TWI307110B - Method and apparatus for controlling electron beam current - Google Patents

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TWI307110B TW093102622A TW93102622A TWI307110B TW I307110 B TWI307110 B TW I307110B TW 093102622 A TW093102622 A TW 093102622A TW 93102622 A TW93102622 A TW 93102622A TW I307110 B TWI307110 B TW I307110B
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Description

1307110 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 有關聯邦資助研究或開發之聲明 本發明之至少一些方面係藉由政府支援而在海軍研究中 心資助下獲得，其契約號碼為N00014-98-1-0597。政府可 擁有本發明之某些權利。 【先前技術】 在以下說明中，參考特定結構及/或方法。但是，以下參 考不應解釋為承認該些結構及/或方法構成先前技術。申請 者明確保留表明該類結構及/或方法並不具有對抗本發明 的先前技術之資格的權利。 X射線佔據約10-8與l〇-i2m之間的電磁光譜部分。原子在 文到咼能電子轟擊時便經由二分離程序而發射χ射線。 在該第一程序中，高速電子在穿過物質時減速。如一個 別電子在穿過或鄰近-目標原子之核場時突然減速（但不 I定停止），該電子將喪失其一些能量，依據pianks律該能 S將作為一X射線光子而發射。一電子在其最終停止之前可 能要經歷數次此類減速，發射能量及波長大不相同的X射線 光子此知序產生大塁x射線輪射並引起一連續型的光譜， 亦稱為制動辕射（Bremsstrahlung)。 在該第二程序中 α 吓不人丁、 之軌道電子。如所喷射電子來自一内殼軌道，則在一外惠 軌道内之一電子將落到該内部空軌道，並會附帶發射一 射線光子。在此程序中，能量以—讀線形式發射，而該:
O:\9l\91050.DOC 1307110 射線之能量或波异# _ 、、不所涉及的軌道轉換。由於該等執道 黾子的能量得到哥； 匕，因此所發射的X射線光子亦得到量 子化並僅能且右雜與k 月勺该原子之波長特徵。因此便將此等x 射線分類為特徵入射線。 *已使用數種方法以於—陰極產生該等人射電子並使該等 2子力速進人-目標陽極。—傳統的方法係使用一 X射線 S依據在產生該等電子時所使用的方法，可將X射線管分 成二大組，氣體管及高真空管。 m · ’’’’ 傳、’’充的氣體X射線管。該X射線產生元件1 10實 質上由—破璃包絡12〇製成’並將產生一電子光束14〇之二 /陰極125置放於該包絡中，該電子光束140撞擊-陽極13〇， 攸而使件發射出可用於包括醫療及科學在内的各種目的之 X射線150。—高電壓電源供應經由電引線135向該陰極供 ! 卜 氣壓調整器11 5調整在該類X射線元件中的氣 壓。 ’ 高真空管(圖2中顯示其-範例)，係-第二類X射線管。 圖化、貝下具有一熱離子陰極之一真空χ射線管元件。在此類 兀件2 1〇中，一玻璃包絡220充當該真空主體。該陰極225 係置放於此真空管内並具有電引線235。電子240係藉由熱 離子發射而自該陰極225發射出來並撞擊—陽極目標23〇。 此類X射線發射之效率很低而使該陽極受熱。為增加該元件 之可。卩，需要提供一冷卻機制。一冷卻機制之一項具體實 鈿例係—至260 ’藉使用一入口 265及一出口 270使得水經由 該室而循環。為提高該發射電子光束之效率，經常使用一
O:\9I\91050 DOC 1307110 聚焦遮罩245。該聚焦遮星 並使J:朝4 父正該等熱離子發射的電子 I便具朝向该陽極23〇。但 ” 難以聚焦成-小,占大〗“"寺電子之熱離子來源使得 彳點X小。此部分限 ^ g 刀丨民制了現代X射線成像之解 决方法U翏見，例如，「技術專 s⑽cTeehnQl 放射料」（R— 歸公㈣7年出版）。從該陽 办_c &極230發射出的x射線250穿 過一由口 255,隨後便可用於 ,,-,, 禋目的，包括醫療及科學。 此類兀件之一額外特徵係— _ „&閘275。已發現需要併入此 :防止與該陰極之加熱衰減相關的χ射線入射發射。此 =，即使終止對該陰極供電，殘餘加熱可使得電子繼 續朝该目標發射且繼續產生χ射線。 处由於該電子流約98%的動能因衝擊該陽極而轉化為熱 此’因此該讀線產生之程序並非很有效。因此，如果該電 子電“或需要持續的曝露，則焦斑溫度可很高。為避免 知害該陽極’必'需儘快移除此熱量。此可藉由引入一旋轉 陽極結構而完成。 如以上指出’在此類元件中需要一間（例如275)，因為電 子自-陰極的熱離子發射並不允許所得電子光束之精確階 梯函數開始及終止。的確，儘管仍處於升高之溫度及在移 除電源之後，但一熱離子陰極可發射出電子，該等電子可 能會引起自該目標發射不需要的讀、線。在操作巾，以機械 方式或藉由一微型開關而使該閘保持打開狀態。 此外，由於高溫加熱，該陰極絲具有一有限壽命，在醫 療應用中一般約數百小時而在分析應用中為數千小時。在 O:\91\91050 D〇c 1307110 正私’使用情況下，決定該x射妗总士人 ' ’水·g舞中的主要因素通常為對 該陰極絲的損害。 "產生於該陽極中的有用續線之量與撞擊該陽極的電子 光束電流成正比。在執雜早恭自+ + …、離子杳射中，該電子光束電流僅為 穿過該陰極絲的電流之一小部分（―般為1/2〇)。在現代醫療 應用中，例如數位放射性攝影以及電腦斷層掃描（c〇m师以 T〇m〇graphy，CT) ’ f要很高的χ射線強度並附帶需要—很 高的熱離子發射陰極電流。因此，該些應用中之一原則限 制為由該陰極產生的電子光束電流的量。 該X射線產生之-可能改進為場發射陰極材料之引入。場 發射係在-強電場影響下的電子發射。但是，將傳統的場 發射陰極材料併入x射線產生元件會造成某些問題。例如， 該等場發射陰極材料必須能夠產生一足夠高位準（對於醫 療應用’其在目標上可高達2〇〇〇 mA)之一發射電子電流穷 度：使得經撞擊該陽極目標材料可產生所需的绪線強度： 很多傳統的場發射材料缺少應用於該陰極之一相對較高 的電場而不能產生所需的發射電子電路密度。此外，很^ 傳統場發射材料在所應用的高電場τ不能以高電流密度I 生穩定的發射。使用高控制電麼會增加損害該陰極材=之 可能性並需要使用採購及運作成本很高的高功率元件。 在很多應用中，例如在醫療診斷及治療中，需要對該電 子發射電流（誕）及該χ射線能量（kVp)進行獨立控帝卜但是， 傳統上係藉由變動在:極體結構中的陰極與陽極之^ (或者在-三極管結構的情況下’在該陰極中的電子發射表
O:\91\9I050.DOC i3〇7ll〇 Μ _結構之_電壓’來控制來自—場發射陰極之發 ^流。變動該電壓將改變轟擊該等X射線產生目標材料的 电子動旎。由於該X射線能量由該電子動能決定，因此所得 χ射線將具有不同能量。但是，該些傳統方法並不允許對該 電子發射電流及該X射線能量進行獨立控制。因此，需要獨 立控制該電子發射電流及該χ射線能量。 【發明内容】 一本發明提供用於控制電子光束電流之方法與裝置。明確 — 本《月允才獨立控制該電子發射電流及該X射線能 !。依據本發明之範例性具體實施例，該陰極塗佈有電子 %發射材料，例如奈米碳管。此外，在本發明之範例性呈 體貫施例中’將該陰極及陽極置放於一真空管内。 θ本I月之第—項具體實施例，藉由調整該陰極盥 :!極之間的距離而獨立控制該電子發射電流及該X射線 月&置。依據此項1體音 壓電材料…方面，藉由變動應用於- 里來调產該距離，該壓電材料附著於該陰 極及/或該陽極。你被r 康此項具體實施例之另一方面，該陰極 及/或陽極黏著於可機械調整之一平臺上。 么月之第一項具體實施例，藉由調整該陰極之 /皿又而獨立控制該電子發射電流及該X射線能量。 π 一 發，月之第二項具體實施例，藉由在該陰極上照 二予光源而獨立控制該電子發射電流及該X射線能量。 射材料：私：光學光源，例如一光子源，在該陰極之場發 ’ 射光子以調整該等場發射材料之載子密度及溫
O:\9I\91050.DOC -10- 1307110 該陰極包含受該光學 度。依據此項具體實施例之一方面 光源選擇性地轟擊的多個射極。 【實施方式】 在以下的說明中’基於解釋而非限制之目的而提出特定 細節，以提供對於本發明 知月之疋整的瞭解。但是，熟習此項 技術者應清楚知道，本發明π杏 个知明可貝施於該些特定細節之外的 其他具體實施例中。在苴#的，卜主 你/、他的况下，為不混淆本發明的 呂兒明而笔略袖1知夕、、土 —.. 洎…3之方法、兀件及電路之詳細說明。 本發明之乾例性具體實施例允許對電子發射電流及場發 射冷陰極X射線管中的χ射線能量進行獨立控制。名稱為「使 用電子場發射陰極之X射線產生機制」之第嶋79,3〇3號美 國專射請案中說明範例性的場發射冷陰極χ射線管。此專 利申請案說明用在-Χ射線產生元件中之—場發射奈米結 構陰極材料。該奈Ή構場發射材料能夠經由應用-相對 較小的控制電#而以-受控制且可#的方式產±—高發射 電子電流密度。因&，與熱離子發射之電子光束電流相比， 可獲得-實質上較高的電子光束電流。該奈米結構場發射 陰極能夠簡單地藉由變動所應用電壓而提供在一脈衝變動 持續時間期間該電子發射之精確階梯函數開始及終止。使 用本^明之具有基於奈米結構的場發射陰極之X射線管，可 構造可攜式X射線機以用於該領域。關於該些結構之更多資 Λ，有興趣的讀者應參考與‘3〇3申請案相對應的第 M/3 1857A1號國際公開案，其全部揭示内容以引用方式清 楚地併入本文。儘管下文結合本發明而說明此類場發射冷
O:\9l\9l050.DOC 1307€〇协2622號專利申請案 ^ ,心月丨|日修正補充 ’
中文說明書替換頁(97年6月） 丨， I 陰極X射線管之使用，但熟習此項技術者會明白，本文所說 明之方法與裝置同樣適用於其他類型的結構。
圖3a至3d說明依據本發明之一第一項具體實施例之一 X 射線管。依據本發明之第一項具體實施例，藉由調整該陽 極與該陰極之間的距離來控制該電子發射電流。圖3a說明 包含一基板302及一場發射材料304之一陰極305。該場發射 陰極305可為沈積於一金屬基板302上之一 1維（1 -dimensional ; ID)奈米物件（例如奈米管及奈米導線）之—層。該1D奈米物 件可由以下元素之至少一元素組成：碳、氮、硼、氧、Si、
Ge、Ga、In、金屬、碳化物、氮化物、碳化物（複數）及氧 化物。黏著於該場發射材料3〇4上的係一聚焦環3〇6，其用 於將來自該等場發射材料304的發射聚焦於陽極308上。陰 極308係黏著於支架3 1〇上。在該基板3〇2下面的係一壓電材 料312，其功能形同一距離調整器。該壓電材料312接收來 自控制器3 14的電能。經由使用一真空饋通孔而形成控制器 3 14(位於該x射線管外）與該壓電材料3 12(該又射線管内）之 間的電連接。熟習此項技術者明白如何製作並使用一真空 饋通孔’因此不再詳細說明此結構。 依據本發明之第一項具體實施例，在陰極3〇5與陽極3〇8 之間建立電麼Va。對於在該陽極與該陰極之間之一給定 電C V及距離D，所應用的電場，即該讀線能量為£=物。 在電子場發身"，該電子發射電流工經由如下 F〇W^Nordheim等式與所應用的電場£相關： J=aE2exp(-b ^j3/2/E) 91050-970619.doc -12- 1307湖3〗02622號專利申請案r κ ^ 中文說明書替換頁(π年6月） / ,月丨口修正補充 ' 其中J係發射電子電流，^係該場發射材料之功函數，E 係所應用的電場，而3與b係取決於該等發射材料的特定設 疋之成何开》狀及奈米結構之Fowler-Nordheim參數。熟習此 項技術者瞭解該等發射材料之特定設定幾何形狀及奈米結 構，可容易地決定a及b。 因此，可以看出，該電場£與應用於該陰極與陽極之問的 電壓（Va)成正比，而與陰極及陽極之間的距離（D)成反比。 依據本發明之第一項具體實施例，該陽極與該陰極之間 的相對位置經選取為與一距離相對應，該距離將以最普遍 使用的X射線發射能量產生最常用的電子光束電流以用於 該X射線管之特定應用設定。選取該電壓Va以產生需要的X 射線輻射，並調整該陰極位置以獲得所需的電子光束電流。 因此，總發射電流在該陽極與該陰極之間的距離減小時 增加，而在該陽極與該陰極之間的距離（D)增加時減小。依 據本發明之範例性具體實施例，控制器314之構造方式使得 該X射線元件之操作者可以設定所需的電子光束電流，而該 元件將自動調整該陰極與陽極之距離。 圖3 b說明依據本發明之第一項具體實施例之一第二画 置。在圖3a與3b中，該x射線產生目標材料黏著於該支架上 在圖3a中，所產生的x射線輕射離開該支架，而在圖财言』 X射線輕射穿過該支架。 圖3 c說明依據本發明之第一項具體實施例之一第三配 置。在圖3c中，堡電材料312，，其功能形同—距離調整器， 係黏著於陽極支架31〇上。依據此配置，該陰㈤㈣固定， -J3- 91050-970619.doc
I307L10 束〇约102622號專利申請案 _ 中文說明書替換頁(97年6月） '/ /年0月’ |日修正補充 而藉由控制器3 1 4將雷庙m w γ $應用於壓電材料3 12'而使該陽極308 相對於該陰極而移動。 圖3d說月依據本發明之第—項具體實施例之—第四配 圖3d中所說明’壓電材料係黏著於陽極綱的支架川 並黏著於陰極305。因此，藉由將電應用於壓電材料3 12及/ 或壓電材料3 12'來調整該陽極则與陰極3()5之間的距離。 在依據本發明之第一項具體實施例之另一配置中，該陽 極：該陰極均係黏著於一平移級上，其功能形同一距離調 整益，言亥平移、級實現平移運動以調整該陰極與該陽極之間 的距離纟此項技術中平移級為人熟知，熟習此項技術者 將明白如何結合本發明來製作及使用—平移級以用於該陰 極與該陽極之間距離的機械調整。 圖4a及4b說明本發明之第二項具體實施例。依據本發明 之第二項具體實施例，控制該陰極之溫度以調整該電子發 射電明確5之，s亥陰極3 0 5之溫度越高，則電子發射電 流越高。因此，經由一真空電饋通孔而將控制器314連接至 電熱器316。藉由控制加熱器316，可獨立於該電壓t而控 制來自陰極305之電子發射電流。該加熱器316可由在一陶 竟外殼或其他類似結構中的金屬絲製成。與本發明之第一 項具體實施例類似，將控制器314設計成使得一操作者僅需 要進入所需要的電子發射電流而該控制器將相應地調整兮 加熱器3 16。 w 圖5係一針對二不同應用電場而說明與溫度成函數關係 之電子發射電流之曲線圖。從圖5中的曲線可看出， ’為控制 該發射電流，應將該陰極溫度增加至500。(：以上。承μ + °更特定言 91050-970619.doc 14 1307110 之，如圖5中說明，為對該電流進行有意義的控制，應將該 陰極加熱至400°C以上。將該陰極加熱至較低溫度，例如 100°C，則提供該電流密度之最小變化，並因此提供對該電 流的極小控制（如果有）。 圖6a至6c說明本發明之第三項具體實施例。依據本發明 之第三項具體實施例’藉由在該陰極上照耀一光學光源而 對該場發射材料進行光學激發，從而對該電子發射電流及 該X射線能量進行獨立控制。依據本發明之第三項具體實施 例’該場發射陰極304,可為沈積於金屬基板3〇2上的一層奈 米管，其中該等奈米管包含以下元素C、n、b及Ο之至少一 兀素，或一奈米棒層。如圖6a中所說明，控制器3 14m控制 用於發射材料304’上發射光子之光子源616。依據該第三項 具體實施例，該控制器314在該真空管外部’而該光子源616 可在該真空管内部或外部。如光子源616在該真空管外部， 則該光子源經由一光學窗口將光子發射至該發射材料3〇4, 上。 依據本發明之第三項具體實施例，該電壓％增加至剛好 低於用於來自該陰極3 〇5，之場發射之臨限電壓之一值。此 ¥，從該陰極不發射任何電子，因此不產生任何χ射線輻射。 然後開啟該光子源，其引起光子對該電子發射材料之—轟 擊。由於該等入射光子之激發，因此在該發射材料3〇4，中的 電子受激發至高能狀態。受激發的電子穿隧通過該能量阻 障並％發射。遠等發射電子藉由該陽極與該陰極3，之間的 電場而加速並轟擊該陽極（未說明）。然後，從該陽極（未說
〇 >91\9) 050.DOC -15- 1307110 明 可 )發射X射線輻射。 變動該場發射電子 而 不會改變該加速電壓Va。 因此，藉由變動該等入射光子之強度 電流及因此所產生的x射線輻射強度 圖6 b及6 c說明本發明之第三項具體實施例之一第二方 面。依據此方面，該場發射陰極3〇5，可包含多個射極。此外， 在該陰極與陽極之間建立—電塵而使得該電場剛好低於用 於發射之臨限。橫跨該陰極3〇5，之表面而掃描一聚焦光子光 束。調整通量，即每一單位時間每一單位區域的光子數量， 以及每一光子的能量以使得在該陰極上受到該等光子轟擊 的區域場發射電子而該陰極之其餘區域並不發射電子。這 為來自在該陰極表面上的個別射極或射極群組之可定址發 射提供-方便技術。藉由橫跨該陰極表面而掃描光束，可 從該陰極產生一電子光束陣列或矩陣，並因此可使用此類 系統而產生X射線光束之一陣列或一矩陣。 以上已結合X射線輻射系統來說明本發明以解說其有利 方面。此類說明不得限制本發日月。明確言之，本發明同樣 適用於採用其他類型輻射電子之儀器及元件，例如伽瑪射 線轄射、紫外線㈣或可見光㈣。此類儀器及元件包括 但不限於場發射顯示器、微波f、電子光束微影姓刻、電 子焊機、電漿點火火花、穿透式電子顯微鏡 elect⑽miCroscope ; TEM)、掃描式電子顯微鏡（scan— electron miCroscope ; SEM)以及其他電子光譜儀器。此外， 熟習此項技術者將明白本發明可在其中藉由場發射並在場 4射材料（陰極）與目標（陽極）之間應用電壓而產生電子光
O:\9I\9I050 D0C -16- 1307110 束之任何類型元件中實施。 已參考若干範例性具體實施例來說明本發明。但是，該 些热習此項技術者將容易明白，可能以除上述範例性具體 實施例形式之外的特殊形式來具體化本發明。可如此做而 不致背離本發明之精神。該些範例性具體實施例僅為說明 性夤而不應以任何方式認為其具有限制性。隨附的申請專 利犯圍而非前文說明對本發明的範圍作出定義，在該等申 請專利範圍内的所有變更及修改都包含於本發明中。 【圖式簡單說明】 本發明之目的與優勢將從上文中結合隨附圖式之具體實 施例的詳細說明而得以明白，圖式中相似之元件符號指示 相似之元件，且其中： 圖1為一傳統的氣體x射線管之一斷面圖； 圖2為一傳統的真空乂射線管之一斷面圖； 圖3a至3d說明依據本發明之一第一項具體實施例之一範 例性X射線管； 圖4a及4b說明依據本發明之一第二項具體實施例之一範 例性X射線管； 圖5忒明依據本發明之範例性具體實施例在所應用的二 不同电琢下所測里之與溫度成函數關係的電子發射電流； 以及 圖6a至6c說明依據本發明之一第三項具體實施例之一範 例性X射線管。 【圖式代表符號說明】
O:\9I\91050.DOC •17- 1307110 110 χ射線產生元件 115 氣壓調整器 120 玻璃包絡 140 電子光束 150 X射線 210 真空X射線管元件 220 玻璃包絡 225 陰極 230 陽極 235 電引線 240 電子 245 聚焦遮罩 250 X射線 255 窗口 260 室 265 入口 270 出σ 275 外部閘 302 金屬基板 304 場發射材料 305 陰極 306 聚焦環 308 陽極 310 支架 O:\9l\91050.DOC -18- 1307110 3 12 壓電材料 314 控制器 316 電熱器 616 光子源 304' 場發射陰極/發射材料 305， 陰極 314" 控制器 D 距離 E 電場 I 電子發射電流 V 給定電壓 Va 電壓 O:\91\91050.DOC - 19 -

Claims (1)

  1. 修正補充 Ι3〇74ΦΘ°2622號專利申請案 ^ 7年厶月/7日 中文申請專利範圍替換本(97年6月） ./ 拾、申請專利範圍： 1. 一種電子光束電流產生裝置，其包含 一場發射陰極； 一陽極；以及 -控制器’其藉由控制應用於該場發射陰極與該陽極 之間之-電壓，以及控制該場發射陰極之一溫度至彻攝 氏度以上之-溫度’或控制在該場發射陰極上之一光子 照耀其中-者’來獨立控制來自該場發射陰極之一發射 電以及撞擊該陽極之電子能量. 其中S玄場發射陰極包含數個奈米碳管。 2. 如申叫專利範圍第丨項之電子光束電流產生裝置其中高 能電子轟擊該陽極，從而產生來自該陽極之轄射。 3. 如申明專利範圍第2項之電子光束電流產生裝置，其中該 輻射為伽瑪射線輻射、χ射線輻射或紫外線輻射。 4 · 士申明專利範圍第2項之電子光束電流產生裝置，其中輻 射通量及輪射@ 4受該電子&束電流與該電子能量控 制。 5.如申呀專利範圍第丨項之電子光束電流產生裝置，其進一 步包含： 距離調整器，其党該控制器控制，其係用以調整該 場發射陰極與該陽極之間之一距離。 6.如申請專利||圍第5項之電子光束f流產生裝置，其中該 距離°周整器機械性地調整該距離。 7·如申μ專利範圍第5項之電子光束電流產生裝置，其中該 91050-970619.doc 1307110 日修正補今 距離調整器電性地調整該距離。 如申明專利範圍第7項之電子光束電流產生裝置，其中該 距離5周整盗為一壓電材料。 9.如申請專利範圍第8項之電子光束電流產生裝置，其中該 壓電材料係連接至該陽極。 10·如申晴專利圍第8項之電子光束電流產生裝置，其中該 壓電材料係連接至該場發射陰極。 11·如申請專利範圍第5項之電子光束電流產生裝置，其中該 距離調整器為-壓電材料，該壓f材料係連接至該陽極 與該場發射陰極。 12.如申請專利範圍第i項之電子光束電流產生裝置，其進一 步包含： 一溫度控制元件，其受該控制器控制，其係用以將該 場發射陰極之一溫度調整至400攝氏度以上之一預定溫 度。 13·如申請專利範圍第12項之電子光束電流產生裝置，其中 該溫度控制元件係連接至該場發射陰極之一電熱器。 14. 如申凊專利範圍第1項之電子光束電流產生裝置，其進— 步包含： 一光子源，其受該控制器控制，其係用以在該場發射 陰極上照耀光子。 15. 如申請專利範圍第丨項之電子光束電流產生裝置，其中該 等奈米碳管被塗覆在該場發射陰極上。 16. —種用於產生電子光束電流之方法，其包含： 91050-970619.doc 1307110 提供一場發射陰極 提供一陽極；以及
    日修正補充 藉由控制應用於該場發射陰極與陽極之間之—電麼， 以及控制場發射該陰極之一溫度至400攝氏度以上之一 溫度或在該場發射陰極上之一光子照耀的其中—種，來 獨立控制來自該場發射陰極之一發射電流以及該陰極與 陽極之間之一輻射能量； 、 其中該場發射陰極包含數個奈米碳管。 17.如申請專利範圍第16項之產生電子光束電流之方法其 包含調整該場發射陰極與該陽極之間的一距離，以控制 該發射電流與X射線能量。 18·如申請專利範圍第16項之產生電子光束電流之方法，其中 該距離可由一距離調整器來調整，該距離調整器包含—連 接至該陽極之壓電材料。 19.如申請專利範圍第16項之產生電子光束電流之方法，其中 該距離可由一距離調整器來調整，該距離調整器包含1 接至該場發射陰極之壓電材料。 2〇,如申請專利範圍第16項之產生電子光束電流之方法，其中 該等奈米碳管被塗覆在該場發射陰極上。 91050-970619.doc
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