TWI332129B - Process control system and method of performing a fabrication process - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 185
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 148
- 238000004886 process control Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- WOIGZSBYKGQJGL-UHFFFAOYSA-N phenallymal Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1(CC=C)C(=O)NC(=O)NC1=O WOIGZSBYKGQJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- H—ELECTRICITY
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- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description
1332129 第92126058號專利申請索 (99年4月2日) 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明大致係關於半導體製造,尤係關於使用產品設 計及產率回授之製程控制系統。 【先前技術】 於半導體工業上有持續朝向增加元件密度、產量和產 率發展之傾向。為了增加元件密度,已作了許多朝向縮小 半導體元件的尺寸(例如,已達次微米水準)方面的努力, 且仍繼續著此項努力。為了達成該等密度目標,必須要有 更小之細微構造尺寸和更精確的細微構形。此可包括互連 線的見度和間距、接觸孔之間距和直徑、和譬如角和邊等 各種細微結構(feature )之表面幾何構形。為了增加產量, :以減J所需製程步驟之數目,和/或減少該些製程步驟所 。而,:間。為了增加產帛’可以改進個別製程之控制和/ 或印質,其中,產率係離開製程之完成產品與進入製程之 產品數目比較的百分比。 半導體製造為用來在晶圓表面上或表面内建造半導 牛之衣程。經研磨、成坯之晶圓進入半導體製程,而 包二=覆蓋了大量之半導體元件後方送出。半導體製造 美本制:Γ控制和建立元件之步驟和/或製程-所使用的 成層、推雜、熱處理和圖案化。形成層之操 ^薄層附加到晶圓表面上。各層例如可以是絕緣體、 用^體和/或導體’並經由各種製程而生長和沉積。一些丘 z儿積技術為化學氣相沉積(CVD)、蒸鍍和賤鍍。摻雜 92427(修正版) 5 Γ332129 (99年4月2曰) 是將^定數量之摻雜劑加到晶圓 =層之性質被修改(例如,將半導體改:二^ 使用許多的技術(例如可传用……她成為可 熱處理為另錄/離子佈植)來捧雜。 . 馬另一種基本的操 到特定的結果…船而▲ 曰圓加熱和冷卻以達 蒸發出污染物和2 操作中從晶圓 或從晶圓中移出/A:疋並次有額外的材料加到晶圓中 -般由摻㈣^;;種/同使用之熱處理是退火,其修復 損壞。於半導體ΤΙ中广㈣ 導體“中亦使用其他的熱處理,譬如合金化 yiDg)和浴劑之驅趕(driving of s〇】vents)。 圖案化為造成從表面層移除選擇之#分之一系列的 步驟寿多除了之後’在晶圓的表面上留下該層之圖樣。例 如’移除之材料能夠在層上形成孔,或留下之島狀材料。 圖案轉移製程亦稱之為遮光罩(ph〇t〇maski⑽、遮罩 (maSklDg)、光學微影術(Photolithography)或微影術 。實際的減除圖案化(SUbtractive pattenung,即從表面膜.去除材料)係藉由電漿蝕刻完成。 圖案化製程之目標為當電路設計需要時,建立所希望之形 狀於所需要的尺寸(例如,細微結構大小(feature size)), 定位他們於晶圓表面上適當的位置。圖案化通常視為四個 基本製程中最重要者。 一般而言,使用製程控制系統來施行一個或多個圖案 化或微影術製程。製程控制系統控制製程之各種之參數, 例如顯影時間、光阻流、及類似方面。此外,製程控制系 6 92427(修正版) 1332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2日) 統監視譬如#刻率、尺寸、細微結構大小及類似之特性, 以便決定是否製造之元件為可接受。圖案化或微影術製程 被要长要於歷史谷差(hist〇rical t〇lerance)内執行及產生結 果〜歷史谷差稱之為控制極限(例如,+/· 1 〇%) β然而, 14些控制極限無法考慮到特定的設計要求或產品產率,並 因此可能使不可接受之元件視為可接受,和可接受之元件 視為不可接受。 【發明内容】 下文為本發明之概述以提供本發明之某些態樣之基 本的瞭解。本概述並非意在限定本發明之重點/關鍵元件或 規劃本發明之範籌。唯一的目的在於以簡單的形式呈現本 發明之某些概念,以作為之後所呈現之更為詳細描述之序 0 本發明大致係關於半導體製造,尤係關於使用特定產 品設計之製程控制系統。藉由調適半導體製程使其適合於 特定的產品設計’可提升元件製造的產量和產率。 本發明依照譬如關鍵尺寸(CD)、覆蓋、和缺陷之製程 控制參數而製定半導體製程。製程控制參數並非以序^之 方式個別評價,而是組合成品質矩陣。品質矩陣係根據表 數輸入以及來自產品設計、模擬、測試結果、產率資料、 電氣資料及類似資料之已知資料庫。製程控制系統然後能 與非為習用之設計規格之品質指標相比較。因此,個別的 層能夠依於產品設計和產率’而特製為不同的規格和品質 指標。 幻427(修正版) 7 1332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2曰) 為了達成上述和相關的目標,本發明包括下文中將完 王說明並於申請專利範圍中特別指出之特徵。了列的說明 和所附的圖式提出本發明某些詳細的範例態樣和其施行情 形然而扣不出了一些使用了本發明之原理的變化方法。 由本發明之下列詳細說明並考慮相關的圖式,本發明之其 他的目的' 優點和新穎特徵將變得更為清楚。 【實施方式】 現將參照圖式而說明本發明,其中各圖中使用相同之 參考號碼參照以相同的元件。於下列的說明中,為了便於 說明,而提出了許多詳細之解說以提供對本發明之完全瞭 2。然而,可證實並不一定須要按照此詳細說明的内容來 3施本發明。於其他的實施例中,為了便於說明本發明起 見,係以方塊圖之形式來顯示已知的結構和元件。 於此申請案中所使用的術語“電腦組件,,一詞將浐 電腦相關的實體’舉凡硬體 '硬體和軟體的結合 '軟體、曰
,:中的軟體皆是。舉例而言’電腦組件可以是,但並不 1 定限於··於處理器中之處理運作 '處理器、標的物、可 、行之轾式、一串列執行之程式、和/或電腦。例如,執行 於词服器之應用程式和㈣器可以是電腦組件。於一處理 和/或執行串中可具有一個或多個電腦組件,而組件可以位 於個電腦和/或分佈於二個或多個電腦之間。 ^發明依照譬如關鍵尺寸(CD)、覆蓋' 和缺陷之製程 ::參數而調適(㈤。〇微影術製程。將稱之為關鍵參數 襄#王控制參數集合性地評價為品質矩陣。品質矩陣係根 92427(修正版) 8 丄 笫92126058號粵利申請索 ("年4月2日、) 據依照譬如 . (仁不限疋於)產品設計、模擬、測試結果、漆 率資料、雷备次必, 反 虱貝料和類似物之資訊而加權了係數之關鍵參 “本發明然後能發展品質指標,該指標為現用製程 ·%;合“分怒” 、 。控制系統然後能夠將品質指標與設計規格 乂便判疋是否能夠接受現用之製程。若該 =受,則可針對進行中之製程修正測試參數,使該: 。加工和再實施而為完整的製程。 统二:第1圖,表現了依照本發明之-態樣之控制系 統100的方塊圖。系統100包括控制器1〇2、製程工且ι〇4 件106。系統100藉由監視和檢驗製程(例如, 之關鍵參數(集合地而非個地 元件之製造。若現用制他進千導體 . 現用衣轾為已可接受地施行,則系統100 =續用於其他的製程。或者,㈣統⑽判定為尚不可 夠=1再:重加工和再實施該製程。此外,若製程不能 夠適备地再貫施’則可捨棄該半導體元件。 控制器1 02操作性地與製程 制地施行製程。於制哭1〇2„ 〃 〇界接’俾以可控 mL 判定並控制許多的用於製程之 測试參數’言如流率、光阻忐於 ,sy 尤阻成伤、處理持續時間、溫度和 々似參數。該製程僅為需要 ^ ^ , 文用於特疋+導體兀件(例如,記 憶胆7L件)之許多製程的其申—種。 此外,控制器1 02操作性从s y 1 11地再靶行由監視器组件1 06 所才日不的衣程。應該瞭解到有一 ’ 二此荨類型之製程(例如, 過度蝕刻且實質地危害到元 语.』兀件之蝕刻製程)不能簡單地復 原。對於該製程,可以拾杳兮__ 捨棄該兀件。然而’許多的製程可 92427(修正版) 9 1332129 第92126058號專利申锘史 (99 年 4 月 2 Γ) 充分地適合再施行。舉例而言,一種圖案化製程(其通常 包含沉積一層光阻層,選擇性地曝露部分之光阻和選擇性 地移除部分之光阻),能夠藉由移去該光阻而重加工。然 後’該圖案化製程能夠用可達成所希望結杲之新的製程參 數來再重複施行一次。
除了重複製程以外’控制器I 02亦可於原位置修正製 程。若有任何可改進製程之回授資料的話,則可經由指示 製程參數所需調整之監視器組件來提供回授資料。這些調 整並非單一關鍵參數之函數,而是產品設計、元件產率和 類似方面之一群之關鍵參數之函數。
如上所述,由控制器102來控制製程工具1〇4。該製 程工具104為依照測試參數,實際地和可控制地施行製程 (例如’藉由塗布光阻、圖案化、旋轉晶圓、蝕刻和類似擊 程)之系統組件。此外,製程工具1〇4包括於製造期間(例 如’於原位置)和/或於製造之後(例如,檢查)收_造資^ 之裝置。此製造資訊可包括’例如,關鍵尺寸(例如,於X 和y方向之寬度和間距2D和3D)、溫度、壓力、覆蓋、缺 陷和類似之資訊。間距測量值A昝 〜 J里值為貫質相等之細微結構之間 之測量值。寬度測量值為單一 έ 、、田微結構之測I值。一般而 言’係使用譬如掃描電子鞀掷扭 α .·*員微鏡(SEM)和光學顯微鏡來獲 侍測量值。對於SEM,最初佶田抑 ^ 吏用探頭來與測量之細微結構 互相作用。然後產生包含有杳 含有貝訊之訊號,並將此訊號接著 轉換成測量值。此訊號本質上 ^ 不貝上為—電子發射之記錄,其為 由電子束打擊於表面上之當工 卞束之位置的函數。對於光學 92427(修正版) 10 1332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2日) 顯微鏡,使用譬如繞射圖案之訊號來獲得測量值。 監視器組件106從製程工具1〇4獲得製造資訊,並能 夠提供控制資訊至控制器1〇2。由監視器組件1〇6所產生 的控制資訊可包括引致控制器102再執行特定製程,和/ 或修正現用製程之各指令。 此外,監視器組件106根據製造資訊產生品質矩陣。 品質矩陣包括複數個參數(例如,關鍵尺寸、寬度、間距、 覆缺陷和類似之參數)和對於各參數相關之加權。根據 產:口產率和製造設計模型而決定關聯於各參數之加權,以 =田地加權各參數之效果。然後計算品質指標作為品質 P之函數,該品質指標必定為品質矩陣中複數個參數的 函數·。品質指標能表示成從〇至1〇〇之百分比,其中〇指 :製程為實質地錯誤…00指示製程為實質地正確,而曰 其他適當的产二目各種程度。可使用 ,又里作為。口質指標。對於半導體元件和/哎制 可接受之容差水準。舉例來說,〗5%之容差 一株知/可接受85%或更佳之品質指標值。一般能按昭 ㈣改變可接受之容差水準。重要的是,須; J 質指標和品質矩陣係根據複數個表數之入 成結果,而非僅單一個減。 數之。 了可:::之測試參數可能導致少於期望的或甚至超出 “又4差水準之製造結果。用來決定測試參數之 擬杈型化、神經網路、貝葉斯(Bayesian)網路' 貝苹疒 任網路和其他機制可能產生與真實世界情況下所期望= 修正版) 11 Ϊ502129 第92126058號專利申請案 (99年4月2曰) 同之結^貝葉斯信任網路將進-步詳細說明於後。因此, 成於原位施行調整和/或更正測試參數,以補償這些差显。 如前文所述,監視器組件係操作性地提供資訊和,或指令至 控制器102’以修正現用的製程。該資訊對於欲將複數個 ’數推向接近所希望值之製程的測試參數產生修正。因 此’可修正製程使之變成可接受(例如,在品質指標超出了 可接受之範圍時)和/或接近設計規袼。 、,成製程以後,可藉由製程工具刚而獲得後製程檢 查測1值’並將該等測量值提供至監視器組件作為複 數個參數。該後製程檢查測量值能夠較原位置測量值更廣 泛(例如’藉由於多個方向進行測量對於此等檢查,使 用品質指標以決定製程結果是否為可接受。若品質指標為 :可接又(例如’在可接受之容差值内),則可能的話可再 該t程°若不能再施行該製程,則可捨棄該半導體元 件或確》忍為不可操作。於可操作狀況半導體元件然後能 繼續進行[元件之另—製造階段。此外,能夠儲存品質指 標、品質矩陣和關聯於製程之其他的資訊,和/或使用他們 來進^發展後來之測試參數、品質矩陣和用於後續製程 之品質指標。 已說明糸統1 00於原位置操作和後製程操作。然而, 應該瞭解可施行和/或使用系統100以便操作於原位置、後 製程、或二者。 纽參照第2圖,揭示可依照本發明態樣促進半導體元 件製造之系統200。系統200包括品質矩陣產生器2〇2、重 92427(修正版) 12 1332129 第92126058號專利申請案 (99 年 4 月 2 a) 加工組件204 '產品產率資料庫206、元件製程資料庫208 和元件影像資料庫210。系統200接受複數個關鍵參數作 為後4程檢查之結果,而至少部分地決定是否完成的製程 為可接文。此決定係根據合成的和/或組合之複數個關鍵參 數,而不是用一系列考慮之個別參數。—般而言,系統2〇〇 決定關於是否重加工完成之製程,或繼續製程半導體元件 至其後之階段。系統200能夠執行為控制系統(如上述討 論之第1圖之控制系統i 〇〇 )的一部份。 品質矩陣產生器202接收用於半導體元件之後製程檢 查之複數個關鍵參數,並決定製程將如何繼續進行。這些 關鍵參數包括關鍵測量值,例如,χ方向測量值、y方向測 量值、寬度(例如’ 2D和3D)、間距(例如,扣和3D)、溫 度、壓力、覆蓋、缺陷和類似之測量值。 ’稱之為品質矩陣, 具有加權係數之關鍵 示: 品質矩陣產生器202建立一矩陣 其中矩陣之各項目或各點表示單—的 參數。此表示式能以下列數學式子表 ⑴ 參數=wxa 其中a是對於參數之期望值,诃是 值亦能關聯於各參數。品質矩陣之此外常數 ^ 之各列—般包括複數個關 鍵參數和他們的相關之加權。能夠具 個別列對應至特定之設計/製造 ^ ^ #中 解到品質矩陣能夠僅有-列,而:彳如元件產率。應瞭 此外,可依照設計目標按照列而使發明而施行。 史個別參數所用之加權變 92427(修正版) 13 1332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2曰) 化。 於此種情況,能產生品質矩陣並表現為: ^12^12 · · * ^21^21 W22^22 · * · » V»! ^nlara *·· Wnmanm_ 然後,品質矩陣產生器藉由分析設計性能目標、設計 規則、產品產率和類似方面而計算各係數。如此施行以後, 可以適當方式計算用於品質矩陣之指標值。一種適當之方 式是依照此處所描述之方程式(3至4),加總各矩陣元成為 最後值,稱之為品質指標:
Wj,fln + w12a12 + · · ·+wlmalm w21a2l + + · · · + w2ma2l (3)
y=»l 然後能加權品質指標,該品質指標係以百分比表示接 近於設計/產品目標的程度。 品質矩陣產生器202與產品產率資料庫206、元件製 程資料庫208和元件影像資料庫21 0互相作用,以便決定 14 92427(修正版) 1332129 第92126058號專利申锖索 (99年4月2日) 係數和可接受之品質指標值。產品產率資料庫2〇6包括相 關用於現有半導體元件產品產率目標和製造階段之資訊。 此資訊對於決定係數和關鍵參數與相關的產率之間的關係 特別有用。元件製程資料庫2〇8包括相關於各種製程之資 訊’包括現有元件之先前完成的製程。此資訊幫助決定係 數值》此外’此資訊能夠使所期望的關鍵參數關聯於實際 測量之關鍵參數’並能夠用來建議後續製程中的修正。元 件衫像 料庫2 1 0包括元件設計和佈線之二次元和三次元 影像。可以使用此資訊來確認現有製程後半導體元件之影 像與該製造階段所期望之影像之間的差別。應瞭解到可藉 由品質矩陣產生器202而使用額外的資料庫和/或資訊。 根據計算之品質矩陣,品質矩陣產生器202可發訊號 仃次一個製程,或可指示重加工組件2〇4應對現有的 製程進行重加工或再施行。重加工組件使得半導體元 件:灰復到在現有的製程之前的製程階段。一般而言,此能 夠藉由反轉製程而完成(例如’藉由移除該圖案化之光阻)。 此外重加工組件204計算對使用於完成的製程中之 各測試參數的修正或調整。此等修正使得下—個製程將可 獲得可接受之品質指標,和/或可接受之半導體元件。重加 工組件204能與產品產率資料庫2〇6'元件製程資料庫规 ::件影像資料庫21〇相互作用,雖然為了簡化之目的, 方;弟2圖中並未示出。 應瞭解到,本發明夕 -_ 么 之一取代的態樣為包括第2圖中之 系統200的變化,於吁么 U Τ 方'該糸統中,允許於製程期間操作和修 92427(修正版) 15 1332129 第92126058 ¾專利申請案 (99年4月2日) 正測試參數。 第3圖為描繪依照本發明之一態樣微影術控制系統 之方塊圖。系統300與第丄圖中之系統1〇〇以相似的 方式操作。然而,系統300特別調適成適用於微影術製程。 =統300係操作性地使用譬如設計規則和產品產率之元件 訊,以便控制微影術製程。系統3〇〇包括光罩圖案組件 3〇2、監視器組件3〇4、設計規則组件3〇6、產品產率組件 3〇8、品質指標組件31〇'光罩重加工組件312和蝕刻组件 314 ° 光罩圖案組件302根據許多決定的測試參數而於半導 體元件上施行圖案化製程。使用—種光罩光栅(maskretic⑷ 作為製耘的一部分,該光罩光栅包括依照測試參數覆蓋在 璃板上之圖案陣列。該光罩包括不透明和透明區域,分 別防止或允許光通過。光罩能對準在晶圓上現有的圖案和/ =π件’以選擇性地曝露光阻,並通常經由設計製程而獲 得。光罩能形成於玻璃板上並以感光乳劑、鎘、氧化鐵、 石夕或其他適當的不透明材料製成。在進行過曝光以後,使 光阻之選擇部分顯影然後將之去除。 由光罩圖案組件3〇2完成圖案化製程了以後監視器 組件304分析半導辦# & . 千¥體几件。監視器組件經由後檢查製程獲 ㈣數個關鍵參數。關鍵參數包括,例如,關鍵尺寸、覆 缺陷#崩似蒼數。然後將測試參數組構成品質矩陣, 其中各點包括對於參數之期望值和關聯於該參數之係數或 加權。為了簡潔之目的,兹省略產生此矩陣之詳細說明, 92427(修正版) 16 1332129 (99年4月2曰) 該矩陣之詳細討論已見於相關前述之第丨圖與第2圖中。 簡單地說,可藉由參考設計規則組件3〇6和產品產率組件 3〇8而決定係數。一旦產生了品質矩陣後即決定可接受 的指標值之範圍,該範圍包括所施行之光罩/圖案製程符合 或超越了可接受之值的範圍。然而,不像習知的控制系統^, 該等值之範圍係根據複數個關鍵參數 '設計目標、和/或半 導體元件而定。舉例而言,一些元件允許更多之缺陷容差, 反之其他的元件則允許較大之關鍵尺寸容差。藉由總結這 些差值’可獲得可接受值之更適當範圍β 接著,產生了用於半導體元件之品質指標31〇。該品 質指標310通常表現為百分比型式值。監視器組件取= 以=產品設計模擬、測試結果'產率資料、電氣資料和^ 似資料來之已知資料庫而使用期望之參數值。然後,所希 望之蝕刻製程之模擬能與二次元和三次元設計和/或佈線 影像相比較,以藉由輔助品質指標31〇的產生來決定是否 現用參數值產生可接受之結果。 '若由監視器組件304所計算之品質指標3】〇是在可接 受之範圍内,則蝕刻組件314繼續施行於半導體元件之蝕 刻製程。由於圖案化製程、後檢查、品質矩陣 '前面所使 用之品質指標’各製程可實質地產生於所期望 刻結果。 蚀 可接受之範圍内,則重加工 並使得光罩圖案組件3〇2再 件312藉由移除剩餘之光阻 右品質指標3】0未能落於 組件3 1 2復原該完成的製程, 施行光罩圖案製程。重加工組 92427(修正版) 17 1332129 第92126058號專利穿請案 (99年4月2日) ^擇地知行清洗處理,而復原該遮罩操作。當如此施行 時,半導體元件是處在與由光罩圖案組件3〇2所施行之原 =圓案化操作之前的情形為實質相同的製程狀態。因為圖 案化為非破壞性之製程因此可重複該製程許多次,直到 獲伃了可接受之品質指標310為止。
雖然已經針對微影術控制系統對系統300作了說明, 但是應該瞭解到本發明之替代態樣可針對其他型式之製程 進订#作和提供控制。詳言之,依照本發明能檢查和再施 行非破壞性之製程(例如,像是圖案化製程)。 本發明之製程控制系統能使用於任何適當的製程,譬 如仁不限於’金屬化、圖案化 '蝕刻、摻雜、沉積、濺鍍、 研磨和類似的製程。此外,能使用本發明之 導體元件,該等半導體元件能使用於廣變Π 電月却和電子元件中,孽& Φ _ 裝置、電信設備'醫藥1研:業設備、手持式 備、研發設備、運輸車輛、雷達/
電及類似裝置中。手持式裝置,尤其是手持式 二置’由於減輕"和/或增加了計算能力(例如,辦 力口處理能力和記憶體儲存容量),而增進了可攜性。^ 裝置之例子包括蜂巢式電話和其他二路通訊裝置、個人 >資 料助理、掌上操控裝置、呼叫器 抓供、W ,、 掌Z ^'電知遠端控制 -備⑽Μ視頻和聲頻)、無線電設備 網路檢視器'攝影機,以及類似裝置。 电視機和 =4圖顯不代表性之信任網路秦,該信 能用來模型化半導體元件製’路彻 此處所使用之“信任網 %427(修正版) 18 丄332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2曰) :相門二:包含了在不確定狀況下合理進行處理之不同 :率=個範圍。使用數量性(主要使用貝葉斯或 :率方法)和品質性技術二者。影響圖為信任網路之擴展; 备要做決定以進行運作時則使用他們。在本質上1不確定 用生特^領域中’使用信任網路來發展以知識為基礎的應 μ 4圖中所示’問題域被模型化為-組之與弧42〇 之即·點410’以形成一個有指向的非循環圖。各節點 ,不一隨機變數’或可能是二個或更多個可能值之不確定 =弧420意謂著鏈接之變數之間存在的直接影響,而各 ❼曰的強度係藉由前向之有條件的或然率而予以量化。 在信任網路内’根據觀察之真實事件,而計算各節點 仕ί任度(節點之狀況或然率)。已發展出各種之方法來評 所即點的信任度,和用來施行可能之推論。各種之設計實 貝上係相同的―他們提供了在信任網路中傳播不確定性之 機構’和提供了結合觀察之真實事件以決定於節點之信任 度之形式體系(f_allsm)e屬於信任網路之擴展的影響圖 係提供:用來架構診斷目標的能力,和用來查明當決定珍 斷時所給予之資訊所將具有之值(影響值)的能力。於影塑 圖中’有三種類型之節點:機會節點(ehance讀),其對 應於貝葉斯信任網路中各節點;實用節點⑽my η。岭 表示決定之效用;和決定節點’表示能用來影響世界狀態 之決定。影響圖在經常需要時間和金錢兩者之成本以獲得 貢訊的真實世界之應用是很有用的他。 最大化期望值(expectation maxiinizati〇n,EM)演算為 92427(修正版) 19 1332129 第92】26058號專利申請索 (99年4月2日) 於信任網路中進行學習之通用方法。於其標準形式中,其 並不計算參數之全部後面的或然率分佈,而是把重點放在 最大的後面參數值。最大化期望值(EM)演算係藉由下述方 式進行運作:藉由交感法(interactive approach )來進行 - 推論學習(inference learning )。於第一步驟中(稱之為£ 步驟)’ EM演算在信任網路中對於資料組中之各資料執行 推論。此推論使得從資料而來的資訊可被使用,和可從所 φ 得之後來的或然率計算各種所需之統計值S。然後於Μ步 .驟,選用各參數來最大化後來所給予之1〇gp(T I 之對 數,這些統計值係固定的❶此結果係為具有統計值’s之新 的參數組,該等吾人過去所集合之統計值s不再正確。因 此必須重複E步驟,然後撾步驟等等。於各階段em演算 保證後來的或然率必定增加。因此,其最終收敛至後來對 數的局部最大值。 有鑑於上述之前面結構和功能特徵,依照本發明之各
,態樣之方法將參照第5至7圖而能有較佳之瞭解。為了 簡化說明之目的,雖外;第$ $ 7固+ ·丄 雄仏弟5至7圖方法將以一系執行 步驟來作說明,作是庫寸腠@ μ i Τ ▲广分疋應該瞭解到,本發明並不限於所示之 甘从能技士 二〜樣取夠與此處所描繪和說明之 其他L樣有不同之次序和/咬
Bp . ^ ^ 次门時發生。再者,在依著本發 月之心樣來施仃其方法時, 必需者。 非所有顯不之細微结構皆為 圖。方 92427(修正版) 20 13321^ (99年4月2日) 而增加產量/產率。固 量值因此,可經由於各種測試參數之原位挪 皇值之回授,而修正製程。 r饥而 方法500開始於步 ^ .,騾5〇2’於此決定製程之測試參數。 別-式參數為用來施行製 双 製程經歷、、《_ 各> 數,譬如流率、光阻成份、 要求用=半;;:似者。製程為-般之製程而“ 之其中的—種。_二:(例如,記憶體元件)之許多製程 如,你始达 說來,測試參數係根據產品設計(例 程(譬如塗布光阻、圓案化^絲Γ果並包含了控制製 之參數。 〃紅轉晶圓、蝕刻和類似製程) 吼。-般而^驟::4 ’起始或繼續著製程,並獲得測量資 :製造==使::程”訊(例如’於原位^ 之寬度和間距…)、:度^ 之資訊。間距測量值為實f ㈣ ^ 耳貝相等方;細微結構之間之測量 值。寬度測量值為單―細微 …;量 °構之測篁值。一般而言,已 如上U #使用言如掃描電子顯微$ 來獲得測量值。 π尤τ顯微鏡 方法500然後繼續於步 獲得複數個關鍵參數。這此於此利用測量資訊來 制晉^ μ &些關鍵參數係直接或間接相關於 I”訊,亚包括關鍵尺寸、寬度、間距、覆蓋、缺陷和 一似之貢訊。接著’於步驟5〇8產生品質矩陣,盆 ==目包括複數個關鍵參數之其中-個:相關聯 的加…數。這些加權為產品產率和設計模型之函數。 92427(修正版) 21 USZ12^ (99 年 4 月 2 a ) 應瞭解到在起始製程之前,能夠建立用於品質矩陣之係 數繼、貝於步驟5 1 〇 ’產生品質指標。品質指標為矩陣之 項目的函數,並提供指示製程之性能的百分比I。於步驟 ^產生可接受指標值之範圍。可接受值係至少部分根據 設計目標和產率’並針對現用半導體元件被調適。 —當品質指標為可接受時,方法500繼續現有製程直到 完成為止。否則,於步驟514將修正和/或調整測試參數。 這些修正欲獲得可接受之產品品質指標。㈣,於㈣514 調整:試參數後,方法繼續於步驟5〇6繼續著製程。 從參和、第6 ® ’描繪依照本發明之一態樣促進施行半 導體製程的方法600之方塊圖。方法_於完成製程後分 析半導體兀件。於兀件被視為不可接受時,能重加工元件 使得元件變成可接受。 依照方法600可控制至少一部分之許多的製程。尤其 適合的是這些製程能夠卜風音 «匕対I丨;τ'上冉貰施。舉例而言,通常包 3 了 /儿積層光阻層和選擇地曝光部分之光阻和選擇地移 除。Ρ刀之光阻之圖案化製程’能夠藉由移除光阻而進行重 加工。錢,能夠用可達成所希望結杲之新的製程參數而 再次重複圖案化製程。 完成製程了以[於步驟602獲得後製程檢查測量 值。後製程檢㈣量值可以較原位置測量值更廣泛(例如藉 由於多個方向測量)。前文中已詳述了此等測量之詳細討 論’因此為了簡潔之故而於此省略其說明。於步驟將 後製程測量值直接或間接轉換成關鍵參數。前文中已經說 92427(修正版) 22 1332129 明了關鍵參數。從這也關 構了品質矩陣,其心=步驟_至少部分建 象數。妙祛於牛、 目包括伴有加權係數之關鐽 值,由 '疋關恥於關鍵參數之各係數之 而元成品質矩陣。决定•办址 訊之函盔气的次 决及故些值作為半導體元件資 魂八Μ客玄 不限衣.兀件設計、佈線、佈 線刀析、產率、和類似者。 评 繼續於步驟610,方法6〇 井沪。。所τ #攸口。質矩陣來之品質 調製成百分比之形式。…:的總和,並將其按比例 *的範圍。可接二=::Γ12計算指標值之可接 而言,若元件和再施行製程。一般 、 口貝心標為不可接受(例如’在可接受之容差信 内),若可能的話則可再施 接又之令差值 可捨辛半導卿开杜+ 仃氣耘。右不能再施行製程,則 ::Γ:γ 其辨識為不可操作者。於可接受之 狀況下’+導體元件然後能 -之 此外,能儲存和/或使用品質㈠之几件製作。 人κ用〇口貝指標、品質 之其他資訊,來進—步發展用於==聯於製程 數、品質矩陣和品質指標。、、之後來的測試參 第7圓顯示依照本發明之' 法700之流程圖。一妒 、千等體το件的方 e ,方法7〇〇施行圖柰〆卜制 於施行該製程後分析元件,和丁圖案化氣程, 程。藉由如此的作法,有 /要的話再施行該製 不適當的製程。 …避免對半導體元件之有害和 方法700開始於步驟7〇2 …、許多的測試參數而施 92427(修正版) 23 1332129 (99年4月2曰) 打圖案化製程。於完成製程後,於步驟7〇4施行後掣 查,並獲得稱之為關鍵參數之基本測量值。接著,於;步驟 706產生品質矩陣’其中矩陣之項目包括關鍵參數和加權 n於㈣mW㈣陣之各值’並指示關鍵來 數對於彼此之相關重要性,和於一個或多個製程目標⑽ 如,產率'尺寸…)中他們的效杲。然後於步驟710計算從 品質矩陣來之品質指標。品質指標一般為百分比。 於品質指標指示所得結果為不可接受之情況下(例 在決疋之可接又之指標範圍之外),於步驟712對元件 進行重加工,並去除光阻。然後於步驟714計算對測試參 數之調整,以使細微結構圖案化製程能夠更靠近預期的/ 所希望的值而施行。接著,方法700繼續於步驟702根據 對於測試參數最近發展之調整而再施行圖#化製程。 以上所說明的為關於本發明之一個或多個態樣。當缺 不可能描述用於描述本發明之目的之要件或方法之每” 以想到的組合,但是—般熟習此項技藝之人士可以瞭解 發明之报多更進-步的組合.及替換是可能的。因此,本發 明意在涵括落於所附加的申請專利範圍之精神及範嘴内之 ,b類的替代、修正及變換。此外,雖然本發明特殊之 特徵已經由數種實施情形之僅其中一種相關之實施例來加 、 仁是此特徵能夠與其他實施例之一個或多個发他 特徵相結合,而對於缸〃 U他 具有優點。再者,對^所給予和特殊之應用是所需的和 “ +於街包含(includes)”是使用於令 砰細說明或該申請專利範圍之範圍内,此術語是意在; 24 92427(修正版) 〜丄29 第92126058號專利申請案 (99年4月2曰) 似 ;術5吾 包括(comprising),’之方式包含於内。 圖式簡單說明】 第1圖為顯示依照本發明之一態樣之控制系統的方塊 圖; 第2圖 k之系統的 第3圖 方塊圖; 第4圖 造之控制的 第5圖 統之代表性 第6圖 方法之流程 第7圖 方法之流程 【主要元件 控制 為顯示依照本發明之一態樣促進半導體元件製 方塊圖; 為顯示依照本發明之一態樣微影術控制系統的 為顯示依照本發明之一態樣促進半導體元件製 方法之流程圖; 為顯示依照本發明之一態樣能使用具有控制系 信任網路之圖式; 為’肩示依照本發明之—態樣施行半導體製程的 圖; 為顯不依照本發明之—態樣製造半導體元件的 圖。 符號說明】 系統 102 104 106 200 202 控制 製程 監視 糸統 品質 重加 器 工具 器組件 矩陣產生器 工組件 &427(修正版) 25 204 1332129 第92126058 ¾專利申靖案 (99年4月2日)
206 產品產率資料庫 208 元件製裎資料庫 210 元件影像資料庫 300 系統 302 光罩圖案組件 304 監視器組件 306 設計規則組件 308 產品產率組件 310 品質指標組件 312 光罩重加工組件 314 姓刻組件 400 信任網路 410 節點 420 弧 500 方法 502、504 ' 506、508 ' 510、512 步驟 6〇〇 方法
602、604、606、610、6]2 步驟 700 方法 702 ' 704 ' 706、708、7】0、712、714 步驟 92427(修正版) 26
Claims (1)
1332129 第92丨26〇58號專利申鉍案 (99年4月2曰) 拾、申請專利範圍: h 一種製程控制系統(100、300),包括: 控制器(1 02),可控制地施行製程; 製程工具(1 〇4) ’獲得測量資訊並由該控制器(1 〇2) 所控制;以及 監視器組件(106、304),集合地分析該測量資訊、 適當地加權該資訊、並決定該製程是否為可接受的,其 中,加權該資訊係產生品質指標(3丨〇),該品質指標丨〇) 代表與設計目標的接近度。 2·如申請專利範項之系.统,其中該監視器組件 (106 ' 304)進一步操作以施行至少一個之下列步驟: 產生品質矩陣作為該測量資訊之函數; 決定該製程為不可接受的,並修正該控制器(〗〇2) 所採用之測試參數;以及 決定該製程為不可接受的,修正料測試參數,並 使該控制器(1 02)再施行該製程。 3·如申請專利範圍第2項之系統,其中該品質矩陣包括複 數個關鍵參數和加權係數,該等關鍵參數係直接和/或 間接相關於該測量資訊且該等關鍵參數包括來自包含 關鍵尺寸'缺陷'和佈線尺寸所组成之群中之 或多者。 ,、甲者 4·如申清專利範圍第1項之系統,其中該製程為圖宰化製 程(302)、㈣製程(314)、和金屬化製程之其中任二: 5.如申請專利範圍第1項之系統,進一步包括. 92427(修正版) 27 1332129 第92126058號專利申請案 (99年4月2日) 至少一個資料庫(206、208 ' 210),維持用於半導 體元件之製程之元件相關資訊;以及 品質矩陣產生器(202),獲得關鍵參數和至少部分 地根據該等關鍵參數而產生品質矩陣並產生該品質指 k (3 10) ’該品質指標(3 1 〇)代表該關鍵參數和期望參數 之關係。 6.如申請專利範圍第2項之系統,其中該品質矩陣包括至 少一列,該至少一列之個別列係關聯於製程目標和產品 產率(308)之至少一者。 8. 7-如申請專利範圍第丨項之系統,進一步包括重加工組件 P〗2),當該品質指標(3 } 〇)指示該製程的結果為不可接 又的時該重加工組件操作以重加工該半導體元件。 一種施行製程於半導體元件之方法,包括: 根據該半導體元件之測量值而獲得各關鍵參數; 產生品質矩陣’其中該品質矩陣之個別之點包括該 4關鍵參數之其中之一和加權係數;以及 ,生品質指標⑽)作為該品質矩陣之函數,該品 品=(ffi3l〇)指不該製程之集合性可接受性,其中,該 9如φ日‘(31G)代表與設計目標的接近度。 專利範圍第8項之方法,進一步包括施行至少一 卿下列步驟: 參數; .獲得該等關鍵參數之前,決定用於該製程之測試 r P刀根據該品質矩陣和該品質指標(3 1 0),而 92427(修正版) 28 第92126058號專利申請案 (99年4月2日) 修正用於該製程之測試參數; 於該品質指標指#該製程為不可接受時,反轉該製 程對該半導體元件之效果;以及 於後製程檢查期間,獲得該等測量值。 10.—種促進製程之系統,包括: 用來獲知用於半導體元件之製程之關鍵參數之機 構; 用來產生品質矩陣之機構,其中該品質矩陣之個別 之點包括該等關鍵參數其中之一和加權係數; 用來決定該加權係數之機構;以及 用來產生品質指標(310)作為該品質矩陣之函數之 機構,該品質指標(3 10)指示該製程相關於設計目標之 經加權的集合性可接受性》 92«7(修正版) 29
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/261,569 US6915177B2 (en) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | Comprehensive integrated lithographic process control system based on product design and yield feedback system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200408919A TW200408919A (en) | 2004-06-01 |
TWI332129B true TWI332129B (en) | 2010-10-21 |
Family
ID=32030023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092126058A TWI332129B (en) | 2002-09-30 | 2003-09-22 | Process control system and method of performing a fabrication process |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6915177B2 (zh) |
JP (1) | JP4478574B2 (zh) |
KR (1) | KR100994271B1 (zh) |
CN (1) | CN1685492B (zh) |
AU (1) | AU2003276881A1 (zh) |
DE (1) | DE10393394B4 (zh) |
GB (1) | GB2410834B (zh) |
TW (1) | TWI332129B (zh) |
WO (1) | WO2004031859A2 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106971953A (zh) * | 2015-10-01 | 2017-07-21 | 格罗方德半导体公司 | 制造制程中的误差检测方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10355573B4 (de) * | 2003-11-28 | 2007-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Erhöhen der Produktionsausbeute durch Steuern der Lithographie auf der Grundlage elektrischer Geschwindigkeitsdaten |
US20050288773A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-12-29 | Glocker David A | Radiopaque coating for biomedical devices |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
KR100588914B1 (ko) | 2004-12-22 | 2006-06-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 상의 트랜지스터의 균일한 전기적 특성을 위한노광방법 |
WO2006093722A2 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-08 | Accent Optical Technologies, Inc. | Methods and systems for determining overlay error based on target image symmetry |
US7808643B2 (en) * | 2005-02-25 | 2010-10-05 | Nanometrics Incorporated | Determining overlay error using an in-chip overlay target |
US20070240121A1 (en) * | 2006-01-31 | 2007-10-11 | Caterpillar Inc. | System for evaluating component value |
US7352439B2 (en) * | 2006-08-02 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithography system, control system and device manufacturing method |
GB0621408D0 (en) * | 2006-10-27 | 2006-12-06 | Ibm | A method, apparatus and software for determining a relative measure of build quality for a built system |
US7359820B1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | In-cycle system test adaptation |
EP2286447A2 (en) * | 2008-05-21 | 2011-02-23 | KLA-Tencor Corporation | Substrate matrix to decouple tool and process effects |
US8321263B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-11-27 | Hartford Fire Insurance Company | Processing and display of service provider performance data |
JP5399191B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
IL210832A (en) * | 2010-02-19 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic facility and method of manufacturing facility |
CN102800563B (zh) * | 2011-05-26 | 2014-11-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶片投片方法与晶片投片装置 |
US9227295B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-01-05 | Corning Incorporated | Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer |
KR101530848B1 (ko) * | 2012-09-20 | 2015-06-24 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 데이터마이닝을 이용하여 생산 공정에서 품질을 관리하는 장치 및 방법 |
KR101508641B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2015-04-08 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 생산 공정에서 데이터마이닝을 이용하여 제품 상태를 예측하는 장치 및 방법 |
KR102083234B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2020-03-02 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US10241502B2 (en) | 2015-10-01 | 2019-03-26 | Globalfoundries Inc. | Methods of error detection in fabrication processes |
US10311186B2 (en) * | 2016-04-12 | 2019-06-04 | Globalfoundries Inc. | Three-dimensional pattern risk scoring |
CN106205528B (zh) * | 2016-07-19 | 2019-04-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种goa电路及液晶显示面板 |
EP3279737A1 (en) | 2016-08-05 | 2018-02-07 | ASML Netherlands B.V. | Diagnostic system for an industrial process |
JP7229686B2 (ja) * | 2017-10-06 | 2023-02-28 | キヤノン株式会社 | 制御装置、リソグラフィ装置、測定装置、加工装置、平坦化装置及び物品製造方法 |
CN110246775B (zh) * | 2018-03-09 | 2022-05-03 | 联华电子股份有限公司 | 控制机台操作的装置与方法 |
CN110071059B (zh) * | 2019-03-29 | 2020-12-22 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种监控蚀刻的工艺方法及*** |
CN111861050B (zh) * | 2019-04-25 | 2024-02-20 | 富联精密电子(天津)有限公司 | 生产制程管控装置、方法及计算机可读存储介质 |
DE102020215716A1 (de) | 2020-12-11 | 2022-06-15 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Fertigungslinie |
CN114326620B (zh) * | 2021-12-25 | 2022-09-27 | 北京国控天成科技有限公司 | 一种全流程自动控制方法、装置及电子设备 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2679500B2 (ja) * | 1990-12-17 | 1997-11-19 | モトローラ・インコーポレイテッド | 総合的なシステム歩留りを計算するための方法 |
US5351202A (en) * | 1992-02-27 | 1994-09-27 | International Business Machines Corporation | Evaluation and ranking of manufacturing line non-numeric information |
US5642296A (en) * | 1993-07-29 | 1997-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of diagnosing malfunctions in semiconductor manufacturing equipment |
US5546312A (en) * | 1993-09-20 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Use of spatial models for simultaneous control of various non-uniformity metrics |
US5481475A (en) * | 1993-12-10 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method of semiconductor device representation for fast and inexpensive simulations of semiconductor device manufacturing processes |
JP3099932B2 (ja) | 1993-12-14 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | インテリジェントテストラインシステム |
US5822218A (en) * | 1996-08-27 | 1998-10-13 | Clemson University | Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits |
JP3369494B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-01-20 | 台湾茂▲せき▼電子股▲ふん▼有限公司 | ウェハーテストの不良パターン自動識別装置と方法 |
US6301516B1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-10-09 | General Electric Company | Method for identifying critical to quality dependencies |
KR100597595B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조를 위한 사진공정에서의 샘플 웨이퍼 처리 방법 |
US6582618B1 (en) * | 1999-09-08 | 2003-06-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of determining etch endpoint using principal components analysis of optical emission spectra |
US6248602B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-06-19 | Amd, Inc. | Method and apparatus for automated rework within run-to-run control semiconductor manufacturing |
US6622059B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-09-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated process monitoring and analysis system for semiconductor processing |
US6470231B1 (en) * | 2000-04-21 | 2002-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for auto dispatching wafer |
US6535775B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-03-18 | General Electric Company | Processor system and method for integrating computerized quality design tools |
DE10048809A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Itemic Ag | Verfahren zur Bestimmung des größten Lagefehlers von Strukturelementen eines Wafers |
IL139368A (en) * | 2000-10-30 | 2006-12-10 | Nova Measuring Instr Ltd | Process control for microlithography |
US6627464B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-09-30 | Eni Technology, Inc. | Adaptive plasma characterization system |
DE10106505A1 (de) * | 2001-02-13 | 2002-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Zustandserfassung von technischen Systemen wie Energiespeicher |
CN100381799C (zh) | 2001-03-23 | 2008-04-16 | 东京电子株式会社 | 利用偏最小二乘法探测终点的方法和设备 |
JP2002297217A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Japan Institute Of Plant Maintenance | 製造業務における品質管理方法、品質管理支援システム及び傾向管理プログラム |
DE60133452T2 (de) | 2001-04-27 | 2009-10-01 | Motorola, Inc., Schaumburg | Verfahren zur Justierung von Verarbeitungsparametern plattenförmiger Gegenstände in einer Verarbeitungsvorrichtung |
US6810291B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-10-26 | Ibex Process Technology, Inc. | Scalable, hierarchical control for complex processes |
-
2002
- 2002-09-30 US US10/261,569 patent/US6915177B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-12 DE DE10393394.8T patent/DE10393394B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-12 JP JP2004541539A patent/JP4478574B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-12 WO PCT/US2003/028682 patent/WO2004031859A2/en active Application Filing
- 2003-09-12 GB GB0505193A patent/GB2410834B/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-12 AU AU2003276881A patent/AU2003276881A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 CN CN038228262A patent/CN1685492B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-12 KR KR1020057005554A patent/KR100994271B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-22 TW TW092126058A patent/TWI332129B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106971953A (zh) * | 2015-10-01 | 2017-07-21 | 格罗方德半导体公司 | 制造制程中的误差检测方法 |
CN106971953B (zh) * | 2015-10-01 | 2020-10-02 | 格罗方德半导体公司 | 制造制程中的误差检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050062576A (ko) | 2005-06-23 |
GB2410834B (en) | 2006-04-19 |
WO2004031859A2 (en) | 2004-04-15 |
GB2410834A (en) | 2005-08-10 |
JP2006501673A (ja) | 2006-01-12 |
DE10393394T5 (de) | 2005-08-11 |
AU2003276881A1 (en) | 2004-04-23 |
AU2003276881A8 (en) | 2004-04-23 |
CN1685492B (zh) | 2012-12-26 |
US6915177B2 (en) | 2005-07-05 |
DE10393394B4 (de) | 2016-10-13 |
WO2004031859A3 (en) | 2004-06-17 |
GB0505193D0 (en) | 2005-04-20 |
TW200408919A (en) | 2004-06-01 |
CN1685492A (zh) | 2005-10-19 |
US20040063009A1 (en) | 2004-04-01 |
JP4478574B2 (ja) | 2010-06-09 |
KR100994271B1 (ko) | 2010-11-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |