TWI311737B - Structure of display panel - Google Patents

Description

1311737 16746twfl .doc/006 96-2-27 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種顯示面板的結 於-種共用陰極線之顯示面板的結構。且特別疋有關 【先前技術】 由於多媒體社會的急速進步， 的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示哭而i顯=裂置 機發光顯示器具有無視角限制、低製造成:而:庫= 流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可器的直 此，有機電光付時代顯示器的特性要求。因 力，可望具魏大的發展潛 缺 r世代的新穎平面顯示器。 後，；：成：有機電激發光二極體顯示器在長時間工作 ν-ge)隨時ί:::，薄臈二晶體 的工作電流下 , 而造成了流财機鱗光二極體 亮度表現，這將合，需要更高的操作電虔以得到相同的 命。 、麵激發光二極體顯示ϋ的使用壽

Daw細)d述的問題，習知由道森(RobinMarkAdrian —種可簡償電晶第6229506號專利中提出 器。請參照圖 —| %堊的有機激發光二極體顯示 之晝素結構。龙j/、緣示了此種有機激發光二極體顯示器 、 電阳體101的源極端輕接資料線η， 5 1311737 16746tw] fldoc/〇〇6 96-2-27 電晶體101的閘極端耦接掃描線13， 晶體10!的沒極端與電晶體⑽㈣電接電 的源極端祕直流電源Vdd，電容c s ’電晶體103 之間極端與其源極端之間；電晶體 ==103 制線15,電晶體105的源極端輕接。=接至控 端，而電晶體1〇5的汲極端_接至電= 體〇3的閘極 與電晶體107的源極端；電晶體 =—的汲極端 17 ’而電晶體107的汲極端_接至有執接控制線 111的陽極端；此外，有機電 =激發光二極體 則接地。 極體⑴的陰極端 雖然圖1中的書音I m 111的電流不受電晶體阳的機發光二極體 在有以下缺點： 1.由於-個畫素内配置有四個 線(Layout)上的_度增加，且其Μ會造成佈 也會造戍 %示面板之 2.由於-個畫素内的元件太多’二、、會因此增加 開口率的低落。 【發明内容】 因此，本發明的目的 電路’可以使得4素電路内Ϊ工作板和書素 電壓的影響。 作電流不弩略 旦京 ,^ 兒晶體之臨界 本發明的另一目 路，可以崎電路的=供〜種顯、板和畫素電 6 1311737 16746twfl.doc/006 96-2-27 本發明提供-種顯示面板，其 方向平行排列的掃描線，以及多數條以 排列的資料線。另外，在本發方=平行 t括了千订於㈣線的多數條陰 ^ ”線的交錯處，則配置有—晝素電路在:每 晝ί電路，都耦接相同的陰極線。特別的是'在 極二壓、'7:條陰極線都透過—開關電路而耦接至-阶 開關電路都依據-控制訊號而決定是： 將陰極電麼導通至對應的陰極線。 义疋古 用於提:-種畫素電路，其適 _。其中，外部開 陰極電麼導通至晝素電路。而在本發明中r包括、==將 ，體’其陰極端透過外躺關_接錢陰 ，- 陽極端則耦接了—第—雕 "電&，而其 體的間極端透過—電容第—電晶 壓三另外，本發明也包括了第二電晶體%極電 四電晶體和第五電晶體。其中，带弟―甩日日體、第 掃描線，以接收—掃描訊號，而第二電 曰體的、、 電晶體之_和二 ^日日-的閘極糕和源極端分別耦接上 貢料線，以接收掃描訊號和—資料訊號，=線和-沒極端_接第-電晶體的源極端。除 〜普晶體的 體的卿嶋1晶體之源極端，而第四電以 1311737 16746twfl.doc/〇〇6 96-2-27 極端和源極端則分別耦接控制訊 訊號與掃描訊號為反相。而第五電曰m的电昼，其中控制 至第-電晶體之閘極端，其閘極曰：的〆及極端則是耦接 接，並轉接至顯示面板中的前-條掃°描=端則彼此互軸 以透明二供-種晝素電路，其可 ::據制訊號而決定是否將陰極電== 電路。本發明包括了—發 电皂¥通至晝素 關而耦接至陰極電壓，—，，、陰極端透過外部開 極端，並且第二，極端_接第—電晶體的沒 容互相婦同；η::極端還透過-第-電 險描雷授从限4 1日日體的源極端則耦接了—大於 麵接-資料線和二掃描;:】;:==^極端分別 號々，並且第二電晶體的汲極端則是透===婦描訊 至第-電晶體的閘極端。而第曰俨厂奋而耦接 分別輕接第—電曰㈣—电日曰體的源極端和汲極端 -第二控制訊;間極端和汲極端，其一 ^ 攸本叙明另—觀點來看，本 ::也適用於顯示面板，並且二=一第= 4=:陰極電壓。其中第-外部開關會依據 發===壓”。同樣地= 輕接至陰極電^而豆i “極端透過第—外部開關而 _，而其陽極端_接„第—電晶體的汲極 1311737 16746twfl.doc/006 96-2-27 :極:Γ 電ί體的源極端_接-大於陰極電壓的 =ί ’ ί發明也包括了—第二電晶體和第i電 曰曰-八中弟一電晶體的間極 描線和一資料線，以接收—掃描訊號和 ΐ;:__三電晶體的源極端。：外； 二^體之雜端纽極端彼此互相 至第-電晶體的閘極端。除此之外，：且、同耦接 第-電晶體之源極端的Γ端：:，對於據 定是否減至-重置則依據—重置訊號，而決 從另-觀點來看，本發明還提供了—種顯示面板，其 絲，*錄底上則配置了多_晝素結構，並 且各該晝素結構都包括了—薄膜電晶 =上賴了，第'絕緣層，並且在第牛—=二 面具有-孔洞。喊-陽極電極，細第二方向延伸而形 i在上：並且藉由細連接至薄膜電晶體。另 Μ在本巾’騎括—第二絕緣層，健蓋住孔洞以 及第-絕緣層之曝露部份。而在第二絕緣層上，則配置了 至少兩個間隔壁結構。這些間隔壁結構係延伸向第一方 向’並配置在4素結構的兩侧。在兩個間隔壁結構之間的 =，還配ί有—有機層，係延伸向第—方向，並且形成 在第-、％緣層與&極電極之上，以用來發光1在有機層 的上方以及，隔壁結構之間的區域，又覆蓋了—層陰極電 極，同樣也是延伸向第—方向。而陰極電極職接了一開 ^311737 Γ5746 6twfl.doc/006 96-2-27 直流觸送據-編號而決定是否將一 中，由於具有補償之畫素電路 晝素電路内的元件 =曰曰體和電各，因此整個 如是有機發光二極體的;先口 元:個:容外加-個例 晝素電路的元件較少，因 於本發明内之 口率就可以提升，而B ^ ,嗌月所棱供之顯示面板的開 為讓本翻之的元㈣減少辦之消耗。 易懂，下文特舉目的、特徵和伽能更明顯 明如下。佳心例’並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 例。其中該些圖亍，明本發明的較佳實施 下所敘述之電晶體的心，月各種較佳實施例。而以 明較佳的實施例。然而歹'PM0S電晶體’均為本發 況將其改換為其他_ =習此技藝者可以依據實際的狀 的精神造成影響。、、电晶體，而並不會對本發明主要 於下以所卜敘述的陽極電壓的電壓值’都會大 加以解釋。 i，而在以下各段中將不會再特別 圖2緣示了依照本發明 板的電路圖。妹來听 較佳只施例的一種顯示面 u'圖2 ’在本發明所提供的顯示面板200 1311731,,oc/006 96-2-27 中，配置了數條沿第一方向平杆扭^ α ?〇7 . 9〇4, 、，R $十仃排列的掃描線(例如掃描線 202和204)，亚且配置了數條沿第二 = 線(例如資料線212)。其中，第— 丁二= 列。另外，在顯不面板200中還包括 ^ ，線，而這些陰極線與掃描線是彼此; ί 線者!透過一開關而耦接至陰極電壓vss，並且 =開關雜據-㈣職μ定 導通至對躺陰轉。 vss ^如，陰極線222透過開關電路232而至 m 開關電路232會依據控制訊紅別而決定i 否將陰極電壓vss導通至陰極線222。 疋 在每-掃描線和資料線的交會處，都配置有一 路。例如，在掃描線202與資料後212 Μ ^ 書辛雷敗*山，、貝行琛212的父會處，配置有 - ^電路242。其巾，同—聽線上的晝素電路會 例如，掃描線202上_的所有畫素電路都 共冋耦接陰極線222。 電路===第一實施例的-種晝素電路之 資料電路300麵接了掃描線332和 读=34。另外，晝素電路3〇〇還藉由陰極線336，並且 化汗關電路35〇而轉接至陰極電壓vss。 二，田，332上的掃描訊號Sn—N彼此為反相。 5月繼續參關3，晝素電路3GQ包括了 PMqS電晶體 I3117M 6twfi.doc/006 96-2-27 όΌΖ 中，發x光二:體3Γ和補償電路31G。在本發明的實施例 接陰極線336，甘Γ以是有機發光二極體，其陰極端麵 極^。、，而，、陽極端則麵接PM〇S電晶體302的汲 PMQS 電晶體312、314、 輪雜請 L= 2㈣2的閘極端則透過掃描_而耗 电日日體314的閘極端。PM〇s電晶體314 =端輕接資料線334’而其汲極端縣接pM〇s電晶體二 H，並且也柄接至t _观。 丨外PM〇S電晶體316的源極端^+ 並且透過電容322而耦接==== 極端和_電晶體312的源極端，而_二:2體： 控制訊號CE。另外，_電晶體318 =二源極端，而_S電晶魏的源極 =Sn—則。例如，圖2中的晝素電路244除了接收=; ⑽所傳_掃描訊狀外，還會接 所傳輸的掃描訊號。 202 在本實施例中，開關電路350包括PM〇s電 ^ vPs=電晶體352的源極端和開極端分_接陰極 电[VSS和控制訊號CE，而其汲極端則透過陰極線说 12 1311737 16746twfl.doc/006 而麵接至發光二極體304的陰極端。 圖4繪示圖3之畫素電路的訊號時序圖。請合併參照 圖3和圖4 ’在T0時’掃描訊號Sn—N-1和Sn_N都為高 準位VH的狀態。而由於控制訊號CE與掃描訊號Sn_N彼 此反相，因此在T0時’控制訊號ce為低準位VL的狀態。 在T1時’掃描訊號sn_N-l下拉至低準位Vl狀態， 因此PMOS電晶體318會導通(Turn On)。同時間，PMOS 电晶體312、314為關閉(Turn 〇ff)狀態，另外，pM〇s電 響晶體352、316則是導通的狀態。此時，節點A1的電壓為 VL+Vth，而節點B1的電壓則是VDD。其中，vth為pM〇s 電晶體302的臨界電壓。 在T2時，掃描訊號Sn—N-1回復至高準位VH的狀態， 而輪到掃描訊號Sn_N下拉至低準位VL的狀態。而由於 控制訊號OE和掃描喊Sn—N彼此反相，因此控制訊號 CE g上升至尚準位狀態vh。因此，pM〇s電晶體316、 318和352會關閉，而PM0S電晶體312和314則是導通。 φ晝素資料會從資料線334送入晝素電路_内。也 ，是說，在資料線上會產生一個資料電壓Vdata，以致於 節點B1的電壓準位會等於資料電壓，而使得節點 A1的電壓準位會等於vdata_vth，並且會對電容奶充電。 在丁3時，掃描訊號Sn一N會回到高準位VH的狀能， =於控制訊號CE會回到低準位VL的狀態。此時，pM；s 電晶體302和352會導通，並將陰極電壓vss導通至發光 二極體304的陰極端’使得PM〇s電晶體3〇2會產生:作 13 Ι31171 fl-doc/006 96-2-27 電流II流經發光二極體304。藉此， 被驅動而發光。同時間，PM0S電曰 —^ _ 304就會 於電容322所儲存的能量，節點J的電而由 V為：一是咖的t壓心 出：眾所皆知的’工作電流11可以用以下的方程式來求

Ioled = /?/2(VSg-Vth)2 ⑴ 其中，Ioled為驅動發光二極體3〇4的工 例中就是II，而Vsg則是PM〇s /瓜本貫施 端之間的電壓，也就是等於節點

Ai的電壓位準。由於節點A1的電壓咸去節點 而節點B1的兩厭a -隹仿 早等於Vdata-Vth ’ =第(1)式又可以寫成： = ^/2(VDD-Vdata)2 (2) 大小體：==^工作電流11 提供的*辛雷H 界電壓無關。因此，本發明 不會隨_S電晶體302的臨界電 &。#所影響，並且進而增加發光二極體删的使用 雖3所提供的畫素電路能夠解決臨界電壓的問 法有在晝素電路内具有5個電晶體，因此還是無 的-1圭本、開口率。圖5緣示了依照本發明第二實施例 ^路路之放大電路圖。請參照圖5，同樣地，晝 素'路500耦接了掃描線532、資料線534和陰極線536。 14 131171, doc/006 96-2-27 較特別的是，畫素電路500還柄接了控制線538，以用來 接收控制訊號AZ。在本實施例中，控制線538在例如圖2 的面板上，可以和掃描線平行排列。 +曰請繼續參照圖5,在晝素電路500巾，包括了 PM〇s 電晶體502，其祕端她陽極㈣VDD，其汲極端則 f例如是有機發光二極體之發光二極體元件綱的陽極 發光一極體504的陰極端則藉由陰極線536而輕接 電路54G。另外，在晝素電路= 了補償電路510。 匕枯 在，償電路510中，配置有pM〇s電晶體512和514。 線糾=^3體2 512 ^源極端和閑極端分_接資料 訊號Sn N，而'PMQS收資料電壓_和掃描 _至_s電日曰;^2曰=^及極端則透過電容训 514的源極端係耦接至PMJ ί 電晶體 透過電宠SIS 1 电日日體502的閘極端，並且 # 電晶體514的閘極端輕極:接此外，PM〇S Μ，而PM0S電日日^線538，以接收控制訊號 502的沒極端。S —的及極端則輕接PMOS電晶體 來實ΐ圖電路54°可以利用PMos電晶體542 訊號cE，而复、、^馬接陰極電壓vss，其間極端輕接控制 二、及極知則耦接陰極線530。 照圖5和圖6，^ ^之f素電路的訊號時序圖。請合併參

在T0蚪，掃描訊號Sn—N、控制訊號AZ 15 13117况_ .doc/006 96-2-27 和CE都為高準位，以致於pM〇s電晶體$ i 2、$ 都是關閉的狀態。 ~ 在ϋ時’掃描訊號Sn—N由高準位 PMOS電晶體512會導通。 才

Ik P在T2日守’控制訊號Az也由高準位轉為低準位， 因此PMOS电晶體514就會導通，使得pM〇s電晶體5〇2 的間極端和沒極端可以看作短路。此時，PMOS電晶體502 ==1一個二極體’而其閘極電壓就可以表示為 VDD-Vth ’在此稱此間極電壓為偏移臨界電壓侧，也可 以被^作PMOS電晶體5〇2最新的臨界電壓。以上的步 2疋要對PMOS電晶體5〇2的臨界電壓進行程式化 tg_ming)，崎到所需要的臨界電壓，也就是偏移臨 界電壓Vthl。 妾著在T3日守，控制訊號az又會回到高準位，使得 PMOS電晶體514關閉。 ^Τ4時’晝素資料會從資料線534送入晝素電路· ± ί疋說在貝料線534上會產生資料電壓vdata。 ¥ ’節點B2和A2的電壓差(^)可以表示為：

Vsg = Vth-(Cl/(ci + l2))Vdata (3) C1為電谷516的電容值，而C2則為電容518的電 谷值。 料日1★描訊號Sn—N會轉為高準位，並且晝素資 ’、傳迗凡畢，因而使得PMOS電晶體512關閉。而在 16 131171 fl.doc/006 96-2-27 T6時，控制訊號CE會變為低準位，以致於pm〇S電晶體 542導通，而將電壓VSS導通至發光二極體504的陰極端。 此時’ PMOS電晶體502會導通，而產生工作電流12來驅 動發光二極體504,而工作電流12也就等於第（1)式中的 Ioled。而將第（1)式中的Vsg用第(3)式代入，則工作電流 12就可以表示為：

12 = (/?/2)((Cl/(Cl + C2))Vdata)2 (4) 由第(4)式可知，驅動發光二極體504的工作電流I2 大小與PMOS電晶體502的臨界電壓vth沒有關係。同時， 在晝素電路500内也僅有三個電晶體，因此本實施例所提 供的畫素電路500能夠有效地提升開口率。 ♦ Θ 7、、、s示了依照本發明第三實施例的一種晝素電路之 ^路圖。4參照圖7，在畫素電路中，同樣還是包括 辦電晶體7〇2、例如是有機發光二極體的發光二極

打绩7^償電路710。另外，晝素電路7〇0也耗接了掃 Μ和陰極線736。其中，陰極線736 疋還過開關電路74〇而耦接至陰極電壓vss。 的照圖7,在晝素電路700中，發光二極體观 至陰極線736,而陽極端則是_至讀OS 至陽及極端。而PM0S電晶體702的源極爾 在補其閘極端則是輕接至補償電路710。 其中，曰中’包括7 _S電晶體712和714。 i θθ體712的源極端和間極端分顺接資料 17 I3H737wfld OC/006 96-2-27 線。734和掃描線732，以分別接收資料電壓別她和 峨Snjs[。此外，PMOS電晶體川的沒極端則是: mos電晶體714的源極端，而ρ·電晶體714的問極 端和汲極端是彼此互相耦接。另外，PM〇s電晶體714 ^極端還輕接至PMOS電晶體搬的閘極端，並且透過带 谷716而耦接至PMOS電晶體7〇2的源極端。 甩 7Π。在本實施例中，電容716的一端相接至PMOS電晶體 〇2的源極端，而另一端除了耦接至PMOS電晶體702的 ==和_電晶體7_及極端之外，還 44而麵接至一重置電壓VR。其中開關電路744會依 —重置訊號RST，而決定是否將重置電壓VR PM〇S電晶體702的閘極端。 1 另外，開關電路740同樣也可以包括pM〇s電晶體 2 ’其源極端_陰極電壓州，閘極端接收控制訊號 it，而汲極端則耦接陰極線736。 昭同圖8、曰不了圖7之晝素電路的訊號時序圖。請合併參 都::和圖8，在T〇時’掃描訊號Sn-N和重置訊號RST P為咼準位，而控制訊號CE則是低準位。 在T1 %•，重置吼號RST會從高準位下拉至低準位， ^制訊號CE岐從低雜上拉至辭位，⑽於PMO S ^體714會導通。反之’ PMOS電晶體712和742則是 芦閉的狀恶。此時’節點A3的電壓位準為VR+Vth，B3 位準為VR ’其中’ vth為pM〇s電晶體7i4的臨 介電壓。 18 13117^1 746twfl.doc/006 96-2-27 Π在Τ2 1重置訊號RST會回復為高準位，而掃描訊 號Sn一N則是被下拉至低準位，以致於pM〇s電晶體712 會導通。同時’晝素資料會從資料線734送至晝素^路7⑻ 内。也就是說，在資料線734上會產生資料電壓。 此時，節點A3的電壓位準會，而節點色3的電壓 則是Vdata-Vth。其中，Vth為PMOS電晶體714的臨界電 壓。 在T3時，掃描訊號Sn_N會回復至高準位，並且晝素 資料也傳送完畢。此時，控制訊號CE會下拉至低準位， 以致於PMOS電晶體702和742會導通，而產生一工作電 流13來驅動發光二極體7〇4，其中驅動電壓13就是第（1) 式中的Ioled。此時，由於節點B3的電壓位準為Vdata_Vth， 因此PMOS電晶體702的源極端和閘極端之間的電壓差 (Vsg)可以表示為：

Vsg = VDD - Vdata + Vth (5) 將第（5)式代入第（1)式後，就可以將第（丨）式改寫如下：

Ioled - β/2(ΥΌΌ - Vdata + Vth - Vth)2 = J3/2(VDD-Vdata)2 () 同樣地，從第(6)式中可以很清楚的看到，用來驅動發 光二極體704的工作電流i3(I〇led)之大小，會與PMOS電 晶體702的臨界電壓無關。另外，將晝素電路700與晝素 電路5〇〇相比發現，晝素電路700比晝素電路500少了 — 顆電容，因此其佈線更為簡單。是以，本實施例所提供的 a素電路能夠有效地提升開口率。 在本發明的另外一些實施例中，開關電路744和重置 19 1311737 l61^6twf\.doc/006 96-2-27 1、i的力此可以藉由前—條掃描線來實現。也就是 節點B3改轉至前—條掃描線。當前—條掃描線的 ^田减被下拉至鱗位時，節點B3的準位就和前一條 掃描線的準位相同。如此，_ 7的實施例又可以減少一個 開關電路，而使得電路的實現更為簡單。

kμ11二不了依知、本發明之—較佳實施例的一種顯示面 、、:才不思圖。請參照圖9 ’顯示面板900可以利用圖2 =示面板2G0的電路來實現。在顯示面板9 各個晝素中包含-陽極電極_，= 丨:式排列在顯示面板900上，用以顯 伸。:々一母—陽極電極丨〇19都是朝向γ方向延 示），亇歹i上之晝素結構’則共用一條陰極電極（圖未 9〇4減#財素結構贈㈣姉透過陰極接觸端 9〇4耦接至—開關電路 ⑽按觸鈿 隔壁結構1〇23區隔開來。彳 * 5電極則藉由間 用-條陰極電極，而這條p極’ ^列上之晝素結構共

_開關電路912。注係透過陰極接觸端904

方向延伸。此外，門捫垂、疋母陰極電極都會朝向X 或任何可糊= 上述之電晶體说 路都會依據—控制訊號(，=見:：广峨 VSS導通至對應的陰極電極上。）而叙疋否將直流電壓 圖:0繪示了沿圖9之9a_9a，的剖面 在基板1011上，配置有每 。月々π圖10， 電晶體元件聰上开晶體兀件1013。而在薄膜 也成有-絕緣層⑻5,益且絕緣層 20 I3H737wfi doc/006 96-2-27 1015的表面具有孔洞]017。 所在巴緣層1015上’係开)成一層陽極電極1019，而其 以:!銦錫氧化物、銦鋅氧化物及鋁鋅氧化物等。陽 ηηΓπρ係藉由孔洞1〇17連接至薄臈電晶體元件 以曰s π陽極電極1019也覆蓋了部分的絕緣層1015, 以在頒不面板上形成晝素結構。 用夹電極1〇19的部分上’係形成絕緣層1021，其 缘屛^5的^ 1〇17 ’以及沒有被陽極電極1〇19覆蓋之絕 心爾1叫_麵可以 1023 5 ^ 向延伸。H + 伸方向的兩端，並且朝向圖5之X方 係呈二：的::。10的剖面上來看，間隔壁結構助 小分子的有機材料或是高分子的有機括了 ⑽7的上方則形 的”材科。而在有機層 銀合金等。麟桎电極1029 ’其材質可為紹、甸、鎂

之xtt述：有機層助和陰極電極卿都是朝向圖Q 接對庫的° = ’且陰極電極1029透過陰極接觸蠕90:耦 =,路。由於間隔壁結構1〇23可 = 顯示面板_上各列書^所Γ。错由間隔壁結構1〇23, —素所，儿積之有機層1027和陰極電極 21 •doc/006 96-2-27 1029將可被分隔開來，即每一列均有其相對應之有機層 1〇27與陰極電極1〇29，因此也可以簡化製程步驟。 綜上所述，本發明至少有以下優點： 1. 由於單—畫素電路内之元件的減少，因而可以減低 佈線的困難度。 2. 由於單—畫素電路内之元件個數較少，因而增加了 本發明之顯示面板的開口率。

3. 由於開口率的增加，因此本發明之顯示面板的亮度 需求可以降低’進而增加了有機發光二極體元件的壽命。 4. 由於顯示面板的亮度可以降低，因此也減少了電源 5:由於本發明可以使流過發光二極體元件的工作電流 維持穩^，g此可簡持顯示面板之晝面的品質。 6. 由於晝素電路内之工作電流敎，因此也可以增加 晝素電路的壽命。

7. 由於上賴電壓Vss可以依據實際情絲設定，因 此可以增加本發明的應用性和實用性。 η隔本發明麵*面板結勒制了貞光阻來形成 間隔土、纟口構，因此可以簡化製程。 限定發明6以較佳實施綱露如上，然其並非用以 和i任何_此技藝者’在不獅本發明之精神 之f叙* w可將此發日用科同之電路上並可作些許 利範者=本發明之保護範圍當視後附之申請專 22 I311737wfLdoc/006 96-2-27 【圖式簡單說明】 顯不益之晝素結構的電路 較佳實施爿的—種顯示面 圖1緣示了一種習知之平面 圖。 圖2繪示了依照本發明之— 板的電路圖。 圖3繪示了依照本發明第 電路圖。 實施例的一種晝素電路之

=4繪示圖3之畫素電路的訊號時序圖。 圖5繪不了依照本發明第二 電路圖。 仞的—種晝素電路之 圖6繪示了圖5之畫素電路的訊號時序 圖7 _ 了依照本發明f三實施 電路圖。 搜晝紊電路之 圖8綠示了圖7之晝素電路的訊號時序圖 '種顯斧面 圖9繪示了依照本發明之—較佳實施例 板的結構示意圖。

圖KU會示了沿圖9之9a-9a，的剖面圖。 【主要元件符號說明】 U、212 ' 334 ' 534、734 :資料線 資料電壓：Vdata U、202、204、332、532、732 :掃描線 、Sn_N :掃描訊號 15、17、538 :控制線 ^、CE1、AZ :控制訊號 23 96-2-27 i311737wfl,〇c/006 RST :重置訊號 1(U、103、105、107、302、312、314、316、318、352、 502、512、514、542、702、712、714 :電晶體 111、304、504、704 :有機發光二極體 200、900 :顯示面板 222、336、536、736 :陰極線 232、350、540、740 :開關電路 242、244、300、500、700 ··晝素電路 310、510、710 :補償電路 a、C2、322、516、518、716 :電容 904 :陰極接觸端 912 :開關電路 1011 :基板 1013 :薄膜電晶體元件 1015、1021 :絕緣層 1017 :孔洞 1019 :陽極電極 1023 :間隔壁結構 1027 :有機層 1029 :陰極電極 VDD :陽極電壓 VSS :陰極電壓 24

Claims (1)

1. 13 1 1 733l40407號專利範圍無劃線替換頁 十、申請專利範圍： 1.一種顯示面板，包括： 多數個掃描線，係沿一第一方向彼此平行排列 夕數個資料線，係沿一第二方向彼此平行排列 夕數個陰極線，係沿該弟一方向彼此平行排列， 一多數個晝素電路，係分別對應耦接該些掃描線與該些 貝料線其中之一，且每一該些掃描線上耦接的所有畫素電 路係辆接相同的陰極線，而該晝素電路包括： 一第一 PMOS電晶體’其源極端耦接一陽極電壓; —發光二極體，其陽極端耦接該第一 PM〇s電晶 體之汲極端，而陰極端則耦接該些陰極線其中之一； 山 —第二PMOS電晶體’其第一源/没極端和閘極 知，77別輕接對應之資料線和掃描線；· -m —第三™08電晶體’其第一源/沒極端麵接該第 —〇S電晶體之第二源/没極端，而該第三PMOS電曰 體之閘極辦帛二細^频此互 日曰 該第-mos電晶體之閘極端；以及 』耦接至 一電谷，一端耦接該陽極電壓，一 第-觸s電晶體之問極端 接該 否搞接至一重置電壓；以及據重置訊號而決定是 —多數烟關電路’分別祕該極線之〜 ，一開關電路分別依據-控制訊號而 _ ’且 2.如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其=電 25 13 1 17i?il40407 號專利範圍無劃線替換頁 容透過一重置開關而耦接至該重置電壓 據該重置訊號而決定是否將該重置電壓 端 ，而該重置開關依 導通至該電容之一 3. ’係耦接至對應之掃描 幻曰射如申請專利範圍第1項所述之顯示面扳，其中該電 相對於耦接該陽極電壓的另一端 線的前一條掃描線。 4.如申請專利範圍第i項所述之 S:電=、—開關電，，其第二源/汲極端耦:: 其閘極端_接::=:輕接該些陰極線其中之-’而 夕卜邻素電路，適用於—顯示面板，並透過一第一 〜陰極賴，其中該第—外部開關依據 號而決定是·該陰極電壓導通至該晝素電路， 吻該晝素電路包括： 發光二極體，其陰極端透過該第—外部關而輕接 王孩陰極電麗； 第電晶體，其汲極端輕接至該發光二極體之陽極 陰極電=㈣減—陽極賴，其巾該雜電壓大於該 和第一電晶體，其閘極端和源極端分別耦接一掃描線 °—資，線’用以接收—掃描訊號和—資料訊號； 第j電晶體，其源極端耦接該第二電晶體之汲極 而該第二電晶體之閘極端與汲極端彼此互相耦接，且 、同轉接至該第-電晶體之閘極端；以及 26 13 1 1 7¾錳140407號專利範圍無劃線頁 一電容，其中一端接收該陽極電壓，而另一 至該第一電晶體之閘極端，並依據一重置訊梦:端則耦接 ^收-重置電壓，其中該重置訊號的相位係^先 a 6.如申請專鄕圍第5項所述之晝素電路 各相對於耦接該陽極電壓的另一端透過一 一中該電 電壓，其中該第二外部開關的ΐ通= 前一你捃知成朴丄 們对"王嘁顯不面板中的 重置^ 前—條掃描線上㈣㈣號作為該 C重置電壓的位準等於前-條掃描線上之掃 〜電曰辦中Μ專利㈣第5項所述之晝素電路，其中該第 9曰V J第二電晶體和第三電晶體皆為PM〇S電晶體。 光二極體1 請專利範圍第5項所述之晝素電路，其中該發 耀為—有機發光二極體。 1〇·—種顯示面板，包括·· 一基底； 包括多數個晝素結構，形狀該基底上，各該些畫素結構 溥膜電晶體元件，配置在該基底上； 該第-姑―第―絕緣層’形成在該薄膜電晶體元件上，且 絕緣層表面具有一孔洞； 27 13117^7 14_7號專利範圍無劃線難頁 ㈣爲Γ陽極電極’細—第二方向延伸而形成在該第 二=上，並藉由該孔洞連接至該薄膜電晶體元件，且 該1W極電極覆蓋該第一絕緣層之部分； 曝露部份Γ第二絕緣層，覆蓋住該孔洞與該第一絕緣層之 i少兩㈣隔麵構’分卿成 層畫壁結構係以該第-方向延伸配置在- 上，且以^機t形成於該第二絕緣層與該陽極電極之 區域，^發光/延伸覆蓋住該兩個間隔壁結構之間的 -陰極電極’形成於該有機 向延伸《在該兩個間隔壁結構之間；以及該弟一方 訊號而決直f 極電極，用以依據一控制 二疋㈣s流·傳送至該陰極電極。 第-絕述之顯示面板，其中該 些第^述之顯示面板’其中該 些陽====述之顯示面板，其中該 化物至少其中」錫祕物、銦鋅氧化物及銘鋅氧 14.如申請專利範圍第1()項 些有機層的材料包括小分子的有機材料面板’其中該 28 13 1 1 7Α7ΐ40407 號專利範圍無劃線替換頁 15. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該 些有機層的材料包括向分子的有機材料。 16. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該 些陰極電極的材料包括鋁、鈣、鎂銀合金至少其中之一。

   29 13117^2 twfl.doc/006 96-2-27 七、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：圖（2 )。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 200 :顯示面板 202、204 :掃描線 212 :資料線 222 :陰極線 232 :開關電路 242、244 :晝素電路 VSS :陰極電壓 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 益

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