TWI311237B - Positive type dry film photoresist - Google Patents
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- TWI311237B TWI311237B TW094143340A TW94143340A TWI311237B TW I311237 B TWI311237 B TW I311237B TW 094143340 A TW094143340 A TW 094143340A TW 94143340 A TW94143340 A TW 94143340A TW I311237 B TWI311237 B TW I311237B
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 107
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 97
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 31
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 15
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 14
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 12
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 6
- VWRUXXHWUZUAMT-UHFFFAOYSA-N C1=CC(O)(O)C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC(O)(O)C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 VWRUXXHWUZUAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 claims description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N [(1-diazonioimino-3,4-dioxonaphthalen-2-ylidene)hydrazinylidene]azanide Chemical compound C1=CC=C2C(=N[N+]#N)C(=NN=[N-])C(=O)C(=O)C2=C1 ALVGSDOIXRPZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims 2
- JUJQEGMCTDBMGL-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trihydroxycyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound OC1=CC(=O)C(O)=C(O)C1=O JUJQEGMCTDBMGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- HLJFIRMYTKLAGK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-diazonium Chemical compound C1=CC=CC2=CC([N+]#N)=CC=C21 HLJFIRMYTKLAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005026 oriented polypropylene Substances 0.000 claims 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 154
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 5
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N meta-hydroxybenzaldehyde Natural products OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N phenylacetaldehyde Chemical compound O=CCC1=CC=CC=C1 DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical class OC1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1O JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)methanone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1O NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKQOIQKMFFMJLF-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1O GKQOIQKMFFMJLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNPVXFDDQJLNSV-UHFFFAOYSA-N (3,5-dihydroxyphenyl)-(4,5,6,6-tetrahydroxycyclohexa-2,4-dien-1-yl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=C(O)C(O)(O)C1C(=O)C1=CC(O)=CC(O)=C1 JNPVXFDDQJLNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJDINCOFOROBQW-LURJTMIESA-N (3S)-3,7-diaminoheptanoic acid Chemical compound NCCCC[C@H](N)CC(O)=O PJDINCOFOROBQW-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXNBHXKTLILFKJ-UHFFFAOYSA-N 1,6-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound C1(C(C=CC=C1)C)(C)O.CC1=C(C=C(C=C1C)C)O AXNBHXKTLILFKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVUOLADPCWQTTE-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2-benzodiazepine Chemical compound N1N=CC=CC2=CC=CC=C12 SVUOLADPCWQTTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBZUHOHZJHFVIY-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1.CC1=CC=C(C)C(O)=C1 FBZUHOHZJHFVIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVNKYYGQNQJOEN-UHFFFAOYSA-N 2-diazo-1h-naphthalen-1-ol Chemical compound C1=CC=C2C(O)C(=[N+]=[N-])C=CC2=C1 JVNKYYGQNQJOEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMWMTSCFTPQVCJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1O LMWMTSCFTPQVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQVAERDLDAZARL-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpropanal Chemical compound O=CC(C)C1=CC=CC=C1 IQVAERDLDAZARL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGQWFSFACNCXTQ-UHFFFAOYSA-N 3,4-didecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCc1ccc(O)cc1CCCCCCCCCC PGQWFSFACNCXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SENMPMXZMGNQAG-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2,5-benzodioxocine-1,6-dione Chemical compound O=C1OCCOC(=O)C2=CC=CC=C12 SENMPMXZMGNQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXXPHKTXCIMMDA-UHFFFAOYSA-N 3,5-didecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC(O)=CC(CCCCCCCCCC)=C1 HXXPHKTXCIMMDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylprop-2-enal Chemical compound O=CC=CC1=CC=CC=C1 KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 3-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADFVYWCDAKWKPH-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxycarbonylbenzoic acid Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ADFVYWCDAKWKPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKADPXVIOXHVKN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphenylpyruvic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)CC1=CC=C(O)C=C1 KKADPXVIOXHVKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004135 Bone phosphate Substances 0.000 description 1
- JWVAYENBCLKHEZ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2C(=C1)C=CC(=NN2)[N+]#N Chemical compound C1=CC=C2C(=C1)C=CC(=NN2)[N+]#N JWVAYENBCLKHEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N Glutaraldehyde Chemical compound O=CCCCC=O SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSZKQYGYWIYCSD-UHFFFAOYSA-N OC1=CC(C(=O)c2ccccc2)=C(O)C(O)(O)C1(O)O Chemical compound OC1=CC(C(=O)c2ccccc2)=C(O)C(O)(O)C1(O)O DSZKQYGYWIYCSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100037681 Protein FEV Human genes 0.000 description 1
- 101710198166 Protein FEV Proteins 0.000 description 1
- 241000239226 Scorpiones Species 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N benzenediazonium Chemical compound N#[N+]C1=CC=CC=C1 CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049706 benzodiazepine Drugs 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- FPVGTPBMTFTMRT-NSKUCRDLSA-L fast yellow Chemical compound [Na+].[Na+].C1=C(S([O-])(=O)=O)C(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FPVGTPBMTFTMRT-NSKUCRDLSA-L 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GNWCSWUWMHQEMD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dione diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 GNWCSWUWMHQEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,3-diol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(O)=C21 XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,7-diol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=CC(O)=CC=C21 ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100595 phenylacetaldehyde Drugs 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000011548 physical evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000003234 polygenic effect Effects 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M tetrakis-decylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCC[N+](CCCCCCCCCC)(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVVPMLFGPYQGTG-UHFFFAOYSA-M tetramethylphosphanium;iodide Chemical compound [I-].C[P+](C)(C)C TVVPMLFGPYQGTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本· 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ; 本發明係關於一種正型乾膜光阻,特別是關於一種具 ' 有較佳之物理性質,例如較高之薄膜速度〔或感光速度〕 、顯影對比度、感光度、解析度及/或對基材的黏著度之正 型光阻樹脂膜。 【先前技術】 # 光阻及光阻膜係使用於高整合度之半導體的製造上 ’例如積體電路〔ICs〕、印刷電路板〔pcBs〕及電子顯示 裝置,例如陰極射線管〔CRTs〕、彩色液晶顯示器〔LCDs 〕及有機電致發光顯示器〔ELs或ELDs〕。該裝置之製程 係使用照相平版印刷〔photolithography〕及金屬餘刻曬版 〔photofabrication〕技術。該光阻膜需要足夠之解析度以 开>成具極細線條之圖案及不超過m〔微米〕之較小空間 區域。 鲁該光阻之物理性質可藉由光阻樹脂或光阻之分子結 構的化學修飾,而改變溶劑之溶解度、色彩、加工等特性 〇 ' β近年來,由於基材尺寸之增加及液態光阻組成物相關 - 得更加顯著’錢液態光阻組成物製造賴電晶體 液晶顯示器〔TFT_LCDs〕的製程係變得更加複雜及困難。 正型液態光阻由於儲存時的沉殿作用產生解析度及感光度 降低之問題,及由於塗覆表面之殘餘物產生較差之圖案設 計之問題等。因此,有必要進一步開發新的光阻以解決上 第9414334«號申請專利範圍修正本。 述問題。 由於傳統液態正型光阻之缺點,使得正型乾膜光阻技 術的需求與日倶增。該缺點導致製程成本之提高。例如, 將一光阻旋轉塗佈至一半導體晶圓導致損失昂貴之光阻材 料。用於旋轉塗佈光阻作業之機械裝置具有實質巨額設備 成本,且旋轉塗佈相關的作業時間與管理產生額外之製程 費用。光阻相關過濾的使用點應用亦耗費成本。旋轉塗佈 製程中之各方面的光阻浪費即佔光阻成本的一大部分。同 樣的,正型液態光阻組成物在儲存時產生不溶物質〔即產 生沉澱作用〕,而導致解析度及感光度之降低。因此,有需 研發一種可實施之乾膜正型光阻技術。 傳統乾膜光阻技術係在I960年***始發展,當時液 L負型光阻係適用於乾膜技術以製造大型、低解析度裝置 ,例如印刷電路板〔PCB〕圖案之製造。然而,負^乾膜 光阻劑不足之騎度抑制了乾紐術在高解析度的應用, 例如積體電路〔ICs〕、液晶顯示器〔LCDs〕等。 正型乾膜光阻劑首先係出現在1980年代,該項技術 的發展係利用熱塑性樹脂的特性。例如,纖維樹脂係用以 作為乾膜正型光阻劑之基本成分〔如美國專利第 號〕。其他乾膜正型光阻劑係由杜邦所研發〔如美國專利第 4,193,797號及第5,〇77,174號〕,其係以丙烯酸〔似灿 〕或甲基丙烯酸〔methacrylate〕為基礎材料。由於利用纖 維樹脂或_酸猶產生較厚的乾縣阻僅軸低解析度 ’因此習用之熱塑性正型乾膜光阻之相·術仍具有負型 13 Π237, 98 〇4.1〇第94143340齡請專利範面修正本 . 光阻劑之缺點。 ' ^由於高階的半導體製造應用需要薄膜之厚度相對較 / $ 之乾駐型光阻存在應用上㈣題。亦即, ' t該光阻層的寬度因應高解析度之助平版印刷而必然的 變薄時,均勻之薄膜的必要需求亦相對增加。例如,一光 阻的薄膜產生更加敏感於外界現象,例如基材粗糙度… 非均勻基材可導致光阻層的缺陷,例如「魚眼〔fisheye〕 因此S用光阻膜非常需要進一步改善,以克服各種 問題,例如塗層厚度誤差、光滑度、變形、凝結、起泡、 塗層損失等。在使用傳統液態正型光叙組成物以形成液晶 顯示器〔LCDs〕或有機電致發光顯示器〔ELDs〕等之微 圖案的必要製程〔例如旋轉塗佈或類似製程〕時常會產生 士述問題。光阻膜經改善後亦將呈現高解析度、絕‘之線 寬可控制性、高熱阻值、高感光度、改善之殘留率、較高 • 之抗乾餘能力及高顯影性質’且可應用在液晶顯示器〔 LCDs〕及有機電致發光顯示器〔ELDs〕等之微細〔 〕製程。 【發明内容】 ' 本發明主要目的係提供一種正型乾膜光阻,其係用以 ' 形成正型光阻樹脂膜,當習知液態光阻組成物在二基材形 成微電路圖案〔例如用於薄膜電晶體液晶顯示器〔 TFT-LCDs〕、有機電致發光顯示器〔ELDs〕等之微電路圖 案〕時,其係可減少在一玻璃基材上之複雜的應用製程〔 —7—— ?Ρ〇4· 10第94143340號申請專利範圍修正本β 例如旋轉塗佈〕,以解決上述問題。本發明之乾膜光阻劑相 對於習知液態光阻成分達成具有實質相同或更佳物理性質 的微電路圖案,其係可適用於增加形成微電路圖案之基材 面積的趨勢。 本發明次要目的係提供一種正型乾膜光阻,其係藉由 提供-光阻樹脂膜,其包含一光滑支撐膜及一正型光阻樹 脂層,該正型光阻樹脂層係積層於該捕膜上。特別是, 該正型光阻樹脂層包含一鹼溶性樹脂、一重氮基感光化合 物及一感光增強劑。 +匕根據本發明之正型乾膜光阻,其係肋形成正型光阻 树月曰膜#包含一支撐膜及一熱固性正型光阻樹脂層,該 正型光阻樹脂層係積層於該支撐膜之上。該正型光阻樹脂 層含有-鹼溶性樹脂、一重氮基感光化合物及一感光增強 ^該支伽具有-表面祕度,以抑制如「魚眼」之缺 形成。本發明可克服製程無效率及旋轉塗佈光阻 技術所造成之缺陷。 【實施方式】 易懂為之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯 作詳細說明如下: 心例’並配合所附圖式, 光阻所示’其揭示本發明較佳實施例之正型 積層於該支』= Θ之正縣阻翻旨層之料及運輸的安 1311 9237. •〇4_10第94143340號申請專利範固修正本β 全性’該薄顏-步選擇在該光阻樹闕2()上方設置一保 護層〔未緣示〕。該正型光阻樹脂層2〇可設有一驗溶性樹 脂、一重氮基感光化合物及一感光增強劑。 上述具有積層結構之正型植樹^係可減少習知 液態光阻樹脂組成物使用時必需將光阻旋轉塗佈於 基材上的製程,藉此可解決其相關問題,例如在塗覆時之 之光滑度、變形、凝結、起泡、溶劑滲出 專。此外,使用乾膜光阻劑亦有利於提高產量。 該支撐膜10係具有一峰苒Γτ?1〇 ^ ^ t 4学同〔Rp〕之特性,該峰高〔 表面平均高度〔麵〕及—最高表面峰部⑷之 曰ί的η么,辨高〔Rp〕係位於—選取區域之高度斷面 L z軸方向〕内。 同時,若不規則峰部係形成於該表面,列表 =Ht〕係指該選取區域之高度斷面〔,方向〕之‘ 的頂峰、底谷及不規則峰部之平均高度。 睛參照第2圖所示,並措干一插士 規則表面。 -知種支標膜!〇具有極不 藉此’可觀察一不規則奪部q。即使該表面在去除該 之區域中具有較低高度之的頂峰及底谷?該 不規料部q之影響仍增加鱗高〔rp〕值。 同時’該不規則峰部q的出現係不利於形成於該 之光阻膜的性#。當該光阻膜之厚度較大時二二 ㈣,較小L ㈣較薄時 X 、自凸錢入該光阻將造成該光阻層20變得不 —9 — 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本· 均勻’而產生「魚眼」現象。亦即,當該光阻膜2〇之厚度 減少至約10/m〔毫求〕時,該支撐臈1〇之大量不規則= 導致產生「魚眼」。因此,該支撐膜10之峰高〔Rp〕不鹿 超過約300nm〔奈米〕。 同時,雖然本發明在峰高〔Rp〕為3〇nm〔即〇 〇3_ 〕仍财效,但是該支撐膜1G的峰高〔Rp〕較佳係大 約在觀rnn或以下。同時,該峰高〔Rp〕較佳係儘可能減 少,甚至減少為10nm〔即或以下。然而,該峰 高〔邱〕之有效範圍係介於15至30nm之間。 凊參照第4圖所示’其揭示一定向聚丙稀〔〇pp〕支 稽膜之表面,其係在原子力顯微術〔AFM〕之攝影下,該 表面係未產生相對較大之不規則。此時,該表面係未產生 相對較大之不規則頂峰,因此在該光阻層上產生缺陷。相 對的,如第5圖所示,其揭示—聚乙烯對苯二甲酸醇醋〔 PET〕薄膜利用原子力顯微術〔afm〕攝影的顯微照相圖 1其揭不該較大峰值高出該表面之平均高度〔應〕。當該 較大1峰=凸伸進入該光阻層時,將產生不狀_。 特別是,本發明之支樓膜較佳係具有-峰高〔Rp〕, 該峰高係一表面平均高度〔_〕及最高表面峰部〔q〕之 =所开/成之w度差。該峰高〔Rp〕係位於該選取區域之 =度斷面〔z㈣向〕内’且該峰高〔Rp〕在原子力顯微 術〔AFM〕之測量下係不超過約3_皿。該峰高⑽〕係 更佳不超過約100nm,其係在使用一定向聚丙稀〔哪〕 或雙向拉伸聚丙烯〔B〇pp〕時,可獲得該峰高〔即〕值 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範園修正本 該表面平均高度〔MHt〕料高〔邱〕係藉由美國park SC1_fiC Instrument Company所製造的原子力顯微鏡〔 AFM,型號:Auto Prove M5〕所測量。 f該原子力顯微鏡〔AFM〕在翻定有微探測器之懸 土樑#近該支撐膜之表面時’該原子力顯微鏡係 根據該探測ϋ之原子及樣本表面之原子間的縱長距離 生吸力或斥力。 藉由上述現象,可測量該表面的平均高 峰高〔Rp〕。 更詳言之,量測面積〔樣本尺寸〕係2GX2G /zm2。 該原子力顯微鏡〔AFM〕之探測器係接觸該支樓膜之 f所隨機選擇之十個位置,賴由光電二極體測量該位 置之原.子所產生的力。 ,表_平均高度〔纖〕及峰高〔Rp〕係藉由分析 之原子力而獲得’且該軒力係#由光電二極體所 ^ ’該分析係利用軟體〔如咖聰〇pes p讎an Software Version2 〇〕產生二階曲線近似。 丨估此f峰^⑻〕健十侧量值巾除了最大值及最 小值以外的八個測量值之平均值。 〔Rp〕超過細nm時,在積層該乾膜光阻劑 後’且以基膜自該絲層去除時,將會有—凹穴或魚 層表面之最高表面峰部的高度相等,因而在該 4膜曝光相㈣顧造成缺陷。 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本β 此外,由於加入顆粒〔例如有機顆粒或無機顆粒〕以 改善薄膜成品之順暢運行〔smo〇th running〕性質,及/或 薄膜生產中所產生的雜質,將形成一高表面峰部。 、聚錯酸 。特別是 乙烯醋〔PVA〕薄膜或聚乙烯醇〔pv〇H〕薄膜等 本發明之支撐膜1〇對該正型光阻樹脂膜具有較佳的 物理性質。本發明較佳實施例之支撐膜材料實施例包含〔 但未限制於〕聚碳酸酯〔PC〕薄膜、聚乙烯〔pE〕薄膜、 聚丙稀〔PP〕薄膜、定向聚_〔qPP〕薄膜、聚對苯二 曱酸乙一醇酯〔PET〕薄膜 '聚二甲酸乙二酯〔pEN〕薄 膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物〔EVA〕薄膜、聚乙烯化合物 薄膜、任何合適的聚稀烴〔p〇〕薄膜、環氧薄膜等。特別 是’該聚烯烴〔p〇〕薄膜較佳係聚丙稀〔pp〕薄膜、聚乙 婦〔PE〕薄膜、乙婦·乙酸乙烯醋共聚物〔EVA〕薄膜等。 聚乙烯化合物薄膜係較佳聚氯乙烯〔pvc〕薄膜、聚 ,該聚苯乙_膜較佳係聚苯乙烯〔PS〕薄膜、丙烯腈/ 丁二烯丙烯/笨乙烯共聚物〔娜〕薄膜等。特別是,該 =較佳係剌,以供光_支制及關該光阻樹
該支樓膜10較佳可具有厚度範圍介 之間’以作為φ授纹π:;丨1 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本β -賴脂㈣可選自熱龍或_性。孰塑性係 •㈣韻_態,錢可反覆的料魏及冷卻硬化。窄 :_性瓣或麵係—種材料,㈣可在加熱日幢塑造及 -- 顧彡,而在冷卻時保持其形狀。_性樹脂或塑膠係可藉 ' 由熱量及㈤催化劑進行化學反應,以形成—固體。一旦該 熱固性材料被加熱過後’當再加熱時,其不會恢復至最初 狀態’亦無法因再次加熱而軟化。該驗溶性樹脂係用於調 製本發明之正型光阻樹脂層20’該驗溶性樹脂較佳係包含 〔但未受限制於〕熱固性紛路清漆〔n〇v〇lac〕樹脂,其係 酚類及酸類之聚縮合之產物,且該酚搭清漆樹脂最佳係甲 齡盼搭〔cresolnovolac〕樹脂。 酚搭清漆樹脂係單獨由酚類聚縮合而成或與搭類及 酸性催化劑組合而成。 酚係包含〔但未限制於〕主要酚類及多元酚。該主要 酚類:例如酚〔phenol〕、鄰甲紛〔〇-cres〇i〕、間甲紛〔m_cres〇1 . 〕、對曱酚〔p-cresol〕、2,3-二甲基酚〔2,3-xylenol〕、2,5- 二甲基酚〔2,5-xylenol〕、3,4-二曱基酚〔3,4_xylenol〕、3,5-二曱基酚〔3,5^^11〇1〕、2,3,5-三曱基酚-二曱基酚〔 2,3,5-trimethylphenol-xylenol〕、4-反式-丁盼〔 < 4-t-butylphenol〕、2-反式-丁紛〔2-t-butylphenol〕、3_反式-丁紛〔3-t-butylphenol〕或 4-甲基 _2_ 反式-丁盼〔 4-methyl-2-t-butylphenol〕等。該多元紛:例如 2-苯盼〔 2-naphthol〕、1,3-二經基萘-〔l,3-dihydroxy naphthalene〕、 1,7-二經基萘〔1,7- dihydroxy naphthalene〕、1,5-二經基萘 —13 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範園修正本。 〔1,5- dihydroxy naphthalene〕、間苯二酚〔resorcinol〕、鄰 苯二酚〔pyrocatechol〕、對苯二酚〔hydroquinone〕、雙酚 A 〔bisphenolA〕、間苯三酚〔phloroglucinol〕或鄰苯三酚〔 pyrogallol〕等,其係可單獨使用或組合使用。特別是,其 較佳係化合間曱酚〔m-cresol〕及對曱酚〔p-Cresol〕。 本發明較佳實施例之酸類〔aldehydes〕係包含〔但未 限制於〕甲醛〔formaldehyde〕、三聚曱醛〔trioxane〕、聚 曱醛〔paraformaldehyde〕、苯曱醛〔benzaldehyde〕、己趁 〔acetaldehyde〕、丙路〔propylaldehyde〕、苯乙輕〔 phenylacetaldehyde〕、α 或召-苯丙醛〔α 或石-phenyl propylaldehyde〕、鄰-,間-,或對-羥基苯曱醛〔〇_,m、,〇r p-hydroxybenzaldehyde〕、戊二醛〔glutaraldehyde〕或鮮笨 二甲醛〔terephthalaldehyde〕等,其係可單獨使用或組合 使用。 本發明之甲紛紛醒〔cresolnovolac〕樹脂較佳係具有 重量平均分子量〔以凝膠液相層析法〔GPC〕為基準〕範 圍介於2000至30000之間。 此外,由於該盼酿〔cresolnovolac〕樹脂之物理性質 ,例如感光速度及薄膜殘留率係隨著間位/對位-曱酚成份 的混合比例而改變,因此本發明之酚醛樹脂較佳係具有間 位/對位-曱紛成份之混合重量比例介於4:6至6:4之間。 若該酚醛樹脂之間位-曱酚成份超過上述範圍時,則感 光速度將升高,同時該薄膜殘留率將急劇降低。另一方面 ,當該對位-曱酚成份超過上述範圍時,則該感光速度係不 1311237 98.04.21第94143340號專利說明書修正頁。 當的減慢。 雖然該酚醛樹脂具有間位/對位-甲酚成份之混合重量 比例範圍介於4:6至6:4之間,其係可單獨使用,但較佳係
組合具有不同分子量之樹脂。據此,該酚醛樹脂較佳係下 述之混合物:〔i〕、甲酚酚醛樹脂具有重量平均分子量〔以 凝膠液相層析法〔GPC〕為基準〕範圍介於8000至30000 之間;及〔ii〕、酚醛樹脂具有重量平均分子量〔以GPC為 基準〕範圍介於2000至8000之間;且其化合比例範圍係 介於7:3至9:1之間。 此處所使用之「重量平均分子量」一詞係關於藉由凝 膠液相層析法〔Gel Permeation Chromatography, GPC〕所 測定之聚苯乙烯〔PS〕當量的換算值。若該重量平均分子 量係低於2000 ’則在該薄膜顯影之後,該光阻樹脂膜在未 曝光之區域的硬度將產生大幅度的降低。另一方面,當該 重量平均分子量超過30000時,則該顯影速度將下降以致 | 降低感光度。在該反應生成物中之低分子量成份移除之後 ’其重量平均分子量範圍係介於2000至30000之間,本發 明之酚類樹脂可達到最佳效果。為了移除該酚醛清漆〔 I novolac〕樹脂内之低分子量成份,可便利的使用習知技術 / ,其包含分級沉澱、分級溶解、管柱層析分離等技術。藉 • 此,可改善該光阻樹脂膜之成果,特別是浮渣或熱阻值^ 該酚醛清漆〔novolac〕樹脂係與鹼溶性樹脂同樣可在 不增加體積的情況下溶解於一鹼性溶液,且當該樹脂用於 一 15 —
1311237 98.04.21第94143340號專利說明書修正頁 蝕刻之光罩時,其係提供高度抗電漿蝕刻能力之圖案。
本發明之重氮基感光化合物係作為一感光材料時。此 外’其係作為一抗溶劑以降低酚醛清漆〔novolac〕樹脂之 鹼溶性。然而,當光線照射於該重氮基感光化合物,其係 轉變成一鹼溶性物質’進而可增加該酚醛清漆樹脂之鹼溶 性。因此,由於該感光化合物之可溶性係隨著光照而改變 ,該感光化合物特別適用於該正型光阻樹脂膜。 該重氮基感光化合物可藉由一多經基〔polyhydrox〕 化合物及一苯二_重氮確〔qUinonediazide sulfonic〕化合 物之酯化反應化合而成。該感光化合物之酯化係包含:將 該多羥基化合物及苯二酮重氮磺化合物溶解於一溶劑,例 如一氧六壞〔dioxane〕、丙酮〔 acetone〕、四氩咲喃〔 tetrahydrofuran〕、曱乙酮〔methylethylketone〕、N-甲基四 虱化 口比格〔 N-methylpyrrolidine〕、三氯甲烧〔chloroform〕 、三氯乙烷〔trichloroethane〕、三氯乙烯〔trichloroethylene 〕或二氯乙烧〔dichloroethane〕;藉由將一驗基催化劑,例 如氫氧化鈉、碳酸鈉、碳酸氫鈉、三乙胺〔triethylamine〕 、N-甲基嗎〔N-methylmorpholine〕、N-甲基哌嗪〔N_methyl piperazine〕或 4-一 曱基胺变〔4-dimethyl aminopyridine〕 加入該溶液中,則可縮合該調製之溶液;清洗、純化及乾 4 爍該成品。就重氮績化合物酯化至一多經基化合物的經基 而s,同分異構物可選擇性的酯化,且並未特別限制該酯 化率〔平均g旨化率〕,但較佳範圍係介於2〇%至1〇〇%的範 圍内,且更佳係介於6〇%至90%的範圍内。當酯化率過低 —16—— 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本· 時,造成圖案結構及解析度的下降。相對的,當酯化率過 咼時’將造成感光度的降低。 例如’該本一酮重氮續酸鹽〔quinonediazide sulfonic - 〕化合物含有鄰-苯二酮重氮〔o-quinone diazide〕化合物 例 f 1,2-本酉比重氮 _4-績酸〔i,2-benzoquinone diazide-4-sulfonic acid〕、i,2-萘醌重氮 _4·磺酸〔 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid〕、1,2·苯艦重氮 • 績酸〔l,2-benzoquinone diazide-Ssulfonic acid〕、1,2·萘 醌重氮-5-績酸〔1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid 〕及其他苯二酮重氮磺酸鹽衍生物。 該本一酮重氮確酸鹽〔quinonediazide sulfonic〕化合 物作為一抗溶劑以降低紛駿清漆〔n〇v〇lacresin〕樹脂在驗 性溶液中的溶解度。然而,該化合物在曝光製程中分解產 生鹼溶性樹脂,因此該化合物具有加速該酚醛清漆樹脂在 鹼性溶液中的溶解度之特性。 | 關於多羥基〔P〇lyhydroxy〕化合物,較佳之實施例係 三經基苯酮〔trihydroxybenzophenones〕,例如 2,3,4-三經基 苯酮、2,2’,3-三羥基苯酮、2,3,4,-三羥基苯網;或者四羥基 苯_〔tetrahydroxybenzophenones〕,例如 2,3,4,4-四羥基苯 ' 酮、2,2’,4,4’-四羥基苯酮、2,3,4,5-四經基苯酮;或者五羥 ' 基苯酮〔pentahydroxybenzophenones〕例如 2,2,,3,4,4,-五輕 基苯酮或2,2’,3,4,5-五羥基苯酮;或者六羥基苯酮〔 hexahydroxybenzophenones〕’ 例如 2,3,3,,4,4,,5-六羥基苯酮 或2,2,3,3’,4,5’-六羥基苯酮;或者為沒食子酸烷基酯類〔 —17 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 gallic alkylester〕、氧基黃烷類〔oxyflavans〕等。 本發明所使用之重氮基感光化合物較佳係選自以下 組群的至少一個:2,3,4,4-四羥基苯酮_l,2-萘醌重氮-磺酸、 2,3,4-三經基苯酮-1,2-蔡5昆重氮-5-確酸及(ι_[ι_(4_經苯基) 異丙醇]-4-[1,1-雙(4-經苯基)乙基]苯)-ΐ,2·萘酉昆重氮_5_績酸 [ (1 - [ 1 -(4-hydroxypheny)isopropy 1]-4-[ 1,1 -bis(4-hy droxyphen y)ethyl]benzene)-l,2-naphtho quinonediazide-5-sulfonate〕。 同時,可利用聚羥基苯酮〔polyhydroxybenzophenone〕及 一重氮基化合物,例如1,2-萘醌重氮〔 l,2-naphthoquinonediazide〕、2-重氮-1-萘酚 _5_ 續酸〔 2-diazo-l-naphthol-5-sulfonic acid〕之反應調製該重氮基感 光化合物。 該重氮基感光化合物係插述於由Kosar,J.; John Wiley & Sons出版公司於西元1965年在紐約出版之「感光系統 〔Light Sensitive Syterns〕」參考書之第七章。 本發明之重氮基感光化合物〔即感光劑〕係作為該正 型光阻樹脂層之基本成份,其選自置換性萘醌〔 naphthoquinone〕重氮基感光劑’其通常使用於正型光阻樹 脂化合物。例如,其係揭示於美國專利第2,797,213號、第 3,106,465 號、第 3,148,983 號、第 3,201,329 號、第 3,785,825 號及第3,802,885號等。 上述之重氮基感光化合物係單獨使用;或者基於1〇0 份重量之鹼溶性樹脂組合使用30至80份重量之重氮基感 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 光化合物。若使用少於3〇份重量之重氮基感光化合物時, 則該化合物在一顯影溶劑中將不會發生顯影,且造成該光 阻膜之殘留率大幅降低。相反的,若超過80份重量時,則 - 成本過尚而不符經濟效益。此外,在該溶劑中的溶解度將 降低。 根據本發明之步驟,該重氮基感光化合物可控制該正 型光阻樹脂膜的感光速度。例如,該感光化合物之總量的 • 控制,及該多羥基〔P〇lyhydroxy〕化合物〔例如2,3,4-三 羥基苯酮〔trihdroxybenzophenones〕〕與苯二酮重氮磺酸化 合物〔例如2-重氮-1-萘酚_5磺酸〕之間的酯化的控制。 該重氮基感光化合物減少鹼溶性樹脂在一液相鹼性 顯影溶劑中之曝光前的可溶性約1/1〇〇th。然而,在曝光之 後,該化合物係在該鹼性溶劑中轉變成一羧酸〔carb〇xyUc 〕’因此相較於未曝光之正型光阻組成物,將使可溶性提升 大約1_至15GG倍。上述特徵較佳係使用於液晶顯示器 φ 〔LCDs〕、有機電致發光顯示器〔ELDs〕等之微電路圖案 的成形製程中。特別是,塗覆在一石夕晶圓或一玻璃基材之 光阻’其係透過-具有電路形狀之半導體遮罩並受一紫外 . 絲射。接著’ _顯影溶劑處理而在财晶圓或玻璃基 ' 材上產生預定之電路圖案。 * —感糾強劑可用以改善該正型光阻樹脂膜之感光 度。該感光增強劑可選自一多經基〔polyhydroxy〕化合物 ’其係包含2至7個·㈣能基,且該多絲化合物相 對聚苯乙稀〔Ps〕具有重量平均分子量低於1000。該感光 1311237 98-04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 增強劑較佳實施例係選自下列組群的至少一個:2,3,4-三經 基苯酮、2,3,4,4_四羥基苯酮、(1·[1·(4-經苯基)異丙醇 ]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]苯)。 該多羥基〔polyhtdrox〕化合物做為該感光增強劑,其 重罝較佳係基於100份重量之驗溶性樹脂使用3份重量至 15份。若該多羥基化合物之重量少於3份時,將造成不足 的感光效果及不符預期之解析度與感光度。當總數超過15 伤重里B守,將造成咼感光度,但縮小顯影窗口之處理邊緣 此外,該樹脂成份可包含其他成份或添加劑,其包含 整平劑、填料、顏料、染料、抗氧化劑等。 本發明之正型光阻樹脂層2〇可藉由混合上述之驗溶 性樹脂、重氮基感光化合物及感光增強劑,再加上固定數 量之溶劑_製喊。舰合物係在較撐膜1()上塗覆約 5"m至2〇em之厚度。 將該正型光阻樹脂層形成於該支撐膜上之製程係包 含:藉由-般習知塗覆方法如彻滾筒、喊塗佈機、凹 板印刷、平版印糊之meyel氏桿、喷難等,將本發明 之組成物及溶_混合物塗覆_切膜;及乾燥該塗覆 二:該ί劑。必要時,上述塗覆之組成物可藉由加 熱及固化加以處理。 通常係藉由積層而_於一基材 表面,及在去除該切叙前較細,接著再去除咳支 撐膜。或者,在制就㈣脂财杨 之後, 1311237 98.04.Ί0第94143340號申請專利範圍修正本· 紅㈣輯脂財射絲。料, 除該支撐膜之前或之後進行。 F泵了在去 - ^卜該製狀正型光阻觸财另包含-保護声, :該保護層係形成於該正型光阻樹脂層之上方。該保護^係 =阻止空氣滲透及保護該正型光阻樹脂層免於雜質:污 染物,且魏制健錄W … 甲,〔航〕膜、_〔pp〕膜^較本: 係具有1厚度朗介於15_至、m之間。 入.同時’姻本發明之光阻樹腊卿成職之製程係包 含· ⑴、形成該光阻樹脂膜之步驟,其係藉由在—玻璃 基材上,將-光阻樹脂層塗覆於一支樓膜,及可選擇將該 支撐臈從該光阻樹脂膜去除。 Μ ⑺、_紫外線經過-光罩照射該製成之塗層 不、左過光罩直接照射該製成之塗層,以產生預定之圖 案。 〕、形成-光_案塗層,其係包含在去除該支揮 膜之後’在料_射雜藉_f彡时_正型光 脂塗層,此時财伽未從該雜触_除。 本發明較佳之顯影溶劑實施例係2 38%之四甲基 化録〔TMAH〕’以顯影紅㈣阻樹脂膜。 在步驟1令,將該正型光阻樹月旨膜黏結於該基材之— 部位以便敍_脂層靠近該切膜,藉此完成該正型光 阻樹脂塗層之成型。該讀黯需移除。此外,形成於該 —21—— 1311237 98·04·10第94143340號_請專利範面修正本。 基材上之光阻樹脂塗層無需乾燥。 ,因此,預定之光阻劑圖案塗層係藉由步驟卜2及3 而形成。 該製成之正型光阻樹脂膜包含該光 於該支撐膜上,如此解決俤用丄 9 Ί位 紗解絲用S用液'⑮光阻樹脂組成物在 =存= 组成物時所產生之降低解析度或感光度的問題,·或 者,消除傳統將一化合物塗覆於該玻璃基 轉塗佈及/或乾燥製程,使本發明可解決在乾燥二^3 泡的缺點,以增加產品良率,特別是明顯減少 製程成本。 利用本發明之正型光阻樹脂膜所形成的微電路達成2 ,至輪之高騎度’其實質她於或更佳於習 用液態正__驗成物,·可使驗微電路構造, 例如液晶顯示器〔LCDs〕、有機電致發光顯示器〔腳s〕 等。
JtSALL 藉由以下非限制性之實施例,上述特徵及本發明之其 他優點將變得更加凸顯。然而,該實施例係㈣更完整的 說明本發明,而並未限制本發明之領域範圍。 第一i^^ 一溶劑調製成具有重量混合比例為4:6之間位/對位_ 甲酚成份之甲酚酚醛〔 cres〇l n〇v〇iac〕樹脂,且其具有下 列成份:〔i〕、甲酚酚醛樹脂具有重量平均分子量8〇〇()及 〔ii〕酚醛樹脂具有重量平均分子量2〇〇〇,其二者係在鹼 一 22 — 1311237 98.04.1 M_10第94143340號申請專利範圍修正本。 /谷性樹脂中以7:3之比例混合;40份重量之2,3 4 r經某 苯__1,2-萘醌重氮-5-磺酸做為感光成份;5份重量二 2,3,4,4-四羥基苯酮做為感光增強劑;及其餘則為溶劑、染 料及7或整平劑,上述混合比例係以1〇〇份重量之鹼溶性樹 脂為基礎。該調製成之溶液係經由一 〇 2//m之 TEFLON〔聚四氟乙烯〕濾材以移除不溶物質。該成品溶 液係以5 /z m之厚度塗覆於一聚乙烯對苯二甲酸醇^旨〔σρΕτ 〕薄膜〔19 /zm厚〕,以形成一光阻樹脂層,因 正型光阻樹脂膜。 篇一實施例 一正型光阻樹脂膜依照第一實施例之方式調製,除了 該鹼溶性樹脂係一具有重量混合比例為4:6之間位/對位_ 甲紛成份之甲酚酚搭〔cres〇l n〇v〇lac〕樹脂,且其係包含 下列成份:〔Π甲酚酚醛樹脂具有重量平均分子量10000 及〔ii〕曱驗齡酸·樹脂具有重量平均分子量3q〇〇,其二者 係依照7:3之比例混合;且該感光化合物係4〇份重量之 2,3,4’4-四羥基苯酮-U-萘醌重氮磺酸,其係以1〇〇份重量 之鹼溶性樹脂為基礎。 實施你丨 一正型光阻樹脂膜依照第一實施例之方式調製,除了 該驗溶性樹脂係一具有重量混合比例4:6之間位/對位-甲 酚成份之甲酚酚醛樹脂,且其係包含下列成份:〔i〕曱酚 酚醛樹脂具有重量平均分子量12000及〔ii〕甲酚酚醛樹脂 具有一重量平均分子量4000,其二者係依照7:3之比例混 —23 - 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 合,且該感光化合物係40份重量之(1_[丨_(4_經苯基)異丙醇 PKU-雙(4-羥苯基)乙基]苯)义孓萘醌重氮_5_磺酸,其係 - 以100份重量之鹼溶丨生樹脂為基礎。 _, 第四實施例 一正型光阻樹脂膜依照第一實施例之方式調製,除了 δ玄驗/谷性樹脂係一具有重量比例5:5之間位/對位_曱盼成 份之甲酚酚醛樹脂,且其係包含下列成份:㈠〕曱酚酚醛 樹脂具有$量平均分子量14_及〔U〕甲__脂具有 -重量平均分子量5000,其二者係依照8:2之比例混合;· 且該感光化合物係20份重量之2,3,4-三羥基苯酮_ι,2-萘醌 重氮酸及2〇份重量之2,3,4,4_四經基苯酮Μ·萘醌重 氮磧酸,其係以100份重量之鹼溶性樹脂為基礎。 第五實施例 一正型光阻樹脂膜依照第一實施例之方式調製,除了 該驗溶性樹脂係-具有重量比例5:5之間位/對位·甲紛成 份之甲紛祕樹脂,且其係包含下列成份:⑴甲紛祕 樹脂具有重量平均分子量18000及㈤甲龄祕樹脂具有# 一重量平均分子量_,其二者係依照8:2之比例混合; 且該感光化合物係20份重量之2,3,4_三經基苯酮山2_萘醌 重氮-5-石黃酸及20份重量之(1仆(4_經笨基)異丙醇[邱上 . 雙(4-經苯基)乙基]苯)_1,2_萘醒重氮如黃酸,其係以刚份. 重量之鹼溶性樹脂為基礎。 第六實施例 一正型光阻樹脂膜依照第一實施例之方式調製,除了 —24 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本· 該鹼溶性樹脂係一具有重量比例5:5之間位/對位_甲酚成 份之甲酚酚醛樹脂,且其係包含下列成份:㈠〕甲酚酚醛 ’: 觸具有«平均分子量1_及〔ii〕甲__脂具有 •- 一重量平均分子量7000,其二者係依照8:2之比例混合; 且該感光增強劑係5份重量之(i-[1-(4_經笨基)異丙醇 ]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]苯),其係以1〇〇份重量之鹼溶 性樹脂為基礎。 ' • 第一至六實施例所獲得之每個正型光阻樹脂膜係以 〇.5m/min〔公尺/分鐘〕至3.5m/min之積層速度積層至一 基材上,其係在100。(:至130 t之溫度及1〇 psi〔磅/平 方英寸〕至90 psi之輥壓壓力下進行積層,且係利用—光 罩接嗳紫外線之曝光,且在去除該支撐膜之後,該正型光 阻樹脂膜係在2.38 %之TMAH〔四曱基氫氧化銨〕中顯影 ,以形成微形圖案。該成型圖案之物理性質係根據下述方 法δ平估’且其結果係揭示於表一: , 物理性皙評仕 第一至六實施例所產生之正型圖案的物理性質係相 據下述方法評估,且其結果係揭示於表一。又 〔1〕感光度 - 在將每個該製成之正型樹脂膜曝光於不同光量之紫 外線下之後’該薄膜係利用2.38 %之ΤΜΑΗ〔四甲基氣氣 化銨〕溶液顯影60秒,再清洗30秒之後乾燥。該成品薄 膜之曝光量係利用一光學顯微鏡檢測。 〔2〕熱阻值 —25 — 1311237 第9414334〇號申請專利範圍修 正本。 /在藉由相同方法形成一絲圖案讀檢測其感光度 =後,該光阻圖案係放置於溫度150 °C之熱板上加熱2分 利用知私式電子顯微鏡〔Scanning Electron Microscope, SEM〕觀察該光阻劑圖案之截面,同時利用&階〔 a-step 〕以觀察該紐劑圖案之表面。 該光阻劑圖案之狀態係評估如下:在加熱之後’該光 ^圖案之外形及表面的變化相對該圖案之厚度不超過 3/^夺„’以符就◎表示;當變化範圍介於3%至5%之間時, 以符號△表TF ;當變化超過⑽時,以符號χ表示。 〔3〕解析度 、在將該製成之正型光阻樹脂膜以公尺/分鐘至3.5 a尺。/刀鐘之積層速度積層至該基材上時,且在⑽t至 溫度及1〇PSi〔碎/平方英寸〕至90psi之輥壓 。力下進行積層’該積層薄_姻—光科受紫外線之
知射,且去除作為支撐膜之該聚乙烯對苯二甲酸醇g旨〔PET 〕,卜接著,該光阻樹脂膜係利用2.38 〇/〇之TMAH〔四甲 基氳氧化銨〕之顯影液顯影,藉此形成一具有未曝光區域 之微電路。該成型圖案之解析度係利用一掃描式電子顯微 鏡加以觀察。 第94143340號申請專利範圍修正本 第94143340號申請專利範圍修正本 〔毫‘耳/S分 [mJ/cm21 熱阻值評估 解析度 〔//m〕 第一實施例 第二實施例 第三實施例
表一、丨感光度值及I解拆唐 第四實施例 第五實施例 第六實施例 如表1所不,按照第-至六實施例之正型光阻樹脂膜 所形成之微電路’每個該微電路含有位於該支撐膜上之該 光阻樹脂層,其產生絕佳之雜,例域光度、熱阻值及 解析度。據此,本發明之光崎脂膜可在—基材^形成一
微電路圖案,以使用於液晶顯示器〔LCDs〕及有機電致 光顯示器〔ELDs〕等裝置。 X 本發明正型光阻層係由一正型光阻組成物製成,其係 按照下述方式製造: 月旨,—溶液調製成含有:—甲盼祕〔cres〇1 n〇v〇lac〕樹 曰,其具有重量混合比例4:6之間位/對位_ :包含下職份⑴㈣祕樹脂具有重量平均分_4 及〔ii〕甲齡紛路樹脂具有一重量平均分子量2〇〇〇, =二者係依照7:3之比例混合’以作為驗溶性樹脂;4〇份 臺之2,3,4-二羥基苯酮_ι,2_萘醌重氮_5_磺酸,以作為感 —27 — 7311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 光化合物;5份重量之2,3,4,4-四羥基苯酮,以作為减光增 強劑;及其餘成份為溶劑、染料及/或整平劑,其係以1〇〇 份重量之上述的鹼溶性樹脂為基礎。該調製成之溶液係經 過—0.2 // m之Millip〇re TEFLON〔聚四氟乙烯〕濾材,以 去除不浴性物貝。該成品溶液係塗覆於一雙向拉伸聚丙稀 祺〔b卜axially oriented polypr〇pyiene ’ B0PP〕,以形成一正 型光阻層。該雙軸向拉伸聚丙烯膜具有表二及表三所列之 物理性質’其係作為厚度5/zm之支撐膜,藉此產生正型 光随乾膜。 物理性質 定向聚丙烯 [0PP] 每對苯二曱酸乙二醇酯 Γ PFT Ί —___ [ //rn] 熔點rc ]
5主.t對笨一甲酸乙二醇酉旨〔ρΕτ〕之物理性質代表 於第-至六實施例之聚對笨二甲酸乙二醇_〔ρΕΤ〕 主二、該支斤^熱力學性質及機械性質的對照表 表一、第七實施例之雙向拉伸聚丙烯膜〔朦ρ〕之平 測結果 f均高度 峰高 谷深 (MHt) — (Rp) (Rv) 0.0322 ----- 0.0482 -0.0322 0.0343 -- 0.0446 -0.0343 0.0461 0.0737 -0.0461 測試區 峰高-V 粗糙度 (Rp-v) (Rms rough) 0.0804 0.0077 0.0789 0.0080 0.1198 0.0081 平均粗糙 度 0.0061 ------ 0.0063 0.0061 —28 — I311m剛峨娜删修正本。 0PP-4 0.1438 0.0084 0.0063 0.0480 0.0958 -0.0480 0PP-5 0.0650 0.0064 0.0050 0.0272 0.0378 -0.0272 0PP-6 0.1028 0.0099 0.0076 0.0479 0.0549 -0.0479 0PP-7 0.0759 0.0069 0.0054 0.0288 0.0471 -0.0288 0PP-8 0.0728 0.0075 0.0059 0.0321 0.0407 -0.0321 平均值 0.0924 0.0079 0.0061 0.0371 0.0554 -0.0371 表四、第一至六實施例之聚對苯二曱酸乙二醇酯〔PET〕 之平均高度〔MHt〕及峰高〔Rp〕的量測結果〔單位// m 測試區 岭高-V (Rp-v) 均方根值 粗糙度 (Rms rough) 平均粗糖 度 平均高度 (MHt) 峰高 (Rp) 谷深 (Rv) PET-1 0.2322 0.0112 0.0072 0.0732 0.1590 -0.0732 PET-2 0.4342 0.0210 0.0101 0.2584 0.1757 -0.2584 PET-3 0.1724 0.0065 0.0037 ,0.0444 0.1280 -0.0444 PET-4 0.2009 0.0131 0.0088 0.0613 0.1396 -0.0613 PET-5 0.1340 0.0053 0.0034 0.0336 0.1003 -0.0336 PET-6 0.1161 0.0040 0.0025 0.0249 0.0913 -0.0249 PET-7 0.1602 0.0046 0.0024 0.0415 0.1187 -0.0415 PET-8 0.1378 0.0059 0.0030 0.0420 0.0958 -0.0420 平均值 0.1985 0.0089 0.0051 0.0724 0.1260 -0.0724 在表三及表四中,峰值-v〔Rp-v〕係該選取區域之高 —29 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 度斷面〔Z軸方向〕的最大峰高及谷底高度之距離。 均方根值粗糙度〔Rms rough〕係具有八個數字之數據 與表面平均高度〔MHt〕之標準差,且平均粗糙度係具有 八個數字之數據與表面平均高度〔MHt〕之平均標準差。 谷深〔Valley ’ Rv〕係該選取區域之高度斷面〔z軸方 向〕的谷底高度及表面平均高度〔MHt〕之間的距離。 峰高〔Rp〕及平均高度〔MHt〕之定義係已於上文描 述。 物理性曹评仕 本發明所使用之支撐膜的物理性質係根據下述方法 評估。 〔熔點〕 調製成之薄膜係使用一熱微差掃描分析儀〔 Differential Scanning Calorimeter〕藉由熱流差異而進行檢 測,以便將相同之溫度程序應用於一樣本材質及惰性參考 材質。 〔突出物之高度〕 。調製成之薄膜係以一原子力顯微鏡〔AFM〕藉由一微 探針進行原子間斥力〔interat〇mic repulsive f〇rce〕分析三 -人,藉此计算出最高表面點及最低表面點的平均值,且決 疋該薄膜的表面粗縫度。 該支撐膜之熱性質及機械性質係彼此比對且其結果 顯示於上述之表二。 八 上述實施例所產生之正型光阻膜的物理性質係根據 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正纟β 下述方法進行評估,且其結果顯示於表三。 • 〔薄膜去除性質〕 •在將該調製成之正型光阻乾膜積層至一玻璃基材上 ; ,且該玻璃基材係以氧化銦錫〔ΙΤΟ〕塗覆2_Α〔埃〕 之深度及100x100 mm2之寬度,且以積層速度2公尺/分鐘 ,在110°c之溫度及i〇psi〔碌/平方英寸〕至9〇psi的熱 ,壓力之下進行積層,隨後將該支撐膜自該紘層撕除、。、、 . 藉由利用通用測試機〔Universal Test Machine,UTM ;
Instron Inc.〕評估該乾膜之去除特性,該測試機可判定該 薄膜撕除時之撕除強度。 人 〔感光度〕 在將該積層基材曝光於不同光量之光線後,該薄膜係 利用2.38 %之ΤΜΑΗ〇Τ基氫氧化銨〕溶液在環境溫度 下顯影60秒,再清洗30秒之後乾燥。該成品薄膜係利用 一光學顯微鏡檢測其曝光量。 | 〔熱阻值〕 在藉由相同方法形成一光阻圖案,以便在檢測其感光 度之後,該光阻圖案係放置於一 15〇它之熱板且加熱2分 , 麵利用知描式電子顯微鏡〔Scanning Electron Microscope SEM〕觀察該光阻圖案之截面,同時利用&階〔a-step〕以 . 觀察該光阻劑圖案之表面。 該光阻圖案之狀態係評估如下:在加熱之後,該光阻 圖案之外形及表面的變化相對該圖案之厚度不超過3%時 ’係視為「佳」;當變化範圍介於3%至5%之間時,係視為 ——31 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本β 「一般」;當變化超過10%時,係視為「 〔解析度〕 在將該調製成之薄膜以2公尺/分鐘之積層速度積層 至該基材’且在l〇〇C之溫度及1〇psi〔碎/平方英寸〕至 卯Psi之輥壓壓力進行積層,該積層薄膜係利用一光罩接 文紫外線之照射’且撕除該作為支撐膜之聚乙稀對苯二甲 ㈣S曰〔PET〕。接著,該處理過之薄膜利用2 38 %之TMAH 〔四甲基氫氧化錢〕之驗性顯影液顯影,藉此形成一具有 未曝光區域之微電路。該成品微電路之解析度係利用一掃 描式電子顯微鏡觀察。 鱼五、正型光阻乾膜之^竺質的對照表 解析度 相較於使用傳統液態光阻樹脂組成物,本發明可達成 物理性質,例域光速度、顯影對比度、解析度、對基材 之黏著度、薄膜殘留率、電路線寬—致性⑽―办 〕等,其係相同於或更佳於液晶顯示器〔LCDs〕及有機電 致發光顯示器〔ELDs〕等裝置_傳統組成物將微電路形 成^-基材上,藉此提供—改良之正型光阻樹脂膜,其用 於薄膜電晶體液晶顯示器〔抓LCDs〕、有機電致發光顯 不器〔ELDs〕等之平板印刷。 —32 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本· 此外,使用該正型光阻樹脂膜可排除使用傳統液態光 阻樹知組成物之微電路圖案的成型製程所需之旋轉塗佈及 ’ · 乾燥製程。因此,本發明可解決上述製成之習用間題,例 • : #厚度偏差、粗劣光滑度、變形、凝結、乾燥時起泡及溶 d之析出等。由於不需旋轉塗佈及乾燥製程,本發明係簡 化製程,因而提高可加工性及符合經濟效益。 另外本發明之iLS光樹脂膜未具有先前技術之液態 • 組成物_存_所造成的解析度及/或感光度降低之^ 關問題。 雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示,然其並非用 以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍之内,當可作各種更動與修改,因此本發明之 護範圍當視_之巾請翻_所界定者鱗。 ’、
—33 — 1311237 紙〇4_1〇第94143340號申請專利範圍修正本。 【囷式簡單說明】 第1圖.本發明較佳實施例正型乾膜光阻所形成之正型 光阻樹脂膜之結構圖。 第2圖.本發明較佳實施例正型乾膜光阻具有較大不規 則之基材之曲線圖。 第3圖:本發明較佳實施例正型乾膜光阻未具有較大不 規則之基材之曲線圖。 第4圖:本發明較佳實施例正型乾膜光阻未具有較大不 規則之基材的原子力顯微術〔AFM〕之顯微照相圖。 第5圖:本發明較佳實施例正型乾膜光阻具有較大不規 則之基材的原子力顯微術〔AFM〕之顯微照相圖。 【主要元件符號說明】 1〇支撐膜 Rp峰高 q 取向表面峰部 20正型光阻樹脂層 MHt平均高度
—34——
Claims (1)
1311237 98.04.10第9414334〇號申請專利範圍修正本· 十、申請專利範圍: ,· 1、一種正型乾臈光阻,其包含: / 一支撐膜;及 ‘ 正型光阻層’其係位於該支樓膜上方,其中該支樓膜 具有-峰高〔Rp〕,該峰高係—選取區域之高度斷面〔 軸方向〕之—表面平均高度〔馳〕及—最高表面峰 局之間的高度差’該峰高不超過3⑻奈米,該光阻層之 φ 厚度係不超過10微米。 2 =申gf專利範圍第丨項所述之正型乾膜光阻,其中該峰 高〔Rp〕係不超過約100奈米。 3、 依中晴專圍第丨項所述之正型乾膜光阻,其中該支 伽之厚度範®係實質介於丨5微米至5〇微求之間。 4、 依中請專利範圍第以所述之正型乾膜光阻,其中該光 阻層係由鹼溶性樹脂組成。 5、 依巾料概圍第4項職之正型乾膜光阻,其中該樹 # 脂係酚醛清漆樹脂。 一 35 — 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本β 性樹脂為基礎。 9、依申請專利範圍第7項所述之正型乾膜光阻,其中該重 氮基化合物係選自以下組群的至少一個:2,3,4,4-四經 基苯終1,2-萘醌重氮磺酸、2,3,4-三羥基苯酮-1,2-萘醌 重氮-5-磺酸及(1-[1-(4·經苯基)異丙醇雙(4_羥 本基)乙基]笨)·1,2_萘艦重氮_5·續酸。 10、 依申请專利範圍第6項所述之正型乾膜光阻,其中該甲 酚酚醛樹脂根據凝膠液相層析法〔GPC〕具有一重量平 均分子量範圍介於2000至30000之間。 11、 依申請專利範圍第6項所述之正型乾膜光阻,其中該曱 酚酚醛樹脂係具有一間位/對位_曱酚成份,其混合重量 比例係介於4:6至6:4之間。 12 '依申请專利範圍第6項所述之正型乾膜光阻,其中該曱 盼盼搭樹脂係下述之混合物:〔i〕甲酚酚醛樹脂具有重 量平均分子量範圍介於8〇〇〇至30000之間〔以凝膠液 相層析法〔GPC〕為基礎〕;及〔^〕甲酚酚醛樹脂具有 重罝平均分子量範圍介於2000至8000之間〔以凝膠液 相層析法〔GPC〕為基礎〕,且其二者混合比例係介於 7:3至9:1之間。 13、 依申请專利範圍第7項所述之正型乾膜光阻,其中該感 光增強劑係選自以下組群的至少一個:2,3,4_三羥基苯 嗣、2,3,4,4-四羥基苯酮及(1-[1-(4-羥苯基)異丙醇 ]·4-[1,1_雙(4_羥苯基)乙基]笨)。 14、 依申凊專利範圍第1項所述之正型乾膜光阻,其中該支 1311237 98.04.10第94143340號申請專利範圍修正本。 撐膜係由聚對苯二甲酸乙二醇酯〔PET〕、聚二曱酸己 一酯〔PEN〕、聚碳酸酯〔pc〕、乙烯-乙酸乙烯酯共取 物〔EVA〕、乙烯-乙烯醇共聚物〔EVAL〕、聚氣乙歸'〔 PVC〕、聚乙酸乙烯酯〔PVAC〕、聚乙烯醇〔pVAL〕、 聚苯乙烯〔PS〕、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯環氧樹脂、聚 烯烴〔PO〕之一組成;其中該聚烯烴選自聚乙烯〔^丘 〕、聚丙烯〔PP〕及定向聚丙烯〔0PP〕所組成之族群 15、依申請專利範圍第1項所述之正型乾膜光阻,其中該乾 膜光阻另包含一保護層,該保護層係形成於該光阻居: 上方。 16 17 依申明專利範圍第15項所述之正型乾膜光阻,其中 保護層係由聚乙烯〔PE〕、聚對苯二甲酸乙二醇醋〔p 〕、聚两烯〔PP〕之一組成。 依申請專鄉圍第15韻述之正型乾膜光阻,其中 保遵層之厚度範圍係實®介於15微米至3G微米之f =請專利範㈣1項所述之正型乾膜光阻,其中該 阻層係包含-熱固性聚合物。 18
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040103325 | 2004-12-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200622495A TW200622495A (en) | 2006-07-01 |
TWI311237B true TWI311237B (en) | 2009-06-21 |
Family
ID=36578133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094143340A TWI311237B (en) | 2004-12-09 | 2005-12-08 | Positive type dry film photoresist |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7790345B2 (zh) |
EP (1) | EP1820063B1 (zh) |
JP (1) | JP4440975B2 (zh) |
KR (1) | KR100759852B1 (zh) |
CN (1) | CN101073035B (zh) |
TW (1) | TWI311237B (zh) |
WO (1) | WO2006062347A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100870411B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-11-26 | 주식회사 코오롱 | 드라이필름포토레지스트 |
JP2009222733A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-10-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト |
KR101430962B1 (ko) * | 2008-03-04 | 2014-08-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 |
KR101115787B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2012-03-09 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 광분해성 전사재료, 이로부터 형성되는 절연막 및 유기발광소자 |
KR101335044B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2013-11-29 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 필름형 광분해성 전사재료 |
KR101305664B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2013-09-09 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 필름형 광분해성 전사재료 |
JP5470993B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2014-04-16 | 日立化成株式会社 | パターン形成用材料、これを用いたフィルム状エレメント及びパターン形成方法 |
KR20110045418A (ko) * | 2009-10-27 | 2011-05-04 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
KR101335181B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2013-11-29 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 드라이 필름 포토레지스트 |
US9075182B2 (en) * | 2011-06-03 | 2015-07-07 | VisEra Technology Company Limited | Camera module and spacer of a lens structure in the camera module |
CN102799070B (zh) * | 2012-08-27 | 2014-03-05 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 双层涂布的负性光致抗蚀干膜 |
KR20140084394A (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 드라이 필름 포토레지스트 |
JP6878160B2 (ja) * | 2017-06-12 | 2021-05-26 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、金属配線の製造方法、及び積層体 |
JP7340329B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-09-07 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂積層体及びレジストパターンの製造方法 |
TW202036162A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-10-01 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、感光性乾薄膜、感光性乾薄膜之製造方法、圖型化阻劑膜之製造方法、附鑄型基板之製造方法及鍍敷造形物之製造方法 |
JP6691203B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-04-28 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法及びめっき造形物の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4193797A (en) | 1971-03-22 | 1980-03-18 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Method for making photoresists |
US4587199A (en) * | 1983-07-11 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Controlled roughening of a photosensitive composition |
US4532738A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-06 | General Electric Company | Method of removing a coating |
JPH02502312A (ja) * | 1987-12-10 | 1990-07-26 | マクダーミツド インコーポレーテツド | 像反転性乾燥フィルムホトレジスト |
US5077174A (en) | 1990-04-10 | 1991-12-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive working dry film element having a layer of resist composition |
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JPH0743904A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Diafoil Co Ltd | 画像形成転写材料用ポリエステルフィルム |
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JPH09169092A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-06-30 | Toray Ind Inc | 二軸配向積層ポリエステルフィルムおよびその製法 |
US5981135A (en) | 1997-08-13 | 1999-11-09 | Morton International, Inc. | High resolution positive acting dry film photoresist |
KR100247706B1 (ko) * | 1997-11-07 | 2000-06-01 | 구광시 | 드라이 필름 포토레지스트 |
JPH11207906A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-03 | Toray Ind Inc | 二軸配向積層ポリエステルフィルム |
JP2000255015A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-19 | Mitsubishi Polyester Film Copp | ドライフィルムレジスト用カバーフィルム |
JP4655334B2 (ja) | 2000-06-13 | 2011-03-23 | 東レ株式会社 | 二軸配向ポリエステルフィルム |
JP2002341525A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法 |
US6824885B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-11-30 | Toray Plastics (America), Inc. | Releasing thermoplastic film, and method of making |
US20040234889A1 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-25 | Shunsuke Okuyama | Laminated film |
JP2004115566A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | ポリエステルフィルム |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2007545372A patent/JP4440975B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-07 WO PCT/KR2005/004170 patent/WO2006062347A1/en active Application Filing
- 2005-12-07 EP EP05821282.0A patent/EP1820063B1/en not_active Not-in-force
- 2005-12-07 CN CN2005800423236A patent/CN101073035B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-07 US US11/791,886 patent/US7790345B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-08 TW TW094143340A patent/TWI311237B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-09 KR KR1020050120391A patent/KR100759852B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4440975B2 (ja) | 2010-03-24 |
EP1820063B1 (en) | 2014-09-17 |
EP1820063A1 (en) | 2007-08-22 |
EP1820063A4 (en) | 2010-03-31 |
JP2008523441A (ja) | 2008-07-03 |
WO2006062347A1 (en) | 2006-06-15 |
KR20060065542A (ko) | 2006-06-14 |
US20080090168A1 (en) | 2008-04-17 |
TW200622495A (en) | 2006-07-01 |
US7790345B2 (en) | 2010-09-07 |
CN101073035B (zh) | 2012-11-28 |
CN101073035A (zh) | 2007-11-14 |
KR100759852B1 (ko) | 2007-09-18 |
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