TWI309044B - Method for repairing defects in memory and related memory system - Google Patents

Description

1309044 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於記憶體缺陷之補救，尤指一種軟式的記憶體缺 陷補救方法以及相關鈞記憶體系統。· 【先前技術】 隨著記憶體元件的微小化以及製程複雜度的提高，記憶體元件 也變得容易受各式缺陷（defect)所影響。為此，記憶體製造商必 丨須使用一些特殊的補救措施’來解決記憶體元件中之缺陷所可能 帶來的問題。 舉例來說，在製造記憶體元件時，製造商會在記憶體元件中形 成一些炼絲（fUse )以及冗餘電路（re(jun(jant cjrcuit ’例如冗餘列 與冗餘欄）。在檢測出記憶體元件中的缺陷位置後，製造商會使用 炼絲來將原本連接至缺陷單元（defectceii)的位置跳接至冗餘單 元（redundantcel】），如此一來，缺陷的問題即可解決。 而熱熔絲（fuse)和電熔絲（e-fuse)是記憶體缺陷修補技術中 較常見的兩種，這兩種缺陷修補技術皆屬於硬式修補（hard repair) ’換句話說，執行完此類的硬式修補程序之後，原本連接至 缺陷單7C的位置將會永錄地跳接祕餘單元，故在記憶體元件 中所倩測出的缺陷，理想上應可獲得永久性的解決。 1309044 以而’硬式修補程序麵記舰元件造成永久性損害的風險， 此外，即使執行了硬式修補程序，依舊不能保證記憶體元件不會 新心其他額外的賴。若在使用麵人記憶體元件之後，記憶體 疋件又新增了其他額外的㈣，則這㈣增·舊可能導致 記憶體元件運作失效，或導致其它問題的發生。 【發明内容】 本發明的實施例揭露-種記憶體缺陷補救方法，其包含有 :記憶體執行-缺陷測試以得出該記憶體的至少—缺陷位址，·將 仔出的4至少-缺陷位址存人—儲存媒體之中，·將存於該儲存媒 體之中的該至少-缺陷位址轉存人該記憶體的—暫存频之中.、 當收到指向該記憶_-目標位址的—存取要求後，判斷該目伊 位=是否吻合於該至少-缺陷位址中的任一；以及於該目標^ 吻&於該至少-缺陷位址中的—者時，.對該目標位址所對應的一 ,己憶體m冗餘單元進行存取魏為對該存取要求的回應。 本發明的實施例還揭露-種記憶體系統，其包含有：一 體；一儲存媒體’·以及-記憶體控制器。該記憶體控制器物妾 ^記憶體以及該儲存舰，用來_記憶錢行—缺陷測試以 付出槪憶體的至少-缺陷位址、將得出的該至少—缺陷位址存 入_存舰之中、以及將存於該儲存媒體之中魄至少一· 位址轉存入該記憶體的一暫存模組之中。 、㈢ 1309044 【實施方式】 第1圖所示為本月之記憶體系統的一實施例示意圖◦本實施 例中的記憶體系統1〇〇包含有一記憶體12〇、一儲存媒體14〇、以 及一s己憶體控制器.16〇。記憶體丨2〇中包含有一暫存模組I]〕，舉 例來說，暫存模組122可為内建於記憶體12〇之中的暫存器 (register)或閂鎖器〇atch)’至於儲存媒體14〇則可為内建或外 接於記憶體控制器廳的暫存器、閃鎖器、或其他齡媒體。 第2圖所示為記憶體系統1〇〇所執行之記憶體缺陷補救方法的 —實施例流程圖。其包含有以下步驟： / 步驟210 ^記憶體控制器16〇對記憶體12〇執行 序以得出記憶體120中的缺陷位址。 ^你 體 步驟22〇 :記憶ϋ控制器16〇將得出的缺陷位址存入儲存媒 140之中。 步驟230 :記憶體控制器16〇控制記憶體***1〇〇進入—程控 =_grammingmode)。舉例來說，記憶體控制器16〇可制 ^ ^ ^ it( programming mode entry sequence )來 控制記憶體系統100進入該鞀拎描4 . 入Μ ..秋°蛛控_。而前述特定的程控模式進 輪是傳送至峨趙咖的特定指令、特定位址、或特定 1309Ό44 步殫240 :於該程控模式中，記憶體控制器16〇透過特定的指 令（例如列選通脈衝(rowstr〇be)或欄選通脈衝(c〇himnstr〇be))將 存於儲存雜】40之巾的缺陷姆赫人記憶體】2()的暫存模組 122之中。 、 步驟250 :記憶體控制器160控制纪憶體系統100進入一正常 操作模式（normal operation mode)。舉例來說，記憶體控制器1⑼ ^ ^ ^ jE ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ normal operation mode entry s叫iience)來控制記憶體系統1〇〇進入該正常操作模式中。而前述 特疋的正巾操作模式進人程序可以是傳送至記憶體12Q的特定指 令、特定位址、或特定輸入組合。 步驟260 .當記憶體12〇自記憶體控制器16〇收到指向一目標 位址的-存取要求（可域取或寫人要求）後，記㈣12〇需判 斷該目標健衫吻合於暫槪组122巾·存之親位址的任 -。若發現該目標位址並未吻合於暫存模組122中所儲存的任一 缺陷位址’即進人步驟27Q，若發現該目標位址吻合於暫存模組 122中所儲存的缺陷位址的—者，則進人步驟，。 步驟270 :由於記憶體120判斷該目標位址不吻合於暫存模組 122。中所齡之缺陷位址的任―，故表示該目標位址所指向的記憶 體單π (menuny eeii)並非缺陷草元（牆㈣丨】），故記憶體】如 1309044 以作為對該 可直接對該目標位址所指向的記憶體單元進行存取 存取要求的回應。 步驟280.由於記憶體120判斷該目標位址。勿合於暫广模系 中所儲存的缺陷位址的一者，故表示該目標位址所指向的記::2 單元係為缺陷單it，此時記憶體m並不會對該目標位址^向 的記憶體單元進行存取，而是對該目標位址所指向之記憔體單^ 的冗餘單it (redundantcell)進行存取，以作為_存取要求的回 應。此處所述之冗餘單元可位槪憶體12_冗餘列（她她付 row)或冗餘欄（redundantcolumn)上。 步驟290 :判斷是否繼續使用記憶體系統1〇〇，若是，即回到 步驟260，否則，則結束本流程圖。 _ , ·. 以上實施例所揭露的記憶體缺陷補救方法，可算是一種軟式修 補（softrepair)。每當開啟電源後，欲使用記憶體系、统1〇〇之前， 皆可執行步驟210〜250，接下來，於步驟26〇〜29〇中，記憶體 12〇内的祕即可獲得暫雜的解決。此種軟式修補作法的好處， 係在於不需對5己憶體丨2G進行永久性的物理改變，因此並沒有對 。己隐體120造成損害的風險。此外’即使記憶體12〇中新增了額 外的缺陷單tl，需麵執行步驟21()〜25()，即可免除原有之缺 單元以輯增之缺陷單元所可能縣的問題。 130904 α上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發 園戶斤做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範園 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明之記憶 第2圖為第1圖之記憶 一實施例流程圖。 體系統的一實施例示意圖。 體系統所執行之記憶體缺陷補救方法的

【主要元件符號說明】 100 120 記憶體系統 122 記憶體 140 、.. 暫存模組 160 儲存媒艟 記憶體控制器

Claims (1)

1. β09044 十、申請專利範®： 1 一種記憶體缺陷補救方法，其包含有·· 對一記憶職行-麵賴崎出觀髓的至少—缺陷位 址； 將得出的„亥至少—缺陷位址存入一儲存媒體之 將存於該儲存媒體之中的該至少一缺陷位址存入該記憶體的 一暫存模組之中； 當收到指㈣記制的—目標位㈣—存 目標位址是否吻合於紅少 及 於該目標位址吻合於該至少—缺陷位址中的—者時，對該目 標位址所對應的一記憶體單元的一冗餘單元進行魏 以作為對該存取要求的回應。 2_如申清專利範圍第1項所述之方法，其另包含有： 於該目標位址不吻合於該至少—缺陷位址中的任-時，對該 目標位址所對應的該記憶體單元進行存取以作為對該 存取要求的回應。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中將存於該儲存媒 體之中的該至少-缺陷位址轉存入該記憶體的該暫存模組 之中的步驟包含有： 、及 控制该把憶鍾進入一程控模式；以及 12 1309044 於該程控模式下，將存 址轉存八該暫存二媒趙之㈣該至少-缺陷位 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其另包含有· 於將存於存舰之巾_至少—缺陳轉存入該暫存 模組中之後，控制該記憶體進入—正常操作模式。 5.=請專利範圍第i項所述之方.法， 内建於該記憶體中的暫存器。 模、，且係為 6，如申請專利範圍第！項所述之方法， 内建於該記憶體中._魅。· 娜存模組係為 如申請專利範圍第1項所述之方法，龙 於該記,_之外部。 _存媒體係位 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法， 於該記憶體的一冗餘列上。 其中該冗餘單元係位 其中該冗餘單元係位 如申睛專利範圍第1項所述之方法， 於該記憶體的一冗餘欄上。 一種記憶體系統，其包含有： —記憶體； 、_ 9. •儲存媒體；以及 體控伽’ _於觀‘_以及該儲存频，用來對 献憶體執彳了-缺_如得出該記_的 陷位址:將得出的該至少一缺陷位址存入該储存舰 之中、以及將存於該儲存媒體之中的該至少—缺陷位 址轉存入該記憶體的一暫存模組之中。 如申請專娜㈣U)顧叙記系統，射當該記憶 體自該記憶體控制器接收到指向一目標位址的一存取要求 後’該記憶體係判斷該目標位址是否吻合於該至少一缺陷 位址中的任一、。 女申明專利範圍第11項所述之記憶體系統，其中於該目標 位址吻合於該至少一缺陷位址中的—者時，該記憶體係對 該目標位址所對應的一記憶體單元的一冗餘單元進行存取 以作為對該存取要求的回應。 • « ' I ♦ 如申請專利範圍第】2.項所述之記憶體系統，其中該冗餘單 元係位於該記憶體的一冗餘列上。 如申請專利範圍第12項所述之記憶體系統，其中該冗餘單 元係位於該記憶體的一冗餘欄上。 如申請專利範圍第11項所述之記憶體系統，其中於該目標 位址不吻合於該至少一缺陷位址中的任一時，該記憶體係 對該目標位址所對應的一記憶體單元進行存取以作為對該 存取要求的回應。 如申請專舰1S第10.項所述之記憶體祕，其中該記憶體 控制器係於控繼記麵進人—健模式之後，將存於該 儲存媒體之中_至少-缺陷位址轉存人該飾模組之Μ 中0 如申凊專利細第16項所述之記憶體系統，其巾於將 該^媒體之中的該至少—缺陷位址轉存人該暫存模組中 ^ 嶋正常操作模 ’其中該暫存模 ’其中該暫存模 .如申請專利範圍第10項师之記憶體系統 組係為内建於該記憶體中的暫存器。 如申請專利範圍第丨 ㈣⑴項所奴記憶體系統 組係為内建於該記憶體中關鎖器。 如申請專利範圍第 體係位於該記憶體 10項所述之記憶體系統， 之外部。 其中該儲存媒