TWI296859B - Photovoltaic device, photovoltaic element and substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1296859 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光電轉換裝置、光電轉換元件及其 基板與製造方法，特別關於一種具有矽純度大於等於95% 之矽基板的光電轉換裝置、光電轉換元件及其基板與製造 . 方法。 【先前技術】 隨著地球能源資源逐漸地短缺，開發新能源已成為敎 技業以及產業矚目的焦點之一，替代性能源產品例如太陽 電池即成為開發的標的之一。太陽電池係為一種利用光伏 特效應(photovoltaic effect)將光能轉換成電能的光電轉換 元件，即利用p-n二極體吸收光能量後產生自由電子與電 洞’在-一極體接面附近的内建電場驅使下，使自由電 子向η型半導體移動，而自由電洞向p型半導體移動，進 馨-而產生電流，最後經由電極將電流引出形成可供利用之電 :‘能。 “ 請參照圖1所示，習知之一種薄膜太陽電池丨的基本 結構主要係包含一基板10、一 ρ-η半導體11、一抗反射層 12以及一金屬電極對13。其中，基板10為太陽電池1之 基底，ρ-η半導體11係設置於基板10上，作為將光能轉 換為電能之作用區，抗反射層12則設置於太陽電池1之 入光面，用以降低入射光的反射，而金屬電極對13係可 用於與一外界電路連接。 !296859 -v族一^ 太陽電池使用的材料可區分切材料、m 產品，其中梦基板係由裁切半導體業用之 成==’而由於使用高純度切材料使得太陽電池之 之限制^難二料，在裁㈣晶片的過程中因製程技術 〈限制而難化基板之厚度，同時 以上之材料損耗，因而更加提高了太陽電池之製造= 承上所述’為降低太陽電池之成本是以有薄膜太陽電 開發，其係於低成本之基板例如玻璃、塑膠、陶瓷、 墨與金屬專上低溫成長一層約數私m的石夕薄匕 轉換為電能之作用區，然而，上_與例如 屬基板之間畴在著晶格匹配度、薄難覆性與膨服係數 差異等問題，而容易造成剝離現象。 有鑑於此，如何提供一種光電轉換元件之各層間具有 良好匹配度的光電轉換裝置、光電轉換元件及其基板與製 造方法實為當今業者的重要課题之一。 【發明内容】 有鑑於上述課題’本發明之目的為提供一種具有梦純 度大於等於95%之梦基板的光電轉換裝置、光電轉換元件 及其基板與製造方法。 緣是，為達上述目的，依據本發明之一種光電轉換裝 置包含一光學轉換元件以及一電極對。其中，光學轉換元 7 1296859 件包含一矽基板、一第一丰導體層及一第二半導體層，矽 基板中矽之純度係大於等於95%，第一半導體層係設置於 矽基板之上，第二半導體層係設置於第一半導體層上；電 極對係包括一第一電極與一第二電極，第一電極係與第一 半導體層相連結，第二電極係與第二半導體層相連結。 • 為達上述目的，依據本發明之一種光電轉換元件包含 ,一矽基板、一第一半導體層及一第二半導體層。其中，矽 _ 基板中矽之純度係大於等於95%，第一半導體層係設置於 矽基板之上，第二半導體層係設置於第一半導體層上。 為達上述目的，依據本發明之一種光電轉換元件用之 基板包含一矽基材，矽基材中矽之的純度係大於等於95%。 為達上述目的，依據本發明之一種光電轉換元件之製 造方法，係包含下列步驟：提供一石夕基板，其石夕之純度係 大於等於95%、於矽基板之上形成一第一半導體層及於第 一半導體層上形成一第二半導體層。 ® 為達上述目的，依據本發明之一種光電轉換裝置之製 ‘：造方法，其係包含下列步驟：提供一石夕基板，其石夕之純度 :係大於特95%、时基板之上形成—第一半導體層、於 帛-半導體層上形成一第二半導體層及設置一第 一電極 與-第-電極分別連結第—半導體層與第二半導體層。 承上所述，因依據本發明之一種光電轉換裝置、光電 轉換元件及其基板與製造方法係利时之純度大於等於 95%的梦基板組配光學轉換元件，其中第一半導體層與第 二+導體祕依序設置於⑪基板上，由於㈣基板取代習 8 1296859 知之例如玻璃或是金羼基板，而與第一半導體層具有良好 的晶格匹配度，改善習知基板與第一半導體層間易剝離的 現象，進而提高光電轉換裝置之光電轉換效率與使用壽 命0 〆 【實施方式】 以下將參照相關圖式，說明依據本發明較佳實施例之 ^ 一種光電轉換裝置、光電轉換元件及其基板與製造方法， 其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。 第一實施例 請參照圖2所示，依據本發明第一實施例之一種光電 轉換裝置2係包括一光電轉換元件20及一電極對21。光 電轉換元件20係包括一矽基板201、一第一半導體層202 及一第二半導體層203。 其中，矽基板201中矽之純度係大於等於95%，在本 _ - 實施例中，矽之純度範圍可為95%至99.99999%，且矽基 板201之厚度範圍係為250// m至300# m。 - 如圖2所示，第一半導體層202係設置於矽基板201 之上，在本實施例中，第一半導體層202之厚度範圍係為 20/zm至150//m，且其之材質的粉徑範圍係為其厚度的 0.01倍至0.3倍，即粉徑範圍係界於〇.2em至45# m之 間。 另外，第二半導體層203係設置於第一半導體層202 上，以形成一接面，詳細來說，在本實施例中，第一半導 1296859 體層202係可為一 p型半導體，而第二半 一 η型半導體(如圖2所示）。當然，第—體層203係為 可為- η型半導體，而第二半導體層2〇3 ^導體層202亦 體，以形成- p-η接面，作為光能轉換為型半導 其中Ρ型半導體之摻質例如可以是此之作用區。 (gallium)等，而η型半導體之摻暂（b〇r〇n)與鎵 (phosphorus)、石申（arsenic)等，以嫉 & 疋 ％ 擴政法或離子措

入法進行摻雜。 X雕于植 如圖3所示，本實施例之光電轉換萝 、、夏2更包含一阻 隔層22’係設置於矽基板201與第一半導體層2〇2之間、 以防止矽基板201内之金屬雜質擴散而污染二半導J層 202與第二半導體層203形成之光能轉換為電能之作; 區。在本實施例中，阻隔層22之厚度範圍係為^"瓜至 5〇ym，其之材質係可選自氧化矽、氮化矽或碳化矽等矽 化合物。 _ 承上所述，阻隔層22係為一多孔結構，其係具有複 ) 數各穿孔，以提供光電轉換裝置2之電荷傳導路徑，其中 阻隔層22之穿孔的孔隙度係為20%至70%，孔隙度之大 小係可藉由例如材質之粉末粒徑作以調整。在本實施例 中’阻隔層22之材質的粒徑範圍係可為阻隔層22之厚度 的〇·3倍至〇·7倍，即粒徑範圍可界於3//m至35/zm之 間。 另外，在本實施例中，第一導電層202之晶粒大小（6) 與阻隔層22之穿孔的孔隙度（v )關係係符合5 = 1296859 n(v )1/3，其中 η=0·3〜1.5。 再請參照圖3,電極對21係包括一第一電極211與一 第二電極212，第一電極211係與第一半導體層202相連 接，第二電極212係與第二半導體層203相連接，如圖2 所示，在本實施例中，第一電極211與第二電極212係可 - 以網印方式設置於光電轉換元件20之相對兩侧。 、 另外，再請參照圖3，本實施例之光電轉換裝置2更 ^ 可包含一抗反射層23，設置於第二半導體層203之上，更 詳細說係可以例如但不限定為物理氣相沉積法（physical vapor deposition )與化學氣相沉積法（physical vapor deposition)等方式堆積於第二半導體層203之上，即於光 電轉換裝置2之入光面批覆抗反射層23，以降低入射光線 之反射，進而提高光電轉換裝置2之光電轉換效率。其中， 抗反射層23之材質係包含氮化矽。 承上所述，本實施例之光電轉換裝置2利用;6夕之純度 •，範圍為95%至99.99999%之矽基板201組配，是以相較於 •習知之薄膜型太陽電池來說，具有與該第一半導體層2〇2 良好之匹配度，且由於採用低純度之矽材料為美搞，县 —相較於採用業用矽晶片為基板之太陽電池更^有降低成 本以及材料易取得之優點。 請參照圖4所示’依據本發明第二實施例之一種光電 轉換元件30包含一石夕基板3〇1、一第-半導體層皿及— 第二半導體層3〇3。 11 1296859 其中，矽基板301中矽之純度係大於等於95%，於本 實施例中，矽之純度範圍可為95%至99.99999%。而第一 半導體層302與第二半導體層303係依序設置於矽基板 • 301之上。 本實施例之光電轉換元件30更可包含一阻隔層32與 一抗反射層33。 由於本實施例之光電轉換元件3〇的矽基板301、第一 半導體層302、第二半導體層303、阻隔層32與抗反射層 _ 33之設置關係、結構特徵、材料特性與功能特徵係如第一 實施例相同元件所述，故不在此贅述。 _三實施例 請參照圖5所示，依據本發明第三實施例之一種光電 轉換元件用之基板41 ’係包含一發基材。 其中’石夕基材係可為矽粉或矽塊經由鑄造而形成本實 施例之基板41，矽基材中矽之的純度係大於等於95%。於 9 本實施例中，石夕之純度範圍可為95%至99.99999%。 ·: 本實施例之基板41更包含一阻隔層42，設置於矽基 材之上。 而由於本實施例之基板41的矽基材及阻隔層42係如 第一實施例之石夕基板201與阻隔層22的應用，且其之結 構特徵、材料特性與功能特徵皆如第一實施例所述，故不 再贅述。 第四實施例 請參照圖6所示，依據本發明第四實施例之-種光電 1296859 提供一矽基板， 轉換裝置之製造方法，係包括下列步 其矽之純度係大於等於95%(S1)、於矽基板之上形成一第 -半導體層(S2)、於第一半導體層上形成一第二半導體層 (S3)及設置-第-電極與一第二電極分別連結第一 ^ 層與第二半導體層（S4)0 首先，石夕基板之製得可將石夕材料真空缚造成石夕晶塊， 之後再以例如線切割(wire saw)之方式將矽晶塊切割成而 成。其中’賴料可為低純度料料，其純度範圍係為 95%·99.99999%，且石夕材料之型態可為矽粉或石夕塊，以 厚度範圍係為250_至300_之石夕基板。 ’ 在乂驟S2之别，本實施例之製造方法更包含在石夕基 阻隔層SU，其係以熱喷塗技術將阻隔層之 歹1 _化⑪、氮切或碳切等魏合物於 板f且阻隔層之厚度範圍係為心m至鄭m。另外， =供装置之電荷傳輸路徑’阻隔層係為-多孔 :=1，於此係利用控制阻隔層材質之粉末 =3 !度、壓力與距離等參數，來調整阻隔 阻崎材f之粉末粒縣說’阻隔層之材 、；W絲係、為其厚度的0.3倍至0.7倍，即粒徑範圍 可界35 “瓜之間，俾使阻隔層之孔隙度落於20% 至70%的範圍。 -半2層阻隔層之作業後，亦以熱喷塗技術將第 9 ^成；阻隔層上，為得到最佳之界面結合性 質於此刀別形成第一半導體層與阻隔層之熱喷塗系統 13 1296859 係設置於同一製程環境中。本實施例之第一半導體層的材 質係可為純度範圍界於99.999999%至99.999999999%之矽 或掺入例如硼之矽粉體形成P型半導體層（如圖2所 示），當然，p型半導體層僅為舉例，並不以此為 限制。 • 如上所述，在本實施例中，利用控制第二半導體層之 〜 材質的粉末粒徑、熱喷塗系統之操作溫度、壓力與時間等 0 參數’調整第一半導體層之厚度，其中第一半導體層之 厚度範圍係為20// m至150// m，於此，第一半導體層之 材質的粉徑範圍係為第一半導體之厚度的〇.〇1倍至0.3 倍’即粉徑範圍係界於0.2// m至45 /z m之間。 於步驟S2之後，本實施例之製造方法更包含一再結 晶程序S21，以使第一半導體層之晶粒更大，增加電子的 傳輸效率，在本實施例中，再結晶程序係包含以雷射(laser) 或快速退火爐（Rapid Thermal Annealing，RTA)瞬間加熱 _，第一半導體層至一溫度，再冷卻第一半導體層，其中溫度 範圍係為1000°C至1500°c，於此，阻隔層之孔隙係可提 供再結晶過程中之晶種，以使組織更緻密，其中第一導電 層之晶粒大小（5 )與該阻隔層之穿孔的孔隙度（v )關係係 符合(5=n〇)1/3，其中 η=0·3〜1.5。 於步驟S3，第二半導體層係可以例如擴散法或離子 植入法形成於第一半導體層上，形成一接面以作為 光電轉換作用區。在本實施例中，第二半導體層之材質係 可為掺入例如磷之矽粉體形成η型半導體層（如圖2所 1296859 示），當然，η型半導體層僅為舉例，並不限於此。 - 於步驟S3之後，本實施例之製造方法更包含於第二 半導體層之上形成一抗反射層S31，其係可以例如但不限 定為物理氣相沉積法(physical vapor deposition)與化學氣 相沉積法(physical vapor deposition)等方式堆積於第二半 、 導體層之上。其中抗反射層之材質係包含氮化矽。 、 於步驟S4,第一電極或第二電極係以例如網印方式分 φ 別設置連結於第一半導體層與第二半導體層。 篇五實施你丨 請參照圖7所示，依據本發明第五實施例之一種光電 轉換元件之製造方法，其係包含下列步驟：提供一矽基 板’其矽之純度係大於等於95% (S1，）、於矽基板之上形成 一第一半導體層（S2，)及於第一半導體層上形成一第二半 導體層（S3，）。 在本實施例中，如上所述，於步驟S2,之前，更包含 _ 在發基板之上形成一阻隔層S11，，於步驟S2,之後，更包 : 含—再結晶程序S21，，以及在步驟S3,之後，更包含於第 • 二半導體層之上形成一抗反射層S31，。 由於本實施例之該些步驟SI，、Sll，、S2,、S21，、S3, 及S31’皆如第四實施例之相同步驟所述，故不在此贅述。 综上所述，依據本發明較佳實施例之一種光電轉換裝 置、光電轉換元件及其基板與製造方法係利用矽之純度大 於等於95%的矽基板組配光學轉換元件，其中第一半導體 層與第二半導體層係依序設置於矽基板上，由於以矽基板 15 1296859 取代習知之例如玻璃或是金屬基板，而與第一半導體層具 有良好的晶格匹配度，改善習知基板與第一半導體層間易 剝離的現象，進而提高光電轉換裝置之光電轉換效率與使 用壽命。 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離 本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均 應包含於後附之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 圖1為一顯示習知之一種太陽電池的示意圖； 圖2與圖3為顯示依據本發明第一實施例之一種光學 轉換裝置的一組示意圖； 圖4為一顯示依據本發明第二實施例之一種光學轉換 元件的不意圖， 圖5為一顯示依據本發明第三實施例之一種光學轉換 元件用之基板的示意圖； 圖6為一顯示依據本發明第四實施例之一種光電轉換 裝置之製造方法的流程示意圖；以及 圖7為一顯示依據本發明第五實施例之一種光電轉換 元件之製造方法的流程示意圖。 元件符號說明： 、太陽電池 基板 10 1296859 11 p-n半導體 12 抗反射層 13 金屬電極對 2 光電轉換裝置 20 光電轉換元件 . 201 矽基板 202 第一半導體層 _ 203 • 第二半導體層 21 電極對 211 第一電極 212 第二電極 22 阻隔層 23 抗反射層 30 光電轉換元件 301 矽基板 » 302 第一半導體層 303 第二半導體層 32 阻隔層 33 抗反射層 41 基板 42 阻隔層 S卜sn、S2、S21、S3、S31、S4 本發明第四實施 例之一種光電轉換裝置之製造方法的流程 SI，、Sll，、S2’、S21，、S3’、S31’ 本發明第五實 17 1296859 施例之一種光電轉換元件之製造方法的流程 18

Claims (1)

1296859 97年I月]4日補充修正修正頁 nTBinnnr 麵,，「,.搬儿 4r, , _ 9啤’月/疒輯侵)正替換頁卒 十、申請專利範圍： 1、一種光電轉換裝置，包含： 一光學轉換元件，其係包含一矽基板、一阻隔層、一 第一半導體層及一第二半導體層，該矽基板中矽之 純度係大於等於㈣，該第一半導體層係設置於該 矽基板之上，且該阻隔層設置於該矽基板與該第一

半導體層之間，該第二半導體層係設置於該第—半 導體層上；以及 -電極對，其係包括―第—電極與—第二電極，該第 -電極係與該第-半導體層相連結，該第二電極係 與6亥弟一半導體層相連結。 7 2、 如申請專利範圍第丨項所述之光電轉換裝置，其中該 矽基板之厚度範圍係為25〇//m至3〇〇//m。 ^ 3、 如申請專利範圍第丨項所述之光電轉換裝置，其中該 阻隔層之材質係選自氧化矽、氮化矽或碳化矽。 4、 如申請專利範圍第1項所述之光電轉換裝置，其中該 阻隔層之厚度範圍係為10//m至50/zm。 ^ 5、 如申請專利範圍第1項所述之光電轉換裝置，其中該 阻隔層係為一多孔結構，其係具有複數個穿孔。 6、 如申請專利範圍第5項所述之光電轉換裝置，其中該 阻隔層之穿孔的孔隙度係為20%至70%。 7、 如申請專利範圍第5項所述之光電轉換裝置，其中該 阻隔層之材質的粒徑範圍係為該阻隔層之厚度的〇 3 倍至0.7倍。 ^ 19 ^296859 8、 如申請真剎狄闰外 97年1月丨4曰補充修正修正頁 第it :弟5項所述之光電轉換裝置，其中該 隙产广晶粒大小(職阻隔層之穿孔的孔 又ν )關係係符合下列方程式： h心)1/3，nms。 9、 亡申請專利範圍第i項所述之光電轉換裝置，其中該 弟—半導體層之厚度範圍係為·瓜至15〇_。 =請專利範圍第1項所述之光電轉換裝置，其中該

第一半導體層之材質的粉徑範圍料該第—半導體 層之厚度的〇·〇1倍至〇·3倍。 11 =申請專利範圍第丨項所述之光電轉換裝置，其中該 第迅極與5亥第一電極係設置於該光電轉換元件之 .相對兩侧' ' 12、如申請專利範圍第i項所述之光電轉換裝置，其中該 光電轉換元件更包含—抗反射層，其係設置於該第二 半導體層之上。 13如申明專利範圍第12項所述之光電轉換裝置，其中 該抗反射層之材質係包含氮化矽。 14、 如申請專利範圍第1項所述之光電轉換裝置，其中該 矽基板中矽之純度範圍係為95%_99.99999%。 15、 一種光電轉換元件，包含： 一石夕基板’該發基板中;5夕之純度係大於等於95〇/〇 ; 一阻隔層，其係設置於該矽基板上； 一第一半導體層，其係設置於該阻隔層上；以及 一第二半導體層，其係談置於該第一半導體層上。 20 1296859 97年1月14日補充修正修正頁 16、 如中請專利範圍第15項所述之光電轉換元件，其中 該石夕基板之厚度範圍係為：刈“㈤至3〇〇//m。 17、 如ΐ請專利範圍第15項所述之光電轉換元件，其中 該阻隔層之材質係選自氧化矽、氮化矽或碳化矽。 18、 如申請專利範圍第15項所述之光電轉換元件，其中 該阻隔層之厚度範圍係為1〇//111至5〇//m。 /、 如申明專利範圍第15項所述之光電轉換元件，其中 该阻隔層係為一多孔結構，其係具有複數個穿孔。 如申明專利範圍第19項所述之光電轉換元件，其中 "亥阻1^層之穿孔的孔隙度係為20%至70%。 21、如申請專利範圍第19項所述之光電轉換元件，其中 "亥阻隔層之材質的粒徑範圍係為該阻隔層之厚度的 〇·3倍至〇·7倍。 ^ 如申印專利範圍第19項所述之光電轉換元件，其中 "亥第半導體層之晶粒大小（占）與該阻隔層之穿孔的 孔隙度（2^)關係係符合下列方程式： “詞1’3，η=〇·3〜15。 23、 如=請專利範圍第丨5項所述之光電轉換元件，其中 該第一半導體層之厚度範爵係為2〇//111至15〇#历。 24、 2請專利_第15項所述之光電轉換元件，其中 該第一半導體層之材質的粉徑範圍係 體層之厚度的0.01倍至。.3倍。 弟+V 25、 =中請專利範圍帛.15項所述之光電轉換元件，更包 含一抗反射層，其係設置於該第二半導體層之上。 21 !296859 97年1月14日補充修正修正頁 26、七由 · 97年11月14曰補充 ^申請專利範圍第25項所述之光電轉換元件 D、-抗反射層之材質係包含氮化矽。 =申請專利範圍第15項所述之光電轉換元件 28、^板中矽之純度範圍係為95%_99.99999%。 一種光電轉換元件用之基板，包含·· 矽基材，該矽基材中矽之的純度係大於等於95% · 以及 ’ Μ 一咀隔層，其係設置於該矽基材上。 如申請專利範圍第28項所述之基板，其中該矽基本 之厚度範圍係為250 // m至300 // m。 如申請專鄕目第28項所狀基板，其巾該阻隔力 之材貝係選自氧化矽、氮化矽或碳化石夕。 如申請專目第28項所述之基板，其巾該随隔^ 之厚度範圍係為l〇/zm至50/zm。 同丨 =請專利範圍第28項所述之基板，其中該阻隔^ ’、、、、多孔結構，其係具有複數個穿孔。 =請專利範_ 32賴述之基板，其巾心且⑻ 牙孔的孔隙度係為20%至70%。 4、如申請專利範圍第3 2項所述之基板，其^ s 1材質的粉徑範固係為該阻隔層之厚度的0.3倍至: ^申請專利範®第28項所述之基板，其巾該 中矽之純度範圍係為95%-99.99999%。 4 —種光電轉換元件之製造方法，其係包含下歹㉘驟 其中 該石夕 30 31 32 33 35 22 36 1296859 97年1月14日補充修正修正頁 提供一矽基板，其矽之純度係大於等於95% ; 於該矽基板上形成一阻隔層； 於該阻隔層上形成一第一半導體層；以及 於該第一半導體層上形成一第二半導體層。 37、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該石夕 基板係將矽材料真空鑄造成矽晶塊，並經由切割而 成。 38、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該矽 基板之厚度範圍係為250// m至300 β m。 39、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該矽 基板中矽之純度範圍係為95%_99.99999%。 40、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該阻 隔層係以熱喷塗技術形成於該紗基板上。 41、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該阻 隔層之材質係選自氧化矽、氮化矽或碳化矽。 42、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該阻 隔層之厚度範圍係為10//Π1至50/zm。 43、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該阻 隔層之材質的粒徑範圍係為該阻隔層之厚度的0.3倍 至0.7倍。 44、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該阻 隔層之孔隙度範圍係為20%至70%。 45、 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該第 一半導體層係以熱喷塗技術形成於該矽基板之上。 23 !296859 45 97年1月14曰補充修正修正頁 二申請專利範圍S 36工頁所述之製造方法，其中該第 〇 —半導體層之厚度範圍係為，㈣至請㈣。 ^申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該第 -半導體層之材質的粉徑範圍係為該第 之厚度的0.01倍至0.3倍。 曰 ^申4專利範圍第36項所述之製造方法，其中於該 第-半導體層形成之後更包含—再結晶程序。 、：申曰請專利範圍第48項所述之製造方法，其中該再 、‘晶程序係包含瞬間加熱該第一半導體層至一溫 度，及冷卻該第一半導體層。 如申請專利範圍第49項所述之製造方法，其中該溫 度範圍係為1〇〇〇。(3至15〇(rc。 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中該半導體層之晶粒大小⑷與該阻隔層之穿孔的孔隙 度ο)關係係符合下列方程式： 5 二心)1' η=0·3〜1.5。 如申—請專利範圍第36項所述之製造方法，更包含於 §玄第二半導體層之上形成一抗反射層。 、 如申請專利範圍第52項所述之製造方法，其中 反射層之材質係包含氮化矽。 ^ =光電轉換裝置之製造方法，其係包含下列步驟： Μ、一石夕基板，其石夕之純度係大於等於95%; 於該矽基板占形成一阻隔層； 50 51 52 53 於該阻隔層上形成一第一半導 體層 24 54 1296859 97年1月14日補充修正修正頁 於該第一半導體層上形成一第二半導體層；以及 設置一第一電極與一第二電極分別連結該第一半導 體層與該第二半導體層。 55、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該矽 * 基板係將矽材料真空鑄造成矽晶塊，並經由切割而 成。 56、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該矽 基板之厚度範圍係為250//m至300//m。 _ 57、如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該矽 基板中矽之純度範圍係為95%-99.99999%。 58、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該阻 隔層係以熱喷塗技術形成於該矽基板上。 59、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該阻 隔層之材質係選自氧化矽、氮化矽或碳化矽。 60、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該阻 血 隔層之厚度範圍係為10/zm至50//m。 ^ 61、如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該阻 . 隔層之材質的粉徑範圍係為該阻隔層之厚度的0.3倍 Λ \ 至0.7倍。 62、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該阻 隔層之孔隙度範圍係為20%至70%。 63、 如申請專利範圍第54項所述之製造.方法，其中該第 一半導體層係以熱喷塗技術形成於該矽基板之上。 64、 如申請專利範圍第54項所述之製造方法，其中該第 25 仫观59 一半導體層之厚度範圍得 97年1月μ日補充修正修正頁 65、如申喑真系為20“m至l50//m。 -半導L 54項所述之製造方法，其中該第 之厚度的_倍至〇·3倍。⑷弟-丰導體層 如申凊專利範圍第54項 筮少、首 、斤处之製造方法，其中於兮 弟一 +導體層形成之後更包含 ，、中於遠 67、如由往*』丨μ 丹、、、口日日矛王序。 。專利範圍第66項所 結晶程序係包含瞬間加執 丨思、中及再 68 度，及冷卻該第-半導體層4 —+導體層至一溫 69 =請專利範圍第67項所述之製造方法，、、田 度軏圍係為1000。〇至15〇(rc。 、 皿 ==專利範圍第54項所述之製造方法，其中該第 70 度㈤關係係符合下歹J程)式、:亥阻隔層之牙孔的孔隙 5 )1/3， n=〇.3〜L5。 更包含於 其中該抗 其中該第 71 如申請專利範圍第54項所述之製造方法 該第二半導職之均成—歧 72 如申請專利範圍第70項所述之製造方 反射層之材質係包含氮化石夕。 如申請專利範圍第54項所述之製造方法 一電極或該第二電極係以網印方式形成。 26