板等的密著性。 關於對基板的密[有用粒徑1〇/im以下的金粒子 與軟化點45CTC以下的玻璃粉末與有機載體所成的低溫燒 319552 6 1342245 成型金糊膏的方法(專利文獻1),將平均粒徑為〇 〇1至〇 I // m的貝金屬粒子用於由樹脂組成物與有機溶劑、或金屬 肥皂溶液組成的貴金屬糊膏的方法(專利文獻2),將含有在 有機溶劑中分散金屬微粒子的金屬微粒子分散液及矽烷偶 合劑(silane coupling agent)的糊膏,塗布在玻璃基板上, 在250°C以上30(TC以下的溫度燒成的方法(專利文獻3), 併用平均粒徑0.5至20//m與平均粒徑!至1〇〇nm的粒 子,將其分散在熱硬化性樹脂中,用熱硬化性樹脂謀取密 鲁著的方法(專利文獻句等的提案。 [專利文獻1]曰本特開平〗〇_34〇619號公報 [專利文獻2]曰本特開平η·66957號公報 [專利文獻3]日本特開2004-179125號公報 [專利文獻4]國際公開第02/035554號小冊 【發明内容】 (發明要解決的課題) # 專利文獻1是將金粒子的粒徑設為以往的約1 /2以下 (l.〇Vm以下)’並設玻璃粉末的軟化點為45(rc以下,則 在500至_。⑶燒成溫度下,玻璃基板與金膜間玻璃粉 末會固定良好’提高密著強度。這個密著是由於所謂的玻 璃結合的關係’其前提是玻璃粉末會軟化/流動,所以在玻 璃粉末的軟化點以下的溫度之燒成,並未考慮在内。又, 因有添加溶解高分子量的乙基纖維素(ethyl cellul0se)的有 =載體(organic vehicle),所以會殘留有機物,很難得到高 著h生人低電阻值以及平滑的燒結膜表面。有機物殘留 7 319552 1245 Ϊ二ί”的配線上形成介電體層_,以及配線被放在 =衣見中%,擔心會有由於有機成分的脫離而引起的介 電组層的膨脹,或真空環境的環境 度下降。 4兄污木寻原因的電路信賴 專利文獻2’由於使用由平均粒徑為⑽至〇ι㈣ 的貴金屬粒子加入於樹脂組成物與有機溶劑、或金屬肥息 =組成的貴金屬糊膏,在⑽至⑽吖燒烤而能得 =絲厚度K5至3.〇_的,平滑且密實的貴金屬膜。 Ί、者並沒有使用玻璃粉末。又,不論有無金屬肥息溶液 =添加’都具有密著性。但是,與專利文獻】㈣,因為 4加冷解有南分子f乙基纖維素的有機載體,燒成時· 要上的溫度,而有與專利文獻】情形同樣的問題而。 專利文獻3是將含有金屬微粒子分散於有機溶劑的金 微粒子分散液及矽烷偶合劑的糊膏,塗 -在靴以上灣以下的溫度燒烤,而能得:: 土板上呈現優良密著性、且有高密度低電阻的金屬薄膜。 依此方法’就沒有於油墨汁(ink)中添加溶解高分子量的乙 基纖維素等的有機载體。因此,燒成時沒有特別需要500 C以上的溫度,有可能在300t:以下燒烤。但是在油墨中 因斗加有矽烷偶合劑,所以在油墨黏度之經時變化合 有問題。 曰 專利文獻4是併用平均粒徑0.5至20 # m與平均粒徑 1至lOOnm之粒子,將其分散於熱硬化性樹脂中,由熱硬 1±枒知得到搶著性。由於以熱硬化性樹脂確保密著性, 319552 8 1342245 可以在300°C以下燒成,但如有有機物殘留時,則在形成 的配線上形成介電體層時,或配線要被放在真空環境中 時’擔心會有有機成分脫離而引起的介電體層的膨脹,或 真空環境中的環境污染等原因的電路信賴度低下。又,因 含有樹脂’要降低糊膏的黏度會有困難的問題。
本發明是以解決這些問題為課題’在銀粒子粉末分散 液中形成電極或電路時,無需加人如㈣偶合劑的添加劑 或如熱硬化性樹脂的有機樹脂成分,在3〇〇t:w下的低^ ,烤’而顯著改善對於玻璃基板亞胺膜基板等的密 著性為目的。同時,在此所稱之銀粒子粉末分散液,係包 含所謂被稱為糊膏的,高黏度銀粒子分散液。 (解決課題的手段) ^為了要達成上述目的,在本發明中,提供具有有機保 護膜的銀粒子粉末,藉由TEM(透過型電子顯微鏡)觀察所 測定的粒徑藉由下述式⑴算出cv值達40%以上的粒巧 分佈寬大的銀粒子粉末。平均粒# DTEM例如是在綱^ :下。這個有機保護膜例如是由分子量100至1000的脂肪 酸(油酸等)及分子量100至】_的胺化合物所構成,前述 脂肪酸及胺化合物之巾至少其巾—方為丨分子中有】個以 上的不飽和鍵結。
CV 值= 1〇〇X[粒徑的標準偏差M/[平均粒獲Dtem]......⑴ 此處’ TEM觀察的平均粒徑, 察的60萬倍擴大蚩佶由田牡比Μ硯 y u |像中,測定沒有重疊的獨立粒子3〇〇 個的粒徑,而鼻出的4 出的千均值。各粒子的粒徑,係採用在畫 319552 9 1342245 像上測定的最大經(長徑)。 本發明提供的銀粒子粉末分散液,是將上述銀粒子粉 末分散於沸點在60至3〇〇°C的非極性或極性小的液狀有機 媒體中而成。將此分散液塗布在基板上形成塗臈,之後, 藉由將前述之塗膜燒烤,實現與基板密著性良好的銀燒成 膜。此時之燒烤,可在氧化環境中,於300。(:以下且能產 生銀的燒結之溫度範圍實施。 作為這種銀粒子粉末的製造法,係在醇或多元醇 (polyol)中’以醇或多元醇作為還原劑,在有機保護劑的存 在下,將銀化合物還原處理而使銀粒子析出的銀粒子粉末 的製造中,使用分子量100至1〇〇〇的脂肪酸及分子量ι〇〇 f 1000的胺化合物做為前述之有機保護劑,且此脂肪酸及 胺化合物中,至少其中一方之!分子中要有1個以上的不 ,和鍵結之物質為其特徵的製造法。上述脂肪酸’例如油 酸(oleic acid)很適合用。又,做為還原補助劑之2級胺或 # 3、級胺化合4勿中,至少要有其一方於共存的狀態下進行還 原處理為理想。 (發明的效果) 本發明之銀粒子粉末因具有寬廣的粒度分佈,所以推 測將此分散液塗布在基板上時,在基板的界面附近會聚集 有微小粒子,在界面的粒子密度會提高,結果在3〇〇它以 下的低溫燒成,也能確保對玻璃基板或聚醯亞胺膜基板等 2良好密著性。X ’因不含石夕&偶合劑,所以可提供經時 變化問題少的油墨,因不含熱硬化性樹脂,所以可以提供 3)9552 1342245 黏度低的油墨。 【實施方式】 [發明之佳實施形態] 本發明人等重複進行以往以液相法製造銀粒子粉末的 試驗,而開發了銀粒子粉末的製造法。其方法是在沸點85 至150°C的醇中,將硝酸銀在85至15(TC之溫度下,例如 在由分子量100至400的胺化合物所構成的有機保護劑之 共存下,進行還原處理。又開發了另一種銀粒子粉末製造 法,在沸點在85〇C以上的醇或多元醇中,將銀化合物(代 表性的是碳酸銀或氧化銀),在85t:以上的溫度,在例如 为子置1 00至400的脂肪酸所構成的有機保護劑共存下進 仃還原處理。用這些手法時,可得分散性非常良好的銀奈 米粒子的粉末。 ’
但是將由這些方法得到的銀粒子粉末的分散液,塗布 在基板上形成_,之後’由前述塗膜之燒烤而得到銀燒 成膜時,其S基板的密著性不—定充分。經詳細調查的結 果,判定其制S絲子粉末的粒度分佈過份窄小整齊。 於^重複研究的結果,確認了如上述的還原處理合 成銀粒切,做為有機保護劑而複合添加「脂肪酸」與「胺 化合物」4 ’可使合成的銀粒子粒度分 這樣的絲子粉末作為填充劑的銀燒成膜,^板 :有顯著的改善。但,上述脂肪酸與胺化合物中 八一方要有】個以上的不飽和鍵結的物質所構成。 以下’說明為了特定本發明之有關事項。 319552 I] 〔平均粒徑DTEM〕 本發明的銀粒子粉末’藉由丁 觀察測定的平均粒 2 TEM為200nm以下,在1 〇〇_以下較好,50nm以下更 好’ 30nm以下最好。v ^ ,使用於嗔墨時,要在20nm以下 =里,。關於平均粒#Dtem並沒有特㈣定其下限,但 Li =以上者可以採用。平均粒徑Dtem可用醇或多元 的耳,、有機保護劑…的莫取比、還原補助劑 齠、、暗1:還原反應時的升溫速度、授掉力、銀化合物種 算夕凡醇種類、還原補助劑種類、有機保護劑種類 加以控制。 〔CV 值〕 且本毛月之銀粒子粉末具有寬廣的粒度分佈為其特徵。 Ί而言是具有由下述⑴式所算出的cv 粒度分佈。 CV值-Η)0Χ|粒徑之標準偏差[平均粒徑Dtem]……⑴ 為了要算出標準偏差的各個粒子的粒徑,是採用 计异平均練Dtem Β夺所測定的各個粒子的粒徑。cv值可 以用有機料劑/Ag莫耳比、有機料劑種類等加以控制。 :用這樣寬廣粒度分佈的銀粒子粉末分散於液狀有機 、二二的分散液時,無需併用石夕坑偶合劑或熱硬化性樹月旨 成腹ί著^改善手段’而在3〇〇°C以下的低溫燒烤的銀燒 :膜中,其對基板的密著性有顯著地改善。其機制目前還 明確’不過可推測:由於有各種大小粒徑的粒子混合存 ,在基板界面沉降的微細粒子填充較大粒子間的空隙, 319552 12 1342245 在界面附近的粒子填充密度提高,因而推測銀燒成膜與基 板間的接觸面積並未增大。CV值需要在4〇% / 7 " ,, a 工,佴 45% 以上較理想’在50%以上更理想。 〔醇或多元醇〕 本發明是要在醇或多元醇之丨種或2種以上的溶液中 還原銀化合物。醇或多元醇是做為媒體及還原劑之作用。 用於此目的之醇,可使用丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁 醇、己醇、庚醇、辛醇、丙烯醇(ally 1 alc〇h〇1)、丁烯醇(cr〇ty i • alcohol)、環戊醇等。又多元醇類可使用二乙二醇 (diethylene giycol)、三乙二醇(triethylene glyc〇l)、四乙二 醇(tetraethyleneglycol)等。其中尤其是以異丁醇及正丁醇 為適合使用。 〔有機保護膜及有機保護劑〕 構成本發明的銀粒子粉末的銀粒子,其表面由有機保 4犋所覆蓋。此保護膜,係在醇或多元醇中的還原反應時, •藉由有機保護劑之共存而形成。本發明中用「脂肪酸」與 胺化合物」做為有機保護劑使用。其中至少有一方是具 有1個以上的不飽和鍵結物質所構成。藉由於不飽和鍵結 存在,可得具有優良的低溫燒結性的銀奈米粒子粉末。 又’脂肪酸及胺化合物’都分別採用分子量1 〇〇至丨〇〇〇 的物質。用分子量未滿1 〇〇的物質就不能得到充分的凝集 抑制效果。相反的,分子量太大時,則雖然凝集抑制力強, 但將銀粒子粉末的分散液塗布而燒成時,會阻礙粒子間的 燒結’配線的電阻會變高’有時會失去導電性。因此,脂 319552 1342245 肪酸、胺化合物都需要用分子量]〇〇〇以下的物質。使用分 . 子量在100至4㈨之間者較為理想。 本發明中可使用的代表性脂肪酸,可列舉如油酸(0Ieic acid)、亞麻油酸(linoleic acid)、次亞麻油酸(iin〇lenic acid)、棕櫚油酸(palmit〇ieic acid)、肉豆蔻烯酸(myrist〇丨eic acid)。這些可單獨使用,也可複合使用。又,胺化合物使 用一級胺化合物較理想。本發明中可使用的代表胺化合 物’可舉列如:己醇胺(hexan〇i amine)、己基胺 鲁(hexylamine)、2·乙基己胺(2-ethy lhexyl amine)、十二烧胺 (dodecyl amine)、辛胺(octyl amine)、月桂基胺(lauryl anrnie)、十四烷胺(tetradecyl amine)、十六烷胺(hexadecyl amine)、油胺(〇ieyi amine)、十八烷胺(〇ctadecy 丨 amine)) 等。這些也是可單獨使用,也可複合使用。 〔銀化合物〕 銀的原料,可使用各種銀鹽或銀氧化物等的銀化合 φ 物。可舉例如氣化銀、确酸銀、氧化銀、碳酸銀等,但工 業上使用硝酸銀較為理想。 〔還原補助劑〕 在進行還原反應時,使用還原補助劑較為理想。還原 補助劑可使用分子量100至1000的胺化合物。胺化合物 中’使用還原力強的二級胺或三級胺化合物為理想。還原 補助劑也與有機保護劑同樣’分子量未滿100則粒子的凝 集抑制效果低,又,分子量超過1000凝集抑制力雖高,但 塗布银粒子粉末的分散液而燒成時,阻礙粒子間的燒結, 319552 14 1342245 配線的電阻提高,有時會失去導電性,所以這些是不適用。 在本發明中可使用的代表性胺化合物,可舉例如二異丙胺 (diiS〇pr〇Pyl amine)、二乙醇胺(di_ ethan〇i 、二苯胺 (diphenyl amine)、二辛胺(dioctyi amine)、三乙胺(triethy】 amine)、二乙醇胺(tr丨ethan〇i amine)、n_n 二丁 乙醇胺 (N’M-dibutylethanol amine)。尤其是二乙醇胺、三乙醇胺為 合適。 〔液狀有機媒體〕 為了要製成分散有由還原所合成的銀粒子粉末的分散 液,在本發明中使用沸點在60至300°C的非極性或極性小 的液狀有機媒體。此處所指的「非極性或極性小」是指在 25 C時的比介電係數在1 5以下,在5以下更為理想。比介 電係數超過15時’銀粒子的分散性惡化而有時會產生沉 降,因而並不理想。因應分散液的用途而可使用各種液狀 有機媒體’但碳化氫系可適合使用,尤其是可以使用異辛 烷(isooctane)、正癸烷(n-decane)、異癸烷(isodecane)、異 己炫·(isohexane)、正十一烧(n-undecane)、正十四烧 (n-tetradecane)、正十二烧(n-dodecane)、十三院 (tridecane)、己院(hexane)、庚烧(heptane)等的脂肪族碳化 氫,苯(benzene)、曱苯(toluene)、二曱笨(xylene)、乙基苯 (ethylbenzene)、十氫萘(decalin)、四氫萘(tetralin)等的芳 香族碳化氫等。這些液狀有機媒體可以使用一種或二種以 上,像燈油(kerosin)那樣的混合物也可以。更為了要調墊 極性,使混合後的液狀有機媒體在25°C下的比誘電率變成 319552 1342245 、_系、_系 酯系等的 1 5以下的範圍内,亦可添加醇系 極性有機媒體。 〔銀粒子粉末的合成〕 下面說明本發明之銀粒子粉末的製造法。 本發明之銀粒子粉末,是在醇式^ &仕%或多兀醇中,將銀 物在有機保護劑的共存下藉由還原 ° Γ 原、理而合成。有機保護 y ^ ^ 」夂胺化合物」,其配合比率, 例如在莫耳比中,做成「脂肪酸 「
t」知化合物」=0.001 : 1至0.01 : 1之範圍就好,0.005 :丨 神相、产a u 0.01 . 1的範圍較為 理想。液中的Ag離子濃度可在5〇咖飢以上例如在 50至500mmol/L之程度就好。 逛原反應是在80至200。〔:,理想是在85至15〇t之力 熱下進行。在媒體兼還原劑的醇或多元醇的反複基發盘凝口 縮的還流條件下實施就好。為了要高效率進行還原起見, 以使用上述的還原補助劑為理想。種種檢討的結果,還原 φ補助劑在接近還原反應的終了時添加較好,還原補助劑的 添加量以相對於Ag的莫耳比在〇」至2〇之範圍為佳。 反應後的銀奈米粒子的懸濁液(反應完了後的泥漿狀 物(slimy)),例如,用下面實施例所示的順序,經洗淨、 分散、分級等之步驟,可以製成合於本發明之銀粒子粉末 之分散液。 〔本發明之銀粒子粉末的用途〕 本發明之銀粒子粉末’適用於製造要形成微細電路圖 樣的配線形成用材料,例如藉由噴墨法(ink jet meth〇d)的 319552 16 1342245 配線形成用材料,或代替藉由真空成膜過程的濺射法成膜 的膜形成用材料,以及代替藉由濕式過程的電鍍成膜法的 成膜材料。又本發明之銀粒末也適用於LSI基板配線及
FpD(平板顯不器;Flat Panel Display)的電極、配線用途, 更能適用於微小的溝槽(trench)、通孔(via h〇le)、接觸孔 (contact hole)的填埋等的配線形成材料。由於可以在低溫 燒烤,可適於做為具有可彎曲性(flexible)的膜上的電極形 成材料,在電子貫裝上可當做接合材使用。做為導電性皮 膜,可適用於電磁波遮蔽膜,或在透明導電膜等的領域利 用其光學特性的紅外線反射遮蔽等。利用低溫燒成性與導 電性,可適用於玻璃基板上的印刷、燒成,汽車窗玻璃的 防起霧用熱線等。另一方面,做為分散液,則不限於喷墨 法,亦可以適用於旋轉塗布(spin c〇ating)、浸潰(⑴口口丨叫)、 刮塗(blade coating)等各種塗布方法,也可適用於網版 (screen)印刷等。 〔燒烤〕 本發明之銀粒子粉末分散的分散液在基板上塗布後, 精由燒烤而可得銀燒成膜。燒烤是要在氧化環境下進行。 此處所稱之氧化環境是非還原性的環境,包含常壓下所謂 氣環境,以及減壓環境,或在惰性氣體環境中導入少 1軋氣的環境在内。燒成溫度可在loot至300t的低溫。 但因平均粒徑DTEM及塗膜的狀態之不同,產生銀之燒結 的下限溫度會有變化。在1〇〇t不產生燒結的塗膜時,則 要在產生燒結的下限溫度至3〇〇。〇之間的範圍燒成。 319552 1342245 '烤裝置一要能貫現上述環境及溫度者就可以而沒 有特別的限制。仏丨‘ * ’可舉例如熱風循環式乾燥器、輸送 二=烤爐’ IR燒烤爐等。要在膜基板(例如聚醯亞胺膜 上形成配線或電極時,考慮生產性則不是批次法 式)而疋使用適於大量生產的對應於滾筒到滾筒 _如_)方式的可以連續燒成的裝置為理想。燒烤時 間,則將形成塗膜的基板保持在上述溫度範圍Μ分鐘以上 為理想,保持60分鐘以上更為理想。 [實施例] 《貫施例1》 在媒體兼還原劑的異丁醇64g中,添加作為有機保護 劑脂肪酸的油酸〇.6g及一級胺化合物的油胺n〇g,銀化 合物的硝I4g’用電磁授拌器㈣’使硝酸銀溶 解。將此溶液移到附有回流器的容器内,放在油浴上,容 器内以400mL/min的流量通入惰性氣體的氮氣,將該液^ •電磁攪拌器以lOOrpm的回轉速度攪拌並且加熱在 C的溫度下回流6小時。還原補助劑的二乙醇胺是在溫度 達到108=起5小時後添加26g。此時要達到i〇8t為止的 升溫速度設定為2°C/min。 對於反應終了後的泥聚狀物,用以下順序實施洗淨、 分散及分級步驟。 〔洗淨步驟〕 [1]反應後的泥聚狀物40mL以離心分離機(日立工機公司 製之CF7D2)在30〇〇rPm下進行3〇分鐘固相與液相分二°, 319552 Ιβ42245 廢棄上面澄清液。 [2] 對沉殿物加入極性大的甲# 4〇mL,以_音波 散。 殊刀 [3] 重複3次上述之[I]至[2]步驟。 W實施上述之⑴步驟而廢棄上面澄清液,得沉 〔分散步驟〕 Π]對於經過上述之洗淨步驟的沉澱物添加極性小的十四 烧 40mL。 [2]接著用超音波分散機處理之。 〔分級步驟〕 [1]經過分散步驟的銀粒子與十四烷4〇mL的混合物以 與上述同樣的離心分離機,以3000rpm進行30: 相與液相分離。 [2回收上面澄清液。這個上面澄清液就成為銀粒子粉末 为政液。 對此分散液中的銀粒子進行TEM觀察,如前述由60 "七的晝像測$ 300個粒子的粒徑。由此結果,得平均粒 徑 dtem= 5.2nm,CV 值=55.40/〇。 丨 其次,將依上述順序所得之銀粒子分散液在 上用旋轉塗布法(__响塗布而形成塗膜,在室^ 2 5分鐘’將附有此塗膜的玻璃基板放在調整為⑽。^ ’上^持如此狀g 6G分鐘進行燒烤,得舰燒成膜。 接=得銀燒成膜,用下述方法調查其與基板的密著性 及谷積電阻。 319552 1342245 〔密著性試驗〕 在銀燒成膜上,用切割機做成100個lmm四方的方 格,在其上壓黏有每25mm寬度約有8N的黏著力的玻璃 紙膠帶(JISZ】 522)’之後剝開,計算殘留下來的方格數目。 以100個方格全部殘留者當做密著性良好,而表示為 100/100,100個方格全部剝離者當做密著性最不好而表示 為0/100來評估密著性,而本例的銀燒成臈的密著性為 100/100,是為良好。 鲁〔容積電阻值〕 藉由表面電阻測定裝置(三菱化學製Loresta HP)測定 表面電阻,與由螢光x線膜厚測定器(SII社製SFT9如 所得的膜厚度,經計算求得容積電阻值。其結果, 銀燒成關财度為〇.51_,容積纽值為丨 《實施例2》 貫施例1之油酸加入量由〇 6g增加到 〇 ’具他條 件則與實施例1相同下’進行實驗。 其結果,此例所合成的銀粒子粉末 = 5.2nm,(^值=5〇6%。 仪 υτΕΜ 所得銀燒成膜做上述密著性試驗的处 銀燒成膜對玻璃基板的密著性,以。^ =的 100/100,與實施例1同樣良好。 也评估法得 又,本例的銀燒成膜的獏厚度為 值為丨8.0终cm,容積 ,讀電阻 《比較例丨》 也"戶、鈀例1同樣良好。 319552 20 1342245 胺1二“1:丄中’不加油酸’有機保護劑則單獨使用油 二他條件設定與實施例】相同,而進行實驗。 —/、',,°果,此例所合成的銀粒子粉末的平均粒徑dtem :,,CV值叫2 5% ’沒有實現如上述實施例卜2那 軚見廣的粒度分佈。 值本例所得銀燒成膜,其膜厚度為 0.53 # m,容積電阻 為j j # Ω . Cm ’就容積電阻值而言是良好的。但進行 j在著|生式驗的結& ’本例所得的銀燒成膜對玻 白勺密英ΙΛ 、 ,以上述密著性評估法得0/100,其密著性很差。
319552

Claims (1)

1342245 第96133008號專利申請案 100年1月7日修正替換頁 十、申請專利範圍: -一 1. 一種銀粒子粉末,係具備有機保護膜的銀粒子粉末,而 具有由TEM觀察所測疋的最大為5 〇nm之平均粒徑 (dtem)以及以下述(1)式算出的cv值至少在45%以上的 粒度分佈 CV值=1 〇〇χ[粒控的標準偏差σ 〇]/[平均粒徑 Dtem]......(1) 以及正常大氣壓力下之燒結溫度為3〇(rc或低於 )300。。, 其中’前述之有機保護膜是由分子量1〇〇至1〇〇〇 的脂肪酸與分子量100至1000的胺化合物所構成,而 前述脂肪酸及胺化合物中至少其中一方之i分子中有J 個以上的不飽和鍵結者。 2. —種銀粒子粉末的分散液,其係將申請專利範圍第i項 的銀粒子粉末分散於沸點在6〇至3〇(rc的非極性或極 ) 性小的液狀有機媒體内而成。 3. 種銀粒子粉末的製造法,其係製造申請專利範圍第j 項的銀粒子粉末,其特徵是在醇或多元醇中,以醇或多 元醇為還原劑,在有機保護劑之存在下,藉由還原處理 銀化合物而釋出銀粒子的銀粒子粉末製造中,前述有機 保濩劑疋使用分子量1 00至丨〇〇〇之脂肪酸及分子量i⑼ 至1000之胺化合物,且此脂肪酸及胺化合物中至少一 方為1分子中有1個以上的不飽和鍵結者。 4. 如申請專利範圍第3項的銀粒子粉末之製造法,其中, 22 319552修正版 ¢342245 ^ 96133008號專利申請案 前述脂肪酸為油酸。 ~ 圍第3項或第4項的銀粒子粉末製造法, :’做為還原補助劑之2級胺及3級胺中,至少有— 方疋在共存的狀態下進行還原處理者。 6. 一種銀燒成_,其係將申請專利範圍冑2項之銀粒子粉 末之分散液’塗布在基板上而形成塗膜,之後,將前 塗膜燒烤而得。 ~ 7. 一種銀燒成獏之製造法,其係將申請專利範圍第2項的 銀粒子粉末之分散液塗布於基板上形成塗膜,之後,將 前述塗膜在氧化環境中、300°C以下燒烤。
319552修正版 23
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100818195B1 (ko) * 2006-12-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 금속 나노입자의 제조방법 및 이에 따라 제조된 금속나노입자
KR101334052B1 (ko) * 2007-01-09 2013-11-29 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 은 입자 분산액 및 그 제조법
JP5252843B2 (ja) * 2007-01-09 2013-07-31 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀インクおよびその製法
JP5191844B2 (ja) * 2008-09-10 2013-05-08 国立大学法人東北大学 水溶媒分散性銀微粉の製造方法
US20100233361A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 Xerox Corporation Metal nanoparticle composition with improved adhesion
JP5215914B2 (ja) * 2009-03-19 2013-06-19 三ツ星ベルト株式会社 抵抗体膜の製造方法、抵抗体膜、及び抵抗器
JP5574761B2 (ja) 2009-04-17 2014-08-20 国立大学法人山形大学 被覆銀超微粒子とその製造方法
JP2010287434A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Dowa Electronics Materials Co Ltd 銀導電膜付き基板およびその製造方法
KR20110113877A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 서울대학교산학협력단 균일한 크기를 가지는 은 나노입자의 대량 제조 방법
JP5811314B2 (ja) * 2010-06-16 2015-11-11 国立研究開発法人物質・材料研究機構 金属ナノ粒子ペースト、並びに金属ナノ粒子ペーストを用いた電子部品接合体、ledモジュール及びプリント配線板の回路形成方法
CN101920340B (zh) * 2010-08-20 2012-01-11 山东省科学院新材料研究所 一种大批量制备超细球形银粉的方法
US20120070570A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 Xerox Corporation Conductive thick metal electrode forming method
DE102010042702A1 (de) * 2010-10-20 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Ausgangswerkstoff einer Sinterverbindung und Verfahren zur Herstellung der Sinterverbindung
WO2012098643A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 Dowaエレクトロニクス株式会社 金属粒子粉末およびそれを用いたペースト組成物
JP6241908B2 (ja) 2011-02-04 2017-12-06 国立大学法人山形大学 被覆金属微粒子とその製造方法
JP5741809B2 (ja) * 2011-02-22 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 接合用ペースト、および半導体素子と基板の接合方法
JP5778494B2 (ja) * 2011-06-16 2015-09-16 株式会社アルバック 金属微粒子分散液及びその製造方法
KR20150081253A (ko) 2012-08-30 2015-07-13 코닝 인코포레이티드 은의 무-용매 합성법 및 이에 의해 생산된 은 생산물
KR20150110458A (ko) 2012-08-31 2015-10-02 코닝 인코포레이티드 은의 저-온 분산-계 합성법 및 이에 의해 생산된 은 생산물
WO2014036270A1 (en) 2012-08-31 2014-03-06 Corning Incorporated Silver recovery methods and silver products produced thereby
JP5960568B2 (ja) * 2012-10-01 2016-08-02 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀微粒子の製造方法
JP6099472B2 (ja) * 2013-04-26 2017-03-22 Dowaエレクトロニクス株式会社 金属ナノ粒子分散体、金属ナノ粒子分散体の製造方法および接合方法
KR101515137B1 (ko) * 2013-11-08 2015-04-24 한국기초과학지원연구원 은 나노입자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 소수성 구형 은 나노입자
JP6282616B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法
JP6263146B2 (ja) * 2015-04-06 2018-01-17 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電膜付基板、その製造方法、およびポリイミド基板用導電性ペースト
EP3284552B1 (en) * 2015-04-17 2022-08-03 Bando Chemical Industries, Ltd. Silver fine particle composition
JP6920029B2 (ja) 2016-04-04 2021-08-18 日亜化学工業株式会社 金属粉焼結ペースト及びその製造方法、導電性材料の製造方法
JP6912692B2 (ja) * 2017-08-18 2021-08-04 御国色素株式会社 広分布な粒度分布を持つ銀ナノ粒子の製造方法及び銀ナノ粒子
JPWO2021039361A1 (zh) * 2019-08-26 2021-03-04

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4906596A (en) * 1987-11-25 1990-03-06 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Die attach adhesive composition
JPH0467509A (ja) * 1990-07-06 1992-03-03 Kao Corp 導電性ペースト及び導電性塗膜
JPH10340619A (ja) 1997-06-05 1998-12-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 低温焼成金ペースト
JPH1166957A (ja) 1997-08-12 1999-03-09 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 導体組成物。
JP3957444B2 (ja) * 1999-11-22 2007-08-15 三井金属鉱業株式会社 ニッケル粉、その製造方法及び電子部品電極形成用ペースト
AU2001290266A1 (en) 2000-10-25 2002-05-06 Harima Chemicals, Inc. Electroconductive metal paste and method for production thereof
JP4320564B2 (ja) * 2002-06-28 2009-08-26 日亜化学工業株式会社 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜形成用溶液および透明導電膜の形成方法
US6878184B1 (en) * 2002-08-09 2005-04-12 Kovio, Inc. Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom
JP2004179125A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Mitsuboshi Belting Ltd ガラス基板上に金属薄膜を形成する方法
US7201888B2 (en) * 2003-10-07 2007-04-10 Ferro Corporation Nanosized silver oxide powder
TWI285568B (en) * 2005-02-02 2007-08-21 Dowa Mining Co Powder of silver particles and process
JP4284283B2 (ja) * 2005-02-02 2009-06-24 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀の粒子粉末の製造法
JP4660780B2 (ja) * 2005-03-01 2011-03-30 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀粒子粉末の製造方法

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